JPH0752730B2 - 電極組立物及びプラズマ装置 - Google Patents
電極組立物及びプラズマ装置Info
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- JPH0752730B2 JPH0752730B2 JP62238579A JP23857987A JPH0752730B2 JP H0752730 B2 JPH0752730 B2 JP H0752730B2 JP 62238579 A JP62238579 A JP 62238579A JP 23857987 A JP23857987 A JP 23857987A JP H0752730 B2 JPH0752730 B2 JP H0752730B2
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- hole
- main electrode
- electrode assembly
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32688—Multi-cusp fields
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、電極組立物及びそれと協働する装置に関する
もので、特にリアクティブドライエッチング装置または
プラズマディポジション装置のようなプラズマ方法の装
置に用いられる電極組立に関するものである。
もので、特にリアクティブドライエッチング装置または
プラズマディポジション装置のようなプラズマ方法の装
置に用いられる電極組立に関するものである。
半導体ウエハ上のICを作る工程には、素材の層がウエハ
の選択された区域上に付着または成長される段階，また
はウエハの選択された区域がイオン注入法のような技術
によって変成され、異なる組成の層間に所要の結合を生
ずるようにした段階が含まれる。
の選択された区域上に付着または成長される段階，また
はウエハの選択された区域がイオン注入法のような技術
によって変成され、異なる組成の層間に所要の結合を生
ずるようにした段階が含まれる。
それ等の多数の工程は、処理されないウエハの部分を防
ぐためホトレジスト層を与える工程を含む。多くの場
合、ホトレジスト層は、ウエハの表面に二酸化シリコン
の層を作るためウエハの表面を適当な酸化雰囲気，例え
ば酸素中で加熱した後に行われる。その後、ホトレジス
ト層で保護されなかった区域から二酸化シリコンの層を
取除くため、ウエハをエッチングする必要があり、それ
により、その後の処理，例えばスパッタリングまたはイ
オン注入法のため、下層のシリコン基板を露出させる。
そのようなエッチングの目的は、異方性エッチングの効
果を上げる，即ちホトレジスト層によって保護されなか
った表面にのみエッチングを行い、シリコン下層の表面
に垂直な方向にのみエッチングを行い、またホトレジス
ト層の縁のアンダーカットを行う横方向エッチングを避
けることにある。
ぐためホトレジスト層を与える工程を含む。多くの場
合、ホトレジスト層は、ウエハの表面に二酸化シリコン
の層を作るためウエハの表面を適当な酸化雰囲気，例え
ば酸素中で加熱した後に行われる。その後、ホトレジス
ト層で保護されなかった区域から二酸化シリコンの層を
取除くため、ウエハをエッチングする必要があり、それ
により、その後の処理，例えばスパッタリングまたはイ
オン注入法のため、下層のシリコン基板を露出させる。
そのようなエッチングの目的は、異方性エッチングの効
果を上げる，即ちホトレジスト層によって保護されなか
った表面にのみエッチングを行い、シリコン下層の表面
に垂直な方向にのみエッチングを行い、またホトレジス
ト層の縁のアンダーカットを行う横方向エッチングを避
けることにある。
最初、シリコン基板から二酸化シリコンを剥すため、少
なくともホトレジスト層のなかった区域にウエットエッ
チングが行われる。そのようなエッチングに用いられる
バスは、かなり健康上及び安全上危険なフッ化水素酸の
ような有毒化学物質を含む。更にエッチング溶液の使用
は製造工程を複雑にする。また、エッチングは、二酸化
シリコン層の全域において等方的に行われ、ホトレジス
ト層の縁に不可避的にアンダーカットを生じ、ホトレジ
ストによって保護された区域を正確に区画できなくす
る。
なくともホトレジスト層のなかった区域にウエットエッ
チングが行われる。そのようなエッチングに用いられる
バスは、かなり健康上及び安全上危険なフッ化水素酸の
ような有毒化学物質を含む。更にエッチング溶液の使用
は製造工程を複雑にする。また、エッチングは、二酸化
シリコン層の全域において等方的に行われ、ホトレジス
ト層の縁に不可避的にアンダーカットを生じ、ホトレジ
ストによって保護された区域を正確に区画できなくす
る。
最近、いわゆるリアクティブドライエッチング法が発達
し、例えば二酸化シリコン層の除去に用いられる。この
場合、エッチングされるウエハは、ヘキサフルオロエタ
ンまたはヘキサフルオロエタンとトリフルオロメタンの
混合物のようなエッチングガスの雰囲気にさらされ、同
時にプラズマ抜取状態におかれる。プラズマ抜取はF+イ
オンとCF3 +イオン，同時にCF3基を生ずるものと考えら
れ、これらのリアクティブ類は二酸化シリコンと反応し
て取除き、下のシリコン基板を露出させる。
し、例えば二酸化シリコン層の除去に用いられる。この
場合、エッチングされるウエハは、ヘキサフルオロエタ
ンまたはヘキサフルオロエタンとトリフルオロメタンの
混合物のようなエッチングガスの雰囲気にさらされ、同
時にプラズマ抜取状態におかれる。プラズマ抜取はF+イ
オンとCF3 +イオン，同時にCF3基を生ずるものと考えら
れ、これらのリアクティブ類は二酸化シリコンと反応し
て取除き、下のシリコン基板を露出させる。
C.Le Jeune他がリアクティブドライエッチングまたはプ
ラズマディポジションのための装置を発表したが、そこ
では、無線周波数（13.56MHz）が多数のフェライトマグ
ネットを有する接地円筒状真空室内に設けられた多管状
銅カソードに与えられるもので、そのマグネットは間隔
をおいて室の周縁に配列され、各マグネットは室に関し
て半径方向の磁軸を有し、室の周縁に交互の磁性をもっ
て配置されている。
ラズマディポジションのための装置を発表したが、そこ
では、無線周波数（13.56MHz）が多数のフェライトマグ
ネットを有する接地円筒状真空室内に設けられた多管状
銅カソードに与えられるもので、そのマグネットは間隔
をおいて室の周縁に配列され、各マグネットは室に関し
て半径方向の磁軸を有し、室の周縁に交互の磁性をもっ
て配置されている。
ガスは、容量的に接地された独立極性のアンチカソード
を有する室に入れることもできる。更に詳細なことは、
1985年11月26〜29日Cachanにおける３me Symposium I
nternational sur le Gravure Seche et le Dｐt P
lasma en Microelectronique,に提出された文書の145頁
〜153頁「Triode HF confinement multipolaire pou
r racteur de gravure ou de dｐｔ」で明らかで
ある。
を有する室に入れることもできる。更に詳細なことは、
1985年11月26〜29日Cachanにおける３me Symposium I
nternational sur le Gravure Seche et le Dｐt P
lasma en Microelectronique,に提出された文書の145頁
〜153頁「Triode HF confinement multipolaire pou
r racteur de gravure ou de dｐｔ」で明らかで
ある。
SF6/Arを用いるシリコンの異方性エッチングのためのプ
ラズマを生ずるマイクロウエーブの用法は、C.Pomot他
による1986年1/2月J.Vac.Sci.Technol.,B4（１）の１〜
５頁に記載されている。この装置は、円筒形真空室を有
し、安全上の理由から、永久磁石に接続された接地電位
で作動するようになっている。
ラズマを生ずるマイクロウエーブの用法は、C.Pomot他
による1986年1/2月J.Vac.Sci.Technol.,B4（１）の１〜
５頁に記載されている。この装置は、円筒形真空室を有
し、安全上の理由から、永久磁石に接続された接地電位
で作動するようになっている。
多極制限層によるプラズマエッチングリアクタは、T.D.
Mantei他による1983年６月のAppl.Phys.Lett.43（１）
の84〜86頁に、Extended Abstracts of the Electroche
mical Society Meeting,Vol.86−２（1986）418頁のア
ブストラクトNo.279に、そして、1985年４月Solid Stat
e Technology 263〜265頁に記載されている。それ等の
マグネットは、接地されたと見られる真空室の壁の周囲
に設けられている。ホットタングステンフィラメントが
プラズマを生ずるのに用いられる。しかし、ホットタン
グステンは、それが比較的短時間の作動で焼失してしま
うので不都合であり、またフィラメントから飛散した物
質が、ウエハまたは基板を汚すおそれがある。
Mantei他による1983年６月のAppl.Phys.Lett.43（１）
の84〜86頁に、Extended Abstracts of the Electroche
mical Society Meeting,Vol.86−２（1986）418頁のア
ブストラクトNo.279に、そして、1985年４月Solid Stat
e Technology 263〜265頁に記載されている。それ等の
マグネットは、接地されたと見られる真空室の壁の周囲
に設けられている。ホットタングステンフィラメントが
プラズマを生ずるのに用いられる。しかし、ホットタン
グステンは、それが比較的短時間の作動で焼失してしま
うので不都合であり、またフィラメントから飛散した物
質が、ウエハまたは基板を汚すおそれがある。
リアクティブドライエッチングは、有毒溶液を使用しな
いで済み、「クリーンルーム」の使用と両立できる状態
でエッチングを行うことができるが、大部分の場合、ま
だ従来の方法では中庸のエッチング率，即ち１分あたり
50ナノメータまたはそれ以下で、IC製造の全工程中最も
遅い段階の一つとなっている。結局、使用できる何れの
エッチングもIC製造工程のネックとなっている。
いで済み、「クリーンルーム」の使用と両立できる状態
でエッチングを行うことができるが、大部分の場合、ま
だ従来の方法では中庸のエッチング率，即ち１分あたり
50ナノメータまたはそれ以下で、IC製造の全工程中最も
遅い段階の一つとなっている。結局、使用できる何れの
エッチングもIC製造工程のネックとなっている。
従って、効果的なリアクティブドライエッチングの改良
された方法及びそのための装置で、高度の異方性エッチ
ング率，即ち毎分500ナノメータまたはそれ以上のオー
ダ，例えば毎分700ナノメータを達成するようなものが
望ましい。また、高度の異方性エッチングが達成でき、
飛散するフィラメント物質による汚染のないリアクティ
ブドライエッチング方法及び装置が望ましい。
された方法及びそのための装置で、高度の異方性エッチ
ング率，即ち毎分500ナノメータまたはそれ以上のオー
ダ，例えば毎分700ナノメータを達成するようなものが
望ましい。また、高度の異方性エッチングが達成でき、
飛散するフィラメント物質による汚染のないリアクティ
ブドライエッチング方法及び装置が望ましい。
半導体ウエハ上に層をディポジットするためにプラズマ
ディポジションが利用できる。この方法は、またはグロ
ウ（glow）ディスチャージ ディポジションまたはプラ
ズマ エンハンスド ケミカル ブエイパ ディポジシ
ョンとして知られている。例えば、シリコンの層はプラ
ズマ発生状態中にシランの雰囲気にウエハをさらすこと
により与えることができる。しかし、従来の方法は比較
的進行が遅く、ICの製造に用いるとネックとなってい
た。
ディポジションが利用できる。この方法は、またはグロ
ウ（glow）ディスチャージ ディポジションまたはプラ
ズマ エンハンスド ケミカル ブエイパ ディポジシ
ョンとして知られている。例えば、シリコンの層はプラ
ズマ発生状態中にシランの雰囲気にウエハをさらすこと
により与えることができる。しかし、従来の方法は比較
的進行が遅く、ICの製造に用いるとネックとなってい
た。
シランプラズマの発生のためのホットカソードd.c.放電
を用いた円筒多極電磁壁の用法は、B.Drevillon他によ
る1980年10月１日のAppl.Phys.Lett.37（７）.646〜648
頁に記載されている。この方法はホットフィラメントを
使用するが、それは使用中に焼失し、シリコン層を汚染
する。
を用いた円筒多極電磁壁の用法は、B.Drevillon他によ
る1980年10月１日のAppl.Phys.Lett.37（７）.646〜648
頁に記載されている。この方法はホットフィラメントを
使用するが、それは使用中に焼失し、シリコン層を汚染
する。
従って、ディポジション率のよい、また、汚染のないプ
ラズマディポジション方法及び装置が望まれる。
ラズマディポジション方法及び装置が望まれる。
従って本発明は、プラズマ方法のための装置に用いる改
良された電極組立を提供しようとするものである。本発
明は更に、ドライアクティブエッチング及びプラズマデ
ィポジションの率を高めることができる電極組立及びそ
れと協働する装置を提供せんとするものである。更に、
公知の方法に比較して高度の処理率を有するプラズマ発
生状態中の反応ガスによる基板処理方法を提供する。ま
た更に本発明は、飛散する物質による汚染のない電極組
立及びそのためのプラズマ装置を提供せんとするもので
ある。
良された電極組立を提供しようとするものである。本発
明は更に、ドライアクティブエッチング及びプラズマデ
ィポジションの率を高めることができる電極組立及びそ
れと協働する装置を提供せんとするものである。更に、
公知の方法に比較して高度の処理率を有するプラズマ発
生状態中の反応ガスによる基板処理方法を提供する。ま
た更に本発明は、飛散する物質による汚染のない電極組
立及びそのためのプラズマ装置を提供せんとするもので
ある。
本発明によれば、電極組立を真空室内に取付けるための
取付手段と、孔を有する主電極と、該主電極を真空室の
本体から絶縁する手段と、主電極を無線周波数または直
流電源に接続する手段と、前記孔内または孔に近接して
取付けられ主電極から電気的に絶縁された補助電極と、
孔内に磁力線を生ずることにより孔の壁に接近して電子
をとらえる磁石手段とを有し、その磁力線は孔の壁から
曲線をなして伸びて壁に戻り、孔の壁のほぼ長手方向に
伸びる多数の区域の各一つを越える円弧をなすようにし
たことを特徴とするプラズマ方法の装置に用いられる電
極組立が提供される。主電極は直流電源または無線周波
数源に接続される。
取付手段と、孔を有する主電極と、該主電極を真空室の
本体から絶縁する手段と、主電極を無線周波数または直
流電源に接続する手段と、前記孔内または孔に近接して
取付けられ主電極から電気的に絶縁された補助電極と、
孔内に磁力線を生ずることにより孔の壁に接近して電子
をとらえる磁石手段とを有し、その磁力線は孔の壁から
曲線をなして伸びて壁に戻り、孔の壁のほぼ長手方向に
伸びる多数の区域の各一つを越える円弧をなすようにし
たことを特徴とするプラズマ方法の装置に用いられる電
極組立が提供される。主電極は直流電源または無線周波
数源に接続される。
本発明の他の観点によれば、真空室と該真空室内で処理
される基板を支持する基板テーブルと、基板テーブルを
電源に接続する手段と、孔を有する主電極と、該主電極
を真空室の本体から絶縁する手段と、主電極を無線周波
数または直流電源に接続する手段と、前記孔内または孔
に近接して取付けられ主電極から電気的に絶縁された補
助電極と、孔内に磁力線を生ずることにより孔の壁に接
近して電子をとらえる磁石手段で、その磁力線は孔の壁
から曲線をなして伸びて壁に戻り、孔の壁のほぼ長手方
向に伸びる多数の区域の各一つを越える磁石手段と、真
空室を空にする真空ポンプ手段と、真空室内に反応ガス
を導入して基板を処理する手段とよりなる，反応ガス雰
囲気中のプラズマ形成状態で基板を処理するためのプラ
ズマ装置を提供する。
される基板を支持する基板テーブルと、基板テーブルを
電源に接続する手段と、孔を有する主電極と、該主電極
を真空室の本体から絶縁する手段と、主電極を無線周波
数または直流電源に接続する手段と、前記孔内または孔
に近接して取付けられ主電極から電気的に絶縁された補
助電極と、孔内に磁力線を生ずることにより孔の壁に接
近して電子をとらえる磁石手段で、その磁力線は孔の壁
から曲線をなして伸びて壁に戻り、孔の壁のほぼ長手方
向に伸びる多数の区域の各一つを越える磁石手段と、真
空室を空にする真空ポンプ手段と、真空室内に反応ガス
を導入して基板を処理する手段とよりなる，反応ガス雰
囲気中のプラズマ形成状態で基板を処理するためのプラ
ズマ装置を提供する。
主電極の孔はその主電極を直角に貫通し、補助電極はそ
の端部に適当に配置される。しかし、好ましい構造にお
いては、主電極はその中に形成された空洞を有し、その
中に補助電極が空洞の底の少なくとも一部を形成してい
る。補助電極は主電極より絶縁され、好ましくは絶縁リ
ングが両者を分けている。
の端部に適当に配置される。しかし、好ましい構造にお
いては、主電極はその中に形成された空洞を有し、その
中に補助電極が空洞の底の少なくとも一部を形成してい
る。補助電極は主電極より絶縁され、好ましくは絶縁リ
ングが両者を分けている。
補助電極は浮動電位でよいが、好ましくは接地される。
スイッチが補助電極を浮動電位にするよう、または接地
するように設けられる。
スイッチが補助電極を浮動電位にするよう、または接地
するように設けられる。
基板テーブルは好ましくは無線周波数源に接続される。
主電極の孔は適当な断面形状にし、また内部寸法は開口
から開口への深さを変えることができる。好ましい形状
では円筒形壁を有し、孔は円形断面を有する。しかし、
孔は楕円形または多角形断面でもよい。
から開口への深さを変えることができる。好ましい形状
では円筒形壁を有し、孔は円形断面を有する。しかし、
孔は楕円形または多角形断面でもよい。
孔は全体に均一断面が都合がよいが、円錐形またはビヤ
樽形にしてもよい。
樽形にしてもよい。
磁石手段は、好ましくは環状の極板と、該極板に磁気的
に結合された多数の細長い磁石とよりなり、各磁石は孔
に対しほぼ長手方向に配列され、かつその磁軸が孔に対
し半径方向に配置され、極性が極板周囲に交互になって
いる。好ましくは永久磁石が用いられるが、電磁石でも
よい。
に結合された多数の細長い磁石とよりなり、各磁石は孔
に対しほぼ長手方向に配列され、かつその磁軸が孔に対
し半径方向に配置され、極性が極板周囲に交互になって
いる。好ましくは永久磁石が用いられるが、電磁石でも
よい。
磁石は、好ましくは、少なくとも約1Kガウスの磁界強さ
を有するものが用いられ、例えば1Kガウスから2Kガウス
の間のものが用いられる。そのような磁界は、サマリウ
ム−コバルト磁石によって得られる。
を有するものが用いられ、例えば1Kガウスから2Kガウス
の間のものが用いられる。そのような磁界は、サマリウ
ム−コバルト磁石によって得られる。
そのような多極磁石配列は、主電極内の孔内に磁界を高
め、磁力線が一つの磁石の北極から隣接する磁石の各南
極へ孔の壁の長手方向区域を越えて円弧を形成する。こ
の場合、一連の多数の開放端磁石トンネルを形成し、各
トンネルは主電極の孔の長手方向に伸びる。この磁界は
プラズマ生成物内の電子をとらえ、またプラズマ密度を
上げる。主電極が線周波数源に接続されると、一部の電
子は補助電極または隣接のアース面に逃げ、それにより
主電極上に適当な負電圧，例えば−10ボルトから−50ボ
ルトの間の負電圧を誘導する。しかし、そのような自己
バイアス電圧は、あまり高くするとスパッタリングされ
る物質が基板を汚すので上げるべきではない。
め、磁力線が一つの磁石の北極から隣接する磁石の各南
極へ孔の壁の長手方向区域を越えて円弧を形成する。こ
の場合、一連の多数の開放端磁石トンネルを形成し、各
トンネルは主電極の孔の長手方向に伸びる。この磁界は
プラズマ生成物内の電子をとらえ、またプラズマ密度を
上げる。主電極が線周波数源に接続されると、一部の電
子は補助電極または隣接のアース面に逃げ、それにより
主電極上に適当な負電圧，例えば−10ボルトから−50ボ
ルトの間の負電圧を誘導する。しかし、そのような自己
バイアス電圧は、あまり高くするとスパッタリングされ
る物質が基板を汚すので上げるべきではない。
分割した無線周波数源が主電極と基板テーブルのそれぞ
れの無線周波数源として用いられる。また、単一の無線
周波数源が用いられ、その出力が主電極と基板テーブル
とに分けられる。
れの無線周波数源として用いられる。また、単一の無線
周波数源が用いられ、その出力が主電極と基板テーブル
とに分けられる。
無線周波数源は、適当な周波数，例えばそのような電源
として公式に認められている13.56MHzである。
として公式に認められている13.56MHzである。
プラズマ方法装置はプラズマ生成状態で作動する。その
状態は低圧，好ましくは10-4ミリバール以下の作動を含
む。代表的には５×10-4ミリバールから10-2ミリバー
ル，例えば２×10-3ミリバールである。
状態は低圧，好ましくは10-4ミリバール以下の作動を含
む。代表的には５×10-4ミリバールから10-2ミリバー
ル，例えば２×10-3ミリバールである。
二酸化シリコン装置のエッチングのためのリアクティブ
ドライエッチング方法では、例えばSiF4またはSiCl4の
ようなシリコンハロゲン化物またはフルオロカーボン，
ヘキサフルオロエタンまたはヘキサフルオロエタンとト
リフルオロメタンの混合物のような反応ガスがよい。塩
素とフッ素を含む物質，例えばCF2Cl2でもよい。代表的
なプラズマディポジション方法では、反応ガスはシラン
（SiH4）である。
ドライエッチング方法では、例えばSiF4またはSiCl4の
ようなシリコンハロゲン化物またはフルオロカーボン，
ヘキサフルオロエタンまたはヘキサフルオロエタンとト
リフルオロメタンの混合物のような反応ガスがよい。塩
素とフッ素を含む物質，例えばCF2Cl2でもよい。代表的
なプラズマディポジション方法では、反応ガスはシラン
（SiH4）である。
作動における主電極の電圧は、約−20ボルトから約−40
ボルト，一方、基板テーブルの電圧は、−100ボルトか
ら−200ボルトの間である。
ボルト，一方、基板テーブルの電圧は、−100ボルトか
ら−200ボルトの間である。
図を参照するに、リアクティブドライエッチング装置
は、円形断面を有する真空室１を有し、その壁全体は符
号２によって示されており、底板は符号３で示される。
シール（図示せず）が底板に設けられており、壁２との
間の真空気密シールをもたらしている。真空室の上部
は、壁２と後述する電極組立物を含むのであるが、便利
にも油圧ラムにより底板３より持ち上げることができ、
よって、真空室１の内部へ接近できるようになってい
る。
は、円形断面を有する真空室１を有し、その壁全体は符
号２によって示されており、底板は符号３で示される。
シール（図示せず）が底板に設けられており、壁２との
間の真空気密シールをもたらしている。真空室の上部
は、壁２と後述する電極組立物を含むのであるが、便利
にも油圧ラムにより底板３より持ち上げることができ、
よって、真空室１の内部へ接近できるようになってい
る。
真空室の上端は、本発明に従って構成される電極組立物
５が取付けられる円形開口４を形成している。一個また
はそれ以上の孔６が従来の方法で壁２に設けられてお
り、真空室１内の圧力を適切な低圧，例えば約10-4ミリ
バールに下げることのできる真空ポンプ（図示せず）と
の連結を形成している。
５が取付けられる円形開口４を形成している。一個また
はそれ以上の孔６が従来の方法で壁２に設けられてお
り、真空室１内の圧力を適切な低圧，例えば約10-4ミリ
バールに下げることのできる真空ポンプ（図示せず）と
の連結を形成している。
基板台７は、真空室１の底部の絶縁リング８上に取付け
られ、図示されれた装置内においてリアクティブドライ
エッチングにさらされるシリコンウエハ９を支持してい
る。ウエハ９を基板台７に保持するために留めリング
（図示せず）が設けられている。基板台７は真空ポンプ
（図示せず）との連結部を備えており、真空ポンプによ
り、シリコンウエハ９と基板台７との間に真空をもたら
すことができる。その後ヘリウムを例えば２から15ミリ
バールの圧力でウエハ９と基板台７との間に導入し、こ
れら二個の物体間に良好な温度伝導性をもたらす。従来
の冷却装置（図示せず）が、使用中の台７を例えば水の
冷却液の手段によって冷却するように用いられる。この
台７にウエハ９を支持し、冷却する装置は従来のもの
で、これ以上説明の必要はない。台７は更に、10で示す
無線周波数電源に容量的に接続されている。
られ、図示されれた装置内においてリアクティブドライ
エッチングにさらされるシリコンウエハ９を支持してい
る。ウエハ９を基板台７に保持するために留めリング
（図示せず）が設けられている。基板台７は真空ポンプ
（図示せず）との連結部を備えており、真空ポンプによ
り、シリコンウエハ９と基板台７との間に真空をもたら
すことができる。その後ヘリウムを例えば２から15ミリ
バールの圧力でウエハ９と基板台７との間に導入し、こ
れら二個の物体間に良好な温度伝導性をもたらす。従来
の冷却装置（図示せず）が、使用中の台７を例えば水の
冷却液の手段によって冷却するように用いられる。この
台７にウエハ９を支持し、冷却する装置は従来のもの
で、これ以上説明の必要はない。台７は更に、10で示す
無線周波数電源に容量的に接続されている。
電極組立物５はアルミ合金製で、絶縁リング12によって
開口４に支持される環状内側ハウジング11よりなる。内
側ハウジング11の上端には、絶縁リング14によって右内
側ハウジングとは電気的に隔離されたガスヘッド本体13
が支持されている。
開口４に支持される環状内側ハウジング11よりなる。内
側ハウジング11の上端には、絶縁リング14によって右内
側ハウジングとは電気的に隔離されたガスヘッド本体13
が支持されている。
適当な磁気を有する鉄合金製の中間円筒状極板15が内側
ハウジング11に支持されている。複数の永久棒磁石16が
極板15の円筒形内側面に縦方向に固定されている。入手
可能な最も強力な磁石，例えばサマリウム−コバルト磁
石を用いるのが好ましい。標準的にこのような磁石は、
約１から２キロガウスの場の強を呈する。第２図に示す
ように、32個の磁石16がある。しかし、磁石16の数が偶
数でさえあれば、より多くのあるいは少ない数，例えば
30またはそれ以下（例えば24）あるいは40またはそれ以
上（例えば48）の磁石を用いてもよい。これらは、極板
15の内周縁に等間隔に、これらの最長面が極板15の軸と
略平行に配置されて設けられている。しかしながら、第
３図に示すように、それらの磁軸が極板15に対して半径
方向に配置されているので、それぞれの北及び南極（第
３図ではＮとＳで図示）は磁石の最短寸法の方向に分れ
ており、磁石16は極板15の内周縁に交互の極性をもって
配置されている。
ハウジング11に支持されている。複数の永久棒磁石16が
極板15の円筒形内側面に縦方向に固定されている。入手
可能な最も強力な磁石，例えばサマリウム−コバルト磁
石を用いるのが好ましい。標準的にこのような磁石は、
約１から２キロガウスの場の強を呈する。第２図に示す
ように、32個の磁石16がある。しかし、磁石16の数が偶
数でさえあれば、より多くのあるいは少ない数，例えば
30またはそれ以下（例えば24）あるいは40またはそれ以
上（例えば48）の磁石を用いてもよい。これらは、極板
15の内周縁に等間隔に、これらの最長面が極板15の軸と
略平行に配置されて設けられている。しかしながら、第
３図に示すように、それらの磁軸が極板15に対して半径
方向に配置されているので、それぞれの北及び南極（第
３図ではＮとＳで図示）は磁石の最短寸法の方向に分れ
ており、磁石16は極板15の内周縁に交互の極性をもって
配置されている。
極板15の周縁には、これもまたアルミ合金製の外側ハウ
ジング17がある。ガスヘッド本体13はその下面に、標準
的にはアルミ合金製の補助電極18を支持しており、これ
もまた便利にもアルミ合金製の遮断リング19に囲まれて
いる。
ジング17がある。ガスヘッド本体13はその下面に、標準
的にはアルミ合金製の補助電極18を支持しており、これ
もまた便利にもアルミ合金製の遮断リング19に囲まれて
いる。
磁石16の上には環状溝20があり、その下には対応する環
状溝21がある。溝20,21は、隣接する磁石16の間の空間2
2を介して相互に連絡している。溝20,21及び空間22は、
これによって使用中に磁石16と極板15を冷却することの
できる冷却液（例えば水）の通路を形成する。符号23,2
4は冷却液供給及び排出管を示す。隔壁25,26が第４図に
示すように溝20,21に設けられ、冷却水が規定の通路を
たどるようになっている。
状溝21がある。溝20,21は、隣接する磁石16の間の空間2
2を介して相互に連絡している。溝20,21及び空間22は、
これによって使用中に磁石16と極板15を冷却することの
できる冷却液（例えば水）の通路を形成する。符号23,2
4は冷却液供給及び排出管を示す。隔壁25,26が第４図に
示すように溝20,21に設けられ、冷却水が規定の通路を
たどるようになっている。
外側ハウジング17は、無線周波数源27に容量的に接続さ
れている。壁２は接地されている。補助電極18は、もし
スイッチ28が閉じられているならば接地，スイッチ28が
開いたままならば浮動電圧を採用可能のどちらかになっ
ている。
れている。壁２は接地されている。補助電極18は、もし
スイッチ28が閉じられているならば接地，スイッチ28が
開いたままならば浮動電圧を採用可能のどちらかになっ
ている。
符号29はエッチングガス，例えばC2F6またはC2F6/CHF2
混合気を導入するための補助電極13を通るガス通路を示
す。明快にするため、第１図には少しのガス路29しか図
示されていない。しかし、当該技術に熟知した者には、
エッチングガスの最適な分配は、電極18上に適切な形状
で比較的多くの通路29を配置することによって得られる
ことが理解されよう。あるいはエッチングガスは、補助
電極18の周縁から、即ちガス路31を介して、この電極と
絶縁リング14との間の小さな間隙30によって導入しても
よい。
混合気を導入するための補助電極13を通るガス通路を示
す。明快にするため、第１図には少しのガス路29しか図
示されていない。しかし、当該技術に熟知した者には、
エッチングガスの最適な分配は、電極18上に適切な形状
で比較的多くの通路29を配置することによって得られる
ことが理解されよう。あるいはエッチングガスは、補助
電極18の周縁から、即ちガス路31を介して、この電極と
絶縁リング14との間の小さな間隙30によって導入しても
よい。
第３図は、内側ハウジング11の内側表面から電極組立物
５の孔33に伸び、孔33の縦方向に伸びてその軸線に平行
な領域34を円弧状に越えて孔の壁に戻る磁力線32を示
す。これらの磁力線は、孔33の無線周波数供給電圧の影
響下で形成されたプラズマより電子をとらえ、孔33の中
心部におけるガスが電子を奪われ、F+及びCF3 +イオン等
の自由陽イオンを含む状態にする。領域34を越える磁力
線によって形成される円弧の端はあいているので、電子
のいくつかは補助電極18に逃れることができる。これ
は、無線周波数電極の内側ハウジング11の表面の負バイ
アスの上昇を招くことになり、その結果、基板台７は、
陽イオン（例えばF+及びCF3 +）を引付ける負電圧に偏向
し、従って、基板のこのようなイオンによるボンバード
メントを促進し、よってエッチング率を高める。
５の孔33に伸び、孔33の縦方向に伸びてその軸線に平行
な領域34を円弧状に越えて孔の壁に戻る磁力線32を示
す。これらの磁力線は、孔33の無線周波数供給電圧の影
響下で形成されたプラズマより電子をとらえ、孔33の中
心部におけるガスが電子を奪われ、F+及びCF3 +イオン等
の自由陽イオンを含む状態にする。領域34を越える磁力
線によって形成される円弧の端はあいているので、電子
のいくつかは補助電極18に逃れることができる。これ
は、無線周波数電極の内側ハウジング11の表面の負バイ
アスの上昇を招くことになり、その結果、基板台７は、
陽イオン（例えばF+及びCF3 +）を引付ける負電圧に偏向
し、従って、基板のこのようなイオンによるボンバード
メントを促進し、よってエッチング率を高める。
符号35,36は、それぞれ閉鎖板37におけるガスヘッド本
体13への冷却液（例えば水）の供給のための注入及び排
出連結を示す。エッチングガスは、ガス通路29に孔38を
介して供給される。
体13への冷却液（例えば水）の供給のための注入及び排
出連結を示す。エッチングガスは、ガス通路29に孔38を
介して供給される。
図示された装置の使用に際して、真空室１は、その上部
を底板３から離して上げることによってあけられる。次
に、所定のパターンにホトレジスト層が印刷された二酸
化シリコンの被覆層を有するシリコンウエハ９が基板台
７に置かれ、所定の場所に留められる。真空室１の上部
を下して底板３に戻した後、ウエハ９の背後にとらえら
れていた少量の空気は、次に真空下で吸引され、ウエハ
９と台７との間の空間に約10ミリバールの圧力のヘリウ
ムが充満される。台７のための注入口23,35への冷却液
（例えば水）の供給も作動される。次に真空室を10-5ミ
リバールまたはそれ以下の圧力に、通路６を介して真空
化する。これは、二またはそれ以上の段階にポンプを作
用させることによって達成できる。即ちポンプ作用の始
めの段階ではロータリーオイルシールポンプを用い、後
の段階では高真空ポンプを用いる。次に反応ガス，例え
ばC2F6または20:1のC2F6:CHF3のモル混合気が室１に孔3
8及びガス路29を介して、あるいはガス路31及び間隙30
を介して、制御された速度で導入される。反応ガスの導
入速度は、予め決められられた圧力，例えば約２×10-3
ミリバールを真空室１内が主に受けるように制御され
る。そして無線周波数電源10,27を作動し、スイッチ28
を閉じる。標準的に、無線周波数電源10によって送られ
る電力は75ワットである一方、無線周波数電源27によっ
て送られる電力は約１キロワットである。これによっ
て、真空室１内でのライラックグロウの発達によって示
される反応プラズマが形成される。磁石16によって形成
された磁界パターンによって、プラズマの密度が高めら
れる。極板15の電圧の測定により、極板15はおよそ−30
ボルトの電圧に偏向されている一方、基板台７はおよそ
−200ボルトの誘導電圧を得ることが示される。このよ
うな条件下で認められた二酸化シリコンのエッチング率
は約毎分500ナノメータあるいはそれ以上で、有利な条
件では毎秒700ナノメータにもなるエッチング率が達成
できた。更に、ウエハのエッチングの均一性は大変良
い。また、下に敷かれたシリコン層が露出するまでは、
ホトレジストによって保護されないウエハ９の部分から
は高度な異方性エッチングが認められた。従って、残っ
ている唯一の二酸化シリコンはホトレジストの下の層で
あるので、次に横方エッチングが起こり、それによりホ
トレジスト層のアンダーカットを誘導することとなる。
従って、ホトレジストによって保護されなかった区域が
二酸化シリコン層を露出した後、顕著な量の横方向エッ
チングがいくらかでも行われる前に、エッチングを停止
することが重要である。
を底板３から離して上げることによってあけられる。次
に、所定のパターンにホトレジスト層が印刷された二酸
化シリコンの被覆層を有するシリコンウエハ９が基板台
７に置かれ、所定の場所に留められる。真空室１の上部
を下して底板３に戻した後、ウエハ９の背後にとらえら
れていた少量の空気は、次に真空下で吸引され、ウエハ
９と台７との間の空間に約10ミリバールの圧力のヘリウ
ムが充満される。台７のための注入口23,35への冷却液
（例えば水）の供給も作動される。次に真空室を10-5ミ
リバールまたはそれ以下の圧力に、通路６を介して真空
化する。これは、二またはそれ以上の段階にポンプを作
用させることによって達成できる。即ちポンプ作用の始
めの段階ではロータリーオイルシールポンプを用い、後
の段階では高真空ポンプを用いる。次に反応ガス，例え
ばC2F6または20:1のC2F6:CHF3のモル混合気が室１に孔3
8及びガス路29を介して、あるいはガス路31及び間隙30
を介して、制御された速度で導入される。反応ガスの導
入速度は、予め決められられた圧力，例えば約２×10-3
ミリバールを真空室１内が主に受けるように制御され
る。そして無線周波数電源10,27を作動し、スイッチ28
を閉じる。標準的に、無線周波数電源10によって送られ
る電力は75ワットである一方、無線周波数電源27によっ
て送られる電力は約１キロワットである。これによっ
て、真空室１内でのライラックグロウの発達によって示
される反応プラズマが形成される。磁石16によって形成
された磁界パターンによって、プラズマの密度が高めら
れる。極板15の電圧の測定により、極板15はおよそ−30
ボルトの電圧に偏向されている一方、基板台７はおよそ
−200ボルトの誘導電圧を得ることが示される。このよ
うな条件下で認められた二酸化シリコンのエッチング率
は約毎分500ナノメータあるいはそれ以上で、有利な条
件では毎秒700ナノメータにもなるエッチング率が達成
できた。更に、ウエハのエッチングの均一性は大変良
い。また、下に敷かれたシリコン層が露出するまでは、
ホトレジストによって保護されないウエハ９の部分から
は高度な異方性エッチングが認められた。従って、残っ
ている唯一の二酸化シリコンはホトレジストの下の層で
あるので、次に横方エッチングが起こり、それによりホ
トレジスト層のアンダーカットを誘導することとなる。
従って、ホトレジストによって保護されなかった区域が
二酸化シリコン層を露出した後、顕著な量の横方向エッ
チングがいくらかでも行われる前に、エッチングを停止
することが重要である。
同様に、図示された装置を、例えば水酸化シリコンのプ
ラズマ分解によるシリコンの付着といったシリコンウエ
ハ等の基板上の物質のプラズマディポジションに使用す
ることも可能である。
ラズマ分解によるシリコンの付着といったシリコンウエ
ハ等の基板上の物質のプラズマディポジションに使用す
ることも可能である。
二個の別個の無線周波数電源10と27が図示されている
が、当該技術を熟知したものには、必要な無線周波数電
力を単一の電源より引出し、必要に応じて分配し、電極
及び基板台に必須電圧を生ずるようにできることが理解
されよう。このような電圧は、特に上部電極18の場合に
は、内側ハウジング11上の酸化アルミ層の顕著なスパッ
タリングが起こる値よりも小さな値に制御すべきであ
る。
が、当該技術を熟知したものには、必要な無線周波数電
力を単一の電源より引出し、必要に応じて分配し、電極
及び基板台に必須電圧を生ずるようにできることが理解
されよう。このような電圧は、特に上部電極18の場合に
は、内側ハウジング11上の酸化アルミ層の顕著なスパッ
タリングが起こる値よりも小さな値に制御すべきであ
る。
本装置を、無線周波数電源を用いて主電極11に自己バイ
アス電圧を生じさせるように説明したが、代わりに、こ
の電極に供給された直流電位によって装置を操作するこ
とも可能である。
アス電圧を生じさせるように説明したが、代わりに、こ
の電極に供給された直流電位によって装置を操作するこ
とも可能である。
図示された装置の一変形例において、シリコンウエハの
導入は負荷ロックが設けられている。この方法によれ
ば、室１をその上部を持ち上げることによって開ける段
階を省略できる。
導入は負荷ロックが設けられている。この方法によれ
ば、室１をその上部を持ち上げることによって開ける段
階を省略できる。
図は概略的なものであるので、低圧作動環境を真空室１
に確立し維持するには、実施するにあたって固定ボル
ト，そのための絶縁スリーブ，留め金,Oリング，ガスケ
ット等の他の部品が必要なことは当該技術に熟知した者
には理解されよう。このような装備の部品は、従来の慣
例に従って必要に応じて設けられる。
に確立し維持するには、実施するにあたって固定ボル
ト，そのための絶縁スリーブ，留め金,Oリング，ガスケ
ット等の他の部品が必要なことは当該技術に熟知した者
には理解されよう。このような装備の部品は、従来の慣
例に従って必要に応じて設けられる。
第１図は本発明による電極組立物を含むリアクティブド
ライエッチング装置の垂直断面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ線における水平断面図、第３図は第２図の部分拡大
図、第４図は電極組立物の磁石組立物の垂直断面図であ
る。
ライエッチング装置の垂直断面図、第２図は第１図のＡ
−Ａ線における水平断面図、第３図は第２図の部分拡大
図、第４図は電極組立物の磁石組立物の垂直断面図であ
る。
Claims (14)
- 【請求項１】電極組立物を真空室内に取付けるための取
付手段と、孔を有する主電極と、該主電極を真空室の本
体から絶縁する手段と、主電極を無線周波数または直流
電源に接続する手段と、前記孔内または孔に近接して取
付けられ主電極から電気的に絶縁された補助電極と、孔
内に磁力線を生ずることにより孔の壁に接近して電子を
とらえる磁石手段とを有し、その磁力線は孔の壁から曲
線をなして伸びて壁に戻り、孔の壁のほぼ長手方向に伸
びる多数の区域の各一つを越える円弧をなすようにした
ことを特徴とするプラズマ装置用の電極組立物。 - 【請求項２】孔が空洞であり、その中に補助電極が空洞
の底の少なくとも一部を形成していることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の電極組立物。 - 【請求項３】補助電極が接地されるように配設されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
に記載の電極組立物。 - 【請求項４】孔がほぼ円筒形壁を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に
記載の電極組立物。 - 【請求項５】磁石手段が環状の極板と、該極板に磁気的
に結合された多数の細長い磁石とよりなり、各磁石には
孔に対しほぼ長手方向に配列され、かつその磁軸が孔に
対し半径方向に配置され、磁性が極板周囲に交互になっ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
４項のいずれか１項に記載の電極組立物。 - 【請求項６】磁石が極板の内側に位置していることを特
徴とする特許請求の範囲第第５項に記載の電極組立物。 - 【請求項７】極板が円筒状の内外面を有することを特徴
とする特許請求の範囲第５項または第６項に記載の電極
組立物。 - 【請求項８】主電極がアルミニウムまたはアルミニウム
合金被覆を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第７項のいずれか１項に記載の電極組立物。 - 【請求項９】被覆が孔への円筒状ライニングを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の電極組立
物。 - 【請求項１０】真空室と該真空室内で処理される基板を
支持する基板テーブルと、基板テーブルを電源に接続す
る手段と、プラズマ形成用の電極組立物と、真空室を空
にする真空ポンプ手段と、真空室内に反応ガスを導入し
て基板を処理する手段とよりなる、反応ガス雰囲気中の
プラズマ形成状態で基板を処理するためのプラズマ装置
であって、該電極組立物は電極組立物を真空室内に取付
けるための取付手段と、孔を有する主電極と、該主電極
を真空室の本体から絶縁する手段と、主電極を無線周波
数または直流電源に接続する手段と、前記孔内または孔
に近接して取付けられ主電極から電気的に絶縁された補
助電極と、孔内に磁力線を生ずることにより孔の壁に接
近して電子をとらえる磁石手段とを有し、その磁力線は
孔の壁から曲線をなして伸びて壁に戻り、孔の壁のほぼ
長手方向に伸びる多数の区域の各一つを越える円弧をな
すようにした、プラズマ装置。 - 【請求項１１】主電極が無線周波数源に接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第10項に記載の装置。 - 【請求項１２】分割した無線周波数源が主電極と基板テ
ーブルのそれぞれの無線周波数源として用いられること
を特徴とする特許請求の範囲第10項または第11項に記載
の装置。 - 【請求項１３】単一の無線周波数源が用いられ、その出
力が主電極と基板テーブルとに分けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第10項または第11項に記載の装
置。 - 【請求項１４】主電極が直流電源に接続されていること
を特徴とする特許請求の範囲第10項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8622820 | 1986-09-23 | ||
| GB868622820A GB8622820D0 (en) | 1986-09-23 | 1986-09-23 | Electrode assembly & apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147322A JPS63147322A (ja) | 1988-06-20 |
| JPH0752730B2 true JPH0752730B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=10604612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62238579A Expired - Lifetime JPH0752730B2 (ja) | 1986-09-23 | 1987-09-22 | 電極組立物及びプラズマ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4826585A (ja) |
| EP (1) | EP0261922B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0752730B2 (ja) |
| DE (1) | DE3750321T2 (ja) |
| GB (1) | GB8622820D0 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2670623B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-10-29 | アネルバ株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| DE68924413T2 (de) * | 1989-01-25 | 1996-05-02 | Ibm | Radiofrequenzinduktion/Mehrpolplasma-Bearbeitungsvorrichtung. |
| GB8905075D0 (en) * | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Electrode assembly and apparatus |
| US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| JP2573702B2 (ja) * | 1989-12-19 | 1997-01-22 | 三菱電機株式会社 | プラズマエッチング装置 |
| US5071670A (en) * | 1990-06-11 | 1991-12-10 | Kelly Michael A | Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means |
| US5304279A (en) * | 1990-08-10 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool |
| US5189446A (en) * | 1991-05-17 | 1993-02-23 | International Business Machines Corporation | Plasma wafer processing tool having closed electron cyclotron resonance |
| US6074512A (en) * | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
| US5212118A (en) * | 1991-08-09 | 1993-05-18 | Saxena Arjun N | Method for selective chemical vapor deposition of dielectric, semiconductor and conductive films on semiconductor and metallic substrates |
| JP3042127B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-05-15 | 富士電機株式会社 | 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置 |
| US5216330A (en) * | 1992-01-14 | 1993-06-01 | Honeywell Inc. | Ion beam gun |
| US5308461A (en) * | 1992-01-14 | 1994-05-03 | Honeywell Inc. | Method to deposit multilayer films |
| US5280154A (en) * | 1992-01-30 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil |
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