JPH0766252A - プローブカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 載置台に載置された被検査体を高温状態にし
てこの被検査体に対してプローブテストを実施しても、
プローブカードの熱変形を抑えてプローブ針と被検査体
の電極パッドとの接触状態を良好に維持する。 【構成】 プローブカード４０のカード基板４１を、そ
の上下から挟持体４２、４３で挟持させる。この挟持体
４２、４３には、カード基板４１ごと貫通したスリット
４５、４６を設ける。ウエハチャック６１内の加熱装置
６２によって加熱されたウエハＷから発せられる熱は、
スリット４５、４６から放出され、しかもカード基板４
１自体の熱膨張は、挟持体４２、４３によって阻止され
るので、カード基板４１の熱変形は大幅に抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プローブカードに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体ウエハを例にとって説明す
ると、従来から半導体デバイスの製造工程においては、
ウエハプロセスが終了して半導体ウエハ（以下、「ウエ
ハ」という）上にＩＣチップが形成された後、これら各
チップの出力特性、電極パターンのショート、オープン
等を調べるため、プローブテストと呼ばれる電気的特性
の試験が実施されているが、かかるプローブテストには
プローブ装置と呼ばれる検査装置が使用されている。

【０００３】従来のこの種のプローブ装置は、ウエハ上
のＩＣチップに印加する試料用電源や、このＩＣチップ
からの出力を測定部に取り込むための入力部などの測定
回路を有するテストヘッドと、ＩＣチップ上の所定の電
極パッドに接触させるためのプローブ針を有するプロー
ブカードと、前記テストヘッドと前記プローブ針とを電
気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングを
有しており、また場合によってはこの接続リングの他に
さらにリニアマザーボードやパフォーマンスボードなど
の中継基板を具備することもある。

【０００４】いずれにしろ既述のプローブテストの際に
使用されるプローブ装置には、前記したプローブカード
が用いられているが、従来のこの種のプローブカード
は、その本体ともいうべきカード基板がエポキシ系の材
料で構成されており、カード基板の下面に前記プローブ
針を配設し、例えばスルーホールを介して前記カード基
板上面にこれらプローブ針と導通する接続端子を設けた
構成になっていた。

【０００５】そしてプローブテストを実施する際には、
ウエハチャックなどのウエハを載置するための載置台上
に、ウエハを載置、保持させ、前記テストヘッドとプロ
ーブ針を導通させて状態で、この載置台を上昇させ、前
記プローブ針と前記ウエハ上に形成されているＩＣチッ
プ上の所定の電極パッドとを接触させて、所定の測定、
検査を行うようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで近年はコンピ
ュータ、パソコン、ワープロ等のＯＡ機器に使用される
ＩＣチップについては、これら機器自体が発する熱や各
種温度環境の下でも電気的特性及び性能を損ねることな
くその機能を発揮できるように、測定精度を上げる必要
がある。

【０００７】従って、既述のプローブテストの際にも、
そのような温度条件の下での各種電気特性の測定、検査
を実施することが必要となり、かかる要求に応えるた
め、前記載置台の内部に加熱装置を設け、この加熱装置
によってウエハの温度を例えば−１０゜Ｃ〜＋１５０゜
Ｃまで冷却、加熱した状態で、各種電気特性の測定、検
査を実施している。

【０００８】しかしながら従来のプローブカードにおい
ては、特にそのような場合の熱対策が施されておらず、
その結果高温、低温条件の場合にプローブカードのカー
ド基板自体が膨張したり、例えば上方に反り返ったりす
るなどして、熱変形を起こす場合があった。時としその
変形度合いは上下方向で±２００μｍにも達することも
あった。

【０００９】通常、被検査体である半導体デバイスの電
極パッドとプローブ針とは、接触してからさらに１００
μｍ程度のオーバードライブが載置台の上昇によって加
えられるが、カード基板自体が前記した程度の熱変形を
起こしてしまうと、プローブ針と電極パッドとの接触不
良が起こって正確なプローブテストが行えなかったり、
あるいは逆にプローブ針に過大な接触圧がかかってプロ
ーブ針が損傷するおそれがあった。そのうえプローブ針
に過大な接触圧がかると、デバイス自体の破壊が発生す
るおそれもある。しかも近年はウエハ上の多数のチップ
を同時に測定することが行われているが、このような場
合には、１チップ測定の場合よりもその影響が大きく、
プローブ針に与えるダメージやデバイス自体の破壊につ
ながる可能性はより大きくなる。従って平坦度の維持が
極めて重要となってくる。

【００１０】本発明はそのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、前記したような温度条件の下でもそのよ
うな熱変形を大幅に抑えられるプローブカードを提供し
て、プローブ針と被検査体の電極パッドとの接触状態を
良好に維持させることをその目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１によれば、被検査体の所定の電極に対応し
て接触させるプローブ針をカード基板の下面に有し、前
記プローブ針と導通する端子をカード基板の上面に有
し、前記端子を測定回路の所定の端子に電気的に接続さ
せて、前記被検査体の所定の電気的特性を測定する如く
構成されたプローブカードにおいて、前記カード基板を
貫通する形状の放熱孔を設けたことを特徴とする、プロ
ーブカードが提供される。

【００１２】請求項２によれば、前記カード基板をその
上下から、セラミック材で挟持し、前記放熱孔をこのセ
ラミック材及びカード基板ごと貫通させて設けたことを
特徴とする、プローブカードが提供される。

【００１３】請求項３によれば、前記カード基板をその
上下から、絶縁材で覆われた熱伝導性の良好な金属材で
挟持し、前記放熱孔をこの金属材及びカード基板ごと貫
通させて設けたことを特徴とする、プローブカードが提
供される。

【００１４】さらにまたそのように構成されたプローブ
カードにおいて、請求項４に記載したように、少なくと
も前記カード基板の上面側に、熱伝導性の良好な金属材
からなる放熱体を設けてもよい。この場合この放熱体
を、前記カード基板の上面側に設けるけるにあたって
は、当該放熱体をカード基板の上面に直接設けてもよ
く、また請求項１、２のように構成された場合にはカー
ド基板を挟持している上面側のセラミック材や絶縁材で
覆われた熱伝導性の良好な金属材に設けるようにしても
よい。

【００１５】そして請求項４に記載した発明を具体化す
る場合、前記カード基板の上面側に設けられる放熱体の
形状は、例えば放熱フィンなどのように、その表面積を
積極的に拡大して放熱を促進させるような形状が好まし
い。

【００１６】

【作用】請求項１によれば、カード基板を貫通する形状
の放熱孔が設けられているため、プローブカードの下方
に位置する被検査体や加熱装置を有する載置台から発生
して放射熱や対流によって上昇する熱は、前記放熱孔を
介して上方へと逃がされる。したがって、カード基板自
体に滞留してこのカード基板自体を変形させる熱が大幅
に低減する。

【００１７】請求項２によれば、セラミック材自体は殆
ど熱変形を起こさず、しかもこのセラミック材によって
カード基板が挟持されているので、カード基板が熱変形
しようとする際の膨張等の動きは、このセラミック材に
よって阻止される。したがって上記請求項１の作用とも
相俟って、カード基板自体が熱変形が大幅に抑えられ
る。

【００１８】請求項３によれば、絶縁材で覆われた熱伝
導性の良好な金属材でカード基板を挟持しているので、
カード基板に滞留しようとする熱は、この金属材によっ
て積極的に放出される。そしてこの場合にも、上記請求
項１の作用によって、カード基板に滞留しようとする熱
自体が大幅に低減されているから、結局カード基板自体
の変形は大きく低減される。なお熱伝導性の良好な金属
材は絶縁材で覆われているから、端子との接触などによ
るショートなどは発生せず、測定自体に支障をきたすお
それはない。

【００１９】そして請求項４によれば、カード基板の少
なくとも上面側に、さらに熱伝導性良好な金属材からな
る放熱体が設けられているので、放熱作用がさらに促進
される。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明すると、図１は本実施例が使用されたプローブ装置
の側面端面を模式的に示しており、このプローブ装置１
は、適宜の昇降機構（図示せず）によって上下動自在な
テストヘッド１０と、このテストヘッド１０と電気的に
接続されるパフォーマンスボード２０と、接続リング３
０によって前記パフォーマンスボード２０と電気的に接
続される本実施例のプローブカード４０とによって構成
されている。

【００２１】前記テストヘッド１０の内部には、各種測
定回路を始めとしたピンエレクトロニクス１１が内蔵さ
れている。そして次に述べるパフォーマンスボード２０
上に搭載されている各種の電子部品回路２１、２２と上
記ピンエレクトロニクス１１とが電気的に接続されてい
る。

【００２２】前記パフォーマンスボード２０は、その本
体ともいうべきエポキシ系の基板２３の上面に、前記各
種の電子部品回路２１、２２、例えばマトリクス・リレ
ーやドライバ回路などの各種の測定回路が搭載されてお
り、これらの電子部品回路２１、２２の接続ターミナル
２４は、前記基板２３の下面にて環状に例えば４列、同
心円状に配列されている。

【００２３】前出接続リング３０は、検査装置の本体で
あるケーシング（図示せず）に固定される適宜のインサ
ートリング３１によって支持されており、またこの接続
リング３０の中央には貫通型の開口穴３２が設けられて
いる。そしてこの接続リング３０は、前記パフォーマン
スボード２０の接続ターミナル２４と接触するためのポ
ゴピン３３をその上面に、これらポゴピン３２と導通し
て下方に突出するポゴピン３４をその下面に有してい
る。これら各ポゴピン３３、３４は、いずれも接続リン
グ３０に対して垂直方向に摺動自在であって、かつ適宜
の弾性部材によって夫々外方に付勢されている。

【００２４】前出プローブカード４０は図２、図３、図
４に示したような構成を有しており、そのその本体とも
いうべき円板状のカード基板４１は、エポキシ系基板に
よって構成されている。そしてこのカード基板４１の中
央部上下には、長方形のセラミック材からなる挟持体４
２、４３が配置され、ボルト・ナットなどの適宜の固定
部材４４によって前記カード基板４１を挟持するように
して、これら挟持体４２、４３は前記カード基板４１に
固着されている。そして前記挟持体４２、４３には、カ
ード基板４１をも貫通する放熱孔となるスリット４５、
４６が穿設されている。これらスリット４５、４６は、
カード基板４１自体の強度を大きく損ねないような形
態、大きさに設定されている。

【００２５】そして下面側の挟持体４３の両側縁部に
は、図３、図４に示したように、この縁部に沿って、セ
ラミック材からなる断面略半円状の支持材４７が夫々設
けられている。

【００２６】前記プローブカード４０のプローブ針５１
は、いわゆる横針タイプのものが使用され、前記下面側
の挟持体４３の両側縁部近傍にて、カード基板４１にそ
の基部が植設されて、配列されている。そしてその斜め
下方に下がった部分は、前記支持材４７に接するように
なっており、また下方に垂下した針先は、前記スリット
４５、４６の真下に位置するように構成されている。こ
れらプローブ針５１の基部は、前記カード基板４１の周
辺近傍に４列に配置されている所定の接続ターミナル５
２と、プリント配線５３を介して導通されている。

【００２７】そして以上の構成にかかるプローブカード
４０は、適宜の保持部材、例えばカードホルダ、カード
クランプ（図示せず）によって前記インサートリング３
１とは別個に支持され、エアシリンダなどの昇降機構
（図示せず）によって上下動自在となるように構成され
ている。

【００２８】そして前記プローブ装置１によってプロー
ブテストが行われる被検査体である半導体デバイスは、
記述の各種ＯＡ機器などに使用されるメモリー系の半導
体デバイスであり、これらメモリー系デバイスは、図１
に示したように、略円板形状のウエハチャック６１上に
載置、保持されるウエハＷ上に形成されている。

【００２９】前記ウエハチャック６１の内部には、図５
に示したように、前記ウエハＷを所定の高温（例えば＋
１５０゜Ｃ）に加熱するための加熱装置６２と、所定の
低温（例えば−１０゜Ｃ）にまで冷却するための冷熱媒
体の循環路６３が設けられており、これら加熱装置６２
と循環路６３によって、前記ウエハＷ上に形成されたメ
モリー系デバイスに対してプローブテストを実施する
際、所定の温度条件を創出することが可能なように構成
されている。またこのウエハチャック６１はステージ６
４上に設けられ、θ方向に回転自在でかつ上下方向であ
るＺ方向にも駆動制御されるように構成されている。

【００３０】前記ステージ６４はパルスモータなどの適
宜の駆動機構（図示せず）によって、水平方向であるＸ
方向、及びＹ方向に駆動制御されるように構成され、さ
らにこのステージ６４の周囲には、前記ウエハチャック
６１の側面に設けられた適宜のターゲット板６５、前記
ステージ６４に設けられた昇降機構によって上下動自在
なカメラなどの光学的撮像装置６６、ウエハＷ上に形成
されたチップの位置を検出するためのカメラなどの光学
的撮像装置６７、ウエハＷ表面の高さなどを検出するた
めの静電容量センサ６８が設けられている。

【００３１】そしてこれら前記各ターゲット板６５、光
学的撮像装置６６、６７、静電容量センサ６８からの各
データなどが演算処理されて、ウエハＷ上の被検査体で
あるメモリー系デバイスと前出プローブカード４０のプ
ローブ針５１との位置関係が検出され、さらに前記ウエ
ハチャック６１とステージ６４の駆動制御によって、こ
のメモリー系デバイス上の電極パッドと前記プローブ針
５１の針先とのアライメントが実施されるように構成さ
れている。

【００３２】プローブ装置１は以上のように構成されて
おり、ウエハＷ上のメモリー系デバイスに対して、例え
ば＋１５０゜Ｃの高温条件の下でプローブテストを実行
する場合には、まず前記ウエハチャック６１内の加熱装
置６２を作動させて、ウエハＷを＋１５０゜Ｃの温度に
設定、維持させる。そして前記各ターゲット板６５、光
学的撮像装置６６、６７、及び静電容量センサ６８など
からのデータに基づいて、ウエハＷ上の被検査体である
メモリー系デバイスと前出のプローブ針５１とのアライ
メントを行なう。

【００３３】そしてこのアライメントが完了した後は、
前記テストヘッド１０を下降させ、またプローブカード
４０を上昇させて、図１に示したように、接続リング３
０の上側のポゴピン３３をパフォーマンスボード２０下
面の接続ターミナル２４と接触させ、下側のポゴピン３
４をプローブカード４０の接続ターミナル５２と接触さ
せ、プローブ針５１を、夫々パフォーマンスボード２０
上の所定の電子部品回路２１、２２と、テストヘッド１
０内のピンエレクトロニクス１１とに導通させる。その
後ウエハチャック６１を上昇させて、図５に示したよう
に、ウエハＷ上のメモリー系デバイスＤの所定の電極パ
ッドと、前記プローブ針５１の針先とを接触させ、さら
に所定のオーバードライブをかけて、これら電極パッド
と前記プローブ針５１との導通をより確実にする。

【００３４】その後は、テストヘッド１０、パフォーマ
ンスボード２０、プローブ針５１を介して、被検査体で
ある前記メモリー系デバイスＤに対して所定の信号を入
力し、また該半導体デバイスＤからの出力を、パフォー
マンスボード２０上に搭載された各種電子部品回路２
１、２２を通じてテストヘッド１０内のピンエレクトロ
ニクス１１に取り込むことにより、このメモリー系デバ
イスＤに対する各種電気特性のテストが実施されるもの
である。

【００３５】このとき既述の如く、ウエハチャック６１
内の加熱装置６２によって、被検査体であるメモリー系
デバイスＤは、＋１５０゜Ｃに設定されているから、高
温条件の下で前記の各種電気特性のテストが実施され
る。したがって高いデバイス精度が要求されるメモリー
系デバイスＤに対して行われる前記のテスト結果は、極
めて信頼できるものとなっている。

【００３６】ところで被検査体であるメモリー系デバイ
スＤがそのように高温に設定されていると、プローブカ
ード４０がこれらウエハＷやウエハチャック６１に近接
している関係上、これらから発せられる熱によって、そ
のカード基板４１が熱変形しようとする。

【００３７】しかしながら、前記カード基板４１の中央
部は、挟持体４２、４３によって挟持され、しかもこれ
ら挟持体材４２、４３には、スリット４５、４６がカー
ド基板４１ごと貫通するように設けられているから、前
記熱はこれらスリット４５、４６を通じて上方に放熱さ
せられ、さらに上部に位置している接続リング３０の開
口穴３２を通じて逃がされる。

【００３８】したがって、カード基板４１、特にプロー
ブ針５１が位置するその中央部が直接受ける熱量は大幅
に低減され、しかも当該中央部自体を挟持している挟持
体４２、４３は熱変形のないセラミック材によって構成
されているので、前記中央部の変形量は、その上下方向
についてみると従来の１／５〜１／３にまでに抑えられ
ている。

【００３９】したがって、プローブ針５１の針先と被検
査体であるメモリー系デバイスＤの所定の電極パッドと
の接触は良好に維持され、接触不良を起こしたり、プロ
ーブ針５１に過大な接触圧がかかることは防止される。
しかも各プローブ針５１には均等に接触圧がかかること
になるので、各プローブ針５１のＸ、Ｙ、Ｚ方向の位置
ズレが起こることもなく、極めて正確なプローブテスト
が実施できる。それゆえ既述の温度条件の下でも、メモ
リー系デバイスＤに対するプローブテストを正確に実施
することができ、そのテスト結果の信頼性は高いものと
なっている。しかもそのように各プローブ針５１の位置
ズレが起こらないので、その後の処理、例えばワイヤー
ボンディング等も正確に行うことができ、その結果デバ
イスの品質向上も図れる。

【００４０】さらにまた従来ウエハチャック６１を加熱
した状態でプローブテストを実施すると、プローブ針の
針先に電極金属屑が付着して正確性を阻害したり、針の
寿命を縮めたりしていたが、上記実施例においては、プ
ローブ針５１の針先の真上にスリット４５、４６が位置
しているので、そのような電極金属屑が付着が極めて減
少し、この点からも上記実施例によれば、精度の高いプ
ローブテストが実施でき、かつプローブ針５１の寿命を
伸ばすことが可能となっている。

【００４１】上記実施例においては、スリット４５、４
６をもって放熱孔としていたが、本発明における放熱孔
はそのような長孔形状に限らず、例えば円形孔や方形孔
など種々の形態にすることが可能であり、またプローブ
カードのカード基板の強度に支障のない範囲で、これら
放熱孔の大きさを設定したり、また種々の箇所に分散さ
せても、同様な効果が得られる。

【００４２】なお上記実施例においては、プローブ針５
１の途中部分が、支持材４７に接触する構成となってい
るので、例えばこの支持体４７の表面に前記途中部分が
納まる程度の溝を形成しておけば、プローブ針５１自体
の位置ズレをさらに防止することが可能である。

【００４３】また前出実施例における挟持体４２、４３
はセラミック材によって構成したが、これに代えて、例
えばアルミ材や銅系の合金など、熱伝導性の良好な金属
の表面に、適宜の絶縁材（例えば窒化物）による絶縁膜
を設けた挟持体を採用してもよい。かかる場合には挟持
体自身からも放熱されるので、全体としての放熱作用が
さらに促進され、カード基板自体の熱変形量を抑えて、
平坦度を維持することが可能である。

【００４４】また放熱作用をさらに促進させるため、前
出プローブカード４０に代えて前記図６、図７に示した
ようなプローブカード４０’を使用してもよい。このプ
ローブカード４０’は、基本的な構成は前出プローブカ
ード４０と同一構成であり、図６、図７における引用番
号で示される部材は、前出プローブカード４０と同一の
部材である。

【００４５】そして前出プローブカード４０と異なって
いるのは、上側の挟持体４２に多数の放熱フィン７１が
設けられている点である。これら放熱フィン７１は熱伝
導性良好な薄い金属板で構成され、ちょうどスリット４
５、４６を跨るようにして、夫々外方にせり出すように
設けられていおり、その外方端部は、接続ターミナル５
２にかからないような位置とされている。

【００４６】したがって、前記スリット４５、４６を通
過する熱は、かかる放熱フィン７１からも放熱されるの
で、全体としての放熱作用はいっそう促進され、カード
基板４１の熱変形量をさらに抑えることが可能である。

【００４７】かかる放熱フィン７１が設けられる前記挟
持体４２は、セラミック材であってもよく、また既述の
ようなその表面に絶縁膜を有する熱伝導性良好な金属で
あってもよい。また放熱フィン７１が設けられる場所
は、そのような挟持体４２だけではなく、その他の場所
に設けた他の放熱孔に跨るように設けてもよい。さらに
放熱フィン７１自体の形状についても、単なる薄板形状
とせず、例えばその周縁部に適宜の凹凸を形成して放熱
フィンの表面積を増大させれば、さらに放熱効果が向上
するものである。

【００４８】

【発明の効果】請求項１によれば、被検査体や被検査体
が載置されている載置台から発せられて、カード基板を
熱変形させようとする熱が、大幅に低減されているの
で、カード基板が熱変形する度合いが従来よりも大幅に
抑えられている。したがって、厳しい温度条件の下でプ
ローブテストを実施しても、カード基板の下面に設けら
れているプローブ針と被検査体の所定の電極パッドとの
接触状態が不良になったり、プローブ針自体に過大な荷
重がかかることはなく、信頼性のあるプローブテストが
行える。しかもプローブ針にダメージを与えるおそれも
ないので、プローブ針、ひいてはプローブカード全体の
寿命を伸ばすことが可能となっている。

【００４９】請求項２によれば、熱変形を起こさないセ
ラミック材による挟持によって、さらにカード基板自体
の変形が抑えられているので、上記請求項１の場合より
もさらにカード基板自体の熱変形の度合いは小さくなっ
ており、前記プローブテストの信頼性はさらに向上し、
またプローブ針の損傷可能性もいっそう低減している。
そして各プローブ針には均等に接触圧がかかることにな
るので、プローブ針自体の位置ズレが起こらず、極めて
正確なプローブテストが実施でき、しかも被検査体であ
るデバイスの品質向上も実現できるものである。

【００５０】請求項３によれば、カード基板を挟持して
いる金属材によっても積極的に放熱されているから、上
記請求項１の場合よりもさらにカード基板自体の熱変形
の度合いは小さくなっており、前記プローブテストの信
頼性はさらに向上し、またプローブ針の損傷可能性もい
っそう低減している。そして前記請求項２と同様、各プ
ローブ針には均等に接触圧がかかり、極めて正確なプロ
ーブテスト並びにデバイスの品質向上が実現可能であ
る。

【００５１】請求項４によれば、さらに放熱が促進され
るので、カード基板を熱変形させようとする熱が、なお
いっそう低減されている。それゆえカード基板自体の熱
変形の度合もそれに応じてより小さくなるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例が使用されたプローブ装置の側面を模式
的に示した説明図である。

【図２】実施例にかかるプローブカードの平面図であ
る。

【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図４】図２のＢ−Ｂ線断面図である。

【図５】実施例にかかるプローブカードのプローブ針
が、被検査体であるメモリー系デバイスの電極パッドと
接触している状態を示す要部拡大一部断面図である。

【図６】他の実施例にかかるプローブカードの平面図で
ある。

【図７】図６のＣ−Ｃ線断面図である。

【符号の説明】

１ プローブ装置 １０ テストヘッド ２０ パフォーマンスボード ３０ 接続リング ３３、３４ ポゴピン ４０ プローブカード ４１ カード基板 ４２、４３ 挟持体 ４４ 固定部材 ４５、４６ スリット ５１ プローブ針 ５２ 接続ターミナル ６１ ウエハチャック ７１ 放熱フィン Ｗ ウエハ Ｄ メモリー系デバイス

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査体の所定の電極に対応して接触さ
   せるプローブ針をカード基板の下面に有し、前記プロー
   ブ針と導通する端子をカード基板の上面に有し、前記端
   子を測定回路の所定の端子に電気的に接続させて、前記
   被検査体の所定の電気的特性を測定する如く構成された
   プローブカードにおいて、 前記カード基板を貫通する形状の放熱孔を設けたことを
   特徴とする、プローブカード。
2. 【請求項２】 前記カード基板をその上下から、セラミ
   ック材で挟持し、前記放熱孔をこのセラミック材及びカ
   ード基板ごと貫通させて設けたことを特徴とする、請求
   項１に記載のプローブカード。
3. 【請求項３】 前記カード基板をその上下から、絶縁材
   で覆われた熱伝導性の良好な金属材で挟持し、前記放熱
   孔をこの金属材及びカード基板ごと貫通させて設けたこ
   とを特徴とする、請求項１に記載のプローブカード。
4. 【請求項４】 少なくとも前記カード基板の上面側に、
   熱伝導性の良好な金属材からなる放熱体を設けたことを
   特徴とする、請求項１、２又は３に記載のプローブカー
   ド。