JPH0758619A - 近接スイッチ - Google Patents
近接スイッチInfo
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- JPH0758619A JPH0758619A JP20173193A JP20173193A JPH0758619A JP H0758619 A JPH0758619 A JP H0758619A JP 20173193 A JP20173193 A JP 20173193A JP 20173193 A JP20173193 A JP 20173193A JP H0758619 A JPH0758619 A JP H0758619A
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- circuit
- resonance circuit
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- transistor
- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】回路を半導体ＩＣ化したとき、外付けとなる比
較的容量の大きいバイアス回路のバイパス用コンデンサ
を廃止する。 【構成】検出コイル１Ａとコンデンサ１Ｂとからなる共
振回路１の電圧を増幅する増幅用トランジスタ８のベー
スを、ダイオード３Ａ，３Ｂからなるバイアス回路６Ａ
を介して共振回路１の一方の端子ａに接続する。
較的容量の大きいバイアス回路のバイパス用コンデンサ
を廃止する。 【構成】検出コイル１Ａとコンデンサ１Ｂとからなる共
振回路１の電圧を増幅する増幅用トランジスタ８のベー
スを、ダイオード３Ａ，３Ｂからなるバイアス回路６Ａ
を介して共振回路１の一方の端子ａに接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波発振形の近接スイ
ッチに関する。
ッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の近接スイッチの一例を示す
回路図である。図３において、被検出体の接近によって
そのインピーダンスが低下する検出コイル１Ａとこの検
出コイル１Ａに並列に接続されたコンデンサ１Ｂとから
なる共振回路１と、そのベースがこの共振回路の一方の
端子ａに、そのコレクタが抵抗１１を介し正側電源端子
Ｐに接続された増幅用トランジスタ８と、そのエミッタ
が正側電源端子Ｐに、そのベースが前記増幅用トランジ
スタ８のコレクタに、そのコレクタが、同様被検出体の
接近によってそのインピーダンスが低下する検出コイル
２Ａと、この検出コイル２Ａに直列に接続されたコンデ
ンサ２Ｂとからなる共振回路２を介して共振回路１の一
方の端子ａに接続された帰還用トランジスタ１２と、前
記共振回路１の他方の端子ｂと負側電源端子Ｎとの間に
接続されたバイアス回路６と、前記共振回路１の他方の
端子ｂと正側電源端子Ｐとの間に接続された、例えば抵
抗からなる定電流回路７と、前記帰還用トランジスタ１
２のコレクタと負側電源端子Ｎとの間に直列に接続され
た第１および第２の抵抗９Ａ，９Ｂからなる分圧回路９
と、前記帰還用トランジスタ１２のコレクタに接続され
た発振振幅弁別回路１３と、この発振振幅弁別回路１３
に接続された出力トランジスタ１４とからなり、前記増
幅用トランジスタ８のエミッタは前記分圧回路９の第１
の抵抗９Ａと第２の抵抗９Ｂの接続点に接続されてい
る。そして前記バイアス回路６は２個の直列に接続され
たダイオード３Ａ，３Ｂと、これらダイオード３Ａ，３
Ｂに並列に接続されたバイパス用コンデンサ５とからな
っている。
回路図である。図３において、被検出体の接近によって
そのインピーダンスが低下する検出コイル１Ａとこの検
出コイル１Ａに並列に接続されたコンデンサ１Ｂとから
なる共振回路１と、そのベースがこの共振回路の一方の
端子ａに、そのコレクタが抵抗１１を介し正側電源端子
Ｐに接続された増幅用トランジスタ８と、そのエミッタ
が正側電源端子Ｐに、そのベースが前記増幅用トランジ
スタ８のコレクタに、そのコレクタが、同様被検出体の
接近によってそのインピーダンスが低下する検出コイル
２Ａと、この検出コイル２Ａに直列に接続されたコンデ
ンサ２Ｂとからなる共振回路２を介して共振回路１の一
方の端子ａに接続された帰還用トランジスタ１２と、前
記共振回路１の他方の端子ｂと負側電源端子Ｎとの間に
接続されたバイアス回路６と、前記共振回路１の他方の
端子ｂと正側電源端子Ｐとの間に接続された、例えば抵
抗からなる定電流回路７と、前記帰還用トランジスタ１
２のコレクタと負側電源端子Ｎとの間に直列に接続され
た第１および第２の抵抗９Ａ，９Ｂからなる分圧回路９
と、前記帰還用トランジスタ１２のコレクタに接続され
た発振振幅弁別回路１３と、この発振振幅弁別回路１３
に接続された出力トランジスタ１４とからなり、前記増
幅用トランジスタ８のエミッタは前記分圧回路９の第１
の抵抗９Ａと第２の抵抗９Ｂの接続点に接続されてい
る。そして前記バイアス回路６は２個の直列に接続され
たダイオード３Ａ，３Ｂと、これらダイオード３Ａ，３
Ｂに並列に接続されたバイパス用コンデンサ５とからな
っている。
【０００３】バイアス回路６に定電流回路７からほぼ一
定の電流が流入され、ダイオード３Ａ，３Ｂの順電圧降
下は増幅用トランジスタ８のベースにバイアス電圧とし
て印加される。共振回路１の電圧は増幅用トランジスタ
８により増幅され、この増幅用トランジスタ８の出力電
圧は帰還用トランジスタ１２によって電流に変換されて
共振回路２を介して共振回路１に正帰還され発振を起こ
す。このとき増幅用トランジスタ８のベースには、バイ
アス回路６により与えられるバイアス電圧を中心に発振
交流電圧が重畳された電圧が印加される。なお、バイア
ス回路６のダイオード３Ａ，３Ｂに並列に接続されたバ
イパス用コンデンサ５は、共振回路１の発振によって生
じた交流電流がダイオード３Ａ，３Ｂに通電しないよう
にバイパスするためのものであり、このバイパス用コン
デンサ５によってダイオード３Ａ，３Ｂには定電流回路
７からほぼ一定の直流電流だけが通電され、増幅用トラ
ンジスタ８のベースにほぼ一定のバイアス電圧が印加さ
れる。また、バイアス回路６のダイオードはダイオード
３Ａと３Ｂが２個直列に接続されているが、バイアス電
圧の大きさに応じて１個あるいは３個以上直列に接続し
て用いる。検出コイル１Ａに被検出体が接近していない
とき、検出コイル１Ａのインピーダンスは高く共振回路
１の電圧は高い。従って、増幅用トランジスタ８のベー
スに印加される電圧は高いのでその出力電圧は高く、帰
還用トランジスタ１２の出力電圧も高い。この出力電圧
は発振振幅弁別回路１３で設定電圧より高いことが弁別
され、このときは出力回路１４から検出信号は出力され
ない。検出コイル１Ａに被検出体が接近すると、検出コ
イル１Ａのインピーダンスは低下し共振回路１の電圧は
低下する。従って、増幅用トランジスタ８のベースに印
加される電圧は低いのでその出力電圧は低く、帰還用ト
ランジスタ１２の出力電圧も低い。この出力電圧は発振
振幅弁別回路１３で設定電圧より低いことが弁別され、
出力回路１４から被検出体の検出信号が出力される。
定の電流が流入され、ダイオード３Ａ，３Ｂの順電圧降
下は増幅用トランジスタ８のベースにバイアス電圧とし
て印加される。共振回路１の電圧は増幅用トランジスタ
８により増幅され、この増幅用トランジスタ８の出力電
圧は帰還用トランジスタ１２によって電流に変換されて
共振回路２を介して共振回路１に正帰還され発振を起こ
す。このとき増幅用トランジスタ８のベースには、バイ
アス回路６により与えられるバイアス電圧を中心に発振
交流電圧が重畳された電圧が印加される。なお、バイア
ス回路６のダイオード３Ａ，３Ｂに並列に接続されたバ
イパス用コンデンサ５は、共振回路１の発振によって生
じた交流電流がダイオード３Ａ，３Ｂに通電しないよう
にバイパスするためのものであり、このバイパス用コン
デンサ５によってダイオード３Ａ，３Ｂには定電流回路
７からほぼ一定の直流電流だけが通電され、増幅用トラ
ンジスタ８のベースにほぼ一定のバイアス電圧が印加さ
れる。また、バイアス回路６のダイオードはダイオード
３Ａと３Ｂが２個直列に接続されているが、バイアス電
圧の大きさに応じて１個あるいは３個以上直列に接続し
て用いる。検出コイル１Ａに被検出体が接近していない
とき、検出コイル１Ａのインピーダンスは高く共振回路
１の電圧は高い。従って、増幅用トランジスタ８のベー
スに印加される電圧は高いのでその出力電圧は高く、帰
還用トランジスタ１２の出力電圧も高い。この出力電圧
は発振振幅弁別回路１３で設定電圧より高いことが弁別
され、このときは出力回路１４から検出信号は出力され
ない。検出コイル１Ａに被検出体が接近すると、検出コ
イル１Ａのインピーダンスは低下し共振回路１の電圧は
低下する。従って、増幅用トランジスタ８のベースに印
加される電圧は低いのでその出力電圧は低く、帰還用ト
ランジスタ１２の出力電圧も低い。この出力電圧は発振
振幅弁別回路１３で設定電圧より低いことが弁別され、
出力回路１４から被検出体の検出信号が出力される。
【０００４】検出コイル２Ａとコンデンサ２Ｂとが直列
に接続された共振回路２は、共振回路１の検出コイル１
Ａの温度補償用で必要に応じて設けられる。共振回路１
の検出コイル１Ａと共振回路２の検出コイル２Ａとは同
一の材質、例えば銅からなる導線が同一のボビンに巻回
され、温度によって同じインピーダンスの変化を生じる
ようになっている。そして、例えば温度上昇により検出
コイル１Ａの抵抗値が増加し、共振回路１の発振電圧が
低下したとき、検出コイル１Ｂの抵抗値も同様増加し共
振回路２の発振電圧も低下するので、帰還用トランジス
タ１２からの正帰還量は逆に増加して共振回路１の発振
電圧の低下が補償される。なお、この温度補償用の共振
回路２を設けないときは、帰還用トランジスタ１２のコ
レクタを増幅用トランジスタ８のベースに直接に接続す
る。
に接続された共振回路２は、共振回路１の検出コイル１
Ａの温度補償用で必要に応じて設けられる。共振回路１
の検出コイル１Ａと共振回路２の検出コイル２Ａとは同
一の材質、例えば銅からなる導線が同一のボビンに巻回
され、温度によって同じインピーダンスの変化を生じる
ようになっている。そして、例えば温度上昇により検出
コイル１Ａの抵抗値が増加し、共振回路１の発振電圧が
低下したとき、検出コイル１Ｂの抵抗値も同様増加し共
振回路２の発振電圧も低下するので、帰還用トランジス
タ１２からの正帰還量は逆に増加して共振回路１の発振
電圧の低下が補償される。なお、この温度補償用の共振
回路２を設けないときは、帰還用トランジスタ１２のコ
レクタを増幅用トランジスタ８のベースに直接に接続す
る。
【０００５】また、分圧回路９の直列に接続された第１
および第２の抵抗９Ａ，９Ｂの抵抗値を変えることによ
り、その分圧点すなわち第１の抵抗９Ａと第２の抵抗９
Ｂの接続点にそのエミッタが接続された増幅用トランジ
スタ８のベース電流の大きさを制御することができる。
これにより増幅用トランジスタ８のベース電流を制御し
て検出距離の調整を行うことができる。
および第２の抵抗９Ａ，９Ｂの抵抗値を変えることによ
り、その分圧点すなわち第１の抵抗９Ａと第２の抵抗９
Ｂの接続点にそのエミッタが接続された増幅用トランジ
スタ８のベース電流の大きさを制御することができる。
これにより増幅用トランジスタ８のベース電流を制御し
て検出距離の調整を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の近接スイッチに
おいては、バイアス回路のダイオードに並列にバイパス
用コンデンサ（図３において５で示す）を接続し、共振
回路の発振によって生じた交流電流がこのダイオードに
通電しないようにバイパスしているが、共振回路の発振
によって生じる交流電流は通常かなり大きなものであ
り、バイパス用コンデンサは数千ピコファラッド〜数マ
イクロファラッドの比較的容量の大きいコンデンサが必
要とされる。
おいては、バイアス回路のダイオードに並列にバイパス
用コンデンサ（図３において５で示す）を接続し、共振
回路の発振によって生じた交流電流がこのダイオードに
通電しないようにバイパスしているが、共振回路の発振
によって生じる交流電流は通常かなり大きなものであ
り、バイパス用コンデンサは数千ピコファラッド〜数マ
イクロファラッドの比較的容量の大きいコンデンサが必
要とされる。
【０００７】一般に半導体ＩＣにおいては、内蔵できる
コンデンサの容量は数十ピコファラッド程度であるの
で、この近接スイッチの回路を半導体ＩＣ化する場合、
このバイアス回路のバイパス用コンデンサは外付けとな
り、装置の大形化およびコスト上昇の要因となる。本発
明の目的はその回路をＩＣ化する場合、外付けとなるバ
イアス回路のバイパス用コンデンサを廃止した近接スイ
ッチを提供することにある。
コンデンサの容量は数十ピコファラッド程度であるの
で、この近接スイッチの回路を半導体ＩＣ化する場合、
このバイアス回路のバイパス用コンデンサは外付けとな
り、装置の大形化およびコスト上昇の要因となる。本発
明の目的はその回路をＩＣ化する場合、外付けとなるバ
イアス回路のバイパス用コンデンサを廃止した近接スイ
ッチを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明の近接スイッチは、被検出体の接近によっ
てそのインピーダンスが低下する検出コイルとこの検出
コイルに並列に接続されたコンデンサとからなる共振回
路と、そのベースがダイオードからなるバイアス回路を
介し前記共振回路の一方の端子にそのコレクタが抵抗を
介し正側電源端子に接続され、前記共振回路の電圧を増
幅する増幅用トランジスタと、そのエミッタが前記正側
電源端子にそのベースが前記増幅用トランジスタのコレ
クタにそのコレクタが前記増幅用トランジスタのベース
に接続され、前記増幅用トランジスタの出力電圧を電流
に変換し前記共振回路に正帰還する帰還用トランジスタ
と、前記バイアス回路に定電流を流入する定電流回路
と、前記共振回路の他方の端子と負側電源端子とが接続
され、この接続点と前記帰還用トランジスタのコレクタ
との間に直列に接続された第１の抵抗および第２の抵抗
からなり、これら第１の抵抗と第２の抵抗の接続点に前
記増幅用トランジスタのエミッタが接続された分圧回路
と、前記帰還用トランジスタのコレクタに接続された発
振振幅弁別回路とからなるようにする。あるいは、被検
出体の接近によってそのインピーダンスが低下する検出
コイルとこの検出コイルに並列に接続されたコンデンサ
とからなる共振回路と、そのベースがダイオードからな
るバイアス回路を介し前記共振回路の一方の端子にその
コレクタが抵抗を介し正側電源端子に接続され、前記共
振回路の電圧を増幅する増幅用トランジスタと、そのエ
ミッタが前記正側電源端子にそのベースが前記増幅用ト
ランジスタのコレクタにそのコレクタが前記共振回路の
一方の端子に接続され、前記増幅用トランジスタの出力
電圧を電流に変換し前記共振回路に正帰還する帰還用ト
ランジスタと、前記バイアス回路に定電流を流入する定
電流回路と、前記共振回路の他方の端子と負側電源端子
とが接続され、この接続点と前記帰還用トランジスタの
コレクタとの間に直列に接続された第１の抵抗および第
２の抵抗からなり、これら第１の抵抗と第２の抵抗の接
続点に前記増幅用トランジスタのエミッタが接続された
分圧回路と、前記帰還用トランジスタのコレクタに接続
された発振振幅弁別回路とからなるようにする。これら
近接スイッチにおいてその回路を半導体ＩＣとして形成
する。
めに、本発明の近接スイッチは、被検出体の接近によっ
てそのインピーダンスが低下する検出コイルとこの検出
コイルに並列に接続されたコンデンサとからなる共振回
路と、そのベースがダイオードからなるバイアス回路を
介し前記共振回路の一方の端子にそのコレクタが抵抗を
介し正側電源端子に接続され、前記共振回路の電圧を増
幅する増幅用トランジスタと、そのエミッタが前記正側
電源端子にそのベースが前記増幅用トランジスタのコレ
クタにそのコレクタが前記増幅用トランジスタのベース
に接続され、前記増幅用トランジスタの出力電圧を電流
に変換し前記共振回路に正帰還する帰還用トランジスタ
と、前記バイアス回路に定電流を流入する定電流回路
と、前記共振回路の他方の端子と負側電源端子とが接続
され、この接続点と前記帰還用トランジスタのコレクタ
との間に直列に接続された第１の抵抗および第２の抵抗
からなり、これら第１の抵抗と第２の抵抗の接続点に前
記増幅用トランジスタのエミッタが接続された分圧回路
と、前記帰還用トランジスタのコレクタに接続された発
振振幅弁別回路とからなるようにする。あるいは、被検
出体の接近によってそのインピーダンスが低下する検出
コイルとこの検出コイルに並列に接続されたコンデンサ
とからなる共振回路と、そのベースがダイオードからな
るバイアス回路を介し前記共振回路の一方の端子にその
コレクタが抵抗を介し正側電源端子に接続され、前記共
振回路の電圧を増幅する増幅用トランジスタと、そのエ
ミッタが前記正側電源端子にそのベースが前記増幅用ト
ランジスタのコレクタにそのコレクタが前記共振回路の
一方の端子に接続され、前記増幅用トランジスタの出力
電圧を電流に変換し前記共振回路に正帰還する帰還用ト
ランジスタと、前記バイアス回路に定電流を流入する定
電流回路と、前記共振回路の他方の端子と負側電源端子
とが接続され、この接続点と前記帰還用トランジスタの
コレクタとの間に直列に接続された第１の抵抗および第
２の抵抗からなり、これら第１の抵抗と第２の抵抗の接
続点に前記増幅用トランジスタのエミッタが接続された
分圧回路と、前記帰還用トランジスタのコレクタに接続
された発振振幅弁別回路とからなるようにする。これら
近接スイッチにおいてその回路を半導体ＩＣとして形成
する。
【０００９】
【作用】請求項１あるいは２記載の近接スイッチでは、
いずれも定電流回路から通電されるほぼ一定の電流は増
幅用トランジスタのベースが接続されたバイアス回路の
ダイオードから共振回路の検出コイルを通して流れるの
で、増幅用トランジスタのベースにはこのダイオードの
ほぼ一定の順電圧降下だけがバイアス電圧として印加さ
れる。
いずれも定電流回路から通電されるほぼ一定の電流は増
幅用トランジスタのベースが接続されたバイアス回路の
ダイオードから共振回路の検出コイルを通して流れるの
で、増幅用トランジスタのベースにはこのダイオードの
ほぼ一定の順電圧降下だけがバイアス電圧として印加さ
れる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の近接スイッチの一実施例を示
す回路図である。図１に示す本発明の近接スイッチは図
３に示す従来の近接スイッチにおいて、共振回路１の他
方の端子ｂを直接負側電源端子Ｎに接続し、バイアス回
路６はバイパス用コンデンサ５を廃止して、ダイオード
３Ａ，３Ｂからなるバイアス回路６Ａを増幅用トランジ
スタ８のベースと共振回路１の一方の端子ａとの間に接
続し、定電流回路７の反正側電源端子Ｐ側端子をバイア
ス回路６のダイオード３Ａのアノードに接続したもので
ある。なお、温度補償用の共振回路２を設けないとき
は、帰還用トランジスタ１２のコレクタを増幅用トラン
ジスタ８のベースに直接接続する。この近接スイッチに
おいては、定電流回路７から通電されるほぼ一定の電流
はバイアス回路６Ａのダイオード３Ａ，３Ｂから共振回
路１の検出コイル１Ａを通して流れるので、増幅用トラ
ンジスタ８のベースにはこのダイオード３Ａ，３Ｂのほ
ぼ一定の順電圧降下だけがバイアス電圧として印加され
る。なお、その他の動作については図３と同様である。
す回路図である。図１に示す本発明の近接スイッチは図
３に示す従来の近接スイッチにおいて、共振回路１の他
方の端子ｂを直接負側電源端子Ｎに接続し、バイアス回
路６はバイパス用コンデンサ５を廃止して、ダイオード
３Ａ，３Ｂからなるバイアス回路６Ａを増幅用トランジ
スタ８のベースと共振回路１の一方の端子ａとの間に接
続し、定電流回路７の反正側電源端子Ｐ側端子をバイア
ス回路６のダイオード３Ａのアノードに接続したもので
ある。なお、温度補償用の共振回路２を設けないとき
は、帰還用トランジスタ１２のコレクタを増幅用トラン
ジスタ８のベースに直接接続する。この近接スイッチに
おいては、定電流回路７から通電されるほぼ一定の電流
はバイアス回路６Ａのダイオード３Ａ，３Ｂから共振回
路１の検出コイル１Ａを通して流れるので、増幅用トラ
ンジスタ８のベースにはこのダイオード３Ａ，３Ｂのほ
ぼ一定の順電圧降下だけがバイアス電圧として印加され
る。なお、その他の動作については図３と同様である。
【００１１】図２は本発明の近接スイッチの異なる実施
例を示す回路図である。図２に示す本発明の近接スイッ
チは図１において、帰還用トランジスタ１２のコレクタ
と増幅用トランジスタ８との間に接続された温度補償用
の共振回路２を帰還用トランジスタ１２のコレクタと共
振回路１の一方の端子ａとの間に接続換えしたものであ
る。なお、温度補償用の共振回路２を設けないときは、
帰還用トランジスタ１２のコレクタを共振回路１の一方
の端子ａに直接接続する。
例を示す回路図である。図２に示す本発明の近接スイッ
チは図１において、帰還用トランジスタ１２のコレクタ
と増幅用トランジスタ８との間に接続された温度補償用
の共振回路２を帰還用トランジスタ１２のコレクタと共
振回路１の一方の端子ａとの間に接続換えしたものであ
る。なお、温度補償用の共振回路２を設けないときは、
帰還用トランジスタ１２のコレクタを共振回路１の一方
の端子ａに直接接続する。
【００１２】この近接スイッチにおいては、図１と同様
定電流回路７から通電されるほぼ一定の電流はバイアス
回路６Ａのダイオード３Ａ，３Ｂから共振回路１の検出
コイル１Ａを通して流れるので、増幅用トランジスタ８
のベースにはこのダイオード３Ａ，３Ｂのほぼ一定の順
電圧降下だけがバイアス電圧として印加される。なお、
その他の動作については図３と同様である。
定電流回路７から通電されるほぼ一定の電流はバイアス
回路６Ａのダイオード３Ａ，３Ｂから共振回路１の検出
コイル１Ａを通して流れるので、増幅用トランジスタ８
のベースにはこのダイオード３Ａ，３Ｂのほぼ一定の順
電圧降下だけがバイアス電圧として印加される。なお、
その他の動作については図３と同様である。
【００１３】なお、図１に示す実施例では温度補償用の
共振回路２を設けるとき、共振回路１の検出コイル１Ａ
と共振回路２の検出コイル２Ａとは別個のコイルとして
製作する必要があるが、図２に示す実施例では共振コイ
ル１の検出コイル１Ａと共振回路２の検出コイル２Ａは
直接に接続されるので、検出コイル１Ａと検出コイル２
Ａを中間タップ付の１個のコイルとして製作できる特徴
がある。
共振回路２を設けるとき、共振回路１の検出コイル１Ａ
と共振回路２の検出コイル２Ａとは別個のコイルとして
製作する必要があるが、図２に示す実施例では共振コイ
ル１の検出コイル１Ａと共振回路２の検出コイル２Ａは
直接に接続されるので、検出コイル１Ａと検出コイル２
Ａを中間タップ付の１個のコイルとして製作できる特徴
がある。
【００１４】
【発明の効果】請求項１あるいは２記載の本発明の近接
スイッチでは、比較的容量の大きなバイアス回路のバイ
パス用コンデンサが廃止されたので、これら近接スイッ
チの回路を半導体ＩＣ化するとき外付けとなるバイパス
用コンデンサが無くなり、装置が小形化しコストが低減
する。また、請求項２記載のものでは、温度補償用の共
振回路を設けたとき、共振回路と温度補償用の共振回路
の検出コイルを中間タップ付の１個のコイルとして製作
できるので、更に小形化しコストが低減する。
スイッチでは、比較的容量の大きなバイアス回路のバイ
パス用コンデンサが廃止されたので、これら近接スイッ
チの回路を半導体ＩＣ化するとき外付けとなるバイパス
用コンデンサが無くなり、装置が小形化しコストが低減
する。また、請求項２記載のものでは、温度補償用の共
振回路を設けたとき、共振回路と温度補償用の共振回路
の検出コイルを中間タップ付の１個のコイルとして製作
できるので、更に小形化しコストが低減する。
【図１】本発明の近接スイッチの一実施例を示す回路図
【図２】本発明の近接スイッチの異なる実施例を示す回
路図
路図
【図３】従来の近接スイッチの一例を示す回路図
１ 共振回路 １Ａ 検出コイル １Ｂ コンデンサ ３Ａ ダイオード ３Ｂ ダイオード ６Ａ バイアス回路 ７ 定電流回路 ８ 増幅用トランジスタ ９ 分圧回路 ９Ａ 第１の抵抗 ９Ｂ 第２の抵抗 １１ 抵抗 １２ 帰還用トランジスタ １３ 発振振幅弁別回路
Claims (3)
- 【請求項１】被検出体の接近によってそのインピーダン
スが低下する検出コイルとこの検出コイルに並列に接続
されたコンデンサとからなる共振回路と、そのベースが
ダイオードからなるバイアス回路を介し前記共振回路の
一方の端子にそのコレクタが抵抗を介し正側電源端子に
接続され、前記共振回路の電圧を増幅する増幅用トラン
ジスタと、そのエミッタが前記正側電源端子にそのベー
スが前記増幅用トランジスタのコレクタにそのコレクタ
が前記増幅用トランジスタのベースに接続され、前記増
幅用トランジスタの出力電圧を電流に変換し前記共振回
路に正帰還する帰還用トランジスタと、前記バイアス回
路に定電流を流入する定電流回路と、前記共振回路の他
方の端子と負側電源端子とが接続され、この接続点と前
記帰還用トランジスタのコレクタとの間に直列に接続さ
れた第１の抵抗および第２の抵抗からなり、これら第１
の抵抗と第２の抵抗の接続点に前記増幅用トランジスタ
のエミッタが接続された分圧回路と、前記帰還用トラン
ジスタのコレクタに接続された発振振幅弁別回路とから
なることを特徴とする近接スイッチ。 - 【請求項２】被検出体の接近によってそのインピーダン
スが低下する検出コイルとこの検出コイルに並列に接続
されたコンデンサとからなる共振回路と、そのベースが
ダイオードからなるバイアス回路を介し前記共振回路の
一方の端子にそのコレクタが抵抗を介し正側電源端子に
接続され、前記共振回路の電圧を増幅する増幅用トラン
ジスタと、そのエミッタが前記正側電源端子にそのベー
スが前記増幅用トランジスタのコレクタにそのコレクタ
が前記共振回路の一方の端子に接続され、前記増幅用ト
ランジスタの出力電圧を電流に変換し前記共振回路に正
帰還する帰還用トランジスタと、前記バイアス回路に定
電流を流入する定電流回路と、前記共振回路の他方の端
子と負側電源端子とが接続され、この接続点と前記帰還
用トランジスタのコレクタとの間に直列に接続された第
１の抵抗および第２の抵抗からなり、これら第１の抵抗
と第２の抵抗の接続点に前記増幅用トランジスタのエミ
ッタが接続された分圧回路と、前記帰還用トランジスタ
のコレクタに接続された発振振幅弁別回路とからなるこ
とを特徴とする近接スイッチ。 - 【請求項３】その回路が半導体ＩＣとして形成されるこ
とを特徴とする請求項１あるいは２記載の近接スイッ
チ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173193A JPH0758619A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 近接スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20173193A JPH0758619A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 近接スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758619A true JPH0758619A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16446004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20173193A Pending JPH0758619A (ja) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 近接スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758619A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119607B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Apparatus and method for resonance reduction |
| US7143381B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-11-28 | Intel Corporation | Resonance reduction arrangements |
-
1993
- 1993-08-16 JP JP20173193A patent/JPH0758619A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7119607B2 (en) | 2002-12-31 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Apparatus and method for resonance reduction |
| US7143381B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-11-28 | Intel Corporation | Resonance reduction arrangements |
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