JPH0770916B2 - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH0770916B2 JPH0770916B2 JP59162934A JP16293484A JPH0770916B2 JP H0770916 B2 JPH0770916 B2 JP H0770916B2 JP 59162934 A JP59162934 A JP 59162934A JP 16293484 A JP16293484 A JP 16293484A JP H0770916 B2 JPH0770916 B2 JP H0770916B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- variable capacitance
- voltage
- controlled oscillator
- modulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
- H03C3/227—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode using a combination of bipolar transistors and field effect transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明はFM変調をかけることのできる電圧制御発振器に
関するものである。
関するものである。
（従来技術とその問題点） 第２図に従来の電圧制御発振器の構成図を示す。この電
圧制御発振器は負性抵抗発生回路1,共振回路2,可変容量
回路3,変調回路４で構成される。負性抵抗発生回路１は
FET5とソース抵抗6,ゲート・ソース間のキャパシタ7,ソ
ースキャパシタ8,直流バイアス抵抗9,共振回路２への結
合キャパシタ10,直流バイアス端子11,出力結合キャパシ
タ12,出力端子13とからなる。共振回路２は同調用コイ
ル14と接地用キャパシタ15,共振用キャパシタ16からな
る。可変容量回路３は一端が接地された可変容量ダイオ
ード17と共振回路２とを結ぶ直列キャパシタ18,可変容
量ダイオード17の直流バイアス端子19,高周波阻止用イ
ンダクタ20,接地用キャパシタ21からなる。変調回路４
は同調用コイル14に結合したキャパシタ22,可変容量ダ
イオード23,高周波阻止用インダクタ24,接地用キャパシ
タ25,直流カット用キャパシタ26,変調入力端子27,抵抗2
8,直流バイアス用可変抵抗29からなる。この電圧制御発
振器に変調をかける場合，可変容量ダイオード23にかけ
る直流電圧は可変抵抗29で設定する。このとき，変調入
力端子27の入力を一定としたとき直流バイアス端子19の
直流バイアスで出力端子13の周波数を変化させた場合，
出力端子13での変調度が大きく変化するという欠点があ
った。
圧制御発振器は負性抵抗発生回路1,共振回路2,可変容量
回路3,変調回路４で構成される。負性抵抗発生回路１は
FET5とソース抵抗6,ゲート・ソース間のキャパシタ7,ソ
ースキャパシタ8,直流バイアス抵抗9,共振回路２への結
合キャパシタ10,直流バイアス端子11,出力結合キャパシ
タ12,出力端子13とからなる。共振回路２は同調用コイ
ル14と接地用キャパシタ15,共振用キャパシタ16からな
る。可変容量回路３は一端が接地された可変容量ダイオ
ード17と共振回路２とを結ぶ直列キャパシタ18,可変容
量ダイオード17の直流バイアス端子19,高周波阻止用イ
ンダクタ20,接地用キャパシタ21からなる。変調回路４
は同調用コイル14に結合したキャパシタ22,可変容量ダ
イオード23,高周波阻止用インダクタ24,接地用キャパシ
タ25,直流カット用キャパシタ26,変調入力端子27,抵抗2
8,直流バイアス用可変抵抗29からなる。この電圧制御発
振器に変調をかける場合，可変容量ダイオード23にかけ
る直流電圧は可変抵抗29で設定する。このとき，変調入
力端子27の入力を一定としたとき直流バイアス端子19の
直流バイアスで出力端子13の周波数を変化させた場合，
出力端子13での変調度が大きく変化するという欠点があ
った。
（目的） 本発明は変調用可変容量ダイオードの直流バイアス電圧
を発振周波数によって制御することを特徴とし，その目
的は広帯域電圧制御発振器で発振周波数の変化によるFM
変調の変調度の変化を少なくすることにある。
を発振周波数によって制御することを特徴とし，その目
的は広帯域電圧制御発振器で発振周波数の変化によるFM
変調の変調度の変化を少なくすることにある。
（実施例） 以下，実施例によって本発明を詳細に説明する。第１図
は本発明による電圧制御発振器の一実施例を示す構成図
である。この電圧制御発振器は負性抵抗発生回路1,共振
回路2,可変容量回路3,変調回路4,直流電圧変換回路30で
構成される。負性抵抗発生回路１はFET5とソース抵抗6,
ゲート・ソース間のキャパシタ7,ソースキャパシタ8,直
流バイアス抵抗9,共振回路２への結合キャパシタ10,直
流バイアス端子11,出力結合キャパシタ12,出力端子13と
からなる。発振回路２は同調用コイル14と接地用キャパ
シタ15,共振用キャパシタ16からなる。可変容量回路３
は一端が接地された可変容量ダイオード17と共振回路２
とを結ぶ直列キャパシタ18,可変容量ダイオード17の直
流バイアス端子19,高周波阻止用インダクタ20,接地用キ
ャパシタ21からなる。変調回路４は同調用コイル14に結
合したキャパシタ22,可変容量ダイオード23,高周波阻止
用インダクタ24,接地用キャパシタ25,直流カット用キャ
パシタ26,変調入力端子27からなる。直流電圧変換回路3
0は可変容量ダイオード17の直流バイアス端子19に接続
した抵抗31,トランジスタ32のコレクタ・ベース間の帰
還抵抗33,トランジスタ32のエミッタ抵抗34,コレクタと
直流バイアス端子間の抵抗35,トランジスタ32のコレク
タと変調回路４の間の抵抗36からなる。ここで直流電圧
変換回路30は直流バイアス端子19の電圧を第３図に示す
ように逆転して可変容量ダイオード23に加える。可変容
量ダイオード23は第４図に示すように電圧の低い所で容
量変化が大きく，電圧の高い所で容量変化が小さいとい
う特徴をもっている。ここで同調用コイル14,キャパシ
タ22,可変容量ダイオード23の等価回路を第５図のよう
に考えると等価的なインダクタは （ω＝２πf f:発振周波数）で表わされる。ｆが小さい
ときはＬ′は小さく,fが大きいときＬ′は大きくなるこ
とが分かる。つまりｆが小さいときは可変容量ダイオー
ド23の容量変化を小さくし,fが大きいときは可変容量ダ
イオード23の容量変化を大きくすればFM変調をかけたと
き出力端子13での変調度はほぼ一定とすることができ
る。可変容量ダイオード23は第４図に示す特性をもって
おり，電圧制御発振器の発振周波数は，直流バイアス端
子19の電圧を上げれば高くなるので，本発明による直流
電圧変換回路を通して低い電圧を可変容量ダイオード23
に加えれば，容量変化は大きくなり発振周波数の低いと
きと同じ変調度とすることができる。第６図に従来回路
と本発明の回路での発振周波数と変調度特性の実験値を
示す。
は本発明による電圧制御発振器の一実施例を示す構成図
である。この電圧制御発振器は負性抵抗発生回路1,共振
回路2,可変容量回路3,変調回路4,直流電圧変換回路30で
構成される。負性抵抗発生回路１はFET5とソース抵抗6,
ゲート・ソース間のキャパシタ7,ソースキャパシタ8,直
流バイアス抵抗9,共振回路２への結合キャパシタ10,直
流バイアス端子11,出力結合キャパシタ12,出力端子13と
からなる。発振回路２は同調用コイル14と接地用キャパ
シタ15,共振用キャパシタ16からなる。可変容量回路３
は一端が接地された可変容量ダイオード17と共振回路２
とを結ぶ直列キャパシタ18,可変容量ダイオード17の直
流バイアス端子19,高周波阻止用インダクタ20,接地用キ
ャパシタ21からなる。変調回路４は同調用コイル14に結
合したキャパシタ22,可変容量ダイオード23,高周波阻止
用インダクタ24,接地用キャパシタ25,直流カット用キャ
パシタ26,変調入力端子27からなる。直流電圧変換回路3
0は可変容量ダイオード17の直流バイアス端子19に接続
した抵抗31,トランジスタ32のコレクタ・ベース間の帰
還抵抗33,トランジスタ32のエミッタ抵抗34,コレクタと
直流バイアス端子間の抵抗35,トランジスタ32のコレク
タと変調回路４の間の抵抗36からなる。ここで直流電圧
変換回路30は直流バイアス端子19の電圧を第３図に示す
ように逆転して可変容量ダイオード23に加える。可変容
量ダイオード23は第４図に示すように電圧の低い所で容
量変化が大きく，電圧の高い所で容量変化が小さいとい
う特徴をもっている。ここで同調用コイル14,キャパシ
タ22,可変容量ダイオード23の等価回路を第５図のよう
に考えると等価的なインダクタは （ω＝２πf f:発振周波数）で表わされる。ｆが小さい
ときはＬ′は小さく,fが大きいときＬ′は大きくなるこ
とが分かる。つまりｆが小さいときは可変容量ダイオー
ド23の容量変化を小さくし,fが大きいときは可変容量ダ
イオード23の容量変化を大きくすればFM変調をかけたと
き出力端子13での変調度はほぼ一定とすることができ
る。可変容量ダイオード23は第４図に示す特性をもって
おり，電圧制御発振器の発振周波数は，直流バイアス端
子19の電圧を上げれば高くなるので，本発明による直流
電圧変換回路を通して低い電圧を可変容量ダイオード23
に加えれば，容量変化は大きくなり発振周波数の低いと
きと同じ変調度とすることができる。第６図に従来回路
と本発明の回路での発振周波数と変調度特性の実験値を
示す。
（効果） 以上説明したごとく本発明によれば，電圧制御発振器の
制御電圧により変調回路の可変容量ダイオードの直流バ
イアス電圧をコントロールして，発振周波数に対するFM
変調の変調度をほぼ一定となるようにすることができ
る。
制御電圧により変調回路の可変容量ダイオードの直流バ
イアス電圧をコントロールして，発振周波数に対するFM
変調の変調度をほぼ一定となるようにすることができ
る。
第２図は従来の電圧制御発振器の構成図，第１図は本発
明の電圧制御発振器の一実施例の構成図，第３図は直流
電圧変換回路の特性図，第４図は可変容量ダイオードの
特性図，第５図は同調用コイルの等価回路，第６図は発
振周波数対変調度の実験値である。 1:負性抵抗発生回路,2:共振回路,3:可変容量回路,4:変
調回路,30:直流電圧変換回路,5:FET,6,9,28,29,31,33,3
4,35,36:抵抗,7,8,10,12,15,16,18,21,22,25,26:コンデ
ンサ,11,13,19,27:端子,14:同調用コイル,17,23:可変容
量ダイオード,20,24:高周波阻止用コイル,32:トランジ
スタ。
明の電圧制御発振器の一実施例の構成図，第３図は直流
電圧変換回路の特性図，第４図は可変容量ダイオードの
特性図，第５図は同調用コイルの等価回路，第６図は発
振周波数対変調度の実験値である。 1:負性抵抗発生回路,2:共振回路,3:可変容量回路,4:変
調回路,30:直流電圧変換回路,5:FET,6,9,28,29,31,33,3
4,35,36:抵抗,7,8,10,12,15,16,18,21,22,25,26:コンデ
ンサ,11,13,19,27:端子,14:同調用コイル,17,23:可変容
量ダイオード,20,24:高周波阻止用コイル,32:トランジ
スタ。
Claims (1)
- 【請求項１】第１の可変容量端子と当該可変容量を含む
容量性回路とインダクタとから成り共振周波数を決定す
る共振回路と，負性抵抗発生回路とが従続接続され，前
記第１の可変容量素子に供給される直流制御電圧で発振
周波数を制御し，前記共振回路中に変調用の第２の可変
容量素子を具備した電圧制御発振器において， 前記共振回路において，前記インダクタと前記第２の可
変容量素子とは直列に接続され，当該直列接続回路と前
記第１の可変容量素子とは並列に接続されるように構成
し， 前記直流制御電圧が供給され当該直流制御電圧と逆傾向
の特性を有する電圧に変換し，前記変調用の第２の可変
容量素子に直流バイアス電圧として供給せしめる直流電
圧変換回路を具備することを特徴とする電圧制御発振
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59162934A JPH0770916B2 (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59162934A JPH0770916B2 (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141207A JPS6141207A (ja) | 1986-02-27 |
| JPH0770916B2 true JPH0770916B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15764016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59162934A Expired - Lifetime JPH0770916B2 (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770916B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562434Y2 (ja) * | 1974-10-18 | 1981-01-20 | ||
| JPS51109757A (ja) * | 1975-03-20 | 1976-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Shuhasuhenchokairo |
| JPS5837155Y2 (ja) * | 1978-03-13 | 1983-08-22 | 松下電器産業株式会社 | テレビジョンチュ−ナの自動周波数制御回路 |
| JPS60137105A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 可変周波数電圧制御発振回路 |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP59162934A patent/JPH0770916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6141207A (ja) | 1986-02-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |