JPH07509335A - 光磁気記録用の材料システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光磁気記録用の材料システム 本発明は、光磁気記録用の白金／コバルト物質のシステムに関係し、特に、レー ザーパワー変調を用いた直接上書き操作に使用するに適する複数の白金／コバル ト多層を含むシステムに関係する。

白金とコバルトの多層皮膜を含む光磁気（ＭＯ）材料は、未だ商業的生産の段階 に達しておらず、この理由の多くは、Ｐ　ｔ　／　Ｃｏ多層における必要特性を 達成することが最近まで不可能と思われていたためである。しかしながら、Ｐｔ ／Ｃｏ光磁気材料を首尾よく開発すると、現在主流の商業的材料であるアモルフ ァス希土類遷移金属合金皮膜を超える長所を提供するであろうことが長い間認識 されてきた。欧州特許出願第０５４９２４６号公開明細書は、充分な室温飽和保 磁力、垂直磁気異方性、矩形極性カーヒステレシスループ、充分な極性カー回転 を含む光磁気記録用材料の必要特性を有するＰｔ／Ｃｏ多層フィルム材料システ ムを開示している。一旦商業化されると、このようなＰ　ｔ／Ｃｏシステムは、 この分野における主流の商業的製品になることができよう。しかしながら、前記 のように、Ｐｔ／Ｃｏシステムにおいては必要特性が達成できていないと考えら れており、希土類遷移金属の皮膜を改良する検討が続けられている。

［直接上書きＪ　（ＤＯＷ）希土類遷移金属システムの開発は、特に関心が注が れてきた検討事項である。新しいデータを光磁気皮膜に書き込む場合、従来は新 しいデータを書き込む前に先に書き込んでいたデータを完全に消去している。こ の２つの過程は時間がかかり、その先に書き込んでいた情報を分けて消去する必 要がない１つの過程のプロセスは、当然ながら非常に有益であろう。このような 製品は、商業的に入手できるような段階では全く生産されていない。

一般に検討されているレーザーパワー変調の直接上書き希土類遷移金属皮膜の１ つのタイプは、別個に制御される磁気特性を有する少なくとも２つの光磁気層を 含み、１つの層は、以降では「メモリ層」と称し、割合に高い室温飽和保磁力を 有し、書き込みデータを記憶させるに割合に低いキュリ一温度を使用し、もう１ つの層は、以降では「参照層」と称し、割合に低い室温飽和保磁力と割合に高い キュリ一温度を有する。Ｌ　ｉ　ｎ　（Ｊ、　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　６７（ ９）、１９９０年５月１日）は、このような２重層の必要性を議論している。彼 が議論する構想は２種の永久磁場を必要とし、１つ（Ｈ５）はドメイン書き込み のためのレーザービーム加熱と共に使用され、もう１つ（Ｈ，□）は、メモリ層 のドメイン壁を乱すことなく、周囲温度で参照層を消去状態（磁化が「書き込み 」状態と逆方向）に休めるために使用される。室温において、Ｈ，（メモリ層） ＞Ｉ（＋１＞Ｈ，（参照層）、ｒ−ｉｂ　＜Ｈ，、ｌ　、Ｈ，（参照層）　＞ｌ （、＜）（ｅ（メモリ層）である。

直接上書きは、データストリームにしたがって高パワー（Ｐ□）と低パワー（Ｐ Ｌ）レベルで書き込み用レーザービームを変調することによって行われる。光磁 気材料はＰＨ又はＰＬにおいてＨ５に対する回転と、Ｈ１□に供される。ＰＨに おいて、両方の層は参照層のＴ、より高い温度に加熱され、Ｈ５はドメインパタ ーンを参照層に生じさせる。その後、冷却後の交換カップリングによってメモリ 層にドメインパターンをコピーする（「コピー１度」として知られる温度におい て）。周囲温度でＨｌ　ｅ　＋に供すると、参照層におけるドメインの消去が生 じ、書き込んだドメインがメモリ層に対してだけ制限され、一方、参照層は再び 新しいドメインが書き込まれる用意ができる。ＰＬにおいて、両方の層がメモリ 層のＴｃより高いが参照層のＴ、よりかなり低い温度に加熱され、Ｈｌに供する ことは参照層の書き込みを許容せず、したがってそのドメインは変わらないまま である。冷却すると、メモリ層の磁気双極子は、交換力・ノブリングによって参 照層のそれと平行に配列するようになり（コピ一温度において）、このためメモ リ層のドメインは消去される。

本発明の目的は、各々がＰｔ／Ｃｏ多層を含む少なくとも２つの光磁気層を含む 同様なタイプのシステムを製造することである。

前記のように、直接上書きシステムは未だ商業的に市販されていない。商業的な 希土類遷移金属直接上書き皮膜が開発されたとしても、不活性化用の下層と上層 の使用を必要とする乏しい耐蝕性と易酸化性、短い波長又は「ブルー」のレーザ ーを用いて高密度で記録するに使用する妨げとなる短い波長における小さい極性 カー回転のように、希土類遷移金属材料の使用に伴う周知の多くの欠点がある。

直接上書きＰｔ／Ｃｏシステムの開発は、明らかに極めて望ましい。

Ｌｉｎ　（前記に引用）が指摘しているように、レーザー変調直接上書きシステ ムは、飽和保磁力、キュリ一温度、レーザー間の交換カップリングのための特定 の要求を満足する光磁気材料の使用を必要とする。希土類遷移金属材料において 、メモリ層と参照層の間のＨｃとＴ。の所望の差は容易に得ることができるため 、このことはＰｔ／Ｃｏシステムでは問題ではない。

理論的に、Ｐｔ／Ｃｏ多層の熱磁気特性は、例えば多層スタ・ツクの個々の層の 厚さを調節し、及び／又は多層スタック全体の高さ、即ち重なりを構成する「周 期」の合計数を調節することによって制御することができる。（１つの周期は白 金の個々の層の１層とコバルトの個々の層の１層を含む）。白金とコバルトの全 体の割合を増すと、白金はＰｔ／Ｃｏ多層スタックのキュリ一温度を下げ、一方 、多層スタックの高さを増すと（白金％は一定）、Ｐｔ／Ｃｏ多層スタックのキ ュリ一温度は限界まで増加するはずである。しかしながら、本発明から知る限り 、スタック周期の全数の関数としてキュリ一温度が制御できることを実証した者 は未だ誰もいない。本発明に到る過程において、本願の例１に示したように、本 発明者らは実際にキュリ一温度を制御できている。

ＨｌとＴｅの制御に成功せずに、各々が独立した光磁気特性を備えた複数の光磁 気層を有するシステムを作成することは不可能である。簡単なＰ　ｔ　／　Ｃｏ 多層スタックシステムにおける必要な要求を達成することが非常に難しく、不可 能に思えたため、この分野の研究者は、Ｐｔ／Ｃｏシステムに混和するたの物質 を探してきた。このことは、それ自身でシステムと作成を複雑にし、皮膜の他の 特性に変化を生じさせることがある。

例えば、ＪＰ３２３５２３７Ａは、異なる磁気特性を有する２つの垂直磁化合物 層であって、磁気的に結合してラミネートした層を開示している。１つの例にお いて、光磁気材料は、ｐｔとＦｅｗ。ＣＯｌ。の第１磁気層と、Ｐ　ｄ　／　Ｃ ｏの第２磁気層を含む。複雑な材料システムが要求され、４種の元素の制御した 堆積が必要とされる。

一般に、Ｐ　ｔ　／　Ｃｏの代わりにＰｄ／Ｃｏを使用することや、鉄を混合す ることは、システムの極性カー効果を不都合に減少させることが認識されている 。

本発明者らは、レーザーパワー変調を用いたデータの直接上書きに必要な特性を 備えた２つの層を有する簡単なＰｔ／Ｃｏ多層光磁気システムを提供することを 目的とし、ＰｔとＣｏの多層のみを含み、必要によりＨ６を調節しながら、２つ のＰｔ／Ｃｏ多層の各々の所望のＴ。を満足できる範囲に維持することができる システムの作成を目指してきた。

近年の光磁気業界の多大な関心と研究努力にもかかわらず、独立に制御されたＨ ｃとＴｅを備えた簡単なＰｔ／Ｃｏスタック多層システムを達成したのはこれが 始めてである。この成功は、具体的な直接上書きＰ　ｔ　／　Ｃｏシステムの追 求を進めるに非常に大きな重要な前進過程である。

即ち、本発明は、光磁気記録に適し、データの直接上書きを可能にし、基材材料 、及び白金とコバルトの少なくとも２つの多層皮膜を含む材料システムを提供す るものであり、多層の界面に、１つ又は両方の多層のｐｔ層、又は別に堆積した 材料を含むスペーサーを提供し、多層皮膜の１つは、割合に高い室温飽和保磁力 （Ｈｃ）と低いキュリ一温度（Ｔ。）を有し、メモリ層と称し、多層皮膜の１つ は、割合に低い室温飽和保磁力と高いキュリ一温度を有し、参照層と称し、２つ の多層の間の飽和保磁力とキュリ一温度の差は、直接上書きプロセスを可能にす るに充分である。

実際の直接上書きプロセスは、必要なＨｃとＴ、の他に、２つの層の垂直磁気異 方性が交換カップリングされることが必要である（Ｔｓｕｔｓｕ＋ｎｉ　らのＪ 、　Ｍａｇｎ、　＆　Ｍａｇ、　Ｍａｔ　１１Ｂ（１９９３）２３１−２４７； 　Ｌｉｎ、　Ｊ。

Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　６７９）、１９９０年５月１日ＨＫｏｂａｙａｓｈｉ らのＪａｐ、　Ｊ、　Ａｐｐ。

Ｐｈｙｓ、、　Ｖｏｌ　２０．　Ｎｏ１ｌ、　１９８１年１１月、ｐ９２０８９ −２０９５　、を参照）。垂直磁気異方性及び／又は交換カップリング強度の制 御は、本発明によると、例えばスペーサーの厚さの調節や光磁気システムの作成 の際のプロセスパラメーターの制御によって、皮膜の中で達成可能である。

したがって、本発明はまた、光磁気記録に適し、データの直接上書きを可能にす る材料システムを提供するものでもあり、この本発明の材料システムにおいて、 白金とコバルトの多層皮膜は交換カップリング（ｅｘｃｈａｎｇｅ　ｃｏｕｐｌ ｅｄ）され、垂直磁気異方性を有する。

本発明の材料システムにおいて、１つの多層（（ｎ−１）番目の多層）の最後の ００層と、次のｎ番目多層の最初の００層を隔てる材料はスペーサーとして知ら れる。別個に堆積したスペーサーが存在しない場合、隣接した多層は、１方又は 両方の隣接した多層のＰｔ層によって隔てられ、即ち、その多層の１方又は両方 のｐｔがスペーサーを形成する。スペーサーがその多層の１方又は両方のＰｔ層 を含んでも含まなくても、任意の又は各々の多層の界面に、別個に堆積したスペ ーサー構造を提供することができる。スペーサー構造は白金とするのが便利であ るが、異種金属、窒化ケイ素のような誘電体物質、又は材料の組み合わせで作成 することもできる。以降の本明細書において、スペーサーは、（ｎ−１）番目の 多層の最後のＣｏ層と、ｎ番目多層の最初のＣｏ層を隔てる材料と定義し、その スペーサーが多層の一部として堆積されたかどうかに関係ないものとする。

所望により、基材と隣接Ｐｔ／Ｃｏ多層皮膜の間に、白金、異種金属、誘電体材 料、又は材料の組み合わせからなる中間層が存在することができる。好ましくは 、中間層は白金である。

希土類遷移金属直接上書き皮膜におけるメモリ層と参照層のＨｃとＴ。の値は、 例えば１．ｉｎ（前記に引用）によって検討されてきた。当然ながら、Ｐｔ／Ｃ ｏ直接上書きシステムについての実際のＨ，とＴ６は誰も定量できていない。し たがって、本発明の目的のため、本発明者らの考え方で、メモリ層と参照層の間 のＨｃとＴｅの相違が直接上書きプロセスを可能にするに充分と考えられるに必 要と思われる２つの層の間のＨｃとＴ、について定めた。次の式は前記のＫｏｂ ａｙａｓｈｔの引用文献より拾いだした。

このように、本発明の目的のため、及び直接上書きの可能性を明確にするため、 メモリ層のＨｃは２〜１５ｋｏｅ、例えば３〜１Ｏｋｏｅや３〜８　ｋｏｅの範 囲にあることができ、一方、参照層のＨ６は０．５〜１０ｋＯｅ、例えば１．０ 〜６ｋＯｅや１．５〜４ｋＯｅの範囲にあることができ、ただし、Ｈｃ　（メモ リ層）−Ｈ，（参照層）は次の値より大きいことを条件とし、σ、／（２ＭＳ（ メモリ層）ｈ（メモリ層）〕＋ σｖ　／　（２Ｍｓ　（参照層）ｈ（参照層）〕ここで、σ、は交換カップリン グ強度、Ｍ、は飽和磁化（ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｍａｇｎｅｔｉｓａｊｉｏｎ） 、ｈは多層の厚さである。メモリ層のＴ、は好ましくは１００℃〜４００℃であ り、例えば１５０℃〜３００℃や１５０℃〜２００℃であり、参照層のＴｃは好 ましくは１７５℃〜５００℃であり、例えば２５０℃〜５００℃や２５０℃〜４ ００℃であり、ただし、参照層のＴｃはメモリ層のＴ、よりも約７５℃〜１００ ℃高く、又は１００℃以上高いことを条件とする。

上記のＴ６について　の値は変わることがある提案値であり、Ｔｅの下限は恐ら く多層皮膜のキャリヤとノイズの比で規定され、上限は利用できるレーザーパワ ーとレーザーによって損傷を受ける多層皮膜の限界によって規定される。眉間の Ｔｃの違いは、多層が作成される仕方によっても変わることがある。

最も好ましくは、本発明の材料システムは、コピ一温度におけるメモリ層の飽和 保磁力について、次の要求を満たす。

Ｈ，（コピ一温度）（メモリ層）く 本願における前述又は以降の飽和保磁力についての言及は、特に明記がなければ 室温の飽和保磁力を言うものとする。

基材と最初のＰｔ／Ｃｏ多層皮膜の間に中間層が存在する場合、金属を含むとき のその中間層の平均厚さは、２５０人までであり、例えば５０人までであり、又 は好ましくは２０Ａまでの厚さのサブ単一層（ｓｕｂ−ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）で あり、一方、誘電体物質を含むときの中間層は数千人までの厚さを有することが ある。

スペーサーの平均厚さは１００人まででよく、好ましくは２５人までである。本 発明の交換カップリングシステムにおいて、スペーサーの厚さは５０人までであ るべきで、例えば２５人までの厚さのサブ単一層である。本発明のスペーサーと 中間層について行う堆積後の処理は実際の厚さを変化させることがあるため、本 願で言う厚さは、何らかの後処理の前の実際に堆積したスペーサーや中間層の材 料の値（堆積したまま）及び／又は何らかの後処理の後に残存するスペーサーや 中間層の材料の値を表す。

好ましくは、本発明の材料システムにおける個々のコバルト層は１２人までの厚 さを有し、個々の白金層は２５人までの厚さを有する。最も好ましくは、個々の コバルト層の厚さは２〜５人であり、個々の白金層は３〜２０人である。好まし くは、全体の多層皮膜の各々は、５００人の厚さを有する。好ましくは、各々の 多層皮膜は全体で５０層まで、又は２５周期までのＰｔ／Ｃｏであり、例えば２ 〜１５周期である。

基材材料は任意の適切な材料でよく、例えば適当な金属又は誘電体材料、又はポ リカーボネートのようなポリマー又はガラスである。

好ましくは、基材材料はガラスである。市販の希土類遷移金属光磁気ディスクに おいて、基材と光磁気材料の間に窒化ケイ素のような［光増感層（ｏｐｔｉｃａ ｌ　ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ　１ａｙｅｒ）　Ｊを含めることが一般に行われて いる。この層は、その熱特性に関して最適化することができる。本発明のこの応 用のため、基材への言及は、光増感のための１以上の材料層を堆積させた基材を 含めるものとする。したがって、例えば、基材材料は、シリコン、窒化ケイ素、 二酸化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、及びこのような材料からなる群よ り選択された誘電体材料を堆積したガラスであることができる。

市販の希土類遷移金属光磁気ディスク構造において、基材に付加的な層、光増感 層、光磁気多層が一般に含められる。このような付加的な層は、熱的に最適化す る反射層、例えばアルミニウムを所望により含めることができる。本発明の材料 システムは典型的なディスク構成に使用することができ、したがって、本発明は 、本発明の材料システムを含む磁気ディスクを提供する。

使用において、所望により、レーザー変調熱磁気光磁気データ記憶システムを２ 種のモード、即ち、基材を通して又は多層側からレーザーによって提出すること ができる。通常は、直接上書きシステムにおいて、レーザーは、システムの他の 磁気活性成分よりむしろメモリ層に入射する。したがって、基材を通してレーザ ーを照射するためには、メモリ層は基材に隣接するべきであり、また、多層側か らレーザーを照射するためには、メモリ層はレーザーに最も近くにあるべきであ る（したがって、２つの多層システムの場合、参照層は基材に隣接するであろう ）。

本発明による材料システムの特定の作成方法は、システムの性質と組成、及びレ ーザーの照射を基本的に基材を通すか多層側を通すかの使用目的に依存する。

一般に、本発明の材料システムは、次の方法によって作成することができる。即 ち、所望により基材材料を高熱加工し、基材材料上の随意の中間層をスパッタリ ング堆積し、所望により中間層を高熱加工又は熱処理し、基材又は中間層の上に ＰｔとＣｏの多層をスパッタリング堆積し、所望により多層を熱処理し、多層上 の随意のスペーサー構造をスパッタリング堆積し、前記スペーサー構造の随意の 高熱加工及び／又は熱処理を行い、スペーサー構造又はｐｔとＣＯの多層の上の ｐｔとＣｏの多層をスパッタリング堆積し、多層の随意の熱処理を行う。

ｐｔとＣＯの２層以上の多層を含む材料システムにいて、前記のように、先に堆 積した多層又はスペーサー構造の上に、各々の付加的な層を堆積させることがで きる。

したがって、基材に隣接したＰ　ｔ　／　Ｃｏ多層は、随意の高熱加工した基材 にスパッタリングすることができ、好ましくは、随意の高熱加工した基材の上に 堆積し、少なくとも１種の高熱加工と熱処理によって処理した適当な厚さの金属 又は誘電体の中間層の上に堆積する。堆積した多層は熱処理に供することができ る。中間層の使用と処理、多層の処理、堆積の間に採用する実際のプロセスパラ メーターはいずれも多層の飽和保磁力と垂直磁気異方性の制御に貢献する。第１ 堆積層と所望な差の飽和保磁力及び／又は交換カップリングを形成するための、 第２堆積層の飽和保磁力と垂直磁気異方性の制御は、堆積の際に採用する実際の プロセスパラメーターの制御、及び／又は前記のような所望の厚さのスペーサー の使用によって達成することができる。

多層スタック（ｓ　ｔａｃｋ）の１つの多層又は第１の多層の堆積において、光 磁気皮膜特性の制御に、二重成長表面高熱処理を使用することができる（欧州特 許出願第０５４９２４６公開明細書）。多層スタックシステムにおける以降の多 層の堆積は、元の多層（複数でもよい）の特性が許容できる制限内に維持されて いれば、スペーサーのみの慎重な高熱処理（複数でもよい）を可能にする。積層 した多層の場合、既に存在する皮膜は、以降の高熱及び／又は熱加工の効果を変 調する型板又は構造的な前駆体として成る程度作用する。

スペーサーは、１つの堆積、又は厚さが漸増する一連の堆積で形成することがで き、任意の又は各々の段階で随意の高熱加工及び／又は熱処理を行う。

中間層又はスペーサーのスパッタリング堆積は、任意の貴ガス又は貴ガスの混合 ガス中で行うことができる。好ましくは、中間層又はスペーサーは、Ａｒ、Ｋｒ 、Ｘｅの１種以上の中でスノ（・ツタリングする。スペーサーを形成するにおい て、反応性ガス／不活性ガスの混合ガスを使用することができる。スパッタリン グの速度は、金属で数百人／秒まで可能であるが、好ましくは１００人／秒まで 、例えば１０人／秒、又は１人／秒である。

ＰＬ／Ｃｏ多層は任意の貴ガス又は貴ガスの混合ガス中でスノク・ツタリングす ることができるが、好ましくはＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅの１種以上の中でスパッタリン グする。スパッタリングの速度は、金属で典型的に１〜２０人／秒の範囲でよい 。

スパッタリング堆積は任意の適当な手段によって行うことができる。各種の手段 、例えば直流又は高周波又はマイクロ波のマグネトロン、ダイオード、又はトリ オードによるスノ臂・ツタリング、或いはイオン又は原子銃からのエネルギー粒 子の衝撃による標的のス／（・ツタリングが当該技術で周知である。

多層スパッタリングにおいて、基材と、多層成分のスノク・ツタリング源との距 離は変化させることができ、皮膜成長の間に基材に蓄積する金属粒子の所望の低 い到達エネルギーを得るため、スノク・ツタリング標的を飛び出す粒子の初期エ ネルギー、スＡ・ツタリングの間のスパッターガスの性質、圧力、組成、温度に よって変化させることができる。また、到達エネルギーの制御は、中間層とスペ ーサー構造の堆積の際に重要である。

高熱加工は、高エネルギー粒子の衝撃を含み、中間層又は多層を適当に堆積させ る前に、任意又は全ての基材、中間層、スペーサーの表面特性に影響を与えるた めに使用する。表面成長の初期の段階において、成長表面の性質は、生成してい る皮膜構造に重要な影響を及ぼす。中間層、スペーサー、及びＰｔ／Ｃｏの薄い 皮膜の多層の薄い特性は、光磁気特性に有益な皮膜微細構造の向きを形成する成 長表面の表面設計によって、皮膜成長の成る程度の制御を可能にする。本発明の 方法において、光磁気特性を有益に向上させるために基材を加熱する必要は全く ない。皮膜堆積における低エネルギー粒子の使用によって、適切に設計した成長 表面は消去されず、したがって、光磁気皮膜に望ましい光磁気特性を与える成長 モードが確率されることを可能にする。

高熱加工は、例えば、低圧雰囲気中で基材テーブルに高周波励起又は直流バイア スを適用することによって、又は低圧雰囲気中でプラズマ源の近くに基材又は中 間層を配置することによって、又はイオン銃や原子銃のような粒子銃からの粒子 衝撃によって便利に行うことができる。

高周波励起を基材について行う高熱加工に採用する場合、約５０人までの堆積し たままの厚さで中間層を適用する場合、高エネルギー粒子衝撃を含む適用エネル ギー密度は３００Ｊｃｍ−”までが便利であり、パワー密度は０．３５Ｗｍ−” までが便利であろう。ここで、基材の性質により、これより大きいエネルギー密 度や〕（ワー密度を使用することもでき、また、中間層とスペーサーの高熱処理 につ（１て、バイアス誘導基材、パワー密度、エネルギー密度を適切に考慮する 。

各々の金属多層、又は中間層、又はスペーサーは、堆積後に熱処理することがで きる。好ましくは、堆積後に各々の多層を熱処理する。この熱処理は、酸素の存 在の中、例えば空気中、又は空気及び／又は酸素ガスをし含む混合ガス中で行う ことが有益である。熱処理の効果は、酸素の圧力又は分圧によって変化する。大 気圧以上の圧力を使用することが有益なことがあることも期待できよう。或いは 、酸素が混合種として存在する雰囲気中でこの熱処理を行うことも考えられる。

一般に、熱処理は加熱、定温維持、及び冷却の過程を含むが、定常維持の過程は 本質的ではない。加熱は約１００〜４００℃までの温度、例えば１５０〜２５０ ℃であることができ、昇温速度は任意であり、例えば約ｌθ℃／分〜約１００℃ ／分である。昇温速度は基本的に重要ではなく、商業的条件は恐らく１０〜ｂよ うに出来るだけ大きいであろう。加熱は１以上の段階で行うことができ、各々の 段階の後に温度安定状態に達しても達しなくてもよい。加熱に供する操作は連続 的又は周期的であってよく、一部連続的や一部周期的でもよい。この加熱は任意 の適切な手段によって行うことができ、例えば、炉の中で加熱を行うことができ 、又は加熱する容器の中にサンプルを入れることでもよく、又は１以上の連続通 電加熱源又はランプ源、例えばフィラメント又は放電ランプ源によって行うこと もできる。したがって、ハロゲン電球のような電球を本発明の加熱源に使用する こともできる。電球を使用する場合、１以上を使用することができる。本発明の 方法において、多層皮膜から空間的に隔ててこれらを配置し、皮膜の周囲の例え ば上や下に配置する。電球と多層皮膜の間の距離は、例えば電球のワット数、皮 膜の厚さ、基材の熱的特性によって異なる。皮膜サンプルへの光を強く及び／又 は均一にするため、電球を曲面反射板で囲むことが有利である。サンプルへの均 一な照射を得るためには、放物形反射鏡を使用することが有利である。

熱処理の第２段階は随意の定温維持であり、ここでは材料を成る温度に成る時間 保持し、例えば３０分間まで、又は５分間まで、又は好ましくは１分間以下、さ らには１秒間以下のような短時間で保持する。次いでその材料を１以上の段階で 冷却又は放冷し、所望により速度を変える。実際には任意の冷却速度を採用する ことができ、例えばｌＯ℃／分まで、又は好ましくは１００℃／分までである。

冷却速度は本質的に重要ではなく、商業的条件は、恐らく１０℃／秒〜１００℃ ／秒のように出来るだけ高いであろう。任意の適当な冷却方法を採用することが できる。所望により、磁場の中でこの熱処理を行うこともできる。

次に本発明を例によって説明するが、例証のためであって本発明を限定するもの ではない。

光磁気の測定は、注文型の極性カール−ブトレーサーを用いて６７０ｎｍで行っ た。特に明記がなければ、材料の多層側を通して測定を行った。

全ての例におけるスパッタリング装置は、Ｎｏｒｄｉｋｏ　Ｌｔｄ（Ｈａｖａｎ ｔ。

Ｈａｎｐｓｈｉｒｅ、英国）が提供のＮｏｒｄｉｋｏ　Ｎ５３７５０の改良型を 、ＪｏｈｎｓｏｎＭａｔｔｈｅｙ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｃｅｎｔｒｅで改良 したものである。全ての例のスパッタリング電極は直流及び／又は高周波平面マ グネトロンである。

特に明記がなければ、処理は全て大気圧の空気中で行った。

例１は、多層周期の数の変化によるキュリ一温度の制御を示す。

例２ａ〜２ｄは、白金とコバルトの比の調節によるキュリ一温度の制御を示す。

例３ａ〜３ｇは、プロセスパラメーターを変えたときのキュリ一温度への効果を 検討している。

例４〜６は、二条層構造におけるＨｃとＴ。の制御を示す。

例７〜１０は、二層構造の交換カップリングを示す。

予め洗浄していたガラス基材を、真空チャンバーの中の基材テーブルに装着し、 チャンバーをポンプ排気し、約２〜５×ｌＯ−ｍｂの底面圧にした。

ポンプ排気したそのチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５　Ｘ　 １０−”ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（「ガス平衡」）。

全表面積が２９６０　ｃｍ’の爪面の基材テーブルを、白金スパッター源から１ １　ａｍ、コバルトスパッター源からＩｔｃｍに配置して６ｒｐｍで回転させ、 一方で、１０００ワツトの１３．５６ＭＨｚの一定高周波（０，３４Ｗ／ｃｍ” 　）を７分間テーブルに適用し、大地電位に対して約２４５Ｖの負バイアスをテ ーブルに与えた（高熱処理Ｓｌ）。

８”×４”の白金の標的を取り付けた平面マグネトロンからシャッターで隠した 基材テーブルを用い、１２４Ｗの直流パワーをスノくツタ−源に数分間印加し、 スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した（標的の予備調整段階）。

次いで白金中間層を、白金スパッター源による２つの連続的な経路で堆積させ、 １６人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２４Ｗで、電極 バイアスは大地電位に対して一４１４Ｖであった。基材は大地電位に対して１２ 〜１５Ｖの負の電位であった。基材から標的の距離は１１ｃｍで、テーブルは６ ｒｐｍで回転した（中間層の堆積）。

次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することによっ てＰｔ中間層の表面を高熱処理した。２００Ｗの高周波パワーを５分間与え、大 地に対して一１０５Ｖのテーブルノくイアスを確立し、基材テーブルは６ｒｐｍ で回転した（高熱処理Ｓ２）。

所望の多層構造を生産するためのＣｏフラツクスの源を、ｐｔ源に向かい合わせ に正反対に位置する高周波平面マグネトロン源によって提供した。一方の源から のフラックスは、それらの間に位置する基材テーブルによって隠した。マグネト ロンのスノくツタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”×４”ｘｌ ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構造の作成 のため、ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の源にそれ ぞれパワーを与えた。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞ れのパワー設定で、スノク・ツタ−源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の 予備調整）。

基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックスがテ ーブルに入射するようにし、源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏの交互 の構造が生成するようにした。最初と最後の層はｐｔで、７層の構造であり、即 ちＰｔとＣＯの３．５周期で、合計でテーブルの６．５回転を行った。テーブル の回転は６ｒｐｍとし、コバルトスパッター電極に一定の高周波ノ（ワーを与え 、基材の通過ごとに厚さ約３人のＣｏ層の堆積を行った。一定の直流パワーをｐ ｔスパッター電極に与え、通過ごとに厚さ約８人のｐｔ層を形成した（多層の堆 積）。１２４Ｗの直流ノくワーをＰｔス、（・ツタ−電極に与え、Ｐｔ標的に一 ４１４ｖの）くイアスを確立しｔこ。４００Ｗの高周波パワーを使用し、大地に 対してＣｏｎ的（ニー６００■の自己バイアスを確立した。基材は大地に対して １〜２ｖの負の電位であった。ガスの計量と、基材テーブルに対するスノ々・ツ タ−電極の隔たりは前記の「高熱処理ＳＩＪと同様である。

堆積した多層を有するガラス基材をス１＜、ツタリングチャンノく一力１ら取り 出した。

同様にしてさらに４種のサンプルを調製し、「多層堆積」段階（こおけるテーブ ル回転数を調節し、周期数の異なるサンプルを得た。

各々のサンプルのキュリ一温度を測定し、周期数との関係で表１に示した。

表１ サンプルＮｏ　周期数　’ｒｅ　（℃）ｌａ　３．５　３１０ １ｂ　Ｅｉ、５　３７０ １ｃ　９．５　３８０ １ｄ　１５．５　４００ １ｅ　２１．５　４００ 予め洗浄していたガラス基材を、真空チャンバーの中の基材テーブルに装着し、 チャンバーをポンプ排気し、約２．　８　ｘ　１０−’ｍｂの底面圧にした。

ポンプ排気したそのチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．、　５　 Ｘ　Ｉ　Ｏ−２ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（［ガス平衡Ｊ）。

全表面積が２９６０　ａｍ’の爪面の基材テーブルを、白金スパッター源から１ １ｃｍ、コバルトスパッター源から１１ｃｍに配置して６’ｒｐｍで回転させ、 一方で、７１０ワツトの１３．５６ＭＨｚの一定高周波（０，２４Ｗ／ｃｍｆ） を３分間テーブルに適用し、大地電位に対して約２５０ｖの負バイアスをテーブ ルに与えた（高熱処理Ｓｌ）。

８”×４”の白金の標的を取り付けた平面型マグネトロン源がらンヤッターで隠 した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加し 、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した（標的の予備調整段階）。

次いで白金中間層を、白金スパッター源による２つの連続的な経路で堆積させ、 １６人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２０Ｗで、電極 バイアスは大地電位に対して一４０６Ｖであった。基材は大地電位に対して１２ 〜１５Ｖの負の電位であった。基材から標的の距離はＩｔｃｍで、テーブルは６ ｒｐｍで回転した（中間層の堆積）。

次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することによっ てｐｔ中間層の表面を高熱処理した。１５０Ｗの高周波パワーを５分間与え、大 地に対して一１００ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは６ｒｐｍで 回転した（高熱処理Ｓ２）。

次いでアルゴンガスの圧力を３．　Ｏｘ　ｌ　Ｏ−”ｍｂに調節した（ガス平衡 ２）。

所望の多層構造を生産するためのＣｏフラックスの源を、Ｐｔ源に向かい合わせ に正反対に位置する高周波平面型マグネトロン源によって提供した。一方の源か らのフラックスは、それらの間に位置する基材テーブルによって隠した。マグネ トロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８″ｘ４”ｘｌ ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構造の作成 のため、ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の源にそれ ぞれパワーを与えた。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞ れのパワー設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備 調整）。

基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックスがテ ーブルに入射するようにし、源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏの交互 の構造が生成するようにした。最初と最後の層はＰｔであり、合計で１２．５回 のテーブル回転で２５層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コ バルトスパッター電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３ 人のＣｏ層の堆積を行った。一定の直流パワーをｐｔスパッター電極に与え、通 過ごとに厚さ約６人のＰｔ層を形成した（多層の堆積）。９０Ｗの直流パワーを Ｐｔスパッター電極に与え、ｐｔ標的に一３７０Ｖのバイアスを確立した。４０ ０Ｗの高周波パワーを使用し、大地に対してＣＯ標的に一５２０ｖの自己バイア スを確立した。基材は大地に対して２〜３Ｖの負の電位であった。

堆積した多層を有するガラス基材をスパッタリングチャンバーから取り出した。

多層のキュリ一温度を測定した。

撚至上 次の明確な変更を加え、例２ａの手順を踏襲した。

「多層堆積Ｊ段階において、直流電極に１５０Ｗの直流パワーを適用し、ｐｔス パッタリング標的に一３９７■のバイアスを形成し、１回の通過あたり約９．５ 人の堆積に相当した。最初と最後がｐｔで、合計で１７層のＰｔ／Ｃｏ構造を８ ．５回のテーブル回転で達成した。多層堆積の間、基材は、大地に対して３〜５ Ｖの負の電′位であった。

鯉左工 次の明確な変更を加え、例２ａの手順を踏襲した。

［高熱処理ＳＩＪの段階を７分間適用した。

「高熱処理Ｓ２Ｊの後、アルゴンガスの圧力を２．５Ｘ１０−”ｍｂに調節した （ガス平衡２）。

「多層堆積」段階において、直流電極に１８５Ｗの直流パワーを適用し、ｐｔス パッタリング標的に一４１５Ｖのバイアスを形成し、１回の通過あたり約１１人 の堆積に相当した。最初と最後がｐｔで、合計で１５層のＰｔ／Ｃｏ多層構造を ７．５回のテーブル回転で達成した。多層堆積の間、基材は、大地に対して２〜 ５ｖの負の電位であった。

撚又旦 次の明確な変更を加え、例２Ｃの手順を踏襲した。

「高熱処理ＳＩＪ段階において、ｉｏｏｏｗの高周波パワーを適用し、大地電位 に対して約２４５Ｖの負のバイアスを形成した。

「多層堆積」段階において、直流電極に２１５Ｗの直流パワーを適用し、ｐｔス パッタリング標的に一４２８ｖのバイアスを形成し、１回の通過あたり約１５人 の堆積に相当した。最初と最後がｐｔで、合計で１９層のＰｔ／Ｃｏ多層構造を ９．５回のテーブル回転で達成した。多層堆積の間、基材は、大地に対して２〜 ３ｖの負の電位であった。

表２に、例２ａ−ｄの多層のキュリ一温度とｐｔとＣＯの比を示す。

表２ 例　周期数　Ｐｔ／Ｃｏの厚さの比　キュリ一温度（人／人）　（℃） ２ａ　１２．５　３／６　４７０ ３ｄ　９．５　３／８　３８０ ２ｂ　８．５　３／９．５　３００ ２ｃ　７゜５　３／１１　２８０ ２ｄ　９．５　３／１５　１８０ 予め洗浄していたガラス基材を、真空チャンバーの中の基材テーブルに装着し、 チャンバーをポンプ排気し、約２Ｘ１０−’ｍｂの底面圧にした。

ポンプ排気したそのチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５　Ｘ　 １０−’ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（「ガス平衡ｌ」）。

全表面積が２９６０ｃｍ”の八面の基材テーブルを、白金スノク・ツタ−源から １１ｃｍ、コバルトスパッター源から１１ｃｍに配置して６ｒｐｍで回転させ、 一方で、７００ワツトの１３．５６ＭＨｚの一定高周波（０，２４Ｗ／ｃｍ”　 ）を２０分間テーブルに適用し、大地電位に対して約２００ｖの負バイアスをテ ーブルに与えた（高熱処理ＳＬ）。

８”×４”の白金の標的を取り付けた平面型マグネトロン源からシャッターで隠 した基材テーブルを用い、１２４Ｗの直流ノくワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した（標的の予備調整段階） 。

次いで白金中間層を、白金スパッター源による６回の連続的な通過で堆積させ、 ５０人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２４Ｗで、電極 バイアスは大地電位に対して一４１４Ｖであった。基材は大地電位に対して１５ Ｖの負の電位であった。

基材と標的の距離は１１ｃｍで、テーブルは６ｒｐｍで回転した（中間層の堆積 ）。

次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することによっ てｐｔ中間層の表面を高熱処理した。２００Ｗの高周波パワーを５分間与え、大 地に対して一１００Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは６ｒｐｍで 回転した（高熱処理Ｓ２）。

所望の多層構造を生産するためのＣｏフラックスの源を、ｐｔ源に向かい合わせ に正反対に位置する高周波平面型マグネトロン源によって提供した。一方の源か らのフラックスは、それらの間に位置する基材テーブルによって隠した。マグネ トロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”Ｘ４″ｘ　 １　ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構造の 作成のため、Ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の源に それぞれパワーを与えた。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそ れぞれのパワー設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の 予備調整）。

基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックスがテ ーブルに入射するようにし、源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏの交互 の構造が生成するようにした。最初と最後の層はｐｔであり、合計で９．５回の テーブル回転で１９層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバ ルトスパッター電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人 のＣｏ層の堆積を行った。一定の直流パワーをＰｔスノ々・ツタ−電極に与え、 通過ごとに厚さ約８人のｐｔ層を形成した（多層の堆積）。

１２４Ｗの直流パワーをｐｔスパッター電極に与え、ｐｔ標的に一４１４Ｖのバ イアスを確立した。４００Ｗの高周波ノくワーを使用し、大地に対してＣＯ標的 に一６００ｖの自己バイアスを確立した。基材は大地に対して２〜３■の負の電 位であった。ガス計量と、基材テーブルに対するスパッター電極の距離は、前記 の「高熱処理ＳＩＪと同様である。

堆積した多層を有するガラス基材をスバツタリングチャンノく−から取り出した 。

例３ｂ：高熱加工の変化 予め洗浄していたガラス基材を、真空チャンバーの中の基材テーブルに装着し、 チャンバーをポンプ排気し、約２Ｘ１０−’ｍｂの底面圧にした。

ポンプ排気したそのチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．　５　Ｘ 　１０−２ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（「ガス平衡Ｎ）。

全表面積が２９６０ｃｍ”の八面の基材テーブルを、白金スノク・ツタ−源から １１　ｃｍ、コバルトスパッター源から１１ｃｍに配置して６ｒｐｍで回転させ 、一方で、１０００ワツトの１３．５６ＭＨ２の一定高周波（０，２４Ｗ／ｃｍ ２）を７分間テーブルに適用し、大地電位に対して約２４０Ｖの負バイアスをテ ーブルに与えた（高熱処理Ｓｔ）。

８”×４”の白金の標的を取り付けた平面型マグネトロン源からンヤノターで隠 した基材テーブルを用い、１２４Ｗの直流＜ワーをスパッター源に数分間印加し 、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した（標的の予備調整段階）。

次いで白金中間層を、白金スパッター源による２回の連続的な通過て堆積させ、 １６人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２４Ｗで、電極 バイアスは大地電位に対して一４１４Ｖであった。基材は大地電位に対して１５ Ｖの負の電位であった。

基材と標的の距離は１１ｃｍで、テーブルは６ｒｐｍで回転した（中間層の堆積 ）。

次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することによっ てｐｔ中間層の表面を高熱処理した。１００Ｗの高周波パワーを１０分間与え、 大地に対して一７０ＶのテーブルＩくイアスを確立し、基材テーブルは６ｒｐｍ で回転した（高熱処理Ｓ２）。

所望の多層構造を生産するためのＣｏフラックスの源を、ｐｔ源に向かい合わせ に正反対に位置する高周波平面型マグネトロン源によって提供した。一方の源か らのフラックスは、それらの間に位置する基材テーブルによって隠した。マグネ トロンのスノク・ツタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”Ｘ４″ ｘ　１　ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構 造の作成のため、ｐｔ又はＣＯのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の 源にそれぞれパワーを与えた。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のため のそれぞれのパワー設定で、スバ・ツタ−源の平衡を確立した（多層堆積の前の 標的の予備調整）。

基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックスがテ ーブルに入射するようにし、源を通り過ぎて基材を回転させ、ＰｔとＣＯの交互 の構造が生成するようにした。最初と最後の層はｐｔであり、合計で９．５回の テーブル回転で１９層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバ ルト標的ク・ンター電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約 ３人のＣｏ層の堆積を行った。一定の直流パワーをｐｔスパッター電極に与え、 通過ごとに厚さ約８人のＰｔ層を形成した（多層の堆積）。

１２４Ｗの直流パワーをｐｔスパッター電極に与え、ｐｔ標的に一４１４Ｖのバ イアスを確立した。４００Ｗの高周波パワーを使用し、大地に対してＣｏ標的に 一６００ｖの自己バイアスを確立した。基材は大地に対して１〜２Ｖの負の電位 であった。ガス計量と、基材テーブルに対するスパッター電極の距離は、前記の 「高熱処理ＳＩＪと同様である。

堆積した多層を有するガラス基材をスパッタリングチャンバーから取り出した。

匹王工：多層の飽和保磁力の変化 特に次の変更を加え、例３ａの手順を踏襲した。

１、ｒ高熱処理ＳＩＪ段階において、１０００Ｗの高周波パワーを７分間適用し 、大地電位に対して約２４５■の負のバイアスを確立した。

２、　「中間層堆積」段階において、スパッター電極によって、２つの続けた通 過でＰｔ層を約１６人の厚さに堆積させた。

気立４．多層の飽和保磁力の変化 特に次の変更を加え、例３ｃの作成手順を踏襲した。

「高熱処理Ｓ２Ｊ段階の後、アルゴンガスの圧力を２．５Ｘ１０−２ｍｂ１．： 調節し、平衡にさせた。

「多層堆積」段階において、１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に印加 し、ｐｔ標的に一３９１■のバイアスを形成した。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、Ｃｏ標的に大地に対して〜５２０■の自己バ イアスを形成した。基材は大地に対して３〜４ｖの負の電位であった。

匹主工：熱処理により増加した飽和保磁力例３ｄと同様にしてサンプルを調製し 、次の熱処理に供した。

サンプルを１７５℃のホットプレート上に１０分間装いた。次いでサンプルを取 り出し、室温のスチール製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。

鼠主工：熱処理により増加した飽和保磁力例３ｄと同様にしてサンプルを調製し 、次の熱処理に供した。

サンプルを１７５℃のホットプレート上に２０分分間−た。次いでサンプルを取 り出し、室温のスチール製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。

性主１：熱処理により増加した飽和保磁力例３ｄと同様にしてサンプルを調製し 、次の熱処理に供した。

サンプルを１７０℃の銅製ブロック上に７０分分間−た。次いでサンプルを取り 出し、室温のスチール製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。次の変更を加 えてこの操作をさらに３回繰り返した。

・１回目の繰り返し　１７０℃で１９０分間・２回目の繰り返し　１７０℃で３ ４０分間・３回目の繰り返し　２３４℃で２１０分間例３ａ〜３ｇのＨ６とＴ、 を測定し、次の表３に示した。

表３ 例　室温飽和保磁力（ｋｏｅ）　キュリ一温度（℃）の中の基材テーブルに装着 し、チャンバーをポンプ排気し、１．　３ｘｌＯ−’ｍｂの底面圧にした。

２）ポンプ排気したチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５　Ｘ　 １０−’ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（ガス平衡）。

３）面積が２９６０ｃｍ２の基材テーブルを、２つの向か１．＋合ったスパッタ ー源の各々から１１ｃｍに配置し、６ｒｐｍで回転させ、一方で、１０００ワツ トの１３．５６ＭＨｚの一定高周波（０，３４Ｗ／ｃｍ’）をテーブルに適用し 、大地電位に対して約２５０Ｖの負バイアスをテーブルに形成した。ノくワーは ７分間適用した（高熱処理Ｓｌ）。

４）８″×４″の白金の標的を取り付けた平面マグネトロン源からシャッターで 隠した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した。ガスの圧力と流量には 変更を加えなかった（標的の予備調整段階）。

５）次いで白金中間層を、白金スパッター源による続きの２つの経路で堆積させ 、１６人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２０Ｗで、電 極バイアスは大地電位に対して一４０８■であり、基材と標的の距離は１１ｃｍ であり、テーブルは６ｒＤｍで回転し、大地電位に対して約−１５Ｖの内部（Ｉ ｎｃｌｕｄｅｄ）バイアスを有した（白金中間層の堆積）。

６）次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することに よってｐｔ中間層の表面を高熱処理した。２００Ｗの高周波パワーを適用し、大 地に対して−１１０〜−１５０Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは ６ｒｐｍで回転し、時間は５分間とした（高熱処理Ｓ２）。

次いでアルゴンガスの圧力を２．５Ｘ１０−１ｍｂに調節し、平衡になるまで放 置した。

７）所望の多層構造を生産するためのＣｏフラックスの源を、Ｐｔ源の向かい合 わせの直ぐ反対に位置する高周波平面マグネトロン源によって提供し、一方の源 からのフラックスは、それらの間の中央に位置する基材テーブルによって隠した 。マグネトロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”　 Ｘ４”　Ｘ１ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多 層構造の作成のため、ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各 々の源にそれぞれパワーを与えた。最初にｐｔパワーを確立し、次にＣｏパワー を確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞれのパワ ー設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備調整）。

８）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ＰｔとＣｏ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はｐｔであり、合計で７．５回のテー ブル回転で１５層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルト スパッター電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人の０ ０層の堆積を行った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごと に厚さ約１５人のｐｔ層を形成した（多層の堆積）。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、Ｃｏ標的に大地電位に対して−５８０Ｖの自 己バイアスを確立した。２１５Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に適用し、 ｐｔ標的に一４２２Ｖの自己バイアスと、大地電位に対して基材テーブルに一１ ０２Ｖの誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と同 様であった（多層堆積）。

９）堆積した多層を有するスライドガラスをスパッタリングチャンバーから取り 出した。サンプルを次の熱処理に供した。

サンプルを１５３℃の炉に４０分間配置した。次いでそれらを取り出し、アルミ ニウム製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。

第２層 ｌ）真空チャンバーの中の基材テーブルの上にサンプルを装着し、チャンバーを １゜３Ｘ１０−’ｍｂの底面圧までポンプ排気した。

２）ポンプ排気したチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５ＸＩＯ ”’ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（ガス平衡）。

３）面積が２９６０ｃｍ’の基材テーブルを、２つの向かい合つたスパッター源 の各々から１１ｃｍに配置し、６ｒｐｍで回転させ、一方で、１０００ワツトの １３．５６ＭＨｚの一定高周波（０，３４Ｗ／ｃｍ’）をテーブルに適用し、大 地電位に対して約２５０Ｖの負バイアスをテーブルに形成した。パワーは７分間 適用した（高熱処理Ｓｌ）。

４）８”×４”の白金の標的を取り付けた平面マグネトロン源からシャッターで 隠した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した。ガスの圧力と流量には 変更を加えなかった（標的の予備調整段階）。

５）次いで白金中間層を、白金スパッター源によって続けて６回の通過で堆積さ せ、５０人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２０Ｗで、 電極バイアスは大地電位に対して一４０９Ｖであり、基材テーブルに大地電位に 対して約−１５Ｖのバイアスを形成し、基材と標的の距離は１１ｃｍであり、テ ーブルは６ｒｐｍで回転した（白金中間層の堆積）。

６）次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することに よってＰｔ中間層の表面を高熱処理した。２００Ｗの高周波パワーを適用し、大 地に対して−１０５〜−１１０Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは ｅｒｐｍで回転し、時間は５分間とした（高熱処理Ｓ２）。

７）所望の多層構造を生産するためのＣＯフラックスの源を、Ｐｔ源の向かい合 わせの直ぐ反対に位置する高周波平面マグネトロン源によって提供し、一方の源 からのフラックスは、それらの間の中央に位置する基材テーブルによって隠した 。マグネトロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”Ｘ ４”Ｘ１ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構 造の作成のため、Ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の 源にそれぞれパワーを与え、多層構造の作成のため、最初に白金パワーレベルを 確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞれのパワー 設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備調整）。

８）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ＰｔとＣｏ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はｐｔであり、合計で３．５回のテー ブル回転で７層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルト電 極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人の００層の堆積を 行った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごとに厚さ約８人 のｐｔ層を形成した（多層の堆積）。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、Ｃｏ標的に大地電位に対して一５３０Ｖの自 己バイアスを確立した。１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に適用し、 ｐｔ標的に一４００Ｖの自己バイアスと、大地電位に対して基材テーブルに一１ 〜２■の誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と同 様であった（多層堆積）。

図１は、二層多層構造についての皮膜側光質間の極性カーループを示す。

」 例４に記載の作成手順を繰り返し、ただし、最初に堆積した多層の軌処゛理段階 を省略し、二層の堆積は、堆積順序を止めずに連続して行い、Ｐｉｌｋｉｎｇｔ ｏｎ　ＰＬＫから供給されたガラス基材を使用した。

図２はこの例の極性カーループを示す。

例６ 第１の多層の堆積を例５と同様にして行ったが、第１の多層の堆積の後、Ａｒガ スの圧力を１．５Ｘ１０！ｍｂに調節し、平衡にした。

第２の多層 １）面積が２９６０ｃｍ２の基材テーブルを、２つの向かい合ったスパッター源 の各々から１１ｃｍに配置した。

２）８″×４”の白金の標的を取り付けた平面マグネトロン源からシャッターで 隠した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した。ガスの圧力と流量には 変更を加えなかった（標的の予備調整段階）。

３）次いで白金中間層を、白金スパッター源によって続けて３回の通過で堆積さ せ、約２５人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２０Ｗで 、電極バイアスは大地電位に対して一４０５ｖであり、基材テーブルに大地電位 に対して約−１２〜１５Ｖのバイアスを形成し、基材と標的の距離は１１ｃｍで あり、テーブルは６ｒｐｍで回転した（白金中間層の堆積）。

４）次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することに よってｐｔ中間層の表面を高熱処理した。２００Ｗの高周波パワーを適用し、大 地に対して−１０５〜−１１０Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは ６ｒｐｍで回転し、時間は５分間とした（高熱処理Ｓ２）。

次いでアルゴンガス圧力を２．５Ｘ１０−’ｍｂに調節し、平衡にした。

５・）所望の多層構造を生産するためのＣＯフラックスの源を、Ｐを源の向かい 合わせの直ぐ反対に位置する高周波平面マグネトロン源によって提供し、一方の 源からのフラックスは、それらの間の中央に位置する基材テーブルによって隠し た。マグネトロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８” 　Ｘ４’　Ｘ１ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、 多層構造の作成のため、Ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、 各々の源にそれぞれパワーを与え、多層構造の作成のため、最初に白金パワーレ ベルを確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞれの パワー設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備調整 ）。

６）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はｐｔであり、合計で６．５回のテー ブル回転で１３層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルト 電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人の００層の堆積 を行った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごとに厚さ約８ 人のｐｔ層を形成した（多層の堆積）。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、ＣＯ標的に大地電位に対して一５８０Ｖの自 己バイアスを確立した。１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に適用し、 ｐｔ標的に一３８４ｖのバイアスと、大地電位に対して基材テーブルに一１〜２ ■の誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と同様で あった（多層堆積）。

皮膜側と基材の光学的質問による極性カーループを図３ａと３ｂに示す。

例７ １）予め洗浄していた顕微鏡スライドガラスを、真空チャンバーの中の基材テー ブルに装着し、チャンバーをポンプ排気し、３Ｘ１０−’ｍ　ｂの底面圧にした 。

２）ポンプ排気したチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５ｘ　ｌ 　Ｏ”ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（ガス平衡）。

３）面積が２９６０ｃｍ”の基材テーブルを、２つの向かい合ったスパッター源 の各々から１１ｃｍに配置し、６ｒｐｍで回転させ、一方で、１０００ワツトの １３．５６ＭＨｚの一定高周波（０，３４Ｗ／ｃｍ’）をテーブルに適用し、大 地電位に対して約２５５〜２４０Ｖの負バイアスをテーブルに形成した。パワー は７分間適用した（高熱処理Ｓｌ）。

４）８”×４”の白金の標的を取り付けた平面マグネトロン源からシャッターで 隠した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した。ガスの圧力と流量には 変更を加えなかった（標的の予備調整段階）。

５）次いで白金中間層を、白金スパッター源による続きの２回の通過で堆積させ 、１６人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２０Ｗで、電 極バイアスは大地電位に対して一４０８Ｖであり、基材と標的の距離は１１ｃｍ であり、テーブルは６ｒｐｍで回転し、大地電位に対して約−１５Ｖの内部バイ アスを有した（白金中間層の堆積）。

６）次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）　を適用すること によってｐｔ中間層の表面を高熱処理した。２００Ｗの高周波パワーを適用し、 大地に対して一１１０Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは６ｒｐｍ で回転し、時間は５分間とした（高熱処理Ｓ２）。

次いでアルゴンガスの圧力を２．　５　ｘ　１０”’ｍｂに調節し、平衡になる まで放置した。

７）所望の多層構造を生産するためのＣＯフラックスの源を、Ｐｔ源の向かい合 わせの直ぐ反対に位置する高周波平面マグネトロン源によって提供し、一方の源 からのフラックスは、それらの間の中央に位置する基材テーブルによって隠した 。マグネトロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”Ｘ ４”　Ｘ１ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層 構造の作成のため、ｐｔ又はＣＯのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々 の源にそれぞれパワーを与えた。最初にｐｔパワーを確立し、次にＣｏパワーを 確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞれのパワー 設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備調整）。

８）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はｐｔであり、合計で９．５回のテー ブル回転で１９層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルト スパッター電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人のＣ ｏ層の堆積を行った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごと に厚さ約８人のｐｔ層を形成した（多層の堆積）。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、ＣＯ標的に大地電位に対して一５４０Ｖの自 己バイアスを確立した。１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパンター電極に適用し、 ｐｔ標的に一３８６■の自己バイアスと、大地電位に対して基材テーブルに一２ ■の誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と同様で あった（多層堆積）。

９）堆積した多層を有するスライドガラスをスパッタリングチャンバーから取り 出し、次の熱処理に供した。

サンプルを１７０℃の銅製ブロックの上にｌＯ分分間−た。次いでそれらを取り 出し、室温のスチール製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。

第２層 １）真空チャンバーの中の基材テーブルの上にサンプルを装着し、チャンバーを ３Ｘ１０−’ｍｂの底面圧までポンプ排気した。

２）ポンプ排気したチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．　５　Ｘ 　１０−’ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（ガス平衡）。

３）面積が２９６０ｃｍ”の基材テーブルを、２つの向かい合ったスパッター源 の各々から１１ｃｍに配置した。

４）８″×４″の白金の標的を取り付けた平面マグネトロン源からツヤツタ−で 隠した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した。ガスの圧力と流量には 変更を加えなかった（標的の予備調整段階）。

５）次いで白金中間層を、白金スパッター源によって１回の通過で堆積させ、８ 人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは１２０Ｗで、電極バイ アスは大地電位に対して一４０５Ｖであり、基材と標的の距離は１１ｃｍであり 、テーブルは６ｒｐｍで回転した。堆積の間、大地電位に対して約１０Ｖの負の バイアスを基材テーブルに確立した（白金中間層の堆積）。

６）次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することに よってＰｔ中間層の表面を高熱処理した。Ｉ　４０Ｗの高周波パワーを適用し、 大地に対して−１００〜−１０５Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブル は６ｒｐｍで回転し、時間は５分間とした（高熱処理Ｓ２）。

次いで、基材テーブルを１２ｒｐｍで回転させたことを除き、過程４）と５）に 記載の仕方で４人のｐｔ中間層を堆積させた。

７）所望の多層構造を生産するためのＣｏフラックスの源を、Ｐｔ源の向かい合 わせの正反対に位置する高周波平面型マグネトロン源によって提供し、一方の源 からのフラックスは、それらの間の中央に位置する基材テーブルによって隠した 。マグネトロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”Ｘ ４”Ｘ１ｍｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構 造の作成のため、Ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の 源にそれぞれパワーを与え、多層構造の作成のため、最初に白金パワーレベルを 確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞれのパワー 設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備調整）。

８）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ＰｔとＣＯ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はＰｔであり、合計で５回のテーブル 回転で１０層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルト電極 に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人のＣｏ層の堆積を行 った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごとに厚さ約８人の ｐｔ層を形成した。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、Ｃｏ標的に大地電位に対して−５１０Ｖの自 己バイアスを確立した。１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に適用し、 ｐｔ標的に一４０５ｖの自己バイアスと、大地電位に対して基材テーブルに−２ 〜−５ｖの誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と 同様であった（多層堆積）。

図４は、この例の室温のメジャーとマイナの極性カーループを示す。表４はマイ ナーループの飽和保磁力シフト（交換カップリングによる）を温度の関数として 示す。

第１層の作成手順は例７の第１層のそれと同じとした。

堆積した多層を備えたスライドガラスをスパッタリングチャンバーから取り出し 、次の熱処理に供した。

サンプルを１７０℃のホットプレートに７３分分間−た。次いでサンプルを取り 出し、室温のスチール製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。

第２層 １）真空チャンバーの中の基材テーブルの上にサンプルを装着し、チャンバーを １．８Ｘ１０−ｍｂの底面圧までポンプ排気した。

２）ポンプ排気したチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５ＸＩＯ −”ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（ガス平衡）。

３）面積が２９６０ｃｍ”の基材テーブルを、２つの向かい合ったスパッター源 の各々からｌ１ｃｍに配置した。

４）８”×４”の白金の標的を取り付けた平面マグネトロン源からシャッターで 隠した基材テーブルを用い、１２０Ｗの直流パワーをスパッター源に数分間印加 し、スパッター源を洗浄し、安定な操作状態を確立した。ガスの圧力と流量には 変更を加えなかった（標的の予備調整段階）。

５）次いで白金中間層を、白金スパッター源によって１回の通過で堆積させ、８ 人の全厚さを確立した。スパッター電極に与えたパワーは＋２０Ｗで、電極バイ アスは大地電位に対して一４０５Ｖであり、基材と標的の距離は１１ｃｍであり 、テーブルは６ｒｐｍで回転した。堆積の間、大地電位に対して約１０Ｖの負の バイアスを基材テーブルに確立した（白金中間層の堆積）。

６）次いで基材テーブルに高周波パワー（１３，５６ＭＨｚ）を適用することに よってＰｔ中間層の表面を高熱処理した。１５０Ｗの高周波パワーを適用し、大 地に対して−１０５〜−１１０Ｖのテーブルバイアスを確立し、基材テーブルは ６ｒｐｍで回転し、時間は５分間とした（高熱処理Ｓ２）。

７）所望の多層構造を生産するためのＣｏフラックスの源を、Ｐｔ源の向かい合 わせの正反対に位置する高周波平面マグネトロン源によって提供し、一方の源か らのフラックスは、それらの間の中央に位置する基材テーブルによって隠した。

マグネトロンのスパッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”×４ ″Ｘｌｒｎｍ）を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構 造の作成のため、ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で、各々の 源にそれぞれパワーを与え、多層構造の作成のため、最初に白金パワーレベルを 確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積速度のためのそれぞれのパワー 設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆積の前の標的の予備調整）。

８）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はｐｔであり、合計で５回のテーブル 回転で１０層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルト電極 に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人のＣｏ層の堆積を行 った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごとに厚さ約８人の ｐｔ層を形成した。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、Ｃｏ標的に大地電位に対して−５１０Ｖの自 己バイアスを確立した。１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に適用し、 Ｐｔ標的に一４０５Ｖの自己バイアスと、大地電位に対して基材テーブルに−２ 〜−５■の誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と 同様であった（多層堆積）。マイナーループの飽和保磁力シフト（交換カップリ ングによる）を、温度の関数として表４に示す。

牡 第１多層についてのメモリ層の形成法は例７と同じとした。次いで熱処理を次の ようにして行った。

サンプルを１６５℃の銅製ブロックの上に１０分分間−た。次いで取り出し、室 温のスチール製ブロックの上に置き、室温まで放冷した。

第２多層について、参照層の作成手順を例７と同様にして行い、ただし、この多 層の個々のＰｔ層の厚さは６人であり、９０Ｗの直流パワーをスパッター電極に 適用し、標的電位は大地に対して一３７６Ｖであった。この例のメジャーとマイ ナーの極性カーループを図５ａと５ｂに示す。表４はマイナーループの飽和保磁 力のシフト（交換カップリングによる）を温度の関数として示す。

表４．交換カップリングによるマイナーループの温度に対する飽和保磁力のシフ ト Ｈｅ　ΔＨｃ　Ｈ６ΔＨｃ　Ｈ０ΔＨ６２０１，２５０，５５〜１．２　〜２　 １．５　０．３５＋２０　０．６５　０．１５　−−　−−　０．９０　０．１ ０１５０　０．５５　０．１０　〜０．８　〜１．２　０．７５　０．０５２０ ０　０．２８　０．０３　〜０．３　〜０．７　０．４０　０．０３第１層を例 ４と同様にして作成した。サンプルをチャンノく−から取り出し、次の手順にし たがって熱処理した。

サンプルを１５３℃の炉に４０分間入れた。次いでサンプルを取り出し、室温の アルミニウム製プロ・ツクの上に置き、室温まで放冷した。

第２多層 ｌ）真空チャンバーの中の基材テーブルの上にサンプルを装着し、チャンバーを ２Ｘ１０−’ｍｂの底面圧までポンプ排気した。

２）ポンプ排気したチャンバーに純粋なＡｒガスを計量して入れて１．５Ｘ１０ −’ｍｂの圧力とし、装置を数分間平衡にした（ガス平衡）。

３）直流平面型マグネトロンｐｔ源の正反対に向かい合わせｌこ位置する高周波 マグネトロン源によって所望の多層構造の作成のためのＣＯフラックス源を提供 し、各々の銃から１１ｃｍ離れて源の中央に位置する面積が２９６０ｃｍ’の基 材テーブルによって、いずれかの源のフラックスから隠した。マグネトロンのス パッタリング効果を高めるため、薄いコバルト標的（８”ｘ４”　ｘｌｍｍ）　 を使用した。両方のスパッター源から隠した基材を用い、多層構造の作成のため 、ｐｔ又はＣｏのそれぞれの堆積速度に要求される値で各々の源にそれぞれパワ ーを与え、最初にｐｔパワーを確立した。この状態を数分間維持し、必要な堆積 速度のためのそれぞれのパワー設定で、スパッター源の平衡を確立した（多層堆 積の前の標的の予備調整）。

４）基材テーブルを隠しているシャッターを除去し、両方の源からのフラックス がテーブルに入射するようにした。源を通り過ぎて基材を回転させ、ｐｔとＣｏ の交互の構造が生成した。最初と最後の層はｐｔであり、合計で３．５回のテー ブル回転で７層の構造を形成した。テーブルの回転は６ｒｐｍとし、コバルトス パッター電極に一定の高周波パワーを与え、基材の通過ごとに厚さ約３人の００ 層の堆積を行った。一定の直流パワーをＰｔスパッター電極に与え、通過ごとに 厚さ約８人のｐｔ層を形成した（多層の堆積）。

４００Ｗの高周波パワーを使用し、Ｃｏ標的に大地電位に対して−５７０Ｖの自 己バイアスを確立した。１２０Ｗの直流パワーをＰｔスパッター電極に適用し、 ｐｔ標的に一４０７ｖの自己バイアスと、大地電位に対して基材テーブルに−ｌ 〜２Ｖの誘導バイアスを確立した。ガス計量と、基材と電極の距離は、前記と同 様であった（多層堆積）。

層間の弱い交換カップリングを示す二層多層システムのメジャーとマイナーの極 性カーループを図６ａと６ｂに示す。

バイアス場（ｋｏｅ） バイアス場（ｋｏｅ） バイアス場（ｋＯｅ） バイアス場（ｋｏｅ＞ 補正書の翻訳文提出書 （特許法第１８４条の８） 平成７年１月２７日

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. １．光磁気記録に適し、データの直接上着きを可能にする潜在能力を有する材料 システムであって、基材材料、及び少なくとも２積の白金とコバルトの多層皮膜 を含み、多層の界面には、１方又は両方の多層のＰｔ層、又は別に堆積した材料 を含むスペーサーを提供し、前記多層皮膜の１種はメモリ層と称して割合に高い 室温飽和保磁力（Ｈｃ）と低いキュリー温度（Ｔｃ）を有し、前記多層皮膜のも う１種は参照層と称して割合に低い室温飽和保磁力（Ｈｃ）と高いキュリー温度 （Ｔｃ）を有し、２種の多層皮膜の間の飽和保磁力とキュリー温度の差は、直後 上書きプロセスを可能にするに充分な材料システム。
2. ２．メモリ層のＨｃは２〜１５ｋＯｅ、参照層のＨｃは０．５〜１０ｋＯｅであ り、Ｈｃ（メモリ層）からＨｃ（参照層）を差し引いた値は次の値より大きく、 σｗ／〔２Ｍｓ（メモリ層）ｈ（メモリ層）〕＋σｗ／〔２Ｍｓ（参照層）ｈ（ 参照層）〕ここで、σｗは交換カップリング強度、Ｍｓは飽和磁化、ｈは多層の 厚さである請求の範囲第１項に記載の材料システム。
3. ３．メモリ層のＨｃが３〜１０ｋＯｅである請求の範囲第２項に記載の材料シス テム。
4. ４．メモリ層のＨｃが３〜８ｋＯｅである請求の範囲第３項に記載の材料システ ム。
5. ５．参照層のＨｃが１〜６ｋＯｅである請求の範囲第２項に記載の材料システム 。
6. ６．参照層のＨｃが１．５〜４ｋＯｅである請求の範囲第５項に記載の材料シス テム。
7. ７．メモリ層のＴｃが１００℃〜４００℃、参照月のＴｃが１７５℃〜５００℃ であり、参照層のＴｃがメモリ層のＴｃよりも７５℃〜１００℃高い請求の範囲 第１〜６項のいずれか１項に記載の材料システム。
8. ８．参照層のＴｃがメモリ層のＴｃよりも１００℃以上高い請求の範囲第７項に 記載の材料システム。
9. ９．メモリ層のＴｃが１５０℃〜３００℃である請求の範囲第７項又は８項に記 載の材料システム。
10. １０．メモリ層のＴｃが１５０℃〜２００℃である請求の範囲第９項に記載の材 料システム。
11. １１．参照層のＴｃが２５０℃〜５００℃である請求の範囲第７項又は８項に記 載の材料システム。
12. １２．参照層のＴｃが２００℃〜４００℃である請求の範囲第１１項に記載の材 料システム。
13. １３．多層の界面のスペーサーが、１方又は両方の多層のＰｔ層を含んでなる請 求の範囲第１〜１２項のいずれか１項に記載の材料システム。
14. １４．多層の界面のスペーサーが、別に堆積した材料を含んでなる請求の範囲第 １〜１３項のいずれか１項に記載の材料システム。
15. １５．別に堆積した材料が、白金、又は他の金属、又は誘電体物質、又はこれら 材料の組み合わせである請求の範囲第１４項に記載の材料システム。
16. １６．別に堆積した材料が白金である請求の範囲第１５項に９記載の材料システ ム。
17. １７．スペーサーの平均厚さが５０Åまでである請求の範囲第１〜１６項のいず れか１項に記載の材料システム。
18. １８．スペーサーが２５Åまでの平均厚さのサブ単一層の厚さである請求の範囲 第１７項に記載の材料システム。
19. １９．基材と隣接したＰｔ／Ｃｏ多層皮腹の間に、白金、又は他の金属、又は誘 電体物質、又はこれら材料の組み合わせの中間層を施した請求の範囲第１〜１８ 項のいずれか１項に記載の材料システム。
20. ２０．中間層が白金である請求の範囲第１９項に記載の材料システム。
21. ２１．中間層が５０Åまでの平均厚さである請求の範囲第２０項に記載の材料シ ステム。
22. ２２．中間層が２０Åまでの平均厚さのサブ単一層の厚さである請求の範囲第２ １項に記載の材料システム。
23. ２３．各々のコバルト層が２〜５Åの厚さを有する請求の範囲第１〜２２項のい ずれか１項に記載の材料システム。
24. ２４．各々の白金層が３〜２０Åの厚さを有する請求の範囲第１〜２３項のいず れか１項に記載の材料システム。
25. ２５．各々の多層皮膜が２〜１５周期のＰｔ／Ｃｏを含んでなる請求の範囲第１ 〜２４項のいずれか１項に記載の材料システム。
26. ２６．光磁気記録に適し、データの直接上書きを可能にする潜在能力を存する材 料システムであって、請求の範囲第２１〜２５項のいずれか１項に記載の材料シ ステムを含み、白金とコバルトの多層皮膜は交換カップリングし、垂直磁気異方 性を有する材料システム。
27. ２７．請求の範囲第１〜２５項のいずれか１項に記載の材料システムを含んでな る光磁気ディスク。
28. ２８．請求の範囲第２６項に記載の材料システムを製造する方法であって、白金 とコバルトの２種の多層の間に、５０Åまでの平均厚さのスペーサーを提供する 方法。
29. ２９． の方法。 スペーサーを高熱加工に供する請求の範囲第２８項に記載