JPH0758093A - ロードロック装置のガス置換方法及びその装置 - Google Patents
ロードロック装置のガス置換方法及びその装置Info
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- JPH0758093A JPH0758093A JP22382293A JP22382293A JPH0758093A JP H0758093 A JPH0758093 A JP H0758093A JP 22382293 A JP22382293 A JP 22382293A JP 22382293 A JP22382293 A JP 22382293A JP H0758093 A JPH0758093 A JP H0758093A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ロードロック装置のガス置換に於いて、ガスの
置換効率を向上させ、必要とされる置換ガス量の低減、
ガス置換時間の短縮を図る。 【構成】気密室内の置換対象物とは比重の異なる不活性
置換ガスにより置換を行い、置換対象物と不活性置換ガ
スとが混合しにくくして置換効率を向上させる。
置換効率を向上させ、必要とされる置換ガス量の低減、
ガス置換時間の短縮を図る。 【構成】気密室内の置換対象物とは比重の異なる不活性
置換ガスにより置換を行い、置換対象物と不活性置換ガ
スとが混合しにくくして置換効率を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に於いて
ウェーハ処理をする反応室に連設され、待機中のウェー
ハを不活性ガス雰囲気で収納するロードロック装置に関
し、特にロードロック装置のガス置換方法及びその装置
に関するものである。
ウェーハ処理をする反応室に連設され、待機中のウェー
ハを不活性ガス雰囲気で収納するロードロック装置に関
し、特にロードロック装置のガス置換方法及びその装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に於いて、半導体製造装置の概略及
び従来のロードロック装置のガス置換方法について説明
する。
び従来のロードロック装置のガス置換方法について説明
する。
【０００３】図中１はヒータ、２は該ヒータ１の内部に
設けられた反応室である。反応室２にはロードロック装
置６が連設され、該ロードロック装置６はゲートバルブ
７を介して前記反応室２に気密に連設された予備室３、
該予備室３にゲートバルブ８を介して気密に連設された
搬送室４、該搬送室４にゲートバルブ９を介して気密に
連設されたカセット室５から成る。
設けられた反応室である。反応室２にはロードロック装
置６が連設され、該ロードロック装置６はゲートバルブ
７を介して前記反応室２に気密に連設された予備室３、
該予備室３にゲートバルブ８を介して気密に連設された
搬送室４、該搬送室４にゲートバルブ９を介して気密に
連設されたカセット室５から成る。
【０００４】前記予備室３には窒素ガス導入管１０が挿
設され、又底面には排気管１１が接続され、前記窒素ガ
ス導入管１０、排気管１１にはそれぞれエアバルブ１
２，エアバルブ１３が設けられている。同様に、前記搬
送室４には窒素ガス導入管１４、排気管１５が設けら
れ、該窒素ガス導入管１４、排気管１５にはエアバルブ
１６，エアバルブ１７が設けられ、又前記カセット室５
には窒素ガス導入管１８、排気管１９が設けられ、該窒
素ガス導入管１８、排気管１９にはエアバルブ２０，エ
アバルブ２１が設けられている。尚、２２はカセット室
５にウェーハカセットを搬入搬出する為のゲートバルブ
である。
設され、又底面には排気管１１が接続され、前記窒素ガ
ス導入管１０、排気管１１にはそれぞれエアバルブ１
２，エアバルブ１３が設けられている。同様に、前記搬
送室４には窒素ガス導入管１４、排気管１５が設けら
れ、該窒素ガス導入管１４、排気管１５にはエアバルブ
１６，エアバルブ１７が設けられ、又前記カセット室５
には窒素ガス導入管１８、排気管１９が設けられ、該窒
素ガス導入管１８、排気管１９にはエアバルブ２０，エ
アバルブ２１が設けられている。尚、２２はカセット室
５にウェーハカセットを搬入搬出する為のゲートバルブ
である。
【０００５】前記反応室２で処理されるウェーハは、ウ
ェーハカセットに装填された状態で前記ゲートバルブ２
２を介して前記カセット室５に搬入される。その後、ゲ
ートバルブ２２が閉塞され、ロードロック装置６内部が
不活性ガス雰囲気とされた後、ウェーハは前記搬送室４
内部の図示しない搬送機構で前記ゲートバルブ８，９を
介して予備室３内部の図示しないウェーハ挿入機構に移
載され、ウェーハ挿入機構はウェーハを前記ゲートバル
ブ７を介して前記反応室２に挿入し、該反応室２内でウ
ェーハが処理されると前記ウェーハの搬送経路の逆の手
順で前記カセット室５より搬出される。
ェーハカセットに装填された状態で前記ゲートバルブ２
２を介して前記カセット室５に搬入される。その後、ゲ
ートバルブ２２が閉塞され、ロードロック装置６内部が
不活性ガス雰囲気とされた後、ウェーハは前記搬送室４
内部の図示しない搬送機構で前記ゲートバルブ８，９を
介して予備室３内部の図示しないウェーハ挿入機構に移
載され、ウェーハ挿入機構はウェーハを前記ゲートバル
ブ７を介して前記反応室２に挿入し、該反応室２内でウ
ェーハが処理されると前記ウェーハの搬送経路の逆の手
順で前記カセット室５より搬出される。
【０００６】前記した様に、ロードロック装置６を構成
する予備室３、搬送室４、カセット室５のそれぞれが気
密構造となっており、ウェーハの搬送中、待機中等ウェ
ーハを収納している状態では前記窒素ガス導入管１０、
窒素ガス導入管１４、窒素ガス導入管１８より窒素ガス
を導入し、前記排気管１１、排気管１５、排気管１９よ
り排気して、各室内を窒素ガスに置換している。これは
ウェーハが搬送過程、或は待機中に大気中の酸素により
ウェーハ表面に無用の自然酸化膜が生成するのを防止
し、或は大気中の金属成分、パーティクルによりウェー
ハが汚染されるのを防止し、半導体デバイスの特性が悪
化するのを防止するものである。
する予備室３、搬送室４、カセット室５のそれぞれが気
密構造となっており、ウェーハの搬送中、待機中等ウェ
ーハを収納している状態では前記窒素ガス導入管１０、
窒素ガス導入管１４、窒素ガス導入管１８より窒素ガス
を導入し、前記排気管１１、排気管１５、排気管１９よ
り排気して、各室内を窒素ガスに置換している。これは
ウェーハが搬送過程、或は待機中に大気中の酸素により
ウェーハ表面に無用の自然酸化膜が生成するのを防止
し、或は大気中の金属成分、パーティクルによりウェー
ハが汚染されるのを防止し、半導体デバイスの特性が悪
化するのを防止するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に従来は窒
素ガスを導入してロードロック装置６内を置換している
が、ガスの置換によって排除される大気中不純物質は０
2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 、等のガスであり、これらの比重は
前記窒素ガスに近いので、ガスの置換中に容易に混合し
合い、ガスの置換効率が悪くなり、多くの窒素ガスを要
すると共に多くの時間を要していた。
素ガスを導入してロードロック装置６内を置換している
が、ガスの置換によって排除される大気中不純物質は０
2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 、等のガスであり、これらの比重は
前記窒素ガスに近いので、ガスの置換中に容易に混合し
合い、ガスの置換効率が悪くなり、多くの窒素ガスを要
すると共に多くの時間を要していた。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、ガスの置換効
率を向上させ、必要とされる置換ガス量の低減、ガス置
換時間の短縮を図るものである。
率を向上させ、必要とされる置換ガス量の低減、ガス置
換時間の短縮を図るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、気密室内の置
換対象物とは比重の異なる不活性置換ガスにより置換を
行うことを特徴とするものである。
換対象物とは比重の異なる不活性置換ガスにより置換を
行うことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】置換対象物と不活性置換ガスとの比重を異なら
せたことで、置換対象物と不活性置換ガスとが混合しに
くくなり、効率よく置換が行える。
せたことで、置換対象物と不活性置換ガスとが混合しに
くくなり、効率よく置換が行える。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】尚、図１中、図３中で示したものと同一の
ものには同符号を付しその説明を省略する。
ものには同符号を付しその説明を省略する。
【００１３】予備室３の天井面に不活性ガス導入管２３
を連通し、該不活性ガス導入管２３にエアバルブ２４を
設け、搬送室４の天井面に不活性ガス導入管２５を連通
し、該不活性ガス導入管２５にはエアバルブ２６を設
け、カセット室５の天井面には不活性ガス導入管２７を
連通し、該不活性ガス導入管２７にはエアバルブ２８を
設ける。
を連通し、該不活性ガス導入管２３にエアバルブ２４を
設け、搬送室４の天井面に不活性ガス導入管２５を連通
し、該不活性ガス導入管２５にはエアバルブ２６を設
け、カセット室５の天井面には不活性ガス導入管２７を
連通し、該不活性ガス導入管２７にはエアバルブ２８を
設ける。
【００１４】前記不活性ガス導入管２３、不活性ガス導
入管２５、不活性ガス導入管２７は図示しない不活性ガ
ス源に連通する。該不活性ガス源は前記エアバルブ２
４、前記エアバルブ２６、前記エアバルブ２８を介して
前記予備室３、搬送室４、カセット室５に水素ガス、ヘ
リウムガス等の前記大気中不純物質０2 、ＣＯ2 、ＮＯ
4 よりも軽い非酸化性ガス、不活性ガスを導入する。
入管２５、不活性ガス導入管２７は図示しない不活性ガ
ス源に連通する。該不活性ガス源は前記エアバルブ２
４、前記エアバルブ２６、前記エアバルブ２８を介して
前記予備室３、搬送室４、カセット室５に水素ガス、ヘ
リウムガス等の前記大気中不純物質０2 、ＣＯ2 、ＮＯ
4 よりも軽い非酸化性ガス、不活性ガスを導入する。
【００１５】予備室３のガス置換について説明する。
【００１６】前記ゲートバルブ７、ゲートバルブ８を閉
塞し、前記エアバルブ２４、前記エアバルブ１３を開い
て前記不活性ガス導入管２３を介して不活性ガス、例え
ばヘリウムガスを導入する。ヘリウムガスは前記した大
気中不純物質０2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 よりも軽いので、導
入した不活性ガスは予備室３の天井側から溜まって行
き、予備室３中の不純物質０2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 を押下
げる様に前記排気管１１から排出する。従って、ヘリウ
ムガスは予備室３中のガスと混合することなく置換して
いく。
塞し、前記エアバルブ２４、前記エアバルブ１３を開い
て前記不活性ガス導入管２３を介して不活性ガス、例え
ばヘリウムガスを導入する。ヘリウムガスは前記した大
気中不純物質０2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 よりも軽いので、導
入した不活性ガスは予備室３の天井側から溜まって行
き、予備室３中の不純物質０2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 を押下
げる様に前記排気管１１から排出する。従って、ヘリウ
ムガスは予備室３中のガスと混合することなく置換して
いく。
【００１７】更に、不活性ガスとして窒素ガス、アルゴ
ンガス、ネオンガス等を使用することもできる。斯かる
不活性ガスは、同一条件下では大気中不純物質０2 、Ｃ
Ｏ2、ＮＯ4 に比重が近い。従って、比重の近いガスを
置換ガスとして使用する場合は、図示しない不活性ガス
源、或は前記不活性ガス導入管２３、不活性ガス導入管
２５、不活性ガス導入管２７に加熱装置を設け、導入す
る不活性ガスを加熱し、大気中不純物０2 、ＣＯ2 、Ｎ
Ｏ4 より比重を軽くして前記予備室３に導入する。而し
て、前記ヘリウムガス等軽い比重の不活性ガスを供給し
たと同様の置換作用が得られる。
ンガス、ネオンガス等を使用することもできる。斯かる
不活性ガスは、同一条件下では大気中不純物質０2 、Ｃ
Ｏ2、ＮＯ4 に比重が近い。従って、比重の近いガスを
置換ガスとして使用する場合は、図示しない不活性ガス
源、或は前記不活性ガス導入管２３、不活性ガス導入管
２５、不活性ガス導入管２７に加熱装置を設け、導入す
る不活性ガスを加熱し、大気中不純物０2 、ＣＯ2 、Ｎ
Ｏ4 より比重を軽くして前記予備室３に導入する。而し
て、前記ヘリウムガス等軽い比重の不活性ガスを供給し
たと同様の置換作用が得られる。
【００１８】又、前記搬送室４、カセット室５のガス置
換作用についても同様に行われる。
換作用についても同様に行われる。
【００１９】図２により他の実施例を説明する。
【００２０】前記予備室３の底面に不活性ガス導入管２
９を連通し、該不活性ガス導入管２９にエアバルブ３０
を設け、前記搬送室４の底面に不活性ガス導入管３１を
連通し、該不活性ガス導入管３１にはエアバルブ３２を
設け、前記カセット室５の底面には不活性ガス導入管３
３を連通し、該不活性ガス導入管３３にはエアバルブ３
４を設ける。
９を連通し、該不活性ガス導入管２９にエアバルブ３０
を設け、前記搬送室４の底面に不活性ガス導入管３１を
連通し、該不活性ガス導入管３１にはエアバルブ３２を
設け、前記カセット室５の底面には不活性ガス導入管３
３を連通し、該不活性ガス導入管３３にはエアバルブ３
４を設ける。
【００２１】前記予備室３の天井面に排気管３５を連通
し、該排気管３５にエアバルブ３６を設け、前記搬送室
４の天井面に排気管３７を連通し、該排気管３７にエア
バルブ３８を設け、前記カセット室５の天井面に排気管
３９を連通し、該排気管３９にエアバルブ４０を設け
る。
し、該排気管３５にエアバルブ３６を設け、前記搬送室
４の天井面に排気管３７を連通し、該排気管３７にエア
バルブ３８を設け、前記カセット室５の天井面に排気管
３９を連通し、該排気管３９にエアバルブ４０を設け
る。
【００２２】前記不活性ガス導入管２９、不活性ガス導
入管３１、不活性ガス導入管３３は図示しない不活性ガ
ス源に連通する。該不活性ガス源は前記エアバルブ３
０、前記エアバルブ３２、前記エアバルブ３４を介して
前記予備室３、搬送室４、カセット室５に大気中不純物
０2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 より比重の大きい例えばクリプト
ンガスの不活性ガスを導入する。
入管３１、不活性ガス導入管３３は図示しない不活性ガ
ス源に連通する。該不活性ガス源は前記エアバルブ３
０、前記エアバルブ３２、前記エアバルブ３４を介して
前記予備室３、搬送室４、カセット室５に大気中不純物
０2 、ＣＯ2 、ＮＯ4 より比重の大きい例えばクリプト
ンガスの不活性ガスを導入する。
【００２３】予備室３のガス置換について説明する。
【００２４】前記ゲートバルブ７、ゲートバルブ８を閉
塞し、前記エアバルブ２９、前記エアバルブ３６を開い
て前記不活性ガス導入管２９を介して不活性ガス、例え
ばクリプトンガスを予備室３の底部より導入する。クリ
プトンガスは前記した大気中不純物質０2 、ＣＯ2 、Ｎ
Ｏ4 よりも重いので、導入した不活性ガスは予備室３の
底側から溜まって行き、予備室３中の不純物質０2 、Ｃ
Ｏ2 、ＮＯ4 を押上げる様に前記排気管３５から排出す
る。従って、クリプトンガスは予備室３中のガスと混合
することなく置換していく。
塞し、前記エアバルブ２９、前記エアバルブ３６を開い
て前記不活性ガス導入管２９を介して不活性ガス、例え
ばクリプトンガスを予備室３の底部より導入する。クリ
プトンガスは前記した大気中不純物質０2 、ＣＯ2 、Ｎ
Ｏ4 よりも重いので、導入した不活性ガスは予備室３の
底側から溜まって行き、予備室３中の不純物質０2 、Ｃ
Ｏ2 、ＮＯ4 を押上げる様に前記排気管３５から排出す
る。従って、クリプトンガスは予備室３中のガスと混合
することなく置換していく。
【００２５】更に、不活性ガスとして窒素ガス、アルゴ
ンガス、ネオンガス等を使用することもできる。斯かる
不活性ガスは、同一条件下では大気中不純物質０2 、Ｃ
Ｏ2、ＮＯ4 に比重が近い。従って、比重の近いガスを
置換ガスとして使用する場合は、図示しない不活性ガス
源、或は前記不活性ガス導入管２９、不活性ガス導入管
３１、不活性ガス導入管３３に冷却装置を設け、導入す
る不活性ガスを冷却し、大気中不純物０2 、ＣＯ2 、Ｎ
Ｏ4 より比重を重くして前記予備室３に導入する。而し
て、前記クリプトンガス等重い比重の不活性ガスを供給
したと同様の置換作用が得られる。
ンガス、ネオンガス等を使用することもできる。斯かる
不活性ガスは、同一条件下では大気中不純物質０2 、Ｃ
Ｏ2、ＮＯ4 に比重が近い。従って、比重の近いガスを
置換ガスとして使用する場合は、図示しない不活性ガス
源、或は前記不活性ガス導入管２９、不活性ガス導入管
３１、不活性ガス導入管３３に冷却装置を設け、導入す
る不活性ガスを冷却し、大気中不純物０2 、ＣＯ2 、Ｎ
Ｏ4 より比重を重くして前記予備室３に導入する。而し
て、前記クリプトンガス等重い比重の不活性ガスを供給
したと同様の置換作用が得られる。
【００２６】又、前記搬送室４、カセット室５のガス置
換作用についても同様に行われる。
換作用についても同様に行われる。
【００２７】以上気密室の雰囲気ガスを比重の異なる不
活性ガスで置換するので、置換時に雰囲気ガスと置換ガ
スとが混合し難く、置換は効率よく行われる。
活性ガスで置換するので、置換時に雰囲気ガスと置換ガ
スとが混合し難く、置換は効率よく行われる。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ロード
ロック装置の気密室のガス置換に於いて置換ガスが置換
前に存在する大気不純物と混合しにくくなり、大気不純
物を効率よく排除でき、ガス置換に要する時間の短縮が
図れ、半導体製造装置の可動率を向上させ得ると共に置
換に要する置換ガス量の低減が可能で可動コストの低減
に寄与する。
ロック装置の気密室のガス置換に於いて置換ガスが置換
前に存在する大気不純物と混合しにくくなり、大気不純
物を効率よく排除でき、ガス置換に要する時間の短縮が
図れ、半導体製造装置の可動率を向上させ得ると共に置
換に要する置換ガス量の低減が可能で可動コストの低減
に寄与する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略説明図である。
【図２】本発明の他の一実施例を示す概略説明図であ
る。
る。
【図３】従来例の概略説明図である。
３ 予備室 ４ 搬送室 ５ カセット室 １１ 排気管 １５ 排気管 １９ 排気管 ２３ 不活性ガス導入管 ２５ 不活性ガス導入管 ２７ 不活性ガス導入管 ２９ 不活性ガス導入管 ３１ 不活性ガス導入管 ３３ 不活性ガス導入管 ３５ 排気管 ３７ 排気管 ３９ 排気管
Claims (5)
- 【請求項１】 気密室内の置換対象物とは比重の異なる
不活性置換ガスにより置換を行うことを特徴とするロー
ドロック装置のガス置換方法。 - 【請求項２】 不活性置換ガスと置換対象物との比重が
常温で異なる請求項１のロードロック装置のガス置換方
法。 - 【請求項３】 不活性置換ガスと置換対象物との間に温
度差を設け、不活性置換ガスと置換対象物との比重を異
ならせた請求項１のロードロック装置のガス置換方法。 - 【請求項４】 気密室の天井側に不活性ガス導入管を接
続し、気密室の底面側に排気管を設け、前記不活性ガス
導入管より置換対象物とは比重の軽い不活性ガスを導入
可能としたことを特徴とするロードロック装置のガス置
換装置。 - 【請求項５】 気密室の底面側に不活性ガス導入管を接
続し、気密室の天井側に排気管を設け、前記不活性ガス
導入管より置換対象物とは比重の重い不活性ガスを導入
可能としたことを特徴とするロードロック装置のガス置
換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22382293A JPH0758093A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | ロードロック装置のガス置換方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22382293A JPH0758093A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | ロードロック装置のガス置換方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758093A true JPH0758093A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16804272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22382293A Pending JPH0758093A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | ロードロック装置のガス置換方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758093A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052617A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-04 | Aixtron Ag | Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten |
| JP2005244190A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-09-08 | Asm Internatl Nv | 熱反応炉のシールパージ方法及び装置 |
| JP2009174724A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Hitachi Appliances Inc | 冷蔵庫 |
| JP2019527142A (ja) * | 2016-07-08 | 2019-09-26 | ノルスク・チタニウム・アーエスＮｏｒｓｋ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ａｓ | 立体自由形状造形法のための多室型堆積設備 |
-
1993
- 1993-08-17 JP JP22382293A patent/JPH0758093A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002052617A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-04 | Aixtron Ag | Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von halbleitersubstraten |
| US6908838B2 (en) | 2000-12-23 | 2005-06-21 | Aixtron Ag | Method and device for treating semiconductor substrates |
| JP2005244190A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-09-08 | Asm Internatl Nv | 熱反応炉のシールパージ方法及び装置 |
| JP2009174724A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Hitachi Appliances Inc | 冷蔵庫 |
| JP2019527142A (ja) * | 2016-07-08 | 2019-09-26 | ノルスク・チタニウム・アーエスＮｏｒｓｋ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ａｓ | 立体自由形状造形法のための多室型堆積設備 |
| US11535927B2 (en) | 2016-07-08 | 2022-12-27 | Norsk Titanium As | Multi-chamber deposition equipment for solid free form fabrication |
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