JPH06282824A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06282824A JPH06282824A JP5299840A JP29984093A JPH06282824A JP H06282824 A JPH06282824 A JP H06282824A JP 5299840 A JP5299840 A JP 5299840A JP 29984093 A JP29984093 A JP 29984093A JP H06282824 A JPH06282824 A JP H06282824A
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- magnetic flux
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドの効率を上げる。
【構成】 薄膜磁気ヘッドはヘッド面103 を有し、ヘッ
ド面103 と直交する方向に延在する磁気抵抗素子109
と、ヘッド面103 中で終端する透磁性材料の磁束ガイド
素子107 とを具える。ヘッド面103 に平行に延在する磁
気抵抗素子109 の周辺区域109aが、磁気抵抗素子109 と
磁束ガイド素子107 との間で磁気的に接続を形成する磁
束ガイド素子107 と対向して位置する。磁束ガイド素子
107 及び磁気抵抗素子109 の周辺領域109aは共通の磁気
接触面111 を構成し、磁束ガイド素子107 の透磁性材料
を電気的絶縁性とした。
ド面103 と直交する方向に延在する磁気抵抗素子109
と、ヘッド面103 中で終端する透磁性材料の磁束ガイド
素子107 とを具える。ヘッド面103 に平行に延在する磁
気抵抗素子109 の周辺区域109aが、磁気抵抗素子109 と
磁束ガイド素子107 との間で磁気的に接続を形成する磁
束ガイド素子107 と対向して位置する。磁束ガイド素子
107 及び磁気抵抗素子109 の周辺領域109aは共通の磁気
接触面111 を構成し、磁束ガイド素子107 の透磁性材料
を電気的絶縁性とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ヘッド面を有し、この
ヘッド面と直交する方向に延在する磁気抵抗素子と、前
記磁気ヘッド中にて終端する透磁性材料の磁束ガイド素
子とを具え、前記磁気抵抗素子の周辺区域が、前記ヘッ
ド面に平行に延在するとともに前記磁束ガイド素子と対
向して位置して前記磁気抵抗素子と前記磁束ガイド素子
との間で磁気接続を形成する薄膜磁気ヘッドに関するも
のである。
ヘッド面と直交する方向に延在する磁気抵抗素子と、前
記磁気ヘッド中にて終端する透磁性材料の磁束ガイド素
子とを具え、前記磁気抵抗素子の周辺区域が、前記ヘッ
ド面に平行に延在するとともに前記磁束ガイド素子と対
向して位置して前記磁気抵抗素子と前記磁束ガイド素子
との間で磁気接続を形成する薄膜磁気ヘッドに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】このタイプの磁気ヘッドは米国特許明細
書第4,425,593 号（特開昭54-143612号公報、特公昭57-
49965号公報）から既知である。この既知の磁気ヘッド
は、磁気ヘッドに関して移動する磁気記録媒体特に磁気
テープの情報を表す磁界を検出するために用いられる読
出しヘッドである。この磁気ヘッドは、２個の整列され
た層形状のニッケル−鉄合金の磁束ガイドとともに磁気
ヨークを構成するフェライト基板を具える。この磁気ヘ
ッドは、等電位細条を設けた細長形で層形状の磁気抵抗
素子（MR素子）も具え、このMR素子は対向する２個の端
部に接触面を有するとともに、磁化容易軸がMR素子の長
手方向軸線に少なくともほぼ一致するような磁気異方性
を有する。このMR素子は、磁束ガイドの間に設けた間隙
がMR素子によって橋絡されているような磁気ヨーク内に
位置する。この磁束ガイドは、長手方向軸線に平行に延
在するMR素子の対向する周辺区域が存在する表面端部を
有する。水晶絶縁層が、フェライト基板と導電MR素子と
の間及び導電MR素子と導電磁束ガイドとの間に延在す
る。この既知の磁気ヘッドではこのように、非磁性材料
がMR素子の周辺区域及び磁束ガイドの表面端部によって
構成された重畳領域に存在する。
書第4,425,593 号（特開昭54-143612号公報、特公昭57-
49965号公報）から既知である。この既知の磁気ヘッド
は、磁気ヘッドに関して移動する磁気記録媒体特に磁気
テープの情報を表す磁界を検出するために用いられる読
出しヘッドである。この磁気ヘッドは、２個の整列され
た層形状のニッケル−鉄合金の磁束ガイドとともに磁気
ヨークを構成するフェライト基板を具える。この磁気ヘ
ッドは、等電位細条を設けた細長形で層形状の磁気抵抗
素子（MR素子）も具え、このMR素子は対向する２個の端
部に接触面を有するとともに、磁化容易軸がMR素子の長
手方向軸線に少なくともほぼ一致するような磁気異方性
を有する。このMR素子は、磁束ガイドの間に設けた間隙
がMR素子によって橋絡されているような磁気ヨーク内に
位置する。この磁束ガイドは、長手方向軸線に平行に延
在するMR素子の対向する周辺区域が存在する表面端部を
有する。水晶絶縁層が、フェライト基板と導電MR素子と
の間及び導電MR素子と導電磁束ガイドとの間に延在す
る。この既知の磁気ヘッドではこのように、非磁性材料
がMR素子の周辺区域及び磁束ガイドの表面端部によって
構成された重畳領域に存在する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この既知の磁気ヘッド
の欠点は、MR素子の周辺区域と磁束ガイドの表面端部と
の間に非磁性材料が存在するために、磁気記録媒体から
発生する磁束のごく一部のみが実際にMR素子を通過す
る。換言すれば、この既知の磁気ヘッドは低効率であ
る。
の欠点は、MR素子の周辺区域と磁束ガイドの表面端部と
の間に非磁性材料が存在するために、磁気記録媒体から
発生する磁束のごく一部のみが実際にMR素子を通過す
る。換言すれば、この既知の磁気ヘッドは低効率であ
る。
【０００４】本発明の目的は、上述した磁気ヘッドの効
率を上げることである。
率を上げることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このために、本発明の磁
気ヘッドは前記磁気抵抗素子の周辺区域及び磁束ガイド
素子が共通の磁気接触面を構成し、前記磁束ガイド素子
の透磁性材料を電気的絶縁性としたことを特徴とするも
のである。その結果本発明の薄膜磁気ヘッドでは、MR素
子の周辺部を磁束ガイド素子の端部に直接接触させるす
なわち中間層を有さない電気的な絶縁材料の磁束ガイド
素子を用いる。したがってMR素子と磁束ガイド素子との
間で直接磁気結合が形成され、高効率となる。既知の磁
気ヘッドの効率に比べて３倍の効率の増大が実現できる
ことが確認された。既知の磁気ヘッドと同様に、本発明
の薄膜磁気ヘッドのMR素子は接触面を有する。
気ヘッドは前記磁気抵抗素子の周辺区域及び磁束ガイド
素子が共通の磁気接触面を構成し、前記磁束ガイド素子
の透磁性材料を電気的絶縁性としたことを特徴とするも
のである。その結果本発明の薄膜磁気ヘッドでは、MR素
子の周辺部を磁束ガイド素子の端部に直接接触させるす
なわち中間層を有さない電気的な絶縁材料の磁束ガイド
素子を用いる。したがってMR素子と磁束ガイド素子との
間で直接磁気結合が形成され、高効率となる。既知の磁
気ヘッドの効率に比べて３倍の効率の増大が実現できる
ことが確認された。既知の磁気ヘッドと同様に、本発明
の薄膜磁気ヘッドのMR素子は接触面を有する。
【０００６】磁束ガイド素子の透磁性材料の要求される
抵抗率は、MR素子と磁束ガイド素子との間が直接接続し
ているために、MR素子の接触面間の起こりうる抵抗の増
減から発生した許容される感度の損失によってほぼ決定
される。これに関し、前記磁束ガイド素子の材料を酸化
軟磁性材料とする場合非常に良好な結果を得ることがで
きることが確認された。例えば、電気的に絶縁するFe3O
4 フェライトが磁束ガイド素子用材料として用いるのに
好適である。この結果MR素子の接触面間の抵抗の減少が
少なくなるのは事実であるが、寸法を適切に選択する場
合にはこのような減少によって不所望な感度の損失が発
生するおそれがない。しかしながら、本発明の薄膜磁気
ヘッドの好適実施例は前記酸化軟磁性材料をMnZnフェラ
イト又はNiZnフェライトとしたことを特徴とするもので
ある。これらのフェライトは、磁束ガイド素子がMR素子
と電気的に接続していることに起因する感度の損失が実
際には観測されない程度の高感度を有する。
抵抗率は、MR素子と磁束ガイド素子との間が直接接続し
ているために、MR素子の接触面間の起こりうる抵抗の増
減から発生した許容される感度の損失によってほぼ決定
される。これに関し、前記磁束ガイド素子の材料を酸化
軟磁性材料とする場合非常に良好な結果を得ることがで
きることが確認された。例えば、電気的に絶縁するFe3O
4 フェライトが磁束ガイド素子用材料として用いるのに
好適である。この結果MR素子の接触面間の抵抗の減少が
少なくなるのは事実であるが、寸法を適切に選択する場
合にはこのような減少によって不所望な感度の損失が発
生するおそれがない。しかしながら、本発明の薄膜磁気
ヘッドの好適実施例は前記酸化軟磁性材料をMnZnフェラ
イト又はNiZnフェライトとしたことを特徴とするもので
ある。これらのフェライトは、磁束ガイド素子がMR素子
と電気的に接続していることに起因する感度の損失が実
際には観測されない程度の高感度を有する。
【０００７】フェライトの磁束ガイド素子を設けた本発
明の薄膜磁気ヘッドは、ヘッド面の腐食及び耐性が金属
製の磁束ガイドを設けた既知の磁気ヘッドのヘッド面と
比べた場合改善されているという別の利点を有する。
明の薄膜磁気ヘッドは、ヘッド面の腐食及び耐性が金属
製の磁束ガイドを設けた既知の磁気ヘッドのヘッド面と
比べた場合改善されているという別の利点を有する。
【０００８】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例は前記
酸化軟磁性材料をガーネットとすることを特徴とするも
のである。ガーネットは磁束導体として用いるのに非常
に適した材料の群を構成する。ガーネットは好適な構造
的及び電気的な特性を有し、同時に磁気的な特性を磁気
異方性を減少させる不純物を付加することにより調整す
ることができる。ガーネットの化学的な特性により、適
切な酸素状態の合成物を薄膜形態で堆積することが容易
となる。好適な材料は、IEEE Transaction onMagnetics
(Vol.Mag.6,no.3,Sept.1970,Nicolas et al のp608〜6
10)に記載されたCo/Si をドープしたYIG(Y3Fe5O12) で
あり、この材料は少なくとも500 の透磁率を有する。例
えばJournal of Magnetism and Magnetic Materials 12
5 (1993)のL23 〜28 (Pascard et al)に記載された他の
ドープされたガーネットも好適である。
酸化軟磁性材料をガーネットとすることを特徴とするも
のである。ガーネットは磁束導体として用いるのに非常
に適した材料の群を構成する。ガーネットは好適な構造
的及び電気的な特性を有し、同時に磁気的な特性を磁気
異方性を減少させる不純物を付加することにより調整す
ることができる。ガーネットの化学的な特性により、適
切な酸素状態の合成物を薄膜形態で堆積することが容易
となる。好適な材料は、IEEE Transaction onMagnetics
(Vol.Mag.6,no.3,Sept.1970,Nicolas et al のp608〜6
10)に記載されたCo/Si をドープしたYIG(Y3Fe5O12) で
あり、この材料は少なくとも500 の透磁率を有する。例
えばJournal of Magnetism and Magnetic Materials 12
5 (1993)のL23 〜28 (Pascard et al)に記載された他の
ドープされたガーネットも好適である。
【０００９】本発明の磁気ヘッドの一実施例は、前記磁
気抵抗素子が前記ヘッド面中で終端し、前記磁束ガイド
素子を前記基板によって形成したことを特徴とするもの
である。本実施例においてMR素子を、好ましくはMnZnフ
ェライト又はNiZnフェライトを含む基板に直接設ける。
本実施例でも、磁気的損失及び電気的損失が小さい。
気抵抗素子が前記ヘッド面中で終端し、前記磁束ガイド
素子を前記基板によって形成したことを特徴とするもの
である。本実施例においてMR素子を、好ましくはMnZnフ
ェライト又はNiZnフェライトを含む基板に直接設ける。
本実施例でも、磁気的損失及び電気的損失が小さい。
【００１０】十分な効率及び少なくとも理想的、実際に
使用可能な感度を有する本発明の磁気ヘッドの一実施例
は、前記磁束ガイド素子の透磁性材料が、ｃを1/3 より
大きい数値とし、ρf を磁束ガイド素子の材料の抵抗率
とし、ρm を磁気抵抗素子の材料の抵抗率とし、ｔ1 を
磁気抵抗素子断面の磁束ガイド素子の厚さとし、ｔmを
磁気抵抗素子の厚さとし、ｈ1 をヘッド面から見た磁束
ガイド素子の高さとし、ｂをヘッド面断面の磁気抵抗素
子の幅としたときに、
使用可能な感度を有する本発明の磁気ヘッドの一実施例
は、前記磁束ガイド素子の透磁性材料が、ｃを1/3 より
大きい数値とし、ρf を磁束ガイド素子の材料の抵抗率
とし、ρm を磁気抵抗素子の材料の抵抗率とし、ｔ1 を
磁気抵抗素子断面の磁束ガイド素子の厚さとし、ｔmを
磁気抵抗素子の厚さとし、ｈ1 をヘッド面から見た磁束
ガイド素子の高さとし、ｂをヘッド面断面の磁気抵抗素
子の幅としたときに、
【数３】 を満たすことを特徴とするものである。
【００１１】上述した実施例の変更例は、前記磁気抵抗
素子が、前記周辺区域に対向し、かつ、透磁性材料の別
の磁束ガイド素子に対向する別の周辺区域を有する請求
項１，２，３又は４記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記磁気抵抗素子の別の周辺区域及び前記別の磁束ガイド
部分が別の共通の磁気接触面を構成し、前記磁束ガイド
素子及び別の磁束ガイド素子が、ｃを1/3 より大きい数
値とし、ρf を透磁性材料の抵抗率とし、ρm を磁気抵
抗素子の材料の抵抗率とし、ｔ1 及びｔ2 を磁気抵抗素
子断面の磁束ガイド素子及び他の磁束ガイド素子それぞ
れの厚さとし、ｈ1 をヘッド面から見、測定した磁束ガ
イド素子の高さとし、ｈ2 をヘッド面から見、磁気抵抗
素子から測定した別の磁束ガイド素子の高さ又はヘッド
面に平行に測定した別の磁束ガイド素子の幅が別の磁束
ガイド素子の高さより小さい場合にはその幅とし、ｂを
ヘッド面に垂直に見た磁気抵抗素子の幅としたときに、
素子が、前記周辺区域に対向し、かつ、透磁性材料の別
の磁束ガイド素子に対向する別の周辺区域を有する請求
項１，２，３又は４記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前
記磁気抵抗素子の別の周辺区域及び前記別の磁束ガイド
部分が別の共通の磁気接触面を構成し、前記磁束ガイド
素子及び別の磁束ガイド素子が、ｃを1/3 より大きい数
値とし、ρf を透磁性材料の抵抗率とし、ρm を磁気抵
抗素子の材料の抵抗率とし、ｔ1 及びｔ2 を磁気抵抗素
子断面の磁束ガイド素子及び他の磁束ガイド素子それぞ
れの厚さとし、ｈ1 をヘッド面から見、測定した磁束ガ
イド素子の高さとし、ｈ2 をヘッド面から見、磁気抵抗
素子から測定した別の磁束ガイド素子の高さ又はヘッド
面に平行に測定した別の磁束ガイド素子の幅が別の磁束
ガイド素子の高さより小さい場合にはその幅とし、ｂを
ヘッド面に垂直に見た磁気抵抗素子の幅としたときに、
【数４】 を満たすことを特徴とするものである。
【００１２】高効率及び優れた感度を有する本発明の磁
気ヘッドの一実施例は前記数値ｃを３より大きい数値と
することを特徴とするものである。
気ヘッドの一実施例は前記数値ｃを３より大きい数値と
することを特徴とするものである。
【００１３】本発明はまた、本発明の磁気ヘッドの製造
方法に関するものである。本発明の目的は、工程数の少
ない製造方法を提供することである。
方法に関するものである。本発明の目的は、工程数の少
ない製造方法を提供することである。
【００１４】本発明による製造方法は、前記磁気抵抗素
子及び磁束ガイド素子を設けた薄膜構造体を形成するに
際し、前記磁束ガイド素子を形成する酸化軟磁性材料を
形成し、平坦にされた中間構造体を形成し、その後前記
磁気抵抗素子の周辺区域を形成する層の部分を、前記軟
磁性材料の平坦部分に直接堆積することを特徴とするも
のである。この薄膜構造体を基板好ましくはフェライト
基板に設けることができる。この酸化軟磁性材料を、ス
パッタ、金属有機化学蒸着(MOCVD) 又はレーザアブレー
ションのような既知の技術によって設けることができ
る。フェライト好ましくはMnZnフェライト若しくはNiZn
フェライト又はガーネット例えばCo/Si をドープしたYI
G を、酸化軟磁性材料として好適に用いることができ
る。
子及び磁束ガイド素子を設けた薄膜構造体を形成するに
際し、前記磁束ガイド素子を形成する酸化軟磁性材料を
形成し、平坦にされた中間構造体を形成し、その後前記
磁気抵抗素子の周辺区域を形成する層の部分を、前記軟
磁性材料の平坦部分に直接堆積することを特徴とするも
のである。この薄膜構造体を基板好ましくはフェライト
基板に設けることができる。この酸化軟磁性材料を、ス
パッタ、金属有機化学蒸着(MOCVD) 又はレーザアブレー
ションのような既知の技術によって設けることができ
る。フェライト好ましくはMnZnフェライト若しくはNiZn
フェライト又はガーネット例えばCo/Si をドープしたYI
G を、酸化軟磁性材料として好適に用いることができ
る。
【００１５】磁気抵抗素子の機械的な圧力を抑制する本
発明による磁気ヘッドの製造方法の実施例は、前記磁気
抵抗素子を形成した後、前記磁気抵抗素子に合成樹脂の
層を設けることを特徴とするものである。
発明による磁気ヘッドの製造方法の実施例は、前記磁気
抵抗素子を形成した後、前記磁気抵抗素子に合成樹脂の
層を設けることを特徴とするものである。
【００１６】
【実施例】以下説明する実施例は線図的であり、図面は
任意の寸法で描かれ、常に互いに一致するとは限らな
い。図１に示す本発明の薄膜磁気ヘッドはヘッド面３を
有し、このヘッド面３に沿って又はヘッド面３を横切っ
て磁気記録媒体特に磁気テープを例えば方向Ａに案内す
ることができる。磁気ヘッド１はフェライト基板５（例
えばMnZnフェライト又はNiZnフェライト）を有し、フェ
ライト基板５上に薄膜構造体を設ける。この薄膜構造体
は、ヘッド面３で終端する酸化軟磁性材料（本実施例で
はFe3O4 ）の磁束ガイド素子７と、磁束ガイド素子７と
ともに共通の磁気接触面１１を構成する例えばNiFe合金
の磁気抵抗素子（MR素子）９とを具える。通常対向ブロ
ックと呼ばれる例えばチタン酸バリウムのようなセラミ
ック材料の保護素子１３を薄膜構造体上に設ける。
任意の寸法で描かれ、常に互いに一致するとは限らな
い。図１に示す本発明の薄膜磁気ヘッドはヘッド面３を
有し、このヘッド面３に沿って又はヘッド面３を横切っ
て磁気記録媒体特に磁気テープを例えば方向Ａに案内す
ることができる。磁気ヘッド１はフェライト基板５（例
えばMnZnフェライト又はNiZnフェライト）を有し、フェ
ライト基板５上に薄膜構造体を設ける。この薄膜構造体
は、ヘッド面３で終端する酸化軟磁性材料（本実施例で
はFe3O4 ）の磁束ガイド素子７と、磁束ガイド素子７と
ともに共通の磁気接触面１１を構成する例えばNiFe合金
の磁気抵抗素子（MR素子）９とを具える。通常対向ブロ
ックと呼ばれる例えばチタン酸バリウムのようなセラミ
ック材料の保護素子１３を薄膜構造体上に設ける。
【００１７】本発明による方法の実施例を、図１のＡ〜
Ｅを参照して詳細に説明する。本発明による方法は、反
応性イオンエッチングによって形成した凹部１５が存在
するフェライト基板５から開始する。好ましくはAuの導
電層１７を、スパッタ堆積及びスパッタエッチングを連
続して行うことにより凹部１５に形成し、MR素子９にバ
イアスをかけるバイアス巻線を形成する。スパッタエッ
チングの代わりに、湿式化学エッチングを用いることも
できる。好ましくはZrO2のような酸化材料の電気的な絶
縁層１９を、好ましくはスパッタ堆積によって形成す
る。Moの層を導電層１７と、酸化基板５及び酸化層１９
との間に存在させて接着を改善することができる。
Ｅを参照して詳細に説明する。本発明による方法は、反
応性イオンエッチングによって形成した凹部１５が存在
するフェライト基板５から開始する。好ましくはAuの導
電層１７を、スパッタ堆積及びスパッタエッチングを連
続して行うことにより凹部１５に形成し、MR素子９にバ
イアスをかけるバイアス巻線を形成する。スパッタエッ
チングの代わりに、湿式化学エッチングを用いることも
できる。好ましくはZrO2のような酸化材料の電気的な絶
縁層１９を、好ましくはスパッタ堆積によって形成す
る。Moの層を導電層１７と、酸化基板５及び酸化層１９
との間に存在させて接着を改善することができる。
【００１８】形成された絶縁層１９に、好ましくはレー
ザアブレーションによってFe3O4 の電気的な絶縁層２１
を形成し、透磁性を持たす。絶縁層１９及びフェライト
基板５とともに絶縁層２１を研磨手段のような適切な手
段によって平坦にし、磁束ガイド素子７を構成する。磁
気抵抗材料例えばNiFeを、このようにして得られた平坦
表面２３上にスパッタ堆積又は蒸着によって設け、MR素
子９を形成する。
ザアブレーションによってFe3O4 の電気的な絶縁層２１
を形成し、透磁性を持たす。絶縁層１９及びフェライト
基板５とともに絶縁層２１を研磨手段のような適切な手
段によって平坦にし、磁束ガイド素子７を構成する。磁
気抵抗材料例えばNiFeを、このようにして得られた平坦
表面２３上にスパッタ堆積又は蒸着によって設け、MR素
子９を形成する。
【００１９】NiFeを磁束ガイド素子７上に直接堆積して
いるので、磁束ガイド素子７に対向して配置したMR素子
９の周辺区域９ａは、磁束ガイド素子７とともに共通の
磁気接触面１１を構成する。MR素子９は、領域２６で透
磁性基板５と直接磁気的に接続する。
いるので、磁束ガイド素子７に対向して配置したMR素子
９の周辺区域９ａは、磁束ガイド素子７とともに共通の
磁気接触面１１を構成する。MR素子９は、領域２６で透
磁性基板５と直接磁気的に接続する。
【００２０】細長形のMR素子９は一方の端部２７から他
方の端部２９に延在する長手方向軸線３１を有し、長手
方向軸線３１は磁化容易軸に平行又はほぼ平行とする。
十分に電気的なコンダクタンスを有する等電位細条３
３、接続面すなわち例えばAuの接触面３５，３７をMR素
子９に形成する。
方の端部２９に延在する長手方向軸線３１を有し、長手
方向軸線３１は磁化容易軸に平行又はほぼ平行とする。
十分に電気的なコンダクタンスを有する等電位細条３
３、接続面すなわち例えばAuの接触面３５，３７をMR素
子９に形成する。
【００２１】等電位細条３３を長手方向軸線３１に対し
て好ましくは45°の角度で設ける。操作中、MR素子９の
動作を線形的にするために、等電位細条３３により、MR
素子９に供給される測定電流が磁化容易軸方向に対して
ある角度で流れるようにする。磁気ヘッド１に沿って移
動する記録キャリアの磁界の影響の下で、等電位細条３
３の間に配置されたMR素子９の一部の抵抗は、磁化方向
がMR素子９の電流方向に一致する大きさに依存する。導
電層１７によって形成された上述したバイアス巻線を用
いてMR素子９の動作の線形性をさらに改善する。
て好ましくは45°の角度で設ける。操作中、MR素子９の
動作を線形的にするために、等電位細条３３により、MR
素子９に供給される測定電流が磁化容易軸方向に対して
ある角度で流れるようにする。磁気ヘッド１に沿って移
動する記録キャリアの磁界の影響の下で、等電位細条３
３の間に配置されたMR素子９の一部の抵抗は、磁化方向
がMR素子９の電流方向に一致する大きさに依存する。導
電層１７によって形成された上述したバイアス巻線を用
いてMR素子９の動作の線形性をさらに改善する。
【００２２】MR素子９及び等電位細条３３を形成した
後、フォトラッカ特に感光性ポリマーをMR素子９に塗布
し、露光及び例えば220 ℃まで加熱した後凸状メニスカ
スを有する化学的な不活性層３９を形成する。次に好ま
しくはZrO2の電気的な絶縁酸化層４１を、好ましくはス
パッタ堆積によって形成する。次に絶縁層４１を例えば
ラップ仕上げ及び研磨によって平坦にし、接着面４３を
形成し、接着材４５を付加して対向ブロック１３を固定
する。最後にヘッド面３を研削及び研磨のような操作に
よって形成する。
後、フォトラッカ特に感光性ポリマーをMR素子９に塗布
し、露光及び例えば220 ℃まで加熱した後凸状メニスカ
スを有する化学的な不活性層３９を形成する。次に好ま
しくはZrO2の電気的な絶縁酸化層４１を、好ましくはス
パッタ堆積によって形成する。次に絶縁層４１を例えば
ラップ仕上げ及び研磨によって平坦にし、接着面４３を
形成し、接着材４５を付加して対向ブロック１３を固定
する。最後にヘッド面３を研削及び研磨のような操作に
よって形成する。
【００２３】図１に示す本発明の磁気ヘッドの磁束ガイ
ド素子用の材料として用いられるFe 3O4 フェライトは、
十分な透磁率及び約10-4Ωm の抵抗率を有するので、こ
の材料を良好に電気的な絶縁材料とみなすことができ
る。少なくとも磁気ヘッドが十分な感度を有するよう
に、磁気ヘッドに関する多数のパラメータを、
ド素子用の材料として用いられるFe 3O4 フェライトは、
十分な透磁率及び約10-4Ωm の抵抗率を有するので、こ
の材料を良好に電気的な絶縁材料とみなすことができ
る。少なくとも磁気ヘッドが十分な感度を有するよう
に、磁気ヘッドに関する多数のパラメータを、
【数５】 を満足させるように選択した。この式において、ｃを1/
3 より大きい数値とし、ρf を磁束ガイド素子７のFe3O
4 フェライトの抵抗率とし、ρm をMR素子９のNiFe合金
の抵抗率とし、ｔ1 を磁束ガイド素子７の厚さとし、ｔ
m をMR素子９の厚さとし、ｈ1 を磁束ガイド素子７の高
さとし、ｂをMR素子９の幅とする。約１Ωm の抵抗率を
有するMnZnフェライト又は約105 Ωm の抵抗率を有する
NiZnフェライトをFe3O4 フェライトの代わりに用いる場
合、３より大きい又は３より著しく大きい数値ｃが容易
に可能になり、高効率のみならず優れた感度を達成する
ことができる。
3 より大きい数値とし、ρf を磁束ガイド素子７のFe3O
4 フェライトの抵抗率とし、ρm をMR素子９のNiFe合金
の抵抗率とし、ｔ1 を磁束ガイド素子７の厚さとし、ｔ
m をMR素子９の厚さとし、ｈ1 を磁束ガイド素子７の高
さとし、ｂをMR素子９の幅とする。約１Ωm の抵抗率を
有するMnZnフェライト又は約105 Ωm の抵抗率を有する
NiZnフェライトをFe3O4 フェライトの代わりに用いる場
合、３より大きい又は３より著しく大きい数値ｃが容易
に可能になり、高効率のみならず優れた感度を達成する
ことができる。
【００２４】図２に示す本発明の磁気ヘッドは、ヘッド
面１０３及び変換構造体を具えるフェライト基板１０５
を有する。この変換構造体は、ヘッド面１０３中で終端
する磁束ガイド素子１０７（以下第１磁束ガイド１０７
という）及び第１磁束ガイド１０７から離間された別の
磁束ガイド素子１０８（以下第２磁束ガイド１０８とい
う）を具える。それぞれMnZnフェライト又はNiZnフェラ
イトで形成した第１磁束ガイド１０７及び第２磁束ガイ
ド１０８を、絶縁中間層を設けずに第１磁束ガイド１０
７及び第２磁束ガイド１０８に設けたMR素子１０９によ
り橋絡された空間１１０によって互いに分離している。
MR素子１０９は、MR素子１０９に対して長手方向にヘッ
ド面１０３に平行に延在する互いに平行な二つの周辺区
域１０９ａ及び１０９ｂを有する。周辺区域１０９ａ及
び１０９ｂは、第１及び第２磁束ガイド１０７及び１０
８とそれぞれ共通の磁気接触面１１１及び１１２を構成
する。第２磁束ガイド１０８を透磁性基板１０５に磁気
的に接続し、音叉の形状を有する磁気ヨークを形成す
る。
面１０３及び変換構造体を具えるフェライト基板１０５
を有する。この変換構造体は、ヘッド面１０３中で終端
する磁束ガイド素子１０７（以下第１磁束ガイド１０７
という）及び第１磁束ガイド１０７から離間された別の
磁束ガイド素子１０８（以下第２磁束ガイド１０８とい
う）を具える。それぞれMnZnフェライト又はNiZnフェラ
イトで形成した第１磁束ガイド１０７及び第２磁束ガイ
ド１０８を、絶縁中間層を設けずに第１磁束ガイド１０
７及び第２磁束ガイド１０８に設けたMR素子１０９によ
り橋絡された空間１１０によって互いに分離している。
MR素子１０９は、MR素子１０９に対して長手方向にヘッ
ド面１０３に平行に延在する互いに平行な二つの周辺区
域１０９ａ及び１０９ｂを有する。周辺区域１０９ａ及
び１０９ｂは、第１及び第２磁束ガイド１０７及び１０
８とそれぞれ共通の磁気接触面１１１及び１１２を構成
する。第２磁束ガイド１０８を透磁性基板１０５に磁気
的に接続し、音叉の形状を有する磁気ヨークを形成す
る。
【００２５】図２に示す磁気ヘッドを、
【数６】 を満足する寸法とする。この式において、ｃを３より大
きい数値とし、ρf を第１及び第２磁束ガイド１０７及
び１０８に用いられるフェライトの抵抗率とし、ρm を
MR素子１０９の材料の抵抗率とし、ｔ1 を第１磁束ガイ
ド１０７の厚さとし、ｔ2 を第２磁束ガイド１０８の厚
さとし、ｈ1 を第１磁束ガイド素子１０７の高さとし、
ｈ2 を第２磁束ガイド素子１０８の高さとし、ｂをMR素
子１０９の幅とする。
きい数値とし、ρf を第１及び第２磁束ガイド１０７及
び１０８に用いられるフェライトの抵抗率とし、ρm を
MR素子１０９の材料の抵抗率とし、ｔ1 を第１磁束ガイ
ド１０７の厚さとし、ｔ2 を第２磁束ガイド１０８の厚
さとし、ｈ1 を第１磁束ガイド素子１０７の高さとし、
ｈ2 を第２磁束ガイド素子１０８の高さとし、ｂをMR素
子１０９の幅とする。
【００２６】ヘッド面１０３中で終端し、例えばSiO2又
はZrO2の電気的な絶縁層１１９は、第１磁束ガイド１０
７、MR素子１０９、第２磁束ガイド１０８及びフェライ
ト基板１０５によって形成された音叉形状の磁気ヨーク
中に延在する。バイアス巻線１１７を設けた空間１１０
にも、SiO2のような電気的な絶縁材料を充填する。
はZrO2の電気的な絶縁層１１９は、第１磁束ガイド１０
７、MR素子１０９、第２磁束ガイド１０８及びフェライ
ト基板１０５によって形成された音叉形状の磁気ヨーク
中に延在する。バイアス巻線１１７を設けた空間１１０
にも、SiO2のような電気的な絶縁材料を充填する。
【００２７】図３に示す本発明の磁気ヘッドは、図２に
示す磁気ヘッドに密接に関連する。この磁気ヘッドは、
電気巻線２１７及び電気的な絶縁層２１９を設けたフェ
ライト基板２０５を有する。絶縁層２１９に、磁束ガイ
ド素子２０７と、磁束ガイド素子２０７から離間された
別の磁束ガイド素子２０８とを設ける。磁束ガイド素子
２０７は接触面すなわちヘッド面２０３に隣接する。磁
束ガイド素子２０７及び２０８を、好ましくはMnZnフェ
ライト又はNiZnフェライトの酸化軟磁性材料で形成し、
その結果良好な磁気特性及び良好に電気的な絶縁特性を
有するようになる。絶縁層２１９に長手方向軸線２３１
を有するMR素子２０９も設け、MR素子２０９は、磁束ガ
イド素子２０７に直接設けられた周辺区域２０９ａと、
磁束ガイド素子２０８に直接設けられた周辺区域２０９
ｂとを有する。周辺区域２０９ａ及び２０９ｂは、ヘッ
ド面２０３に平行すなわちMR素子２０９の長手方向軸線
２３１に平行に延在する。MR素子２０９は２個の電気接
触面２３５及び２３７を有し、その間にMR素子２０９の
実効部分が延在する。別の磁束ガイド２０８は図３Ｂに
示すように幅ｗを有し、本実施例では幅ｗは図３Ａに示
す寸法ｈ2 より小さい。
示す磁気ヘッドに密接に関連する。この磁気ヘッドは、
電気巻線２１７及び電気的な絶縁層２１９を設けたフェ
ライト基板２０５を有する。絶縁層２１９に、磁束ガイ
ド素子２０７と、磁束ガイド素子２０７から離間された
別の磁束ガイド素子２０８とを設ける。磁束ガイド素子
２０７は接触面すなわちヘッド面２０３に隣接する。磁
束ガイド素子２０７及び２０８を、好ましくはMnZnフェ
ライト又はNiZnフェライトの酸化軟磁性材料で形成し、
その結果良好な磁気特性及び良好に電気的な絶縁特性を
有するようになる。絶縁層２１９に長手方向軸線２３１
を有するMR素子２０９も設け、MR素子２０９は、磁束ガ
イド素子２０７に直接設けられた周辺区域２０９ａと、
磁束ガイド素子２０８に直接設けられた周辺区域２０９
ｂとを有する。周辺区域２０９ａ及び２０９ｂは、ヘッ
ド面２０３に平行すなわちMR素子２０９の長手方向軸線
２３１に平行に延在する。MR素子２０９は２個の電気接
触面２３５及び２３７を有し、その間にMR素子２０９の
実効部分が延在する。別の磁束ガイド２０８は図３Ｂに
示すように幅ｗを有し、本実施例では幅ｗは図３Ａに示
す寸法ｈ2 より小さい。
【００２８】図３に示す磁気ヘッドは、
【数７】 を満足する。この式において、ｃを1/3 好ましくは３よ
り大きい数値とし、ρfを磁束ガイド素子２０７及び２
０８の透磁性材料の抵抗率とし、ρm をMR素子２０９の
材料の抵抗率とし、ｔ1 及びｔ2 を磁束ガイド素子２０
７及び別の磁束ガイド素子２０８それぞれの厚さとし、
ｈ1 を磁束ガイド素子２０７の高さとし、ｈ2 を別の磁
束ガイド素子２０８の幅ｗとし、ｂをMR素子２０９の幅
とする。
り大きい数値とし、ρfを磁束ガイド素子２０７及び２
０８の透磁性材料の抵抗率とし、ρm をMR素子２０９の
材料の抵抗率とし、ｔ1 及びｔ2 を磁束ガイド素子２０
７及び別の磁束ガイド素子２０８それぞれの厚さとし、
ｈ1 を磁束ガイド素子２０７の高さとし、ｈ2 を別の磁
束ガイド素子２０８の幅ｗとし、ｂをMR素子２０９の幅
とする。
【００２９】図２に示す磁気ヘッドより優れた図３に示
す磁気ヘッドの利点は、磁気ヘッド製造中絶縁層２１９
に接続開口を設ける必要がなく、その結果生産工程を省
くことができる。
す磁気ヘッドの利点は、磁気ヘッド製造中絶縁層２１９
に接続開口を設ける必要がなく、その結果生産工程を省
くことができる。
【００３０】図４に示す本発明の磁気ヘッドは、ヘッド
面３０３と、ヘッド面３０３に隣接するMR素子３０９と
を有する。MR素子３０９は、NiFeのような磁気異方性の
材料の薄い層を有する。MR素子３０９の長手方向に延在
するMR素子３０９の周辺区域３０９ａを、酸化軟磁性材
料特にMnZnフェライト又はNiZnフェライトの磁束ガイド
素子３０７に直接設ける。その結果MR素子３０９及び磁
束ガイド素子３０７は共通の磁化接触面３１１を構成す
る。その結果、磁束ガイド素子３０７は磁束ガイドとし
てだけでなく基板としての機能も有し、また、磁束ガイ
ド素子３０７に、電気的な絶縁材料例えばZrO2又はSiO2
を充填した凹部３１９を設ける。
面３０３と、ヘッド面３０３に隣接するMR素子３０９と
を有する。MR素子３０９は、NiFeのような磁気異方性の
材料の薄い層を有する。MR素子３０９の長手方向に延在
するMR素子３０９の周辺区域３０９ａを、酸化軟磁性材
料特にMnZnフェライト又はNiZnフェライトの磁束ガイド
素子３０７に直接設ける。その結果MR素子３０９及び磁
束ガイド素子３０７は共通の磁化接触面３１１を構成す
る。その結果、磁束ガイド素子３０７は磁束ガイドとし
てだけでなく基板としての機能も有し、また、磁束ガイ
ド素子３０７に、電気的な絶縁材料例えばZrO2又はSiO2
を充填した凹部３１９を設ける。
【００３１】図４に示す磁気ヘッドに、特に書込み動作
を行うために用いることができる導電巻線３１７も設け
る。磁束ガイド層３１８及び磁束ガイド素子３０７は書
込み巻線３１７を流れる電流によって発生する磁束に対
する磁気ヨークを構成する。MR素子３０９、導電巻線３
１７及び磁束ガイド層３１８を、ZrO2又はSiO2のように
電気的な絶縁材料によって互いに絶縁する。
を行うために用いることができる導電巻線３１７も設け
る。磁束ガイド層３１８及び磁束ガイド素子３０７は書
込み巻線３１７を流れる電流によって発生する磁束に対
する磁気ヨークを構成する。MR素子３０９、導電巻線３
１７及び磁束ガイド層３１８を、ZrO2又はSiO2のように
電気的な絶縁材料によって互いに絶縁する。
【００３２】図５ａに示すグラフの曲線Ｉは、本発明の
磁気ヘッドの一実施例の磁束ガイド素子の効率ηと相対
透磁率μr との間の関係を示す。図１に示すようなタイ
プの本実施例を図５ｂに線図的に示す。本発明の磁気ヘ
ッドは、ヘッド面４０３を有し、ヘッド面４０３と直交
する方向に延在するMR素子４０９と、ヘッド面４０３中
で終端し、透磁性で電気的な絶縁材料の磁束ガイド素子
４０７とを具える。ヘッド面４０３に平行に延在すると
ともに磁束ガイド素子４０７に対向して配置した周辺区
域４０９ａは磁束ガイド素子４０７に直接接触し、磁束
ガイド素子４０７とともに共通の磁気接触面４１１を構
成する。磁束ガイド素子４０７の材料を、好ましくは酸
化軟磁性材料特にMnZnフェライト又はNiZnフェライトと
する。周辺区域４０９ａに平行に延在するMR素子４０９
の接触部分４１０を、フェライト基板４０５上に直接設
ける。電気的な絶縁層４２０によって構成された変換ギ
ャップは、フェライト基板４０５と磁束ガイド素子４０
７との間に延在する。磁気ヘッドの寸法を、ｔ1=0.5 μ
m,ｔg =0.4μm,ｔm =0.05 μm,ｈ1=3 μm,ｓ1=2 μm,ｓ
2=5 μm とする。
磁気ヘッドの一実施例の磁束ガイド素子の効率ηと相対
透磁率μr との間の関係を示す。図１に示すようなタイ
プの本実施例を図５ｂに線図的に示す。本発明の磁気ヘ
ッドは、ヘッド面４０３を有し、ヘッド面４０３と直交
する方向に延在するMR素子４０９と、ヘッド面４０３中
で終端し、透磁性で電気的な絶縁材料の磁束ガイド素子
４０７とを具える。ヘッド面４０３に平行に延在すると
ともに磁束ガイド素子４０７に対向して配置した周辺区
域４０９ａは磁束ガイド素子４０７に直接接触し、磁束
ガイド素子４０７とともに共通の磁気接触面４１１を構
成する。磁束ガイド素子４０７の材料を、好ましくは酸
化軟磁性材料特にMnZnフェライト又はNiZnフェライトと
する。周辺区域４０９ａに平行に延在するMR素子４０９
の接触部分４１０を、フェライト基板４０５上に直接設
ける。電気的な絶縁層４２０によって構成された変換ギ
ャップは、フェライト基板４０５と磁束ガイド素子４０
７との間に延在する。磁気ヘッドの寸法を、ｔ1=0.5 μ
m,ｔg =0.4μm,ｔm =0.05 μm,ｈ1=3 μm,ｓ1=2 μm,ｓ
2=5 μm とする。
【００３３】図５ｃは、ヘッド面５０３、フェライト基
板５０５、透磁性材料の磁束ガイド５０７及びMR素子５
０９を具える既知の磁気ヘッドを示す。MR素子５０９は
磁束ガイド５０７及びフェライト基板５０５に対向して
位置する周辺区域５１２及び５１４を有し、例えば水晶
の電気的な絶縁層５１６は、磁束ガイド５０７及びフェ
ライト基板５０５と、MR素子５０９の周辺区域５１２及
び周辺区域５１４との間に0.5 μm の厚さｔd で延在す
る。したがって周辺区域５１２及び５１４はそれぞれ磁
束ガイド５０７及びフェライト基板５０５から離間して
おり、その結果操作中磁束は絶縁層５１６だけを介して
MR素子５０９に到達することができる。この磁気ヘッド
の寸法も、図５ｂに示す本発明の磁気ヘッドの寸法と同
一とする。
板５０５、透磁性材料の磁束ガイド５０７及びMR素子５
０９を具える既知の磁気ヘッドを示す。MR素子５０９は
磁束ガイド５０７及びフェライト基板５０５に対向して
位置する周辺区域５１２及び５１４を有し、例えば水晶
の電気的な絶縁層５１６は、磁束ガイド５０７及びフェ
ライト基板５０５と、MR素子５０９の周辺区域５１２及
び周辺区域５１４との間に0.5 μm の厚さｔd で延在す
る。したがって周辺区域５１２及び５１４はそれぞれ磁
束ガイド５０７及びフェライト基板５０５から離間して
おり、その結果操作中磁束は絶縁層５１６だけを介して
MR素子５０９に到達することができる。この磁気ヘッド
の寸法も、図５ｂに示す本発明の磁気ヘッドの寸法と同
一とする。
【００３４】上述した図５ａのグラフは、図５ｃに示す
既知の磁気ヘッドの効率ηと、磁束ガイド５０７の軟磁
性材料の相対透磁率μr との間の関係を示す曲線Ｐも示
す。このグラフから明らかに、既知の磁気ヘッドの効率
と比較して本発明の磁気ヘッドの効率が上がっているこ
とを示す。
既知の磁気ヘッドの効率ηと、磁束ガイド５０７の軟磁
性材料の相対透磁率μr との間の関係を示す曲線Ｐも示
す。このグラフから明らかに、既知の磁気ヘッドの効率
と比較して本発明の磁気ヘッドの効率が上がっているこ
とを示す。
【００３５】本発明は図示した実施例に限定されるもの
ではなく種々の変更及び変形が可能である。例えば酸化
軟磁気材料として種々の材料例えばLiZnフェライト又は
MgMnZnフェライトを用いることもでき、また他の設計も
可能である。透磁性基板の代わりに透磁性層が形成され
た非磁性基板を用いることができる。
ではなく種々の変更及び変形が可能である。例えば酸化
軟磁気材料として種々の材料例えばLiZnフェライト又は
MgMnZnフェライトを用いることもでき、また他の設計も
可能である。透磁性基板の代わりに透磁性層が形成され
た非磁性基板を用いることができる。
【図１】ＡからＣは本発明の磁気ヘッドの第１実施例の
製造工程を示し、Ｄ及びＥは本発明の磁気ヘッドの第１
実施例を示す。
製造工程を示し、Ｄ及びＥは本発明の磁気ヘッドの第１
実施例を示す。
【図２】本発明の磁気ヘッドの第２実施例を示す。
【図３】本発明の磁気ヘッドの第３実施例を示す。
【図４】本発明の磁気ヘッドの第４実施例を示す。
【図５】ａは本発明の磁気ヘッドの第５実施例及び既知
の磁気ヘッドに関するη−μrダイヤグラムを示し、ｂ
は本発明の磁気ヘッドの第５実施例を示し、ｃは既知の
磁気ヘッドを示す。
の磁気ヘッドに関するη−μrダイヤグラムを示し、ｂ
は本発明の磁気ヘッドの第５実施例を示し、ｃは既知の
磁気ヘッドを示す。
１ 磁気ヘッド ３，１０３，２０３，３０３，４０３，５０３ ヘッド
面 ５，１０５，２０５，４０５，５０５ フェライト基板 ７，１０７，１０８，２０７，２０８，３０７，４０
７，５０７ 磁束ガイド素子 ９，１０９，２０９，３０９，４０９，５０９ MR素子 ９ａ，１０９ａ，１０９ｂ，２０９ａ，２０９ｂ，３０
９ａ，４０９ａ，５１２，５１４ 周辺区域 １１，１１１，１１２，３１１，４１１ 磁気接触面 １３ 保護素子 １５，３１９ 凹部 １７ 導電層 １９，２１，４１，１１９，２１９，４２０，５１６
絶縁層 ２３ 平坦表面 ２６ 領域 ２７，２９ 端部 ３１，２３１ 長手方向軸線 ３３ 等電位細条 ３５，３７，２３５，２３７ 接触面 ３９ 不活性層 ４３ 接着面 ４５ 接着剤 １００ 空間 １１７ バイアス巻線 ２１７ 電気巻線 ３１７ 導電巻線 ３１８ 磁束ガイド層 ４１０ 接触部分 Ａ 方向 ｔ1 磁束ガイド素子７，１０７，２０７，４０７の厚
さ ｔ2 磁束ガイド素子１０８，２０８の厚さ ｔm MR素子９，１０９，２０９，４０９の厚さ ｔd 絶縁層５１６の厚さ ｈ1 磁束ガイド素子７，１０７，２０７，４０７の高
さ ｈ2 磁束ガイド素子１０８，２０８の高さ ｂ MR素子９，１０９，２０９の幅 ｗ 磁束ガイド２０８の幅 η 効率 μr 透磁率
面 ５，１０５，２０５，４０５，５０５ フェライト基板 ７，１０７，１０８，２０７，２０８，３０７，４０
７，５０７ 磁束ガイド素子 ９，１０９，２０９，３０９，４０９，５０９ MR素子 ９ａ，１０９ａ，１０９ｂ，２０９ａ，２０９ｂ，３０
９ａ，４０９ａ，５１２，５１４ 周辺区域 １１，１１１，１１２，３１１，４１１ 磁気接触面 １３ 保護素子 １５，３１９ 凹部 １７ 導電層 １９，２１，４１，１１９，２１９，４２０，５１６
絶縁層 ２３ 平坦表面 ２６ 領域 ２７，２９ 端部 ３１，２３１ 長手方向軸線 ３３ 等電位細条 ３５，３７，２３５，２３７ 接触面 ３９ 不活性層 ４３ 接着面 ４５ 接着剤 １００ 空間 １１７ バイアス巻線 ２１７ 電気巻線 ３１７ 導電巻線 ３１８ 磁束ガイド層 ４１０ 接触部分 Ａ 方向 ｔ1 磁束ガイド素子７，１０７，２０７，４０７の厚
さ ｔ2 磁束ガイド素子１０８，２０８の厚さ ｔm MR素子９，１０９，２０９，４０９の厚さ ｔd 絶縁層５１６の厚さ ｈ1 磁束ガイド素子７，１０７，２０７，４０７の高
さ ｈ2 磁束ガイド素子１０８，２０８の高さ ｂ MR素子９，１０９，２０９の幅 ｗ 磁束ガイド２０８の幅 η 効率 μr 透磁率
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター ヤン ファン デル ツァフ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ウィープケ フォルカーツ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ランベルタス ポストマ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ロナルド マーチン ウォルフ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (12)
- 【請求項１】ヘッド面を有し、このヘッド面と直交する
方向に延在する磁気抵抗素子と、前記磁気ヘッド中にて
終端する透磁性材料の磁束ガイド素子とを具え、前記磁
気抵抗素子の周辺区域が、前記ヘッド面に平行に延在す
るとともに前記磁束ガイド素子と対向して位置して前記
磁気抵抗素子と前記磁束ガイド素子との間で磁気接続を
形成する薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗素子の
周辺区域及び磁束ガイド素子が共通の磁気接触面を構成
し、前記磁束ガイド素子の透磁性材料を電気的絶縁性と
したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記磁束ガイド素子の材料を酸化軟磁性材
料とすることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】前記酸化軟磁性材料をMnZnフェライト又は
NiZnフェライトとすることを特徴とする請求項２記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】前記酸化軟磁性材料をガーネットとするこ
とを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】基板を具える請求項１，２，３又は４記載
の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗素子が前記ヘ
ッド面中で終端し、前記磁束ガイド素子を前記基板によ
って形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】前記磁束ガイド素子の透磁性材料が、ｃを
1/3 より大きい数値とし、ρf を磁束ガイド素子の材料
の抵抗率とし、ρm を磁気抵抗素子の材料の抵抗率と
し、ｔ 1 を磁気抵抗素子断面の磁束ガイド素子の厚さと
し、ｔm を磁気抵抗素子の厚さとし、ｈ1 をヘッド面か
ら見た磁束ガイド素子の高さとし、ｂをヘッド面断面の
磁気抵抗素子の幅としたときに、 【数１】 を満たすことを特徴とする請求項１，２，３又は４記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】前記磁気抵抗素子が、前記周辺区域に対向
し、かつ、透磁性材料の別の磁束ガイド素子に対向する
別の周辺区域を有する請求項１，２，３又は４記載の薄
膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗素子の別の周辺区
域及び前記別の磁束ガイド部分が別の共通の磁気接触面
を構成し、前記磁束ガイド素子及び別の磁束ガイド素子
が、ｃを1/3 より大きい数値とし、ρf を透磁性材料の
抵抗率とし、ρm を磁気抵抗素子の材料の抵抗率とし、
ｔ1 及びｔ2 を磁気抵抗素子断面の磁束ガイド素子及び
他の磁束ガイド素子それぞれの厚さとし、ｈ1 をヘッド
面から見、測定した磁束ガイド素子の高さとし、ｈ2 を
ヘッド面から見、磁気抵抗素子から測定した別の磁束ガ
イド素子の高さ又はヘッド面に平行に測定した別の磁束
ガイド素子の幅が別の磁束ガイド素子の高さより小さい
場合にはその幅とし、ｂをヘッド面に垂直に見た磁気抵
抗素子の幅としたときに、 【数２】 を満たすことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】前記数値ｃを３より大きい数値とすること
を特徴とする請求項６又は７記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】前記磁気抵抗素子及び磁束ガイド素子を設
けた薄膜構造体を形成し、請求項１から８のうちのいず
れか１項に記載の薄膜磁気ヘッドを製造するに際し、前
記磁束ガイド素子を形成する酸化軟磁性材料を形成し、
平坦にされた中間構造体を形成し、その後前記磁気抵抗
素子の周辺区域を形成する層の部分を、前記軟磁性材料
の平坦部分に直接堆積することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１０】前記酸化軟磁性材料としてフェライトを
用いることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項１１】前記酸化軟磁性材料としてガーネットを
用いることを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項１２】前記磁気抵抗素子を形成した後、前記磁
気抵抗素子に合成樹脂の層を設けることを特徴とする請
求項９，１０又は１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
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