JPH0766035B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH0766035B2
JPH0766035B2 JP59124682A JP12468284A JPH0766035B2 JP H0766035 B2 JPH0766035 B2 JP H0766035B2 JP 59124682 A JP59124682 A JP 59124682A JP 12468284 A JP12468284 A JP 12468284A JP H0766035 B2 JPH0766035 B2 JP H0766035B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は半導体集積回路、特にディジタル半導体集積
回路に係り、機能テストおよび出力DCテストに要する時
間の短縮を計るようにした改良に関する。
[発明の技術的背景とその問題点] ディジタル半導体集積回路の良否判定を行なうためのテ
ストとしては、消費電流テスト、入力DCテスト、出力DC
テスト、機能テスト、ACテスト等がある。このうち出力
DCテストとは、信号出力端子に内部信号を供給する出力
バッフアの電圧、電流特性をテストするものであり、ま
た機能テストとは内部回路の論理機能をテストするもの
である。ディジタル半導体集積回路での出力DCテスト
は、出力信号がHレベルとLレベルの2つの状態で行わ
れている。
従来、DCテストの容易化設計がなされていない半導体集
積回路(以下ICと略称する)では、機能テストの途中
の、出力信号がHレベルまたはLレベルに設定されてい
るときに、この機能テストを一時中断してDCテストを行
なうようにしている。機能テスト時に信号出力端子はラ
ンダムにHレベルあるいはLレベルに設定されているの
で、DCテストを行なうため機能テストの実行が途中で何
度も停止されて満足な機能テストが行なえなくなってし
まう。これに対処するため、さらに従来では出力DCテス
ト専用のテストパターンを準備してテストを行なうよう
にしている。ところが、この場合にはより多くのテスト
時間が必要になるという不都合が生じる。すなわち、こ
の場合のテスト時間はDCテスト用のテストシーケンス時
間t1、DCテスト時間2n・t2(t2は1つの出力端子のHレ
ベルまたはLレベルでのDCテストに必要とする時間であ
り、nは出力端子の総数である)、および機能テスト時
間t3を合せた時間になる。
このため、従来ではDCテストの容易化設計を施してテス
ト時間の短縮化を計るようにしている。
第4図はこのDCテストの容易化設計が施こされた従来の
ICの、出力回路部のみの構成を示す回路図である。図に
おいて111ないし11nは信号出力端子である。これら各信
号出力端子111ないし11nには出力バッフアとしてのイン
バータ121ないし12nの出力信号が導かれている。上記イ
ンバータ121ないし12nには、選択回路131ないし13nのう
ち対応する回路で選択された信号が供給される。上記選
択回路131ないし13nには内部のシステム出力信号1ない
しnそれぞれとDC制御信号とが供給されており、DCテス
ト信号の論理レベルに応じてシステム出力信号もしくは
DC制御信号を対応するインバータ12に選択出力する。
上記各選択回路13は1つの選択回路131で例示するよう
に、それぞれアンドゲート15と2個のノアゲート16、17
とで構成されている。
第5図は上記第4図回路の動作を示すタイミングチャー
トである。上記第4図回路はDCテスト信号の論理レベル
に応じて、システム出力信号とDC制御信号とを切替えて
各インバータ12に供給し、これを各出力端子11から出力
させることによって、機能テストと各インバータ12のDC
テストを行なうようにしたものである。
すなわち、このICでは、先ずDCテスト信号をHレベルに
することにより、出力DCテストモードとなる。DCテスト
信号がHレベルになると、各選択回路13ではアンドゲー
ト15が禁止状態になり、ノアゲート16が動作可能にされ
る。これにより各選択回路13はDC制御信号の選択を行な
う。次にこの状態で、各選択回路13にDCテストに必要な
だけの時間を持つパルス状のDC制御信号を供給する。す
るとこのDC制御信号に従い、各出力端子11はインバータ
12の出力信号に応じて交互にHレベル、Lレベルに設定
される。そこでたとえば出力端子111から11nの順に、L
レベル状態およびHレベル状態でのDCテストを行なう。
このDCテストとは、図示しないテスト内の電源を各出力
端子11に接続し、出力信号がLレベル、Hレベルのとき
それぞれこの電源ラインに流れる電流を測定し、測定さ
れた値が規定値となっているか否かをテストするもので
ある。このDCテストが全ての出力端子について終了する
と、次にDCテスト信号をLレベルにすることによって機
能テストモードにする。このモードのとき、各選択回路
13ではノアゲート16が禁止状態になり、アンドゲート15
が動作可能にされる。これにより各選択回路13はシステ
ム出力信号の選択を行なう。すなわち、この場合に各出
力端子11からは内部のシステム出力信号1ないしnが出
力され、これらの信号は図示しないテスタに供給されて
論理機能テストが行われる。この場合のテスト時間はDC
テスト時間2n・t2と機能テスト時間t3とを合せた時間に
なる。このテスト時間は上記のようなDCテストの容易化
設計がなされていないICに比べて、テストシーケンス時
間t1だけ短縮されている。
ところで、DCテストの容易化設計がなされているICにお
いて、前記DCテスト時にテスタ側で出力端子の数に対応
した数の電源を用意すれば、このDCテストに要する時間
2n・t2は2・t2にすることができる。しかしながら、最
近のICでは出力端子の数が数百程度と極めて多いものが
あり、これに対応した数の電源を備えたテスタは極めて
高価なものとなり実際的ではない。従って、従来では1
個もしくは2、3個のテスト用電源を用意したテスタを
用いてICのテストを行なうのが普通であり、このため出
力端子が多くなるのに伴ってテストを要する時間が増大
する。
このように、従来では出力DCテストを機能テストとは独
立して行なうようにしているために、テスト時間、特に
出力DCテストと機能テストに要する時間が長くかかると
いう欠点がある。
[発明の目的] この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的は出力DCテストと機能テストとを並列に
行なうことによって、従来と比べてこれらのテストに要
する時間を短くすることができる半導体集積回路を提供
することにある。
[発明の概要] 上記目的を達成するためこの発明にあっては、内部で発
生されるnビットのシステム出力信号の各ビット信号、
nビットの第1出力制御信号の各ビット信号、及び1ビ
ットのDCテスト用信号がそれぞれ供給され、上記第1の
出力制御信号の各ビット信号に基づいて対応する上記シ
ステム出力信号の各ビット信号及びDCテスト用信号を選
択的に出力するn個の第1選択回路と、上記n個の各第
1選択回路の出力をn個の第1出力端子のそれぞれに導
くn個の第1出力バッファ回路と、上記nビットのシス
テム出力信号、上記nビットの第1出力制御信号、上記
DCテスト用信号、及び第2出力制御信号が供給され、上
記n個の各第1選択回路からシステム出力信号が選択出
力されている期間には第2出力制御信号に基づいてDCテ
スト用信号を選択し、上記n個の各第1選択回路からDC
テスト用信号が選択出力されている期間にはnビットの
第1出力制御信号に基づいてnビットのシステム出力信
号のいずれか1ビットを選択して出力する1個の第2選
択回路と、上記第2選択回路の出力を第2出力端子に導
く第2出力バッファ回路とを具備し、出力DCテストが行
われている第1出力バッファ回路から本来出力すべき機
能テストのための信号を、第2出力バッファ回路から出
力させることにより、出力DCテストと機能テストとを並
列に行なうようにしている。[発明の実施例] 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図はこの発明にかかる半導体集積回路の、出力回路
部のみの構成を示す回路図である。図において211ない
し21nおよび22なそれぞれ信号出力端子である。上記各
信号出力端子211ないし21nには出力バッフアとしてのイ
ンバータ231ないし23nの対応する出力信号が導かれてい
る。また上記信号出力端子22には出力バッフアとしての
インバータ24の出力信号が導かれている。上記インバー
タ231ないし23nには、選択回路251ないし25nのうち対応
する回路で選択された信号が供給される。上記インバー
タ24には、選択回路26で選択された信号が供給される。
上記選択回路251ないし25nには、内部のnビットのシス
テム出力信号1ないしnのうち対応するものが直接に、
DC制御信号が直接に、nビットのテスト信号1ないしn
のうち対応するものが各インバータ271ないし27nそれぞ
れを介して、さらに上記インバータ271ないし27nの出力
信号のうち対応するものが各インバータ281ないし28n
れぞれを介してそれぞれ供給されている。また上記選択
回路26には、インバータ281ないし28nの出力信号、上記
DC制御信号およびノーマル信号が供給されている。
上記各選択回路251ないし25nは、上記対応するテスト信
号1ないしnの論理レベルに応じて、対応するシステム
出力信号もしくはDC制御信号を対応するインバータ23に
選択出力するものであり、これらの選択回路25はそれぞ
れシステム出力信号およびインバータ27の出力信号が並
列に供給されているアンドゲート31と、DC制御信号およ
びインバータ28の出力信号が並列に供給されているアン
ドゲート32およびこの両アンドゲート31,32の出力信号
が並列に供給されているノアゲート33とから構成されて
いる。
上記選択回路26は、上記テスト信号1ないしnの論理レ
ベルに応じてシステム出力信号1ないしnのうちいずれ
か1つを、あるいはノーマル信号の論理レベルに応じて
上記DC制御信号を上記インバータ24に選択出力するもの
であり、この選択回路26は対応するシステム出力信号そ
れぞれおよび対応するインバータ28の出力信号それぞれ
が並列に供給されているn個のアンドゲート411ないし4
1nと、DC制御信号およびノーマル信号が並列に供給され
ているアンドゲート42およびこれらアンドゲート411
いし41nおよび42の出力信号が並列に供給されているノ
アゲート43とから構成されている。
次に上記のような構成の回路の動作を、第2図のタイミ
ングチャートを用いて説明する。
先ず、ノーマル信号をHレベルにし、テスト信号1ない
しnを全てLレベルにする。各テスト信号1ないしnが
それぞれLレベルされているで、インバータ271ないし2
7nの出力信号がHレベル、インバータ281ないし28nの出
力信号がLレベルにされて、各選択回路251ないし25n
は、それぞれ一方のアンドゲート31が動作可能状態にさ
れ、それぞれ他方のアンドゲート32が禁止状態にされ
る。この結果、nビットのシステム出力信号1ないしn
がこれらの選択回路251ないし25nそれぞれおよび出力バ
ッフア用インバータ231ないし23nそれぞれを介して出力
端子211ないし21nに導かれる。従ってこのとき、図示し
ないテスタは、出力端子211ないし21nから出力されるn
ビットのシステム出力信号1ないしnを用いて機能テス
トを行なう。
またこのとき、インバータ281ないし28nの出力信号が全
てLレベルにされているので、選択回路26内のアンドゲ
ート411ないし41nは全て禁止状態にされる。他方、ノー
マル信号はHレベルにされているので、この選択回路26
内のもう1つのアンドゲート42が動作可能状態にされい
る。この状態でDC制御信号をLレベルおよびHレベルに
交互に設定すれば、これに対応してアンドゲート42の出
力信号もLレベルおよびHレベルに設定され、これに続
くノアゲート45の出力信号は交互にHレベルおよびLレ
ベルに設定される。すなわち、出力ハッフアとしてのイ
ンバータ24への入力信号が交互にHレベルおよびLレベ
ルに設定され、それぞれの入力レベルに応じた出力信号
が出力端子22から出力される。従って、このとき、図示
しないテスタは、インバータ24の出力信号がLレベルお
よびHレベル状態でのDCテストを行なう。
上記インバータ24のDCテストが終了したならば、次にノ
ーマル信号をLレベルにし、かつテスト信号1のみをH
レベルに設定する。ノーマル信号がLレベルにされるこ
とにより、選択回路26内のアンドゲート42の出力信号は
DC制御信号のレベルにかかわらず常にLレベルにされ
る。一方、テスト信号1がHレベルにされることによ
り、インバータ271の出力信号がLレベルに、これに続
くインバータ281の出力信号がHレベルにそれぞれされ
る。これによって、選択回路251内では一方のアンドゲ
ート31が禁止状態にされ、他方のアンドゲート32が動作
可能状態にされる。従ってこの選択回路251ではシステ
ム出力信号1の代わりにDC制御信号が選択出力される。
この状態でDC制御信号をLレベルおよびHレベルに交互
に設定すれば、これに対応してアンドゲート32の出力信
号もLレベルおよびHレベルに設定され、これに続くノ
アゲート33の出力信号は交互にHレベルおよびLレベル
に設定される。すなわち、出力バッフアとしてのインバ
ータ231の入力信号が交互にHレベルおよびLレベルに
設定され、それぞれの入力レベルに応じた出力信号が出
力端子211から出力される。従って、このとき、図示し
ないテスタは、インバータ231の出力信号がLレベルお
よびHレベル状態でのDCテストを行なう。
上記インバータ231のDCテストが行われているとき、選
択回路26内のアンドゲート411は上記インバータ281の出
力信号によって動作可能状態にされている。このため、
いまDCテストが行われている出力端子211から本来出力
するべきシステム出力信号1は、上記選択回路26内のア
ンドゲート411、ノアゲート43およびインバータ24を介
して出力端子22から出力されており、このDCテストのと
きにもシステム出力信号1ないしnは出力されているの
で、このときもnビットのシステム出力信号を用いて機
能テストを行なうことができる。
以下、同様にテスト信号2ないしnを順次Hレベルに設
定し、各テスト信号のHレベル期間にDC制御信号を交互
にLレベルおよびHレベルに設定して、Hレベルにされ
ているテスト信号に対応したビットのインバータ23のDC
テストを行なう。これと並列に、DCテストが行われてい
る出力端子21から本来出力するべきシステム信号を、上
記選択回路26を介して出力端子22から出力することによ
り、nビットのシステム出力信号1ないしnを用いて機
能テストを行なう。
そして全てのインバータ23におけるDCテストが終了した
時点で未だ機能テストが終了していなければ、第2図の
タイミングチャートで示すように、続いて機能テストの
みを行なう。またDCテストが終了した時点で既に機能テ
ストが終了していれば、この時点でDCテストおよび機能
テストは完了する。
このようにこの実施例のICでは、n個のうちの1個の出
力端子21におけるDCテストを行なうときに、この出力端
子21から本来出力すべきシステム出力信号を、予め余分
に設けられた1つの出力端子22から出力し、nビットの
システム出力信号が常に出力されるようにしたので、機
能テストと並行してDCテストを行なうことができる。こ
のため、テストに要する時間は、機能テストおよびCDテ
ストのうちどちらか長い方の時間のみにすることがで
き、仮に、機能テストおよびDCテストに要する時間が同
じであれば、テスト時間はDCテストの容易化設計が施こ
された従来のICのほぼ半分にすることができる。
ところで、上記実施例回路で使用されるテスト信号は出
力端子211ないし21nに対応した数だけ必要であり、前記
第4図回路の場合の1つのDCテスト信号に対して多くな
っている。ところが、これらの信号は第3図のような回
路で簡単に発生させることが可能である。
すなわち、第3図は上記nビットのテスト信号1ないし
n、DC制御信号およびノーマル信号を発生する制御回路
の構成を示す回路図である。図において、入力端子51に
はICの外部からシステムリセット信号が供給されるよう
になっている。上記入力端子51に供給されるシステムリ
セット信号は2個のインバータ52、53を介して、(m+
1)ビットのバイナリカウンタ54にリセット信号として
供給されている。さらにもう1つの入力端子55に供給さ
れるDC制御信号は、インバータ56を介して上記バイナリ
カウンタ54にクロック信号として供給されているとも
に、上記インバータ56およびもう1つのインバータ57を
介して、内部のDC制御信号として前記各選択回路25、26
に供給されている。上記バイナリカウンタ54の(m+
1)ビットのカウント信号はデコーダ58に並列に供給さ
れている。このデコーダ58は上記バイナリカウンタ54の
(m+1)ビットのカウント信号から、Hレベル期間が
順次ずれたnビットの上記テスト信号1ないしnを発生
するとともに、所定の期間を持つ前記ノーマル信号を発
生する。
なおこの発明は上記実施例に限定されるものではなく種
々の変形が可能であることはいうまでもない。たとえ
ば、上記実施例回路では選択回路25、26をアンドゲー
ト、ノアゲートで構成する場合について説明したが、こ
れは他のゲート回路を用いて構成するようにしてもよい
ことは勿論である。
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、出力DCテストと
機能テストとを並列に行なうようにしたので、従来と比
べてこれらのテストに要する時間を短くすることができ
る半導体集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかる半導体集積回路の出力回路部
の構成を示す回路図、第2図は上記実施例回路のタイミ
ングチャート、第3図は第1図回路で使用される信号を
発生する制御回路を示す図、第4図は従来の半導体集積
回路の回路図、第5図はそのタイミングチャートであ
る。 21、22……信号出力端子、23、24……インバータ(信号
出力手段)、25……選択回路(第1の選択手段)、26…
…選択回路(第2、第3の選択手段)、27、28……イン
バータ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】内部で発生されるnビットのシステム出力
    信号の各ビット信号、nビットの第1出力制御信号の各
    ビット信号、及び1ビットのDCテスト用信号がそれぞれ
    供給され、上記第1出力制御信号の各ビット信号に基づ
    いて対応する上記システム出力信号の各ビット信号及び
    DCテスト用信号を選択的に出力するn個の第1選択回路
    と、 上記n個の各第1選択回路の出力をn個の第1出力端子
    のそれぞれに導くn個の第1出力バッファ回路と、 上記nビットのシステム出力信号、上記nビットの第1
    出力制御信号、上記DCテスト用信号、及び第2出力制御
    信号が供給され、上記n個の各第1選択回路からシステ
    ム出力信号が選択出力されている期間には第2出力制御
    信号に基づいてDCテスト用信号を選択し、上記n個の各
    第1選択回路からDCテスト用信号が選択出力されている
    期間にはnビットの第1出力制御信号に基づいてnビッ
    トのシステム出力信号のいずれか1ビットを選択して出
    力する1個の第2選択回路と、 上記第2選択回路の出力を第2出力端子に導く第2出力
    バッファ回路 とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】前記n個の第1選択回路のそれぞれが、 前記nビットの第1出力制御信号のうち対応するビット
    の信号に応じて前記nビットのシステム出力信号のうち
    対応するビットの信号を出力する第1論理回路と、 前記nビットの第1出力制御信号のうち対応するビット
    の信号に応じて前記DCテスト用信号を出力する第2論理
    回路 とを備えている特許請求の範囲第1項に記載の半導体集
    積回路。
  3. 【請求項3】前記第2選択回路が、 前記nビットの各第1出力制御信号に応じて前記nビッ
    トの各システム出力信号を出力するn個の第3論理回路
    と、 前記第2出力制御信号に応じて前記DCテスト用信号を出
    力する第4論理回路 とを備えている特許請求の範囲第1項に記載の半導体集
    積回路。
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