JPH0750911B2 - レーザビーム記録装置 - Google Patents
レーザビーム記録装置Info
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- JPH0750911B2 JPH0750911B2 JP2411602A JP41160290A JPH0750911B2 JP H0750911 B2 JPH0750911 B2 JP H0750911B2 JP 2411602 A JP2411602 A JP 2411602A JP 41160290 A JP41160290 A JP 41160290A JP H0750911 B2 JPH0750911 B2 JP H0750911B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザビーム記録装置に
係り、特に画像記録密度を変えることができるレーザビ
ーム記録装置に関する。
係り、特に画像記録密度を変えることができるレーザビ
ーム記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザビーム記録装置におけるレーザビ
ーム発生源としては、Ｈｅ−Ｎｅ，Ｈｅ−Ｃｄなどのガ
スレーザ光源や半導体などの固体レーザ光源があるが、
記録装置として何れのレーザ光源を用いるかは設計的観
点で選択されるものであり、また本発明はどのようなレ
ーザ光源を用いたレーザビーム記録装置に対しても自由
に適用できるので、以下半導体レーザ光源を用いたレー
ザビーム記録装置を例にとつて説明する。
ーム発生源としては、Ｈｅ−Ｎｅ，Ｈｅ−Ｃｄなどのガ
スレーザ光源や半導体などの固体レーザ光源があるが、
記録装置として何れのレーザ光源を用いるかは設計的観
点で選択されるものであり、また本発明はどのようなレ
ーザ光源を用いたレーザビーム記録装置に対しても自由
に適用できるので、以下半導体レーザ光源を用いたレー
ザビーム記録装置を例にとつて説明する。
【０００３】電子写真記録方式によるレーザビーム記録
装置は、定速度で回転する光導電性感光ドラムの表面に
一様な電荷を与え、レーザビームのスポツトで光導電性
感光ドラムの表面を軸心方向に走査露光しながらレーザ
ビームスポツトを点滅制御して電荷潜像を形成し、この
電荷潜像をトナー現像した後にトナー像を記録紙に転写
するように構成される。このレーザビーム記録装置が電
気的情報処理装置の端末機として使用される場合、情報
画像は記録ドツトの集合で表現される。記録ドツト
「有」の位置ではレーザビームスポツトを点灯して光導
電性感光ドラム表面の電荷を放出し、現像装置は電荷放
出領域にトナーを付着するように光導電性感光ドラム表
面を現象する。従つて１つの記録ドツトの大きさは、光
導電性感光ドラム表面上の電荷放出領域の大きさに等し
く、これはレーザビームスポツトの大きさと１回の点灯
中のスポツトの移動距離によつて決まる。記録される情
報画像の解像度すなわち画像記録密度は、記録ドツトの
大きさによつて決定される。
装置は、定速度で回転する光導電性感光ドラムの表面に
一様な電荷を与え、レーザビームのスポツトで光導電性
感光ドラムの表面を軸心方向に走査露光しながらレーザ
ビームスポツトを点滅制御して電荷潜像を形成し、この
電荷潜像をトナー現像した後にトナー像を記録紙に転写
するように構成される。このレーザビーム記録装置が電
気的情報処理装置の端末機として使用される場合、情報
画像は記録ドツトの集合で表現される。記録ドツト
「有」の位置ではレーザビームスポツトを点灯して光導
電性感光ドラム表面の電荷を放出し、現像装置は電荷放
出領域にトナーを付着するように光導電性感光ドラム表
面を現象する。従つて１つの記録ドツトの大きさは、光
導電性感光ドラム表面上の電荷放出領域の大きさに等し
く、これはレーザビームスポツトの大きさと１回の点灯
中のスポツトの移動距離によつて決まる。記録される情
報画像の解像度すなわち画像記録密度は、記録ドツトの
大きさによつて決定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザビーム記録装置においてはレーザビームスポツト
の大きさを安定に制御するのがむずかしく、画像記録密
度を良好に変えることは仲々困難であつた。
レーザビーム記録装置においてはレーザビームスポツト
の大きさを安定に制御するのがむずかしく、画像記録密
度を良好に変えることは仲々困難であつた。
【０００５】ところで、記録する情報の種類によつて画
像記録密度を変えれば記録速度を高めることができ、ま
た１台のレーザビーム記録装置を記録密度の違う複数の
情報処理装置の端末機として使用することできる利点が
得られる。
像記録密度を変えれば記録速度を高めることができ、ま
た１台のレーザビーム記録装置を記録密度の違う複数の
情報処理装置の端末機として使用することできる利点が
得られる。
【０００６】従つて、本発明の目的は、画像記録密度を
良好に変えることのできるレーザビーム記録装置を提供
するにある。
良好に変えることのできるレーザビーム記録装置を提供
するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、レーザビーム発生器と、画像情報信号発
生源と、前記レーザビーム発生器の駆動電源を前記画像
情報信号発生源からの画像情報信号に応じてオン・オフ
制御してレーザビームの発生の有無を制御するレーザビ
ーム発生制御回路と、レーザビームの光路に挿入・離脱
可能に設けられ、前記記録体表面に形成されるレーザビ
ームスポットの前記記録体表面の移動方向の径を大小に
制御するスポット大小制御光学系と、レーザビームスポ
ットによる各走査の開始点を検出する位置センサと、１
つのクロック信号発生器と、このクロック信号発生器か
らのクロック信号の周期を各別に制御する２つの分周器
と、前記位置センサの検出信号と前記２つの分周器の一
方で分周されたクロック信号に同期して前記画像情報信
号発生源からの画像情報信号を前記レーザビーム発生制
御回路に与える走査同期回路と、前記位置センサの検出
信号に同期して、前記２つの分周器の他方で分周された
クロック信号に応じた駆動周波数で１走査毎に前記記録
体表面が所定量移動するように記録体の駆動用モータを
制御するモータ制御回路と、前記スポット大小制御光学
系を制御して前記スポットの記録体表面の移動方向の系
を大小に設定し、前記レーザビーム発生制御回路を制御
して画像情報信号の１画素当りのスポット点灯時間幅を
設定し、前記２つの分周器の分周率をそれぞれ設定する
記録密度設定器とを備えたことを特徴とする。
め、本発明は、レーザビーム発生器と、画像情報信号発
生源と、前記レーザビーム発生器の駆動電源を前記画像
情報信号発生源からの画像情報信号に応じてオン・オフ
制御してレーザビームの発生の有無を制御するレーザビ
ーム発生制御回路と、レーザビームの光路に挿入・離脱
可能に設けられ、前記記録体表面に形成されるレーザビ
ームスポットの前記記録体表面の移動方向の径を大小に
制御するスポット大小制御光学系と、レーザビームスポ
ットによる各走査の開始点を検出する位置センサと、１
つのクロック信号発生器と、このクロック信号発生器か
らのクロック信号の周期を各別に制御する２つの分周器
と、前記位置センサの検出信号と前記２つの分周器の一
方で分周されたクロック信号に同期して前記画像情報信
号発生源からの画像情報信号を前記レーザビーム発生制
御回路に与える走査同期回路と、前記位置センサの検出
信号に同期して、前記２つの分周器の他方で分周された
クロック信号に応じた駆動周波数で１走査毎に前記記録
体表面が所定量移動するように記録体の駆動用モータを
制御するモータ制御回路と、前記スポット大小制御光学
系を制御して前記スポットの記録体表面の移動方向の系
を大小に設定し、前記レーザビーム発生制御回路を制御
して画像情報信号の１画素当りのスポット点灯時間幅を
設定し、前記２つの分周器の分周率をそれぞれ設定する
記録密度設定器とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によるレーザビーム記録装置は、上記の
如く構成したので、記録ドツトの大きさを安定に制御
し、画像記録密度を良好に変えることができる。
如く構成したので、記録ドツトの大きさを安定に制御
し、画像記録密度を良好に変えることができる。
【０００９】
【実施例】図１はレーザビーム記録装置のブロツク図で
ある。半導体レーザビーム発生器１から発生したレーザ
ビーム２ａはレンズ３で平行ビーム２ｂにされた後に回
転多面鏡４に照射され、その反射ビームはＦ−θレンズ
５とスポツト大小制御光学系６を介して光導電性感光ド
ラム７に照射される。前記回転多面鏡４はモータ８によ
つて矢印イ方向に定速回転し、従つて光導電性感光ドラ
ム７の表面に形成されるレーザビームスポツト２ｃは矢
印ロ方向に一定速度でくり返し走査される。光導電性感
光ドラム７はモータ９によつて矢印ハ方向に回転させら
れ、ドラム表面はレーザビームスポツト２ｃの１回の走
査毎にスポツト２ｃによる走査軌跡（走査線）の幅だけ
移動する。レーザビームスポツト２ｃによる各走査の開
始点は光電式の位置センサ１０によつて検出され、走査
開始に同期して画像情報信号発生源１１からの画像情報
信号が走査同期回路１２を介して読み出されレーザビー
ム発生制御回路１３に与えられる。半導体レーザビーム
発生器１の場合には、レーザビーム発生制御回路１３は
駆動電源をオン・オフ制御すればレーザビーム２ａの発
生の有無（スポツト２ｃの点滅）を制御できる。また位
置センサ１０の検出信号は、モータ制御回路１４に入力
されて１走査毎に光導電性感光ドラム７の表面が所定量
移動するようにモータ９が制御される。記録密度設定器
１５は、前記スポツト大小制御光学系６を制御して光導
電性感光ドラム７の表面に形成されるスポツト２ｃの大
きさを設定し、レーザビーム発生制御回路１３を制御し
て画像情報信号１画素当りのスポツト点灯時間幅を設定
し、クロツク信号発生器１６から前記走査同期回路１２
およびモータ制御回路１４に与えるクロツク信号の周期
を制御する分周器１７，１８の分周率を設定する。スポ
ツト２ｃが「小」に設定されたときは分周器１７の分周
率を小さく設定してレーザビームスポツト２ｃの点灯制
御周期を短かくし、分周器１８の分周率を大きく設定し
て駆動周波数を低くしモータ９の回転速度を小さくし、
各スポツト２ｃの点灯時間幅を短かくする。また、スポ
ツト２ｃを「大」に設定したときは、分周器１７の分周
率を大きくしてスポツト２ｃの点灯制御周期を長くし、
分周器１８の分周率を小さく設定してモータ９の回転速
度を速くし、スポツト点灯時間幅を長くする。
ある。半導体レーザビーム発生器１から発生したレーザ
ビーム２ａはレンズ３で平行ビーム２ｂにされた後に回
転多面鏡４に照射され、その反射ビームはＦ−θレンズ
５とスポツト大小制御光学系６を介して光導電性感光ド
ラム７に照射される。前記回転多面鏡４はモータ８によ
つて矢印イ方向に定速回転し、従つて光導電性感光ドラ
ム７の表面に形成されるレーザビームスポツト２ｃは矢
印ロ方向に一定速度でくり返し走査される。光導電性感
光ドラム７はモータ９によつて矢印ハ方向に回転させら
れ、ドラム表面はレーザビームスポツト２ｃの１回の走
査毎にスポツト２ｃによる走査軌跡（走査線）の幅だけ
移動する。レーザビームスポツト２ｃによる各走査の開
始点は光電式の位置センサ１０によつて検出され、走査
開始に同期して画像情報信号発生源１１からの画像情報
信号が走査同期回路１２を介して読み出されレーザビー
ム発生制御回路１３に与えられる。半導体レーザビーム
発生器１の場合には、レーザビーム発生制御回路１３は
駆動電源をオン・オフ制御すればレーザビーム２ａの発
生の有無（スポツト２ｃの点滅）を制御できる。また位
置センサ１０の検出信号は、モータ制御回路１４に入力
されて１走査毎に光導電性感光ドラム７の表面が所定量
移動するようにモータ９が制御される。記録密度設定器
１５は、前記スポツト大小制御光学系６を制御して光導
電性感光ドラム７の表面に形成されるスポツト２ｃの大
きさを設定し、レーザビーム発生制御回路１３を制御し
て画像情報信号１画素当りのスポツト点灯時間幅を設定
し、クロツク信号発生器１６から前記走査同期回路１２
およびモータ制御回路１４に与えるクロツク信号の周期
を制御する分周器１７，１８の分周率を設定する。スポ
ツト２ｃが「小」に設定されたときは分周器１７の分周
率を小さく設定してレーザビームスポツト２ｃの点灯制
御周期を短かくし、分周器１８の分周率を大きく設定し
て駆動周波数を低くしモータ９の回転速度を小さくし、
各スポツト２ｃの点灯時間幅を短かくする。また、スポ
ツト２ｃを「大」に設定したときは、分周器１７の分周
率を大きくしてスポツト２ｃの点灯制御周期を長くし、
分周器１８の分周率を小さく設定してモータ９の回転速
度を速くし、スポツト点灯時間幅を長くする。
【００１０】半導体レーザビーム発生器１はＧａＡｌＡ
ｓ系の材料で作られ、一般にはＧａ，Ａｌ，Ａｓの組成
割合が異なる５〜７層のストライプ構造で各層間はヘテ
ロ接合になつている。このような半導体レーザビーム発
生器１から発生するレーザビーム２ａの波長は７８０ｎ
ｍ付近で可視光線領域の赤い波長に近い。半導体レーザ
ビーム発生器１から発生するレーザビーム２ａの広がり
は、図２に示すように、ヘテロ接合面に対して直角方向
（⊥）と平行方向（‖）で異なる特徴がある。図２から
レーザビーム２ａの強度が中心に対して１／ｅ2の強さ
になる広がり角度を求めると、直角方向の場合には約４
６度、平行方向の場合には約２０度である。このような
半導体レーザビーム発生器１のヘテロ接合面を光導電性
感光ドラム７の回転軸心方向と直角方向に設置すると、
レーザビーム２ａは横方向への広がりが大きくなり、レ
ンズ３に入光するレーザビーム２ａの断面形状は横長の
楕円形となる。これを焦点距離ｆ1のレンズ３で平行な
レーザビーム２ｂにするとその断面形状は図３の（ａ）
のように横長の楕円形となり、その寸法は、 ａ1＝２ｆ1ｔａｎθ⊥／２ ……（１） ｂ1＝２ｆ1ｔａｎθ‖／２ ……（２） となる。この平行なレーザビーム２ｂを焦点距離ｆ2の
Ｆ−θレンズ５によつて絞つて光導電性感光ドラム７の
表面にレーザビームスポツト２ｃを形成すると、スポツ
ト２ｃは図３の（ｂ）のように ａ2＝ｆ2λ／ｂ1・４／π ……（３） ｂ2＝ｆ2λ／ａ1・４／π ……（４） 但しλはレーザビーム波長 の縦長の楕円形状となる。レーザビームスポツト２ｃの
大きさを小さくするときには、図４のように、スポツト
大小制御光学系６におけるシリンドリカルレンズ６ａを
レーザビーム光路に挿入して長径方向寸法ａ2′に縮め
る。
ｓ系の材料で作られ、一般にはＧａ，Ａｌ，Ａｓの組成
割合が異なる５〜７層のストライプ構造で各層間はヘテ
ロ接合になつている。このような半導体レーザビーム発
生器１から発生するレーザビーム２ａの波長は７８０ｎ
ｍ付近で可視光線領域の赤い波長に近い。半導体レーザ
ビーム発生器１から発生するレーザビーム２ａの広がり
は、図２に示すように、ヘテロ接合面に対して直角方向
（⊥）と平行方向（‖）で異なる特徴がある。図２から
レーザビーム２ａの強度が中心に対して１／ｅ2の強さ
になる広がり角度を求めると、直角方向の場合には約４
６度、平行方向の場合には約２０度である。このような
半導体レーザビーム発生器１のヘテロ接合面を光導電性
感光ドラム７の回転軸心方向と直角方向に設置すると、
レーザビーム２ａは横方向への広がりが大きくなり、レ
ンズ３に入光するレーザビーム２ａの断面形状は横長の
楕円形となる。これを焦点距離ｆ1のレンズ３で平行な
レーザビーム２ｂにするとその断面形状は図３の（ａ）
のように横長の楕円形となり、その寸法は、 ａ1＝２ｆ1ｔａｎθ⊥／２ ……（１） ｂ1＝２ｆ1ｔａｎθ‖／２ ……（２） となる。この平行なレーザビーム２ｂを焦点距離ｆ2の
Ｆ−θレンズ５によつて絞つて光導電性感光ドラム７の
表面にレーザビームスポツト２ｃを形成すると、スポツ
ト２ｃは図３の（ｂ）のように ａ2＝ｆ2λ／ｂ1・４／π ……（３） ｂ2＝ｆ2λ／ａ1・４／π ……（４） 但しλはレーザビーム波長 の縦長の楕円形状となる。レーザビームスポツト２ｃの
大きさを小さくするときには、図４のように、スポツト
大小制御光学系６におけるシリンドリカルレンズ６ａを
レーザビーム光路に挿入して長径方向寸法ａ2′に縮め
る。
【００１１】レーザビームスポツト２ｃによつて光導電
性感光ドラム７の表面に形成する記録ドツトの形状を正
方形または真円に近似させるには、スポツト２ｃの大き
さを切り換えるときにスポツト点灯時間幅を変化させ
る。図５の（ａ）に示すように大きなスポツト２ｃで大
きな記録ドツト１９を形成するとき、スポツト２ｃの走
査速度をｖｓとすると、スポツト点灯時間幅ｔ1は、 ｔ1＝（ａ2−ｂ2）／Ｖｓ ……（５） となる。また図５の（ｂ）に示すように小さなスポツト
２ｃ′で小さな記録ドツト１９′を形成するときのスポ
ツト点灯時間幅ｔ1′は、 ｔ1′＝（ａ2′−ｂ2）／ｖｓ ……（６） となる。
性感光ドラム７の表面に形成する記録ドツトの形状を正
方形または真円に近似させるには、スポツト２ｃの大き
さを切り換えるときにスポツト点灯時間幅を変化させ
る。図５の（ａ）に示すように大きなスポツト２ｃで大
きな記録ドツト１９を形成するとき、スポツト２ｃの走
査速度をｖｓとすると、スポツト点灯時間幅ｔ1は、 ｔ1＝（ａ2−ｂ2）／Ｖｓ ……（５） となる。また図５の（ｂ）に示すように小さなスポツト
２ｃ′で小さな記録ドツト１９′を形成するときのスポ
ツト点灯時間幅ｔ1′は、 ｔ1′＝（ａ2′−ｂ2）／ｖｓ ……（６） となる。
【００１２】スポツト２ｃの走査方向において相隣る記
録ドツトが輪郭で接するように記録ドツトを並べて形成
するには、記録ドツトの大きさに応じてスポツト２ｃの
点灯制御周期を変えなければならない。大きな記録ドツ
ト１９の場合の点灯制御周期ｔ2は、 ｔ2＝ａ2／ｖｓ ……（７） となり、小さな記録ドツト１９′の場合の点灯制御周期
ｔ2′は、 ｔ2＝ａ2′／ｖｓ ……（８） となる。
録ドツトが輪郭で接するように記録ドツトを並べて形成
するには、記録ドツトの大きさに応じてスポツト２ｃの
点灯制御周期を変えなければならない。大きな記録ドツ
ト１９の場合の点灯制御周期ｔ2は、 ｔ2＝ａ2／ｖｓ ……（７） となり、小さな記録ドツト１９′の場合の点灯制御周期
ｔ2′は、 ｔ2＝ａ2′／ｖｓ ……（８） となる。
【００１３】またスポツト２ｃの走査方向と直角の方向
において相隣る記録ドツトが輪郭で接するようにするに
は、記録ドツトの大きさに応じて光導電性感光ドラム７
の表面の移動量を変えなければならない。各走査毎に光
導電性感光ドラム表面が記録ビツトの大きさ分だけ移動
するようにするには、走査周期をｔ3とすると、大きな
記録ドツト１９の場合の光導電性感光ドラム７の周速度
ｖｄは、 ｖｄ＝ａ2／ｔ3 ……（９） となり、小さな記録ドツト１９′の場合の周速度ｖｄ′
は、 ｖｄ′＝ａ2′／ｔ3 ……（１０） となる。
において相隣る記録ドツトが輪郭で接するようにするに
は、記録ドツトの大きさに応じて光導電性感光ドラム７
の表面の移動量を変えなければならない。各走査毎に光
導電性感光ドラム表面が記録ビツトの大きさ分だけ移動
するようにするには、走査周期をｔ3とすると、大きな
記録ドツト１９の場合の光導電性感光ドラム７の周速度
ｖｄは、 ｖｄ＝ａ2／ｔ3 ……（９） となり、小さな記録ドツト１９′の場合の周速度ｖｄ′
は、 ｖｄ′＝ａ2′／ｔ3 ……（１０） となる。
【００１４】次に記録密度を８ドツト／ｍｍ，１６ビツ
ト／ｍｍに切り換え可能なレーザビーム記録装置への適
用例を説明する。スポツト走査方向の記録長を２１６ｍ
ｍとし図６の（ａ）のように８ドツト／ｍｍで記録する
と１走査当りの記録ドツト１９は１７２６個となる。走
査周期ｔ3を１．５ｍｓｅｃ．とし、２１６ｍｍの記録
長を１ｍｓｅｃ．で走査すると、レーザビームスポツト
２ｃの走査速度ｖｓは２．１６×１０5ｍｍ／ｓｅｃ．
となる。記録ドツト１９の寸法ａ2は１／８＝１．２５
×（１／１０）ｍｍであるからスポツト点灯時間幅ｔ1
は式（５）から ｔ1＝［１．２５×（１／１０）−ｂ2］÷（２．１６×
１０5） となり、クロツク信号φ1の点灯制御周期ｔ2は式（７）
から ｔ2＝［１．２５×（１／１０）］÷（２．１６×１
０5） ＝５７８．７０３７ｎｓｅｃ． となる。従つて走査同期回路１２には１．７２８ＭＨｚ
のクロツク信号φ1を与えればよい。
ト／ｍｍに切り換え可能なレーザビーム記録装置への適
用例を説明する。スポツト走査方向の記録長を２１６ｍ
ｍとし図６の（ａ）のように８ドツト／ｍｍで記録する
と１走査当りの記録ドツト１９は１７２６個となる。走
査周期ｔ3を１．５ｍｓｅｃ．とし、２１６ｍｍの記録
長を１ｍｓｅｃ．で走査すると、レーザビームスポツト
２ｃの走査速度ｖｓは２．１６×１０5ｍｍ／ｓｅｃ．
となる。記録ドツト１９の寸法ａ2は１／８＝１．２５
×（１／１０）ｍｍであるからスポツト点灯時間幅ｔ1
は式（５）から ｔ1＝［１．２５×（１／１０）−ｂ2］÷（２．１６×
１０5） となり、クロツク信号φ1の点灯制御周期ｔ2は式（７）
から ｔ2＝［１．２５×（１／１０）］÷（２．１６×１
０5） ＝５７８．７０３７ｎｓｅｃ． となる。従つて走査同期回路１２には１．７２８ＭＨｚ
のクロツク信号φ1を与えればよい。
【００１５】図６の（ｂ）は、スポツト点灯時間幅ｔ1
をクロツク信号φ1の周期ｔ2＝５７８．７３７ｎｓｅ
ｃ．と等しくした例である。
をクロツク信号φ1の周期ｔ2＝５７８．７３７ｎｓｅ
ｃ．と等しくした例である。
【００１６】図６の（ｃ）のように１６ドツト／ｍｍで
記録すると１走査当りの記録ドツト１９′は３４５２個
となる。小さいレーザビームスポツト２ｃ′の走査速度
ｖｓを２．１６×１０5ｍｍ／ｓｅｃ．とすると記録ド
ツト１９′の寸法ａ2′は１／１６＝６．２５×（１／
１０2）ｍｍとなるから、スポツト点灯時間ｔ1′は式
（６）から ｔ1′＝［６．２５×（１／１０2）−ｂ2］÷（２．１
６×１０5） となり、クロツク信号φ1′の点灯制御周期ｔ2′は式
（８）から ｔ2′＝［６．２５×（１／１０2）］÷（２．１６×１
０5） ＝２８９．３５１８５ｎｓｅｃ． となる。従つて走査同期回路１２には３．４５６ＭＨｚ
のクロツク信号φ1′を与えればよい。
記録すると１走査当りの記録ドツト１９′は３４５２個
となる。小さいレーザビームスポツト２ｃ′の走査速度
ｖｓを２．１６×１０5ｍｍ／ｓｅｃ．とすると記録ド
ツト１９′の寸法ａ2′は１／１６＝６．２５×（１／
１０2）ｍｍとなるから、スポツト点灯時間ｔ1′は式
（６）から ｔ1′＝［６．２５×（１／１０2）−ｂ2］÷（２．１
６×１０5） となり、クロツク信号φ1′の点灯制御周期ｔ2′は式
（８）から ｔ2′＝［６．２５×（１／１０2）］÷（２．１６×１
０5） ＝２８９．３５１８５ｎｓｅｃ． となる。従つて走査同期回路１２には３．４５６ＭＨｚ
のクロツク信号φ1′を与えればよい。
【００１７】図６の（ｄ）は、スポツト点灯時間幅
ｔ1′をクロツク信号φ1′の周期ｔ2′＝２８７．３５
１８５ｎｓｅｃ．と等しくした例である。
ｔ1′をクロツク信号φ1′の周期ｔ2′＝２８７．３５
１８５ｎｓｅｃ．と等しくした例である。
【００１８】このようなクロツク信号φ1，φ1′の切り
換えはクロツク信号発生器１６のクロツク周波数を３．
４５６ＭＨｚとし、大きな記録ドツト１９で情報画像を
記録するときにはこれを分周器１７で１／２に分周し小
さな記録ドツト１９′で情報画像を記録するときにはこ
れらをそのまま使用するようにすれば良い。
換えはクロツク信号発生器１６のクロツク周波数を３．
４５６ＭＨｚとし、大きな記録ドツト１９で情報画像を
記録するときにはこれを分周器１７で１／２に分周し小
さな記録ドツト１９′で情報画像を記録するときにはこ
れらをそのまま使用するようにすれば良い。
【００１９】大きな記録ドツト１９を用いて記録する場
合の光導電性感光ドラム７の周速度ｖｄは式（９）よ
り、 ｖｄ＝［１．２５×（１／１０）］÷１．５＝８３．３
３ｍｍ／ｓｅｃ． となり、小さな記録ドツト１９′を用いて記録する場合
には、 ｖｄ′＝［６．２５×（１／１０2）］÷１．５＝４
１．６６ｍｍ／ｓｅｃ． となる。ｖｄ：ｖｄ′＝２：１であるから、モータ制御
回路１４に対し、大きな記録ドツト１９の場合にはクロ
ツク信号発生器１６のクロツク信号をそのまま入力し、
小さな記録ドツト１９′の場合にはこれを１／２に分周
するように分周器１８を制御すれば、２：１の周速度を
得ることができる。
合の光導電性感光ドラム７の周速度ｖｄは式（９）よ
り、 ｖｄ＝［１．２５×（１／１０）］÷１．５＝８３．３
３ｍｍ／ｓｅｃ． となり、小さな記録ドツト１９′を用いて記録する場合
には、 ｖｄ′＝［６．２５×（１／１０2）］÷１．５＝４
１．６６ｍｍ／ｓｅｃ． となる。ｖｄ：ｖｄ′＝２：１であるから、モータ制御
回路１４に対し、大きな記録ドツト１９の場合にはクロ
ツク信号発生器１６のクロツク信号をそのまま入力し、
小さな記録ドツト１９′の場合にはこれを１／２に分周
するように分周器１８を制御すれば、２：１の周速度を
得ることができる。
【００２０】図７の（ａ）は大きな記録ドツト１９を用
い８×８のドツトマトリクスで「ア」を記録した例、図
７の（ｂ）は小さな記録ドツト１９′で８×８のドツト
マトリクスで「ア」を記録した例である。
い８×８のドツトマトリクスで「ア」を記録した例、図
７の（ｂ）は小さな記録ドツト１９′で８×８のドツト
マトリクスで「ア」を記録した例である。
【００２１】図８はレーザビームスポツトの大きさの大
小２種に切り換える光学系６の斜視図である。シリンド
リカルレンズ６ａはレンズ取付け板６ｂと軸６ｃにより
側板６ｄ，６ｅ間に支持される。シリンドリカルレンズ
６ａは軸６ｃを中心にばね６ｆの力で矢印ニ方向に転角
する。ソレノイド６ｇは引つぱり棒６ｈを介してばね６
ｆの張力に逆つてシリンドリカルレンズ６ａを反矢印方
向（図示状態）に転角し、レンズ６ａをレーザビーム光
路に介入する。６ｉは位置決め用ストツパである。従つ
てレーザビームスポツト２ｃを大きくするときはソレノ
イド６ｇを消勢し、小さくするときはソレノイド６ｇを
付勢すれば良い。
小２種に切り換える光学系６の斜視図である。シリンド
リカルレンズ６ａはレンズ取付け板６ｂと軸６ｃにより
側板６ｄ，６ｅ間に支持される。シリンドリカルレンズ
６ａは軸６ｃを中心にばね６ｆの力で矢印ニ方向に転角
する。ソレノイド６ｇは引つぱり棒６ｈを介してばね６
ｆの張力に逆つてシリンドリカルレンズ６ａを反矢印方
向（図示状態）に転角し、レンズ６ａをレーザビーム光
路に介入する。６ｉは位置決め用ストツパである。従つ
てレーザビームスポツト２ｃを大きくするときはソレノ
イド６ｇを消勢し、小さくするときはソレノイド６ｇを
付勢すれば良い。
【００２２】
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レーザビ
ームスポツトの記録体表面の移動方向の径を変化すると
ともにこの変化に対応してレーザビームスポツトの点灯
制御周期内の点灯時間幅を変化して記録ドツトの大きさ
を制御し、さらにこれらの変化に対応してレーザビーム
スポツトの走査方向及び記録体表面の移動方向の記録密
度を変化することができるので、画像記録密度を良好に
変えることができる。また、１つのクロック信号発生器
からのクロック信号を２つの分周器により各別に分周す
るようにしたので、記録体の駆動用モータと画像情報信
号の１画素当りのスポット点灯時間幅を同期をとって制
御することが容易になる。
ームスポツトの記録体表面の移動方向の径を変化すると
ともにこの変化に対応してレーザビームスポツトの点灯
制御周期内の点灯時間幅を変化して記録ドツトの大きさ
を制御し、さらにこれらの変化に対応してレーザビーム
スポツトの走査方向及び記録体表面の移動方向の記録密
度を変化することができるので、画像記録密度を良好に
変えることができる。また、１つのクロック信号発生器
からのクロック信号を２つの分周器により各別に分周す
るようにしたので、記録体の駆動用モータと画像情報信
号の１画素当りのスポット点灯時間幅を同期をとって制
御することが容易になる。
【図１】本発明の一実施例に係るレーザビーム記録装置
のブロツク図である。
のブロツク図である。
【図２】レーザビームの広がり特性図である。
【図３】レーザビームの平行ビーム部の断面図及びレー
ザビームスポツトの正面図である。
ザビームスポツトの正面図である。
【図４】スポツト大小制御説明図である。
【図５】記録ドツト形成説明図である。
【図６】記録ドツト形成説明図である。
【図７】記録画像例説明図である。
【図８】スポツト大小制御光学系の斜視図である。
１ 半導体レーザビーム発生器 ２ａ レーザビーム ２ｂ レーザビーム ２ｃ レーザビームスポツト ６ スポツト大小制御光学系 ７ 光導電性感光ドラム １１ 画像情報信号発生源 １２ 走査同期回路 １３ レーザビーム発生制御回路 １４ モータ制御回路 １５ 記録密度設定器 １６ クロツク信号発生器 １７ 分周器 １８ 分周器
Claims (1)
- 【請求項１】所定の方向に移動する記録体表面に対しレ
ーザビームを照射し、記録体表面の移動方向と交差する
方向にレーザビームのスポツトをくり返し走査しながら
レーザビームスポツトの点滅を制御し、記録体表面にレ
ーザビームスポツトに応じた画像を記録するようにした
レーザビーム記録装置において、レーザビーム発生器
と、画像情報信号発生源と、前記レーザビーム発生器の
駆動電源を前記画像情報信号発生源からの画像情報信号
に応じてオン・オフ制御してレーザビームの発生の有無
を制御するレーザビーム発生制御回路と、レーザビーム
の光路に挿入・離脱可能に設けられ、前記記録体表面に
形成されるレーザビームスポットの前記記録体表面の移
動方向に径を大小に制御するスポット大小制御光学系
と、レーザビームスポットによる各走査の開始点を検出
する位置センサと、１つのクロック信号発生器と、この
クロック信号発生器からのクロック信号の周期を各別に
制御する２つの分周器と、前記位置センサの検出信号と
前記２つの分周器の一方で分周されたクロック信号に同
期して前記画像情報信号発生源からの画像情報信号を前
記レーザビーム発生制御回路に与える走査同期回路と、
前記位置センサの検出信号に同期して、前記２つの分周
器の他方で分周されたクロック信号に応じた駆動周波数
で１走査毎に前記記録体表面が所定量移動するように記
録体の駆動用モータを制御するモータ制御回路と、前記
スポット大小制御光学系を制御して前記スポットの記録
体表面の移動方向の径を大小に設定し、前記レーザビー
ム発生制御回路を制御して画像情報信号の１画素当りの
スポット点灯時間幅を設定し、前記２つの分周器の分周
率をそれぞれ設定する記録密度設定器とを備えたことを
特徴するレーザビーム記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2411602A JPH0750911B2 (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | レーザビーム記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2411602A JPH0750911B2 (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | レーザビーム記録装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001350A Division JPS58121145A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | レ−ザビ−ム記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04108263A JPH04108263A (ja) | 1992-04-09 |
| JPH0750911B2 true JPH0750911B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=18520579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2411602A Expired - Lifetime JPH0750911B2 (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | レーザビーム記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750911B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571350A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Low-frequency treating appliance |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2411602A patent/JPH0750911B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS571350A (en) * | 1980-06-05 | 1982-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Low-frequency treating appliance |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04108263A (ja) | 1992-04-09 |
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