JPH0766180B2 - 粒子線又は輻射線で照射し得るマスクとその作製方法 - Google Patents
粒子線又は輻射線で照射し得るマスクとその作製方法Info
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- JPH0766180B2 JPH0766180B2 JP27082186A JP27082186A JPH0766180B2 JP H0766180 B2 JPH0766180 B2 JP H0766180B2 JP 27082186 A JP27082186 A JP 27082186A JP 27082186 A JP27082186 A JP 27082186A JP H0766180 B2 JPH0766180 B2 JP H0766180B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は粒子線等の写像媒質に対して少なくとも一部分
において透過性であるようなマスク膜およびそれを支え
るホルダ枠を有し、そしてこのマスク膜をホルダ枠内で
平坦になるように温度変化によって引張状態に保つため
にこのマスク膜が上記ホルダ枠と異なった熱膨張係数を
有しているような、粒子線または輻射線で照射し得るマ
スクに関する。
において透過性であるようなマスク膜およびそれを支え
るホルダ枠を有し、そしてこのマスク膜をホルダ枠内で
平坦になるように温度変化によって引張状態に保つため
にこのマスク膜が上記ホルダ枠と異なった熱膨張係数を
有しているような、粒子線または輻射線で照射し得るマ
スクに関する。
［従来の技術］ 陰極線管のパイプ状ガラス体内で金属製マスク膜を固定
することは既に公知である（英国特許第1,163,495
号）。ガラスはマスク膜の金属よりも小さな熱膨張係数
を有するのでこのマスク膜を加温した状態でガラス材料
内に固定すればこれを冷却したときにマスク膜の緊張状
態を達成することができる。この固定は上記英国特許第
1,163,495号公報によればガラス体のその上への融着が
得られるように高い温度（格子の軟化点）において行な
わなければならない。引き続いて室温まで冷却したとき
にその金属製のマスク膜はこのマスクの材料の弾性限度
を越えてその膜の塑性変形が生ずるほどに強く引張され
る。
することは既に公知である（英国特許第1,163,495
号）。ガラスはマスク膜の金属よりも小さな熱膨張係数
を有するのでこのマスク膜を加温した状態でガラス材料
内に固定すればこれを冷却したときにマスク膜の緊張状
態を達成することができる。この固定は上記英国特許第
1,163,495号公報によればガラス体のその上への融着が
得られるように高い温度（格子の軟化点）において行な
わなければならない。引き続いて室温まで冷却したとき
にその金属製のマスク膜はこのマスクの材料の弾性限度
を越えてその膜の塑性変形が生ずるほどに強く引張され
る。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の課題は、本文の初めにあげた類のマスクを、そ
のマスク膜がマスクの装着の後においても弾性限界内の
或る張力を保持し、そしてこのマスクの使用の際にさら
される温度負荷のもとでマスク膜が平坦に保たれてその
マスクの透過性部分の像を基材の上に形状忠実に写像さ
せることを保証するように構成することである。
のマスク膜がマスクの装着の後においても弾性限界内の
或る張力を保持し、そしてこのマスクの使用の際にさら
される温度負荷のもとでマスク膜が平坦に保たれてその
マスクの透過性部分の像を基材の上に形状忠実に写像さ
せることを保証するように構成することである。
［問題点を解決するための手段］ この課題は本発明によれば本文の初めにあげた類のマス
クにおいて、中でも例えばニッケルのような金属よりな
るマスク膜の熱膨張係数が、好ましくは中でもインバー
鋼等の同じく金属よりなるホルダ枠の熱膨張係数よりも
大であって、そのマスク膜とホルダ枠とからなる構成体
を冷却することによってマスク膜がホルダ枠によって予
備緊張状態に置かれ、そしてマスク膜は上部材と基部材
とから構成される上記ホルダ枠内で端縁部がこれら枠部
材の間に挟持されて機械的に締め付けられるようにする
ことによって達成される。
クにおいて、中でも例えばニッケルのような金属よりな
るマスク膜の熱膨張係数が、好ましくは中でもインバー
鋼等の同じく金属よりなるホルダ枠の熱膨張係数よりも
大であって、そのマスク膜とホルダ枠とからなる構成体
を冷却することによってマスク膜がホルダ枠によって予
備緊張状態に置かれ、そしてマスク膜は上部材と基部材
とから構成される上記ホルダ枠内で端縁部がこれら枠部
材の間に挟持されて機械的に締め付けられるようにする
ことによって達成される。
［作用］ 本発明に従う機械的な締付けによって前述のような種々
の問題を有する融着過程を省略することができる。その
ホルダ枠は機械加工性の良好な材料より作られる。この
場合にそのマスクの本発明に従う構成は長時間にわたる
粒子線や輻射線の照射のもとでもそのマスク面を平坦に
維持できると言うことが保証され、その際ニッケルより
なる膜がガラス枠内に保持されている公知のマスクとは
異なって、そのマスク膜およびホルダ枠の材料の選択に
おいて大きな柔軟性が与えられている。このことはさて
おいても、過大に強い線照射に際しての膜の裂断の危険
が除かれており、と言うのはこのような場合に本発明に
従い構成されたマスクのマスク膜はたるんだ状態になる
が、しかしながら冷却された後には再びもとの平らな状
態に戻って更に使用することができるようになるからで
ある。本発明に従うマスクの構成においてはマスクの線
照射によってはその熱的な予備緊張が減少するだけであ
る。マスクの例えばイオンプロジェクタにおけるような
用途範囲に対してはこのものは温度の上昇とともにマス
クの予備緊張は低下するけれども、そのマスク膜中の透
過性部分のパターン開口の位置やその形状にはなんらの
変化も生じない。
の問題を有する融着過程を省略することができる。その
ホルダ枠は機械加工性の良好な材料より作られる。この
場合にそのマスクの本発明に従う構成は長時間にわたる
粒子線や輻射線の照射のもとでもそのマスク面を平坦に
維持できると言うことが保証され、その際ニッケルより
なる膜がガラス枠内に保持されている公知のマスクとは
異なって、そのマスク膜およびホルダ枠の材料の選択に
おいて大きな柔軟性が与えられている。このことはさて
おいても、過大に強い線照射に際しての膜の裂断の危険
が除かれており、と言うのはこのような場合に本発明に
従い構成されたマスクのマスク膜はたるんだ状態になる
が、しかしながら冷却された後には再びもとの平らな状
態に戻って更に使用することができるようになるからで
ある。本発明に従うマスクの構成においてはマスクの線
照射によってはその熱的な予備緊張が減少するだけであ
る。マスクの例えばイオンプロジェクタにおけるような
用途範囲に対してはこのものは温度の上昇とともにマス
クの予備緊張は低下するけれども、そのマスク膜中の透
過性部分のパターン開口の位置やその形状にはなんらの
変化も生じない。
本発明に従うマスクはマスク膜をホルダ枠と一緒に室温
よりも高い温度、例えば50−100℃の範囲で高められた
温度に加温し、次いでこのマスク膜をホルダ枠内で締め
付け、その上でこのマスク膜をそのマスク膜内に生じた
引張力が最大で弾性限界までに達する弾性範囲内に存在
するような或る温度まで冷却する方法によって簡単に作
製することができる。マスク膜またはホルダ枠の加温は
液体浴中で行なうことができるけれども、もちろん空気
流または他の加熱されたガスの流れの中で行なうことも
可能である。
よりも高い温度、例えば50−100℃の範囲で高められた
温度に加温し、次いでこのマスク膜をホルダ枠内で締め
付け、その上でこのマスク膜をそのマスク膜内に生じた
引張力が最大で弾性限界までに達する弾性範囲内に存在
するような或る温度まで冷却する方法によって簡単に作
製することができる。マスク膜またはホルダ枠の加温は
液体浴中で行なうことができるけれども、もちろん空気
流または他の加熱されたガスの流れの中で行なうことも
可能である。
本発明の特に好ましい態様においてマスク膜とホルダ枠
とはこの膜をホルダ枠内で締め付けるに先立って等しい
温度にし、その際その加温を例えば液体浴中で実施する
ことができる。
とはこの膜をホルダ枠内で締め付けるに先立って等しい
温度にし、その際その加温を例えば液体浴中で実施する
ことができる。
［実施例］ 以下、本発明を添付の図面に示した実施例によって更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
図において１はマスク膜４のためのホルダ枠を示す。マ
スクまく４は取扱性を容易にするために図に例示的に示
すように端縁部が厚く作られている。このホルダ枠は好
ましくは上部材２と基部材３とからなる。マスク膜４は
基部材３と上部材２との間に挟持される。この場合に図
においては上部材２が基部材３から少し持ち上げられた
位置で示されている。マスク膜４は例えばイオン線、電
子線等の写像媒質に対して透過性の部分７を有してい
る。マスク膜４としてはニッケル膜が用いられる。マス
ク膜４の厚さは典型的には数μｍであるが、それよりも
低い値（例えば0.5μｍ）であってもよい。この場合に
マスク膜の肉厚は或る個別的な位置において上述の値よ
りも大または小であることができる。マスク膜４は5mm
×5mmの大きさであることができる。運転において、す
なわち上記写像媒質に対して透過性の部分７の像を基材
の上に写像する際にこのマスク膜４は例えばイオン線ま
たは電子線によって好ましくはその表面に対して垂直に
照射される。この場合にマスク膜は著しい熱的負荷にさ
らされ、例えばそのマスク膜は10KeVにおいてイオン流
密度10μA/cm2でイオン線により照射される。この場合
にマスク膜から基材の上への像転写の精度に対してはマ
スク膜４が線照射の間中、平坦に保たれることが重要で
ある。このためにマスク膜４はホルダ枠１内で予備緊張
されており、その際このマスク膜４の予備緊張は運転状
態においてもなお存在している必要がある。この予備緊
張を確実にするためにマスク膜４の熱膨張係数はホルダ
枠１の熱膨張係数よりも大きく選ばれている。マスク膜
１の冷却に際してこのマスク膜内の張力は上昇する。ホ
ルダ枠１とそれに取り付けられたマスク膜４とからなる
マスクの貯蔵温度においてこのマスク膜の近張力は弾性
範囲内に存在する。マスク膜４の永久的変形はこれによ
って除かれている。枠として好ましくはガラスと異なっ
た材料、例えばインバー鋼を用いることができる。
スクまく４は取扱性を容易にするために図に例示的に示
すように端縁部が厚く作られている。このホルダ枠は好
ましくは上部材２と基部材３とからなる。マスク膜４は
基部材３と上部材２との間に挟持される。この場合に図
においては上部材２が基部材３から少し持ち上げられた
位置で示されている。マスク膜４は例えばイオン線、電
子線等の写像媒質に対して透過性の部分７を有してい
る。マスク膜４としてはニッケル膜が用いられる。マス
ク膜４の厚さは典型的には数μｍであるが、それよりも
低い値（例えば0.5μｍ）であってもよい。この場合に
マスク膜の肉厚は或る個別的な位置において上述の値よ
りも大または小であることができる。マスク膜４は5mm
×5mmの大きさであることができる。運転において、す
なわち上記写像媒質に対して透過性の部分７の像を基材
の上に写像する際にこのマスク膜４は例えばイオン線ま
たは電子線によって好ましくはその表面に対して垂直に
照射される。この場合にマスク膜は著しい熱的負荷にさ
らされ、例えばそのマスク膜は10KeVにおいてイオン流
密度10μA/cm2でイオン線により照射される。この場合
にマスク膜から基材の上への像転写の精度に対してはマ
スク膜４が線照射の間中、平坦に保たれることが重要で
ある。このためにマスク膜４はホルダ枠１内で予備緊張
されており、その際このマスク膜４の予備緊張は運転状
態においてもなお存在している必要がある。この予備緊
張を確実にするためにマスク膜４の熱膨張係数はホルダ
枠１の熱膨張係数よりも大きく選ばれている。マスク膜
１の冷却に際してこのマスク膜内の張力は上昇する。ホ
ルダ枠１とそれに取り付けられたマスク膜４とからなる
マスクの貯蔵温度においてこのマスク膜の近張力は弾性
範囲内に存在する。マスク膜４の永久的変形はこれによ
って除かれている。枠として好ましくはガラスと異なっ
た材料、例えばインバー鋼を用いることができる。
マスク膜４に所望の予備緊張力を与えておくために、マ
スク膜４をホルダ枠１の両方の部材と一緒に室温よりも
高い温度、例えば60℃の温度にすることより出発するこ
とができる。これは図に見られるように基部材３、上部
材２およびマスク膜４を容器５の中で所望の温度に保た
れた液体浴６の中に入れてここでそれらの各部分が浴温
度に達してしまうまで保持することによって行なうこと
ができる。次にマスク膜４の端縁部を基部材３と上部材
２との間に挟んでこれら両部材を互いに締め合わせ、そ
れによりこれを枠中に固定する。このマスクを貯蔵温
度、例えば室温に冷却することによってそのマスク膜４
は緊張状態に保たれ、と言うのはその冷却に際してこれ
がホルダ枠１よりもより強く収縮するからである。線照
射のもとでのこのマスク膜の最高可能使用温度はホルダ
枠が非常に僅かな熱膨張係数を有する材料から作られて
いるときは、その膜の最初の装着固定温度に近い温度で
ある。
スク膜４をホルダ枠１の両方の部材と一緒に室温よりも
高い温度、例えば60℃の温度にすることより出発するこ
とができる。これは図に見られるように基部材３、上部
材２およびマスク膜４を容器５の中で所望の温度に保た
れた液体浴６の中に入れてここでそれらの各部分が浴温
度に達してしまうまで保持することによって行なうこと
ができる。次にマスク膜４の端縁部を基部材３と上部材
２との間に挟んでこれら両部材を互いに締め合わせ、そ
れによりこれを枠中に固定する。このマスクを貯蔵温
度、例えば室温に冷却することによってそのマスク膜４
は緊張状態に保たれ、と言うのはその冷却に際してこれ
がホルダ枠１よりもより強く収縮するからである。線照
射のもとでのこのマスク膜の最高可能使用温度はホルダ
枠が非常に僅かな熱膨張係数を有する材料から作られて
いるときは、その膜の最初の装着固定温度に近い温度で
ある。
添付図は本発明に従うマスクの作製に際してこれが液体
浴中で保持された状態を図式的に断面図で示す。 １……マスク、２……上部材 ３……基部材、４……マスク膜 ５……容器、６……液体浴 ７……透過性部分
浴中で保持された状態を図式的に断面図で示す。 １……マスク、２……上部材 ３……基部材、４……マスク膜 ５……容器、６……液体浴 ７……透過性部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス レシユナー オーストリア国 ウイーン、エイー1190、 フエガガツセ ６／２ (56)参考文献 特開 昭60−68337（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】粒子線やイオン線等の写像媒質に対して少
なくとも一部分において透過性であるようなマスク膜お
よびそれを支えるホルダ枠を有し、そしてこのマスク膜
をホルダ枠内で平坦になるように温度変化によって引張
状態に保つためにこのマスク膜が上記ホルダ枠と異なっ
た熱膨張係数を有している、粒子線または輻射線で照射
し得るマスクにおいて、金属よりなるマスク膜（４）の
熱膨張係数が同じく金属よりなるホルダ枠（１）の熱膨
張係数よりも大であって、そのマスク膜とホルダ枠とか
らなる構成体を冷却することによってマスク膜（４）が
ホルダ枠（１）によって予備緊張状態に置かれ、そして
マスク膜は上部材と基部材とからなる上記ホルダ枠内で
端縁部がこれら枠部材の間に挟持されて機械的に締め付
けられていることを特徴とする、上記マスク。 - 【請求項２】粒子線やイオン線等の写像媒質のために少
なくとも一部分において透過性であるようなマスク膜お
よびそれを支えるホルダ枠を有し、そしてこのマスク膜
を温度変化によってホルダ枠内で引張状態に保つために
このマスク膜が上記ホルダ枠と異なった熱膨張係数を有
しているような、粒子線または輻射線で照射し得るマス
クを作製するに当たり、マスク膜をホルダ枠と一緒に室
温よりも高い温度に加温し、次いでマスク膜をそのホル
ダ枠内で締め付け、その上でマスク膜をそのマスク膜内
に生ずる引張力が最高で弾性限界に達するまでの弾性範
囲内に存在するような温度に冷却することを特徴とす
る、上記マスク膜の作製方法。 - 【請求項３】ホルダ枠とマスク膜とを、そのマスク膜が
ホルダ枠内で締め付けられるに先立って同温度にし、そ
の際その加温を液体浴中で行なう、特許請求の範囲第２
項に従う方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT3310/85 | 1985-11-13 | ||
| AT0331085A ATA331085A (de) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | Teilchen- oder strahlenbelastbare maske und verfahren zur herstellung derselben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62118350A JPS62118350A (ja) | 1987-05-29 |
| JPH0766180B2 true JPH0766180B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=3548574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27082186A Expired - Lifetime JPH0766180B2 (ja) | 1985-11-13 | 1986-11-13 | 粒子線又は輻射線で照射し得るマスクとその作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4891547A (ja) |
| EP (1) | EP0223770B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0766180B2 (ja) |
| AT (2) | ATA331085A (ja) |
| DE (1) | DE3688925D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT393334B (de) * | 1988-01-22 | 1991-09-25 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur stabilisierung einer bestrahlten maske |
| US5207711A (en) * | 1990-01-08 | 1993-05-04 | Caspari Richard B | Knee joint prosthesis |
| JP4037809B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2008-01-23 | 日本電子株式会社 | イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 |
| JP2010113315A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-05-20 | Jsr Corp | フォトマスク |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE160801C (ja) * | ||||
| NL158008B (nl) * | 1950-04-28 | Ibm | Holografisch geheugen. | |
| DE1160107B (de) * | 1961-03-04 | 1963-12-27 | Intermetall | Verfahren zum Anpressen von Abdeckmasken an Halbleiterplatten zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
| US3271488A (en) * | 1961-11-21 | 1966-09-06 | Itt | Method of making masks for vapor deposition of electrodes |
| FR1490705A (fr) * | 1966-06-23 | 1967-08-04 | Saint Gobain | Dispositif pour la fixation d'un masque pour tubes cathodiques |
| NL7315905A (nl) * | 1973-11-21 | 1975-05-23 | Philips Nv | Elektronenstraalbuis voor het weergeven van ge- kleurde beelden. |
| DE2512086C3 (de) * | 1975-03-19 | 1978-11-30 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung freitragender, dünner Metallstrukturen |
| JPS5546758A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Mask for x-ray exposure |
| AT371947B (de) * | 1979-12-27 | 1983-08-10 | Rudolf Sacher Ges M B H | Freitragende maske, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum maskieren von substraten |
| AT383438B (de) * | 1981-12-04 | 1987-07-10 | Rudolf Sacher Ges M B H | Freitragende maske |
| JPS59200721A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-13 AT AT0331085A patent/ATA331085A/de unknown
-
1986
- 1986-11-13 AT AT86890314T patent/ATE93631T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-11-13 JP JP27082186A patent/JPH0766180B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-13 DE DE86890314T patent/DE3688925D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-11-13 EP EP86890314A patent/EP0223770B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-10 US US07/205,535 patent/US4891547A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62118350A (ja) | 1987-05-29 |
| EP0223770A2 (de) | 1987-05-27 |
| EP0223770A3 (en) | 1989-06-28 |
| US4891547A (en) | 1990-01-02 |
| DE3688925D1 (de) | 1993-09-30 |
| EP0223770B1 (de) | 1993-08-25 |
| ATE93631T1 (de) | 1993-09-15 |
| ATA331085A (de) | 1994-05-15 |
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