JPH0772760B2 - Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 - Google Patents
Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法Info
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- JPH0772760B2 JPH0772760B2 JP62150699A JP15069987A JPH0772760B2 JP H0772760 B2 JPH0772760 B2 JP H0772760B2 JP 62150699 A JP62150699 A JP 62150699A JP 15069987 A JP15069987 A JP 15069987A JP H0772760 B2 JPH0772760 B2 JP H0772760B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高分子フィルムのグラファイト化物を用いたＸ
線及び中性子線用グラファイトモノクロメータ及びその
製造法に関する。
線及び中性子線用グラファイトモノクロメータ及びその
製造法に関する。
近年、物質の構造解析等の分析手法としてＸ線が極めて
広範囲に用いられている。この際、通常銅、鉄、モリブ
デン等からの特性Ｘ線が用いられ、最強のＫα特性線の
みを得るためグラファイトの（002）面の反射を利用し
たモノクロメータが用いられることが多い。物性研究に
中性子線の利用も盛んであり、この場合もグラファイト
モノクロメータを用いて単色化がなされている。
広範囲に用いられている。この際、通常銅、鉄、モリブ
デン等からの特性Ｘ線が用いられ、最強のＫα特性線の
みを得るためグラファイトの（002）面の反射を利用し
たモノクロメータが用いられることが多い。物性研究に
中性子線の利用も盛んであり、この場合もグラファイト
モノクロメータを用いて単色化がなされている。
この場合には中性子線が試料に入射する前にグラファイ
トモノクロメータを通して単色化するとともに、試料に
より反射された中性子線をグラファイトモノクロメータ
を通すことにより1/2高調波をカットする目的でも用い
られ、後者のモノクロメータはアナライザー又はフィル
ターと呼ばれることもある。
トモノクロメータを通して単色化するとともに、試料に
より反射された中性子線をグラファイトモノクロメータ
を通すことにより1/2高調波をカットする目的でも用い
られ、後者のモノクロメータはアナライザー又はフィル
ターと呼ばれることもある。
従来、このグラファイトモノクロメータとしては熱分解
炭素で3000℃、400kg/cm2といった高温・高圧で加圧焼
成して得られる高配向グラファイト（以下HOPGと略す）
が用いられてきた。
炭素で3000℃、400kg/cm2といった高温・高圧で加圧焼
成して得られる高配向グラファイト（以下HOPGと略す）
が用いられてきた。
一方、高分子フィルムのグラファイト化物は知られてお
り、その高導電性を利用して電気・電子材料および素子
への応用が期待されている。
り、その高導電性を利用して電気・電子材料および素子
への応用が期待されている。
しかしながら、炭化水素ガスの熱分解による炭素の構
造、ついで高温高圧下での焼成という工程のため大掛り
な装置を必要とするうえにモノクロメータとして使える
ものは得られたHOPGのごく一部であり、またＸ線を集光
させるための湾曲したモノクロメータの作製に大きな困
難を伴うという欠点があった。したがって当業界から高
配向化が容易であり、湾曲加工が容易な材料からグラフ
ァイトモノクロメータを得ることが望まれている。
造、ついで高温高圧下での焼成という工程のため大掛り
な装置を必要とするうえにモノクロメータとして使える
ものは得られたHOPGのごく一部であり、またＸ線を集光
させるための湾曲したモノクロメータの作製に大きな困
難を伴うという欠点があった。したがって当業界から高
配向化が容易であり、湾曲加工が容易な材料からグラフ
ァイトモノクロメータを得ることが望まれている。
本発明の目的は上記の問題を解決したグラファイトモノ
クロメータ及びその製造法を提供することにある。
クロメータ及びその製造法を提供することにある。
本発明は次に記す発明からなる。
（１）高分子フィルムを不活性雰囲気下で2000〜3500℃
の温度で熱処理して得られたグラファイト化物の積層体
を用いることを特徴とするＸ線及び中性子線用グラファ
イトモノクロメータ。
の温度で熱処理して得られたグラファイト化物の積層体
を用いることを特徴とするＸ線及び中性子線用グラファ
イトモノクロメータ。
（２）高分子フィルムを不活性雰囲気下で2000〜3500℃
の温度で熱処理する前または後にフィルムを積層するこ
とを特徴とするＸ線及び中性子線用グラファイトモノク
ロメータの製造法。
の温度で熱処理する前または後にフィルムを積層するこ
とを特徴とするＸ線及び中性子線用グラファイトモノク
ロメータの製造法。
本発明は高分子フィルムを不活性雰囲気下、特定の条件
下で熱処理してえられたグラファイト化物が湾曲加工が
容易で、かつＸ線及び中性子線用グラファイトモノクロ
メータとして優れた性能を有することを見出したもので
ある。
下で熱処理してえられたグラファイト化物が湾曲加工が
容易で、かつＸ線及び中性子線用グラファイトモノクロ
メータとして優れた性能を有することを見出したもので
ある。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において使用される高分子フィルムとしては熱処
理において形態を保ったままグラファイト化できるもの
であれば特に限定されないが、好ましくは一般式（Ｉ） （式中ＸはＯ、CH2、またはSO2を示す）で表される繰返
し単位を有する芳香族ポリイミドフィルム、一般式（I
I） Ｒ−CH＝CH （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基を示す）で表される繰返し単位
を有する芳香族共役系高分子フィルム、一般式（III） （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基、R1、R2は炭素数１〜10のアル
キル基、Ｘは対イオンを示す）で表される繰返し単位を
有する前記一般式（II）で表される高分子の前駆体の一
つである高分子スルホニウム塩、もしくはその不完全脱
スルホニウム塩処理物（硫黄を含む）のフィルム、およ
び一般式（IV） で表される繰り返し単位を有するポリオキサジアゾール
フィルム等から選ばれる。
理において形態を保ったままグラファイト化できるもの
であれば特に限定されないが、好ましくは一般式（Ｉ） （式中ＸはＯ、CH2、またはSO2を示す）で表される繰返
し単位を有する芳香族ポリイミドフィルム、一般式（I
I） Ｒ−CH＝CH （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基を示す）で表される繰返し単位
を有する芳香族共役系高分子フィルム、一般式（III） （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基、R1、R2は炭素数１〜10のアル
キル基、Ｘは対イオンを示す）で表される繰返し単位を
有する前記一般式（II）で表される高分子の前駆体の一
つである高分子スルホニウム塩、もしくはその不完全脱
スルホニウム塩処理物（硫黄を含む）のフィルム、およ
び一般式（IV） で表される繰り返し単位を有するポリオキサジアゾール
フィルム等から選ばれる。
上記式（II）でＲの例としてはｐ−フェニレン基、ｐ−
フェニレン基の2,5位が塩素、炭素数１〜６のアルキル
基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル
等）、または炭素数１〜６のアルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）で置換されたジ置
換ｐ−フェニレン基等が例示され、また式（III）中の
Ｒも同様である。また、式（III）の高分子スルホニウ
ム塩において、例えばＲがｐ−フェニレン基の場合、焼
成の過程でポリ−ｐ−フェニレンビニレンを経由する。
さらに不完全脱スルホニウム塩処理物はポリ−ｐ−フェ
ニレンビニレンに至る過程の中間体であるため硫黄を少
量が有している。
フェニレン基の2,5位が塩素、炭素数１〜６のアルキル
基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル
等）、または炭素数１〜６のアルコキシ基（メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）で置換されたジ置
換ｐ−フェニレン基等が例示され、また式（III）中の
Ｒも同様である。また、式（III）の高分子スルホニウ
ム塩において、例えばＲがｐ−フェニレン基の場合、焼
成の過程でポリ−ｐ−フェニレンビニレンを経由する。
さらに不完全脱スルホニウム塩処理物はポリ−ｐ−フェ
ニレンビニレンに至る過程の中間体であるため硫黄を少
量が有している。
好ましい具体例としては前記式（Ｉ）においてＸがＯ
（酸素）であるポリ−N,N′−（p,p′−オキシジフェニ
レン）−ピロメリットイミド、前記式（II）においてＲ
がｐ−フェニレン基であるポリ−ｐ−フェニレンビニレ
ン基の高分子フィルムが挙げられる。
（酸素）であるポリ−N,N′−（p,p′−オキシジフェニ
レン）−ピロメリットイミド、前記式（II）においてＲ
がｐ−フェニレン基であるポリ−ｐ−フェニレンビニレ
ン基の高分子フィルムが挙げられる。
また、これら高分子フィルムの製造については特公昭37
−97号、特開昭59−199746号公報等に記載されている方
法等公知の方法で行うことができる。
−97号、特開昭59−199746号公報等に記載されている方
法等公知の方法で行うことができる。
また、これら高分子フィルムは配向処理、より好ましく
は面配向処理の施された配向フィルムがよく、実質的に
二軸延伸処理が行われた高分子フィルムが特に好まし
い。
は面配向処理の施された配向フィルムがよく、実質的に
二軸延伸処理が行われた高分子フィルムが特に好まし
い。
これらの高分子フィルムの厚みは特に限定されないが通
常50μｍ以下、より好ましくは30μｍ以下である。
常50μｍ以下、より好ましくは30μｍ以下である。
これらの高分子フィルムはそのまま熱処理に供すること
もできるが、本発明者らは熱処理の前に特定の条件で予
め熱処理（以下前処理と称する）を行うことにより、実
質的に皺のない平滑なグラファイトフィルムが安定して
得られることを見出した。すなわち、前処理は高分子フ
ィルムを窒素、アルゴン等の不活性雰囲気または真空
中、500〜1500℃、より好ましくは700〜1500℃の温度で
行われる。この際、耐熱性の板、例えば黒鉛板、石英ガ
ラス板に挟んで処理を行うのが好ましく、また高分子フ
ィルムを両側の板に密着させて行うのがより好ましい。
フィルムと板との間に間隙があると前処理時にフィルム
に皺が生じる場合がある。
もできるが、本発明者らは熱処理の前に特定の条件で予
め熱処理（以下前処理と称する）を行うことにより、実
質的に皺のない平滑なグラファイトフィルムが安定して
得られることを見出した。すなわち、前処理は高分子フ
ィルムを窒素、アルゴン等の不活性雰囲気または真空
中、500〜1500℃、より好ましくは700〜1500℃の温度で
行われる。この際、耐熱性の板、例えば黒鉛板、石英ガ
ラス板に挟んで処理を行うのが好ましく、また高分子フ
ィルムを両側の板に密着させて行うのがより好ましい。
フィルムと板との間に間隙があると前処理時にフィルム
に皺が生じる場合がある。
また、前処理においては高分子フィルムを前処理の温度
に昇温する際、該高分子が分解し始める温度以上、例え
ば約300℃以上においては１℃／分以上、好ましくは５
℃／分以上の速い速度で前処理の温度にまで昇温するの
が好ましく、１℃／分以下の昇温ではフィルムの発泡の
原因となり易い。
に昇温する際、該高分子が分解し始める温度以上、例え
ば約300℃以上においては１℃／分以上、好ましくは５
℃／分以上の速い速度で前処理の温度にまで昇温するの
が好ましく、１℃／分以下の昇温ではフィルムの発泡の
原因となり易い。
上記の前処理、ついで後述の熱処理を行って得られたグ
ラファイトフィルムは熱処理のみによって得られたもの
と比較して発泡、皺等がなく平滑性が非常に優れてい
る。
ラファイトフィルムは熱処理のみによって得られたもの
と比較して発泡、皺等がなく平滑性が非常に優れてい
る。
熱処理は2000〜3500℃の温度で行われる。熱処理温度が
2000℃未満の場合は実質的にグラファイト化が進まず、
一方3500℃を超えると炭素の著しい昇華が起こったり、
また加熱エネルギーが大きくなるので経済的でない。ま
た、熱処理時間は特に限定されないが、熱処理温度を考
慮してフィルムのグラファイト化が十分達成されるよう
に適宜選択するのが好ましい。熱処理においてはフィル
ムを無束縛状態または緊張状態で行うことができるが耐
熱性板、好ましくは黒鉛板に挟んで熱処理を行うことが
より好ましい。この場合、上記黒鉛板の間隙をフィルム
厚みの３〜100倍程度とするのが好ましい。この間隙が
少ないとフィルムが直接黒鉛板に圧迫されることになり
グラファイト化の際の円滑なフィルムの伸びが妨げら
れ、また間隙が大きすぎると得られるフィルムに皺が発
生する原因となるので好ましくない。
2000℃未満の場合は実質的にグラファイト化が進まず、
一方3500℃を超えると炭素の著しい昇華が起こったり、
また加熱エネルギーが大きくなるので経済的でない。ま
た、熱処理時間は特に限定されないが、熱処理温度を考
慮してフィルムのグラファイト化が十分達成されるよう
に適宜選択するのが好ましい。熱処理においてはフィル
ムを無束縛状態または緊張状態で行うことができるが耐
熱性板、好ましくは黒鉛板に挟んで熱処理を行うことが
より好ましい。この場合、上記黒鉛板の間隙をフィルム
厚みの３〜100倍程度とするのが好ましい。この間隙が
少ないとフィルムが直接黒鉛板に圧迫されることになり
グラファイト化の際の円滑なフィルムの伸びが妨げら
れ、また間隙が大きすぎると得られるフィルムに皺が発
生する原因となるので好ましくない。
このようにして得られたグラファイトフィルムはＸ線お
よび中性子線の反射強度を高めるため積層して使用する
のが好ましい。
よび中性子線の反射強度を高めるため積層して使用する
のが好ましい。
熱処理により得られたグラファイトフィルムを単に２枚
以上重ねて使用するだけでも反射強度を高めるために効
果的であるが、さらに高分子フィルムを重ね合わせて再
度前記した熱処理を施すことにより積層するのが好まし
い。
以上重ねて使用するだけでも反射強度を高めるために効
果的であるが、さらに高分子フィルムを重ね合わせて再
度前記した熱処理を施すことにより積層するのが好まし
い。
この際、積層を円滑に行うため、熱処理に際しては、積
層したフィルムを耐熱性板に挟み、ボルト等で締めつけ
るなどして圧迫を加えて行うことが好ましい。
層したフィルムを耐熱性板に挟み、ボルト等で締めつけ
るなどして圧迫を加えて行うことが好ましい。
また、他に前処理したフィルムを重ね合わせて熱処理を
施す方法、あるいは高分子フィルムを重ね合わせて熱処
理する方法等により積層させることもできる。
施す方法、あるいは高分子フィルムを重ね合わせて熱処
理する方法等により積層させることもできる。
また積層に際して熱処理により炭素原子のみとなるよう
な適当な接着剤を用いることもできる。この場合、接着
剤としては易黒鉛化材料を含むものが好ましい。そのよ
うな易黒鉛化材料としてはPVC,ピッチ，式（III）に示
す高分子スルホニウム塩をあげることができる。
な適当な接着剤を用いることもできる。この場合、接着
剤としては易黒鉛化材料を含むものが好ましい。そのよ
うな易黒鉛化材料としてはPVC,ピッチ，式（III）に示
す高分子スルホニウム塩をあげることができる。
これらの方法で積層したものはグラファイトフィルム同
志がよく密着しており、バラバラに剥がれてしまうこと
がなく、モノクロメータとして使用し易くなる。
志がよく密着しており、バラバラに剥がれてしまうこと
がなく、モノクロメータとして使用し易くなる。
また、Ｘ線の集光が可能な湾曲モノクロメータの場合
は、フィルムを所定の曲率をもった耐熱性板に挟み込ん
で上記の方法で処理することにより容易に作製すること
ができる。
は、フィルムを所定の曲率をもった耐熱性板に挟み込ん
で上記の方法で処理することにより容易に作製すること
ができる。
このようにして得られたグラファイトフィルムは面配向
性が極めてすぐれ、さらに前処理を行ったものは平滑性
が良く、また配向関数の半値巾が４℃以内というモノク
ロメータとして優れた特性を有している。また熱処理条
件によりグラファイトモノクロメータの配向関数の半値
巾を制御することができる。
性が極めてすぐれ、さらに前処理を行ったものは平滑性
が良く、また配向関数の半値巾が４℃以内というモノク
ロメータとして優れた特性を有している。また熱処理条
件によりグラファイトモノクロメータの配向関数の半値
巾を制御することができる。
以下の実施例において更に詳細に本発明を説明する。
実施例１ 公知の方法でピロメリット酸とジアミノジフェニルエー
テルを重縮合し、ついでフィルムに成形して得られた芳
香族ポリアミド酸フィルムの４端を固定し400℃で熱処
理することにより面配向させ、厚みが13μｍの芳香族ポ
リイミトフィルムを得た。このフィルムを黒鉛板に挟
み、窒素ガスを雰囲気中、10℃／分の昇温速度で700℃
まで昇温し前処理を行った。室温まで冷却後、0.5mmの
スペーサーを付けた黒鉛板に挟み、アルゴンガス雰囲気
中で室温から3000℃まで２時間かけて昇温し、3000℃に
20分間保った。得られた熱処理物は厚みが５μｍのフィ
ルムであり、表面は金属光沢をしており、発泡、皺のな
い平滑性に優れたものであった。
テルを重縮合し、ついでフィルムに成形して得られた芳
香族ポリアミド酸フィルムの４端を固定し400℃で熱処
理することにより面配向させ、厚みが13μｍの芳香族ポ
リイミトフィルムを得た。このフィルムを黒鉛板に挟
み、窒素ガスを雰囲気中、10℃／分の昇温速度で700℃
まで昇温し前処理を行った。室温まで冷却後、0.5mmの
スペーサーを付けた黒鉛板に挟み、アルゴンガス雰囲気
中で室温から3000℃まで２時間かけて昇温し、3000℃に
20分間保った。得られた熱処理物は厚みが５μｍのフィ
ルムであり、表面は金属光沢をしており、発泡、皺のな
い平滑性に優れたものであった。
このフィルムをＸ線ディフラクトメータの試料台に固定
し、銅ターゲットからの特性Ｘ線を用いて通常の反射法
による回析パターンを求めると第１図に示すグラファイ
ト（002）、（004）面のみからの反射ピークが観察さ
れ、フィルムが面内に強く配向されていることが判っ
た。
し、銅ターゲットからの特性Ｘ線を用いて通常の反射法
による回析パターンを求めると第１図に示すグラファイ
ト（002）、（004）面のみからの反射ピークが観察さ
れ、フィルムが面内に強く配向されていることが判っ
た。
また、（002）面からの反射はその半値巾が0.11゜と極
めて鋭いピークであった。
めて鋭いピークであった。
さらに面内の配向性をより定量的に調べるためにディフ
ラクトメータの計数管を２θ＝26.5゜に固定し、試料台
のみを回転させて配向関数を求めたところ第２図に示す
回折パターンが得られ、半値巾が0.8゜という高い配向
度を示した。このフィルムのＸ線特性は極めて優れたも
のであり、Ｘ線および中性子線用のモノクロメータとし
て十分使用し得ることが判る。
ラクトメータの計数管を２θ＝26.5゜に固定し、試料台
のみを回転させて配向関数を求めたところ第２図に示す
回折パターンが得られ、半値巾が0.8゜という高い配向
度を示した。このフィルムのＸ線特性は極めて優れたも
のであり、Ｘ線および中性子線用のモノクロメータとし
て十分使用し得ることが判る。
実施例２ 実施例１と同様にして得られた芳香族ポリアミド酸フィ
ルムの４端を固定し400℃で熱処理することにより面配
向させ、厚みが25μｍの芳香族ポリイミドフィルムを得
た。このフィルムを実施例１と同様に前処理、さらに熱
処理を行って厚みが10μｍのグラファイトフィルムを得
た。表面は金属光沢をしており、発泡、皺のない平滑性
に優れたものであった。また、フィルムのＸ線回折パタ
ーンからフィルムが面内に高配向していることが認めら
れ、（002）面からの反射はその半値巾が0.12゜であっ
た。また、配向関数を求めた結果、その半値巾は1.2゜
であった。
ルムの４端を固定し400℃で熱処理することにより面配
向させ、厚みが25μｍの芳香族ポリイミドフィルムを得
た。このフィルムを実施例１と同様に前処理、さらに熱
処理を行って厚みが10μｍのグラファイトフィルムを得
た。表面は金属光沢をしており、発泡、皺のない平滑性
に優れたものであった。また、フィルムのＸ線回折パタ
ーンからフィルムが面内に高配向していることが認めら
れ、（002）面からの反射はその半値巾が0.12゜であっ
た。また、配向関数を求めた結果、その半値巾は1.2゜
であった。
実施例３ 実施例２で得たポリイミドフィルムを実施例１と同様に
前処理、さらに熱処理を行った。ただし熱処理の最高温
度は2900℃とした。得られたフィルムは平滑性の優れた
ものであり、フィルムのＸ線回折パターンからフィルム
が面内に高配向していることが認められ、（002）面か
らの反射はその半値巾が0.13゜であり、また配向関数を
求めた結果その半値巾は2.4゜であった。
前処理、さらに熱処理を行った。ただし熱処理の最高温
度は2900℃とした。得られたフィルムは平滑性の優れた
ものであり、フィルムのＸ線回折パターンからフィルム
が面内に高配向していることが認められ、（002）面か
らの反射はその半値巾が0.13゜であり、また配向関数を
求めた結果その半値巾は2.4゜であった。
実施例４ ｐ−フェニレン−ビス（メチレンジメチルスルホニウム
ブロミド）と苛性ソーダ水溶液を混合、反応させ、スル
ホニウム塩を側鎖に有する高分子スルホニウム塩水溶液
を得た。
ブロミド）と苛性ソーダ水溶液を混合、反応させ、スル
ホニウム塩を側鎖に有する高分子スルホニウム塩水溶液
を得た。
この反応液を透析膜（セロチューブ，分子量分画800
0）を用いて水に対して１日間透析処理を行った。この
透析液をキャストし、減圧下で乾燥し、高分子中間体フ
ィルムを得た。このフィルムを300℃の温度で二軸延伸
しながら脱スルホニウム塩処理を行って延伸倍率が３倍
で厚みが15μｍのポリ−ｐ−フェニレンビニレンフィル
ムを得た。このフィルムを実施例１と同様にして前処理
および熱処理を行ってグラファイトフィルムを得た。こ
のフィルムは発泡，皺のない平滑なフィルムであった。
0）を用いて水に対して１日間透析処理を行った。この
透析液をキャストし、減圧下で乾燥し、高分子中間体フ
ィルムを得た。このフィルムを300℃の温度で二軸延伸
しながら脱スルホニウム塩処理を行って延伸倍率が３倍
で厚みが15μｍのポリ−ｐ−フェニレンビニレンフィル
ムを得た。このフィルムを実施例１と同様にして前処理
および熱処理を行ってグラファイトフィルムを得た。こ
のフィルムは発泡，皺のない平滑なフィルムであった。
また、このフィルムのＸ線回析パターンからフィルムが
面内に高配向していることが認められ、（002）面から
の反射はその半値巾が0.11゜であった。なお、配向関数
を求めたところ、その半値巾は1.64゜であった。
面内に高配向していることが認められ、（002）面から
の反射はその半値巾が0.11゜であった。なお、配向関数
を求めたところ、その半値巾は1.64゜であった。
実施例５ 実施例１で得られたグラファイトフィルムを10枚重ね合
わせて試料台に取り付けＸ線回折測定を行った。積層の
効果により、グラファイトの（002）面からの反射積分
強度は一枚ものに比べて６倍以上あることが確認され
た。このときの配向関数の半値巾は１枚ものと積層した
ものとの間で差は認められず、積層後も高い配向が保た
れていた。
わせて試料台に取り付けＸ線回折測定を行った。積層の
効果により、グラファイトの（002）面からの反射積分
強度は一枚ものに比べて６倍以上あることが確認され
た。このときの配向関数の半値巾は１枚ものと積層した
ものとの間で差は認められず、積層後も高い配向が保た
れていた。
実施例６ 実施例２で得たグラファイトフィルムを40枚積層し、２
枚の黒鉛板に挟み込み、しかる後２枚の黒鉛板を黒鉛の
ボルトおよびナットを用いて締めつけた。このようにし
て試料に圧迫を加えながらアルゴンガス雰囲気中3000℃
まで２時間で昇温し、3000℃に20分間保った。得られた
試料は40枚のグラファイトフィルムが密着しており、平
滑性にも優れているものであった。
枚の黒鉛板に挟み込み、しかる後２枚の黒鉛板を黒鉛の
ボルトおよびナットを用いて締めつけた。このようにし
て試料に圧迫を加えながらアルゴンガス雰囲気中3000℃
まで２時間で昇温し、3000℃に20分間保った。得られた
試料は40枚のグラファイトフィルムが密着しており、平
滑性にも優れているものであった。
実施例７ 実施例２と同様にして芳香族ポリイミドフィルムを得
た。このフィルムを実施例２と同様に前処理を行った。
前処理フィルムを40枚積層し、２枚の黒鉛板に挟み込
み、しかる後２枚の黒鉛板を黒鉛のボルトおよびナット
を用いて締め付けた。このようにして試料に圧迫を加え
ながらアルゴンガス雰囲気中3000℃まで２時間で昇温
し、3000℃に20分間保った。得られた試料は40枚のグラ
ファイトフィルムが密着しており、剥離は見られなかっ
た。この試料はナイフで切断が可能で、密着性が優れて
いることを確認した。
た。このフィルムを実施例２と同様に前処理を行った。
前処理フィルムを40枚積層し、２枚の黒鉛板に挟み込
み、しかる後２枚の黒鉛板を黒鉛のボルトおよびナット
を用いて締め付けた。このようにして試料に圧迫を加え
ながらアルゴンガス雰囲気中3000℃まで２時間で昇温
し、3000℃に20分間保った。得られた試料は40枚のグラ
ファイトフィルムが密着しており、剥離は見られなかっ
た。この試料はナイフで切断が可能で、密着性が優れて
いることを確認した。
実施例８ 実施例２で得られたグラファイトフィルム100枚を式（I
II）に示す高分子スルホニウム塩水溶液を接着剤として
接着したのち150℃,500kg/cm2でプレスし積層した。次
いで積層物をグラファイト板に挟んで窒素雰囲気下850
℃まで昇温し850℃で１時間保持し、高分子スルホニウ
ム塩の炭素以外の元素を蒸発させた。冷却後得られた試
料はグラファイトフィルムが密着しており、配向性を求
めたところその半値巾は1.9゜であった。
II）に示す高分子スルホニウム塩水溶液を接着剤として
接着したのち150℃,500kg/cm2でプレスし積層した。次
いで積層物をグラファイト板に挟んで窒素雰囲気下850
℃まで昇温し850℃で１時間保持し、高分子スルホニウ
ム塩の炭素以外の元素を蒸発させた。冷却後得られた試
料はグラファイトフィルムが密着しており、配向性を求
めたところその半値巾は1.9゜であった。
第１および第２図はグラファイトフィルムのＸ線回折パ
ターンで縦軸は反射強度（相対強度）、横軸は回折角度
を示す。
ターンで縦軸は反射強度（相対強度）、横軸は回折角度
を示す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ２１Ｋ 1/06 Ｄ
Claims (9)
- 【請求項１】高分子フィルムを不活性雰囲気下で2000〜
3500℃の温度で熱処理して得られたグラファイト化物の
積層体を用いてなることを特徴とするＸ線及び中性子線
用グラファイトモノクロメータ。 - 【請求項２】高分子フィルムを不活性雰囲気下で2000〜
3500℃の温度で熱処理する前または後にフィルムを積層
することを特徴とするＸ線及び中性子線用グラファイト
モノクロメータの製造法。 - 【請求項３】高分子フィルムが一般式（Ｉ） （式中ＸはＯ、CH2、またはSO2を示す）で表される繰り
返し単位を有する芳香族ポリイミドフィルム、一般式
（II） Ｒ−CH＝CH （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基を示す）で表される繰返し単位
を有する芳香族共役系高分子フィルム、一般式（III） （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基、R1、R2は炭素数１〜10のアル
キル基、Ｘは対イオンを示す）で表される繰返し単位を
有する前記一般式（II）で表される高分子の前駆体の一
つである高分子スルホニウム塩、もしくはその不完全脱
スルホニウム塩処理物のフィルム、および一般式（IV） で表される繰り返し単位を有するポリオキサジアゾール
フィルムなる群から選ばれたものである特許請求の範囲
第２項による方法。 - 【請求項４】熱処理に先立ち500〜1500℃の温度で前処
理を行なう特許請求の範囲第２項による方法。 - 【請求項５】前処理されたフィルムを積層する特許請求
の範囲第４項による方法。 - 【請求項６】300℃以上において１℃/min以上の昇温速
度で前処理の温度まで加熱する特許請求の範囲第４項に
よる方法。 - 【請求項７】300℃以上において５℃/min以上の昇温速
度で前処理の温度まで加熱する特許請求の範囲第６項に
よる方法。 - 【請求項８】積層が、各フィルムの間にポリ塩化ビニ
ル、ピッチおよび一般式（III） （式中Ｒはビニレン基と連続した炭素−炭素共役系を形
成する芳香族炭化水素基、R1、R2は炭素数１〜10のアル
キル基、Ｘは対イオンを示す）で表される繰返し単位を
有する高分子スルホニウム塩から選ばれた一員を含む接
着剤を挿入し、ついで圧力下で熱処理することにより行
なわれる特許請求の範囲第２項による方法。 - 【請求項９】接着剤が該高分子スルホニウム塩を含むも
のである特許請求の範囲第８項による方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62150699A JPH0772760B2 (ja) | 1986-09-09 | 1987-06-16 | Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 |
| DE8787112748T DE3782892T2 (de) | 1986-09-09 | 1987-09-01 | Graphitmonochromator fuer roentgenstrahlen und neutronen und seine herstellung. |
| EP87112748A EP0259762B1 (en) | 1986-09-09 | 1987-09-01 | Graphite monochromator for x-rays and neutrons and production thereof |
| US07/092,141 US4842665A (en) | 1986-09-09 | 1987-09-02 | Method of producing a graphite monochromator for X-rays and neutrons |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-212958 | 1986-09-09 | ||
| JP21295886 | 1986-09-09 | ||
| JP62150699A JPH0772760B2 (ja) | 1986-09-09 | 1987-06-16 | Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105199A JPH01105199A (ja) | 1989-04-21 |
| JPH0772760B2 true JPH0772760B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=26480211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62150699A Expired - Lifetime JPH0772760B2 (ja) | 1986-09-09 | 1987-06-16 | Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 |
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| EP (1) | EP0259762B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0772760B2 (ja) |
| DE (1) | DE3782892T2 (ja) |
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| JP2517063B2 (ja) * | 1988-05-02 | 1996-07-24 | 新技術事業団 | 放射線光学素子 |
| JP2850442B2 (ja) * | 1990-02-13 | 1999-01-27 | 松下電器産業株式会社 | ガス器具 |
| EP0488356B1 (en) * | 1990-11-30 | 1997-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Processes for producing graphite blocks from graphitizable organic polymers and process for carbonizing graphitizable polymer films |
| DE4143530C2 (de) * | 1991-04-30 | 1995-02-09 | Picolab Oberflaechen Und Spure | Vorrichtung zur Neutronenaktivierungsanalyse |
| DE4127778C2 (de) * | 1991-04-30 | 1994-11-03 | Picolab Oberflaechen Und Spure | Vorrichtung zur Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse |
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| JPH0720293A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Canon Inc | Ｘ線ミラー及びこれを用いたｘ線露光装置とデバイス製造方法 |
| US5798075A (en) * | 1996-10-11 | 1998-08-25 | Advanced Ceramics Corporation | Adjustment of mosaic spread for highly oriented pyrolytic graphite |
| JP2002308611A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-23 | Ube Ind Ltd | グラファイト層状シ−ト物及びその製造方法 |
| JP4637839B2 (ja) | 2003-08-08 | 2011-02-23 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 反応性メソゲンを有する、液晶分子を配向させるための配向層 |
| WO2006129632A1 (ja) | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Kaneka Corporation | グラファイトフィルムの製造方法、およびその方法で製造されたグラファイトフィルム |
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| JP5322587B2 (ja) * | 2008-08-12 | 2013-10-23 | 株式会社カネカ | グラファイトフィルムの製造方法 |
| JP5450891B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2014-03-26 | 株式会社カネカ | グラファイトフィルムの製造方法 |
| US10020087B1 (en) * | 2015-04-21 | 2018-07-10 | Michael Kozhukh | Highly reflective crystalline mosaic neutron monochromator |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3671385A (en) * | 1970-07-17 | 1972-06-20 | Atomic Energy Commission | Fibrous carbonaceous composites and method for manufacturing same |
| US3859158A (en) * | 1971-04-20 | 1975-01-07 | Celanese Corp | Production of pervious low density carbon fiber reinforced composite articles |
| JPS60181129A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 高導電性ポリイミド熱処理物及びその組成物の製造法 |
| US4599193A (en) * | 1983-06-30 | 1986-07-08 | Director-General Of The Agency Of Industrial Science And Technology, An Organ Of The Ministry Of International Trade And Industry Of Japan | Highly electroconductive pyrolyzed product retaining its original shape and composition formed therefrom |
| US4626588A (en) * | 1984-06-26 | 1986-12-02 | Director-General Of The Agency Of Industrial Science And Technology | Conjugated polymer film and pyrolyzed product thereof |
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| DE3680824D1 (de) * | 1985-05-30 | 1991-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zum erzeugen von graphit. |
| JPS61275116A (ja) * | 1985-05-30 | 1986-12-05 | Res Dev Corp Of Japan | グラフアイトフイルムおよび繊維の製造方法 |
| JPS6287899A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | 新技術事業団 | 放射線光学素子 |
-
1987
- 1987-06-16 JP JP62150699A patent/JPH0772760B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-01 EP EP87112748A patent/EP0259762B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-01 DE DE8787112748T patent/DE3782892T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-02 US US07/092,141 patent/US4842665A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JPH01105199A (ja) | 1989-04-21 |
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| DE3782892T2 (de) | 1993-04-15 |
| EP0259762A2 (en) | 1988-03-16 |
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| EP0259762B1 (en) | 1992-12-02 |
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