JPH077229A - 半導体素子の製造方法及び半導体素子の保護膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】加工時に生じる付着物をできるだけ減少させ特
性の良い半導体素子を作製する半導体素子の製造方法、
及び端面に保護膜を簡単かつ歩留まり良く形成できしか
も端面の形状に依存することなく形成できる保護膜の形
成方法である。 【構成】半導体素子に、レーザーの共振器となるレーザ
ー端面、光波の分岐・結合を行うためのカップラ部６な
どを集束イオンビームエッチング法によって作製する。
この際に、半導体素子の少なくともレーザー端面、カッ
プラ部６などに、冷却しながら集束イオンビームエッチ
ングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光通信の分野に必要と
される光電子集積回路等に用いられる半導体素子の製造
方法に関する。また、本発明は半導体素子の保護膜形成
方法に関し、更に詳しく述べれば、半導体レーザ等にお
いてエッチングにより形成された端面及び光カプラ等の
端面などの保護膜形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
レーザー端面ならびに光カップラを作製するための方法
として、常温での集束イオンビームエッチング（ＦＩＢ
Ｅ）法が知られている（’９１、秋季応用物理学会予稿
集（１０ｐ−ＺＮ−１８）「収束イオンビームエッチン
グによる光集積カップラの作製」参照）。常温でのＡｕ
のイオンビームを用いたＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓレーザ
ーのカップラ部スリット溝の加工端面の断面の透過型電
子顕微鏡（ＴＥＭ）写真の様子を図５（図４と対照して
示す）に示す。

【０００３】しかし上記従来例では、以下のような欠点
があった。

【０００４】常温でのＦＩＢＥ法によって作製した加工
端面を持つレーザーは、劈界面をレーザー端面としたレ
ーザーに比べてしきい値電流が高く、耐久性が非常に悪
かった。

【０００５】この原因を調査するために、従来の技術で
作製したレーザーの加工端面を断面方向に薄片化して透
過電子顕微鏡で観察すると、加工端面には非常に多くの
付着物が存在しており、この付着物の構造を電子回折に
より調べた結果、ＡｕＧａ₂やＧａＡｓの微結晶である
事がわかった。この様な付着物の存在により、端面では
光の吸収、散乱等が生じ、レーザーの特性及び耐久性が
著しく低下するものと思われる。また、付着物によりス
リット溝の傾斜角θ（図３参照）の制御性も悪く、レー
ザー等の素子の特性もばらついていた。

【０００６】次に、従来、半導体レーザを製造する際に
エッチングによって形成した加工端面に保護膜を形成す
る方法として、図１４に示すように、ウエハー状態のま
まで（図１４（ｓ））、又はバー状態に細分化した後
（図１４（ｐ））、エレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法
やスパッタ法等でＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、Ｓｉ₃
Ｎ₄等の保護膜４００を形成する方法があった。

【０００７】しかし、バー状態に細分化した後、保護膜
４００を形成する場合には、 バー状態にする際にウエ
ハーの割れが生じ易く、ウエハーに損傷を与えて素子性
能を劣化させる。 図１４に示すように、保護膜４００
を形成する際に、一方の端面に保護膜４００を形成し
（図１４（ｑ））、次いで素子を反転させた後、他方の
端面に保護膜４００を形成する（図１４（ｒ））ことが
一般に行われていたが、これでは工程が繁雑である上、
保護膜４００が端面以外の部分に廻り込んで形成される
等の問題があった。

【０００８】また、ウエハー状態のままで保護膜４００
を形成する場合には、 逆メサ形状のエッチング端面４
０１に保護膜を形状し難い（図１４（ｓ））。

【０００９】更に、バー状態、ウエハー状態において、
従来の場合、任意の端面に任意の保護膜を形成すること
は困難であった。

【００１０】従って、本発明の第１の目的は、加工時に
生じる付着物をできるだけ減少させ特性の良い半導体素
子を作製する半導体素子の製造方法を提供する事にあ
る。

【００１１】また、本発明は、上記事情に鑑みなされた
もので、その第２に目的とするところは、バー状態に細
分化することなくウエハー状態のままで端面に保護膜
を、簡単かつ歩留まり良く形成でき、しかも逆メサ形状
の端面にも端面の形状に依存することなく形成すること
ができる保護膜の形成方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
る本発明は、半導体素子のレーザー端面あるいはカップ
ラ部などをＦＩＢＥ法によって作製する際に、前記半導
体素子の少なくともレーザー端面あるいはカップラ部な
どを冷却（少なくとも０°Ｃ程度以下）しながら加工す
る半導体素子の製造方法である事を特徴とする。

【００１３】また、本発明は、上記第２の目的を達成す
るために、端面をエッチングプロセスによって形成した
半導体素子において、保護膜となる基材をウエハー状態
のままでＥＢ蒸着法やスパッタ法等で形成し、次いで、
集束イオンビームエッチング（ＦＩＢＥ）法を用いて、
エッチング底部の基材を局所的にスパッタして端面に保
護膜を形成する保護膜の形成方法である事を特徴とす
る。

【００１４】

【実施例１】図１は、本発明の第１実施例である光半導
体素子のＦＩＢＥ加工時の模式的上面図を示し、図２は
図１のＡ−Ａ’断面図、図３は図１のＢ−Ｂ’断面図で
ある。

【００１５】本実施例のプロセス手順について説明す
る。基板１上に、分子線成長法（ＭＢＥ法）により、第
１クラッド層２、活性層３、第２クラッド層４、キャッ
プ層５からなるエピタキシャル膜を順に成長させる。基
板１との界面には、必要に応じてＧａＡｓであるバッフ
ァ層を形成してもよい。第１、第２クラッド層２、４の
膜厚は１μｍとし、活性層３の膜厚は約０．１μｍとし
た。次に、その上部にフォトリソグラフィ法により幅３
μｍの所望のパターンを形成し、反応性イオンビームエ
ッチング（ＲＩＢＥ）法によりリッジ部を形成し、横方
向の閉じ込めを行うストライプ構造とした。

【００１６】続いて、集束イオンビームエッチング（Ｆ
ＩＢＥ）法により、活性層３の下部に至るスリット溝６
を図３の如く形成する。この際、上記手順に従ってリッ
ジ部を形成した基板を、液体窒素により冷却した試料ホ
ルダー０を介して約１００Ｋに冷却しながら加工する。
なお、このスリット溝６は、端面傾斜角度θが８５°以
上で（図３参照）形成されている。

【００１７】このスリット端面を共振面としたレーザー
は、長寿命で特性の安定した素子として機能した。

【００１８】なお、本実施例で作成したスリット部６の
加工端面４１の断面ＴＥＭ写真の様子を図４に示す。従
来のように常温で作成した加工端面４１（図５参照）に
比べて、付着物５１が減少している事が明らかである。
この付着物５１の減少によって、長寿命で特性の安定し
たレーザーの作製が可能となった。

【００１９】

【実施例２】図６は、本発明を送信部と受信部を併設し
た光ノードに応用した例である。図７と図８は図６のＡ
−Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図をそれぞれ示す。本実施
例は第１実施例の加工端面を集積カップラに用いた例で
ある。

【００２０】図６において、７０はＦＩＢＥ法で形成さ
れたスリット溝であり、６０ａ、６０ｂは電流注入によ
ってゲインを有する不図示の光アンプを具備する増幅領
域、６１ａ、６１ｂは逆バイアス印加により動作する光
検出器を具備する光検出領域である。６８ａ、６８ｂは
端面に形成されたＡＲ（無反射）コートであり、Ａｌ₂
Ｏ₃＋ＺｒＯ₂をエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着によっ
て堆積している。６９は導波路である。

【００２１】導波路６９は上面に十字型に形成されたも
ので、その中心から上下方向の導波路部分は増幅領域６
０ａ、６０ｂとされ、左右方向は光検出領域６１ａ、６
１ｂとされている。スリット溝７０は、その長手方向
が、上述した十字型の導波路６９の各長手方向にたいし
て４５°傾斜し左下端より中央部まで伸びたものとなる
ように、導波路６９の中央部分に設けられている。これ
により、導波路６９の中央部分は破線にて示した集積カ
ップラ部６２とされる。

【００２２】つぎに本実施例のプロセス手順を説明す
る。

【００２３】まず図７と図８からわかるように、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板７１上にＭＢＥ法により、順次、バッファ層
としてｎ型ＧａＡｓ７２を１μｍ厚で、クラッド層とし
てのｎ型Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓ７３を１．５μｍ厚で形成
した。次に、ノンドープＧａＡｓ（１００Å厚）、Ａｌ
_0.2Ｇａ_0.8Ａｓ（３０Å厚）を４回繰り返し積層し最後
にＧａＡｓを１００Å厚で積層して多重量子井戸構造の
活性層７４を形成し、その上にクラッド層としてのｐ型
Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓ７５を１．５μｍ厚で、ギャップ層
としてのＧａＡｓ７６を０．５μｍ厚で形成した。

【００２４】次に、この半導体レーザーウエハ上に、フ
ォトリソグラフィー工程により、幅３μｍの所望の十字
型マスクパターン（導波路６９のパターン）を形成し、
このマスクを通して塩素ガス雰囲気の反応性イオンビー
ムエッチング（ＲＩＢＥ）法により活性層７４の手前
０．２μｍまでエッチングし、リッジ部を形成して横方
向の閉じ込めを行うストライプ構造とした。

【００２５】続いて、このリッジが形成されたレーザー
ウエハ上に、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜７７（厚さ１２０
０Å）をプラズマＣＶＤ法によって形成し、Ｓｉ₃Ｎ₄７
７絶縁膜上にレジストを約１．０μｍスピンコートし
た。その後４ＰａのＯ₂雰囲気での反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）法によって成膜されたレジストのみを除
去し、リッジの頂き部のＳｉ₃Ｎ₄絶縁膜７７を露出さ
せ、更に４ＰａのＣＦ₄ガス雰囲気でのＲＩＥ法を実施
してリッジの頂き部の露出したＳｉ₃Ｎ₄絶縁膜７７を選
択的にエッチングした。その後、残存してあるレジスト
を４ＰａのＯ₂雰囲気でのＲＩＥ法により除去した。

【００２６】次いで、リッジの頂き部に形成された表面
酸化膜を塩酸によってウェットエッチングして電流注入
窓とし、続いて上部電極としてＣｒ−Ａｕオーミック用
電極７８を真空蒸着法で形成した。そして、ＧａＡｓ基
板７１をラッピングで１００μｍの厚さまで削った後
に、ｎ型用オーミック用電極７９としてＡｕＧｅ−Ａｕ
電極を蒸着した。更に、ｐ型、ｎ型の電極７８、７９の
オーミックコンタクトをとるための熱処理を行い、リッ
ジ型半導体素子とした。

【００２７】更に、加速電圧４０ＫｅＶのＡｕ⁺イオン
を用いたＦＩＢＥ法によるエッチングにより、カップラ
部６２のスリット溝７０を図８に示す態様で形成した。
なお、エッチング中は上記手順で作製したリッジ型光半
導体素子を、液体窒素により冷却した試料ホルダーを介
して約１５０Ｋに冷却しておいた。また、スリット溝７
０は上述した如く水平方向に傾斜し、深さは活性層７４
より１μｍ深く、且つ溝７０の傾斜角度は８５°以上に
なるようにした。

【００２８】最後に、共振面を劈開により形成し、エレ
クトロンビーム（ＥＢ）蒸着によってＡｌ₂Ｏ₃＋ＺｒＯ
₂を蒸着してＡＲコート６８ａ、６８ｂとし、スクライ
ブで分離し電極７８、７９はワイヤーボンディングによ
り取り出した。

【００２９】以上の手順で作製した光ノードは、スリッ
ト部７０の付着物の減少により、長寿命で特性の安定し
た受光用光ノードとして機能した。尚、光波は図６に示
す如く伝搬する。

【００３０】

【実施例３】本実施例は、半導体レーザの共振面の保護
膜を製造する方法に関わり、図９を参照しながら説明す
る。

【００３１】まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１２１上に分子線
エピタキシ法によって順次、バッファ層１２２としてｎ
型ＧａＡｓを１μｍ、クラッド層１２３としてｎ型Ａｌ
_0.4Ｇａ_0.6Ａｓを２μｍ形成した。活性層１２４として
は、ノンドープＧａＡｓを１００Å、Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａ
ｓを３０Å各４回繰り返し最後にＧａＡｓを１００Å積
層し、多重量子井戸構造のものを形成した。次にクラッ
ド層１２５としてｐ型Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓを１．５μ
ｍ、キャップ層１２６としてＧａＡｓを０．５μｍ形成
した。

【００３２】次に、フォトリソグラフィー工程とＣｌ₂
ガス雰囲気での反応性イオンビームエッチング法によっ
て基板１２１近くまで（２μｍ以上）エッチングして、
端面１２８を形成し、これにより、レーザの共振面１２
９を形成した（図９（ａ））。

【００３３】次に、上記のように形成したウエハー上に
ＥＢ蒸着法によって、０．１μｍのＳｉＯ₂膜１３０を
形成した（図９（ｂ））。更に、ＦＩＢＥ装置におい
て、Ａｕ⁺イオンビーム１３２によって端面１２８付近
のエッチング底部に形成されているＳｉＯ₂膜１３０を
スパッタリングして、端面１２８の活性層１２４に約１
００ÅのＳｉＯ₂膜１３１を保護膜として形成した（図
９（ｃ））。

【００３４】

【実施例４】図１０は本発明による第４実施例である。
本実施例は、逆メサに形成された端面２２８ａを用いた
上面発光型レーザにおいて、逆メサの端面２２８ａにの
み保護膜２３１を形成したものである。

【００３５】本実施例において、図９と同一の符号は第
３実施例において示したものと同じである。

【００３６】第３実施例と同様にして形成したレーザウ
エハーにフォトリソグラフィー工程とＣｌ₂ガス雰囲気
での反応性イオンビームエッチング法と硫酸系のエッチ
ング液によって基板１２１近くまでエッチングして、端
面２２８ｂと２２８ａを形成する。

【００３７】次に、イオンビームスパッタ（ＩＢＳ）蒸
着法によって０．１μｍ厚のＳｉ₃Ｎ₄膜２３０を形成し
た。更に、ＦＩＢＥ装置においてＡｒ⁺イオンビーム２
３２によって、逆メサ側の端面２２８ａ近傍に形成され
たＳｉ₃Ｎ₄膜２３０をスパッタリングして、端面２２８
ａの活性層１２４に約２００ÅのＳｉ₃Ｎ₄膜２３１を保
護膜として形成した。

【００３８】

【実施例５】図１１は本発明による第５実施例である。
本実施例は、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ構造２４６及
び２４７から送出される光波（波長λ₁、λ₂）が分岐カ
ップラ２４２によって合波され、更に光アンプ部２４５
で光増幅を受け、出力端面２４８から２波多重化した光
信号を送出する集積化デバイスに関する。ここおいて、
分岐カップラ２４２の全反射ミラー端面２４９ａ、２４
９ｂおよび出力端面２４８に保護膜が形成される。即
ち、カップラ２４２の端面２４９ａ、２４９ｂには、Ａ
ｌ₂Ｏ₃膜による保護膜２５３を、端面２４８には、Ａｌ
₂Ｏ₃膜２５４とＺｒＯ₂膜２５５を積層したＡＲコート
になる保護膜を形成したものである。次に、本実施例の
作製プロセスを説明する。

【００３９】まず図１２中のシリコンウエハーよりなる
基板３０１上に、分子線成長法（ＭＢＥ法）により、バ
ッファ層３０２、第１クラッド層３０３、活性層３０
４、第２クラッド層３０５、キャップ層３０６からなる
エピタキシャル膜を順に成長させる。基板３０１との界
面にはＧａＡｓであるバッファ層３０２が形成してあ
る。

【００４０】また、この成長において、第２クラッド層
３０５を成長する前に、活性層３０４上に波長λ₁、λ₂
に相当するグレーティングを形成し、その後、第２クラ
ッド層３０５、キャップ層３０６をエピタキシャル成長
させる。

【００４１】続いて、その上部に幅３μｍのＴ字型のパ
ターンをフォトリソグラフィー法により形成し、反応性
イオンビームエッチングによってリッジ部３１０を設け
ることにより横方向の光の閉じ込めを行うストライプ構
造とした。

【００４２】続いて、このリッジ３１０が形成されたレ
ーザウエハ上に、ＳｉＮから成る絶縁膜３０７をブラズ
マＣＶＤ法によって形成し、ＳｉＮ絶縁膜３０７上にレ
ジストを約１．０μｍスピンコートした。その後、４Ｐ
ａのＯ₂雰囲気での反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
法によって、成膜されたレジストのみを除去し、リッジ
３１０の頂き部のＳｉＮ絶縁膜３０７を露出させ、更に
４ＰａのＣＦ₄ガス雰囲気でのＲＩＥ法を実施してリッ
ジの頂き部の露出したＳｉＮ絶縁膜を選択的にエッチン
グした。その後、残存しているレジストを４ＰａのＯ₂
雰囲気でのＲＩＥ法により除去した。

【００４３】次いで、リッジ３１０の頂き部に形成され
た表面酸化膜を塩酸によってウェットエッチングして電
流注入窓とし、続いて、上部電極としてＣｒ−Ａｕオー
ミック用電極３０８を真空蒸着法で形成した。更に、基
板３０１をラッピングで１００μｍの厚さまで削った後
に、ｎ型用オーミック用電極３０９としてＡｕＧｅ−Ａ
ｕ電極を蒸着した。そして、ｐ型、ｎ型の電極３０８、
３０９のオーミックコンタクトをとる為の熱処理を行
い、リッジ型半導体素子とした。

【００４４】更に、フォトリソグラフィーと反応性イオ
ンビームエッチングにより、分岐カップラ２４２の全反
射ミラー端面２４９ａ、２４９ｂ、および出力端面２４
８を形成した。この時のエッチング深さは、活性層３０
４より深くなる様にした。

【００４５】続いて、スパッタ法により、ＺｒＯ₂膜２
５１、Ａｌ₂Ｏ₃膜２５２を形成する。更に、加速電圧４
０ＫｅＶ のＧａ⁺イオン２５６を用いたＦＩＢＥ法に
より、まず、全反射ミラー端面２４９ａ、２４９ｂ、お
よび出力端面２４８を図１３の様にわずかにエッチング
（約０．１μｍ）した後（前記反応性イオンビームエッ
チングによるダメージ層の除去のため。この際、第１実
施例などの方法（冷却して反応性イオンビームエッチン
グを行う）を用いると良い。）、Ｇａ⁺イオン２５６を
用いたＦＩＢＥ法によって、Ａｌ₂Ｏ₃膜２５２をスパッ
タリングして分岐カップラ２４２の全反射ミラー２４９
ａ、２４９ｂの表面に形成し、保護膜５３とする。続い
て、出力端面２４８側には、同様にして、Ａｌ₂Ｏ₃膜２
５２、ＺｒＯ₂膜２５１を連続的に積層させ、ＺｒＯ₂膜
２５５、Ａｌ₂Ｏ₃膜２５４から形成されたＡＲコートと
なる保護膜を作成した。

【００４６】最後に、ウエハーをスクライブで分離し、
電極３０８、３０９はワイヤーボンディングにより取り
出した。本実施例においては、分岐カップラ２４２の全
反射ミラー端面２４９ａ、２４９ｂと出力端面２４８と
の反応性イオンビームエッチングによるダメージ層を取
り除いてから、それぞれの端面に任意の保護膜２５３、
２５４、２５５を形成したため、素子の寿命（耐久性）
が大幅に向上し、更に素子性能がより向上した。

【００４７】以上の実施例においては、ＧａＡｓ系を用
いたリッジ導波型構造を例にとって述べたが、ＢＨ（Ｂ
ｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏ）構造、ＣＳＰ（Ｃｈａｎｎ
ｅｌＳｕｂｓｔｒａｔｅ Ｐｌａｎａｒ）構造、電流・
光の狭窄のための吸収層を活性層近くに設けた構造等の
屈折率導波型のレーザに対しても有効である。更に加え
て、半導体レーザの材料は、ＧａＡｓ・ＡｌＧａＡｓ系
の他、ＩｎＰ・ＩｎＰＧａＡｓＰ系、ＡｌＧａＩｎＰ系
等の材料も同様に使用出来るのはいうまでもない。

【００４８】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、光半
導体素子の共振器となるレーザー端面、ならびに光波の
分岐、結合を行うカップラ部等への付着物を減少させ、
長寿命で特性の安定したレーザー、光ノードなどを作製
する事ができる。また、付着物の減少により溝の傾斜角
度θの制御なども容易となり、再現性、歩留まりも向上
した。

【００４９】また、本発明によれば、ウエハー状態のま
ま、エッチング端面に保護膜が形成できる。逆メサ状態
のエッチング端面にも容易に保護膜が形成できる。任意
エッチング端面に任意の保護膜が容易に形成できる。等
の利点が生じ、更に非常にプロセスが容易で、歩留ま
り、再現性が良く、しかも半導体素子の寿命が大幅に延
びる。従って、光分岐カップラ等のエッチング端面と光
入出力端面が構成されているような、複数のエッチング
端面を有する集積化デバイスの製造に適用した場合、効
果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の平面図。

【図２】本発明の第１実施例の平面図である図１のＡ−
Ａ’断面図。

【図３】本発明の第１実施例の平面図である図１のＢ−
Ｂ’断面図。

【図４】第１実施例で作製したスリットの加工端面の断
面ＴＥＭ写真の様子を示す図。

【図５】従来の方法で作製したスリットの加工端面の断
面ＴＥＭ写真の様子を示す図。

【図６】本発明の第２実施例の平面図。

【図７】本発明の第２実施例の平面図である図６のＡ−
Ａ’の断面図。

【図８】本発明の第２実施例の平面図である図６のＢ−
Ｂ’の断面図。

【図９】本発明の第３実施例によりレーザ素子を製造す
る工程を説明する断面図。

【図１０】本発明の第４実施例により逆メサ型素子を製
造する工程を説明する断面図。

【図１１】本発明の第５実施例により作製した集積化デ
バイスの平面図。

【図１２】本発明の第５実施例の平面図である図１１の
Ａ−Ａ’の断面図。

【図１３】本発明の第５実施例の平面図である図１１の
Ｂ−Ｂ’の断面図。

【図１４】従来の半導体素子製造工程を説明する図。

【符号の説明】

０ 冷却試料ホルダー １、７１、１２１、３０１ 基板 ２、４、７３、７５、１２３、１２５、３０３、３０５
クラッド層 ３、７４、１２４、３０４ 活性層 ５、１２６、３０６ キャップ層 ６、７０ スリット溝 ７、６９ 導波路 ４１ 加工端面 ５１ 付着物層 ６０ａ、６０ｂ 増幅領域 ６１ａ、６１ｂ 光検出領域 ６２、２４２ 集積カップラ部 ６８ａ、６８ｂ ＡＲコート ７７、３０７ 絶縁膜 ７８、７９、３０８、３０９ 電極 １２２、３０２ バッファ層 １２８、２２８ａ、２２８ｂ、２４８、２４９ａ、２４
９ｂ 端面 １３０、２３０、２５１、２５２ 膜 １３１、２３１、２５３、２５４、２５５ 保護膜 １３２、２３２、２５６ 集束イオンビーム ２４６、２４７ ＤＦＢレーザ構造

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 光利 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子に、レーザーの共振器となるレ
   ーザー端面、光波の分岐・結合を行うためのカップラ部
   などを集束イオンビームエッチング法によって作製する
   際に、前記半導体素子の少なくともレーザー端面、カッ
   プラ部などに、冷却しながら集束イオンビームエッチン
   グを行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
2. 【請求項２】半導体素子の適当箇所において、冷却しな
   がら集束イオンビームエッチングを行うことを特徴とす
   る半導体素子の製造方法。
3. 【請求項３】端面をエッチングプロセスによって形成す
   る半導体素子において、前記エッチングプロセスによっ
   て形成した端面近傍の底部に蒸着形成した基材を集束イ
   オンビームエッチング法によりスパッタリングして該基
   材を前記端面に蒸着することを特徴とする半導体素子の
   保護膜形成方法。
4. 【請求項４】前記端面が半導体レーザのミラー面である
   ことを特徴とする請求項３記載の保護膜形成方法。
5. 【請求項５】前記端面が光導波路の少なくとも１部に形
   成された面であることを特徴とする請求項３記載の保護
   膜形成方法。
6. 【請求項６】前記端面に保護膜を形成する前に、集束イ
   オンビームエッチング法によって前記エッチングプロセ
   スにより生じた端面のダメージ層を除去することを特徴
   とする請求項３記載の保護膜形成方法。
7. 【請求項７】前記集束イオンビームエッチング法によっ
   て前記エッチングプロセスにより生じた端面のダメージ
   層を除去する際、冷却しながら該集束イオンビームエッ
   チングを行うことを特徴とする請求項３記載の保護膜形
   成方法。