JPH076966A - 縦型拡散・ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型拡散・ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH076966A JPH076966A JP17222093A JP17222093A JPH076966A JP H076966 A JPH076966 A JP H076966A JP 17222093 A JP17222093 A JP 17222093A JP 17222093 A JP17222093 A JP 17222093A JP H076966 A JPH076966 A JP H076966A
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- Japan
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- boat
- vertical
- wafer
- inert gas
- wafers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、予備室を設け
ることなくウェーハの酸化、汚染を防止し、ウェーハ成
膜品質の向上を図ると共にウェーハの処理時間を短縮
し、製品コストの低減を図る。 【構成】縦型炉の下方にボートエレベータ６を設け、該
ボートエレベータによりボート９に保持されたウェーハ
１０を前記縦型炉内に装入、引出し可能とした縦型拡散
・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボートの装入速度を４００
mm／min 〜２０００mm／min の範囲の適宜な速度とし、
ウェーハ装入完了時のウェーハ温度を反応温度以下とす
ることができ、縦型炉内を真空排気する迄にウェーハが
自然酸化するのを防止する。
ることなくウェーハの酸化、汚染を防止し、ウェーハ成
膜品質の向上を図ると共にウェーハの処理時間を短縮
し、製品コストの低減を図る。 【構成】縦型炉の下方にボートエレベータ６を設け、該
ボートエレベータによりボート９に保持されたウェーハ
１０を前記縦型炉内に装入、引出し可能とした縦型拡散
・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボートの装入速度を４００
mm／min 〜２０００mm／min の範囲の適宜な速度とし、
ウェーハ装入完了時のウェーハ温度を反応温度以下とす
ることができ、縦型炉内を真空排気する迄にウェーハが
自然酸化するのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス製造プ
ロセスに於ける各種薄膜を低圧化学気相生成法によりウ
ェーハに成膜、或はウェーハの熱処理、不純物拡散を行
う縦型拡散・ＣＶＤ装置に関するものである。
ロセスに於ける各種薄膜を低圧化学気相生成法によりウ
ェーハに成膜、或はウェーハの熱処理、不純物拡散を行
う縦型拡散・ＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２に於いて従来の縦型ＣＶＤ装置を説
明する。
明する。
【０００３】ヒータ１によって囲まれた外部反応管２の
内部には同心の内部反応管３が設けられ、前記内部反応
管３の上端からは不活性ガス４が導入され、前記内部反
応管３の下端からは反応ガス５が導入される様になって
いる。又、前記外部反応管２と内部反応管３とが成す円
筒状の空間の下端に排気ライン１１が連通している。
内部には同心の内部反応管３が設けられ、前記内部反応
管３の上端からは不活性ガス４が導入され、前記内部反
応管３の下端からは反応ガス５が導入される様になって
いる。又、前記外部反応管２と内部反応管３とが成す円
筒状の空間の下端に排気ライン１１が連通している。
【０００４】前記内部反応管３の下方にはボートエレベ
ータ６が設けられ、該ボートエレベータ６のエレベータ
アーム７には炉口蓋８を介してボート９が乗載される。
該ボート９にはウェーハ１０が水平姿勢で多段に保持さ
れ、前記ボートエレベータ６により前記内部反応管３内
に装入される様になっている。
ータ６が設けられ、該ボートエレベータ６のエレベータ
アーム７には炉口蓋８を介してボート９が乗載される。
該ボート９にはウェーハ１０が水平姿勢で多段に保持さ
れ、前記ボートエレベータ６により前記内部反応管３内
に装入される様になっている。
【０００５】ウェーハ１０の処理は、前記内部反応管３
内が前記ヒータ１により設定された温度に加熱され、ウ
ェーハ１０を保持したボート９を前記内部反応管３内に
５０mm／min の上昇速度で装入し、前記炉口蓋８で内部
反応管３内を気密に閉塞した後、前記排気ライン１１を
介して排気し、反応ガス５を導入して一定の圧力に保持
して薄膜を生成し、完了後不活性ガス４を供給して大気
圧に復帰させ、前記ボート９を降下させ引出す。
内が前記ヒータ１により設定された温度に加熱され、ウ
ェーハ１０を保持したボート９を前記内部反応管３内に
５０mm／min の上昇速度で装入し、前記炉口蓋８で内部
反応管３内を気密に閉塞した後、前記排気ライン１１を
介して排気し、反応ガス５を導入して一定の圧力に保持
して薄膜を生成し、完了後不活性ガス４を供給して大気
圧に復帰させ、前記ボート９を降下させ引出す。
【０００６】図３は他の従来例を示すものであり、該従
来例では前記内部反応管３の下方に気密な予備室１２を
設けたものである。該予備室１２には前記ボートエレベ
ータ６が収納され、又前記予備室１２と前記内部反応管
３との間にはゲートバルブ１３が設けられ、前記予備室
１２の側壁にはボート９、又はウェーハ１０の出入れの
為のゲートバルブ１４が設けられ、更に排気ライン１５
が予備室１２に連通している。
来例では前記内部反応管３の下方に気密な予備室１２を
設けたものである。該予備室１２には前記ボートエレベ
ータ６が収納され、又前記予備室１２と前記内部反応管
３との間にはゲートバルブ１３が設けられ、前記予備室
１２の側壁にはボート９、又はウェーハ１０の出入れの
為のゲートバルブ１４が設けられ、更に排気ライン１５
が予備室１２に連通している。
【０００７】該従来例に於いて、ボート９装入前の待機
時、或はボート９の装入時及び引出し時には予備室１２
内に不活性ガスを充填する。
時、或はボート９の装入時及び引出し時には予備室１２
内に不活性ガスを充填する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例の前者で
は、ボート装入時ウェーハ間には大気（酸素、水分）が
存在する。又、該従来例のボート装入速度ではボート９
が完全に装入され、炉口蓋８により内部反応管３が閉塞
される迄にウェーハ１０が反応温度に達してしまう。従
って、内部反応管３内はウェーハ１０が反応温度に達し
た後に排気される状態となる。この為、ウェーハ間の酸
素、水分によりウェーハ表面に無用の酸化膜を生じ、或
は汚染をもたらし、成膜品質の低下を招きデバイス特性
の劣化を招くという問題があった。
は、ボート装入時ウェーハ間には大気（酸素、水分）が
存在する。又、該従来例のボート装入速度ではボート９
が完全に装入され、炉口蓋８により内部反応管３が閉塞
される迄にウェーハ１０が反応温度に達してしまう。従
って、内部反応管３内はウェーハ１０が反応温度に達し
た後に排気される状態となる。この為、ウェーハ間の酸
素、水分によりウェーハ表面に無用の酸化膜を生じ、或
は汚染をもたらし、成膜品質の低下を招きデバイス特性
の劣化を招くという問題があった。
【０００９】又、上記従来例の後者では、ボート９にウ
ェーハ１０を装填後真空排気し、予備室１２内を不活性
ガスで置換するので、内部反応管３内が排気される以前
にウェーハ１０が反応温度になったとしても、ウェーハ
１０の成膜が大気による劣化を招くことはない。ところ
が、真空容器である予備室１２、及び付属する排気系、
不活性ガス置換設備が必要となり、装置が複雑且高価と
なり、更に予備室１２の排気、不活性ガスの置換等に時
間を要すことは避けられず、総合的なウェーハの処理時
間が長くなり、製品コストの高騰にもつながっていた。
ェーハ１０を装填後真空排気し、予備室１２内を不活性
ガスで置換するので、内部反応管３内が排気される以前
にウェーハ１０が反応温度になったとしても、ウェーハ
１０の成膜が大気による劣化を招くことはない。ところ
が、真空容器である予備室１２、及び付属する排気系、
不活性ガス置換設備が必要となり、装置が複雑且高価と
なり、更に予備室１２の排気、不活性ガスの置換等に時
間を要すことは避けられず、総合的なウェーハの処理時
間が長くなり、製品コストの高騰にもつながっていた。
【００１０】本発明は斯かる実情に鑑み、予備室を設け
ることなくウェーハの酸化、汚染を防止し、ウェーハ成
膜品質の向上を図ると共にウェーハの処理時間を短縮
し、製品コストの低減を図るものである。
ることなくウェーハの酸化、汚染を防止し、ウェーハ成
膜品質の向上を図ると共にウェーハの処理時間を短縮
し、製品コストの低減を図るものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型炉の下方
にボートエレベータを設け、該ボートエレベータにより
ボートに保持されたウェーハを前記縦型炉内に装入、引
出し可能とした縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボ
ートの装入速度を４００mm／min 〜２０００mm／min の
範囲の適宜な速度としたことを特徴とするものである。
にボートエレベータを設け、該ボートエレベータにより
ボートに保持されたウェーハを前記縦型炉内に装入、引
出し可能とした縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボ
ートの装入速度を４００mm／min 〜２０００mm／min の
範囲の適宜な速度としたことを特徴とするものである。
【００１２】
【作用】ボートの装入速度を４００mm／min 〜２０００
mm／min の範囲の適宜な速度とすることで、ウェーハ装
入完了時のウェーハ温度を反応温度以下とすることがで
き、縦型炉内を真空排気する迄にウェーハが自然酸化す
るのを防止する。
mm／min の範囲の適宜な速度とすることで、ウェーハ装
入完了時のウェーハ温度を反応温度以下とすることがで
き、縦型炉内を真空排気する迄にウェーハが自然酸化す
るのを防止する。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１４】尚、図１中、図２中で示したものと同一の
ものには同符号を付し、その説明を省略する。
ものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００１５】炉口部１６の下方に不活性ガスのカーテン
ユニット１７を設ける。
ユニット１７を設ける。
【００１６】該カーテンユニット１７は所要高さの不活
性ガス噴出マニホールド１８と、前記噴出マニホールド
１８の高さと略等しい高さを有する不活性ガス吸気マニ
ホールド１９を対峙させ設ける。
性ガス噴出マニホールド１８と、前記噴出マニホールド
１８の高さと略等しい高さを有する不活性ガス吸気マニ
ホールド１９を対峙させ設ける。
【００１７】前記噴出マニホールド１８は多数の不活性
ガス噴出ノズル２０を有し、図示しない窒素ガス等の不
活性ガス源に接続され、前記吸気マニホールド１９は多
数の不活性ガス吸気孔２１を有し、図示しない排気ブロ
アに接続されている。
ガス噴出ノズル２０を有し、図示しない窒素ガス等の不
活性ガス源に接続され、前記吸気マニホールド１９は多
数の不活性ガス吸気孔２１を有し、図示しない排気ブロ
アに接続されている。
【００１８】而して、前記噴出マニホールド１８の不活
性ガス噴出ノズル２０から噴出した不活性ガスは、前記
吸気マニホールド１９の不活性ガス吸気孔２１から吸引
されることで水平一方向に流通する不活性ガスカーテン
を形成する。
性ガス噴出ノズル２０から噴出した不活性ガスは、前記
吸気マニホールド１９の不活性ガス吸気孔２１から吸引
されることで水平一方向に流通する不活性ガスカーテン
を形成する。
【００１９】尚、前記噴出マニホールド１８、吸気マニ
ホールド１９はリング状に接続して前記炉口部１６下部
を囲繞してもよく、又平板状の噴出マニホールド１８、
吸気マニホールド１９を側板で連結し矩形状に前記炉口
部１６を囲繞してもよい。炉口部１６下部を囲繞するこ
とで周囲の雰囲気ガスを巻込むことがなく、良好な不活
性ガス雰囲気にできる。
ホールド１９はリング状に接続して前記炉口部１６下部
を囲繞してもよく、又平板状の噴出マニホールド１８、
吸気マニホールド１９を側板で連結し矩形状に前記炉口
部１６を囲繞してもよい。炉口部１６下部を囲繞するこ
とで周囲の雰囲気ガスを巻込むことがなく、良好な不活
性ガス雰囲気にできる。
【００２０】次に、前記ボート９の上昇速度を４００mm
／min 〜２０００mm／min の範囲で選択設定する。
／min 〜２０００mm／min の範囲で選択設定する。
【００２１】以下、作動を説明する。
【００２２】前記内部反応管３内には不活性ガスを供給
しておき、該内部反応管３内を不活性ガス雰囲気として
おく。前記ボートエレベータ６により前記ボート９を４
００mm／min 〜２０００mm／min の範囲の適宜な上昇速
度で前記ボート９を前記内部反応管３内に装入してい
く。前記ボート９は不活性ガスカーテンを通過しつつ装
入される。
しておき、該内部反応管３内を不活性ガス雰囲気として
おく。前記ボートエレベータ６により前記ボート９を４
００mm／min 〜２０００mm／min の範囲の適宜な上昇速
度で前記ボート９を前記内部反応管３内に装入してい
く。前記ボート９は不活性ガスカーテンを通過しつつ装
入される。
【００２３】前記ボート９は不活性ガスカーテンを通過
過程で、ボート９のウェーハ１０間に存在する大気（酸
素、水分）は不活性ガスの一方向流れにより押出され、
該不活性ガスに置換される。ボート９の装入完了後直ち
に前記排気ライン１１を介して内部反応管３内を吸引排
気する。
過程で、ボート９のウェーハ１０間に存在する大気（酸
素、水分）は不活性ガスの一方向流れにより押出され、
該不活性ガスに置換される。ボート９の装入完了後直ち
に前記排気ライン１１を介して内部反応管３内を吸引排
気する。
【００２４】前記した様に、ボート９の上昇速度を増大
させたので、ボート９の装入完了迄の時間は従来に比べ
大幅に短縮される。従って、ボート９装入完了時のウェ
ーハの温度は反応温度以下、例えば３００℃以下に押さ
えることができ、更に前記内部反応管３内の吸引排気
は、ウェーハが反応温度（４００℃）に達する迄に完了
する、或は略完了する。更に、ボート９装入過程でウェ
ーハ間の大気を不活性ガスに置換するので、無用の酸化
膜の生成、ウェーハの汚染を防止できる。
させたので、ボート９の装入完了迄の時間は従来に比べ
大幅に短縮される。従って、ボート９装入完了時のウェ
ーハの温度は反応温度以下、例えば３００℃以下に押さ
えることができ、更に前記内部反応管３内の吸引排気
は、ウェーハが反応温度（４００℃）に達する迄に完了
する、或は略完了する。更に、ボート９装入過程でウェ
ーハ間の大気を不活性ガスに置換するので、無用の酸化
膜の生成、ウェーハの汚染を防止できる。
【００２５】尚、本発明はＣＶＤ装置以外に、酸化膜生
成装置、拡散装置等にも実施可能であるということは言
う迄もない。
成装置、拡散装置等にも実施可能であるということは言
う迄もない。
【００２６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応炉
にウェーハを高速で装入し、ウェーハが反応温度に達す
る前に反応炉内を真空排気するので、更に反応炉に装入
する直前にウェーハ間の大気を不活性ガスに置換するの
で、ウェーハの無用の酸化、ウェーハの汚染を防止する
ことができ、成膜品質の向上を図ることができ、更に予
備室等が不要であるので設備費の低減、処理時間の短縮
を図ることができる。
にウェーハを高速で装入し、ウェーハが反応温度に達す
る前に反応炉内を真空排気するので、更に反応炉に装入
する直前にウェーハ間の大気を不活性ガスに置換するの
で、ウェーハの無用の酸化、ウェーハの汚染を防止する
ことができ、成膜品質の向上を図ることができ、更に予
備室等が不要であるので設備費の低減、処理時間の短縮
を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略立断面図である。
【図２】従来例を示す概略立断面図である。
【図３】他の従来例を示す概略立断面図である。
１ ヒータ ２ 外部反応管 ６ ボートエレベータ ９ ボート １０ ウェーハ １６ 炉口部 １７ カーテンユニット １８ 噴出マニホールド １９ 吸気マニホールド
Claims (2)
- 【請求項１】 縦型炉の下方にボートエレベータを設
け、該ボートエレベータによりボートに保持されたウェ
ーハを前記縦型炉内に装入、引出し可能とした縦型拡散
・ＣＶＤ装置に於いて、前記ボートの装入速度を４００
mm／min 〜２０００mm／min の範囲の適宜な速度とした
ことを特徴とする縦型拡散・ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 縦型炉炉口部下方に不活性ガスの一方向
流れを形成するカーテンユニットを設けた請求項１の縦
型拡散・ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17222093A JPH076966A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17222093A JPH076966A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002064802A Division JP2002359202A (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置及びウェーハ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076966A true JPH076966A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15937826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17222093A Pending JPH076966A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 縦型拡散・ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076966A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391116B2 (en) | 1998-04-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| KR100491128B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2005-05-24 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| WO2017067805A1 (de) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Basf Se | Sandwichaufbau enthaltend ein vip und verfahren zu dessen herstellung |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP17222093A patent/JPH076966A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6391116B2 (en) | 1998-04-03 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| KR100491128B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2005-05-24 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리장치 및 반도체 장치의 제조방법 |
| WO2017067805A1 (de) | 2015-10-19 | 2017-04-27 | Basf Se | Sandwichaufbau enthaltend ein vip und verfahren zu dessen herstellung |
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