JPH076331A - 薄膜磁気ヘッドを製造する方法及びそのような方法により製造された薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドを製造する方法及びそのような方法により製造された薄膜磁気ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 少なくとも１個の磁束ガイドと磁気抵抗素子
とを有し、この磁気抵抗素子が平坦さ及び構造に関して
正確に規定された面上に設けられるようにした薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いては、非磁性材料の主層（５）が支持体（１）上に設
けられ、この層（５）には支持体（１）から遠い側から
材料を除去することにより凹部が形成される。この凹部
には次いで軟磁性材料が充填されて磁束ガイド（17a、1
7b）が形成される。その後、この充填された凹部を持つ
主層（５）は機械化学的に研磨されて、主面（１９）が
形成される。この主面（１９）には次いで磁気抵抗材料
の層が設けられ、この層から磁気抵抗素子（２３）が形
成される。
とを有し、この磁気抵抗素子が平坦さ及び構造に関して
正確に規定された面上に設けられるようにした薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いては、非磁性材料の主層（５）が支持体（１）上に設
けられ、この層（５）には支持体（１）から遠い側から
材料を除去することにより凹部が形成される。この凹部
には次いで軟磁性材料が充填されて磁束ガイド（17a、1
7b）が形成される。その後、この充填された凹部を持つ
主層（５）は機械化学的に研磨されて、主面（１９）が
形成される。この主面（１９）には次いで磁気抵抗材料
の層が設けられ、この層から磁気抵抗素子（２３）が形
成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗素子と少なく
とも一つの磁束ガイドとを有し且つ支持部材から製造が
開始されるような薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
とも一つの磁束ガイドとを有し且つ支持部材から製造が
開始されるような薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドを製造する方法は、例え
ばヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022から既知であ
る。このヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022に記載
された方法を用いて得られる磁気ヘッドは、接触面を有
すると共に誘導部と磁気抵抗部とを有するような集積化
磁気ヘッドである。
ばヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022から既知であ
る。このヨーロッパ特許出願公開第EP-A0516022に記載
された方法を用いて得られる磁気ヘッドは、接触面を有
すると共に誘導部と磁気抵抗部とを有するような集積化
磁気ヘッドである。
【０００３】上記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の第１の方法によれば、フェライトの磁性基
板上にリソグラフィ法によりＳiＯ2の第１の構造化され
た絶縁層が形成され、該層には続いて書込コイルを形成
するためのＡuの層が設けられる。次いで、第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上にはＣoを基剤とするア
モルファス材料のコア層が付着される。このコア層は前
記各絶縁層中の開口を介して前記磁性基板と接触してい
る。前記第２絶縁層のうちの前記コア層により被覆され
ていない部分は、Ａl2Ｏ3の充填層により充填される。
上記充填層が形成された後、前記コア層及び充填層は研
摩（ラッピング）により平坦化される。このようにして
得られた面上にはＳiＯ2の第３の構造化絶縁層が付着さ
れ、この層上には次いでＡuのバイアス巻線が形成され
る。この巻線上にはＳiＯ2の第４の構造化絶縁層が設け
られる。次いで、この絶縁層上にはパーマロイの磁気抵
抗素子が形成される。次に、ＳiＯ2の第５の構造化絶縁
層が設けられ、続いてＣoを基剤とするアモルファス材
料からなり且つ上述した最後の３つの絶縁層の開口を介
して前記コア層と接触するアモルファス材料のヨークが
設けられる。
2から既知の第１の方法によれば、フェライトの磁性基
板上にリソグラフィ法によりＳiＯ2の第１の構造化され
た絶縁層が形成され、該層には続いて書込コイルを形成
するためのＡuの層が設けられる。次いで、第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上にはＣoを基剤とするア
モルファス材料のコア層が付着される。このコア層は前
記各絶縁層中の開口を介して前記磁性基板と接触してい
る。前記第２絶縁層のうちの前記コア層により被覆され
ていない部分は、Ａl2Ｏ3の充填層により充填される。
上記充填層が形成された後、前記コア層及び充填層は研
摩（ラッピング）により平坦化される。このようにして
得られた面上にはＳiＯ2の第３の構造化絶縁層が付着さ
れ、この層上には次いでＡuのバイアス巻線が形成され
る。この巻線上にはＳiＯ2の第４の構造化絶縁層が設け
られる。次いで、この絶縁層上にはパーマロイの磁気抵
抗素子が形成される。次に、ＳiＯ2の第５の構造化絶縁
層が設けられ、続いてＣoを基剤とするアモルファス材
料からなり且つ上述した最後の３つの絶縁層の開口を介
して前記コア層と接触するアモルファス材料のヨークが
設けられる。
【０００４】前記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の第２の方法によれば、Ｃoを基剤とするアモ
ルファス材料の２個の磁束ガイドが非磁性基板上に設け
られる一方、これら２個の磁束ガイドの間の開口がＳi
Ｏ2の第１の絶縁層により充填される。上記各磁束ガイ
ド及び第１の絶縁層により形成される面には第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上には次いで磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子が形成される。次いで、このＭＲ素子は第３の
構造化絶縁層により被覆され、この絶縁層上には次いで
バイアス巻線が形成される。そして、このバイアス巻線
を被覆する目的で第４の構造化絶縁層が設けられる。次
いで、Ｃoを基剤とする材料の磁気コア層が形成され、
該層は最後に述べた３つの絶縁層中の開口を介して前記
磁束ガイドの一方に接触されるようになっている。そし
て、上記第１のコア層により被覆されていない領域はＡ
l2Ｏ3の充填層により充填され、その後誘導ヘッド部が
形成される面がラッピングにより得られる。
2から既知の第２の方法によれば、Ｃoを基剤とするアモ
ルファス材料の２個の磁束ガイドが非磁性基板上に設け
られる一方、これら２個の磁束ガイドの間の開口がＳi
Ｏ2の第１の絶縁層により充填される。上記各磁束ガイ
ド及び第１の絶縁層により形成される面には第２の構造
化絶縁層が設けられ、この層上には次いで磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）素子が形成される。次いで、このＭＲ素子は第３の
構造化絶縁層により被覆され、この絶縁層上には次いで
バイアス巻線が形成される。そして、このバイアス巻線
を被覆する目的で第４の構造化絶縁層が設けられる。次
いで、Ｃoを基剤とする材料の磁気コア層が形成され、
該層は最後に述べた３つの絶縁層中の開口を介して前記
磁束ガイドの一方に接触されるようになっている。そし
て、上記第１のコア層により被覆されていない領域はＡ
l2Ｏ3の充填層により充填され、その後誘導ヘッド部が
形成される面がラッピングにより得られる。
【０００５】前記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の各方法においては、前記ＭＲ素子は、ラッ
ピング処理された面上に設けられた絶縁層上に形成され
る。しかしながら、異なる材料の２以上の隣接する層上
に延在する上記のような面には凹凸があることが分かっ
た。更に、得られた面の特に傷の形の損傷及び該層の下
の材料の妨害がラッピングにより発生する。このような
面は情報伝送用としては許容されず不十分であり、該面
上に設けられるＭＲ素子の不安定性のリスクを増大させ
る。
2から既知の各方法においては、前記ＭＲ素子は、ラッ
ピング処理された面上に設けられた絶縁層上に形成され
る。しかしながら、異なる材料の２以上の隣接する層上
に延在する上記のような面には凹凸があることが分かっ
た。更に、得られた面の特に傷の形の損傷及び該層の下
の材料の妨害がラッピングにより発生する。このような
面は情報伝送用としては許容されず不十分であり、該面
上に設けられるＭＲ素子の不安定性のリスクを増大させ
る。
【０００６】前記ヨーロッパ特許出願公開第EP-A051602
2から既知の各方法により得られる磁気ヘッドは、前記
ＭＲ素子に係わる面上の凹凸の存在により、当該ＭＲ素
子と導電性の磁束ガイドとの間の信頼性のある電気絶縁
を保証するためにこれらＭＲ素子と磁束ガイドとの間に
比較的厚い絶縁層が必要とされるという他の欠点を有し
ている。しかしながら、上記のような絶縁層は当該磁気
ヘッドの効率に対する更に悪い影響を有している。種々
の理由により、その上にＭＲ素子が存在する面の損傷及
び該面の下の材料の妨害は、このように好ましいもので
はない。
2から既知の各方法により得られる磁気ヘッドは、前記
ＭＲ素子に係わる面上の凹凸の存在により、当該ＭＲ素
子と導電性の磁束ガイドとの間の信頼性のある電気絶縁
を保証するためにこれらＭＲ素子と磁束ガイドとの間に
比較的厚い絶縁層が必要とされるという他の欠点を有し
ている。しかしながら、上記のような絶縁層は当該磁気
ヘッドの効率に対する更に悪い影響を有している。種々
の理由により、その上にＭＲ素子が存在する面の損傷及
び該面の下の材料の妨害は、このように好ましいもので
はない。
【０００７】
【発明の目的及び概要】従って、本発明の目的は磁気抵
抗素子と少なくとも１個の磁束ガイドとを有し、上記磁
気抵抗素子が平坦さ及び構造に関して正確に規定された
面上に設けられるような薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
抗素子と少なくとも１個の磁束ガイドとを有し、上記磁
気抵抗素子が平坦さ及び構造に関して正確に規定された
面上に設けられるような薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することにある。
【０００８】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、前記支持体上に非磁性材料の主層が形成され、この
主層には前記支持体から遠い側から材料を除去すること
により凹部が形成され、次いでこの凹部に軟磁性材料を
充填して前記磁束ガイドを形成し、その後前記の充填さ
れた凹部を備える前記主層が機械化学的に研磨されて主
面が形成され、次いでこの主面に磁気抵抗材料の層を設
けることにより前記磁気抵抗素子を形成するようにした
ことを特徴とする。
は、前記支持体上に非磁性材料の主層が形成され、この
主層には前記支持体から遠い側から材料を除去すること
により凹部が形成され、次いでこの凹部に軟磁性材料を
充填して前記磁束ガイドを形成し、その後前記の充填さ
れた凹部を備える前記主層が機械化学的に研磨されて主
面が形成され、次いでこの主面に磁気抵抗材料の層を設
けることにより前記磁気抵抗素子を形成するようにした
ことを特徴とする。
【０００９】本発明による上記方法においては、磁束ガ
イドが、それ自身非磁性である主層中に設けられる。結
果として、前記機械化学的研磨処理は軟磁性材料上と非
磁性材料上とで行われる。驚くべきことに、軟磁性材料
と非磁性材料との間の異なる材料特性にも拘らず、上記
機械化学的研磨処理はこれら材料自身が構造的変化を受
けることなく非常に平坦且つ滑らかな面を生成するとい
うことが分かった。本発明による方法においては、損傷
のない研磨された平坦な面を、前記磁気抵抗素子（ＭＲ
素子）を電気的に絶縁された形で設けることを目的とし
て、得ることができる。この結果、安定したＭＲ素子を
持ち且つ既知の磁気ヘッドに較べて改善された効率を持
つ磁気ヘッドを得ることができる。
イドが、それ自身非磁性である主層中に設けられる。結
果として、前記機械化学的研磨処理は軟磁性材料上と非
磁性材料上とで行われる。驚くべきことに、軟磁性材料
と非磁性材料との間の異なる材料特性にも拘らず、上記
機械化学的研磨処理はこれら材料自身が構造的変化を受
けることなく非常に平坦且つ滑らかな面を生成するとい
うことが分かった。本発明による方法においては、損傷
のない研磨された平坦な面を、前記磁気抵抗素子（ＭＲ
素子）を電気的に絶縁された形で設けることを目的とし
て、得ることができる。この結果、安定したＭＲ素子を
持ち且つ既知の磁気ヘッドに較べて改善された効率を持
つ磁気ヘッドを得ることができる。
【００１０】磁壁の核形成、即ち好ましくない磁化方向
を持つ小領域の形成及び読出処理中における磁化の好ま
しくない突然の変化は、欠陥のない磁気抵抗素子では可
能な限り除かれる。
を持つ小領域の形成及び読出処理中における磁化の好ま
しくない突然の変化は、欠陥のない磁気抵抗素子では可
能な限り除かれる。
【００１１】ここで、前記機械化学的研磨は、研磨され
るべき面に向かって付勢されると共に該面を横切るよう
に移動される研磨工具の加工面の補助の下でなされると
いうことに注意されたい。上記加工面には液体の機械化
学的研磨剤が供給される。この研磨剤は化学的及び機械
的な研磨が同時に可能となるような研磨剤である。ま
た、損傷のない研磨は純化学的な研磨によっても実現す
ることができることにも注意されたい。しかしながら、
この方法には以下のような欠点がある。即ち、寸法的な
制御、言い換えると表面の平坦さは最適なものとはほど
遠く、また、多くの化学研磨剤は多かれ少なかれ毒性が
あると共に腐食性（aggressive）があるので、結果とし
て厳しく保護された環境で使用されねばならず、大量生
産においては欠点となる。研磨すべき面から機械的に除
去された成分が化学的に溶解されるような機械化学的な
研磨動作によれば、損傷のない非常に滑らか且つ平坦な
研磨面を得ることができる。驚くべきことに、研磨すべ
き成分の一つが非常に硬い場合は機械化学的研磨の機械
的な面が、小量の硬く且つ充分な粒子を当該機械化学型
の研磨剤に加えることにより向上されることが分かっ
た。このように、ヘッドの製造に非常に硬い材料が用い
られた場合でさえも、損傷のなり滑らか且つ平坦な面を
実現することができる。
るべき面に向かって付勢されると共に該面を横切るよう
に移動される研磨工具の加工面の補助の下でなされると
いうことに注意されたい。上記加工面には液体の機械化
学的研磨剤が供給される。この研磨剤は化学的及び機械
的な研磨が同時に可能となるような研磨剤である。ま
た、損傷のない研磨は純化学的な研磨によっても実現す
ることができることにも注意されたい。しかしながら、
この方法には以下のような欠点がある。即ち、寸法的な
制御、言い換えると表面の平坦さは最適なものとはほど
遠く、また、多くの化学研磨剤は多かれ少なかれ毒性が
あると共に腐食性（aggressive）があるので、結果とし
て厳しく保護された環境で使用されねばならず、大量生
産においては欠点となる。研磨すべき面から機械的に除
去された成分が化学的に溶解されるような機械化学的な
研磨動作によれば、損傷のない非常に滑らか且つ平坦な
研磨面を得ることができる。驚くべきことに、研磨すべ
き成分の一つが非常に硬い場合は機械化学的研磨の機械
的な面が、小量の硬く且つ充分な粒子を当該機械化学型
の研磨剤に加えることにより向上されることが分かっ
た。このように、ヘッドの製造に非常に硬い材料が用い
られた場合でさえも、損傷のなり滑らか且つ平坦な面を
実現することができる。
【００１２】本発明による方法の一実施例は、板状の基
板が前記支持体として使用され、該基板には機械的及び
／叉は機械化学的な研磨により２つの平行な基板面が設
けられ、その後これら基板面の一方の面上に前記主層が
形成されることを特徴とする。この場合、他方の面は後
の工程で基準面として使用される。
板が前記支持体として使用され、該基板には機械的及び
／叉は機械化学的な研磨により２つの平行な基板面が設
けられ、その後これら基板面の一方の面上に前記主層が
形成されることを特徴とする。この場合、他方の面は後
の工程で基準面として使用される。
【００１３】上記の平行な基板面は２つの基板面を持つ
基板から開始することにより得ることができる。この場
合、上記各基板面は先ず凸状、平坦叉は凹状の初期形状
を有するまで研磨により前処理され、その後除去サイク
ルが少なくとも１回実行され、この間に縁部がこれら縁
部により囲まれる中央部よりも厚い基板の基板面は、こ
れら縁部が中央部に対して略同一の厚さ、小さな厚さ、
再び略同一の厚さを順次持つような方法で研磨され、ま
たこの間に縁部がこれら縁部により囲まれる中央部より
も薄い基板の基板面は、これら縁部が中央部に対して略
同一の厚さ、大きな厚さ、再び略同一の厚さを順次持つ
ような方法で研磨される。上述したような平行な面を作
成する方法は、例えばヨーロッパ特許出願公開第922017
39.7号公報に詳細に記載されている。
基板から開始することにより得ることができる。この場
合、上記各基板面は先ず凸状、平坦叉は凹状の初期形状
を有するまで研磨により前処理され、その後除去サイク
ルが少なくとも１回実行され、この間に縁部がこれら縁
部により囲まれる中央部よりも厚い基板の基板面は、こ
れら縁部が中央部に対して略同一の厚さ、小さな厚さ、
再び略同一の厚さを順次持つような方法で研磨され、ま
たこの間に縁部がこれら縁部により囲まれる中央部より
も薄い基板の基板面は、これら縁部が中央部に対して略
同一の厚さ、大きな厚さ、再び略同一の厚さを順次持つ
ような方法で研磨される。上述したような平行な面を作
成する方法は、例えばヨーロッパ特許出願公開第922017
39.7号公報に詳細に記載されている。
【００１４】平行な基板面を持つ基板は、これらが大量
生産において当該方法の後の工程で使用することができ
るという大きな利点を有している。結果として、機械化
学的な研磨工程は、後の段階で単一叉は多重材料構造を
持つ層を滑らか叉は平坦にする目的で、及び多重の材料
構造を有する層であるが該層の１個叉は数個の材料のみ
が当該機械化学的研磨処理で研磨することができ他の材
料が研磨できないような層の研磨を停止するために実施
することができる。
生産において当該方法の後の工程で使用することができ
るという大きな利点を有している。結果として、機械化
学的な研磨工程は、後の段階で単一叉は多重材料構造を
持つ層を滑らか叉は平坦にする目的で、及び多重の材料
構造を有する層であるが該層の１個叉は数個の材料のみ
が当該機械化学的研磨処理で研磨することができ他の材
料が研磨できないような層の研磨を停止するために実施
することができる。
【００１５】本発明による方法の他の実施例は、前記支
持体がフェライト等の軟磁性材料から形成されることを
特徴とする。
持体がフェライト等の軟磁性材料から形成されることを
特徴とする。
【００１６】ここで、フェライトとは例えばガーネッ
ト、スピネル及びペロブスカイト等の結晶群の中の一つ
の磁性材料であると理解されたい。フェライトの好まし
い特性は大きな耐摩耗性と妨害場に対する満足のゆく遮
蔽効果とにある。磁気抵抗ヘッドの安定性も、フェライ
トの薄膜磁束ガイド（叉は各磁束ガイド）及び磁気抵抗
素子に対する効果により通常好ましく影響される。更
に、フェライトの支持体は、該支持体が磁束ガイド層と
して使用することができるという技術上の利点を有して
いる。
ト、スピネル及びペロブスカイト等の結晶群の中の一つ
の磁性材料であると理解されたい。フェライトの好まし
い特性は大きな耐摩耗性と妨害場に対する満足のゆく遮
蔽効果とにある。磁気抵抗ヘッドの安定性も、フェライ
トの薄膜磁束ガイド（叉は各磁束ガイド）及び磁気抵抗
素子に対する効果により通常好ましく影響される。更
に、フェライトの支持体は、該支持体が磁束ガイド層と
して使用することができるという技術上の利点を有して
いる。
【００１７】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記支持体が、ベースと該ベース上に設けられる非磁性材
料のベース層とから構築されると共にこのベース層中に
誘導変換素子と磁束ガイド素子とが設けられているよう
なアセンブリから形成され、その後該アセンブリは機械
化学的に研磨されて前記主層を設けるためのベース面が
形成されるようにしたことを特徴とする。上記ベース層
には前記ベースから遠い側から材料を除去することによ
り開口が設けられ、次いで該開口は軟磁性材料により充
填されて前記磁束ガイドを形成する。この方法によれ
ば、書込機能と共に読出機能をも有するような磁気ヘッ
ドが得られる。上記方法の間には、書込部が形成され、
続いて読出部が形成される。正確に規定された主面を保
証するために、上記実施例においては上記主層に対して
下部層として作用する上記ベース層も機械化学的に研磨
される。平坦な書込部を作成する上での磁気的な利点は
達成することはできない。しかしながら、平坦さは先に
述べたような利点を持つ平坦な読出部を得るには必要で
ある。好ましくは、上記ベース層の開口はエッチングに
より設けられる。
記支持体が、ベースと該ベース上に設けられる非磁性材
料のベース層とから構築されると共にこのベース層中に
誘導変換素子と磁束ガイド素子とが設けられているよう
なアセンブリから形成され、その後該アセンブリは機械
化学的に研磨されて前記主層を設けるためのベース面が
形成されるようにしたことを特徴とする。上記ベース層
には前記ベースから遠い側から材料を除去することによ
り開口が設けられ、次いで該開口は軟磁性材料により充
填されて前記磁束ガイドを形成する。この方法によれ
ば、書込機能と共に読出機能をも有するような磁気ヘッ
ドが得られる。上記方法の間には、書込部が形成され、
続いて読出部が形成される。正確に規定された主面を保
証するために、上記実施例においては上記主層に対して
下部層として作用する上記ベース層も機械化学的に研磨
される。平坦な書込部を作成する上での磁気的な利点は
達成することはできない。しかしながら、平坦さは先に
述べたような利点を持つ平坦な読出部を得るには必要で
ある。好ましくは、上記ベース層の開口はエッチングに
より設けられる。
【００１８】本発明による方法の更に他の実施例は、板
状基体が前記ベースとして使用され、この基板には機械
的及び／叉は機械化学的な研磨により２つの平行な面が
設けられ、その後これら面の一方上に前記ベース層が形
成されることを特徴とする。上記の平行な基板面はヨー
ロッパ特許出願公開第92201739.7号に記載された方法を
用いて得るようにしてもよい。この場合、平行基板面を
持つ基板は大量生産、単一材料の機械化学的研磨、分散
された材料の機械化学的研磨及び機械化学的停止研磨に
関する限り利点を有している。
状基体が前記ベースとして使用され、この基板には機械
的及び／叉は機械化学的な研磨により２つの平行な面が
設けられ、その後これら面の一方上に前記ベース層が形
成されることを特徴とする。上記の平行な基板面はヨー
ロッパ特許出願公開第92201739.7号に記載された方法を
用いて得るようにしてもよい。この場合、平行基板面を
持つ基板は大量生産、単一材料の機械化学的研磨、分散
された材料の機械化学的研磨及び機械化学的停止研磨に
関する限り利点を有している。
【００１９】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記ベースが特にフェライト等の磁性材料から形成される
ことを特徴とする。
記ベースが特にフェライト等の磁性材料から形成される
ことを特徴とする。
【００２０】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記主層が酸化ジルコニウム（zirconia）から形成される
ことを特徴としている。酸化ジルコニウムは立方形状の
結晶材料である。主成分は５〜１０原子％のＣaＯ叉は
Ｙ2Ｏ3が添加されたＺrＯ2である。例えばスパッタリン
グにより設けることができる酸化ジルコニウムは、機械
的に硬く且つ耐摩耗性のある材料である。酸化ジルコニ
ウムは、後で詳述する全ての軟磁性材料と共に、機械化
学的研磨の後略完全な主面を形成する。このことは、多
分酸化ジルコニウムの非常に高い硬度によると思われ
る。
記主層が酸化ジルコニウム（zirconia）から形成される
ことを特徴としている。酸化ジルコニウムは立方形状の
結晶材料である。主成分は５〜１０原子％のＣaＯ叉は
Ｙ2Ｏ3が添加されたＺrＯ2である。例えばスパッタリン
グにより設けることができる酸化ジルコニウムは、機械
的に硬く且つ耐摩耗性のある材料である。酸化ジルコニ
ウムは、後で詳述する全ての軟磁性材料と共に、機械化
学的研磨の後略完全な主面を形成する。このことは、多
分酸化ジルコニウムの非常に高い硬度によると思われ
る。
【００２１】研磨技術の視点から見ると、酸化ジルコニ
ウムは機械化学的研磨工程において停止層として用いる
のに非常に適した材料である。酸化ジルコニウム層の厚
みはナノメータの精度で実現することができるので、薄
膜磁気ヘッドの平坦層を同様の精度で作成することがで
きる。しかしながら、酸化ジルコニウムは緩やかにしか
エッチングすることができない。
ウムは機械化学的研磨工程において停止層として用いる
のに非常に適した材料である。酸化ジルコニウム層の厚
みはナノメータの精度で実現することができるので、薄
膜磁気ヘッドの平坦層を同様の精度で作成することがで
きる。しかしながら、酸化ジルコニウムは緩やかにしか
エッチングすることができない。
【００２２】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記主層が石英（quartz）から形成されることを特徴とす
る。石英は例えばPE CVDを用いて設けてもよい。ところ
で、前記磁束ガイドの軟磁性材料は、該軟磁性材料と石
英との間に良好な接着が存在する場合は、特に面が平坦
で且つ損傷がない限り機械化学的研磨処理の良好な結果
に殆ど何の影響も及ぼさないことが分かった。
記主層が石英（quartz）から形成されることを特徴とす
る。石英は例えばPE CVDを用いて設けてもよい。ところ
で、前記磁束ガイドの軟磁性材料は、該軟磁性材料と石
英との間に良好な接着が存在する場合は、特に面が平坦
で且つ損傷がない限り機械化学的研磨処理の良好な結果
に殆ど何の影響も及ぼさないことが分かった。
【００２３】ここで、前記機械化学的研磨処理が最適化
されている場合は、酸化ジルコニウムと比較して柔らか
な石英にも同様の研磨処理を施すことができることに注
意されたい。この場合、研磨処理は一層きわどく、また
寸法の精度は達成が難しいが、石英は容易に且つ比較的
高速でエッチングすることができるという利点を有して
いる。
されている場合は、酸化ジルコニウムと比較して柔らか
な石英にも同様の研磨処理を施すことができることに注
意されたい。この場合、研磨処理は一層きわどく、また
寸法の精度は達成が難しいが、石英は容易に且つ比較的
高速でエッチングすることができるという利点を有して
いる。
【００２４】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記主層の凹部がエッチングにより形成されることを特徴
とする。このエッチング処理はきわどいものである。何
故なら、このエッチング処理の結果が読出部に特徴的な
非磁性ギャップを規定することになるからである。再現
性が上記エッチング処理に課される重要な要件である。
従って、スパッタエッチング及びリアクティブイオンエ
ッチング、並びにある程度、プラズマエッチング及び湿
式化学エッチングが好ましい。
記主層の凹部がエッチングにより形成されることを特徴
とする。このエッチング処理はきわどいものである。何
故なら、このエッチング処理の結果が読出部に特徴的な
非磁性ギャップを規定することになるからである。再現
性が上記エッチング処理に課される重要な要件である。
従って、スパッタエッチング及びリアクティブイオンエ
ッチング、並びにある程度、プラズマエッチング及び湿
式化学エッチングが好ましい。
【００２５】本発明による方法の更に他の実施例は、磁
気抵抗材料の前記層が上に設けられる非磁性の電気的に
絶縁な材料のスペーサ層が機械化学的研磨により得られ
た前記主面上に形成されることを特徴とする。この実施
例は、導電性軟磁性材料が前記磁束ガイドを形成するた
めに使用される場合に特に重要である。この場合は、磁
束ガイドとＭＲ素子との間の電気的接触を避けるために
絶縁スペーサ層が必要となる。しかしながら、ＭＲ素子
と磁束ガイドとの間にスペーサ層を有する磁気ヘッドの
欠点は、該層の厚さによるＭＲ素子と磁束ガイドとの間
の距離によって、動作中に磁気記録媒体から発生する磁
束の一部のみしかＭＲ素子を介して通過しないというこ
とにある。結果として、効率の理由から、上記のような
層は可能な限り薄くすることができるということが本質
的に重要である。上記スペーサ層の厚さは前記主面の品
質によりかなりの程度決まるから、本発明による方法が
使用された場合は上記スペーサ層は完全に滑らかで且つ
厚みの変化がないようにすることができる。更に、上記
スペーサ層は既知の磁気ヘッドで必要とされた少なくと
も０．６μｍなる層厚に対して、ＭＲ素子の短絡等のリ
スクを犯すことなく非常に薄く、例えば０．２μｍ、に
することができる。
気抵抗材料の前記層が上に設けられる非磁性の電気的に
絶縁な材料のスペーサ層が機械化学的研磨により得られ
た前記主面上に形成されることを特徴とする。この実施
例は、導電性軟磁性材料が前記磁束ガイドを形成するた
めに使用される場合に特に重要である。この場合は、磁
束ガイドとＭＲ素子との間の電気的接触を避けるために
絶縁スペーサ層が必要となる。しかしながら、ＭＲ素子
と磁束ガイドとの間にスペーサ層を有する磁気ヘッドの
欠点は、該層の厚さによるＭＲ素子と磁束ガイドとの間
の距離によって、動作中に磁気記録媒体から発生する磁
束の一部のみしかＭＲ素子を介して通過しないというこ
とにある。結果として、効率の理由から、上記のような
層は可能な限り薄くすることができるということが本質
的に重要である。上記スペーサ層の厚さは前記主面の品
質によりかなりの程度決まるから、本発明による方法が
使用された場合は上記スペーサ層は完全に滑らかで且つ
厚みの変化がないようにすることができる。更に、上記
スペーサ層は既知の磁気ヘッドで必要とされた少なくと
も０．６μｍなる層厚に対して、ＭＲ素子の短絡等のリ
スクを犯すことなく非常に薄く、例えば０．２μｍ、に
することができる。
【００２６】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記軟磁性材料としてCoZrNb合金、FeNbSi合金、FeSiAl合
金及びＮiＦe合金からなる群から選択された合金が使用
されることを特徴とする。これらの材料は、スパッタリ
ング叉は蒸着等の既知の技術を用いて設けることができ
る。
記軟磁性材料としてCoZrNb合金、FeNbSi合金、FeSiAl合
金及びＮiＦe合金からなる群から選択された合金が使用
されることを特徴とする。これらの材料は、スパッタリ
ング叉は蒸着等の既知の技術を用いて設けることができ
る。
【００２７】本発明による方法の更に他の実施例は、前
記軟磁性材料としてフェライトが用いられることを特徴
としている。フェライトは通常高抵抗率を有しているか
ら前記ＭＲ素子をこのような材料から形成された磁束ガ
イド上に当該磁気ヘッドの感度の目立った損失を招来す
ることなしに直接設けることができる。言い換えると、
フェライト（ＭnＺnフェライト叉はＮiＺnフェライトが
好ましい）が使用された場合は、本発明による方法にお
いては前記スペーサ層を省略することができ、従って磁
気抵抗材料の層を前記主面上に直接設けて前記ＭＲ素子
を形成することができる。結果として、ＭＲ素子と磁束
ガイドとの間の直の磁気結合が可能となる。このような
結合によれば、磁気ヘッドの高効率さが得られる。フェ
ライトはスパッタリング、MO-CVD叉はレーザ融蝕等の既
知の技術を用いて設けることができる。
記軟磁性材料としてフェライトが用いられることを特徴
としている。フェライトは通常高抵抗率を有しているか
ら前記ＭＲ素子をこのような材料から形成された磁束ガ
イド上に当該磁気ヘッドの感度の目立った損失を招来す
ることなしに直接設けることができる。言い換えると、
フェライト（ＭnＺnフェライト叉はＮiＺnフェライトが
好ましい）が使用された場合は、本発明による方法にお
いては前記スペーサ層を省略することができ、従って磁
気抵抗材料の層を前記主面上に直接設けて前記ＭＲ素子
を形成することができる。結果として、ＭＲ素子と磁束
ガイドとの間の直の磁気結合が可能となる。このような
結合によれば、磁気ヘッドの高効率さが得られる。フェ
ライトはスパッタリング、MO-CVD叉はレーザ融蝕等の既
知の技術を用いて設けることができる。
【００２８】本発明による方法を用いて製造された磁気
ヘッドには、特に磁気テープ叉は磁気ディスク等の磁気
記録媒体と共働するヘッド面が設けられ、前記磁束ガイ
ドが該ヘッド面で終端する。これに関していうと、フェ
ライトの磁束ガイドはフェライトが当該ヘッドの耐腐食
性及び耐摩耗性に寄与するという利点を有している。
ヘッドには、特に磁気テープ叉は磁気ディスク等の磁気
記録媒体と共働するヘッド面が設けられ、前記磁束ガイ
ドが該ヘッド面で終端する。これに関していうと、フェ
ライトの磁束ガイドはフェライトが当該ヘッドの耐腐食
性及び耐摩耗性に寄与するという利点を有している。
【００２９】本発明の更に他の実施例は、前記磁気抵抗
材料としてＮiＦe合金が使用されることを特徴としてい
る。ＮiＦe合金はスパッタ付着叉は蒸着等の既知の技術
を用いて設けることができる。ＮiＦeから形成されるＭ
Ｒ素子には、読出装置との電気的な接続を実現するため
に接触面が設けられる。好ましくは、満足のゆく導電性
を持つ均電位条片が、形成されたＮiＦe層上に設けら
れ、これにより当該ＭＲ素子の動作を線形化する。この
対策は例えば米国特許第4,052,748号に記載されてい
る。
材料としてＮiＦe合金が使用されることを特徴としてい
る。ＮiＦe合金はスパッタ付着叉は蒸着等の既知の技術
を用いて設けることができる。ＮiＦeから形成されるＭ
Ｒ素子には、読出装置との電気的な接続を実現するため
に接触面が設けられる。好ましくは、満足のゆく導電性
を持つ均電位条片が、形成されたＮiＦe層上に設けら
れ、これにより当該ＭＲ素子の動作を線形化する。この
対策は例えば米国特許第4,052,748号に記載されてい
る。
【００３０】本発明の更に他の実施例は、前記ベース層
が酸化ジルコニウムから形成されることを特徴としてい
る。この点に関して言うと、酸化ジルコニウムは機械化
学的研磨処理においては満足のゆく研磨ストッパ材料で
ある。酸化ジルコニウムの欠点は緩やかにしかエッチン
グされないということであり、重要な利点は寸法の精度
を最適に達成することができるという点にある。
が酸化ジルコニウムから形成されることを特徴としてい
る。この点に関して言うと、酸化ジルコニウムは機械化
学的研磨処理においては満足のゆく研磨ストッパ材料で
ある。酸化ジルコニウムの欠点は緩やかにしかエッチン
グされないということであり、重要な利点は寸法の精度
を最適に達成することができるという点にある。
【００３１】本発明の更に他の実施例は、前記ベース層
が石英から形成されることを特徴とする。石英は酸化ジ
ルコニウムに較べると機械化学的研磨における良好な研
磨ストッパとはならず、寸法の微妙な精度が達成されね
ばならない。しかしながら、利点は満足のゆくように設
けることができると共に容易にエッチングされるという
点にある。
が石英から形成されることを特徴とする。石英は酸化ジ
ルコニウムに較べると機械化学的研磨における良好な研
磨ストッパとはならず、寸法の微妙な精度が達成されね
ばならない。しかしながら、利点は満足のゆくように設
けることができると共に容易にエッチングされるという
点にある。
【００３２】本発明の更に他の実施例は、前記機械化学
的研磨処理が、特にＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液等のアルカ
リ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いてなされる
ことを特徴とする。この目的のためには、例えば３０ｎ
ｍの平均粒径及び約１０なるｐＨのＮaＯＨ叉はＫＯＨ
溶液中でＳiＯ2ナノ粒子のコロイド懸濁を使用すること
ができる。
的研磨処理が、特にＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液等のアルカ
リ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いてなされる
ことを特徴とする。この目的のためには、例えば３０ｎ
ｍの平均粒径及び約１０なるｐＨのＮaＯＨ叉はＫＯＨ
溶液中でＳiＯ2ナノ粒子のコロイド懸濁を使用すること
ができる。
【００３３】ここで、上記機械化学的研磨自体は１９８
５年１月の「ＩＢＭ技術公開ブレッティン」第２７巻第
８号から既知であることに注意されたい。この文献はガ
ラス構造体の機械化学的研磨について記載している。ま
た、機械化学的研磨処理用として「Syton」なる商品名
で市販されている研磨剤を使用することも既知である。
５年１月の「ＩＢＭ技術公開ブレッティン」第２７巻第
８号から既知であることに注意されたい。この文献はガ
ラス構造体の機械化学的研磨について記載している。ま
た、機械化学的研磨処理用として「Syton」なる商品名
で市販されている研磨剤を使用することも既知である。
【００３４】本発明の更に他の実施例は、前記機械化学
的研磨が、粒子が存在するコロイドＳiＯ2溶液を含む機
械化学的研磨剤を用いてなされ、前記粒子が１．０μｍ
未満の平均粒径とＳiＯ2の硬度より高い硬度とを持つこ
とを特徴とする。本発明によるこの方法によれば、前記
主層には機械化学的に研磨された非常に滑らかな面を設
けることができる。この場合、１ｎｍよりも小さな表面
粗さＲ（rms）の研磨面を達成することができることが
分かった。測定結果は、機械化学的に研磨された面の材
料構造が損傷されないことを示している。上記の事項は
基板及びベース層の機械化学的研磨にも当てはまる。
的研磨が、粒子が存在するコロイドＳiＯ2溶液を含む機
械化学的研磨剤を用いてなされ、前記粒子が１．０μｍ
未満の平均粒径とＳiＯ2の硬度より高い硬度とを持つこ
とを特徴とする。本発明によるこの方法によれば、前記
主層には機械化学的に研磨された非常に滑らかな面を設
けることができる。この場合、１ｎｍよりも小さな表面
粗さＲ（rms）の研磨面を達成することができることが
分かった。測定結果は、機械化学的に研磨された面の材
料構造が損傷されないことを示している。上記の事項は
基板及びベース層の機械化学的研磨にも当てはまる。
【００３５】上述した機械化学的研磨剤の正確な効果は
分かってはいない。溶液中では前記粒子が静電力により
ＳiＯ2ナノ粒子により包囲され、これらの包囲された粒
子が研磨すべき表面を化学的及び機械的に侵食し、一方
該研磨すべき表面の化学的に侵食された部分は機械的圧
力により比較的容易に除去されると考えられる。
分かってはいない。溶液中では前記粒子が静電力により
ＳiＯ2ナノ粒子により包囲され、これらの包囲された粒
子が研磨すべき表面を化学的及び機械的に侵食し、一方
該研磨すべき表面の化学的に侵食された部分は機械的圧
力により比較的容易に除去されると考えられる。
【００３６】実験によれば、１．０μｍ未満の平均粒径
の場合に最適な研磨結果が達成されることが分かった。
従って、平均粒径が１．０μｍ未満、例えば１００ｎｍ
の粒子を使用するのが好ましい。また、コロイド溶液に
おける上記粒子の濃度はリットル当たり１グラム未満で
あることが好ましい。この溶液は好ましくはアルカリ性
であり、例えばＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液とする。
の場合に最適な研磨結果が達成されることが分かった。
従って、平均粒径が１．０μｍ未満、例えば１００ｎｍ
の粒子を使用するのが好ましい。また、コロイド溶液に
おける上記粒子の濃度はリットル当たり１グラム未満で
あることが好ましい。この溶液は好ましくはアルカリ性
であり、例えばＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液とする。
【００３７】上記の粒子の材料としてはＡl2Ｏ3叉は酸
化ジルコニウムが好適であるが、これら材料も研磨すべ
きでるからダイヤモンドが好ましい。従って、１．０μ
ｍ未満の平均粒径を持つダイヤモンド粒子を含むコロイ
ドＳiＯ2溶液が研磨剤として好ましい。
化ジルコニウムが好適であるが、これら材料も研磨すべ
きでるからダイヤモンドが好ましい。従って、１．０μ
ｍ未満の平均粒径を持つダイヤモンド粒子を含むコロイ
ドＳiＯ2溶液が研磨剤として好ましい。
【００３８】本発明は、本発明による上述したような方
法により製造されると共に磁気記録媒体と共働するヘッ
ド面を有するような薄膜磁気ヘッドにも関する。本発明
による薄膜磁気ヘッドは、軟磁性材料の磁束ガイドが非
磁性材料の前記主層中に延在していることを特徴として
いる。この磁気ヘッドにおいては、前記磁気抵抗素子は
非常に平坦で正確に規定された基礎を有しているので、
当該磁気抵抗素子の磁気的安定性は保証される。本発明
による方法を適用することにより、ヘッド面で終端する
層に耐腐食性及び／叉は耐摩耗性の材料を使用すること
ができるので、ヘッド面の、従って磁気ヘッド全体の長
寿命が可能となる。
法により製造されると共に磁気記録媒体と共働するヘッ
ド面を有するような薄膜磁気ヘッドにも関する。本発明
による薄膜磁気ヘッドは、軟磁性材料の磁束ガイドが非
磁性材料の前記主層中に延在していることを特徴として
いる。この磁気ヘッドにおいては、前記磁気抵抗素子は
非常に平坦で正確に規定された基礎を有しているので、
当該磁気抵抗素子の磁気的安定性は保証される。本発明
による方法を適用することにより、ヘッド面で終端する
層に耐腐食性及び／叉は耐摩耗性の材料を使用すること
ができるので、ヘッド面の、従って磁気ヘッド全体の長
寿命が可能となる。
【００３９】本発明による磁気ヘッドの現実的な実施例
は、前記磁束ガイドから離隔された軟磁性材料の他の磁
束ガイドが非磁性材料の前記主層中に延在し、これら磁
束ガイドの中の一方が前記ヘッド面で終端し、前記機械
化学的に研磨された主層に対向して位置される前記磁気
抵抗素子により離隔部がブリッジされていることを特徴
とする。
は、前記磁束ガイドから離隔された軟磁性材料の他の磁
束ガイドが非磁性材料の前記主層中に延在し、これら磁
束ガイドの中の一方が前記ヘッド面で終端し、前記機械
化学的に研磨された主層に対向して位置される前記磁気
抵抗素子により離隔部がブリッジされていることを特徴
とする。
【００４０】本発明は、更に、ヘッド面を有すると共に
本発明による前述したような方法を用いて製造される薄
膜磁気ヘッドにも関し、該磁気ヘッドは、前記支持体上
に非磁性材料の前記主層が延在し、該主層は前記支持体
から遠い側に軟磁性材料の前記磁束ガイドを収容する少
なくとも１個の凹部を有し、前記主層及び前記磁束ガイ
ドが前記側において機械化学的研磨により得られる前記
主面を形成し、該主面に前記磁気抵抗素子が設けられて
いることを特徴としている。機械化学的研磨処理により
得られる前記主面は、完全に平坦で且つ損傷が無いと考
えられる。基板、好ましくはフェライト基板叉は誘導性
素子を備えるアセンブリが前記支持体として使用され
る。
本発明による前述したような方法を用いて製造される薄
膜磁気ヘッドにも関し、該磁気ヘッドは、前記支持体上
に非磁性材料の前記主層が延在し、該主層は前記支持体
から遠い側に軟磁性材料の前記磁束ガイドを収容する少
なくとも１個の凹部を有し、前記主層及び前記磁束ガイ
ドが前記側において機械化学的研磨により得られる前記
主面を形成し、該主面に前記磁気抵抗素子が設けられて
いることを特徴としている。機械化学的研磨処理により
得られる前記主面は、完全に平坦で且つ損傷が無いと考
えられる。基板、好ましくはフェライト基板叉は誘導性
素子を備えるアセンブリが前記支持体として使用され
る。
【００４１】
【実施例】本発明の第１実施例を図１ないし図１６を参
照して説明する。この方法は、フェライト（本実施例で
はＮiＺnフェライト）の板状基体１から開始し（図１参
照）、この基板１には機械的及び／叉は機械化学的な研
磨（polishing）により２つの平行な基板面３ａ及び３
ｂが設けられる（図２参照）。上記研磨は既知の研磨方
法で行うことができるが、好ましくはヨーロッパ特許出
願公開第92201739.7号に記載されたような方法を使用す
るとよい。酸化ジルコニウム（zirconia）の絶縁層５ａ
が前記基板面の一方（この実施例では面３ａ）の面上に
スパッタ（sputter-deposition）により形成される。次
いで、上記層５ａ上に例えばスパッタリングによりＭo
の接着層７ａ、Ａuの層７ｂ及びＭoの接着層７ｃが順次
付着され、これによりテスト及び／叉はバイアス用の巻
線７が形成される。上記合成層７ａ、７ｂ、７ｃ上に
は、例えばスピン・コーティングによりフォトレジスト
層が設けられる。この層は乾燥され、次いで適切なフォ
トマスクを用いて露光される。次いで、上記の露光され
たフォトレジストは現像され、続いて水中ですすぐこと
により除去される。続く加熱及び冷却の後、Ｍoの前記
層７ｃはエッチングされ、その後露光されなかったフォ
トレジストはアセトンを用いて除去され、Ａuの前記層
７ｂはＭoのパターンをマスクとして用いてスパッタ・
エッチングにより処理される。そして、前記Ｍo層７ｃ
を続いてエッチングすることにより巻線７が得られる
（図３参照）。
照して説明する。この方法は、フェライト（本実施例で
はＮiＺnフェライト）の板状基体１から開始し（図１参
照）、この基板１には機械的及び／叉は機械化学的な研
磨（polishing）により２つの平行な基板面３ａ及び３
ｂが設けられる（図２参照）。上記研磨は既知の研磨方
法で行うことができるが、好ましくはヨーロッパ特許出
願公開第92201739.7号に記載されたような方法を使用す
るとよい。酸化ジルコニウム（zirconia）の絶縁層５ａ
が前記基板面の一方（この実施例では面３ａ）の面上に
スパッタ（sputter-deposition）により形成される。次
いで、上記層５ａ上に例えばスパッタリングによりＭo
の接着層７ａ、Ａuの層７ｂ及びＭoの接着層７ｃが順次
付着され、これによりテスト及び／叉はバイアス用の巻
線７が形成される。上記合成層７ａ、７ｂ、７ｃ上に
は、例えばスピン・コーティングによりフォトレジスト
層が設けられる。この層は乾燥され、次いで適切なフォ
トマスクを用いて露光される。次いで、上記の露光され
たフォトレジストは現像され、続いて水中ですすぐこと
により除去される。続く加熱及び冷却の後、Ｍoの前記
層７ｃはエッチングされ、その後露光されなかったフォ
トレジストはアセトンを用いて除去され、Ａuの前記層
７ｂはＭoのパターンをマスクとして用いてスパッタ・
エッチングにより処理される。そして、前記Ｍo層７ｃ
を続いてエッチングすることにより巻線７が得られる
（図３参照）。
【００４２】酸化ジルコニウムの絶縁層５ｂが、例えば
スパッタリングにより前記層５ａ及び該層上の巻線７上
に設けられる（図４参照）。層５ａ及び５ｂは、一緒に
なって、非磁性材料の比較的厚い主層５を構成すること
になる。この実施例においては、上記層５の厚さは１．
１μｍである。支持体として機能する基板１上に設けら
れた主層５上には、例えばスパッタ付着によりＭo層９
が設けられ（図５参照）、その後このＭo層はエッチン
グにより２つの領域１１ａ及び１１ｂにおいて除去され
る（図６参照）。次いで、上記層９をマスクとして機能
させることによりスパッタ・エッチング処理を行い、主
層５に２つの凹部１５ａ及び１５ｂが形成される（図７
参照）。上記スパッタ・エッチングの後、前記層９の残
部は例えば湿式化学エッチングにより除去される。この
ようにして構成された主層５上には軟磁性材料の層１７
が設けられ（図８参照）、前記凹部１５ａ及び１５ｂが
完全に充填されて２つの磁束ガイド１７ａ及び１７ｂが
形成される。この実施例においては、上記層１７はFeNb
Si合金のスパッタ付着により形成される。スパッタリン
グ後に、この材料を磁界中で加熱することにより、磁気
的に軟らかく、機械的に堅く且つ耐摩耗性のある層が得
られる。FeNbSi合金の代わりに、CoZrNb合金、FeSiAl合
金叉はＮiＦe合金を使用することもできる。充填された
凹部１５ａ及び１５ｂを備える前記主層５は機械化学的
（mechanochemically）に研磨（polishing）されて略完
全に平坦で且つ滑らかな主面１９が形成されるが（図９
参照）、この面の一部は前記主層５の絶縁材料により形
成され、他の部分は前記磁束ガイド１７ａ及び１７ｂの
軟磁性材料により形成されることになる。
スパッタリングにより前記層５ａ及び該層上の巻線７上
に設けられる（図４参照）。層５ａ及び５ｂは、一緒に
なって、非磁性材料の比較的厚い主層５を構成すること
になる。この実施例においては、上記層５の厚さは１．
１μｍである。支持体として機能する基板１上に設けら
れた主層５上には、例えばスパッタ付着によりＭo層９
が設けられ（図５参照）、その後このＭo層はエッチン
グにより２つの領域１１ａ及び１１ｂにおいて除去され
る（図６参照）。次いで、上記層９をマスクとして機能
させることによりスパッタ・エッチング処理を行い、主
層５に２つの凹部１５ａ及び１５ｂが形成される（図７
参照）。上記スパッタ・エッチングの後、前記層９の残
部は例えば湿式化学エッチングにより除去される。この
ようにして構成された主層５上には軟磁性材料の層１７
が設けられ（図８参照）、前記凹部１５ａ及び１５ｂが
完全に充填されて２つの磁束ガイド１７ａ及び１７ｂが
形成される。この実施例においては、上記層１７はFeNb
Si合金のスパッタ付着により形成される。スパッタリン
グ後に、この材料を磁界中で加熱することにより、磁気
的に軟らかく、機械的に堅く且つ耐摩耗性のある層が得
られる。FeNbSi合金の代わりに、CoZrNb合金、FeSiAl合
金叉はＮiＦe合金を使用することもできる。充填された
凹部１５ａ及び１５ｂを備える前記主層５は機械化学的
（mechanochemically）に研磨（polishing）されて略完
全に平坦で且つ滑らかな主面１９が形成されるが（図９
参照）、この面の一部は前記主層５の絶縁材料により形
成され、他の部分は前記磁束ガイド１７ａ及び１７ｂの
軟磁性材料により形成されることになる。
【００４３】文献においては摩擦化学研磨（tribo-chem
ical polishing）とも呼ばれる機械化学的研磨は、本実
施例においてはアルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド
懸濁を用いて実現される。
ical polishing）とも呼ばれる機械化学的研磨は、本実
施例においてはアルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド
懸濁を用いて実現される。
【００４４】上述したような方法で得られた平坦な欠陥
のない主面１９上には、非磁性で電気的に絶縁な材料の
薄いスペーサ層２１が設けられる（図１０参照）。本実
施例では、この目的のために酸化ジルコニウムがスパッ
タされる。次いで、上記層２１上には磁気抵抗材料の層
２３ａが設けられるが、この目的のため本実施例ではＮ
iＦeの合金がスパッタされる（図１１参照）。この層２
３ａは、次いで、フォトレジストマスクとエッチングと
により構造化され、ＭＲ素子２３が形成される（図１２
参照）。このＭＲ素子２３上には例えばＡu等の電気的
導伝材料の層２５ａが設けられるが（図１３参照）、こ
の層はフォトレジストマスクとエッチングとにより構造
化され、床屋ポールのような構造の均電位条片２５を形
成すると共に当該ＭＲ素子を図示せぬ測定装置に電気的
に接続するための電気的導伝性条片２５ｂを形成する
（図１４参照）。次いで、例えば酸化ジルコニウムの絶
縁層２７が例えばスパッタ付着により設けられる（図１
５参照）。この絶縁層には電気的接続部を設けるために
前記導電条片２５ｂ迄延びる開口２９がエッチングによ
り形成され、その後例えばBaTiO3叉はCaTiO3等の保護用
カウンタブロック３１が例えば接着により固定される
（図１６参照）。この場合、前記層２７は機械的研磨叉
はラッピングにより前もって所望の厚さに平坦化するこ
とができる。このようにして得られたユニットには、研
削（grinding）及び／叉はラッピング等の作業により、
特に磁気テープ等の磁気記録媒体と共働するヘッド面２
３が設けられる。
のない主面１９上には、非磁性で電気的に絶縁な材料の
薄いスペーサ層２１が設けられる（図１０参照）。本実
施例では、この目的のために酸化ジルコニウムがスパッ
タされる。次いで、上記層２１上には磁気抵抗材料の層
２３ａが設けられるが、この目的のため本実施例ではＮ
iＦeの合金がスパッタされる（図１１参照）。この層２
３ａは、次いで、フォトレジストマスクとエッチングと
により構造化され、ＭＲ素子２３が形成される（図１２
参照）。このＭＲ素子２３上には例えばＡu等の電気的
導伝材料の層２５ａが設けられるが（図１３参照）、こ
の層はフォトレジストマスクとエッチングとにより構造
化され、床屋ポールのような構造の均電位条片２５を形
成すると共に当該ＭＲ素子を図示せぬ測定装置に電気的
に接続するための電気的導伝性条片２５ｂを形成する
（図１４参照）。次いで、例えば酸化ジルコニウムの絶
縁層２７が例えばスパッタ付着により設けられる（図１
５参照）。この絶縁層には電気的接続部を設けるために
前記導電条片２５ｂ迄延びる開口２９がエッチングによ
り形成され、その後例えばBaTiO3叉はCaTiO3等の保護用
カウンタブロック３１が例えば接着により固定される
（図１６参照）。この場合、前記層２７は機械的研磨叉
はラッピングにより前もって所望の厚さに平坦化するこ
とができる。このようにして得られたユニットには、研
削（grinding）及び／叉はラッピング等の作業により、
特に磁気テープ等の磁気記録媒体と共働するヘッド面２
３が設けられる。
【００４５】図１６に示した本発明による薄膜磁気ヘッ
ドにおける磁束ガイド１７ａ及び１７ｂの軟磁性材料
を、特にＭnＺnフェライト、ＮiＺnフェライト叉はＦe2
Ｏ3フェライト等の電気的導伝性のない叉は電気的導伝
性の劣る軟磁性材料に置換する場合は、前記ＭＲ素子２
３を直接前記主面１９上に設けることができる。結果と
して、前記絶縁層２１は不要となり、ＭＲ素子２３を磁
束ガイド１７ａ及び１７ｂと磁気的に直に接触させるこ
とができる。
ドにおける磁束ガイド１７ａ及び１７ｂの軟磁性材料
を、特にＭnＺnフェライト、ＮiＺnフェライト叉はＦe2
Ｏ3フェライト等の電気的導伝性のない叉は電気的導伝
性の劣る軟磁性材料に置換する場合は、前記ＭＲ素子２
３を直接前記主面１９上に設けることができる。結果と
して、前記絶縁層２１は不要となり、ＭＲ素子２３を磁
束ガイド１７ａ及び１７ｂと磁気的に直に接触させるこ
とができる。
【００４６】次に、本発明による方法の第２の実施例を
図１７ないし図２８を参照して説明する。この実施例に
よる方法は好ましくはフェライト製の板状基体101から
開始し（図１７参照）、この基板は２つの平行な基板面
102a及び102bを形成するために両側が例えば機械的及び
／叉は機械化学的に研磨される（図１８参照）。これら
基板面のうちの一方（本実施例においては面102b）の面
上には、例えばPE CVDにより石英（quartz）の絶縁層10
4aが設けられる。この層104a上には、例えば主にＡuの
導電層106aが設けられる。この層106aは既知の技術によ
り構造化されて誘導変換素子、即ち巻線106が形成され
る（図１９参照）。次いで、絶縁層104bを形成するため
に石英が付着され（図２０参照）、そして上記２つの層
104a及び104bに開口108がエッチングにより形成される
（図２１参照）。次に、石英の比較的厚い絶縁層104cが
設けられる（図２２参照）。ここで、上記各層104a、10
4b及び104cは一緒になって非磁性材料のベース層104を
構成する。
図１７ないし図２８を参照して説明する。この実施例に
よる方法は好ましくはフェライト製の板状基体101から
開始し（図１７参照）、この基板は２つの平行な基板面
102a及び102bを形成するために両側が例えば機械的及び
／叉は機械化学的に研磨される（図１８参照）。これら
基板面のうちの一方（本実施例においては面102b）の面
上には、例えばPE CVDにより石英（quartz）の絶縁層10
4aが設けられる。この層104a上には、例えば主にＡuの
導電層106aが設けられる。この層106aは既知の技術によ
り構造化されて誘導変換素子、即ち巻線106が形成され
る（図１９参照）。次いで、絶縁層104bを形成するため
に石英が付着され（図２０参照）、そして上記２つの層
104a及び104bに開口108がエッチングにより形成される
（図２１参照）。次に、石英の比較的厚い絶縁層104cが
設けられる（図２２参照）。ここで、上記各層104a、10
4b及び104cは一緒になって非磁性材料のベース層104を
構成する。
【００４７】ベースとして機能する基板101上に設けら
れたベース層104上には例えばＭo等のマスク材料の層11
0が設けられ（図２３参照）、このマスク材料層を用い
てベース層104に開口102が形成される（図２５参照）。
この目的のために、上記層110上に先ずフォトレジスト
が付着されると共に構造化され、その後エッチングによ
り当該層110中に開口112を形成することによりマスクを
形成する（図２４参照）。次いで、ベース層104が上記
構造化層110をマスクとしてスパッタ・エッチングさ
れ、前記開口102が形成される。このスパッタ・エッチ
ングの後、層110の残部は湿式化学エッチングにより除
去される。このようにして構造化されたベース層104上
には例えばCoZrNb合金等の軟磁性材料の層114aが設けら
れ、この間に前記開口102が完全に充填される（図２６
参照）。この層114aは磁束ガイド素子114を形成するた
めに使用される。次いで、上記の充填された開口102を
備えるベース層104はＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液中のＳiＯ2
粒子の懸濁により機械化学的に研磨されるが、上記溶液
には１．０μｍ未満の平均粒径を持つダイヤモンド粒子
が傷のない平らなベース面116を形成するために添加さ
れる（図２７参照）。上記溶液中のダイヤモンド粒子の
濃度はリットル当たり１グラム未満である。このように
して形成された基板101、ベース層104及び誘導変換素子
106のアセンブリは、非磁性材料の主層105（図２８参
照）に対する支持体として使用される。
れたベース層104上には例えばＭo等のマスク材料の層11
0が設けられ（図２３参照）、このマスク材料層を用い
てベース層104に開口102が形成される（図２５参照）。
この目的のために、上記層110上に先ずフォトレジスト
が付着されると共に構造化され、その後エッチングによ
り当該層110中に開口112を形成することによりマスクを
形成する（図２４参照）。次いで、ベース層104が上記
構造化層110をマスクとしてスパッタ・エッチングさ
れ、前記開口102が形成される。このスパッタ・エッチ
ングの後、層110の残部は湿式化学エッチングにより除
去される。このようにして構造化されたベース層104上
には例えばCoZrNb合金等の軟磁性材料の層114aが設けら
れ、この間に前記開口102が完全に充填される（図２６
参照）。この層114aは磁束ガイド素子114を形成するた
めに使用される。次いで、上記の充填された開口102を
備えるベース層104はＫＯＨ叉はＮaＯＨ溶液中のＳiＯ2
粒子の懸濁により機械化学的に研磨されるが、上記溶液
には１．０μｍ未満の平均粒径を持つダイヤモンド粒子
が傷のない平らなベース面116を形成するために添加さ
れる（図２７参照）。上記溶液中のダイヤモンド粒子の
濃度はリットル当たり１グラム未満である。このように
して形成された基板101、ベース層104及び誘導変換素子
106のアセンブリは、非磁性材料の主層105（図２８参
照）に対する支持体として使用される。
【００４８】次に、本発明による方法の前記第１の実施
例に関して説明したのと同様の方法により、主層105中
に磁束ガイド117a及び117bが設けられる（図２８参
照）。この方法においては、主面119も機械化学研磨に
より形成され、その後ＭＲ素子123が設けられる。
例に関して説明したのと同様の方法により、主層105中
に磁束ガイド117a及び117bが設けられる（図２８参
照）。この方法においては、主面119も機械化学研磨に
より形成され、その後ＭＲ素子123が設けられる。
【００４９】本発明による方法の上記第２の実施例によ
り製造された薄膜磁気ヘッドが図２９に図示されてい
る。この磁気ヘッドはヘッド面118を有すると共に、非
磁性ベース層104が設けられたベースとして作用する基
板101を有している。上記ベース層104は、誘導変換素子
として作用する巻線106と前記ヘッド面118で終端する軟
磁性材料の磁束ガイド素子114とを有している。機械化
学的に研磨されたベース面116上には、ヘッド面118で終
端する後部磁束ガイド117aと前部磁束ガイド117bとを含
む非磁性主層105が設けられている。これら両磁束ガイ
ドは軟磁性材料から形成される。もし望むならば、バイ
アス巻線107が主層105中に延在してもよい。主層105は
機械化学的に研磨された主面119を有し、この面上には
薄い絶縁層が挿入された状態で、ＭＲ素子123が直に叉
は間接的に設けられている。カウンタブロック131が固
着される保護層が上記ＭＲ素子上に延在している。
り製造された薄膜磁気ヘッドが図２９に図示されてい
る。この磁気ヘッドはヘッド面118を有すると共に、非
磁性ベース層104が設けられたベースとして作用する基
板101を有している。上記ベース層104は、誘導変換素子
として作用する巻線106と前記ヘッド面118で終端する軟
磁性材料の磁束ガイド素子114とを有している。機械化
学的に研磨されたベース面116上には、ヘッド面118で終
端する後部磁束ガイド117aと前部磁束ガイド117bとを含
む非磁性主層105が設けられている。これら両磁束ガイ
ドは軟磁性材料から形成される。もし望むならば、バイ
アス巻線107が主層105中に延在してもよい。主層105は
機械化学的に研磨された主面119を有し、この面上には
薄い絶縁層が挿入された状態で、ＭＲ素子123が直に叉
は間接的に設けられている。カウンタブロック131が固
着される保護層が上記ＭＲ素子上に延在している。
【００５０】ここで、本発明は上述した実施例のみに限
定されるものではないことに注意されたい。例えば、本
発明の範囲内において前記軟磁性層114aをエッチングに
より構造化して磁束ガイド素子114を形成することも可
能である。また、前記主層には酸化ジルコニウムに代え
て石英を用いてもよく、また前記ベース層には石英に代
えて酸化ジルコニウムを用いてもよい。
定されるものではないことに注意されたい。例えば、本
発明の範囲内において前記軟磁性層114aをエッチングに
より構造化して磁束ガイド素子114を形成することも可
能である。また、前記主層には酸化ジルコニウムに代え
て石英を用いてもよく、また前記ベース層には石英に代
えて酸化ジルコニウムを用いてもよい。
【図１】 図１は本発明による薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法の第１の実施例の最初の工程を説明するための基
板の断面図、
る方法の第１の実施例の最初の工程を説明するための基
板の断面図、
【図２】 図２は同実施例における図１に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図３】 図３は同実施例における図２に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図４】 図４は同実施例における図３に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図５】 図５は同実施例における図４に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図６】 図６は同実施例における図５に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図７】 図７は同実施例における図６に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図８】 図８は同実施例における図７に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図９】 図９は同実施例における図８に示す工程の次
の工程を示す断面図、
の工程を示す断面図、
【図１０】 図１０は同実施例における図９に示す工程
の次の工程を示す断面図、
の次の工程を示す断面図、
【図１１】 図１１は同実施例における図１０に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１２】 図１２は同実施例における図１１に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１３】 図１３は同実施例における図１２に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１４】 図１４は同実施例における図１３に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１５】 図１５は同実施例における図１４に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１６】 図１６は同実施例により製造された薄膜磁
気ヘッドの断面図、
気ヘッドの断面図、
【図１７】 図１７は本発明による薄膜磁気ヘッドを製
造する方法の第２の実施例の最初の工程を説明するため
の基板の断面図、
造する方法の第２の実施例の最初の工程を説明するため
の基板の断面図、
【図１８】 図１８は同実施例における図１７に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図１９】 図１９は同実施例における図１８に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２０】 図２０は同実施例における図１９に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２１】 図２１は同実施例における図２０に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２２】 図２２は同実施例における図２１に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２３】 図２３は同実施例における図２２に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２４】 図２４は同実施例における図２３に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２５】 図２５は同実施例における図２４に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２６】 図２６は同実施例における図２５に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２７】 図２７は同実施例における図２６に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２８】 図２８は同実施例における図２７に示す工
程の次の工程を示す断面図、
程の次の工程を示す断面図、
【図２９】 図２９は同実施例により製造された薄膜磁
気ヘッドの断面図である。
気ヘッドの断面図である。
１…基板、 ５…主層、７…巻線、
17a、17b…磁束ガイド、１９…主面、
２１…スペーサ層、２３…磁気抵抗素
子、 ２５…均電位条片。
17a、17b…磁束ガイド、１９…主面、
２１…スペーサ層、２３…磁気抵抗素
子、 ２５…均電位条片。
フロントページの続き (72)発明者 ヘンリカス ゴデフリダス ラファエル マース オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ヤン ハイスマ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ヤコブス ヨセフス マリア ルイグロッ ク オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ゲラルドゥス ヘンリカス ヨハヌス ソ マース オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (25)
- 【請求項１】 磁気抵抗素子と少なくとも１個の磁束ガ
イドとを有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であっ
て、該製造方法が支持体から開始されるような方法にお
いて、 前記支持体上には非磁性材料の主層が形成され、この主
層には前記支持体から遠い側から材料を除去することに
より凹部が形成され、次いでこの凹部に軟磁性材料を充
填して前記磁束ガイドを形成し、その後前記の充填され
た凹部を備える前記主層が機械化学的に研磨されて主面
が形成され、次いでこの主面に磁気抵抗材料の層を設け
ることにより前記磁気抵抗素子を形成するようにしたこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、板状の
基板が前記支持体として使用され、該基板には機械的及
び／叉は機械化学的な研磨により２つの平行な基板面が
設けられ、その後これら基板面の一方の面上に前記主層
が形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法。 - 【請求項３】 請求項１叉は請求項２に記載の方法にお
いて、前記支持体がフェライト等の軟磁性材料から形成
されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方
法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の方法において、前記支
持体が、ベースと該ベース上に設けられる非磁性材料の
ベース層とから構築されると共にこのベース層中に誘導
変換素子と磁束ガイド素子とが設けられているようなア
センブリから形成され、その後該アセンブリは機械化学
的に研磨されて前記主層を設けるためのベース面が形成
されるようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製
造する方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の方法において、板状体
が前記ベースとして使用され、この板状体には機械的及
び／叉は機械化学的な研磨により２つの平行な面が設け
られ、その後これら面の一方上に前記ベース層が形成さ
れることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項６】 請求項４叉は請求項５に記載の方法にお
いて、前記ベースがフェライト等の軟磁性材料から形成
されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する
方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし請求項６の何れか一項に
記載の方法において、前記主層が酸化ジルコニウムから
形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する
方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項６の何れか一項に
記載の方法において、前記主層が石英から形成されるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項８の何れか一項に
記載の方法において、前記主層における前記凹部がエッ
チングにより形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドを製造する方法。 - 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９の何れか一項
に記載の方法において、磁気抵抗材料の前記層が上に設
けられる非磁性の電気的に絶縁な材料のスペーサ層が機
械化学的研磨により得られた前記主面上に形成されるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の方法において、前
記軟磁性材料としてCoZrNb合金、FeNbSi合金、FeSiAl合
金及びＮiＦe合金からなる群から選択された合金が使用
されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方
法。 - 【請求項１２】 請求項１ないし請求項１０の何れか一
項に記載の方法において、前記軟磁性材料としてフェラ
イトが使用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製
造する方法。 - 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１２の何れか一
項に記載の方法において、ＮiＦe合金が前記軟磁性材料
として使用されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製
造する方法。 - 【請求項１４】 請求項４、請求項５叉は請求項６に記
載の方法において、前記ベース層が酸化ジルコニウムか
ら形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法。 - 【請求項１５】 請求項４、請求項５叉は請求項６に記
載の方法において、前記ベース層が石英から形成される
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１６】 請求項４、５、６、１４叉は１５に記
載の方法において、前記ベース層にエッチングにより開
口が設けられ、次いでこの開口が前記磁束ガイド素子を
形成するために軟磁性材料で充填されることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１７】 請求項１ないし請求項１６の何れか一
項に記載の方法において、前記機械化学的研磨処理がア
ルカリ溶液中のＳiＯ2粒子のコロイド懸濁を用いてなさ
れることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項１８】 請求項１ないし請求項１６の何れか一
項に記載の方法において、前記機械化学的研磨は粒子が
存在するコロイドＳiＯ2溶液を含む機械化学的研磨剤を
用いてなされることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造
する方法。 - 【請求項１９】 請求項１８に記載の方法において、前
記ＳiＯ2溶液としてアルカリ性溶液が使用されることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２０】 請求項１８叉は請求項１９に記載の方
法において、前記前記粒子が１．０μｍ未満の平均粒径
とＳiＯ2の硬度より高い硬度とを持つことを特徴とする
薄膜ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２１】 請求項１８、請求項１９叉は請求項２
０に記載の方法において、前記粒子としてダイヤモンド
粒子が使用されることを特徴とする薄膜ヘッドを製造す
る方法。 - 【請求項２２】 請求項１８、１９、２０叉は２１に記
載の方法において、前記コロイド溶液における粒子の濃
度がリットル当たり１グラム未満であることを特徴とす
る薄膜ヘッドを製造する方法。 - 【請求項２３】 請求項１ないし請求項２２の何れか一
項に記載の方法により製造された薄膜磁気ヘッドにおい
て、磁気記録媒体と共働するヘッド面を有し、軟磁性材
料の前記磁束ガイドが非磁性材料の前記主層中に延在す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２４】 請求項２３に記載の薄膜磁気ヘッドに
おいて、前記磁束ガイドから離隔された軟磁性材料の他
の磁束ガイドが非磁性材料の前記主層中に延在し、これ
ら磁束ガイドの一方が前記ヘッド面で終端し、前記機械
化学的に研磨された主層に対向して位置される前記磁気
抵抗素子によりスペースがブリッジされていることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２５】 請求項１ないし請求項２２の何れか一
項に記載の方法により製造されると共にヘッド面を有す
る薄膜磁気ヘッドにおいて、前記支持体上に非磁性材料
の前記主層が延在し、該主層は前記支持体から遠い側に
軟磁性材料の前記磁束ガイドを収容する少なくとも１個
の凹部を有し、前記主層及び前記磁束ガイドが前記側に
おいて機械化学的研磨により得られる前記主面を形成
し、該主面に前記磁気抵抗素子が設けられていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
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| US5640753A (en) * | 1994-03-03 | 1997-06-24 | Seagate Technology, Inc. | Method of fabricating an inverted magnetoresistive head |
| JPH10501092A (ja) * | 1995-03-24 | 1998-01-27 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気ヘッドと測定装置と電流装置を具えた磁気装置 |
| US6183891B1 (en) | 1996-12-18 | 2001-02-06 | Onstream, Inc. | Magnetic head and method of manufacture |
| TW369649B (en) * | 1997-02-20 | 1999-09-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Single-channel magnetoresistive magnetic head and device including such a magnetic head |
| US6747854B1 (en) | 1997-02-20 | 2004-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-channel magnetic head with magnetoresistive elements |
| US5890278A (en) * | 1997-04-01 | 1999-04-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a magnetic head having a structure of layers |
| US5936801A (en) * | 1997-04-04 | 1999-08-10 | Seagate Technology, Inc. | Head slider with partially recessed magnetoresistive element |
| US5991119A (en) | 1997-11-03 | 1999-11-23 | Seagate Technology, Inc. | Proximity head slider having recessed magnetoresistive read transducer |
| US6137661A (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-24 | Read-Rite Corporation | System for providing a magnetoresistive head having higher efficiency |
| JP2002531912A (ja) | 1998-12-03 | 2002-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 積層組立体の形成方法 |
| US6554878B1 (en) | 1999-06-14 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Slurry for multi-material chemical mechanical polishing |
| US6131271A (en) * | 1999-06-25 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Method of planarizing first pole piece layer of write head by lapping without delamination of first pole piece layer from wafer substrate |
| US6433958B1 (en) * | 1999-07-27 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head, method for producing the same, video recording and reproduction apparatus including the magnetic head, and video camera including the magnetic head |
| US6510030B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-01-21 | Seagate Technology, Llc | Transducing head and method for forming a recessed shield for a transducing head |
| US6291351B1 (en) | 2000-06-28 | 2001-09-18 | International Business Machines Corporation | Endpoint detection in chemical-mechanical polishing of cloisonne structures |
| US6712985B2 (en) | 2001-07-03 | 2004-03-30 | Hitachi Global Storage Technologies | Method and apparatus for the manufacture of thin film magnetic transducers using a compliant, soft lapping process |
| JP2003317214A (ja) | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの下部シールド層の形成方法 |
| US7650697B2 (en) * | 2004-06-01 | 2010-01-26 | Nidec Corporation | Methods of manufacturing fluid-dynamic-pressure bearing and spindle motor incorporating the bearing, and spindle motor and recording-disk drive incorporating the bearing |
| US20060002023A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Quang Le | Magnetic head having a deposited second magnetic shield and fabrication method therefor |
| US20060025053A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Marie-Claire Cyrille | Method for fabricating a magnetic transducer using a slurry with spherical particles for CMP-assisted photoresist lift-off |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4052748A (en) * | 1974-04-01 | 1977-10-04 | U.S. Philips Corporation | Magnetoresistive magnetic head |
| JPS59152521A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型多素子磁気ヘツド |
| JPS60177420A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | Nec Corp | 複合型薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPS6292219A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘツド |
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| JPH01289224A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド用基板及びその製造方法 |
| JPH02154309A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-13 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
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| JPH04351706A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| DE69213837T2 (de) * | 1991-06-18 | 1997-03-13 | Philips Electronics Nv | Dünnfilm-Lese-/Schreibkopf ohne Pol-Umgreifeffekt |
| EP0579298B1 (en) * | 1992-06-15 | 1997-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a plate having a plane main surface, method of manufacturing a plate having parallel main surfaces, and device suitable for implementing said methods |
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