JPH0331011B2 - - Google Patents

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JPH0331011B2
JPH0331011B2 JP55089556A JP8955680A JPH0331011B2 JP H0331011 B2 JPH0331011 B2 JP H0331011B2 JP 55089556 A JP55089556 A JP 55089556A JP 8955680 A JP8955680 A JP 8955680A JP H0331011 B2 JPH0331011 B2 JP H0331011B2
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JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
voltage
terminals
constant voltage
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP55089556A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5714218A (en
Inventor
Hiroyuki Myamoto
Hisatoshi Nodera
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp filed Critical Omron Corp
Priority to JP8955680A priority Critical patent/JPS5714218A/ja
Publication of JPS5714218A publication Critical patent/JPS5714218A/ja
Publication of JPH0331011B2 publication Critical patent/JPH0331011B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/952Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
    • H03K17/9537Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit

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  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、直流2線式センサの回路に関す
る。直流2線式センサの一つである直流2線式近
接スイツチを例にとつて説明する。
従来の直流2線式近接スイツチは、例えば第1
図のように構成されている。この図において、1
は近接センサ回路であり、図示しないが発振回路
とこの発振状態に応じて出力を生じる回路とが含
まれている。そして発振回路は、検出コイル11
及びこれと共振回路をなすコンデンサ12を含ん
で構成されており、被検出物体(図示しない)が
検出コイル11に近づくことにより発振状態が変
化するようになつている。従つて検出コイル11
への被検出物体の接近に伴つて、“H”または
“L”の出力が生じる。この近接センサ回路1に
は、端子14,15から電流制限回路(定電流回
路や抵抗などからなる)13をへて電力が送られ
る。端子14,15には負荷2と直流電源3とが
直列に接続される。この端子14,15間には開
閉用のトランジスタ21と定電圧ダイオード22
とが直列接続されており、トランジスタ21のベ
ースには抵抗23が接続されるとともに近接セン
サ回路1からの出力が加えられている。定電圧ダ
イオード16は、過大な電圧が端子14,15間
に加えられたときや、直流電源3が逆極性に接続
されたときに、近接センサ回路1等を保護するた
めのものであり、コンデンサ17は端子14,1
5間の電圧の変動を吸収する平滑用である。
そしてこの直流2線式近接スイツチでは検出動
作に応じてトランジスタ21がオンまたはオフと
なり、そのため負荷2が直接開閉されることにな
るので、普通のメカニカルなスイツチと同様の用
い方ができる点が利点となつている。ところで近
接センサ回路1等にはトランジスタ21のオン・
オフに関わらず、電力を供給する必要がある。オ
フ時には電源電圧VSが略そのまま印加されるの
で問題はないが、オン時に端子14,15間がト
ランジスタ21によつて完全に短絡されてしまう
と、端子14,15間の電圧がOVになり、近接
センサ回路1等に電力を供給することができなく
なつてしまう。そこでトランジスタ21に直列に
定電圧ダイオード22を接続しておき、しきい電
圧VDが残るようにしている。
しかしながらこのような構成によると、近接セ
ンサ回路1等に加わる電圧はトランジスタ21の
オン時とオフ時で大きく異つてしまう。すなわ
ち、直流電源3の電圧VSは通常10〜30V程度であ
り、定電圧ダイオード22のしきい電圧VDは数
V程度であるから、印加電圧は5〜25V程大きく
変動することになる。近接センサ回路1の電源電
圧がこのように大きく変動すると動作の安定性が
損われ、また検出距離(検出可能な被検出物体の
検出コイル11からの最大距離)が変動してしま
つて不都合である。
そこで、第2図のように電流制限回路13の両
端にトランジスタ24のエミツタ及びコレクタを
接続し、そのベースを抵抗27を介してトランジ
スタ21のコレクタに接続することが考えられ
る。他の構成は第1図と略同様である。このトラ
ンジスタ24はトランジスタ21がオンのとき導
通し、オフのとき非導通となる。従つて近接セン
サ回路1への電力はトランジスタ21がオフのと
きには電流制限回路13を通して与えられ、オン
のときにはトランジスタ24を通して与えられる
ことになる。そのためトランジスタ21がオンし
ているときには、定電圧ダイオード22のしきい
電圧VDが略そのまま電源電圧として近接センサ
回路1に加えられるが、トランジスタ21がオフ
しているときには、電流制限回路13により降下
した電圧が与えられる。トランジスタ21のオフ
時には端子14,15間に略直流電源3の電圧
VSが加えられるので、電流制限回路13におけ
る降下電圧を調整してVDに略近い電圧が近接セ
ンサ回路1に加わるようにしておく。
このように構成することによつて、トランジス
タ21のオン・オフに関らず略一定の電圧を近接
センサ回路1に加えることができて、動作の安定
性を向上させることができる。
しかしながら、この場合もセンサがオンのと
き、つまりトランジスタ21がオンのときの残留
電圧が、負荷2の抵抗値によつて変化し、それに
起因してセンサの特性が変化してしまうという問
題がある。すなわち、駆動電流;I、電源電圧;
V、定電圧ダイオード22の電圧;Vr、負荷2
の抵抗値;Reとすると、 I=(V−Vr)/Re となり、負荷2の抵抗値によつて定電圧ダイオー
ド22に流れる電流値が大きく変わつてしまう。
そのため、定電圧ダイオードのVZ−IZ特性により
定電圧ダイオードの電圧が変化してしまい、残留
電圧が変化し、それに起因してセンサの特性が変
化してしまう。
この発明は、センサがオンのときの残留電圧が
負荷抵抗の変化によりばらつかないようにし、セ
ンサの特性が変化しないように改善した直流2線
式センサを提供することを目的とする。
つぎにこの発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。第3図は第1の実施例を示
し、第4図は第2の実施例を示す。この第3図の
実施例では、抵抗34,35の接続点にトランジ
スタ31のベースを接続し、このトランジスタ3
1と定電圧ダイオード33と抵抗36とによりト
ランジスタ32のベース電流供給回路を構成す
る。そして一端がトランジスタ24のベースに接
続されている抵抗27の他端を、トランジスタ3
2のベースに接続する。他の構成は第2図と略同
様である。
このように構成すると、トランジスタ32がオ
ンのときに負荷2に流れる電流は殆んどこのトラ
ンジスタ32のみを流れ、定電圧ダイオード33
にはトランジスタ32のベース電流程度の電流が
流れるのみである。そしてこのとき、トランジス
タ32のベースは定電圧ダイオード33のしきい
電圧VDとなつているため、トランジスタ32の
エミツタの電圧はVD+VBE(トランジスタ32の
ベース・エミツタ電圧)に保たれ、その結果トラ
ンジスタ24を通じて近接センサ回路1に電力を
供給することができる。
また、この第3図において、トランジスタ32
を介して定電圧ダイオード33を接続しているの
で、負荷2の抵抗値の変化による定電圧ダイオー
ド33にかかる電流値の変化はトランジスタ32
の電流増幅率(hfe)より1/hfeとなる。そのた
め、残留電圧は負荷2の抵抗値の変化によりばら
つかないので、センサの特性が変化しないという
利点が得られる。
この第3図の実施例の場合、定電圧ダイオード
33に流れる電流は小さなものであるため、定電
圧ダイオード33は小容量のものでよく、大容量
の素子としてはトランジスタ32だけでよい。定
電圧ダイオードの大容量のものは高価であるが、
大容量のパワートランジスタは種類も多く安価で
あるため、安価に製造できるという利点がある。
第3図でトランジスタ24のベース電流はトラ
ンジスタ32のベース電流とともに定電圧ダイオ
ード33及びトランジスタ31を通じて流れる
が、トランジスタ24のベース電流が不足する場
合には、そのコレクタ・エミツタ間飽和電圧が大
きくなり、前記のVD+VBEがそのまま近接センサ
回路1に加わらないおそれがある。そのような場
合には第4図に示すように、抵抗27の一端をト
ランジスタ31のコレクタに接続すればよい。こ
うするとトランジスタ24は充分なベース電流を
供給されて、コレクタ・エミツタ間飽和電圧がよ
り小さくなり、上記の不都合が除去できる。
以上のように本願発明によれば、開閉用トラン
ジスタがオンしているときに、定電圧ダイオード
からセンサ回路に加えられる電圧が負荷の抵抗値
の変動によつて変化することが抑えられている。
そのため、負荷抵抗の変化に応じてセンサの特性
が変化することがなくなり、動作の安定性が向上
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の回路図、第2図は他の従来例
の回路図、第3図は本発明の第1の実施例の回路
図、第4図は第2の実施例の回路図である。 1……近接センサ回路、11……検出コイル、
13……電流制限回路、2……負荷、3……直流
電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 負荷と直流電源とを直列に接続する2つの端
    子と、前記直流電源の電圧を所定の電圧に降下さ
    せる電流制限回路と、前記2つの端子に前記電流
    制限回路を介して接続され、該電流制限回路によ
    り降下した電圧が供給されるセンサ回路と、この
    センサ回路の出力に応じて動作する駆動用トラン
    ジスタと定電圧ダイオードと抵抗とを前記2つの
    端子の間に直列に接続してなる直列回路と、該定
    電圧ダイオードと抵抗との接続点にそのベースが
    接続され、前記2つの端子間を開閉する開閉用ト
    ランジスタと、前記開閉用トランジスタがオンす
    ることに応じて前記電流制限回路を短絡する短絡
    用トランジスタとからなる直流2線式センサ。
JP8955680A 1980-06-30 1980-06-30 Direct-current two-wire proximity switch Granted JPS5714218A (en)

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JPS5714218A JPS5714218A (en) 1982-01-25
JPH0331011B2 true JPH0331011B2 (ja) 1991-05-02

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