JPH075140A - ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ - Google Patents
２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサInfo
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- JPH075140A JPH075140A JP2060592A JP2060592A JPH075140A JP H075140 A JPH075140 A JP H075140A JP 2060592 A JP2060592 A JP 2060592A JP 2060592 A JP2060592 A JP 2060592A JP H075140 A JPH075140 A JP H075140A
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- metal oxide
- oxide semiconductor
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- gas sensor
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型化でき、消費電力が少なく、ガス濃度測
定の感度がすぐれ、しかも製造工程の簡素化によるコス
ト低減された２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサを
提供する。 【構成】 ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ１
は、吸着ガス濃度により抵抗値が変化する金属酸化物半
導体１２及び加熱用抵抗体１４とコンデンサ１０から成
る。
定の感度がすぐれ、しかも製造工程の簡素化によるコス
ト低減された２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサを
提供する。 【構成】 ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ１
は、吸着ガス濃度により抵抗値が変化する金属酸化物半
導体１２及び加熱用抵抗体１４とコンデンサ１０から成
る。
Description
【０００１】
【産業上利用分野】本発明は、ガス感知器等に用いられ
る２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサに関する。
る２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物半導体ガスセンサは、ガス吸
着による金属酸化物半導体の導電率の変化を測定するこ
とによってガス濃度を検出する。ガスの吸脱着速度を増
すためには、金属酸化物半導体を一定の高温に保持する
必要がある。金属酸化物半導体ガスセンサには、熱線型
半導体式ガスセンサ、焼結体素子半導体ガスセンサ等が
従来から知られている。これらのガスセンサは、加熱方
法、および金属酸化物半導体（センサ素子）の抵抗値の
測定方法が相違している。
着による金属酸化物半導体の導電率の変化を測定するこ
とによってガス濃度を検出する。ガスの吸脱着速度を増
すためには、金属酸化物半導体を一定の高温に保持する
必要がある。金属酸化物半導体ガスセンサには、熱線型
半導体式ガスセンサ、焼結体素子半導体ガスセンサ等が
従来から知られている。これらのガスセンサは、加熱方
法、および金属酸化物半導体（センサ素子）の抵抗値の
測定方法が相違している。
【０００３】熱線型半導体式ガスセンサは、例えばセン
サ素子２０であるＳｎＯ2 セラミックの中心に、低抵抗
の加熱ヒータである貴金属線コイル２２を埋設した構造
を有する。センサ素子２０は貴金属線コイル２２によっ
て加熱され、ガス吸着によるセンサ素子２０の抵抗値の
変化を検出することによりガス濃度を測定する。このよ
うな熱線型半導体式ガスセンサの電気回路を図４に示
す。センサ素子２０と貴金属線コイル２２は並列に接続
されている。
サ素子２０であるＳｎＯ2 セラミックの中心に、低抵抗
の加熱ヒータである貴金属線コイル２２を埋設した構造
を有する。センサ素子２０は貴金属線コイル２２によっ
て加熱され、ガス吸着によるセンサ素子２０の抵抗値の
変化を検出することによりガス濃度を測定する。このよ
うな熱線型半導体式ガスセンサの電気回路を図４に示
す。センサ素子２０と貴金属線コイル２２は並列に接続
されている。
【０００４】焼結体素子半導体ガスセンサは、図５の
（Ａ）に一例を示すように、平行に設けた２本の貴金属
線電極２４，２４’にセンサ素子２０である金属酸化物
半導体ペーストを塗布し焼結したものである。貴金属線
電極の一方２４は加熱ヒータとしての機能も果たす。図
５の（Ｂ）にその電気回路を示す。
（Ａ）に一例を示すように、平行に設けた２本の貴金属
線電極２４，２４’にセンサ素子２０である金属酸化物
半導体ペーストを塗布し焼結したものである。貴金属線
電極の一方２４は加熱ヒータとしての機能も果たす。図
５の（Ｂ）にその電気回路を示す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】熱線型半導体式ガスセ
ンサは、小型化でき、加熱ヒータの消費電力が約１５０
ｍＷと少ない長所を有しているが、低抵抗の加熱ヒータ
とガス濃度を測定するセンサ素子とが並列に接続されて
いるために、焼結体素子半導体ガスセンサと比較したと
き、ほぼ加熱ヒータの抵抗分ガス濃度測定感度が低下す
るという欠点を有する。
ンサは、小型化でき、加熱ヒータの消費電力が約１５０
ｍＷと少ない長所を有しているが、低抵抗の加熱ヒータ
とガス濃度を測定するセンサ素子とが並列に接続されて
いるために、焼結体素子半導体ガスセンサと比較したと
き、ほぼ加熱ヒータの抵抗分ガス濃度測定感度が低下す
るという欠点を有する。
【０００６】焼結体素子半導体ガスセンサは、ガスがセ
ンサ素子の表面に吸着することによるセンサ素子の電気
抵抗値の変化をそのまま測定することができるので高感
度であるが、小型化することが困難であり、しかも加熱
ヒータに常時電流を流す必要があるため消費電力が約１
０００ｍＷ〜３０００ｍＷと大きくバッテリー駆動をす
ることが困難であるという問題を有する。また、図５の
焼結体素子半導体ガスセンサの例に示すように４端子構
造となっているため電気抵抗値の検出回路との接続に４
本の配線が必要となる。
ンサ素子の表面に吸着することによるセンサ素子の電気
抵抗値の変化をそのまま測定することができるので高感
度であるが、小型化することが困難であり、しかも加熱
ヒータに常時電流を流す必要があるため消費電力が約１
０００ｍＷ〜３０００ｍＷと大きくバッテリー駆動をす
ることが困難であるという問題を有する。また、図５の
焼結体素子半導体ガスセンサの例に示すように４端子構
造となっているため電気抵抗値の検出回路との接続に４
本の配線が必要となる。
【０００７】従って、本発明の目的は、小型化でき、消
費電力が少なく、ガス濃度測定の感度が優れ、しかも製
造工程の簡素化によるコスト低減された２端子型金属酸
化物半導体式ガスセンサを提供することにある。
費電力が少なく、ガス濃度測定の感度が優れ、しかも製
造工程の簡素化によるコスト低減された２端子型金属酸
化物半導体式ガスセンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明、２端子型金属酸
化物半導体式ガスセンサ１においては、図１に示すよう
に、直列に接続された加熱用抵抗体１４とコンデンサ１
０と前記配列と並列に接続された金属酸化物半導体１２
の構成から成る。図２においては並列に接続されたコン
デンサ１０と金属酸化物半導体１２前記配列と直列に接
続された加熱用抵抗体１４の構成から成る。また、加熱
用抵抗体１４、コンデンサ１０、及び金属酸化物半導体
１２は基板１８上に固定されている。以上のような前記
素子の構成により上記の目的は達成される。
化物半導体式ガスセンサ１においては、図１に示すよう
に、直列に接続された加熱用抵抗体１４とコンデンサ１
０と前記配列と並列に接続された金属酸化物半導体１２
の構成から成る。図２においては並列に接続されたコン
デンサ１０と金属酸化物半導体１２前記配列と直列に接
続された加熱用抵抗体１４の構成から成る。また、加熱
用抵抗体１４、コンデンサ１０、及び金属酸化物半導体
１２は基板１８上に固定されている。以上のような前記
素子の構成により上記の目的は達成される。
【０００９】コンデンサは磁気コンデンサ等を例示する
ことが出来る。しかしながら、使用温度である３００℃
〜４００℃に耐えられれば良く使用可能であればこれに
限定されるものでない。
ことが出来る。しかしながら、使用温度である３００℃
〜４００℃に耐えられれば良く使用可能であればこれに
限定されるものでない。
【００１０】用いるべき金属酸化物半導体１２は、検出
すべきガスの種類に応じて適宜選択すればよい。金属酸
化物半導体１２として、例えば、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、α
−Ｆｅ2Ｏ3、γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、またはＷＯ3 を
用いることが出来る。金属酸化物半導体には、増感剤と
して、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ等を含有させてもよい。
すべきガスの種類に応じて適宜選択すればよい。金属酸
化物半導体１２として、例えば、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ、α
−Ｆｅ2Ｏ3、γ−Ｆｅ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、またはＷＯ3 を
用いることが出来る。金属酸化物半導体には、増感剤と
して、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ等を含有させてもよい。
【００１１】加熱用抵抗体１４は、厚膜抵抗素子を使用
した。印刷抵抗の材質としてはＲｕＯ2 等を用いること
が出来る。
した。印刷抵抗の材質としてはＲｕＯ2 等を用いること
が出来る。
【００１２】以上のような金属酸化物半導体１２は、所
定の形状に成形した後金属酸化物半導体を焼結、焼成す
ることにより、または、基板上に塗布することにより形
成することが出来る。更には、コンデンサ１０の表面に
金属酸化物半導体１２を所定形状に焼結、焼成したり、
あるいはコンデンサ１０の表面に金属酸化物半導体をス
パッタ、蒸着、印刷することによりセンサ素子の一体化
が図れる。
定の形状に成形した後金属酸化物半導体を焼結、焼成す
ることにより、または、基板上に塗布することにより形
成することが出来る。更には、コンデンサ１０の表面に
金属酸化物半導体１２を所定形状に焼結、焼成したり、
あるいはコンデンサ１０の表面に金属酸化物半導体をス
パッタ、蒸着、印刷することによりセンサ素子の一体化
が図れる。
【００１３】
【作用】通常、本発明の２端子型金属酸化物半導体式ガ
スセンサ１は、３００℃以上の高温にて使用される。従
来の技術においては、ガスセンサを加熱するためのヒー
タ抵抗とセンサ素子抵抗の４端子構造が使用されてい
る。しかるに、本発明においては、コンデンサを利用し
センサ部である金属酸化物半導体を加熱用抵抗体から電
気的に分離することで加熱用抵抗体と金属酸化物半導体
の複合２端子センサでありながら金属酸化物半導体の抵
抗のみを測定することが出来る。以下、本発明の２端子
型金属酸化物半導体式ガスセンサ１の動作を説明する。
スセンサ１は、３００℃以上の高温にて使用される。従
来の技術においては、ガスセンサを加熱するためのヒー
タ抵抗とセンサ素子抵抗の４端子構造が使用されてい
る。しかるに、本発明においては、コンデンサを利用し
センサ部である金属酸化物半導体を加熱用抵抗体から電
気的に分離することで加熱用抵抗体と金属酸化物半導体
の複合２端子センサでありながら金属酸化物半導体の抵
抗のみを測定することが出来る。以下、本発明の２端子
型金属酸化物半導体式ガスセンサ１の動作を説明する。
【００１４】一般にコンデンサは直流は流さず、交流に
対しては角周波数ωと静電容量Ｃの積に反比例したリア
クタンスＸを示す特性を有している。図１の（Ｂ）にお
いて、加熱用抵抗体１４の抵抗値をＲとし金属酸化物半
導体（センサ素子）１２の抵抗値をＲｓとしＲ＜＜Ｒｓ
とするならば、２端子間（Ｔ1，Ｔ2） の交流電流は、
ほとんど金属酸化物半導体（センサ素子）１２には流れ
ず加熱用抵抗体１４に流れる。よって加熱用抵抗体１４
は、ヒータとしての機能を果たす。また、交流電圧を一
定とした場合には、角周波数ωを変化させるだけでヒー
タ電流を制御することも出来る。一方、直流電流は、角
周波数ω＝０のためリアクタンスＸ＝∞となりコンデン
サＣの両端は開放され加熱用ヒータ抵抗１４には全く流
れず金属酸化物半導体（センサ素子）１２のみに流れ
る。従って、直流で金属酸化物半導体（センサ素子）１
２の電気抵抗値Ｒｓを測定することによりガス濃度の測
定が出来る。
対しては角周波数ωと静電容量Ｃの積に反比例したリア
クタンスＸを示す特性を有している。図１の（Ｂ）にお
いて、加熱用抵抗体１４の抵抗値をＲとし金属酸化物半
導体（センサ素子）１２の抵抗値をＲｓとしＲ＜＜Ｒｓ
とするならば、２端子間（Ｔ1，Ｔ2） の交流電流は、
ほとんど金属酸化物半導体（センサ素子）１２には流れ
ず加熱用抵抗体１４に流れる。よって加熱用抵抗体１４
は、ヒータとしての機能を果たす。また、交流電圧を一
定とした場合には、角周波数ωを変化させるだけでヒー
タ電流を制御することも出来る。一方、直流電流は、角
周波数ω＝０のためリアクタンスＸ＝∞となりコンデン
サＣの両端は開放され加熱用ヒータ抵抗１４には全く流
れず金属酸化物半導体（センサ素子）１２のみに流れ
る。従って、直流で金属酸化物半導体（センサ素子）１
２の電気抵抗値Ｒｓを測定することによりガス濃度の測
定が出来る。
【００１５】一般に金属酸化物半導体センサは、３００
℃以上の高温で使用する。本発明は、図１、図２におい
て、金属酸化物半導体１２を使用温度に上昇させ保持す
るための加熱用抵抗体１４は、コンデンサ１０を通じて
金属酸化物半導体（センサ素子）１２と共通な２端子か
ら交流により加熱される。一方、金属酸化物半導体（セ
ンサ素子）１２の電気抵抗は、図３に示すＣ4 及び抵抗
からなる低域通過フィルタにより直流のみを取り出すこ
とができるので直流抵抗を加熱状態のまま測定できる。
以上のように本センサは、図１においてコンデンサ１０
により加熱用抵抗体１４を金属酸化物半導体（センサ素
子）１２から電気的に分離することで、加熱ヒータとセ
ンサ素子の複合２端子センサでありながらセンサ素子の
抵抗ＲS のみ測定ができる。また、図２においては金属
酸化物半導体（センサ素子）１２の抵抗値Ｒｓと加熱用
抵抗体１４の抵抗値Ｒの直流抵抗を測定することになる
が、金属酸化物半導体（センサ素子）１２のガス吸着時
の抵抗値Ｒｓと加熱用抵抗体１４の抵抗値Ｒの比は一般
的には概ね１０００：１以上の差であり、加熱用抵抗体
１４の抵抗値Ｒが１００％変動しても金属酸化物半導体
（センサ素子）１２への影響は０．１％以下となり加熱
用抵抗体１４の抵抗値Ｒを無視して考えることが可能で
ある。
℃以上の高温で使用する。本発明は、図１、図２におい
て、金属酸化物半導体１２を使用温度に上昇させ保持す
るための加熱用抵抗体１４は、コンデンサ１０を通じて
金属酸化物半導体（センサ素子）１２と共通な２端子か
ら交流により加熱される。一方、金属酸化物半導体（セ
ンサ素子）１２の電気抵抗は、図３に示すＣ4 及び抵抗
からなる低域通過フィルタにより直流のみを取り出すこ
とができるので直流抵抗を加熱状態のまま測定できる。
以上のように本センサは、図１においてコンデンサ１０
により加熱用抵抗体１４を金属酸化物半導体（センサ素
子）１２から電気的に分離することで、加熱ヒータとセ
ンサ素子の複合２端子センサでありながらセンサ素子の
抵抗ＲS のみ測定ができる。また、図２においては金属
酸化物半導体（センサ素子）１２の抵抗値Ｒｓと加熱用
抵抗体１４の抵抗値Ｒの直流抵抗を測定することになる
が、金属酸化物半導体（センサ素子）１２のガス吸着時
の抵抗値Ｒｓと加熱用抵抗体１４の抵抗値Ｒの比は一般
的には概ね１０００：１以上の差であり、加熱用抵抗体
１４の抵抗値Ｒが１００％変動しても金属酸化物半導体
（センサ素子）１２への影響は０．１％以下となり加熱
用抵抗体１４の抵抗値Ｒを無視して考えることが可能で
ある。
【００１６】
（実施例１）図１の（Ａ）は、製作した２端子型金属酸
化物半導体式ガスセンサ１の平面図である。コンデンサ
１０としてチップセラミックコンデンサ：容量０．１μ
Ｆを使用し、金属酸化物半導体１２として、Ｐｔを１重
量％添加したＳｎＯ2 を使用した。加熱用抵抗体１４と
しては厚膜印刷抵抗素子を使用した。２端子型金属酸化
物半導体式ガスセンサ１は、予め所定の配線を基板１８
上に形成し、加熱用抵抗体１４、コンデンサ１０を表面
実装により配線に接合し、次に金属酸化物半導体１２を
所定形状に成形した後に焼成することにより製作した。
リード線１６は、基板１８の所定端子部に接合した。図
１の（Ｂ）にその電気回路図を示す。基板１８には厚さ
０．６３５〓のアルミナを使用した。
化物半導体式ガスセンサ１の平面図である。コンデンサ
１０としてチップセラミックコンデンサ：容量０．１μ
Ｆを使用し、金属酸化物半導体１２として、Ｐｔを１重
量％添加したＳｎＯ2 を使用した。加熱用抵抗体１４と
しては厚膜印刷抵抗素子を使用した。２端子型金属酸化
物半導体式ガスセンサ１は、予め所定の配線を基板１８
上に形成し、加熱用抵抗体１４、コンデンサ１０を表面
実装により配線に接合し、次に金属酸化物半導体１２を
所定形状に成形した後に焼成することにより製作した。
リード線１６は、基板１８の所定端子部に接合した。図
１の（Ｂ）にその電気回路図を示す。基板１８には厚さ
０．６３５〓のアルミナを使用した。
【００１７】約３００〜４００℃に加熱された定常状態
のとき、金属酸化物半導体１２の端子間抵抗値Ｒｓは、
ガス吸着がない場合には約９００ｋΩである。そして、
５０ｐｐｍのエタノールガスを２端子型金属酸化物半導
体式ガスセンサ１に吸着させたとき、金属酸化物半導体
１２の端子間抵抗値は約２５０ｋΩに減少した。抵抗値
の減少はガス濃度に比例するのでガス濃度の測定を行う
ことが出来る。
のとき、金属酸化物半導体１２の端子間抵抗値Ｒｓは、
ガス吸着がない場合には約９００ｋΩである。そして、
５０ｐｐｍのエタノールガスを２端子型金属酸化物半導
体式ガスセンサ１に吸着させたとき、金属酸化物半導体
１２の端子間抵抗値は約２５０ｋΩに減少した。抵抗値
の減少はガス濃度に比例するのでガス濃度の測定を行う
ことが出来る。
【００１８】図３に、図１に示す本発明の２端子型金属
酸化物半導体式ガスセンサ１の駆動回路を示した。
酸化物半導体式ガスセンサ１の駆動回路を示した。
【００１９】（実施例２）図２の（Ａ）は、２端子型金
属酸化物半導体式ガスセンサ１の平面図であり図２の
（Ｂ）にその電気回路を示した。コンデンサ１０、金属
酸化物半導体１２、加熱用抵抗体１４の素子は実施例１
のものを使用し、これらの電気的配列を変えた。
属酸化物半導体式ガスセンサ１の平面図であり図２の
（Ｂ）にその電気回路を示した。コンデンサ１０、金属
酸化物半導体１２、加熱用抵抗体１４の素子は実施例１
のものを使用し、これらの電気的配列を変えた。
【００２０】実施例１、実施例２においてコンデンサ１
０に強誘電体セラミックコンデンサを用いた場合キュリ
ー点を越えると温度上昇と共に容量が減少するので定周
波数駆動の場合は、負帰還がかかり温度変化が抑えられ
るという利点が生じる。これは、直流におけるＰＴＣサ
ーミスタと同様であり、セラミックコンデンサは、交流
ＰＴＣサーミスタの状態になっている。また、キュリー
点以下の温度では温度上昇と共に容量が増大するため定
周波駆動においては、極めてすばやい温度上昇が期待で
きる。尚、コンデンサ１０の温度係数と容量から金属酸
化物半導体１２（センサ素子）の温度が測定できる。こ
れによって温度センサを追加することなくガス測定に必
要な温度制御が可能となる。
０に強誘電体セラミックコンデンサを用いた場合キュリ
ー点を越えると温度上昇と共に容量が減少するので定周
波数駆動の場合は、負帰還がかかり温度変化が抑えられ
るという利点が生じる。これは、直流におけるＰＴＣサ
ーミスタと同様であり、セラミックコンデンサは、交流
ＰＴＣサーミスタの状態になっている。また、キュリー
点以下の温度では温度上昇と共に容量が増大するため定
周波駆動においては、極めてすばやい温度上昇が期待で
きる。尚、コンデンサ１０の温度係数と容量から金属酸
化物半導体１２（センサ素子）の温度が測定できる。こ
れによって温度センサを追加することなくガス測定に必
要な温度制御が可能となる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の２端子型金属酸化物半導体式ガ
スセンサ１は、加熱用抵抗体とコンデンサ及びセンサ素
子抵抗との接続回路により半導体式ガスセンサと同等の
感度が得られる。加熱を交流により行い、測定を直流で
取り出すことにより加熱、測定を同時に行うことが出来
るので切り替え不要なヒータ複合型の２端子型金属酸化
物半導体式ガスセンサを提供することが出来る。
スセンサ１は、加熱用抵抗体とコンデンサ及びセンサ素
子抵抗との接続回路により半導体式ガスセンサと同等の
感度が得られる。加熱を交流により行い、測定を直流で
取り出すことにより加熱、測定を同時に行うことが出来
るので切り替え不要なヒータ複合型の２端子型金属酸化
物半導体式ガスセンサを提供することが出来る。
【００２２】また、従来の４端子構造が２端子構造とな
ることにより構造の簡素化、小型化、製造工程の簡素化
が図れると共にコンデンサ１０の温度係数と容量からセ
ンサ素子の温度制御が可能となるため温度センサが不要
となる。以上によりコスト低減された２端子型金属酸化
物半導体式ガスセンサを提供することが出来る。
ることにより構造の簡素化、小型化、製造工程の簡素化
が図れると共にコンデンサ１０の温度係数と容量からセ
ンサ素子の温度制御が可能となるため温度センサが不要
となる。以上によりコスト低減された２端子型金属酸化
物半導体式ガスセンサを提供することが出来る。
【図１】（Ａ）は、本発明（実施例１）の２端子型金属
酸化物半導体式ガスセンサの平面図であり、（Ｂ）はそ
の電気回路図である。
酸化物半導体式ガスセンサの平面図であり、（Ｂ）はそ
の電気回路図である。
【図２】（Ａ）は、本発明（実施例２）の２端子型金属
酸化物半導体式ガスセンサの平面図であり、（Ｂ）はそ
の電気回路図である。
酸化物半導体式ガスセンサの平面図であり、（Ｂ）はそ
の電気回路図である。
【図３】本発明のガスセンサの加熱駆動回路を例示する
回路図である。
回路図である。
【図４】従来の熱線型半導体式ガスセンサの電気回路図
である。
である。
【図５】（Ａ）は従来の焼結体素子半導体ガスセンサを
示す斜視図であり、（Ｂ）はその電気回路である。
示す斜視図であり、（Ｂ）はその電気回路である。
１ ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ １０ コンデンサ １２ 金属酸化物半導体 １４ 加熱用抵抗体 １６，１６’ リード線 １８ 基板 ２０ センサ素子 ２２ 貴金属線コイル ２４，２４’ 貴金属線電極
Claims (3)
- 【請求項１】吸着ガス濃度により抵抗値が変化する金属
酸化物半導体とコンデンサと加熱用抵抗体から成ること
を特徴とする２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ。 - 【請求項２】前記金属酸化物半導体と加熱用抵抗体が直
列に接続され、これらが金属酸化物半導体と並列に接続
されていることを特徴とする請求項１に記載の２端子型
金属酸化物半導体式ガスセンサ。 - 【請求項３】前記コンデンサと金属酸化物半導体が並列
に接続され、これらが加熱用抵抗体と直列に接続されて
いることを特徴とする請求項１に記載の２端子型金属酸
化物半導体式ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060592A JPH075140A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2060592A JPH075140A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075140A true JPH075140A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=12031902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2060592A Pending JPH075140A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | ２端子型金属酸化物半導体式ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101229664B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2013-02-04 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 2 단자형 반도체 센서 장치 |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP2060592A patent/JPH075140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101229664B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2013-02-04 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 2 단자형 반도체 센서 장치 |
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