JPH0764141B2

JPH0764141B2 - 光記録体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0764141B2
Application number: JP62238659A
Authority: JP
Inventors: 和夫梅田; 雅朗浅野; 実内海; 卓也浜口; 武司松本; 祐司近藤
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1987-01-24
Filing date: 1987-09-25
Publication date: 1995-07-12
Anticipated expiration: 2010-07-12
Also published as: JPH01105791A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は光学的な情報記録が可能な光記録体に関し、さ
らに詳しくは、レーザ光により情報ビットを読取るリー
ド・オンリー・メモリ（ROM）タイプ、レーザ光による
情報の書込みが可能なダイレクト・リード・アフター・
ライト（DRAWタイプ、あるいは消去ならびに書込みが可
能なタイプの光記録体およびその製造方法に関する。

〔発明の背景〕

従来、クレジットカード、バンクカード等のカード類に
埋設される記録材料としては、磁気記録材料が主として
用いられている。この磁気記録材料は、情報の書込みな
らびに読出しが容易に行なえるという利点があるが、そ
の反面、情報の改鼠が比較的容易であり、しかも高密度
の情報記録ができないという問題がある。

近年、高密度情報の記録再生の観点からICカードや光カ
ードの開発が進められている。なかでも光学的な記録再
生方式による光カードによれば記録される情報密度が従
来の磁気方式によるものやIC方式によるものに比べて飛
躍的に高いという利点がある。

ところで、このような光カードに用いられる光記録体な
いし光記録材料としては、従来以下のようなものが提案
されている。

たとえば、第18A図に示す例はいわゆるROM（リード・オ
ンリー・メモリ）型の光記録体の例であり、この場合は
光カード50上に、高反射部分51と低反射率部分52によっ
て構成される光記録体が形成されており、低反射率部分
52によって情報記録ビットが構成されている。第18B図
は該光カード50の断面図であり透明基板54上に写真製版
法（フォトリソグラフィ）によって情報記録パターンに
応じた光反射材料55を形成し、一方、基材58上に黒色の
印刷層57が形成されたものを接着剤層56を介して接合す
ることによって光カード50が形成されている。したがっ
て、この場合、光反射材料55と印刷層57との光反射率の
差異を検知することによって情報の読取りが行われる。

また、第19図は、特公昭58−48357号公報に開示されたR
OM型の光記録体の例でありこの例の場合は、一定の基材
上に形成されたハロゲン化銀乳剤の膜60に対して記録情
報に応じたパターン露光ならびに現像を行うことによっ
て周囲の部分61と光反射率の異なる情報記録ビット62が
形成されている。

一方、第20図に示す例は、情報の書込みの後に現像処理
などの必要はなく、「書いた後に直読する」ことのでき
る、いわゆるDRAW型（ダイレクト・リード・アフター・
ライト・タイプ）の光記録体の例であり、この場合は、
フォトポリマー71の片面を凹凸状に形成し、この凹凸面
に沿ってTe等の光記録材料72の薄膜を設けこれを接着剤
73により基板74に接着するとともに、フォトポリマー71
の上面には光透過性のアクリル樹脂75等を積層すること
によって光記録体が構成されている。そしてこの光記録
体への情報の書込みは、第21図に示すように、照射され
たレーザービーム76により光記録材料72の凹凸部を走査
して、たとえば凸部に焦点を合せて位置を確認した後、
光記録材料72の凸部にビット情報を書き込んでいくこと
によって行われる。

また、特公昭58−48357号公報に開示された従来のDRAW
型の光記録体を第22図により説明すると、この場合は基
材上にハロゲン化銀乳剤の膜80を形成し、この膜80に対
してパターン露光と現像を行うことによって光反射率の
異なる81および82を形成し、光反射率の相違により部分
81の位置を確認して、部分81上にビット情報を書き込む
ものである。

しかしながら、本発明者らの知見によれば、上述した従
来の光記録体は、いずれも製造工程が比較的繁雑であ
り、大量に製造、複製を行う場合、必ずしも経済的な方
法であるとはいえず、また得られる光記録体の経時的な
保存性、耐久性の点でも未だ十分満足のいくものではな
い。

たとえば、上記第18図に示した光記録体においては、光
反射材料のパターニングを強酸等による湿式エッチング
により行うため、エッチング液の洗浄ならびに乾燥工程
が繁雑で長時間を要し、また洗浄が不十分の場合には、
完成後において経時的に腐触が信号し光記録体の寿命を
短くする。また、エッチング液のpH管理は通常困難であ
って、さらにエッチング液中の異物による障害が発生す
る等の問題もある。

また、第19図に示す光記録体においては、凸面の形成に
おいてその高さならびに幅に一定以上の制度が要求され
ることから、その制御方法がいきおい困難になるという
問題を有し、またそのために製造工程が複雑化しコスト
も増大するという問題がある。

また、上記第22図に示された光記録体においては、トラ
ックの幅のみにおいて精度が要求される点で、上記第20
図の光記録体よりも製造が容易であると言えるものの特
殊なハロゲン化銀乳剤等の特定の写真材料を必要とする
ため、製造コストが増大するという問題を有している。

〔発明の概要〕

本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたも
のであり、以下の点を目的とするものである。

（イ）製造工程の簡便化ならびに迅速化が図られ、特に
工業的規模での大量複製に適した光記録体ならびにその
ための製造方法を提供すること。

（ロ）製造原料が特定の光記録材料に限定されることな
く、比較的多様性のある材料選択を可能とし、さらに製
造コストの低減化が図られた光記録体ならびにそのため
の製造方法を提供すること（ハ）保存性、耐久性ならびに経時的な安定性にすぐれ
た光記録体ならびにそのための製造方法を提供するこ
と。

本発明者らは上記の目的を達成するために鋭意研究した
結果、光反射率の差異によって記録情報の検知を行う光
記録体において、低反射率部分を粗面化した部分で構成
するという比較的簡単な手段によって、予想外に精密か
つ良好な光記録情報となし得、しかも工業的規模での大
量複製においても極めて有利であることを見出し、本発
明を完成するに至ったものである。

すなわち、本発明に係る光記録体は、基板上に光反射率
の差異によって識別され得る情報記録パターンが形成さ
れてなる光記録体であって、前記情報記録パターンが高
反射率部分と低反射率部分とから構成され、該低反射率
部分が、光散乱性を有する粗面化部分からなることを特
徴としている。

また、上記本発明の光記録体の特定の態様においては、
上記基板上に形成された粗面化部分を覆うようにして基
材の全面もしくは一部に光反射材料層または光記録材料
層が積層されていてもよい。

一方、本発明に係る光記録体の製造方法は、高反射部分
と低反射率部分とから構成される情報記録パターンが基
材上に形成された光記録体を製造するにあたり、前記低
反射率部分を、情報記録パターンに応じた粗面化処理に
よって形成することを特徴としている。

〔発明の具体的説明〕

以下、本発明を、図面に示す具体例を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の光記録体の１実施態様であるROMタイ
プの光カードを示す図であり、第1A図は平面図、第1B図
は斜視図である。第２図は本発明の光記録体の他の実施
例であるDRAWタイプの光カードを示す図、第３図は同じ
く他の実施例であるROMタイプ、DRAWタイプ併用の光カ
ードを示す図、第４図は本発明の光記録体の製造方法の
１実施例を説明するための図、第５図、第６図、第７
図、第８図、第９図、第10図および第11図は本発明の光
記録体の製造方法の他の実施例を説明するための図、第
12図は本発明の光記録体の書き込み方式を説明するため
の図である。

第１図は本発明の光記録体をROMタイプの光カードとし
て構成した場合の例を示す図であり、光カード１上に
は、高反射部分２に対して低反射率部分３からなる情報
記録ビット４が形成されている。該光カード１は、第1B
図に示すように透明基材５とカード基板６との間に光反
射材料層７を形成することができ該光反射材料層７上に
は表面が粗面化（微小な凹凸形状）された情報記録ビッ
ト４が形成されている。

第２図は本発明の光記録体のDRAWタイプの光カードを示
す図であり、光カード１上には、高反射部分を形成し光
により書き込み可能な光記録トラック８と、低反射部分
を形成し案内トラック９が形成されている。なお、上記
実施例においては、光記録トラック８と案内トラック９
が交互に形成されているが、案内トラック９の本数を減
少させることも可能である。また、低反射率部分をビッ
トとしたプレフォーマットを形成しておいてもよい。

第３図は第１図のROMタイプならびに第２図のDRAWタイ
プ併用の光カードを示す図でありたとえば光カード１の
左右に情報記録ビット4,4が形成され、中央部に光記録
トラック８および案内トラック９が形成されている。な
お、情報記録ビット４および光記録トラック８の位置は
任意に設定可能である。

第４図ないし第11図は上記ROMタイプ或いはDRAWタイプ
の光記録体の製造方法の１実施例を示している。図中、
高反射率部分13bと低反射率部分13cは凹凸状に図示され
ているが、これらの凹凸差は通常、1000Å〜数μｍ程度
でおり、実際上はほぼ平面或いは同一平面として形成さ
れるものである。

以上述べた第２図ないし第３図に示す例は、いずれも本
発明の光記録体を光カードとして構成した場合の例であ
るが、本発明に係る光記録体は、第13図にその概念断面
図を示すように、基本的には、一定の基材上100上に形
成された高反射率部分101と低反射率部分102によって情
報記録パターンが形成されている。そして情報の読取り
に際しては、上記各部分の光反射率の差異を検知するこ
とによって、記録情報の識別が行なわれ、この場合は低
反射率部分102はその表面が粗面化されており光散乱性
を有しているので、光反射率の差異は良好に検知され
る。また、高反射率部分101は、基材100自体が光反射性
を有していれば特に問題はないが、高反射性を付与する
ために、基材100上に別途光反射材料層（図示せず）を
設けることができる。

第14図に示す断面図は、光透過性の基材100aの下方側に
低反射率部分（粗面化部分）102が形成されており、情
報読取りのためのレーザー光は、上方側から照射され
る。そしてこの場合は、上記粗面化部分102を覆うよう
にして基材100aの全面もしくは一部に光反射材料層（な
いし光記録材料層）103を形成することができ、この光
反射材料層103が高反射率部分を構成する。

第15A図に示す例は、上記第14図の光記録体を光カード
として構成した場合の断面図であり、光透過性の基材10
0aの粗面化された低反射部分102とこの低反射部分を覆
うようにして基材100aの表面に光反射材料層または光記
録材料層103が積層形成されており、さらにこの表面に
は接着剤層104、印刷層105およびカード基材106が積層
され、一方、反対側には、プライマー層107を介して透
明基材層（保護層）108ならびに表面硬化層109が積層形
成されている。

さらに、第15Bは、上記第15Aの場合において光透過性基
材100aが光カードの保護層をも兼ねた態様で形成された
場合の例である。上記光透過性基材100aとしては、用
途、最終目的製品に応じて所望の材料、例えばプラスチ
ックのシート、フィルムを選択することができる。さら
に、この基材100aには、他の記録手段、たとえば磁気ス
トライプ、ホログラム、インプリント、写真、バーコー
ド、一般の印刷が形成されていてもよい。

上記第15A、15B図の構成においては、光記録材料層103
がカードの端部に露出しておらず、全体として空隙がな
い密閉型なので経時的な安定性に特にすぐれている。

次に、上記本発明の光記録体の主たる構成材料について
説明する。

基材基材としては、従来公知の材料が適宜用いられ得る。特
に光透過性の材料としては、ポリメチルメタクリレート
（PMMA）、ポリカーボネート、ポリエステル、エポキシ
樹脂、ポリオレフィン、ポリスチレンなどの樹脂やガラ
スが用いられ得る。これらの基材の詳細については、後
述する製造方法（Ｉ）〜（Ｘ）においても詳述する。

光反射材料上記ROMタイプに用いる光反射材料としては基材と屈折
率が異なる材料であればいずれの材料でも使用可能であ
り、例えば、Al、Ti、MnFe、Co、Ni、Cu、Zn、Se、Mo、
Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Pt、Au等の金属及びこれらの
合金、化合物、その他TiO₂、TiN等に代表される酸化
物、窒化物有機系色素薄膜等光反射率の高い材料が使用
され得る。

光記録材料上記DRAWタイプに用いる光記録材料としては、例えば、
金属系（Ta、Bi、In、Al、C/AL、Cr/Al、Zn/Al、Si、Ge
SmS等）、カルゴン系（Te、Te−As、Te−Se、Te−Se−A
s、Te−CS2、Te−Ｃ、Te複合物、As−Se−Ｓ−Ge等酸化
物系（TeO_X、GeO_X、MoO_X、VO₂等）、有機物系（色素薄
膜＋樹脂、Ag＋ポリマー、熱可塑性樹脂、Cu−Pc/Te
等）が用いられる。

なお、消去、書き込みが可能なタイプに用いる光記録材
料としては、光照射により膜を構成する原子間の秩序状
態が可逆的に変化し、かつ、両者間の光反射率が異なる
材料として、例えば、Te−As、Te−Se、Te−Se−As、Te
−CS₂、Te−Ｃ、As−Se−Ｓ−Ge等の材料が用いられ
る。

上記のうちでも、本発明において、DRAW型の光記録材料
としては、一般式TeO_X（ｘは正の実数）で表されるテル
ルの酸化物からなる第１の、一般式TeO_y（ｙは正の実
数）で表されるテルルの酸化物からなる第２の層とが積
層されてなり、上記一般式においてｘ＜ｙなる関係を有
するものが特に好ましく用いられ得る。通常、上記一般
式において、０＜ｘ≦1.5であり、0.5≦ｙ≦２の範囲で
ある。

上記のようなテルルの酸化物からなる光記録材料層は、
DRAW型記録層としての安定性、耐候性に特にすぐれ、光
記録体を密閉型の光カードとして構成する場合の記録感
度、再生感度にすぐれている。

上記のような光記録材料層を製造するにあたっては、上
記第１ならびに第２の層を反応性スパッタリング法によ
り容易に作製することができる。あるいはその他の方法
としては、基材上に真空蒸着によりテルルを蒸発させる
と同時に含酸素ガスからなるイオンビームを該基材上に
照射することによって上記のような組成を有する各層を
作製することができ、いずれにしても簡易かつ迅速な方
法により比較的安価に光記録材料層を作製することがで
きる。

次に、本発明の光記録体の製造方法について具体的に説
明する。

製造方法（Ｉ）本発明の第１の態様に係る製造方法においては基材上
に、高反射率部分と低反射率部分とから構成される情報
記録パターンが形成された光記録体を製造するにあた
り、前記低反射率部分を、情報記録パターンに応じた粗
面化処理によって形成するものであり、この情報記録パ
ターンに応じて粗面化された低反射率部分の形成工程
が、以下の工程からなる。

（イ）基材上にフォトレジスト層を形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記フ
ォトレジスト層に対して第１の露光（パターニング露
光）を行う工程、（ハ）次いで、上記第１の露光が行われたフォトレジス
ト層に対して、微細な明暗パターンが形成された透明体
を介して第２の露光（粗面化露光）を行う工程、（ニ）上記第２の露光が行われたフォトレジスト層に対
して現像を行うことによって、表面が粗面化された低反
射率部分からなる情報記録パターンを得る工程。

さらに、本発明の方法においては、上記工程で得られた
低反射率部分を覆うようにして基材の全面または一部に
前述した光記録材料層または光記録材料層を積層する工
程を含んでいてもよい。

第４図は、上記製造方法の具体例を示す工程断面図であ
り、この図に従って具体的に説明するとまず、光透過性
の基材10上に回転式フォトレジスト塗布機によりフォト
レジスト層11を4000〜20000Åの厚さで均一に塗布する
次にマスク合わせ装置を用いて、情報記録パターンに応
じて形成したフォトマスク12をフォトレジスト層11に重
ね合わせた後、第１の露光（パターニング露光）を行な
う。

次に、第４図（ｂ）に示すように、片面が微細凹凸状に
粗面化されたガラス板17を用いて、再び露光（粗面化露
光）する。この場合は、ガラス板17の粗面化面を、なる
べくレジスト層の表面に近接させることが、得られる粗
面化部分の光散乱性を向上させる上で好ましい。また、
この例においては第２露光用のマスクとして粗面化され
たガラスを用いたが、これに限定されるものではなく、
微細な明暗パターンを有する透明体であって露光によっ
てレジスト層表面に、現像後において微細な凹凸が形成
（すなわち粗面化）されるようなものであれば足りる。

次いで、第４図（ｃ）に示すように、フォトレジスト層
11を現像すると、ポジタイプのレジストを用いた場合で
は、紫外線の当たったところのフォトレジストは流れ去
り、当たらない部分のレジストが残り、フォトマスク12
のパターンが光透過性の基材10上に転写される。これに
より、表面が粗面化されたフォトレジスト層11が、第１
図で示した情報記録ビット４或いは第２図で示した案内
トラック９の形状として、例えば、幅５μ程度、ピッチ
15μ程度で形成される。

次に、第４図（ｄ）に示すように、光反射材料または光
記録材料13の薄膜層を蒸着、スパッタリング或いは化学
的方法等により形成する。

次に、第４図（ｅ）に示すように、ポリ塩化ビニール等
の基板15を接着し、高反射率部分13bと低反射率部分13c
を有する光記録体を得る。なお、上記露光工程（ａ）お
よび（ｂ）の間に現像工程を設け、一旦フォトレジスト
を残した後該フォトレジストに粗面化のための露光をす
るようにしてもよいし、露光工程（ａ）および（ｂ）の
順序を逆にしてもよい。また、上記例においては、基材
10が光透過性材料からなっているが、基板15を光透過性
にして基板15側から光を照射して読み取ることも可能で
あり、この場合、基材10は光透過性材料でなくてもよ
い。

この光記録体は、光透過性の基材10から光が入射される
と、例えば、高反射率部分13bにおいては光が強く反射
され、低反射率部分13cにおいては表面が粗面化された
フォトレジストの存在により、反射率が低下することに
なる。そしてROMタイプのカードを製造する場合には、
層13として前述した光反射材料を採用することにより、
低反射率部分13cに第１図で示した情報記録ビット４を
形成し、一方、DRAWタイプのカードを製造する場合に
は、層13として前記光記録材料を採用することにより、
高反射率部分13bに第２図で示した光記録トラック８を
形成し、低反射率部分13cに案内トラック９を形成する
ことができる。

上記方法で使用するフォトレジスト11としては、オルソ
キノンアジアジド／ノボラック系、アジド／ゴム系、ｐ
−ジアゾジフェニルアミン・パラホルムアルデヒド宿業
系、アジドポリマー系、ポリケイ皮酸ビニル系、ポリシ
ンナミリデン酢酸ビニル系等の材料が用いられる。

そして、上記のようにして製造したROMタイプの光記録
体においては、低反射率の情報記録ビットをラインセン
サ（例えばCCDラインセンサ）或いはレーザビームによ
り読み取ることになる。なお、ROMタイプの光記録体に
おいては、案内トラックは必ずしも必要でなく、情報記
録ビット列を案内トラックとして使用できる。

また、上記のようにして製造したDRAWタイプの光記録体
においては、光記録トラック13bと案内トラック13cとの
光反射率を、400〜700nmの白色光ランプを用いて測定し
た結果、例えば、光記録トラック13bは50％程度、案内
トラック13cは10％程度の光反射率となった。光記録体
にビット情報を書き込む場合には、２ビーム或いは３ビ
ームを用いるが、３ビームを用いる例においては第12図
に示すように、両側のビームＡ、Ｃにより案内トラック
13cと光記録トラック13bの反射率の差を検出することに
より、案内トラック13c,13cの位置を確認して左右にず
れないようにして、真中のビームＢにより光記録トラッ
ク13bにビット情報を書き込むもので、制御方式が１ビ
ームのものと比較して簡単となる。なお、案内トラック
13cは必ずしも光記録トラック13bと交互に形成すること
なく、案内トラックの本数を間引いてもよい。この場合
には、案内トラック13cの距離を演算して光記録トラッ
ク13bの位置を決め、ビット情報を書き込むものであ
る。

製造方法（II）本発明の第２の態様に係る製造方法においては基材上
に、高反射率部分と低反射率部分とから構成される情報
記録パターンが形成された光記録体を製造するにあた
り、前記低反射率部分を、情報記録パターンに応じた粗
面化処理によって形成するものであり、この情報記録パ
ターンに応じて粗面化された低反射率部分の形成工程
が、以下の工程からなる。

（イ）表面に微細な凹凸が形成された基材上にフォトレ
ジスト層を形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記フ
ォトレジスト層に対してパターニング露光を行う工程、（ハ）上記パターニング露光が行われたフォトレジスト
層に対して現像を行うことによって、微細な凹凸面を有
する基材の表面を情報記録パターンに応じて露出させ
て、情報記録パターンが形成された光記録体を得る工
程。

第５図は、上記製造方法の具体例を示す工程断面図であ
り、この図に従って具体的に説明するとまず、第５図
（ａ）に示すように、微細に粗面化したガラス板17上
に、回転式フォトレジスト塗布機によりフォトレジスト
層11を4000〜20000Åの厚さで均一に塗布した後、マス
ク合わせ装置を用いてフォトマスク12をフォトレジスト
層11に重ね合わせた後、露光する。次に第５図（ｂ）に
示すように、フォトレジスト層11を現像すると、ポジタ
イプのレジストでは、紫外線が照射されたところのフォ
トレジストは流れ去り、当たらない部分のレジストが残
り、フォトマスク12のパターンがガラス板17上に転写さ
れる。これにより、フォトレジスト層11に幅５μ程度、
ピッチ15μ程度の開口が形成されてガラス板17の粗面が
パターン状に露出することによって本発明の光記録体を
得る。

さらに、本発明においては、上記光記録体を原版として
さらに光記録体を複製することができる。

すなわち、第５図（ｃ）に示すように、光透過性の基材
10上に、例えば電離性放射線硬化樹脂或いは熱硬化性樹
脂の成型樹脂からなる型取り剤16を介して第５図（ｂ）
で作った原版を積層してプレス機でプレスを行なった
後、第５図（ｄ）に示すように、原版と型取り剤16とを
剥離、硬化または、第５図（ｃ）の状態で所定の硬化手
段にて硬化後針させることにより、型取り剤16上に突部
の表面が粗面化された例えば情報記録ビットが幅５μ程
度、長さ20μ程度で形成される。

次いで、第５図（ｅ）に示すように、膜厚500〜1000Å
の光反射材料または光記録材料13の薄膜層を蒸着、スパ
ッタリング或いは化学的方法等により形成させる。次
に、第５図（ｆ）に示すように、ポリ塩化ビニル等の基
板15を接着剤等を使用して接着し、高反射率部分13bと
低反射率部分13cを有する光記録体を製造する。そし
て、第４図の具体例と同様に、ROMタイプのカードを製
造する場合には、層13として光反射材料を採用すること
により、低反射率部分13cに第１図で示した情報記録ビ
ット４を形成し、一方、DRAWタイプのカードを製造する
場合には、層13として光記録材料を採用することによ
り、高反射率部分13bに第２図で示した光記録トラック
８を形成し、低反射率部分13cに案内トラック９を形成
するものである。

なお、上記具体例において、光反射率部分13bには図示
のように樹脂部分16が存在しているが、これは必ずしも
必要ではなく、低反射率部分13cに粗面化された樹脂が
存在していれば足りる。

上記方法において用いる型取り用樹脂としては以下のよ
うなものが用いられ得る。

（Ａ）電離性放射線光樹脂電子硬化型樹脂ウレタンアクリレート、オリゴエステルアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペンチ
ルグルコールジアクリレート、エポキシアクリレートポ
リエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、
メラミンアクリレート等アクリロイル基をもつ重合性オ
リゴマーもしくはモノマー、または、これらオリゴマ
ー、モノマーとアクリル酸、アクリルアミド、アクリロ
ニトリル、スチレン等重合性ビニル基を含む単官能もし
くは多官能モノマーとを配合したもの。

紫外線硬化樹脂上記の樹脂組成に光重合開始剤、増感剤もしくは所望
の添加剤を添加したもの。

（Ｂ）熱硬化性樹脂エポキシ樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、アミド樹脂、フェノー
ル／フォルマリン樹脂。

製造方法（III）第３の態様に係る製造方法においては、情報記録パター
ンの形成は次のように行われ得る。

（イ）表面が平滑または微細な凹凸が形成された基材上
にフォトレジスト層を形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記フ
ォトレジスト層に対してパターニング露光を行う工程、（ハ）次いで、現像ならびにエッチングを行うことによ
って、基材のレジスト層が存在しない部分を選択的に粗
面化もしくは平面化することによって、情報記録パター
ンが形成された光記録体を得る。

第６図および第７図は、上記第５図の具体例と同様の型
取りタイプの他の例を示している。これらの具体例にお
いてはプレス型の耐久性が向上するメリットを有する。

第６図において、微細に粗面化したガラス板17上に、フ
ォトレジスト層11を塗布した後、フォトマスク12をフォ
トレジスト層11に重ね合わせたのち露光し（第６図
（ａ））、次に、フォトレジスト層11を現像（第６図
（ｂ））後、フッ化アンモニウム／硝酸の水溶液等のガ
ラスのエッチング液にて湿式エッチングを１分〜１時間
行ない（第６図（ｃ））、ガラス板17のフォトレジスト
がない開口部分の粗面を平滑化する。この際、ガラスの
エッチング液はエッチング液が平滑化されるものであれ
ば他のものでもよく、エッチング深さも平面化されるま
で行ないとくに規定されない。この状態で光記録体とし
て使用し得る。

さらに本発明においては、第６図（ｄ）に示すように、
レジストを除去した後、第６図（ｅ）に示すように、光
透過性の基材10上に、後述する電離性放射線硬化樹脂或
いは熱硬化樹脂からなる型取り剤16を介して第６図
（ｄ）で作った原版を積層してプレス機でプレスを行な
った後、電子線、紫外線を照射または加熱し、硬化後、
第６図（ｆ）に示すように、原版と型取り剤16とを剥離
させることにより、型取り剤16上の一部に表面が粗面化
された例えば情報記録ビットが形成され、その後、第５
図（ｅ）および（ｆ）の工程と同様にして光記録体を製
造する。

前記型取り剤16の例を下記に示す。

（Ａ）電離性放射線光樹脂電子硬化型樹脂ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートポリエス
テルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、メラミ
ンアクリレート等アクリロイル基をもつ重合性オリゴマ
ー、モノマーと、アクリル酸、アクリルアミド、アクリ
ロニトリル、スチレン等重合性ビニル基を含む単官能又
は多官能モノマーを配合したもの。

紫外線硬化樹脂上記の樹脂組成に高重合開始剤を添加したもの。

第７図に示す具体例が上記第６図の具体例と相違する点
は、第７図（ｃ）のエッチングによりガラス板17上に、
粗面を形成し、情報記録ビットまたは案内トラック部分
を形成する点である。この場合のエッチングとしては、
ドライエッチング、湿式エッチングのいずれもが用いら
れ得る。ドライエッチング法としては、CF4プラズマ、H
Fガス等を用いてガラスのエッチング面が粗面化する様
にエッチングすることにより行なわれ得る。さらに、湿
式エッチングとしては、上記第６図の例で用いたエッチ
ング液の他に高濃度のフッ酸溶液、たとえば、酸性フッ
化アンモニウム／鉱酸系溶液が用いられ得る。

第８図の具体例は、第５図〜第７図の具体例が光反射材
料または光記録材料13を型取り剤16上に形成したのに対
して、基材10上に光反射材料または光記録材料13を蒸
着、スパッタリング、メッキ法により形成し、粗面を形
成した型取り剤16および基板15を積層したものの例であ
る。

第５図〜７図、第９図および第10図の具体例において
は、基材10、基板15のどちら側からでも読み込み、書き
込みが可能であるが、本具体例においては、基板15側か
らのみ読み込み、書き込みを行なう。

製造方法（IV）次に、第９図に示した具体例について説明する。本具体
例においては、第５図（ｃ）の型取り工程の前に、第９
図（ｃ）に示すように、メッキ工程を設けフォトレジス
ト層11を覆うように金属メッキ層18を形成した後、該金
属メッキ層18を剥離して、金属メッキ層18上に表面が粗
面化された情報記録ビットまたは案内トラックのパター
ンを形成する。次いでこれを原版として第９図（ｄ）に
示すように、成型樹脂19にプレスを行なった後、同
（ｅ）に示すように、原版と成型樹脂19とを剥離、硬化
させることにより、成型樹脂19上に表面が粗面化された
情報記録パターンが形成され、次いで、光反射材料また
は光記録材料13の薄膜層を形成させるものである。

なお、上記具体例においては、プレスの原版として金属
メッキ18を用いているが、精密エッチングされた金板を
プレス型として用いてもよい。また、上記金板を金型に
応用し射出成型形により、表面に粗面化された情報記録
パターンが形成された成型樹脂を得ることもできる。さ
らに、第10図に示すように、基材10に光反射材料または
光記録材料13を蒸着、スパッタリング、メッキ法により
形成し、前記金板をプレス型としてパターンを型押した
後、基板15を積層するようにしてもよい。

製造方法（Ｖ）次に、第11図に示す具体例について説明する。

まず、光透過性の基材10上に材料20を塗布した後、フォ
トマスク12を材料層20に重ね合わせた後、紫外線を照射
する（第11図（ａ））材料20は紫外線を照射したのち加
熱処理すると露光部と非露光部とで光の透過性が変化す
る材料である。これは露光、加熱処理すると、第11図
（ｂ）に示すように、紫外線の当たった部分で窒素ガス
等の気泡が生じることにより光が散乱するか、或いは第
11図（ｂ′）に示すように、発生した窒素ガスの気泡が
膨張、破裂して外部に発散して、材料層20の内部に気泡
が生じたり表面が微細凹凸状に変化することにより、光
が散乱して反射率が低下することによるものと推定され
る。そして、第４図の具体例と同様にして光反射材料ま
たは光記録材料13のスパッタリングを行ない光記録体を
製造し得る本具体例によれば、製造工程がさらに簡単と
なるメリットをも有するものである。

本具体例においては、上記材料20として例えば、カルバ
ー社のカルバーフィルム（商品名）が使用され得るが、
その組成はサラン（塩化ビニリデンとアクリルニトリル
のコポリマー）、PMMA、Ｐ−ジアゾ−N,N−ジメチルア
ニリンBF4−塩からなる。またその他に、例えば、ジア
ゾニウム化合物、アジド化合物、ビスアジド化合物等の
感光材料を、スチレン系、ロジン系、ポリエステル系等
の熱可塑性樹脂中に分散させたものを使用してもよい。

製造方法（VI）本発明においては、情報パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程を、第11B図に示すように、以
下の工程に従って行うことができる。

（イ）光透過性基材30上に情報記録パターンに応じたマ
スクパターン31を形成する工程（第11B図（ａ））、（ロ）前記光透過性基材30のマスクパターン31が形成さ
れていない部分の表面をエッチングにより粗面化する工
程（第11B図（ｂ））、（ハ）基材32上にフォトレジスト層33を形成する工程
（第11B図（ｃ））、（ニ）前記工程（ロ）で得られたものを粗面化露光用マ
スクとし、該粗面化露光用マスクを介して、前記工程
（ハ）で得られた基材32のフォトレジスト層33に対し
て、粗面化露光を行う工程（第11B図（ｄ））、（ホ）前記粗面化露光が行われたフォトレジスト層33に
対して現像を行うことによって、表面が粗面化された低
反射率部分からなる情報記録パターンを得る工程。（第
11B図（ｅ））。

また、上記の態様においては、上記工程（ロ）で得られ
たものの透明体表面に形成されたマスクパターンを除去
することによって、これをそのまま光記録体（もしくは
その原版）として用いることができる。

上記の光透過性基材としては、ガラス等の光透過性材料
が用いられ、また、マスクパターン材料としてはCrなど
の金属が用いられ得るが、その他の材料も適宜用いるこ
とができる。

上記工程（ロ）のエッチング工程で用いるエッチング液
は微粒子を含有するものであることができる。具体的に
は、透明体がガラスでマスクパターンがCrの場合、公知
のガラスエッチング剤、または酸性フッ化アンモニウム
および濃硫酸の混合物に、αアルミナ（粒径約１μ）、
ガラス粒子、SiC粒子、酸化セリウム等の無機微粒子を
配合したものが用いられ得る。この場合の無機微粒子の
種類や粒径は目的に応じて選択され得る。これらの条件
を選択することによって、得られる粗面状態を制御する
ことも可能である。

上記エッチング剤ならびに処理条件の一例を示すと以下
の通りである。

まず、Crマスクパターン上にガラスエッチング液（レラ
イトSX−20（フランス:SEPPIC社製）50gに、95％ H₂SO₄ 20gを混合したもの）を塗布し、保護フィルム
（たとえばPETフィルム）を介してローラーにて均一に
広げ、数十秒ないし２分程度放置し、保護フィルムを除
去した後、水で洗浄し乾燥することによって粗面化され
た低反射率部分からなる情報パターンが形成された光記
録体（原版）を得ることができる。

製造方法（VII）本発明においては、情報パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程を、第11C図に示すように、以
下の工程に従って行うことができる。

（イ）光透過性基材30上に情報記録パターンに応じたマ
スクパターン31を形成する工程（第11C図（ａ））、（ロ）上記光透過性基材30の表面に、前記マスクパター
ン31を覆うようにしてフォトレジスト層33を形成する工
程（第11C図（ｂ））、（ハ）上記光透過性基材30のフォトレジスト層33と反対
側の面から第１の露光（パターニング）を行う工程（同
（ｂ））、（ニ）次いで、上記第１の露光が行われたフォトレジス
ト層33に対して、微細な明暗パターンが形成された透明
体40を介して、該フォトレジスト層33側から第２の露光
（粗面化露光）を行う工程（同（ｃ））、（ホ）上記第２の露光が行われたフォトレジスト層33に
対して現像を行うことによって表面が粗面化された低反
射率部分からなる情報記録パターンを得る工程（同
（ｄ））。

上記方法をさらに具体例に基づいて説明すると、たとえ
ばガラス等の光透過性基板の表面に、常法に従って、所
望の金属、たとえばCr薄膜のパターンからなるCr製マス
クパターンを形成する。さらにこのCrマスクパターン上
に、ポジ型フォトレジストをスピンナーによってコート
し、90〜100℃で30分程度プリベークする。

次に、このようにして形成されたフォトレジスト層に対
して、裏面の光透過性基板側から超高圧水銀灯（4kW）
によって80cm/cmの距離から８秒間露光する（パターニ
ング露光）。次いで、フォトレジスト層側の表面にスリ
ガラス板（＃4000）を密着させて第２露光（粗面化露
光）を行なう。この場合の露光は上記超高圧水銀灯で１
秒程度である。さらに、所定の現像液（たとえばアルカ
リ現像液）を用いて30分程度で現像処理を施して、Crマ
スクパターン上に粗面化された表面を有するレジスト層
が積層された構造の情報パターンを得ることができる。

上記の方法は、パターニングの際の密着むらが解消され
る点で極めてすぐれている。すなわち、上記の方法によ
れば、粗面化露光がレジスト層パターンの精度を上げる
と共にレジスト層の表面を良好な粗面化状態に仕上げる
ことが可能となる。

製造方法（VIII）本発明においては、情報パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程を、第11D図に示すように、以
下の工程に従って行うことができる。

（イ）光透過性基材30上に金属マスク層31を形成する工
程（第11D図（ａ））、（ロ）上記金属マスク層31の表面にフォトレジスト層33
を形成する工程（同（ｂ））、（ハ）上記フォトレジスト層33の側からフォトマスク12
を介して第１の露光（アターニング）を行う工程（同
（ｃ））、（ニ）次いで、上記第１の露光が行われたフォトレジス
ト層33に対して現像を行うことによって情報記録パター
ンに応じたフォトレジスト層33を形成する工程（同
（ｄ））、（ホ）更に、金属マスク層31をエッチングすることによ
って、情報記録パターンに応じたフォトレジスト層33と
金属マスク層31の積層物を形成する工程（同（ｅ））、（ヘ）フォトレジスト層33に対して、微細な明暗パター
ンが形成された透明体40を介して、第２の露光（粗面化
露光）を行う工程（同（ｆ））、（ト）上記第２の露光が行われたフォトレジスト層33に
対して更に現像を行うことによって表面が粗面化された
低反射率部分からなる情報記録パターンを得る工程（同
（ｇ））。

なお、上記光透過性基材、マスク層等の材料としては、
前記製造方法（VI）、（VII）の材料が同様に用いられ
得る。

製造方法（IX）本発明に係る光記録体は、それ自体、製造工程の簡略化
においてすぐれているが、本発明においては次のような
方法を採用することによって、工業的規模における大量
生産、大量複製に一層適したものとなる。

たとえば、この態様における製造方法においては、前記
製造方法（Ｉ）ないし（VIII）において得られたところ
の、表面が粗面化された低反射率部分からなる情報記録
パターンが形成されてなる光記録体を粗面化用原版と
し、さらにこの粗面化用原版から型取りプレス等の方法
により光記録体を複製することができる。

さらに、本発明においては、上記粗面化原版から一旦マ
ザーマスクを作製し、このマザーマスクを対応複製用の
複製原版として用いて、型取りによって光記録体を得る
ことができる。

このようなマザーマスクを介した光記録体の製造方法
は、粗面化用原版が機械的ないし化学的に弱い材料によ
って形成される場合において特に有効である。

上記のようなマザーマスクを複製用原版として用いて型
取りによって得られた光記録体は、さらに光記録体の低
反射率部分を覆うようにして基材の全面または一部に光
反射材料層または光記録材料層を積層することができ
る。

また、大量複製に関して言えば、後述する製造例４なら
びに第17図に示すように、マザーマスクを円筒形ロール
に設置して、たとえばROM型の光カードを、巻き取り方
式で連続的に大量に製造することが可能となる。

製造方法（Ｘ）本発明においては、上記製造方法（Ｉ）〜（IX）で得ら
れた各々の光記録体を原版として、この原版からメッ
キ、プレス法等によりスタンパーを作成し、このスタン
パーを用いて、さらにインジェクション法、熱圧プレス
法あるいは前述したような樹脂型取り法により、光記録
体を複製することができる。

この場合に用いるスタンパーの材質としては、Ni、Al、
Cu、Crなどの金属が挙げられる。一方、複製用の樹脂と
しては、特に限定されるものではないが、特に熱圧プレ
ス法においては熱可塑性樹脂が好ましく用いられる。

〔実施例〕

以下、本発明を、実際の製造例に基づいて更に具体的に
説明するが、本発明はこれら製造例の記載に制限される
ものではない。

製造例１前記第４図に示した方法に従って、下記の工程により光
記録体を製造した。

厚さ0.4mm、サイズ100×100mmのPMMA基材を使用
し、基材表面にフォトレジストを以下の条件で塗布し
た。

スピンナーコート:3000rpm、20sec レジスト：シプレーマイクロポジット1400 厚み:5000Å 塗布後プレベークを90度Ｃ、20分で行なった。

次に、パターン露光を以下の条件で行なったマスク:Crスパッタマスクパターン:DRAWタイプ案内トラック幅５μｍ情報トラック幅10μｍ ROMタイプ情報記録ビット幅５μｍ長さ５〜20μｍ超高圧水銀灯:4Kw、8sec 次に、スリガラス露光（全面密着露光）を以下の条
件で行なった。

スリガラス：平均粗さ0.3μｍ超高圧水銀灯:4Kw、6sec 露光後現像を以下の条件で行なった。

シプレーマイクロポジットデベロッパーに60sec、水洗ポストベークは90度℃、20分で行ない、これにより
基材に粗面を有するレジスト層が形成された。

次に、記録層（光反射材料層ないし光記録材料層）
の形成を以下の条件で形成した。

直流２極スパッタリング装置を用いて厚さ500Åの層を
形成。

DRAWタイプ:Teスパッタリング ROMタイプ:Alスパッタリング基板と基材の接着は、接着剤として東レ製ハイソー
ルを用いて、基板の塩ビ0.3mm厚を上記で得られた基材
にラミネートして一体化し、カードのサイズに打ち抜いて、本発明の光記録体の
１例である光カードを得た。

なお、上記製造例において、DRAW、ROM併用カードを製
造する場合には、上記工程、において適宜DRAWとRO
Mの工程を組み合わせる。

製造例２上記製造例１で説明した工程〜を同様に実施し、さ
らに、オリゴエステルアクリレート（東亜合成製、アロニ
ックスＭ−8030）15部、ネオペンチルグリコールジアク
リレート５部（日本化薬製、NPGD Ａ）、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート３部（共栄社油脂OH）、トリメチ
ロールプロパントリアクリレート２部（日本化薬製、TM
PTA）、ベンゾフェノン（純正化学製）1.25部の組成か
らなるUV樹脂を厚み0.4mmのポリカーボネートシートと
原版の間に挟み、エアープレスにて4kg/cm²、30secプレ
スした後、UV照射により硬化させた。

UV照射条件は以下の通りである。

高圧水銀灯:80W/cm²にて30sec露光後硬化樹脂が硬化した後、原版より剥離し、表面に粗面化
されたパターン部を有する硬化樹脂を得た。

得られた硬化樹脂に製造例１で説明した工程〜
を同様に実施して、本発明の光記録体の１例である光カ
ードを得た。

製造例３第16図に示すプロセスにしたがって、第15図に示すよう
な光カードを作製した。各構成部材ならびに製造条件は
以下の通りである。

（１）まず、透明基材の両面に表面硬化層およびプラ
イマー層を形成した。

透明基材 0.4m厚のアクリル板（他に、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネート、エポキシ、ポリオレフィン、ポ
リエステルも用いられ得る）表面硬化層材料:UV硬化性ハードコート剤（東レ製、UH−001）、他
にUV硬化性（オリゴマー、モノマー開始剤）樹脂、熱硬
化性樹脂等が使用可能。

コーティング：スピンナーコート、3000rpm、20sec、厚み1000〜20000Å キュアー:80W/cm高圧水銀灯、コンベアスピード10m/min ３回照射（距離150mm）プライマーコート材料:UV硬化性プライマー（スリーボンドＲ−428−2
0）、他にUV硬化性樹脂熱可塑性樹脂等等が使用可能。

コーティング：スピンナーコート、3000rpm、20sec 厚み0.5〜50μ キュアー:80W/cm高圧水銀灯、コンベアスピード10m/min ３回照射（距離150m/m）（２）レジスト粗面化原版の作製基材 0.4m/mアクリル板（特に、平面性を有するものであれば
厚さ、材質は限定されない）レジストコート材料：ポジ型レジスト（キノンジアジド系）シプレー製マイクロポジット1400（解像性等が良好であ
れば他のレジストでも可能である）コーティング：スピンナーコート、3000rpm、20sec、厚
さ5000Å プレベーク:90℃、20分パターニング露光マスク:Crスパッタマスク使用パターン:DRAWタイプ…案内トラック３μｍ情報トラック９μ ROMタイプ……情報記録ビット幅５μ、長さ５〜20μ 露光：超高圧水銀灯4Kw、8sec 粗面化露光（全面露光）スリガラス：平均粗さ0.3μｍ（＃3000研磨ガラス）露光：超高圧水銀灯4Kw、6sec 現像、水洗現像液：諸星インキ製、アルカリ現像液（MR−Ｄ）現像時間:30sec （３）マザーマスク複製材料基材：透明性のある平面性の良い基板、12m/mアクリル
板（上記の他、上記特性のあるものであれば特に材質は
問わない。）マザーマスク樹脂： UV硬化性樹脂（諸星インキ製、SEL−XA）（ポリエステ
ルアクリレートオリゴマーとネオペンチルグリコールジ
アクリレートモノマーを主体とし、光重合開始剤（イル
ガキュアーを主体とし、光重合開始剤（イルガキュアー
184を添加したもの。）粘度100cps（低粘度50cps〜1000cps程度であれば他のUV
硬化性樹脂でも可能である。離型性によっては離型剤等
を添加する。）複製方法上記透明基材と、（２）で作製したレジスト粗面化原版
の間にマザーマクス樹脂をはさみ込み、プレス5kg/c
m²、30sec後、UV2Kw高圧水銀灯距離400m/mで１分間照射
後レジスト粗面化原版と透明基材を離型し透明基材側に
パターンを複製する。

このようにして得られた情報記録パターンにおけるレジ
スト層の粗面化部分の形状は、以下の通りであった。

レジスト層の高さ：約5000Å〜１μｍ粗面化表面の開口部の直径：約2000〜5000Å 粗面化表面の開口部の深さ：約500〜2000Å （４）複製材料複製用樹脂としてUV硬化性樹脂（スリーボンド用、SS−
120、ウレタンアクリレート系）を使用。

粘度80〜100cps（低粘度であれば他のUV硬化性樹脂でも
可能である）。

複製方法（１）で作製した透明基材のプライマー側と、（３）で
作製したマザーマスクのUV硬化樹脂側に間に複製用樹脂
（SS−120）をはさみ込み、プレス5kg/cm²、30sec後、U
V（2Kw高圧水銀灯）距離400m/mで１分間照射後、透明基
材とマザーマスクを離型し透明基材側にパターンを複製
した。

（５）光記録材料層 TeO_x膜とTeO_y膜（但し、ｘ＝0.5、ｙ＝1.8）との積層膜
を形成した。

上記積層膜の形成は下記の条件で行なった。

例えば、反応性スペッタリング装置を用いた。

（イ）TeO_x膜チャンバー内を１×10^-5Torr程度の真空度まで排気
する。

ArとO₂ガスを以下の流量でチャンバー内に導入し、
真空度を５×10^-3に調整する。

Ar:3cc/min,O₂:0.5cc/min スパッタリング開始投入電力 100W 成膜時間 20秒（ロ）TeO_y膜同上 Ar₂:2cc/min, O₂:1.5cc/min 投入電力 100W 成膜時間 20秒（６）接着ラミネート材料接着剤（二液硬化タイプ、ウレタン系、東レ製UH−1260
C）ラミネート方法塩化ビニル、PET等0.3m/mの基材に印刷されたカード基
材と上記（５）で作製した記録層を設けた基材に接着剤
を介してラミネートを行なった。

製造例４（ガラスエッチングタイプ）上記製造例３において、粗面化原版の作成を下記の方法
で行なった。

ガラス板上に、案内トラック巾５μｍ、情報トラッ
ク幅10μｍからなるCrスパッタマスクパターンをフォト
リソグラフィー法により形成した。

上記マスクパターン上に、下記の組成のガラスエッ
チング液を塗布し、保護フィルム（PETフィルム）を介
してローラーにて均一に広げた。

レライトSX−20（フランスSEPPICネＬ） …50g 95％H₂SO₄ …20g 上記エッチング液を塗布後、10秒間、放置し、水洗
して、粗面化原版を作成した。

実施例５（マスク上にレジストの粗面化パターンを形成
する方法）上記製造例３において、粗面化原版の作成を下記の方法
で行なった。

ガラス板上に案内トラック幅５μｍ、情報トラック
幅10μｍの所定のパターンをフォトリソグラフィ法によ
り形成したCrスパッタマスクに、ポジ型フォトレジスト
を以下の条件で塗布した。

スピンコート:2000rpm、20秒レジスト：シプレーマイクロポジット1400 厚み:1.5μｍ塗布後、プレベークを90℃で20分間行った。

次に、Crマスクのガラス側よりパターン露光を以下
の条件で行った。

超高圧水銀灯:4Kw（80w/cm）、８秒次に、スリガラス（＃4000）を用い、Crマスクのレ
ジスト側にこれを密着させ、粗面化露光を下記の条件で
行った。

超高圧水銀灯:4Kw（80w/cm）、２秒露光後、現像を以下の条件で行った。

シプレーマイクロポジットデベロッパーに60秒浸漬し、
水洗。

ポストベークは90℃20分行ない、これにより粗面化
原版が得られた。

製造例６上記製造例３で作製したマザーマスク（セカンドマス
ク）210を、第17図に示す装置の中心ドラム200の円周に
貼り付けて固定し、次いでドラム200を回転させながら
インキパン201より複製用のUV硬化性樹脂202を、ドクタ
ー203により調整しながらマザーマスク210に供給した。
一方、ポリカーボネート204を送って、ニップロール205
によりポリカーボネートを順次圧着させていく。次い
で、UVランプ206から紫外線（2Kw）を照射し、樹脂を硬
化させるとともに、ガイドロール207aによる巻き上げ時
のテンションを利用して、マザーマスク210と樹脂層を
剥離させて、さらに必要に応じてUVランプ208により紫
外線を照射して巻き上げる。

このようにして巻き取られた光記録体の樹脂層側に、巻
き取り蒸着装置（図示せず）を用いてアルミニウムを10
m/分の速度で蒸着させて、さらにこの蒸着面にスクリー
ン印刷によりレジストインキを印刷してエッチングによ
って不要部分を取り除き、次いで接着剤を介してカード
基材をラミネートして、打抜いてカード形状にすること
によってROM型ないしDRAW型光カードを連続的に製造す
ることができた。

用途本発明の光記録体はフレキシブルディスク、カード、テ
ープ等の様々な形態の光記録材料として利用することが
でき、例えば以下の用途に適用される。

（１）金融流通産業：キャッシングカード、クレジット
カード、プリペイドカード。

（２）医療健康産業：健康証書、カルテ、医療カード、
緊急カード。

（３）娯楽産業：ソフトウェア媒体、会員カード、入場
券、遊戯機械制御媒体、テレビゲーム用媒体カラオケ用
媒体、ゴルフスコアカード。

（４）運輸旅行産業：旅行者カード、免許証、定期券、
パスポート。

（５）出版産業：電子出版。

（６）情報処理産業：電子機械の外部記録装置、ファイ
リング。

（７）教育産業：教材プログラム、成績管理カード図書
館の入出管理および書籍管理。

（８）自動車産業：整理記録、運行管理。

（９）FA:MC、NC、ロボット等のプログラム記録媒体。

（10）その他：ビルコントロール、ホームコントロー
ル、IDカード、自動販売機用媒体、住所録カード。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明に係る光記録体は基材上に
周囲に対して光反射率の異なる情報記録パターンを形成
してなる光記録体であって、低反射率部分が光散乱性を
有する粗面化部分で構成されているため、エッチング等
による工程の繁雑化を極力避けることができ、製造工程
が簡易化しかつ、原料に関しても特定の光記録材料に限
定されることがなく、更に工業的規模での大量複製にも
適しているので製造コストの低減化の点でもすぐれた効
果を有している。

さらに本発明に係る光記録体は上記のような構成を有し
ているので、保存性、耐久性ならびに経済的な安定性の
点でもすぐれている。

【図面の簡単な説明】第１図は本発明の光記録体の１実施例であるROMタイプ
の光カードを示す図で第1A図は平面図、第1B図は斜視
図、第２図は本発明の光記録体の他の実施例であるDRAW
タイプの光カードを示す図、第３図は同じく他の実施例
であるROMタイプ、DRAWタイプ併用の光カードを示す図
第４図は本発明の光記録体の製造方法の１実施例を説明
するための図、第５図、第６図、第７図、第８図、第９
図、第10図および第11図は本発明の光記録体の製造方法
の他の実施例を説明するための図、第12図は本発明の光
記録体の書き込み方式を説明するための図、第13図、第
14図は各々本発明に係る光記録体の概念断面図、第15図
は本発明の光記録体の実施例に係る光カードの断面図、
第16図は光カードの製造工程を示す説明図、第17図は本
発明の光記録体の製造工程で用い得る装置の断面図、第
18図は従来の光カードの１例を示し、第18A図は平面
図、第18B図は断面図、第19図は従来の光カードの他例
を示す斜視図、第20図は従来の光カードの他例を示す断
面図、第21図は第20図の書き込み方式を説明するための
図、第22図は従来の光記録体の他例を示す斜視図であ
る。１……光カード、４……情報記録ビット、８……光記録
トラック、９……案内トラック、10……基材、11……フ
ォトレジスト層、12……フォトマスク、13……光反射材
料または光記録材料、13b……高反射率部分、13c……低
反射率部分、15……基板、16……型取り剤、17……ガラ
ス板、18……金属メッキ、19……成型樹脂、20……材
料。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｂ 7/26 7215−5Ｄ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材上に、光反射率の差異によって識別さ
れ得る情報記録パターンが形成されてなる光記録体であ
って、前記情報記録パターンが高反射率部分と低反射率
部分とから構成され、該低反射率部分が、光散乱性を有
する粗面化部分からなることを特徴とする、光記録体。
【請求項２】粗面化部分を覆うようにして基材の全面も
しくは一部に光反射材料層が積層されてなる、特許請求
の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項３】粗面化部分を覆うようにして基材の全面も
しくは一部に更に光記録材料層が積層されてなる、特許
請求の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項４】低反射率部分がフォトレジストからなる特
許請求の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項５】低反射率部分が樹脂からなる、特許請求の
範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項６】低反射率部分が電離放射線硬化樹脂からな
る、特許請求の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項７】低反射率部分が熱硬化性樹脂からなる、特
許請求の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項８】低反射率部分が、エネルギーの印加により
ガスを発生させる材料によって形成されてなる特許請求
の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項９】情報記録パターンがビット情報からなる特
許請求の範囲第１項に記載の光記録体。
【請求項１０】情報記録パターンが、複数組の光記録ト
ラックと案内トラックからなる、特許請求の範囲第１項
に記載の光記録体。
【請求項１１】情報記録パターンが、ビット情報、なら
びに複数組の光記録トラックと案内トラックからなる、
特許請求の範囲第１項に記載の光記録体
【請求項１２】光記録体の前記光反射材料層側の表面に
は、接着剤層を介してカード基材が積層されており、一
方、光記録体の前記光反射材料層が設けられた側と反対
側の表面には、透明保護層が積層されてなる、特許請求
の範囲第２光に記載の光記録体。
【請求項１３】光記録体の前記光反射材料層側の表面に
は、接着剤層を介してカード基材が積層されており、一
方、光記録体の前記光反射材料層が設けられた側と反対
側の表面には、透明保護層が積層されてなる、特許請求
の範囲第３項に記載の光記録体。
【請求項１４】基材がガラスからなり、前記低反射率部
分が該ガラス基材表面の粗面化部分からなり、高反射率
部分がフォトレジスト層からなる、特許請求の範囲第１
項に記載の光記録体。
【請求項１５】基材上に、高反射率部分と低反射率部分
とから構成される情報記録パターンが形成された光記録
体を製造するにあたり、前記低反射率部分を、情報記録
パターンに応じた粗面化処理によって形成することを特
徴とする、光記録体の製造方法。
【請求項１６】前記粗面化処理を写真製版法によって行
う、特許請求の範囲第15項に記載の方法。
【請求項１７】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第15項記載の方法。（イ）基材上にフォトレジスト層を形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記フ
ォトレジスト層に対して第１の露光（パターニング露
光）を行う工程、（ハ）次いで、上記第１の露光が行われたフォトレジス
ト層に対して、微細な明暗パターンが形成された透明体
を介して第２の露光（粗面化露光）を行う工程、（ニ）上記第２の露光が行われたフォトレジスト層に対
して現像を行うことによって、表面が粗面化された低反
射率部分からなる情報記録パターンを得る工程。
【請求項１８】前記工程（ハ）において用いる微細な明
暗パターンを有する透明体が、表面に微細な凹凸が形成
された透明体である、特許請求の範囲第18項に記載の方
法。
【請求項１９】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第15項記載の方法。（イ）表面に微細な凹凸が形成された基材上にフォトレ
ジスト層を形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記フ
ォトレジスト層に対してパターニング露光を行う工程、（ハ）上記パターニング露光が行われたフォトレジスト
層に対して現像を行うことによって、微細な凹凸を有す
る基材の表面を情報記録パターンに応じて露出させて、
表面が粗面化された情報記録パターンを得る工程。
【請求項２０】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第17項または第19項に記載の方法。（イ）前記工程（ハ）で得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化原版とし、（ロ）未硬化の樹脂層を介して、基材と該粗面化原版の
情報記録パターン側とを押圧下または非押圧下で重ねて
型取ることによって、原版のパターン状の粗面を上記樹
脂層に転写する工程、（ハ）上記工程（ロ）で型取りされた樹脂層を硬化させ
ることによって、表面が粗面化された低反射率部分から
なる情報記録パターンを得る工程。
【請求項２１】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第15に記載の方法。（イ）エネルギーの印加によってガスを発生させる材料
層を基材上に形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記材
料層に対してパターニング露光を行う工程、（ハ）さらにこの材料層に対してエネルギーを印加する
ことによって該材料層中にガスを生じさせて、光散乱性
の材料層を得る工程、（ニ）上記材料層に対して現像を行うことによって、表
面が粗面化された低反射率部分からなる情報記録パター
ンを得る工程。
【請求項２２】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第21項に記載の方法。（イ）前記工程（ニ）で得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化原版とし、（ロ）未硬化の樹脂層を介して、基材と該粗面化原版の
情報記録パターン側とを押圧下または非押圧下で重ねて
型取ることによって、原版のパターン状の粗面を上記樹
脂層に転写する工程、（ハ）上記工程（ロ）で型取りされた樹脂層を硬化させ
ることによって、表面が粗面化された低反射率部分から
なる情報記録パターンを得る工程。
【請求項２３】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第15項に記載の方法。（イ）基板上にフォトレジスト層を形成する工程、（ロ）情報記録パターンに応じたマスクを介して上記フ
ォトレジスト層に対してパターン露光を行う工程、（ハ）次いで、フォトレジスト層に対する現像を行い、
さらにエッチングを行うことによって、表面が粗面化さ
れた低反射率部分からなる情報記録パターンを得る工
程。
【請求項２４】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第23項に記載の方法。（イ）前記工程（ロ）で得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化原版とし、（ロ）未硬化の樹脂層を介して、基材と該粗面化原版の
情報記録パターン側とを押圧下または非押圧下で重ねて
型取ることによって、原版のパターン状の粗面を上記樹
脂層に転写する工程、（ハ）上記工程（ロ）で型取りされた樹脂層を硬化させ
ることによって、表面が粗面化された低反射率部分から
なる情報記録パターンを得る工程。
【請求項２５】最終的に得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化用原版（マザーマスク）と
し、さらにこのマザーマスクを大量複製用の複製原版と
して用いて型取りによって光記録体を得る、特許請求の
範囲第20項、第22項、または第24項のいずれか１項に記
載の方法。
【請求項２６】得られた光記録体の低反射率部分を覆う
ようにして基材の全面または一部に光反射材料層または
光記録材料層を積層する工程を含む、特許請求の範囲第
17項〜第25項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】情報パターンに応じて粗面化された低反
射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許請求
の範囲第15項に記載の方法。（イ）透明体上に情報記録パターンに応じたマスクパタ
ーンを形成する工程、（ロ）前記透明体のマスクパターンが形成されていない
部分の表面をエッチングにより粗面化する工程、（ハ）基材上にフォトレジスト層を形成する工程、（ホ）前記工程（ロ）で得られたものを粗面化露光用マ
スクとして、該粗面化露光用マスクを介して、前記工程
（ハ）で得られた基材のフォトレジスト層に対して、粗
面化露光を行う工程、（ヘ）前記粗面化露光が行われたフォトレジスト層に対
して現像を行うことによって、表面が粗面化された低反
射率部分からなる情報記録パターンを得る工程。
【請求項２８】情報パターンに応じて粗面化された低反
射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許請求
の範囲第15項に記載の方法。（イ）透明体上に情報記録パターンに応じたマスクパタ
ーンを形成する工程、（ロ）前記透明体のマスクパターンが形成されていない
部分の表面をエッチングにより粗面化する工程、（ハ）透明体表面に形成されたマスクパターンを除去す
ることによって、表面が粗面化された低反射率部分から
なる情報パターンを得る工程。
【請求項２９】前記工程（ロ）のエッチング工程で用い
るエッチング液が微粒子を含有する、特許請求の範囲第
27項または第28項の方法。
【請求項３０】情報記録パターンに応じて粗面化された
低反射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許
請求の範囲第27項に記載の方法。（イ）前記工程（ロ）で得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化原版とし、（ロ）未硬化の樹脂層を介して、基材と該粗面化原版の
情報記録パターン側とを押圧下または非押圧下で重ねて
型取ることによって、原版のパターン状の粗面を上記樹
脂層に転写する工程、（ハ）上記工程（ロ）で型取りされた樹脂層を硬化させ
ることによって、表面が粗面化された低反射率部分から
なる情報記録パターンを得る工程。
【請求項３１】最終的に得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化用原版（マザーマスク）と
し、さらにこのマザーマスクを大量複製用の複製原版と
して用いて型取りによって光記録体を得る、特許請求の
範囲第30項に記載の方法。
【請求項３２】得られた光記録体の低反射率部分を覆う
ようにして基材の全面または一部に光反射材料層または
光記録材料層を積層する工程を含む、特許請求の範囲第
27項〜第31項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】情報パターンに応じて粗面化された低反
射率部分の形成工程が、以下の工程に従って行われる、
特許請求の範囲第15項に記載の方法。（イ）光透過性基材上に情報記録パターンに応じたマス
クパターンを形成する工程、（ロ）上記光透過性基材の表面に、前記マスクパターン
を覆うようにしてフォトレジスト層を形成する工程、（ハ）上記光透過性基材のフォトレジスト層と反対側の
面から第１の露光（パターニング露光）を行う工程、（ニ）次いで、上記第１の露光が行われたフォトレジス
ト層に対して、微細の明暗パターンが形成された透明体
を介して、該フオォレジスト層側から第２の露光（粗面
化露光）を行う工程、（ホ）上記第２の露光が行われたフォトレジスト層に対
して現像を行うことに表面が粗面化された低反射率部分
からなる情報記録パターンを得る工程。
【請求項３４】情報パターンに応じて粗面化された低反
射率部分の形成工程が、以下の工程からなる、特許請求
の範囲第33項に記載の方法。（イ）前記工程（ホ）で得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化原版とし、（ロ）未硬化の樹脂層を介して、基材と該粗面化原版の
情報記録パターン側とを押圧下または非押圧下で重ねて
型取ることによって、原版のパターン状の粗面を上記樹
脂層に転写する工程、（ハ）上記工程（ロ）で型取りされた樹脂層を硬化させ
ることによって、表面が粗面化された低反射率部分から
なる情報記録パターンを得る工程。
【請求項３５】最終的に得られたところの、表面が粗面
化された低反射率部分からなる情報記録パターンが形成
されてなる光記録体を粗面化用原版（マザーマスク）と
し、さらにこのマザーマスクを大量複製用の複製原版と
して用いて型取りによって光記録体を得る、特許請求の
範囲第34項に記載の方法。
【請求項３６】得られた光記録体の低反射率部分を覆う
ようにして基材の全面または一部に光反射材料層または
光記録材料層を積層する工程を含む、特許請求の範囲第
33項〜第35項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】情報パターンに応じて粗面化された低反
射率部分の形成工程が、以下の工程従って行われる、特
許請求の範囲第15項に記載の方法。（イ）光透過性基材上に金属マスク層を形成する工程、（ロ）上記金属マスク層の表面にフォトレジスト層を形
成する工程、（ハ）上記フォトレジスト層の側からフォトマスクを介
して第１の露光（パターニング露光）を行う工程、（ニ）次いで、上記第１の露光が行われたフォトレジス
ト層に対して現像を行うことによって情報記録パターン
に応じたフォトレジスト層を形成する工程、（ホ）更に、金属マスク層をエッチングすることによっ
て、情報記録パターンに応じたフォトレジスト層と金属
マスク層の積層物を形成する工程、（ヘ）上記フォトレジスト層に対して、微細な明暗パタ
ーンが形成された透明体を介して、第２の露光（粗面化
露光）を行う工程、（ト）上記第２の露光が行われたフォトレジスト層に対
して更に現像を行うことによって表面が粗面化された低
反射率部分からなる情報記録パターンを得る工程。