JPH0756192A - 特性専用測定トランジスタ，特性検査方法及び液晶表示パネル - Google Patents
特性専用測定トランジスタ，特性検査方法及び液晶表示パネルInfo
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- JPH0756192A JPH0756192A JP20435893A JP20435893A JPH0756192A JP H0756192 A JPH0756192 A JP H0756192A JP 20435893 A JP20435893 A JP 20435893A JP 20435893 A JP20435893 A JP 20435893A JP H0756192 A JPH0756192 A JP H0756192A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は特性専用測定トランジスタの改善に
関し、液晶表示パネルを構成する薄膜トランジスタの特
性検査をするトランジスタであって、当該薄膜トランジ
スタ基板の作成時及び表示パネルの加工後においても、
被検査対象の特性を正確に把握すること。 【構成】 特性専用測定トランジスタが薄膜トランジス
タから成り、そのソース，ドレイン及びゲートの各検査
端子が導電性材料により取り囲まれ、導電性材料が周辺
共通線に接続される。また、そのドレイン引出し電極，
ゲート引出し電極及びソース引出し電極が局部共通線に
電気的に接続され、局部共通線が周囲共通線に電気的に
接続される。さらに、そのドレインとゲートとが電気的
に接続される。また、そのソース，ドレイン及びゲート
と、各ドレイン引出し電極，ゲート引出し電極及びソー
ス引出し電極の一部とが液晶表示パネルの液晶を画定す
るシール内側に設けられる。
関し、液晶表示パネルを構成する薄膜トランジスタの特
性検査をするトランジスタであって、当該薄膜トランジ
スタ基板の作成時及び表示パネルの加工後においても、
被検査対象の特性を正確に把握すること。 【構成】 特性専用測定トランジスタが薄膜トランジス
タから成り、そのソース，ドレイン及びゲートの各検査
端子が導電性材料により取り囲まれ、導電性材料が周辺
共通線に接続される。また、そのドレイン引出し電極，
ゲート引出し電極及びソース引出し電極が局部共通線に
電気的に接続され、局部共通線が周囲共通線に電気的に
接続される。さらに、そのドレインとゲートとが電気的
に接続される。また、そのソース，ドレイン及びゲート
と、各ドレイン引出し電極，ゲート引出し電極及びソー
ス引出し電極の一部とが液晶表示パネルの液晶を画定す
るシール内側に設けられる。
Description
【０００１】〔目 次〕 産業上の利用分野 従来の技術（図３） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例（図１，２） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、特性専用測定トランジ
スタ，特性検査方法及び液晶表示パネルに関するもので
あり、更に詳しく言えば、液晶表示パネルを構成する薄
膜トランジスタ（以下単にＴＦＴという）の特性検査を
するＴＥＧ（Ｔest Ｅlement Ｇroup）パターン及びそ
の検査方法の改善に関するものである。
スタ，特性検査方法及び液晶表示パネルに関するもので
あり、更に詳しく言えば、液晶表示パネルを構成する薄
膜トランジスタ（以下単にＴＦＴという）の特性検査を
するＴＥＧ（Ｔest Ｅlement Ｇroup）パターン及びそ
の検査方法の改善に関するものである。
【０００３】近年，電子機器のコンパクト化の要請から
奥行きの大きいＣＲＴ（冷陰極管）装置に置き代わり奥
行きの少ない液晶表示装置（以下単にＬＣＤという）が
使用される。表示パネルは複数のＴＦＴと画素電極から
成り、そのゲート線（走査線）とドレイン線（信号線）
とがマトリクス状に配置される。これによれば、内部の
ＴＦＴ特性を把握するために、表示パネルにＴＥＧパタ
ーンが設けられる。しかし、ＴＥＧパターンの配置箇所
や電極の取扱により、静電気及びプラズマダメージ等が
受け易くなる。これにより、当該パターンのＴＦＴ特性
が内部のＴＦＴの特性と異なることがある。
奥行きの大きいＣＲＴ（冷陰極管）装置に置き代わり奥
行きの少ない液晶表示装置（以下単にＬＣＤという）が
使用される。表示パネルは複数のＴＦＴと画素電極から
成り、そのゲート線（走査線）とドレイン線（信号線）
とがマトリクス状に配置される。これによれば、内部の
ＴＦＴ特性を把握するために、表示パネルにＴＥＧパタ
ーンが設けられる。しかし、ＴＥＧパターンの配置箇所
や電極の取扱により、静電気及びプラズマダメージ等が
受け易くなる。これにより、当該パターンのＴＦＴ特性
が内部のＴＦＴの特性と異なることがある。
【０００４】そこで、ＴＦＴ基板の作成時及び表示パネ
ルの加工後においても、内部ＴＦＴの特性を正確に把握
することができるパターン及びその検査方法が望まれて
いる。
ルの加工後においても、内部ＴＦＴの特性を正確に把握
することができるパターン及びその検査方法が望まれて
いる。
【０００５】
【従来の技術】図３は従来例に係るＴＦＴ−ＴＥＧパタ
ーンの構成図である。図３（Ａ）はＬＣＤの平面図であ
り、図３（Ｂ）は外側設置型のＴＦＴ−ＴＥＧパターン
の平面図であり、図３（Ｃ）は内側設置型のＴＦＴ−Ｔ
ＥＧパターンの平面図をそれぞれ示している。
ーンの構成図である。図３（Ａ）はＬＣＤの平面図であ
り、図３（Ｂ）は外側設置型のＴＦＴ−ＴＥＧパターン
の平面図であり、図３（Ｃ）は内側設置型のＴＦＴ−Ｔ
ＥＧパターンの平面図をそれぞれ示している。
【０００６】例えば、液晶表示をする液晶パネル１０は
図３（Ａ）において、ガラス基板１に画像表示部２と外
側設置型のＴＦＴ−ＴＥＧパターン４と具備し、画像表
示部２がＴＦＴと画素電極から成る。画像表示部２に
は、液晶が充填され、それがシール３により画定され
る。当該ＴＥＧパターン４はシール３を境にして外側，
すなわち、液晶の非充填部に設けられる。パターン設置
の目的は、画像表示部２のＴＦＴ特性を把握するためで
ある。例えば、内部の画素電極に直接接触せずに、当該
パターンを検査することにより、ＴＦＴの良否を判定す
る。
図３（Ａ）において、ガラス基板１に画像表示部２と外
側設置型のＴＦＴ−ＴＥＧパターン４と具備し、画像表
示部２がＴＦＴと画素電極から成る。画像表示部２に
は、液晶が充填され、それがシール３により画定され
る。当該ＴＥＧパターン４はシール３を境にして外側，
すなわち、液晶の非充填部に設けられる。パターン設置
の目的は、画像表示部２のＴＦＴ特性を把握するためで
ある。例えば、内部の画素電極に直接接触せずに、当該
パターンを検査することにより、ＴＦＴの良否を判定す
る。
【０００７】ＴＥＧパターン４は図３（Ｂ）において、
画像表示部２のＴＦＴと同様なＴＦＴ構造を有し、その
ソースがソース検査端子４Ａに接続され、そのゲートが
ゲート検査端子４Ｂに接続され、そのドレインがドレイ
ン検査端子４Ｃにそれぞれ接続される。なお、内側設置
型のＴＦＴ−ＴＥＧパターン５は図３（Ｃ）において、
シール３を境にして内側，すなわち、液晶の充填部内に
設けられる。ＴＥＧパターン５は画像表示部２のＴＦＴ
と同様なＴＦＴ構造を有し、そのソースがソース引出し
電極５Ａに接続され、そのゲートがゲート引出し電極５
Ｂに接続され、そのドレインがドレイン引出し電極５Ｃ
にそれぞれ接続される。なお、各電極５Ａ〜５Ｃが周辺
共通線６に接続される。
画像表示部２のＴＦＴと同様なＴＦＴ構造を有し、その
ソースがソース検査端子４Ａに接続され、そのゲートが
ゲート検査端子４Ｂに接続され、そのドレインがドレイ
ン検査端子４Ｃにそれぞれ接続される。なお、内側設置
型のＴＦＴ−ＴＥＧパターン５は図３（Ｃ）において、
シール３を境にして内側，すなわち、液晶の充填部内に
設けられる。ＴＥＧパターン５は画像表示部２のＴＦＴ
と同様なＴＦＴ構造を有し、そのソースがソース引出し
電極５Ａに接続され、そのゲートがゲート引出し電極５
Ｂに接続され、そのドレインがドレイン引出し電極５Ｃ
にそれぞれ接続される。なお、各電極５Ａ〜５Ｃが周辺
共通線６に接続される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例のＴ
ＥＧパターン４によれば図３（Ａ）に示すように、ＴＦ
Ｔ部がシール３の外側に設けられる。また、ＴＥＧパタ
ーン５によれば図３（Ｃ）に示すように、ＴＦＴ部がシ
ール３の内側に設けられ、その各引出し電極がシール３
の外側で周辺共通線６に接続される。このため、次のよ
うな問題がある。
ＥＧパターン４によれば図３（Ａ）に示すように、ＴＦ
Ｔ部がシール３の外側に設けられる。また、ＴＥＧパタ
ーン５によれば図３（Ｃ）に示すように、ＴＦＴ部がシ
ール３の内側に設けられ、その各引出し電極がシール３
の外側で周辺共通線６に接続される。このため、次のよ
うな問題がある。
【０００９】 ＴＦＴ−ＴＥＧパターン４では、画像
表示部２のＴＦＴ基板を作成する工程で、静電気及びプ
ラズマダメージ等が受け易い。これにより、当該パター
ン４のＴＦＴ特性が画像表示部２のＴＦＴの特性と異な
ることがある。例えば、ＴＦＴのゲート電圧対ドレイン
電流（Ｖｇ−Ｉｄ）特性において、閾値電圧Ｖthのシフ
トにより、トランジスタ動作のＯＮ，ＯFF不良を生じる
恐れがある。これにより、本来のＴＥＧパターンの機能
が損なわれる。
表示部２のＴＦＴ基板を作成する工程で、静電気及びプ
ラズマダメージ等が受け易い。これにより、当該パター
ン４のＴＦＴ特性が画像表示部２のＴＦＴの特性と異な
ることがある。例えば、ＴＦＴのゲート電圧対ドレイン
電流（Ｖｇ−Ｉｄ）特性において、閾値電圧Ｖthのシフ
トにより、トランジスタ動作のＯＮ，ＯFF不良を生じる
恐れがある。これにより、本来のＴＥＧパターンの機能
が損なわれる。
【００１０】 また、ＴＦＴ−ＴＥＧパターン５で
は、ＴＦＴの各引出し電極５Ａ〜５Ｃが周辺共通線６に
電気的に接続されるため、ＴＦＴ基板の作成時には、静
電気及びプラズマダメージ等の影響を受けない。しか
し、図３（Ｃ）に示すように、二点鎖線Ｘを境にして、
各引出し電極５Ａ〜５Ｃと周辺共通線６とをレーザカッ
トし、その後、ＴＦＴ特性の測定を行っている。
は、ＴＦＴの各引出し電極５Ａ〜５Ｃが周辺共通線６に
電気的に接続されるため、ＴＦＴ基板の作成時には、静
電気及びプラズマダメージ等の影響を受けない。しか
し、図３（Ｃ）に示すように、二点鎖線Ｘを境にして、
各引出し電極５Ａ〜５Ｃと周辺共通線６とをレーザカッ
トし、その後、ＴＦＴ特性の測定を行っている。
【００１１】このため、表示パネル１０の加工工程にお
いて、各引出し電極５Ａ〜５Ｃが周辺共通線６から切り
離されて個々独立した状態，すなわち、電気的フローテ
ィング状態となる。このことで、パネル取扱時の静電気
に対してＴＥＧパターン５が非常に弱くなり、ＴＥＧパ
ターン（以下特性専用測定トランジスタともいう）４と
同様に、その機能が損なわれる。これにより、画像表示
部２のＴＦＴ（以下被検査対象ともいう）の特性を正確
に把握することが困難となる。
いて、各引出し電極５Ａ〜５Ｃが周辺共通線６から切り
離されて個々独立した状態，すなわち、電気的フローテ
ィング状態となる。このことで、パネル取扱時の静電気
に対してＴＥＧパターン５が非常に弱くなり、ＴＥＧパ
ターン（以下特性専用測定トランジスタともいう）４と
同様に、その機能が損なわれる。これにより、画像表示
部２のＴＦＴ（以下被検査対象ともいう）の特性を正確
に把握することが困難となる。
【００１２】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、薄膜トランジスタ基板の作成時及
び表示パネルの加工後においても、被検査対象の特性を
正確に把握することが可能となる特性専用測定トランジ
スタ，特性検査方法及び液晶表示パネルの提供を目的と
する。
作されたものであり、薄膜トランジスタ基板の作成時及
び表示パネルの加工後においても、被検査対象の特性を
正確に把握することが可能となる特性専用測定トランジ
スタ，特性検査方法及び液晶表示パネルの提供を目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の特性専用
測定トランジスタは、その実施例を図１に示すように、
液晶表示パネルを構成する薄膜トランジスタの特性検査
をする特性専用測定トランジスタにおいて、前記特性専
用測定トランジスタが薄膜トランジスタから成り、前記
薄膜トランジスタのソース，ドレイン及びゲートの各検
査端子が導電性材料により取り囲まれ、前記導電性材料
が周辺共通線に接続されることを特徴とする。
測定トランジスタは、その実施例を図１に示すように、
液晶表示パネルを構成する薄膜トランジスタの特性検査
をする特性専用測定トランジスタにおいて、前記特性専
用測定トランジスタが薄膜トランジスタから成り、前記
薄膜トランジスタのソース，ドレイン及びゲートの各検
査端子が導電性材料により取り囲まれ、前記導電性材料
が周辺共通線に接続されることを特徴とする。
【００１４】本発明の第２の特性専用測定トランジスタ
は、その実施例を図１に示すように、液晶表示パネルを
構成する薄膜トランジスタの特性検査をする特性専用測
定トランジスタにおいて、前記特性専用測定トランジス
タが薄膜トランジスタから成り、前記薄膜トランジスタ
のドレイン引出し電極，ゲート引出し電極及びソース引
出し電極が局部共通線に電気的に接続され、前記局部共
通線が周囲共通線に電気的に接続されることを特徴とす
る。
は、その実施例を図１に示すように、液晶表示パネルを
構成する薄膜トランジスタの特性検査をする特性専用測
定トランジスタにおいて、前記特性専用測定トランジス
タが薄膜トランジスタから成り、前記薄膜トランジスタ
のドレイン引出し電極，ゲート引出し電極及びソース引
出し電極が局部共通線に電気的に接続され、前記局部共
通線が周囲共通線に電気的に接続されることを特徴とす
る。
【００１５】なお、本発明の第１，第２の特性専用測定
トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタのドレイ
ンとゲートとが電気的に接続されることを特徴とする。
また、本発明の第１，第２の特性専用測定トランジスタ
において、前記薄膜トランジスタのソース，ドレイン及
びゲートと、前記薄膜トランジスタのドレイン引出し電
極，ゲート引出し電極及びソース引出し電極の一部とが
液晶表示パネルの液晶を画定するシール内側に設けられ
ることを特徴とする。
トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタのドレイ
ンとゲートとが電気的に接続されることを特徴とする。
また、本発明の第１，第２の特性専用測定トランジスタ
において、前記薄膜トランジスタのソース，ドレイン及
びゲートと、前記薄膜トランジスタのドレイン引出し電
極，ゲート引出し電極及びソース引出し電極の一部とが
液晶表示パネルの液晶を画定するシール内側に設けられ
ることを特徴とする。
【００１６】本発明の特性検査方法は、液晶表示パネル
を構成する薄膜トランジスタの特性検査をする方法であ
って、本発明の第１，第２の特性専用測定トランジスタ
から得られる特性測定データに基づいて薄膜トランジス
タの特性検査をすることを特徴とする。なお、本発明の
特性検査方法において、前記薄膜トランジスタの特性検
査の際に、前記特性専用測定トランジスタのドレイン引
出し電極，ゲート引出し電極及びソース引出し電極と、
前記局部共通線との間が切断されることを特徴とする。
を構成する薄膜トランジスタの特性検査をする方法であ
って、本発明の第１，第２の特性専用測定トランジスタ
から得られる特性測定データに基づいて薄膜トランジス
タの特性検査をすることを特徴とする。なお、本発明の
特性検査方法において、前記薄膜トランジスタの特性検
査の際に、前記特性専用測定トランジスタのドレイン引
出し電極，ゲート引出し電極及びソース引出し電極と、
前記局部共通線との間が切断されることを特徴とする。
【００１７】本発明の液晶表示パネルは、複数の薄膜ト
ランジスタから成る液晶表示パネルにおいて、請求項
１，２よりなる特性専用測定トランジスタが設けられる
ことを特徴とし、上記目的を達成する。
ランジスタから成る液晶表示パネルにおいて、請求項
１，２よりなる特性専用測定トランジスタが設けられる
ことを特徴とし、上記目的を達成する。
【００１８】
【作 用】本発明の第１の特性専用測定トランジスタに
よれば、その実施例を図１に示すように、当該特性専用
測定トランジスタがシール内側に設けられ、そのソー
ス，ドレイン及びゲートの各検査端子が導電性材料によ
り取り囲まれる。このため、当該液晶表示パネル内部の
薄膜トランジスタの作成時，すなわち、液晶封じ工程前
において、周辺共通線に接続された導電性材料により、
静電気及びプラズマダメージ等から特性専用測定トラン
ジスタを保護することが可能となる。
よれば、その実施例を図１に示すように、当該特性専用
測定トランジスタがシール内側に設けられ、そのソー
ス，ドレイン及びゲートの各検査端子が導電性材料によ
り取り囲まれる。このため、当該液晶表示パネル内部の
薄膜トランジスタの作成時，すなわち、液晶封じ工程前
において、周辺共通線に接続された導電性材料により、
静電気及びプラズマダメージ等から特性専用測定トラン
ジスタを保護することが可能となる。
【００１９】本発明の第２の特性専用測定トランジスタ
によれば、その実施例を図１に示すように、当該特性専
用測定トランジスタの本体部及びその各引出し電極の一
部がシール内側に設けられる。また、各引出し電極が、
周囲共通線に接続された局部共通線に電気的に接続され
る。このため、液晶表示パネルの加工時，すなわち、液
晶封じ工程後において、周囲共通線及び局部共通線によ
り、静電気及びプラズマダメージ等から第２の特性専用
測定トランジスタを保護することが可能となる。
によれば、その実施例を図１に示すように、当該特性専
用測定トランジスタの本体部及びその各引出し電極の一
部がシール内側に設けられる。また、各引出し電極が、
周囲共通線に接続された局部共通線に電気的に接続され
る。このため、液晶表示パネルの加工時，すなわち、液
晶封じ工程後において、周囲共通線及び局部共通線によ
り、静電気及びプラズマダメージ等から第２の特性専用
測定トランジスタを保護することが可能となる。
【００２０】これにより、特性専用測定トランジスタの
本来の機能が維持され、液晶封じ前の内部薄膜トランジ
スタの特性を正確に把握することが可能となる。本発明
の特性検査方法によれば、第１，第２の特性専用測定ト
ランジスタから得られる特性測定データに基づいて薄膜
トランジスタが特性検査される。例えば、ドレインとゲ
ートとが電気的に接続された特性専用測定トランジスタ
から特性測定データが得られる。このため、当該特性測
定データから薄膜トランジスタの特性を記述するパラメ
ータを容易に抽出することが可能となる。
本来の機能が維持され、液晶封じ前の内部薄膜トランジ
スタの特性を正確に把握することが可能となる。本発明
の特性検査方法によれば、第１，第２の特性専用測定ト
ランジスタから得られる特性測定データに基づいて薄膜
トランジスタが特性検査される。例えば、ドレインとゲ
ートとが電気的に接続された特性専用測定トランジスタ
から特性測定データが得られる。このため、当該特性測
定データから薄膜トランジスタの特性を記述するパラメ
ータを容易に抽出することが可能となる。
【００２１】また、本発明の特性検査方法によれば、内
部薄膜トランジスタの特性検査の際に、特性専用測定ト
ランジスタの各引出し電極と、局部共通線との間が切断
される。このため、温度，湿度，衝撃等の環境試験によ
り、当該液晶表示パネルが劣化した場合等に、電気的に
切り離された各引出し電極から特性専用測定トランジス
タの特性測定データを得ることができる。
部薄膜トランジスタの特性検査の際に、特性専用測定ト
ランジスタの各引出し電極と、局部共通線との間が切断
される。このため、温度，湿度，衝撃等の環境試験によ
り、当該液晶表示パネルが劣化した場合等に、電気的に
切り離された各引出し電極から特性専用測定トランジス
タの特性測定データを得ることができる。
【００２２】本発明の液晶表示パネルによれば、本発明
の第１，第２の特性専用測定トランジスタが設けられ
る。このため、液晶表示パネルを構成する複数の薄膜ト
ランジスタの特性を第１，第２の特性専用測定トランジ
スタから正確に把握することができる。
の第１，第２の特性専用測定トランジスタが設けられ
る。このため、液晶表示パネルを構成する複数の薄膜ト
ランジスタの特性を第１，第２の特性専用測定トランジ
スタから正確に把握することができる。
【００２３】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図１，２は、本発明の実施例に係るＴ
ＦＴ−ＴＥＧパターン及びＴＦＴ基板の特性検査方法を
説明する図である。図１（Ａ）は、本発明の実施例に係
るＴＦＴ基板の平面図であり、図１（Ｂ）は、そのＴＦ
Ｔ−ＴＥＧパターンの平面図をそれぞれ示している。
いて説明をする。図１，２は、本発明の実施例に係るＴ
ＦＴ−ＴＥＧパターン及びＴＦＴ基板の特性検査方法を
説明する図である。図１（Ａ）は、本発明の実施例に係
るＴＦＴ基板の平面図であり、図１（Ｂ）は、そのＴＦ
Ｔ−ＴＥＧパターンの平面図をそれぞれ示している。
【００２４】例えば、逆スタガ型の薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴという）を内蔵する液晶表示パネルの場合
について説明をする。当該表示パネル２０は図１（Ａ）
に示すように、ガラス基板１１に画像表示部１２とＴＦ
Ｔ−ＴＥＧパターン１４と具備し、画像表示部１２が内
部ＴＦＴと画素電極から成る。画像表示部１２には、液
晶が充填され、それがシール１３により画定される。
（以下ＴＦＴという）を内蔵する液晶表示パネルの場合
について説明をする。当該表示パネル２０は図１（Ａ）
に示すように、ガラス基板１１に画像表示部１２とＴＦ
Ｔ−ＴＥＧパターン１４と具備し、画像表示部１２が内
部ＴＦＴと画素電極から成る。画像表示部１２には、液
晶が充填され、それがシール１３により画定される。
【００２５】ＴＦＴ−ＴＥＧパターン１４は特性専用測
定トランジスタの一例であり、液晶表示パネル２０のＴ
ＦＴの特性検査をするパターンである。当該ＴＥＧパタ
ーン１４はシール１３を境にして内側，すなわち、液晶
の充填部内に設けられる。パターン設置の目的は、画像
表示部１２のＴＦＴ特性を把握するためである。すなわ
ち、当該パターンを検査することにより、内部の画素電
極に直接接触せずに、そのＴＦＴの良否を判定すること
ができる。
定トランジスタの一例であり、液晶表示パネル２０のＴ
ＦＴの特性検査をするパターンである。当該ＴＥＧパタ
ーン１４はシール１３を境にして内側，すなわち、液晶
の充填部内に設けられる。パターン設置の目的は、画像
表示部１２のＴＦＴ特性を把握するためである。すなわ
ち、当該パターンを検査することにより、内部の画素電
極に直接接触せずに、そのＴＦＴの良否を判定すること
ができる。
【００２６】図１（Ｂ）において、ＴＥＧパターン１４
は４つのダミー薄膜トランジスタ（以下単にＴＦＴ１〜
ＴＦＴ４という）から成り、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２は第１
の特性専用測定トランジスタの一例である。ＴＦＴ３，
ＴＦＴ４は第２の特性専用測定トランジスタの一例であ
り、いずれも画像表示部１２のＴＦＴと同様な構造を有
する。その構造については、図２（Ａ）において詳述す
る。
は４つのダミー薄膜トランジスタ（以下単にＴＦＴ１〜
ＴＦＴ４という）から成り、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２は第１
の特性専用測定トランジスタの一例である。ＴＦＴ３，
ＴＦＴ４は第２の特性専用測定トランジスタの一例であ
り、いずれも画像表示部１２のＴＦＴと同様な構造を有
する。その構造については、図２（Ａ）において詳述す
る。
【００２７】ＴＦＴ１のソースはソース検査端子４１に
接続され、そのゲートがゲート検査端子４２に接続さ
れ、そのドレインがドレイン検査端子４３にそれぞれ接
続される。ＴＦＴ２のソースはソース検査端子４４に接
続され、そのゲートがゲート検査端子４５に接続され、
そのドレインがドレイン検査端子４６にそれぞれ接続さ
れる。ＴＦＴ２のゲートはドレインに接続される。
接続され、そのゲートがゲート検査端子４２に接続さ
れ、そのドレインがドレイン検査端子４３にそれぞれ接
続される。ＴＦＴ２のソースはソース検査端子４４に接
続され、そのゲートがゲート検査端子４５に接続され、
そのドレインがドレイン検査端子４６にそれぞれ接続さ
れる。ＴＦＴ２のゲートはドレインに接続される。
【００２８】なお、ＴＦＴ１，ソース検査端子４１，ゲ
ート検査端子４２及びドレイン検査端子４３やＴＦＴ
２，ソース検査端子４４，ゲート検査端子４５及びドレ
イン検査端子４６がガードリング413 に取り囲まれる。
ガードリング413 は導電性材料の一例であり、それが周
辺短絡線１５に接続される。周辺短絡線１５は周辺共通
線の一例であり、液晶が封じ込まれた画像表示部１２の
外側領域に配置される。
ート検査端子４２及びドレイン検査端子４３やＴＦＴ
２，ソース検査端子４４，ゲート検査端子４５及びドレ
イン検査端子４６がガードリング413 に取り囲まれる。
ガードリング413 は導電性材料の一例であり、それが周
辺短絡線１５に接続される。周辺短絡線１５は周辺共通
線の一例であり、液晶が封じ込まれた画像表示部１２の
外側領域に配置される。
【００２９】ＴＦＴ３のソースはソース引出し電極４７
に接続され、そのゲートがゲート引出し電極４８に接続
され、そのドレインがドレイン引出し電極４９にそれぞ
れ接続される。ＴＦＴ３のソースはソース引出し電極41
0 に接続され、そのゲートがゲート・ドレイン共通引出
し電極411 にそれぞれ接続される。なお、ＴＦＴ４のゲ
ートとドレインとが接続され、５本の引出し電極４７〜
411 の一部は液晶を画定するシール１３の外側領域に引
き出される。
に接続され、そのゲートがゲート引出し電極４８に接続
され、そのドレインがドレイン引出し電極４９にそれぞ
れ接続される。ＴＦＴ３のソースはソース引出し電極41
0 に接続され、そのゲートがゲート・ドレイン共通引出
し電極411 にそれぞれ接続される。なお、ＴＦＴ４のゲ
ートとドレインとが接続され、５本の引出し電極４７〜
411 の一部は液晶を画定するシール１３の外側領域に引
き出される。
【００３０】また、ＴＦＴ３のソース引出し電極４７，
ゲート引出し電極４８及びソース引出し電極４９及びＴ
ＦＴ４のソース引出し電極410 ，共通引出し電極411
が、シール１３の外側領域において、ローカル短絡線41
2 に電気的に接続される。ローカル短絡線412 は局部共
通線の一例であり、周辺短絡線１５に電気的に接続され
る。
ゲート引出し電極４８及びソース引出し電極４９及びＴ
ＦＴ４のソース引出し電極410 ，共通引出し電極411
が、シール１３の外側領域において、ローカル短絡線41
2 に電気的に接続される。ローカル短絡線412 は局部共
通線の一例であり、周辺短絡線１５に電気的に接続され
る。
【００３１】次に、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４の形成方法を説
明する。なお、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４は内部のＴＦＴと同
工程により形成される。その構造を図２（Ａ）に示すよ
うに、まず、ガラス基板11Ａ上に、ゲートを形成する。
ゲートは，例えば、膜厚８０〔ｎｍ〕程度のＡｌ，又は
Ｔｉを順次積層し、それをパターニングする。次に、ゲ
ートの誘電体膜11Ｂ，ａ−Ｓｉ層11Ｃ及びチャネル保護
層11Ｄを連続して形成する。誘電体膜11Ｂには、例え
ば、膜厚400 〔ｎｍ〕程度のＳｉＮ膜を用いる。次い
で、保護層11Ｄには、例えば、膜厚400 〔ｎｍ〕程度の
ＳｉＮ膜を用いる。ａ−Ｓｉ層11Ｃは動作活性層とな
る。
明する。なお、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４は内部のＴＦＴと同
工程により形成される。その構造を図２（Ａ）に示すよ
うに、まず、ガラス基板11Ａ上に、ゲートを形成する。
ゲートは，例えば、膜厚８０〔ｎｍ〕程度のＡｌ，又は
Ｔｉを順次積層し、それをパターニングする。次に、ゲ
ートの誘電体膜11Ｂ，ａ−Ｓｉ層11Ｃ及びチャネル保護
層11Ｄを連続して形成する。誘電体膜11Ｂには、例え
ば、膜厚400 〔ｎｍ〕程度のＳｉＮ膜を用いる。次い
で、保護層11Ｄには、例えば、膜厚400 〔ｎｍ〕程度の
ＳｉＮ膜を用いる。ａ−Ｓｉ層11Ｃは動作活性層とな
る。
【００３２】次に、ゲート上にのみにチャネル保護層11
Ｄを残す。次いで、ＴＦＴのドレイン，ソース領域を形
成する。この領域には、例えば、膜厚５０〔ｎｍ〕程度
のｎ + ａ−Ｓｉ層11Ｅと膜厚120 〔ｎｍ〕程度のＴｉ層
とを堆積する。その後、ａ−Ｓｉ層11Ｃまでエッチング
する。この際に、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２の各検査端子４１
〜４６やＴＦＴ３，ＴＦＴ４の各引出し電極４７〜411
及び、ローカル短絡線412 ，ガードリング413 及び周辺
短絡線１５を同時に形成する。次いで、保護膜11Ｆを形
成する。保護膜11Ｆは、例えば、膜厚300 〔ｎｍ〕程度
のＳｉＮ膜を用いる。
Ｄを残す。次いで、ＴＦＴのドレイン，ソース領域を形
成する。この領域には、例えば、膜厚５０〔ｎｍ〕程度
のｎ + ａ−Ｓｉ層11Ｅと膜厚120 〔ｎｍ〕程度のＴｉ層
とを堆積する。その後、ａ−Ｓｉ層11Ｃまでエッチング
する。この際に、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２の各検査端子４１
〜４６やＴＦＴ３，ＴＦＴ４の各引出し電極４７〜411
及び、ローカル短絡線412 ，ガードリング413 及び周辺
短絡線１５を同時に形成する。次いで、保護膜11Ｆを形
成する。保護膜11Ｆは、例えば、膜厚300 〔ｎｍ〕程度
のＳｉＮ膜を用いる。
【００３３】さらに、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２の各検査端子
４１〜４６やＴＦＴ３，ＴＦＴ４の各引出し電極４７〜
411 にコンタクトホールを形成する。その後、膜厚７０
〔ｎｍ〕程度のＩＴＯ膜11Ｇを形成する。ＩＴＯ膜11Ｇ
は内部のＴＦＴにおいて画素電極を構成する。これによ
り、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４や内部のＴＦＴが同時に形成さ
れる。なお、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４の素子長やゲート幅
は、内部のＴＦＴの寸法と同一が望ましい。しかし、そ
れらを場合によって変更しても良い。また、液晶封じ後
は、図１（Ｂ）において、二点鎖線Ｙの部分でガラス基
板１１がカットされ、それがパネル組み立て工程に移行
される。
４１〜４６やＴＦＴ３，ＴＦＴ４の各引出し電極４７〜
411 にコンタクトホールを形成する。その後、膜厚７０
〔ｎｍ〕程度のＩＴＯ膜11Ｇを形成する。ＩＴＯ膜11Ｇ
は内部のＴＦＴにおいて画素電極を構成する。これによ
り、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４や内部のＴＦＴが同時に形成さ
れる。なお、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４の素子長やゲート幅
は、内部のＴＦＴの寸法と同一が望ましい。しかし、そ
れらを場合によって変更しても良い。また、液晶封じ後
は、図１（Ｂ）において、二点鎖線Ｙの部分でガラス基
板１１がカットされ、それがパネル組み立て工程に移行
される。
【００３４】このようにして、本発明の実施例に係るＴ
ＦＴ−ＴＥＧパターンによれば、図１に示すように、Ｔ
ＦＴ１〜ＴＦＴ４がシール１３の内側に設けられ、ＴＦ
Ｔ１，ＴＦＴ２の各検査端子４１〜４６がガードリング
413 により取り囲まれる。このため、当該液晶表示パネ
ル２０の内部ＴＦＴの作成時，すなわち、液晶封じ工程
前において、周辺短絡線１５に接続されたガードリング
413 により、静電気及びプラズマダメージ等からＴＦＴ
１，ＴＦＴ２を保護することが可能となる。
ＦＴ−ＴＥＧパターンによれば、図１に示すように、Ｔ
ＦＴ１〜ＴＦＴ４がシール１３の内側に設けられ、ＴＦ
Ｔ１，ＴＦＴ２の各検査端子４１〜４６がガードリング
413 により取り囲まれる。このため、当該液晶表示パネ
ル２０の内部ＴＦＴの作成時，すなわち、液晶封じ工程
前において、周辺短絡線１５に接続されたガードリング
413 により、静電気及びプラズマダメージ等からＴＦＴ
１，ＴＦＴ２を保護することが可能となる。
【００３５】これにより、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２の本来の
機能，すなわち、内部の画素電極に直接接触せずに、当
該ＴＦＴ１，ＴＦＴ２を検査することにより、内部トラ
ンジスタの良否を判定するという機能が維持される。こ
のことで、液晶封じ前の内部ＴＦＴの特性を正確に把握
することが可能となる。また、図１に示すように、当該
ＴＦＴ３，ＴＦＴ４の本体部がシール１３の内側に設け
られ、その各引出し電極４７〜411 の一部がシール１３
の外側領域に設けられる。また、各引出し電極４７〜41
1 が、周辺短絡線１５に接続されたローカル短絡線412
に電気的に接続される。
機能，すなわち、内部の画素電極に直接接触せずに、当
該ＴＦＴ１，ＴＦＴ２を検査することにより、内部トラ
ンジスタの良否を判定するという機能が維持される。こ
のことで、液晶封じ前の内部ＴＦＴの特性を正確に把握
することが可能となる。また、図１に示すように、当該
ＴＦＴ３，ＴＦＴ４の本体部がシール１３の内側に設け
られ、その各引出し電極４７〜411 の一部がシール１３
の外側領域に設けられる。また、各引出し電極４７〜41
1 が、周辺短絡線１５に接続されたローカル短絡線412
に電気的に接続される。
【００３６】このため、液晶表示パネルの加工時，すな
わち、液晶封じ工程後において、周辺短絡線１５及びロ
ーカル短絡線412 により、静電気及びプラズマダメージ
等からＴＦＴ３，ＴＦＴ４を保護することが可能とな
る。これにより、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２と同様に、本来の
機能が維持され、液晶封じ後の内部ＴＦＴの特性を正確
に把握することが可能となる。また、このような構造を
採ることにより、外部条件に左右されないＴＦＴ１〜Ｔ
ＦＴ４を製造することが可能となる。
わち、液晶封じ工程後において、周辺短絡線１５及びロ
ーカル短絡線412 により、静電気及びプラズマダメージ
等からＴＦＴ３，ＴＦＴ４を保護することが可能とな
る。これにより、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２と同様に、本来の
機能が維持され、液晶封じ後の内部ＴＦＴの特性を正確
に把握することが可能となる。また、このような構造を
採ることにより、外部条件に左右されないＴＦＴ１〜Ｔ
ＦＴ４を製造することが可能となる。
【００３７】次に、本発明の実施例に係る液晶表示パネ
ルの特性検査方法について、当該ＴＦＴ−ＴＥＧパター
ンを補足しながら説明をする。例えば、液晶封じ前の内
部ＴＦＴの特性を検査する場合には、ＴＥＧパターン１
４のＴＦＴ１やＴＦＴ２を検査する。例えば、ドレイン
とゲートとが短絡されたＴＦＴ２から特性測定データが
得られる。なお、ＴＦＴ２はゲート電圧Ｖｇとドレイン
電圧Ｖｄとが同電位となることから、ダイオード特性を
示す。例えば、図２に示すようなＴＦＴの電流√Ｉｄ−
電圧Ｖｇ特性が得られる。この際のＴＦＴ特性の抽出は
以下のように行う。ここで、ＴＦＴの飽和電流ＩｄSAT
は（１）式，すなわち、 ＩｄSAT ＝ＣＷμ（Ｖｇ−Ｖth）2 ／２Ｌ，（Ｖｄ≧Ｖｇ）……（１） で示される。
ルの特性検査方法について、当該ＴＦＴ−ＴＥＧパター
ンを補足しながら説明をする。例えば、液晶封じ前の内
部ＴＦＴの特性を検査する場合には、ＴＥＧパターン１
４のＴＦＴ１やＴＦＴ２を検査する。例えば、ドレイン
とゲートとが短絡されたＴＦＴ２から特性測定データが
得られる。なお、ＴＦＴ２はゲート電圧Ｖｇとドレイン
電圧Ｖｄとが同電位となることから、ダイオード特性を
示す。例えば、図２に示すようなＴＦＴの電流√Ｉｄ−
電圧Ｖｇ特性が得られる。この際のＴＦＴ特性の抽出は
以下のように行う。ここで、ＴＦＴの飽和電流ＩｄSAT
は（１）式，すなわち、 ＩｄSAT ＝ＣＷμ（Ｖｇ−Ｖth）2 ／２Ｌ，（Ｖｄ≧Ｖｇ）……（１） で示される。
【００３８】ここで、Ｃは単位面積当たりの電気容量，
μは移動度、Ｗは素子長，Ｌは素子幅，Ｖｇはゲート電
圧，Ｖthは閾値電圧である。（１）式において、両辺の
平方根をとると、（２）式，すなわち、 ＩｄSAT 1/2 ＝（ＣＷμ／２Ｌ）1/2 （Ｖｇ−Ｖth）……（２） となる。（２）式を横軸Ｖｇ，縦軸ＩｄSAT 1/2 をプロ
ットすると、図２に示すような√Ｉｄ−Ｖｇ特性が得ら
れる。この特性において、傾きが移動度μ，横軸切片か
ら閾値Ｖthが求まる。これに測定電流Ｉｄの一点を指定
すれば、ＴＦＴ特性を記述することができる。これらの
ＴＦＴ特性抽出データを用いるとＴＦＴ特性の管理をす
ることが可能となる。
μは移動度、Ｗは素子長，Ｌは素子幅，Ｖｇはゲート電
圧，Ｖthは閾値電圧である。（１）式において、両辺の
平方根をとると、（２）式，すなわち、 ＩｄSAT 1/2 ＝（ＣＷμ／２Ｌ）1/2 （Ｖｇ−Ｖth）……（２） となる。（２）式を横軸Ｖｇ，縦軸ＩｄSAT 1/2 をプロ
ットすると、図２に示すような√Ｉｄ−Ｖｇ特性が得ら
れる。この特性において、傾きが移動度μ，横軸切片か
ら閾値Ｖthが求まる。これに測定電流Ｉｄの一点を指定
すれば、ＴＦＴ特性を記述することができる。これらの
ＴＦＴ特性抽出データを用いるとＴＦＴ特性の管理をす
ることが可能となる。
【００３９】また、液晶封じ後の内部ＴＦＴの特性検
査，例えば、それをパネル化して環境試験検査をし、そ
の後のＴＦＴ特性評価をする場合には、図１（Ｂ）にお
いて、破線Ｚの部分でＴＦＴ３，ＴＦＴ４の各引出し電
極をレーザカットする。これにより、ＴＦＴ３のソース
引出し電極４７，ゲート引出し電極４８及びソース引出
し電極４９と、ＴＦＴ４のソース引出し電極410 ，共通
引出し電極411 が、ローカル短絡線412 から分離され
る。
査，例えば、それをパネル化して環境試験検査をし、そ
の後のＴＦＴ特性評価をする場合には、図１（Ｂ）にお
いて、破線Ｚの部分でＴＦＴ３，ＴＦＴ４の各引出し電
極をレーザカットする。これにより、ＴＦＴ３のソース
引出し電極４７，ゲート引出し電極４８及びソース引出
し電極４９と、ＴＦＴ４のソース引出し電極410 ，共通
引出し電極411 が、ローカル短絡線412 から分離され
る。
【００４０】その後、先のＴＦＴ１，ＴＦＴ２の場合と
同様に特性測定データに基づいて内部ＴＦＴの特性検査
をする。例えば、ＴＦＴ４の√Ｉｄ−Ｖｇ特性におい
て、閾値電圧Ｖthが同等な特性を示すことから、内部Ｔ
ＦＴのＯＮ，ＯFF動作を検査することができる。このよ
うにして、本発明の実施例に係る液晶表示パネルの特性
検査方法によれば、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４から得られる特
性測定データに基づいて内部ＴＦＴが特性検査される。
同様に特性測定データに基づいて内部ＴＦＴの特性検査
をする。例えば、ＴＦＴ４の√Ｉｄ−Ｖｇ特性におい
て、閾値電圧Ｖthが同等な特性を示すことから、内部Ｔ
ＦＴのＯＮ，ＯFF動作を検査することができる。このよ
うにして、本発明の実施例に係る液晶表示パネルの特性
検査方法によれば、ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４から得られる特
性測定データに基づいて内部ＴＦＴが特性検査される。
【００４１】このため、当該特性測定データから内部Ｔ
ＦＴの特性を記述するパラメータを容易に抽出すること
が可能となり、ＴＦＴ特性抽出データから内部ＴＦＴ特
性の管理をすることが可能となる。また、本発明によれ
ば、内部ＴＦＴの特性検査の際に、ＴＦＴ３のソース引
出し電極４７，ゲート引出し電極４８及びソース引出し
電極４９と、ＴＦＴ４のソース引出し電極410 ，共通引
出し電極411 と、ローカル短絡線412 との間が切断され
る。
ＦＴの特性を記述するパラメータを容易に抽出すること
が可能となり、ＴＦＴ特性抽出データから内部ＴＦＴ特
性の管理をすることが可能となる。また、本発明によれ
ば、内部ＴＦＴの特性検査の際に、ＴＦＴ３のソース引
出し電極４７，ゲート引出し電極４８及びソース引出し
電極４９と、ＴＦＴ４のソース引出し電極410 ，共通引
出し電極411 と、ローカル短絡線412 との間が切断され
る。
【００４２】このため、温度，湿度，衝撃等の環境試験
により、当該液晶表示パネルが劣化した場合等に、電気
的に切り離された各引出し電極４７〜411 からＴＦＴ
３，ＴＦＴ４の特性測定データを得ることができる。こ
れにより、液晶表示パネル２０を分解することなく、内
部ＴＦＴの特性検査をすることが可能となる。
により、当該液晶表示パネルが劣化した場合等に、電気
的に切り離された各引出し電極４７〜411 からＴＦＴ
３，ＴＦＴ４の特性測定データを得ることができる。こ
れにより、液晶表示パネル２０を分解することなく、内
部ＴＦＴの特性検査をすることが可能となる。
【００４３】なお、本発明の実施例では、１組のＴＦＴ
−ＴＥＧパターン１４の場合について説明したが、ＴＦ
Ｔ特性の分布等を把握する場合には、複数組のパターン
１４を設けると良い。また、本発明の実施例では逆スタ
ガ型のＴＦＴの場合について説明をしたが、これに限ら
ず、正スタガ型のＴＦＴやＭＩＭ（ＭetalＩnsulator
Ｍetal）型等の素子構造においても、本発明と同様な効
果が得られる。
−ＴＥＧパターン１４の場合について説明したが、ＴＦ
Ｔ特性の分布等を把握する場合には、複数組のパターン
１４を設けると良い。また、本発明の実施例では逆スタ
ガ型のＴＦＴの場合について説明をしたが、これに限ら
ず、正スタガ型のＴＦＴやＭＩＭ（ＭetalＩnsulator
Ｍetal）型等の素子構造においても、本発明と同様な効
果が得られる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の特性専用
測定トランジスタによれば、当該トランジスタのソー
ス，ドレイン及びゲートの各検査端子が導電性材料によ
り取り囲まれる。このため、液晶封じ工程前において、
周辺共通線に接続された導電性材料により、静電気及び
プラズマダメージ等から当該トランジスタを保護するこ
とが可能となる。
測定トランジスタによれば、当該トランジスタのソー
ス，ドレイン及びゲートの各検査端子が導電性材料によ
り取り囲まれる。このため、液晶封じ工程前において、
周辺共通線に接続された導電性材料により、静電気及び
プラズマダメージ等から当該トランジスタを保護するこ
とが可能となる。
【００４５】また、本発明の他の特性専用測定トランジ
スタによれば、その各引出し電極が、周囲共通線に接続
された局部共通線に電気的に接続される。このため、液
晶封じ工程後において、周囲共通線及び局部共通線によ
り、静電気及びプラズマダメージ等から他の特性専用測
定トランジスタを保護することが可能となる。
スタによれば、その各引出し電極が、周囲共通線に接続
された局部共通線に電気的に接続される。このため、液
晶封じ工程後において、周囲共通線及び局部共通線によ
り、静電気及びプラズマダメージ等から他の特性専用測
定トランジスタを保護することが可能となる。
【００４６】本発明の特性検査方法によれば、特性専用
測定トランジスタの特性測定データに基づいて内部の薄
膜トランジスタの特性を記述するパラメータが抽出され
る。このため、液晶封じ前の内部薄膜トランジスタの良
否判定を正確に行うことができる。また、本発明の特性
検査方法によれば、液晶封じ後の特性検査の際に、特性
専用測定トランジスタの各引出し電極と、局部共通線と
の間が切断される。このため、ＬＣＤパネルを分解する
ことなく、電気的に切り離された各引出し電極から、当
該パネルの劣化原因を探索する特性測定データを得るこ
とができる。
測定トランジスタの特性測定データに基づいて内部の薄
膜トランジスタの特性を記述するパラメータが抽出され
る。このため、液晶封じ前の内部薄膜トランジスタの良
否判定を正確に行うことができる。また、本発明の特性
検査方法によれば、液晶封じ後の特性検査の際に、特性
専用測定トランジスタの各引出し電極と、局部共通線と
の間が切断される。このため、ＬＣＤパネルを分解する
ことなく、電気的に切り離された各引出し電極から、当
該パネルの劣化原因を探索する特性測定データを得るこ
とができる。
【００４７】これにより、液晶封じ前後の内部薄膜トラ
ンジスタの特性を正確に把握することが可能となる。ま
た、高信頼度の特性専用測定トランジスタの提供に寄与
するところが大きい。
ンジスタの特性を正確に把握することが可能となる。ま
た、高信頼度の特性専用測定トランジスタの提供に寄与
するところが大きい。
【図１】本発明の実施例に係るＴＦＴ−ＴＥＧパターン
の構成図である。
の構成図である。
【図２】本発明の実施例に係るＴＦＴ−ＴＥＧパターン
の補足説明図である。
の補足説明図である。
【図３】従来例に係るＴＦＴ−ＴＥＧパターンの構成図
である。
である。
１１…ガラス基板、 １２…画像表示部、 １３…シール、 １４…ＴＦＴ−ＴＥＧパターン（特性専用測定トランジ
スタ）、 １５…周辺短絡線（周辺共通線）、 ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４…ダミー薄膜トランジスタ（第１，
第２の特性専用測定トランジスタ）、 ４１，４４…ソース検査端子、 ４２，４５…ゲート検査端子、 ４３，４６…ドレイン検査端子、 ４７，410 …ソース引出し電極、 ４８…ゲート引出し電極、 ４９…ドレイン引出し電極、 411 …ゲート・ドレイン共通引出し電極、 412 …ローカル短絡線（局部共通線）、 413 …ガードリング413 （導電性材料）。
スタ）、 １５…周辺短絡線（周辺共通線）、 ＴＦＴ１〜ＴＦＴ４…ダミー薄膜トランジスタ（第１，
第２の特性専用測定トランジスタ）、 ４１，４４…ソース検査端子、 ４２，４５…ゲート検査端子、 ４３，４６…ドレイン検査端子、 ４７，410 …ソース引出し電極、 ４８…ゲート引出し電極、 ４９…ドレイン引出し電極、 411 …ゲート・ドレイン共通引出し電極、 412 …ローカル短絡線（局部共通線）、 413 …ガードリング413 （導電性材料）。
Claims (7)
- 【請求項１】 液晶表示パネルを構成する薄膜トランジ
スタの特性検査をする特性専用測定トランジスタにおい
て、 前記特性専用測定トランジスタが薄膜トランジスタから
成り、前記薄膜トランジスタのソース，ドレイン及びゲ
ートの各検査端子が導電性材料により取り囲まれ、前記
導電性材料が周辺共通線に接続されることを特徴とする
特性専用測定トランジスタ。 - 【請求項２】 液晶表示パネルを構成する薄膜トランジ
スタの特性検査をする特性専用測定トランジスタにおい
て、 前記特性専用測定トランジスタが薄膜トランジスタから
成り、前記薄膜トランジスタのドレイン引出し電極，ゲ
ート引出し電極及びソース引出し電極が局部共通線に電
気的に接続され、前記局部共通線が周囲共通線に電気的
に接続されることを特徴とする特性専用測定トランジス
タ。 - 【請求項３】 請求項１，２記載の特性専用測定トラン
ジスタにおいて、前記薄膜トランジスタのドレインとゲ
ートとが電気的に接続されることを特徴とする特性専用
測定トランジスタ。 - 【請求項４】 請求項１，２，３記載の特性専用測定ト
ランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタのソース，
ドレイン及びゲートと、前記薄膜トランジスタのドレイ
ン引出し電極，ゲート引出し電極及びソース引出し電極
の一部とが液晶表示パネルの液晶を画定するシール内側
に設けられることを特徴とする特性専用測定トランジス
タ。 - 【請求項５】 液晶表示パネルを構成する薄膜トランジ
スタの特性検査をする方法であって、前記請求項１〜４
記載の特性専用測定トランジスタから得られる特性測定
データに基づいて薄膜トランジスタの特性検査をするこ
とを特徴とする特性検査方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の特性検査方法において、
前記薄膜トランジスタの特性検査の際に、前記特性専用
測定トランジスタのドレイン引出し電極，ゲート引出し
電極及びソース引出し電極と前記局部共通線との間が切
断されることを特徴とする特性検査方法。 - 【請求項７】 複数の薄膜トランジスタから成る液晶表
示パネルにおいて、請求項１，２よりなる特性専用測定
トランジスタが設けられることを特徴とする液晶表示パ
ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20435893A JP3021245B2 (ja) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | 特性専用測定トランジスタ，特性検査方法及び液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20435893A JP3021245B2 (ja) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | 特性専用測定トランジスタ，特性検査方法及び液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756192A true JPH0756192A (ja) | 1995-03-03 |
| JP3021245B2 JP3021245B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=16489193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20435893A Expired - Fee Related JP3021245B2 (ja) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | 特性専用測定トランジスタ，特性検査方法及び液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3021245B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001255557A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Seiko Epson Corp | 液晶装置およびその製造方法 |
| JP2004045091A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 容量測定用装置及び容量測定方法 |
| KR100425969B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2004-04-06 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시장치의 제조방법 및 표시장치용 기판 |
| JP2006003920A (ja) * | 1997-10-31 | 2006-01-05 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器並びに投射型表示装置 |
| KR20060125605A (ko) * | 2005-06-02 | 2006-12-06 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 특성검사용 스위칭 소자 및 특성검사 방법 |
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| CN116794866A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及母板 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI746311B (zh) * | 2020-12-11 | 2021-11-11 | 凌巨科技股份有限公司 | 異型顯示面板及其製造方法 |
-
1993
- 1993-08-18 JP JP20435893A patent/JP3021245B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8704762B2 (en) | 2010-06-02 | 2014-04-22 | Japan Display Inc. | Display device |
| US9274631B2 (en) | 2010-06-02 | 2016-03-01 | Japan Display Inc. | Display device |
| US9507477B2 (en) | 2010-06-02 | 2016-11-29 | Japan Display Inc. | Display device |
| US9740071B2 (en) | 2010-06-02 | 2017-08-22 | Japan Display Inc. | Display device |
| US10269877B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-04-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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| CN116794866A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及母板 |
| CN116794866B (zh) * | 2023-06-29 | 2024-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及母板 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3021245B2 (ja) | 2000-03-15 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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