JPH0750430A - 半導体基板の突起部上で金属接触を形成する方法 - Google Patents

半導体基板の突起部上で金属接触を形成する方法

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JPH0750430A
JPH0750430A JP6032584A JP3258494A JPH0750430A JP H0750430 A JPH0750430 A JP H0750430A JP 6032584 A JP6032584 A JP 6032584A JP 3258494 A JP3258494 A JP 3258494A JP H0750430 A JPH0750430 A JP H0750430A
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thin film
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フランシス・プエン
Elisabeth Gaumont-Goarin
エリザベツト・ゴーマン−ゴアラン
Gouezigou Lionel Le
リオネル・ル・グエジグ
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 感光性樹脂が流動化した後に樹脂によって保
護されている領域の範囲をより精密に限定することを可
能にする半導体材料基板上の金属接触の自動調心法を提
供する。 【構成】 金属接触は、感光性樹脂のスポット部（２）
によって保護されている金属薄膜をエッチングすること
によって形成される。次いで、感光性樹脂を樹脂の溶剤
の蒸気の存在下で流動化させてスポット部の保護面積を
増大させる。面積が増大したスポット部により、金属接
触に関連して形成されている突起部を自動調心して半導
体基板のエッチングを実施することが可能になる。樹脂
の感光性が保たれ、その後のエッチングを可能にする。
本発明は、特にアバランシェフォトダイオードの製造に
応用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動調心（auto-align
ement）法による半導体基板の突起部（relief）上の金
属接触の形成および位置決めに関する。
【０００２】該方法によれば、 ａ）半導体基板上に金属薄膜を蒸着し、次いで該薄膜の
上に感光性樹脂のスポット部（plot−（仏）、spot−
（英））を蒸着し、 ｂ）感光性樹脂のスポット部によって保護されている領
域の周りの金属薄膜をエッチングし、 ｃ）保護されている領域の周りに感光性樹脂を半導体基
板に接触するようになるまで流動化させ、 ｄ）感光性樹脂のスポット部によって保護されている領
域の全周で半導体基板をエッチングする。
【０００３】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】特開
昭第５８／１８４７６３号にこの技術分野の方法が既に
提案されており、該方法において、感光性樹脂のスポッ
ト部によって保護されている領域の周りの該樹脂の流動
化は、かなりの時間（数１０分間）にわたって充分高い
温度（１７０℃位）で熱処理することによって得られ
る。しかし、樹脂の流動化の長さは正確に制御すること
が困難であり、また処理された樹脂はその光感受性を失
ってしまう。従って、例えばスポット部内に基板との接
触用または照射窓用の開口部を形成するために、熱処理
された樹脂に新たな処理を加えることは不可能である。
その上、処理された樹脂は網目状になっているので、特
定の溶剤（solvent）を使用する以外には該樹脂を除去
することは不可能である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、感光性
樹脂を流動化させた後で該樹脂によって保護されている
領域の範囲をより精密に限定することを可能にする半導
体材料基板上の金属接触の自動調心法を提供することで
ある。この範囲の限定は、樹脂のその後の処理を可能に
するように、樹脂の感光特性を損なわずに通常の溶剤を
使用して極めて高速で操作することにより得られる。
【０００５】本発明の方法は、樹脂を溶剤の蒸気に短時
間接触させることによって感光性樹脂を流動化させるこ
とを特徴としている。
【０００６】さらに下記の特徴の中の少なくとも一つを
満たすことが好ましい： − 金属接触部および樹脂のスポット部で覆われた基板
を溶剤の蒸気の飽和雰囲気下の封入容器内に短時間置
く。
【０００７】− 続いて、金属薄膜の残存する縁が感光
性樹脂のスポット部の縁に対して引っ込んだ状態になる
まで該金属薄膜をエッチングする。
【０００８】− 半導体材料をエッチングし、それによ
って樹脂のスポット部によりこのエッチングから保護さ
れている該材料の領域によって形成されている突起部の
自動調心が行われる。
【０００９】− 続いて、フォトダイオードから照射す
るための、または感光性樹脂のスポット部によってマス
クされている領域を介して半導体材料基板に接触させる
ための開口部を形成する。そのために、例えば金属薄膜
内に形成する必要がある開口部と合致した開口部を有す
るマスクをスポット部の上に配置し、該開口部内の感光
性樹脂に放射線を照射し、照射された樹脂、次いでその
下層の金属を取り除く。
【００１０】
【実施例】本発明による半導体基板上の金属接触の自動
調心法を添付図面を参照して実施例として下記に説明す
る。
【００１１】図１Ａおよび図１Ｂにおいて、半導体基板
１は先ず初めにチタン層３および金層４から構成されて
いる金属蒸着薄膜で覆われている。該金属蒸着薄膜の上
に所望の金属接触部の直径よりやや大きい直径を有する
感光性樹脂のスポット部２が配置されている。
【００１２】図２Ａおよび図２Ｂは、金属蒸着薄膜に化
学的エッチングをほどこし、残存する金属接触部の直径
が感光性樹脂のスポット部の直径より小さくなり、それ
によって金属接触部の縁が次の操作を容易にするべく樹
脂のスポット部の縁に対して引っ込んだ状態になるよう
に任意に過エッチング（surgravage）した後の上記装置
を示している。
【００１３】図３Ａおよび図３Ｂは、閉鎖された容器内
で数分間アセトンのような溶剤の蒸気流下に置くことに
よって樹脂を流動化させた後の上記装置を示している。
感光性樹脂のスポット部（その厚さは当然減少してい
る）がその縁上に流れ落ちて基板１と接触するクラウン
５を形成している。
【００１４】図４Ｂおよび図４Ｂに示されているよう
に、通常のメカニズムによる半導体基板のエッチングの
際に、該基板は感光性樹脂のスポット部の縁５の周りだ
けエッチングされる。
【００１５】感光性樹脂のスポット部を介して接触およ
び／または照射窓を形成する場合には、スポット部の上
に、開口部７を備えた第２のマスク６（図５）を配置す
る。さらに、マスク６の開口部７を介して感光性樹脂に
光放射線を照射し（図６Ａおよび図６Ｂ）、次いで溶剤
を使用するか、または他の公知の方法（酸素プラズマ）
によって、照射された樹脂を除去する。
【００１６】続いて、接触のため、および／または照射
窓７の領域を空けるために（特に接触の形成、およびそ
の前面から照射するための「メサ型」（mesa）フォトダ
イオード用の照射窓の形成の場合）、半導体基板の金属
蒸着部への化学的エッチングを実行する。それによって
図７Ａおよび図７Ｂの装置が得られる。
【００１７】図面を参照して円形金属接触を実施するた
めの本発明の方法を説明してきたが、該方法には、異な
る幾何学的形態の接触の実施、特にテープ上の縦形接触
（contacts longitudinaux）の実施も同様に含まれるこ
とを理解すべきである。
【００１８】本発明の方法は、アバランシェフォトダイ
オードまたはレーザダイオードの製造、およびさらに一
般的にはその製造に自動調心を必要とする全ての半導体
部品（発信器、検出器または受信機）の製造にも同様に
応用される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】半導体基板を被覆する金属薄膜上に配置され
た感光性樹脂のスポット部の縦断面図である。
【図１Ｂ】半導体基板を被覆する金属薄膜上に配置され
た感光性樹脂のスポット部の平面図である。
【図２Ａ】金属薄膜に化学的エッチングをほどこし、感
光性樹脂のスポット部の下に残存する金属ディスクの縁
が該樹脂の縁に対して引っ込んだ状態になるように任意
に過エッチングした後の図１Ａおよび図１Ｂの装置の縦
断面図である。
【図２Ｂ】金属薄膜に化学的エッチングをほどこし、感
光性樹脂のスポット部の下に残存する金属ディスクの縁
が該樹脂の縁に対して引っ込んだ状態になるように任意
に過エッチングした後の図１Ａおよび図１Ｂの装置の平
面図である。
【図３Ａ】溶剤による処理によって感光性樹脂を流動化
させた後の該樹脂のスポット部を有する装置の縦断面図
である。
【図３Ｂ】溶剤による処理によって感光性樹脂を流動化
させた後の樹脂のスポット部を有する装置の平面図であ
る。
【図４Ａ】感光性樹脂のスポット部によって保護されて
いる領域の周りで半導体基板をエッチングした後の樹脂
のスポット部を有する装置の縦断面図である。
【図４Ｂ】感光性樹脂のスポット部によって保護されて
いる領域の周りで半導体基板をエッチングした後の樹脂
のスポット部を有する装置の平面図である。
【図５】接触用または照射窓用の開口部を設けるために
図４Ｂおよび図４Ｂの装置上に加えられるように設計さ
れたマスクを示す図である。
【図６Ａ】感光性樹脂に光放射線を照射し、次いで照射
された樹脂を取り除いた後の装置の縦断面図である。
【図６Ｂ】感光性樹脂に光放射線を照射し、次いで照射
された樹脂を取り除いた後の装置の平面図である。
【図７Ａ】接触用または照射窓の形成用の開口部内の金
属層を取り除いた後の装置の縦断面図である。
【図７Ｂ】接触用または照射窓の形成用の開口部内の金
属層を取り除いた後の装置の平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ スポット部 ３ チタン層 ４ 金層 ５ スポット部のクラウン ６ マスク ７ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エリザベツト・ゴーマン−ゴアラン フランス国、92120・モントルージユ、ア ブニユ・レオン・ガンベツタ、28 (72)発明者 リオネル・ル・グエジグ フランス国、91530・ル・バル・サン・ジ エルマン、ボワ・デ・スルス・21

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）半導体基板（１）上に金属薄膜
    （３、４）を蒸着し、次いで該薄膜の保護される領域の
    上に感光性樹脂のスポット部（２）を蒸着し、 ｂ）感光性樹脂のスポット部によって保護されている領
    域の周りの金属薄膜をエッチングし、 ｃ）感光性樹脂が半導体基板に接触するように、保護さ
    れている領域の周りで感光性樹脂を流動化させ、 ｄ）突出した部分を形成するように、感光性樹脂のスポ
    ット部によって保護されている領域の全周で半導体基板
    をエッチングし、 感光性樹脂の溶剤の蒸気に短時間接触させて該樹脂を流
    動化させることを特徴とする半導体基板の突起部上で金
    属接触を形成する方法。
  2. 【請求項２】 金属接触部を溶剤の蒸気の飽和雰囲気下
    の封入容器内に短時間据え置くことを特徴とする請求項
    １に記載の方法。
  3. 【請求項３】 薄膜（３、４）の残存する縁が感光性樹
    脂のスポット部（２）の縁に対して引っ込んだ状態にな
    るまで金属薄膜のエッチングを続行することを特徴とす
    る請求項１または２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 感光性樹脂のスポット部の上に形成すべ
    き開口部（７）を規定するマスクを配置し、該マスクを
    介して感光性樹脂に放射線を照射し、選択的切除処理を
    実行して、そのように規定された開口部内の樹脂を除去
    し、次いで該開口部の下層金属をエッチングすることに
    よって、感光性樹脂のスポット部によって保護されてい
    る領域内の金属薄膜（３、４）内に開口部を形成するこ
    とを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の
    方法。
JP6032584A 1993-03-05 1994-03-02 半導体基板の突起部上で金属接触を形成する方法 Pending JPH0750430A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9302577 1993-03-05
FR9302577A FR2702306B1 (fr) 1993-03-05 1993-03-05 Procédé d'auto-alignement d'un contact métallique sur un substrat de matériau semi-conducteur.

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JPH0750430A true JPH0750430A (ja) 1995-02-21

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JP6032584A Pending JPH0750430A (ja) 1993-03-05 1994-03-02 半導体基板の突起部上で金属接触を形成する方法

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EP (1) EP0614215B1 (ja)
JP (1) JPH0750430A (ja)
DE (1) DE69404339T2 (ja)
ES (1) ES2104296T3 (ja)
FR (1) FR2702306B1 (ja)

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US5385636A (en) 1995-01-31
ES2104296T3 (es) 1997-10-01
DE69404339T2 (de) 1997-11-13
EP0614215B1 (fr) 1997-07-23
FR2702306A1 (fr) 1994-09-09
EP0614215A1 (fr) 1994-09-07
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