JPH07503544A - 光導波体のための測定装置およびこの測定を実施する方法 - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 光導波体のための測定装置およびこの測定を実施する方法 この発明は、光受信器を使用して光導波体を測定する装置に関する。この場合こ の光受信器は結合装置ならびに、出力結合されるべき送信信号のビーム界の中に 配置される光感素子を有し、光受信器には評価装置が配属されている。

この稽の測定装置はドイツ連邦共和国特許第Ｃ２−３４２９９４７号に示されて いる。この測定装置は個々の光導波体のスプライス個所の評価を実施する。スプ ライス個所の入り口で、結合装置を用いて送信信号を光導波体の中に供給し、ス プライス個所の出口で、受信側において、第２の結合装置を用いて送信信号を出 力結合する。出力結合された送信信号の出射ビームはフォトダイオードにより受 信され続いて評価される複数個の光導波体をこの公知の測定装置の中に収容する と、光導波体の個々のビーム界の重畳された共通の和だけが測定できる。この重 畳された和からは、差し込まれた光導波体の選択的な個々のビームの特性は評価 は出来ない。何故ならば選択的な測定量と重畳された和との間の関数関係が導出 できないからである。

特別な光導波体の例えばスプライス減衰を示す個別の情報は、この公知技術の測 定装置では得られない。ドイツ連邦共和国特許第Ａｌ−３９１１４２９号に、ス プライス個所における先導波体の２つのファイバ一端部の位置合わせ装置が示さ れている。外部からただ１つの光導波体の両方のファイバ一端部を照射すること により、両方の光導波体端部の影の像が発生される。

これらの両方の影の像は、少なくとも２つの位置固定の、先導波体の長手軸に沿 って設けられている個別の光感面により受信される。この光感面により発生され た個別の電気測定信号から、比較により、ファイバ一端部の心合わせをする位置 定め装置のための操作量が導出される。光導波体の伝送特性を特徴とする特性量 を示す情報は、この種の装置からは得られない。そのためスプライス減衰測定は 実施出来ない。

本発明の課題は、複数個の光導波体の伝送特性を示す特性量を選択的に一層簡単 にかつ信頼できるように測定できる測定装置を提供することである。

この課題は、冒頭に述べた形式の測定装置において解決されている。即ち結合装 置を次のように構成し、即ち少なくとも２つの先導波体が整列されたストラフチ ャとして、この光導波体が独立の相並んで位置するビーム界を有するようにし、 少なくとも２つの光感素子が設けられ、この光感素子はそれらの受信特性に関し て、この光感素子がビーム界の相異なる部分を検出するように配置して位置合わ せされており、評価装置において、個々の光感素子により検出された、個々のビ ーム界の測定信号が個別に評価される構成により、解決されている。

本発明は、複数個の光導波体の受信されたビーム界の選択的評価の可能性を、そ の選択的な光学的伝送特性量に関して改善する。この目的に必要とされる付加費 用すなわち複数個の光感素子の使用は無視出来る。

本発明による測定装置の利点は例えば次の点にある、即ち既に唯１つの測定過程 により、各々の個々の光導波体のための、または対象とされる１群の光導波体の ためのより多くの測定情報が得られる。

ｎ個の先導波体のためにただ１つの光感素子を有するこの公知技術の測定装置で は、個々の光学的伝送特性量を得る目的で、ｎ回の個々の測定が相次いで実施さ れる。これに対して本発明においてはただ１回の測定過程しか必要とされない。

この構成により１つの光導波体当りの光学的伝送特性量（例えば光導波体の減衰 または接続個所におけるスプライス減衰）の選択的測定のための動作の手間が、 同時に測定時間の短縮の下に、著しく低減される。

受信側の結合装置として例えば曲げカプラが用いられる。しかし多くの場合は別 の結合装置も好適に設けることができる。例えば光導波体の端部側（即ち端面側 の端部）でも光を出力結合できる。このことは例えば、区間の減衰測定−二の場 合は光導波体の端部が接近しやすい−の際は好適である。

本発明の好適な発展形態−測定装置において光導波体が２つよりも多い場合、光 感素子の個数が、検査されるべき光導波体の個数よりも少ない−においては、各 々の個々の先導波体の光学的伝送特性量が、公知技術に比較して改善されて、よ り大きい局所分解能で選択的に測定できる。

別の好適な発展形態において、光感素子の個数を、検査されるべき光導波体の個 数と等しく選定すると、光学的伝送特性量は各々の光導波体のために選択的に著 しく正確に測定できる。

最後に本発明の別の有利な構成によれば、光感素子の個数が、対象とされる光導 波体の個数よりも多く選定されると、前述の両方の場合よりも、光学的伝送特性 量が選択的に正確に、一層改善された局所分解能でめられる。この場合、先導波 体と光感素子との間の一義的な配属関係は必要とされない。

本発明の全部で３つの前述の発展形態において、存在する必ずしも全部の光導波 体ではなく、所定の群の対象とされる光導波体だけを、例えば個々の光導波体ス トリップ線路だけを、その個別の光学的伝送特性量に関して、同時におよび選択 的に測定することも出来る。

本発明の別の好適な発展形態によれば、光導波体ストリップ線路さえもその光導 波体の選択的な光学的伝送特性量が、その先導波体をその都度に帯状体ストラフ チャから取り外して測定する必要無く、本発明の装置を用いて選択的に測定でき る。この種の取り外しは通常はほとんど不可能でもある。

本発明は、冒頭に述べた形式の測定装置を用いて光学的特性量を測定する方法に も関する。この方法は次の構成により特徴づけられる。即ち、少なくとも２つの 光導波体を光受信器の結合装置の中へ整列されたストラフチャとして、独立の相 並んで位置するビーム界が形成されるように収容し、少なくとも２つの光感素子 をそれらの受信特性に関して、ビーム界の相異なる部分が検出されるようにビー ム界に対して位置合わせし、それぞれのビーム界に相応する選択的な測定信号が 光感素子により受信され続いて個別に評価される。

本発明のその他の発展形態は従属形式の請求の範囲に示されている。

次に本発明およびその発展形態を図面を用いて説明する。

第１図は、２つの先導波体と２つの光感素子を有する本発明の装置の基本的な全 体構成図、 第２図は、２つの光導波体と２つの光感素子を有する、第１図に示された光受信 器の受信状態図、第３図は、４つの光導波体と２つの光感素子を有する、本発明 による光受信器の構成図、 第４図は、２つの光感素子を有する、第３図に示された光受信器の受信状態図、 第５図は、第４図に示された受信状態の変形図。

第６図は、４つの光導波体と４つの光感素子を有する、本発明による測定装置の 第２の実施例の構成図、第７図は、３つの介在する絞りを有する、第６図に示さ れた４つの光感素子の拡大された立体図、第８図は、第６図に示された４つの光 感素子と、第７図に示された３つの介在する絞りを有する、本発明による測定装 置の第３の実施例の構成図、第９図は、４つの先導液体と８つの光感素子を有す る本発明による測定装置の第３の実施例の構成図、第１０図は、４つの先導波体 と４つの光感素子と、それらの間に設けられている減結合手段を有する第６図に 示された測定装置の構成図、 第１１図は、第１０図に示された４つの光感素子を有する測定配列体における受 信状態図、 第１２図は、第１１図の測定配列体とは異なる測定配列体における受信状態図、 第１３図は、第１０図に示された測定装置の出力結合平面における光学的結像手 段を用いて、隣合うビーム界の減結合を改善するための実施例の構成図、第１４ 図は、第１３図の図面平面に対して垂直の面から見た光学的結像手段の構成図を 、それぞれ示す。

第１図に本発明による測定装置ＭＨＩが示されている。この測定装置は、光セン サＯＴＩ、スプライス装置ＭＳＥＩ、光受信器ＯＲＩおよび評価装置ＡＥＩのコ ンポーネントから構成されている。これらのコンポーネントは好適に、１つの測 定装置ＭＨＩに例えば測定トランクとして、例えば光導波体・スプライス装置ま たは減衰測定装置の部品にまとめられている。以下の実施例はすべて光導波体の スプライス減衰測定装置を対象とする。しかし本発明によるこの著しく有利な適 用範囲のほかに、本発明を、別の光学的伝送特性、例えば位相走行時間、パルス 応答、区間減衰等の測定のために使用することもできる。

スプライスされるべき２つの光導波体ＬＷＩとＬＷ２は相並んで測定装置ＭＨＩ の中へ差し込まれる。第１図の光センサＯＴＩの中に、光源ＬＡＩを用いて光が 、結合装置ＫＴＩを介して、両方の光導波体ＬＷＩとＬＷ２の中へ入力結合され る。光センサＯＴＩはただ１つの光源−この光源に測定されるべき全部の光導波 体ＬＷＩとＬＷ２が共通に結合されているーを有するか、または各々の結合され るべき光導波体ＬＷＩとＬＷ２のために固有の光源を有する。先導波体ＬＷＩの ための送信信号ＴＳＩと光導波体ＬＷ２のための送信信号ＴＳ２は、両方とも、 それぞれ矢印で示されている。第１図による以下の実施例のために前提とされて いることは、光送信信号ＴＳ２が光送信信号ＴＳ１と正確に同じ大きさを有する ことである、即ち入力結合された両方の信号レベルが等しいことである。

入力結合は曲げ結合器形式で行われる、即ち先導波体はシリンダＺＴＩのまわり に巻回され、光信号ＴＳ１は接線方向へ光導波体ＬＷＩの中へ進入し、光信号Ｔ Ｓ２は接線方向へ光導波体ＬＷ２の中へ進入する。

曲げ結合器形式に代えて、送信信号ＴＳＩとＴＳ２を、光導波体ＬＷＩとＬＷ２ の開かれている端面を介してへ直接入力結合することも出来る。送信信号は有利 に第１図に示されているように、特別に設けられている測定送信器たとえば光波 送信器ＬＡＩから送出できる、または光導波体ＬＷＩとＬＷ２からの情報信号と することも出来る。両方の光送信信号ＴＳＩとＴＳ２は両方の光導波体ＬＷＩと ＬＷ２を通過して、多重スプライス個所ＭＳＥＩを介して受信側へ走行する。

光送信信号の一部はここで光受信器ＯＲＩにより第２の結合装置ＫＲＩを用いて 、例えば曲げ結合器形式で実質的に接線方向へ出力結合される。この目的で光導 波体ＬＷＩとＬＷ２はシリンダＺＲＩのまわりを送信側の場合と同様に巻回され る。両方の送信信号ＴＳ１とＴＳ２に対して２つの別個の所属の受信信号Ｒ３１ とＲ３２を選択的に得る目的で、光導波体ＬＷ１とＬＷ２が受信側で結合装置Ｋ ＲＩのシリンダＺＲＩまわりを次のように巻回される。即ち２つの独立の互いに 相並ぶ、送信信号ＴＳＩ用のビーム電磁界ＳＦＩと送信信号ＴＳＺ用のビーム電 磁界ＳＦ’２が、第２図の様に形成されるように、巻回される。ビーム電磁界Ｓ Ｆ１とＳＦ２の主放射方向は第１図と第２図に、それぞれ所属のビームベクトル ＶＦＩとＶＦ２の大きさと方向により示されている。両方のビーム電磁界ＳＦＩ とＳＦ２は、２つの光感素子ＬＥＩ　（ビーム電磁界ＳＦｌ用）とＬＥ２　（ビ ーム電磁界ＳＦＺ用）により、少なくとも部分的に選択的に検出される。ビーム 電磁界ＳＦＩとＳＦ２は光感素子ＬＥＩとＬＥ２において電気測定信号に変換さ れて、それぞれ別個に２つの線路を介して１つの共通の評価装置ＡＥＩへ導かれ る。

両方の光感素子ＬＥＩとＬＥ２は第２図に示されているように、ビーム電磁界Ｓ ＦＩとＳＦ２の対称面ＳＡ２に対して対称的に配置されている。光感素子ＬＥＩ は光導波体ＬＷ２のビームの一部も検出し、他方、光感素子ＬＥ２は光導波体Ｌ ＷＩのビームの一部も検出する。対称面ＳＡ２に対して光感素子ＬＥＩとＬＥ２ を対称的に配置し、かつビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２が同じ場合は、必要に応じ て、両方の信号Ｒ３ＩとＲ８２の差形成（Ｒ３Ｉ−Ｒ３２）により、過結合され た光成分を全部または部分的に除去出来る。例えば絞りの使用により、前もって ビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２の完全な減結合を達成することも出来る（第７図と 第８図を参照）。

評価装置ＡＥＩの中の比較器ＣＯＭは、受信された測定信号Ｒ３ＩとＲ３２を互 いに独立に、１つの共通の目標値ＲＯと比較する。測定されたアナログの受信信 号Ｒ５ＩとＲ５２は、最適に期待されるべき受信信号ＲＯと対比して、表示袋［ ＡＺｌに共通に結像される。瞬時の検出が、出力結合された送信信号Ｒ３ＩとＲ ３２の相応の強度を、光学的目標測定曲線ＲＯとの対比の下に時間ｔに依存して 示す。この実施例では、受信された送信信号Ｒ３Ｉを示す強度測定曲線は目標値 強度測定曲線ＲＯの下方を走行する。即ち、多重スプライス装＠ＭｓＥＩにおい て先導波体ＬＷ１のファイバ一端部に対しては、まだ最適な軸線合わせが達成さ れていない。他方、光導波体ＬＷ２の場合は、受信された送信信号Ｒ３２に対し て測定された強度経過は目標値曲線ＲＯと一致する。即ち、光導波体ＬＷ２のフ ァイバ一端部の両方のコアが互いに十分に軸線合わせがされている。

受信信号Ｒ５Ｉと目標値ＲＯとの差から必要に応じて操作信号Ｒ１＝　（Ｒ３Ｉ −ＲＯ）を形成できる。この信号は次に線路３３１を介して、先導波体ＬＷＩの ための部分操作素子Ｓ０１へ導かれる。最適の軸線合わせが行われた後は、差す なわち操作信号Ｒ１は零になる。同様に受信信号Ｒ３２と目標値ＲＯとの差（Ｒ ２＝Ｒ５２−ＲＯ）が形成される。この信号は次に線路３３２を介して、部分操 作素子ＳＧ２へ導かれる。

あるいは、２つの線路５３１とＳＳ２を介しての並列の操作信号案内ではなく、 ただ１つの線路を介しての操作素子Ｓ６１への操作信号の直列伝送を行うことも 出来る。この場合、（Ｒ３Ｉ−ＲＯ）から（Ｒ５２−ＲＯ）への信号切り換えの 際に、操作素子ＳＧＩから操作素子ＳＧ２へ切り換えられる。

表示装置ＡＺＩに代えてまたはこれを補完して、両方の信号レベルＲ３ＩとＲ３ ２を別個に表示する２つの別個の測定表示装置ＭＣＩとＭＧ２（例えば２つの指 針装置）を設けることが出来る。

多重スプライス装置ＭＳＥＩにおける光導波体ＬＷ１とＬＷ２の両方のファイバ 一端部 の自動軸線合わせではなく、手動の軸線合わせも実施出来る。この目的で操作者 は測定装置ＩＭＧＩとＭＧ２の表示および／または表示装置ＡＺＩの表示を読み 取って、操作素子Ｓ０１または操作素子ＳＧ２を操作する。

すでに多数の完成されたスプライス接続が存在する場合（例えば光導波体ＬＷＩ とＬＷ２を含む光導波体帯状体すなわちストリップ線路ＢＬの場合の同時の多重 スプライス接続により（第２図を参照））は、本発明の測定装置によりこのスプ ライス接続の品質が判定できる。例えば先導波体ＬＷ１のスプライス接続が不良 である場合は、信号Ｒ３Ｉが、例えば表示装置１ＡＺ１に、目標値ＲＯを著しく 下回るように表示される。

この場合、再度の位置合わせはもはや実施されず、このスプライス個所を切り離 して取り出して、スプライス過程を、許容値が維持されるまで即ち信号Ｒ５Ｉも 信号Ｒ５２も目標値ＲＯの十分近傍に位置するまで、繰り返すことが出来る。

見やすくするため第２図において、案内溝ＦＮを有する結合装置ＫＲＩのシリン ダＺＲＩを示すために、拡大された横断面図が選定されている。この横断面図は 、案内溝ＦＮの中の２つの光導波体ＬＷＩとＬＷ２から成る光導波体帯状体ＢＬ を、先導波体の長手軸線を横切る方向から見て示す。光導波体帯状体ＢＬは案内 溝ＦＮＱ中のシリンダＺＲＩの中で側面で支持される。その目的は、測定過程中 の、先導液体の長手軸線に対する、先導波体位置の横方向へのずれを実質的に除 去するためである。この目的で好適に、案内溝ＦＮは例えばその深さと横幅に関 して、光導波体帯状体ＢＬが溝ＦＮにより固定されるように形成される。。同時 に両方の光導波体ＬＷＩとＬＷ２は案内溝ＦＮの中で同じようにわん曲される。

その結果、両方の先導波体に同一の出力結合状態（例えば同じ曲事半径）が適用 される。この場合、両方の光導波体の被覆は等しいことが前場とされる。例えば 相異なる塗料皮膜により相異なる出力状態が生ずると、このことは例えば相応の 補正値の形式で同時に考慮出来る。この操作により近似的に一定の測定条件が保 証される。

光導波体帯状体ＢＬの被覆のために、プラスチック例えばウレタンアクリレート 、Ｐｅ、ＰＢが選定されている。この光導波体帯状体ＢＬの中に、光導波体ＬＷ １とＬＷ２が機械的に互いに結合されて並行に設けられている。このようにして 、光導波体ＬＷＩとＬＷ２から出力結合されたビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２も互 いに依存することなく相並んで並行に設けられる。

第２図は見やすくするために、ビームｔｔａｉ界ＳＦＩとＳＦ２と光感素子ＬＥ ＩとＬＥ２を９０″だけ下方へ旋回して示す。両方のビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ ２はそれぞれビームロープで示されている。ビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２の最大 のエネルギ密度はそれぞれビームベクトルＶＦｌとＶＦ２で示されている。ビー ム電磁界ＳＦＩとＳＦ２の主放射方向（ビームベクトルＶＦ１とＶＦ２で示され ている）を横切る平面に、両方の光感素子ＬＥＩとＬＥ２が固定的に位置定め即 ち位置合わせされている。両方の光感素子ＬＥＩとＬＥ２の受信特性は、ビーム を磁界ＳＦＩとＳＦ２の対称面ＳＡ２に対して対称的に、両方のビームベクトル ＶＦ１とＶＦ２がそれぞれその中心に垂直に位置するように、設けられている。

このようにして、光感素子ＬＥ１とＬＥ２がビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２のそれ ぞれ相異なる部分を検出することが、保証される。光感素子ＬＥ１は、ビーム電 磁界ＳＦ２が存在しない場合に、ビーム電磁界ＳＦＩからの光電流が最大となる ように位置合わせされる（またはその逆）。しかし領域ＣＡにおいて光成分の過 結合が生ずるため、光感素子ＬＥ１は先導波体ＬＷ２のビームの一部も桧出し、 他方、光感素子ＬＥ２は光導波体ＬＷ１のビームの一部も検出する。対称的な配 置により、または光感素子ＬＥ２とＬＥＩとの間の遮蔽体（第７図と第８図を参 照）により、ビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２を完全に減結合出来る。出来るだけ重 ならずに相並ぶビーム電磁界ＳＦ１とＳＦ２のための別の有利な周縁条件は、ビ ームベクトルＶＦ１とＶＦ２が著しく離れて分岐するときも、形成される。

そのため常に、光導波体ＬＷＩとＬＷ２なり）し光導波体ＬＷ１とＬＷ２の所属 のビーム界ＳＦＩ、ＳＦ２と、光感素子ＬＥ２、ＬＥｌとの十分に一義的な対応 関係が保証され、その結果、光学的特性量が選択的（こ正確にめられる。

第３図には光受信器ＯＲＩにおいて、第１図の場合と同様に、４つの光導波体が 並行に相並んで結合装置ＫＲ３のシリンダＺＲ３の回りに巻回されてｌ、）る。

４つの先導波体から４つのビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４が、曲げ結合器形式で出 力結合される。このこと１まそれらのビームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ４で示されて νする。

４つのビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４に、出力結合領域において、２つの光感素子 ＬＥ２とＬＥＩが受信用（二対向している。そのため、光感素子の数が、検査さ れるべき光導波体の数よりも少ない変形実施例力（対象とされる。光感素子ＬＥ ２とＬＥＩは、４つのビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４から部分的に受信された光エ ネルギを２つの電気測定信号Ｒ３ＩとＲ５２へ変換する。

両方の電気測定信号は、光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４の光学的特性量の選択的な測定 のために、第１図に示されている評価装置Ａ′Ｅ、１において次のように用いら れる第４図において、２光導波体帯状体ＺＢＬＩへまとめられた１群の当該の光 導波体ＬＷＩとＬＷ２のビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２は、独立に互いに依存する ことなく、両方の光感素子ＬＥ２とＬＥＩにより検出される。第４図と次の第５ 図の表現形式は第２図のそれと同様に選定されている。ビーム電磁界ＳＦＩと光 感素子ＬＥＩとの一義的な配属関係および、ビーム電磁界ＳＦ２と光感素子ＬＥ ２ないし測定信号Ｒ３２との一義的な配属関係は、第１図と第２図の場合と同様 に、１群の光導波体ＬＷＩとＬＷ２の光学的伝送特性量の選択的な個々の正確な 測定を可能にする。別の群の、例えば２光導波体帯状体ＺＢＬ２の光導波体ＬＷ ３とＬＷ４の光学的伝送特性量が対象とされる時は、この光学的伝送特性量も、 両方の光感素子ＬＥ２とＬＥＩを、第４図に破線で示されている位置へずらして 位置定めすることにより、測定出来る。この場合、測定信号Ｒ３Ｉはビーム電磁 界ＳＦ３の光エネルギに、測定信号Ｒ５２はビーム電磁界ＳＦ４の光エネルギに 相応結合装置ＫＲ３のシリンダＺＲ３を光導波体と共にその長手軸方向へ、ビー ム電磁界ＳＦ３とＳＦ４が位置固定の光感素子ＬＥＩとＬＥ２へ入射するように ずらすこともできる。第５図において、両方の光感素子ＬＥ２とＬＥＩは、光導 波体ＬＷＩ／ＬＷ２と光導波体ＬＷ３／ＬＷ４の両方の群の対称面ＳＡ５に対称 的に配置されている。ビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２は、それらの主放射方向に関 して、それぞれ共通に光感素子ＬＥＩへ垂直に入射し、他方、ビーム電磁界ＳＦ ３とＳＦ４は光感素子ＬＥ２へ入射する。そのため電気測定信号Ｒ５Ｉは両方の ビーム電磁界ＳＦＩとＳＦ２の重畳された和に相応し、電気測定信号Ｒ３２は両 方のビーム電磁界ＳＦ３とＳＦ４の重畳された和に相応する。このようにしてそ の都度に光導波体の各々の群のための１つの測定値が得られる。この種の群ごと に得られる測定結果は、ただ１つの光感素子による全部のビーム電磁界のただ１ つの測定よりも優れているスプライス過程において１群の光導波体に関するこの 種の品質データは、例えばこの群が１つの光導波体帯状体へまとめられていると きは、既に十分である。

この場合はいずれにしても、それぞれの帯状体導体の全部の先導波体帯状体のス プライス接続は、切り離してから新たに形成する必要がある。

第６図は本発明の測定装置の第２の実施例を示す。

この測定装置は４つの光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４，４っの光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４ ．および１つのデジタル評価装置ＡＥ６を有する。このディジタル評価装置は、 ディジタル式読み出し・処理ユニットＤＡＶ６と表示装置ＡＺ６を有する。第１ 図の場合と同様に構成された送信部は、ここでは図面の簡単化のため省略されて いる。４つの光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４は光導波体帯状体ＢＬ６の形式で１つの群 へまとめられ、互いに並行に機械的に固定されている。先導波体帯状体ＢＬ６の 。

外側の被覆は第６図の左に示されており、その他の図面には見やすくするために 省略されている。この群は結合装置ＫＲ６のシリンダＺＲ６の案内溝ＦＮ６の中 へ嵌め込まれる。４つの光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４から４つのビーム電磁界ＳＦＩ 〜ＳＦ４が曲げ結合器形式で出力結合される。ビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４の主 放射方向は、第６図に４つのビームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ４で示されている。４ つのビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４はそれぞれ、主放射方向ＶＦＩ〜ＶＦ４を横切 る平面の中に配属されている所属の光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４へ入射する。光感素 子ＬＥ１〜ＬＥ４の受信特性は、それぞれビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４のビーム ベクトルＶＦ１〜ＶＦ４に一義的に配属されており、かつビーム電磁界ＳＦＩ〜 ＳＦ４へ、少なくともそれぞれのビーム電磁界の主成分が受信できるように方向 付けられている。ビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４の光エネルギは光感素子ＬＥＩ〜 ＬＥ４により電気測定信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ３４へ変換される。電気測定信号Ｒ３Ｉ〜 Ｒ３４は読み出し・処理ユニットＤＡＶ６の保持メモリＨ３の中で、後続のマル チプレクサＭＰの中で少なくとも４クロック周期の間は記憶される。マルチプレ クサＭＰは個々の測定信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ３４を４クロック周期において継続的に時 間的に相次いで保持メモリＨ３から読み出す。続いて連続的な測定信号Ｒ５Ｉ〜 Ｒ３４が直列に増幅器ＶＡを介して導かれ、さらにフィルタＦｌを用いて障害信 号が除去される。連続的な測定信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ３４はサンプルホールド素子ＳＨ とアナログディジタル変換器ＵＡ／Ｄを用いて離散化され測定値メモリＭＥＭに 記憶される。測定信号Ｒ３１〜Ｒ５４の次の信号処理を算出ユニットＣＰＵが引 き受ける。算出ユニットＣＰＵは記憶された測定信号を機能的に互いに結合する 。そのため各々の光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４のために、所属の光学的伝送特性量が 選択的に測定可能となる。

光学的伝送特性量たとえばスプライス減衰の可視的な判定の目的で、光学的伝送 特性量は測定値メモリＭＥＭから読み出されデマルチプレクサＤＭＰを介して表 示装置ＡＺ６へ導かれる。離散的な時分割多重測定信号Ｒ５Ｉ〜Ｒ５４は共通に この表示装置ＡＺにおいて、最適に期待されるべき目標値ＲＯと対比されて結像 される。連続的な瞬時埴検出は、４つの測定信号Ｒ３１〜Ｒ５４の強度を、共通 の目標値ＲＯと対比して、時間ｔに依存して示す。これらの測定値Ｒ３Ｉ〜Ｒ３ ４は、出力結合されたビーム！磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４の光量の総和を示す。測定信 号Ｒ３２とＲ３４は最適な目標値ＲＯと一０致する。そのためスプライス減衰の 判定の点で、光導波体ＬＷ２とＬＷ４におけるスプライスが最適に実施された。

両方の測定値Ｒ３ＩとＲ３３は最適の目標値ＲＯを下回る、即ち光導波体ＬＷＩ とＬＷ３においてはまだ最適なスプライス結合が形成されていない。

相応に速い走査の場合、画像類に、表示−または記録装置たとえば印刷器に、ス プライス過程そのものの時間経過が検出され、例えばこの過程の最適化のために 利用できる。

第１図の多重スプライス装置ＭＳＥＩにおける光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４のそれぞ れのファイバ一端部の最適な位置合わせため、算出ユニットＣＰＵを用いて、第 １図の場合と同様に、それぞれ受信信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ５４間と共通の目標値ＲＯと の差から操作信号が形成される。これらの操作信号は線路Ｓ８１〜ＳＳ４を介し て、多重スプライス装［ＭＳＥｌにおける４つの部分操作素子を第１図の場合と 同様に有利に制御する。

さらにこの操作信号Ｒ１〜Ｒ４は、調整装置ＪＶが、光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４と ビームと電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４との配属関係を最適化する調整過程を、制御線路 Ｓ３１〜ＳＳ４を介して操作するためにも、適する。

調整装置ＪＶは光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４を、ビームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ２に対 して少なくとも横方向へずらす。光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４は有利に個々に位置合 わせ出来る、または光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４が第６図に破線で示されているよう に共通の基板ＧＵに設けられている時は好適に共通に位置合わせ出来る。

全体的に見て、光感素子の数が、検査されるべき光導波体の数に等しいときは、 その光導波体の光学的特性量を選択的に著しく正確に測定出来る。

第７図と第８図において、第６図の光受信器ＯＲ６の光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４の 間に、遮蔽体ＢＬＩ〜ＢＬ３が挿入されている。第７図はその立体的な配置を、 第８図はその平面図を、第２図におけると同様に、第６図に示されているビーム 電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４と共に示す。有利にこの場合、遮蔽体ＢＬＩ〜ＢＬ３はビ ームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ４の方向とは反対（第６図を比較）に、シリンダＺＲ ６の案内溝ＦＮ６における光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４の近傍まで延在する。光導波 体ＬＷＩ〜ＬＷ４はビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４の出発点において丸印で示され ている。遮蔽体ＢＬＩ〜ＢＬ３は互いに並行にかつビームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ ４に並行に走行する。

光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４の横方向の局所分解能を、即ち主ビーム方向ＶＦＩ〜Ｖ Ｆ４を横切る平面における局所分解能を低下させない目的で、遮蔽体ＢＬＩ〜Ｂ Ｌ３の肉厚ｄ２は、光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ４の間隔ｄｉ（１ｍｍ）よりも小さく 、数μｍの桁に選定されている（第８図参照）。このようにして絞りが、隣合う ビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４の過結合を阻止し、その結果、所望の完全な減結合 が所期のように達成されることが保証される。これにより著しく正確なかつ一義 的な測定が可能となる。

第９図は、測定装置の光受信装置ＯＲ９を示す。４つの光導波体ＬＷＩ〜ＬＷ４ はこの光受信装置ＯＲ９の中で、結合装置ＫＲ９のシリンダＺＲ９の周りを巻回 され、４つの独立のビーム電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４を発生する。それらの主ビーム 方向はビームベクトルＶＦ１〜ＶＦ４で示されている。これらのビーム電磁界Ｓ ＦＩ〜ＳＦ４の光強度は８つの光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ８により受信され、電気測 定信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ３８に変換される。この目的で光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ８は主放 射方向を横切るように位置室めされる。光感素子の数は、検査されるべきビーム 電磁界ＳＦＩ〜ＳＦ４により被われる放射領域において、ビーム電磁界ＳＦＩ〜 ＳＦ４の数よりも大きく選定されている。その結果、拡大された局所分解能が、 したがってさらに一層改普された測定精度が得られる。即ち隣合う光感素子ＬＥ １〜ＬＥ８の２つの中心線の間隔ｄ３が、２つの隣合うビームベクトルＶＦＩ〜 ＶＦ４の間隔りよりも小さくなる。この理由に基づき、光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ８ の中心と主放射方向を与えるビームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ４との間の微調整が省 略される。例えば第６図に示されている微調整装置ＪＶを用いての光感素子ＬＥ １〜ＬＥ８の横方向の位置合わせは、光学的伝送特性量の正確な測定のためには 必要とされない。

電気測定量Ｒ３Ｉ〜Ｒ３８は、第６図のような評価装置ＡＥ９へ導かれて後続処 理される。この評価装置は第１図に示されているような部品と機能ユニット（Ｄ ＡＶ９．ＡＺ９）を有する。

表示装置ＡＺ９において、瞬時の検出の際に、８つの走査された局所空間の測定 値Ｒ５１〜Ｒ３８が横軸の局所座標Ｘに間隔ｄ３で記入されている。走夜値Ｒ″ 　Ｓ１〜Ｒ５８の連続的な包絡線ＥＨは実線で示されている。この包絡線ＥＨは ４つの最大値Ｍ１〜Ｍ４を有し、それらに局所座標ｘ１〜ｘ４が配属されている 。

最大値Ｍ１〜Ｍ４は主放射方向ＶＦＩ〜ＶＦ４に相応する。この実施例において 、光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ８は、それぞれの主放射方向ＶＦＩ〜ＶＦ４に対して最 適にも対称的にも方向付けられていないことが出発点である。それにもかかわら ず包絡線ＥＨの最大値Ｍ１〜Ｍ４により、ビームベクトルＶＦＩ〜ＶＦ４の位置 もそれらの各強度値Ｉもめられる。

有利に処理ユニットＤＡＶ９における走葺値Ｒ３Ｉ〜Ｒ３８の間の機能的な依存 性は例えば関連のガウスアルゴリズムにより近似的に、またはシャノンのサンプ リング定理により正確にめることが出来る。その結果、８つの検出埴Ｒ３Ｉ〜Ｒ ３８の包絡線ＥＨは機能的に存在しそれらの最大値Ｍ１〜Ｍ４が正確に導出でき る。

多数の光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ８の場合は、これらを、良好な操作の目的で、第６ 図の右半部に破線で示されている共通の基板ＧＵＯ上に取り付けると有利である 。

基板上で、光感素子ＬＥＩ〜ＬＥ８は列状体または面状体ストラフチャとして好 適に配置出来る。

電気測定信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ３８の評価・読み出し操作に関する著しく有利な特性を 、通常のダイオードのほかに、特に内部の電荷増幅器を有する光感素子ＬＥＩ〜 ＬＥ８いわゆるＣＣＤ素子が有する。ＣＣＤ素子は、その記憶値がＡ／Ｄ変換の ために著しく有利である利点を有する。その結果、測定信号Ｒ３Ｉ〜Ｒ３８はデ ィジタル計算装置またはディジタル画像形成装置（ＣＣＤカメラ、画像処理装置 ）において直接評価出来る。

さらにこの構成を用いて、著しく多数の光感素子の処理を容易化出来る。有利に １０〜２０００素子を有する列状体または１０〜２０００Ｘ１０〜２０００素子 を有する面状体が適する。（ビデオ規格）。例えばＥＧ＆Ｇ　Ｒｅｔｉｃｏｎ（ ＵＳＡ）のフォトダイオード面状体およびＣＯＤ面状体が適する。

第１図〜第９図に示されている実施例とこれに関連する説明は、見やすくするた めに、先導波体と光感素子のそれぞれ具体的な数を用いた。しかしこれらの数は 任意に多数の、即ちｎ個の光導波体とｍ個の光感素子へ転用出来る。

最も有利な場合、第９図に示されている正確な選択的測定の目的で、光感素子の 数ｍは、先導波体の数ｎの少な（とも５倍の値に選定される。好適に光感素子の 数ｍは、光導波体の数ｎの１０〜２００倍（有利には約１００倍）に選定される 。

第３図の場合の様にｍ　＜　ｎが選定されると、ｍには少なくともｍ≧２が適用 される。この場合さらにｍのためにｍ＝に−ｎを適用する必要がある。ただしｋ は少なくとも０．３であり、好適には０．５から１．０の間に選定されている。

複数個の測定されるべき光導波体のビーム界を光感素子を用いて出力結合および 受信する際に、場合により、隣合うビームローブの相互の過結合が生じて、その 結果、ビーム界とその結合状態の評価が損なわれることがある。

そのため本発明の別の構成の課題は、複数個の光導波体の測定の際の結合状態を 簡単に改善できる構成を開示することである。この課題は、先導波体の出力結合 個所と光感素子との間に隣合うビーム界の減結合を増加する手段を設けることに より、解決されている。

この本発明の構成は、複数個の光導波体のビーム界の選択的な受信ならびに個別 の評価のための構成が改善すなはちち最適化されている点で、特徴づけられてい る。隣合うビーム界の増加された減結合手段たとえば光学的結像手段、ホログラ ム、ブラッグ・セル等が、光導波体の出力結合個所と光感素子との間に配置され ることにより、ビーム界の選択的な受信が最適化される、即ちビーム界のビーム ローブが、実質的に互いに減結合されて光感素子により検出される。この手段に よりビーム界ないしその光成分は、これらが個別に即ち互いに別個に光感素子へ 入射するように変形される。

この場合、障害すなはち隣合う放射ローブ間の相互作用は実質的に回避されてい る。そのため改善された減結合に基づいて、それらの出力結合個所において、測 定されるべき光導波体から個々に発生したビーム界は実質的に損失なく光感素子 へ伝送ないし結像できる。

その結果、ここでそれらの個々の評価が可能となる。

本発明の好適な構成によれば、ビーム界は光導波体の連結線を横切る方向におい て、連結線の方向におけるよりも、より多くの空間的な広がりを有する。ビーム 界がその伝播方向とは垂直な方向において、先導波体の連結線の方向におけるよ りも、より多くの空間的な広がりを有するように、即ち連結線の方向にそれらの 出力結合個所を有するように、結像される。そのため有利に、ビーム界が互いに 減結合されて光感素子へ結像される。このことは、測定されるべき個々の各々の 光導波体のためのその都度のビーム界・光成分の選択的な個別の評価を保証する 。ビーム界を減結合して選択的に結像する手段として、有利に光学的結像手段、 例えばモノクロマチイックに補正されたトリブレットを含むレンズ装置のような 出ノ１結合光学的手段が適する。さらにビーム界は有利に、例えば位相・ホログ ラムを用いてもまたはブラッグ・セルを用いても、増加された減結合をもって結 像ないし伝送される。

本発明の構成は、冒頭に述べた形式の測定装置を用いた方法にも関する。この測 定方法は、ビーム界が相互の間の増加された減結合をもって光感素子へ結像され る構成によりにより特徴づけられる。

本発明の構成は、例えば本発明の第１の測定装置による、複数個の先導波体にお ける測定装置にも関する。

この測定装置は、光受信器が次のように構成されていることにより特徴づけられ る。即ち少なくとも１つの光感素子が、測定されるべき先導波体に対してビーム 界の伝播方向を横切る方向へ相対的に変位可能に設けられている。

少なくとも１つの光感素子が、測定されるべき光導波体に対してビーム界の伝播 方向を横切る方向へ少なくとも１回は相対的に変位可能に設けられている構成に より、次のことが実質的に保証される。即ち、測定されるべき光導波体からその 都度にその出力結合個所においてそれらのわん曲区間に沿って発生するビーム界 が、時間的に相次いでならびに選択的に、少なくとも１つの光感素子により検出 されることが保証される。

光感素子の相対運動により、その都度に実質的に、測定されるべき各々の光導波 体のビーム界の個別の検出が、個々にならびに隣合うビーム界から減結合の下に 可能となる。検出された強度分布の時間経過から、各々の光導波体のための詳細 な情報が、例えばその状態、その局所位置（局所的な強度分布）、その減衰特性 等に関する情報が個別に得られて、以後の評価のための種々の適用事例に対して 選択的に準備される。

本発明の構成は、例えば本発明の第１および／また第２の測定装置による、複数 個の先導波体における別の測定装置にも関する。この測定装置は、光受信器が次 のように構成されていることにより特徴づけられる。

即ち光受信器の結合装置が測定されるべき光導波体と共に少なくとも１つの光感 素子に対して、ビーム界の伝播方向を横切る方向へ相対的に変位可能に設けられ ている構成により、特徴ずけられている。

第１０図は、光受信器ＯＲ７ならびに測定装置ＡＥ７を有する本発明による測定 装置ＭＥ７を示す。光受信器ＯＲ７は複数個の光導波体に例えば４つの光導波体 ＬＷＩ−ＬＷ４に、結合装置ＫＲ７を用いて、同時に結合されている。４つの光 導波体ＬＷＩ−ＬＷ４は、第１０図においては、例えば光導波体・帯状体すなは ち帯状体線路ＢＬ７の形式で１つの群へまとめら、その外側被覆ＡＨにより実質 的に互いに並行に機械的に固定されている。帯状体線路ＢＬ７の外側被覆ＡＨは 第１０図の左部分に示されており、その他の図面部分には、見やすくするために 、省略されている。

光導波体ＬＷ１−ＬＷ４の中で、光信号、例えば送信側で意図的に入力結合され た測定光信号が、または情報信号も導かれる。光信号の入力結合は好適に、例え ば曲げ結合器形式で、または直接、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の開放端面を介して 行われる。

４つの光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４を有する群は、例えば透明な外側被覆ＡＨを有す る帯状体線路ＢＬ７は、入力側で光受信器ＯＲＩの結合装置ＫＲ７において、実 質的にシリンダ状の曲げロッドＺＲ７の周りをその案内溝ＺＲ７の中へ曲げられ て巻回される。これにより、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の中で導かれた光信号のそ れぞれの成分は、それぞれの光導波体の曲げ区間に沿って、出力結合個所におい て、曲げ結合形式で出力結合される。即ち測定されるべき４つの光導波体ＬＷ１ −ＬＷ４から出力結合個所においてそれらのわん曲に沿って、４つのビーム界Ｅ ＦＩ−ＥＦ４が受信・ビーム界として、実質的に接線方向に現れる。出力結合個 所は、光導波体のわん曲の領域において実質的に、綾線ＶＬ−第１０図に破線で 示されている−の上を、ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の放射方向を実質的に横切る方 向へ走行する。第１０図において、４つのビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４はその主放射 方向すなわち伝播方向に関して、４つの個別に所属のビームベクトルにより表さ れている。

光導波体のわん１区間に沿うビーム界ＥＦ　１−ＥＦ４のための出力結合個所と 、この４つのビーム界ＥＦ１−ＥＦ４の伝播方向を横切るように位置窓めされて いる測定・ないしセンサ列状体との間に、手段ＭＳＶ１−ＭＳ　Ｖ　２が設けら れている。この手段は、例えばＥＦＩとＥＦ２のように隣り合うビーム界の間の 増加された減結合を形成させる。これらの手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ２はビーム界Ｅ ＦＩ−ＥＦ４に、即ちそれらの放射特性に個別に配属されている。このことは第 １０図において記号ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４の付されたブロックで示されている。こ れらのブロックはそれぞれビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の主放射方向を横切るように 例えば１列に配列されている。介入接続された手段ＭＳＶＬ−ＭＳＶ４により、 隣合うビーム界の、例えばＥＦｌとＥＦ２のビームロープの相互の過結合が実質 的に回避されている。出力結合個所から送出されたビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４は、 手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４により、測定線状体ＳＺへ個別に互いに分離されて即ち 選択的に伝送される。この場合、隣合うビームローブの障害または相互作用は実 質的に回避されている。手段ＭＳＶｌ−ＭＳＶ４は、それぞれ、出力結合個所に 現れるビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４を、その伝送路において、測定線状体ＳＺへ個々 に次のように結像する。即ちビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４がここでこの領域において 改善された減結合で相並んで位置し、かつ個別の即ち選択的な評価が行なえるよ うに、結像する。理想的な場合はこれは光導波体の芯の表面ないし発生する光導 波体の近傍の領域である。

第１０図において測定線状体ｓＺは、４つの相並んで配置された光導波体ＬＷＩ −ＬＷ４により構成されている。手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４はビーム界ＥＦＩ−Ｅ Ｆ４へ次のうに作用する、即ちビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４が、４つの光感素子ＬＷ Ｉ−ＬＷ４の領域に、４つの個別に配属された光スポットＬＦＩ−ＬＦ４として 入射するように、作用する。この場合、光導波体ＬＷ１−ＬＷ４には、光・ない し発光スポットＬＦＩ−ＬＦ４が一義的に配属される。光・ないし発光スポット ＬＦ１−ＬＦ４はそれらに所属の光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の上で、破線の卵形な いし楕円形の記号で示されている。

ビーム界を良好に減結合する手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４として、例えば第１３図と 第１４図に示されているような光学的結像手段が設けられる。さらにビーム界Ｅ ＦＩ−ＥＦ４は有利に、位相ホログラムを用いても、または例えばブラッグセル を用いて光感素子ＬＷＩ−ＬＷ４へ、増加された減結合で結像ないし伝送される 。

光学的結像手段を用いてのビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の結像のための詳細１′マ第 １３図と第１４図に示されている。

このようにしてビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４は、その所属の光スポットＬＦＩ−ＬＦ ４により、光感素子ＬＷ１−ＬＷ４により選択的に検出される。光感素子ＬＷ１ −ＬＷ４の受信特性はそれぞれビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４に一義的に配属されてお り、光感素子ＬＷＩ−ＬＷ４ヘビーム界の主成分が常に受信されるように、方向 付けられている。ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の光出力は光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４に より、その都度に電気測定信号に変換される。離散的ないしディジタル形式での 信号評価の際に、評価装置ＡＥ７の読みだし−および処理ユニットＤＡＶ７の保 持メモリＨ３の中に、後続のマルチプレクサＭＰの少なくとも４クロック周期の 間は記憶される。マルチプレクサＭＰは個々の測定信号Ｒ３ｌ−Ｒ３４を、４ク ロック周期において順次に時間的に相次いで、保持メモリＨ３の中から読みだす 。続いて連続的な測定信号Ｒ３ｌ−Ｒ５４が直列に、増幅器を介して導かれ、さ らにフィルタＦｌを用いて障害信号が除去される。連続的な測定信号Ｒ３ｌ−Ｒ ５４は例えば、サンプル−ホールド素子ＳＨとアナログ−ディジタル変換器Ａ／ Ｚを用いて離散化されて測定筒メモリＭＥＭの中に格納される。アナログ形式で の信号評価の場合は、連続的な測定信号Ｒ３Ｉ−Ｒ３４は好適に測定値メモリＭ ＥＭの中に直接格納される。

測定信号Ｒ３ｌ−Ｒ３４の後続の信号処理を計算ユニットが引き受ける。計算ユ ニットは記録された測定信号Ｒ３ｌ−Ｒ３４を、必要に応じて機能的に互いに結 合する。その結果、各々の光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４のために、所属の測定量が選 択的に測定可能となる。光学的測定量、例えばスプライス減衰、測定されるべき 光導波体の局所分布、位相走行時間、先導波体の識別等を視覚で判定する目的で 、光学的測定量は測定値メモリＭＥＭから読み出だされ、他方、離散的な処理の 場合は、デマルチプレクサＤＭＰを介して表示装置ＡＺ７へ導かれる。

ディジタル形式での信号評価の場合は、離散的な時分割多重測定信号Ｒ３ｌ−Ｒ ３４が共通に表示装置ＡＺ７において結像される。相続く瞬時の検出が４つの測 定信号Ｒ３ｌ−Ｒ５４の時間的な強度経過Ｉを時間に依存して示す。これらの測 定値Ｒ５ｌ−Ｒ５４はその都度に、光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４により検出される、 出力結合されたビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の総和を示す。

両方ノ測定１１１Ｒ３１とＲ３３１１測定値Ｒ５２とＲ３４を下回る、即ち光感 素子Ｌ′Ｅ、１とＬＥ３では、光導波体ＬＷＩとＬＷ３の中に、案内されたより 少ない光量が測定される。このようにして各光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４に、測定値 Ｒ３ｌ−Ｒ５４が正確に配属されている。何故ならば出力結合領域において、測 定されるべき４つの光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４に、相応の個数の光感素子ＬＥＩ− ＬＥ４が一義的に配属されているからである。

光感素子の数が、測定されるべき光導波体の数よりも大きく選定されている場合 は、即ち測定線状体ＳＺの中に４つよりも多い光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４が設けら れている場合は、別の付加的な測定値が得られる。

これらの測定値は表示装置ＡＺ７において、連続的な測定信号検出の理想的な場 合に、破線で示されている所属の選択的な包絡線Ｅ　Ｈ１−Ｅ　Ｈ４を有する。

即ち換言すれば、４つの離散的な測定値信号Ｒ３ｌ−Ｒ３４のほかに、さらに付 加的な別の離散的な測定値が、個々に相並ぶ包絡線ＥＨ１−ＥＨ４の下に付加さ れる。

この場合、走査された測定値の個数は、光感素子の個数に相応する。この場合、 ビーム界の（即ち測定されるべき光導波体の）、測定線状体ＳＺの光感素子への 正確な一義的な位置合わせすなはち配属化は有利に省略できる。

計算ユニットＣＰｔＪを用いて有利に、選択的に検出された測定値Ｒ３ｌ−Ｒ５ ４から、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４にに関する多種の情報が、例えばそれらの位置 、それらの状態、それらの個数、それらの光学的特性量たとえば透過減衰量、位 相走行時間等が得られる。

第１０図においては、検出された受信信号Ｒ３ｌ−Ｒ８４から、操作信号ΔＲ１ −ΔＲ４が得られる。それらの操作信号を用いて、調整−運動装置ＪＶが、線路 ５ＳＩ−５３４を介して、測定線状体ＳＺの光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４を変位させ るために操作される。運動装置ＪＶは、測定線状体ＳＺの光感素子ＬＥＩ−ＬＥ ４を横方向へ、即ちビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の伝播方向を横切る方向へ、“ジッ タ”運動の形式で変位させる。この相対運動は矢印ＶＰで示されている。、測定 線状体ＳＺは有利にビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４に対して、その伝播方向を横切る方 向へ、少なくとも１回は往復変位するように設けられている。測定線状体ＳＺを ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の近傍で例えば連続的または歩道的に運動させることに より、ビーム界ＥＦ　１−ＥＦ４の時間的な強度測定値検出が得られる、即ちビ ーム界ＥＦＩ−ＥＦ４が一層高い時間分解能で、したがって一層高い局所分解能 で検出され、そのため互いに減結合されて、評価のために供給される。

そのためビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４は測定線状体ＳＺの個々の光感素子ＬＥＩ−Ｌ Ｅ４により、カメラの形式で、例えば“準連続的に”または離散的な走査ステッ プで走査されるないし処理される。そのため各々の個々のビーム界のために、多 数の測定情報が改善された局所分解能で選択的に提供される。この場合、光感素 子ＬＥＩ−ＬＥ４は有利に個々に、または第１０図に破線で示されているように 、１つの共通の基板ＧＵの上に設けることができる。必要に応じて光感素子は測 定面ないし測定配列体の形式で配置することが出来る。有利に光受信器ＯＲ７は 次の様に構成することも出来る、即ち、測定線状体ＳＺではなく、光受信器の結 合装置ＫＲ７を、測定されるべき先導波体ＬＷＩ−ＬＷ４と共に測定線状体ＳＺ に対して、ビーム界ＥＦ１−ＥＦ４の伝播方向を横切るように相対的に変位可能 に配置されるように、構成することも出来る。そのためビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４ は光感素子により互いにシャープに個別に分離されて検出され、表示装置ＡＺ７ において相応に表示される。

ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の選択的個別的な検出のために、変位運動に基づいて、 結合装置ＫＲ７の結合領域に１つの光感素子を設けることで既に十分である。

ただ１つの光感素子が調整−運動装置ＪＶの中に変位可能に取り付けられる場合 は、この光感素子は、選択的なビーム界検出のために好適に、ビーム界ＥＦＩ− ＥＦ４の主放射方向を横切る方向に、それぞれのビーム界の幅の約半分に相応す る広がりを有する。そのため少なくとも１つの光感素子の変位運動を用いて、高 い分解能の測定線状体ＳＺによるような、即ち著しく多くの光感素子−この光感 素子の数は光導波体の個数よりも多い−によるのとほぼ同じ測定結果を得ること が出来る。そのため少なくとも１つの光感素子を有する測定線状体ＳＺの変位運 動により、実質的に互いに減結合されたビーム界が、評価のために準備される。

必要に応じて、曲げ結合器形式による入力側の結合装置は、別の結合装置によっ ても実施出来る。例えば入力側の結合装置は、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の端部へ 直接結合された光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４により構成することも出来る。この場合 は、光受信器ＯＲ７の結合装置において、わん曲ロッドないし曲げ結合器装置Ｚ Ｒ７が省略される。その結果、前置接続された手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ２を必要に 応じて有する測定線状体Ｓｚは、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の端面側の開放端部に その長手軸を横切る方向に直接配置される。測定線状体ＳＺのためのこの別の構 成は、光導波体帯状体ＢＬ７の開放端面（出口）の直接近傍に記入されている、 破線で示されたブロックＳＺ星マークにより示されている。ここに設けられてい る測定線状体ＳＺ星マークの相並ぶ光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４は、その受信特性に 関して好適に、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の開放端面から出力結合される受信ビー ム界ＥＦＩ−ＥＦ４を横切るように次のように位置定めされている。即ち光感素 子が直接、または必要に応じて減結合手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４の介在のもとに、 実質的に選択的に光感素子ＬＥ　１−ＬＥ４へ結像されるように、位置定めされ ている。片側に配置された、測定線状体ＳＺ星マークの形式の結合装置は、例え ば区間減衰測定−３二では光導波体の端部が自由に接近可能である−の場合に好 適である。

実質的に並行に相並ぶ、即ち実質的にストラフチャ化されて配置された光導波体 ＬＷＩ−ＬＷ４を有する光導波体・帯状体ＢＬ７における測定ではなく、測定装 置ＭＥ７を用いて、例えば測定線状体ｓＺ星マークの端部側のないし端部側の配 置の場合は、測定を例えば、光導波体を有する束または群においても実施出来る 。この場合、光導波体は、そのビーム界の選択的な受信が実質的に保証されてい る限り、整列されないストラフチャとして相並んで設けることも出来る。この場 合、光受信器ＯＲ７は、光導波体の識別のための、光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４の受 信側の結合装置の端部側の結合（曲げ結合器形式による光出力結合はしない）の 場合に適している。例えば群ないし束における光導波体の数、先導波体の状態、 光学的特性量（例えば減衰、位相走行時間、パルス応答、・・・）を選択的に、 各々の個々の光導波体の空間位置を即ち光導波体の局所分布等を全体的に、簡単 に測定して後続評価のために準備できる。整列されない光導波体を有する束また は群の場合、光感素子は、有利に複数個の測定線状体の形式で上下に成層化して 配置できる（フラットな配列体）。

フラットな配列体の内部の光感素子が著しく高い分解能で（即ち著しく小さい面 積で）形成されると、最終結果において、１つのケーブルの内部の例えば光導波 体分布の高い分解能の結像が得られる。この目的で次の構成は好適である、即ち 、配列体（測定面状体）の内部の個々の光感素子のそれぞれＸ方向およびＹ方向 における量を、この配列体の上に現れる光スポットのオーダーで選定すると好適 である。個々の光感素子の活性面が、現れた光スポットの面積にそれぞれ等しく すると好適である。さらに一層高い分解能のためには、個々の光感素子（受信素 子）の活性面は、現れた光スポットの面積よりも小さく選定されている。

第１１図には、結合状態を示すために、第１０図の測定線状体ＳＺの４つの光感 素子が、受信平面Ｘ、　ｙ（第１０図）におけるビーム界と共に、ビーム界ＥＦ １−ＥＦ４の伝播方向を横切る方向に示されている。

第１１図に、ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４すなわちその光スポットＬＦ１−ＬＦ４が 、最適化された、即ち改善された減結合で測定線状体ＳＺにより検出可能にする ために、どのように手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４が作用するかが示されている。

例えばビーム界ＥＦＩに所属する光−ないし光スポットが光感素子ＬＥＩだけに 入射して、その活性面の大部分を、その楕円ないし卵形の形で被う、または帯状 の形でも被う。このようにして実質的に次のことが保証される、即ち先導波体Ｌ ＷＩから出力結合されるビーム界ＥＦＩが、出来るだけ損失なく手段ＭＳＶＩを 通過して光感素子ＥＦＩへ伝送され、光感素子により出来るだけ完全に検出され ることが、保証される。

測定線状体ＳＺの領域においてビーム界ＥＦＩはその他のビーム界から減結合な いし分離されて入射する。

そのためビーム界ＥＦＩのための結合状態は実質的に理想的ないし最適になる。

このことを達成するために、ビーム放射電磁界ＥＦＩないしその所属の光スポッ トＬＦＩの形は、光感素子ＥＦＩの立体的な広がりが適合化されている。

例えば第１１図におけるビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４は、その最適化される減結合の 目的で、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の連結＠ＶＬを横切る方向には、即ちビーム界 ＥＦＩ−ＥＦ４の伝播方向を横切る方向には、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の連結線 に沿う方向におけるよりも、それぞれより大きい広がりを有する。その目的は、 第１１図における実質的に帯状の光感素子ＬＥ　１−ＬＥ４を出来るだけ完全に 利用するためである。ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４と所属の光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４ との間に設けられている手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４が、光導波体・帯状体ＢＬ７に おける光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の連結線を横切る方向における、例えばＸ方向に おけるビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の広がりを少なくとも２倍だけ拡大させる。さら に手段ＭＳＶＩ−ＭＳＶ４は、光感素子ＬＥＩ−ＬＦ、４の領域におけるビーム 界ＥＦ１−ＥＦ４の、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の連結線に沿う方向において、先 導波体ＬＷＩ−ＬＷ４を狭くさせる。有利に光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の連結線Ｖ Ｌの方向へのビーム界（例えばＥＦＩとＥＦＴ）の広がりは、受信素子ＬＥＩ− ＬＥ４の領域においてそれぞれ隣合う光スポット（例えば、ＬＦＩ、ＬＦ２）が 全く重ならないかまたは出来るだけわずかしか重ならないように、選定されてい る。そのため有利に、光導波体ＬＷ１−ＬＷ４の連結線を横切る方向において、 光感素子ＬＥＩ−ＬＥ４の領域におけるビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４によりそれぞれ 形成される光−ないし発光スポットは、光導波体ＬＷＩ−ＬＷ４の連結線ＶＬに 沿う方向におけるよりも、例えば少なくとも２倍は大きい。測定線状体ＳＺの領 域におけるビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の光スポットＬＦＩ−ＬＦ４に、好適にそれ ぞれ帯状または線状の形を与えることも出来る。その目的は、光スポットＬＦ１ −ＬＦ４が互いに別個に、第１１図に示されている実質的に帯状の光感素子ＬＥ Ｉ−ＬＥ４を最適に照射するためである。第１３図と第１４図に示されているよ うな光学的結像手段による、光感素子への特別に適合化された光スポットＬＦＩ −ＬＦ４のこの形状付与により、改善された即ち最適化された、ビーム界ＥＦＩ −ＥＦ４の減結合が、したがって改善された選択的な評価が簡単に達成される。

第１１図には、ビーム界ＥＦＩのための、光スポットＬＦ　１の実質的に最適な 結像ないし変形のほかに、ビーム界ＥＦ２−ＥＦ４のための評価が困難である２ つの場合の結合状態も示されている。例えばその光スポットＬＦ２−を有するビ ーム界ＥＦ２は光感素子ＬＥ２へも光感素子ＬＥ３へも入射する。同様にその光 スポットＬＦ３−を有するビーム界ＥＦ３は、光感素子ＬＥ２によっても光感素 子ＬＥ３によっても同時に検出される。その結果、両方の光スポットＬＦ２＝と ＬＦ３−が１つの領域ＳＭに現れる。そのため光スポットＬＦ２−とＬＦ３−の 選択的な評価は近似的にしか出来ない、すなわち困難となる。

結合状態すなわち受信状態の品質低下は次の時にも　現れる、即ちビーム界ＥＦ Ｉ−ＥＦ４が光感素子ＬＥ１−ＬＥ４へ固定的に配属されている場合に光スポッ トが、１つの共通の光感素子へ結像される時も現れる。

第１１図における光感素子ＬＥ４へ、ビーム界ＥＦ３とＥＦ４がその光スポット ＬＦ３＝とＬＦ４−で入射すると、その結果、それらの選択的ないし個別の評価 が品質低下される。それにもかかわらず、例で示されたこの両方の、隣合うビー ム界の過結合の問題事例に対して、次のようにして除去が可能となる、即ち光感 素子ＬＥＩ−ＬＥ４を、ビーム界ＥＦＩ−４Ｆ４を横切る方向に少なくとも１回 は往復および／または上下させる。その目的は、ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４の時間 的な分解能が、従って局所的な分解能も得られるように、即ちビーム界ＥＦＩ− ＥＦ４が実質的に互いに減結合されるようにするためである。

第１２図におい５ては、ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４ないしそれらの所属の光スポッ トＬＦＩ−ＬＦ４に、それぞれ４つの測定セルが個々に配属されている。換言す れば、測定されるべき光導波体ＬＷ１−ＬＷ４の各々に、それぞれ４つの個々の 、光検出用の活性面が配属されている。例えば光感素子ＬＥＩはさらに、４つの 例えば帯状体セルＬＥＩＩ、ＬＥ１’２．ＬＥ１３、ＬＥ１４へ分割される。同 様にその他の光感素子ＬＥ２−ＬＥ４が形成される。光スポットは出力結合平面 ないし受信平面ｘ、ｙにおいて、即ちビーム界ＥＦＩの伝播方向を横切る方向の 平面において、４つの測定セルＬＥ１１、ＬＥ１２、ＬＥ１３、ＬＥ１４の上に 現れる。その結果、光スポットＬＦＩのための細分化された、ないしより高くい 局所的に分解される光検出が行われる。相応の結合状態が光スポットＬＦ２（お よびその他の光感素子ＬＥ３とＬＥ４）にも得られる。

光スポットＬＦ２は、隣合う光スポットＬＦ１とＬＦ３から減結合されて、光感 素子ＬＥ２における４つの所期の配属されているセルＬＥ２１−ＬＥ２４により 検出される。

測定線状体ＳＺではなく、有利に面状体ないし測定配列体を設けることも出来る 。このことは例えば、帯状体セルＬＥＩＩ−ＬＥ１４．ＬＥ２１−ＬＥ２４、・ ・・・ＬＥ４１−ＬＥ４４を横切る方向の切断線子りにより示されている。有利 に、１０−２０００の素子を有する測定線状体または１Ｏ−２０００Ｘ１０−２ ０００の素子を有する配列体が適する。

第１０図〜第１２図に示されている実施例およびその所属の記載は、一層判り易 くするために、光導波体および光感素子の具体的な数（４つの光感素子、４つの 光導波体）を用いた。しかし光導波体および光感素子はこの数に限定されること なく、任意に多数の、即ちｎ個の光導波体とｍ個の光感素子に転用出来る。

第１３図と第１４図は、隣合うビーム界の改善された減結合のための手段として 、例えば光学的結像手段ないし出力結合光学部材ＭＳＶＧを示す。二の出力結合 光学部材は、例えば３素子レンズ装置ＬＩと後方に配置されたスリット絞りＳｌ とを含む。第１３図において出力結合光学部材ＭＳＶＧは出力結合平面ｘ、ｚに おいて示されている。この平面Ｘ、Ｚにおいて、ビーム界のビームベクトルは実 質的に互いに並行に位置する。ビーム界の伝播方向はＺ軸の方向に示す。第１３ 図は、第１０図の光受信器ＯＲ７における結合状態の平面図を示す。

結合装置ＫＲ７へ帯状体線路ＢＬ７１の形式の例えば５つの光導波体ＬＷＩ−Ｌ Ｗ５がはめこまれる。それぞれの光導波体のわん曲区間に沿って、出力結合個所 において、５つの先導波体ＬＷＩ−ＬＷ５から５つのビーム界ＥＦＩ−ＥＦ５が 現れる。ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ４は、出力結合光学部材ＭＳＶＧにより互いに減 結合されて測定線状体ＳＺへ結像される。この場合、ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ５は 好適に出力結合光学部材ＭＳＶＧにより光学的に例えば３．５倍だけ拡大される （光導波体ＬＷＩ−ＬＷ５の連結線ＶＬから測定線状体ＳＺまでの間で計算して ）。その目的はビーム界を、測定線状体ＳＺのセンサ素子へ出来るだけ適合化し てこのセンサ素子へ結像可能にするためである。減結合の目的でビーム界ＥＦＩ −ＥＦ５のための光学的な形状付与が、測定線状体Ｓｚの１つの光感素子の例え ばそれぞれ少なくとも４つのセル（第１２図の場合のように）がそれぞれ１つの ビーム界を検出することにより、行われる。

このようにして有利に、強く放射する隣り合う光波動体のビーム界ＥＦＩ−ＥＦ ５の強度値が、強く減衰された光導波体のビーム界の強度よりも低減される。

この目的で好適にその都度に光導波体ＬＷＩ−ＬＷ５の心のビーム領域が測定線 状体ＳＺまたは必要に応じて配列体へ結像される。

第１３図に、光導波体帯状体ＢＬ７１の切欠平面における出力結合光学部材ＭＳ ＶＧの配置が示されてしする。図の左半部に測定線状体ＳＺが、または必要に応 じてセンサ配列体も設けられる。いっそう好適には、ビーム界Ｆ　１−ＥＦ　５ の光ビームは出力結合光学部材ＭＳＶＧによりテレセンドリンクに結像される、 即ち光ビームはその光軸を通過しないで進行する。まず最初にビーム界ＥＦＩ− ＥＦ５は３素子レンズ装置１ＬＩを通過する。このレンズ装置にはスリット絞り Ｓｌが後置されている。このレンズ装置Ｌｌは好適に、高屈折率の重フリントガ ラスから成るモノクロマチイックに補正されたトリブレットを有する。このトリ ブレットは、８００ｎｍだけの測定スペクトル領域において、僅かな波長収差と 僅かな残留反射のために良好な透過とフラットな半径を有する。

レンズ装置Ｌｌに後置されているスリット絞りＳｌにより次の事が達せられる、 即ちビーム界ＥＦＩ−ＥＦ５のビームローブの相異なる開きとビーム角度が、測 定線状体ＳＺまたは必要に応じて配列体のセンサないし光感素子の幾何学的形状 に最適に調整され、そのため最大の光出力がその測定セルの中へ入力結合される 。

例えば第１３図の左半部に測定線状体ＳＺとして、約５０μｍＸ２．５＋ｍビク セル量の立体的な広がりを有する２５６の素子から成る線状体センサーＳＺが選 定される。測定線状体ＳＺの長さは約１２．８ｍｍの値を有する。所望の結像倍 率が３．５の場合は、出力結合光学部材ＭＳＶＧにより結像される対象領域は約 ３゜６６１１Ｉ１１の幅を有する。この対象領域の中に、例えば約３．２ｍｍの 幅を有する光導波体帯状体ＢＬ７１が設けられる。出力結合平面Ｘ、Ｚにおいて 、ビーム界ＥＦ１−ＥＦ５のビーム角度は、光導波体の約０．１の開きに相応し て小さい。出力結合光学部材ＭＳＶＧはこの具体的な数値例ないし実施例のため に、結合状態に次のように適合化されている、即ち個々の光導波体ＬＷｌ−ＬＷ ５の放射分布が互いに分８Ｎないし広げられて、この区間像において約５０ｐｍ の幅のセンサ素子へ入射するように適合化されている。光導波体ＬＷＩ−ＬＷ５ の放射ローブないしビームローブは実質的に同じ方向を有するため（装置の光学 軸に平行）、出力結合光学部材ＭＳＶＧはビーム界ＥＦＩ−ＥＦ５を有利にテレ センドリンクに結像する。

さらにスリット絞りＳｌは、それぞれの実施例に適合化された、ビーム界ＥＦＩ −ＥＦ５のテレセンドリンクな放射特性を形成させる。好適にスリット絞りＳｌ の通過開口は、３素子のレンズ装置ＬＩのために所定の開口が設定されるように 、選定されている。この実施例において結像光学部材ＭＳＶＣないしスリット絞 りＳｌはその開口ＤＵＩにより、次のように具体的な結合状部に適合化される。

即ち出力結合平面Ｘ、Ｚにおいて、例えば７０μｍよりも小さい散乱円直径を有 する僅かな収差が測定線状体ＳＺの上に、ならびに局所分解能がセンサ局所反復 体の近傍に形成されるように、適合化される。さらにスリット絞り３１はこの出 力結合平面ｘ、ｚにおいて、ビーム界ＥＦＩ−ＥＦ５の局所空間フィルタ作用を 、したがってその“尖鋭度調整”ないしその周縁のゆがみの除去を実施させる第 １４図は、出力結合光学部材ＭＳＶＧを、第１３図の図面平面に垂直な出力結合 平面ｘ、ｚないし切欠平面において示す。この切欠平面において例えばビーム界 ＥＦＩのビーム路は光導波体ＬＷＩから始まって記入されている。ビーム界ＥＦ Ｉのビーム路は好適に出力結合光学部材ＭＳＶＧの光軸の中心を走行する。

その目的は、光導波体ＬＷＩのｙ方向すなわちビーム界ＥＦＩの伝播方向を横切 る方向への著しく大きい開口を、センサー素子の上に結像可能にするためである 。

この出力結合−々いしわん曲率面ｙ、ｚにおける放射角度は著しく大きい。その ため出力結合光学部材ＭＳｖＧは好適に、少なくとも±２０″、有利には±３５ ６、最大で±４５″の著しく大きい角度範囲におけるビーム界検出のために設計 される。この平面ｘ、ｚにおいて、測定線状体ＳＺのセンサ素子のために好適に 長さ２，５ｍが選定される。レンズ装置Ｌｌと、通過開口がＤＵ２のスリット絞 りＳｌとを有する出力結合光学部材ＭＳＶＧは有利に次のように所与条件に適合 化される、即ち散乱円直径がせいぜい２．５ｓｍであり、十分な信号レベルのた めの十分に大きい測定開口（約０．６）がそれぞれの光感素子の上に形成される ように、適合化される。有利に出力結合光学部材ＭＳＶＧの開口は通過開口ＤＵ ２の幅を用いて調整可能であり、光導波体ＬＷＩのより大きい放射角度に応じて 、第１３図のスリット幅ＤＵＩよりも大きく選定される。

光学装置の焦点距離は、これが良好に補正できるように十分に大きく選定される 。さらに出力結合個所からセンサ線状体ＳＺまでの間隔は、拡大が３．５倍の際 は、４０閣閣よりも小さくされる。

このようにして有利に、出力結合光学部材ＭＳＶＧを用いて、ビーム界ＥＦＩ− ＥＦ５の出力結合個所から測定線状体ＳＺまでの著しく大きい間隔も、結合装置 ＫＲ７を囲むケーシング７により前もって与えられるように、対処出来る。隣合 うビーム界を良好に減結合する手段は、その都度に有利に周囲条件へ、例えばビ ーム界の出力結合個所測定から線状体ＳＺへの間隔、光感素子の量、光導波体帯 状体ＢＬ７１における連結線ＶＬの上における光導波体の間隔等の周囲条件へ適 合化される。

隣合うビーム界のための良好な減結合手段−二の場合は出力結合光学部材ＭＳＶ Ｇ−は、全体的に見て、次の様に設計される。即ち出力結合個所において選択的 に現れるビーム界を有する対象領域が、光感素子を有する所定の像領域の中へ伝 送されるように設計される。この場合、ビーム界は減結合状態に置かれる。

ＩＧＩ ＦＩＧ　２　ＦＩＧ　４ ＦＩＧ　３　ＦＩＧ　５ ＩＧ６ ＦＩＧ　７ ＦＩＧ　８ ｌＧ１１ ＦＩＧ　１２ 国際調査報告 、、　ＰＣＴ／ＤＥ　９３１０００７７１、、ｌ＋ム　ＰＣＴ／ＤＥ　９３１０ ００７７フロントページの続き

Claims (58)

【特許請求の範囲】
1. １．光受信器（ＯＲ１）を用いて光導波体を測定する装置（ＭＥ１）であって、 上記光受信器は結合装置（ＫＲ１）ならびに、出力結合されるべき送信信号のビ ーム界中に設けられる光感素子を有し、前記の光受信器には評価装置（ＡＥ１） が配属されている形式の、光導波体を測定する装置において、上記結合装置（Ｋ Ｒ１）は、少なくとも２つの光導波体（ＬＷ１、ＬＷ２）が、１つの整列された ストラクチャとして、相並んで挿入配置されるように構成され、ここにおいて該 光導波体は独立の柏並んで位置するビーム界（ＳＦ１，ＳＦ２）を有するように 構成され、さらに少なくとも２つの光感素子（ＬＥ１，ＬＥ２）が設けられてお り、該光感素子はそれらの受信特性に関連づけて、該光感素子がビーム界（ＳＦ １，ＳＦ２）の相異なる部分を検出するように配置されかつ配向されており、評 価装置（ＡＥ１）において、個々の光感素子（ＬＥｌ，ＬＥ２）により検出され た、個々のビーム界（ＳＦ１，ＳＦ２）の測定信号（ＲＳ１，ＲＳ２）が個別に 評価されることを特徴とする、光導波体のための測定装置。
2. ２．前記の光導波体（ＬＷ１、ＬＷ２）が、結合装置（ＫＲ１）の中に棺並んで 並行に配置されている、請求の範囲１に記載の測定装置。
3. ３．光導波体（ＬＷ１、ＬＷ２）が、例えばストリップ導体（ＢＬ）の形式で、 互いに機械的に結合されている、請求の範囲２に記載の測定装置。
4. ４．結合装置（ＫＲ１）の中に、相並んで挿入されるべき光導波体（ＬＷ１、Ｌ Ｗ２）のための横方向案内部材が設けられている、前記請求の範囲のうちのいず れか１項に記載の測定装置。
5. ５．受信側の結合装置（ＫＲ１）がわん曲結合装置として構成されている、前記 請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
6. ６．結合装置（ＫＲ１）が光導波体のわん曲領域において、全部の光導波体（Ｌ Ｗ１、ＬＷ２）のために、同じ曲率半径を有する、請求の範囲５に記載の測定装 置。
7. ７．受信側の結合装置が、光導波体（ＬＷ１−ＬＷ４）の端部へ直接結合される 光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４により）構成されている請求の範囲１から４のうちの いずれか１項に記載の測定装置。
8. ８．光送信器（ＯＴ１）がただ１つの光源を有し、該光源へ、測定されるべき全 部の光導波体（ＬＷ１、ＬＷ４）が共通に結合されている、前記請求の範囲のう ちのいずれか１項に記載の測定装置。
9. ９．出力結合されるべき各々の光導波体（ＬＷ１−ＬＷ４）のために光送信器（ ＯＴ１）が、選択的な光入力結合のための固有の光源をに有する、請求の範囲１ から７のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
10. １０．光送信器（ＯＴ１）のための結合装置（ＫＴ１）として、わん曲結合装置 が設けられている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
11. １１．光導波体（ＬＷ１−ＬＷ４）の開放端面に、光送信器（ＯＴ１）のための 結合装置（ＫＴ１）が設けられている、請求の範囲１から９のうちのいずれか１ 項に記載の測定装置。
12. １２．光送信器（ＯＴ１）が情報信号用の送信器として構成されている、前記請 求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
13. １３．光送信器（ＯＴ１）が固有の測定送信器として構成されている、請求の範 囲１から１１のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
14. １４．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）が１つの共通の基板（ＧＵ）の上に配置され ている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
15. １５．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）が、線状体ストラクチャの中に、または面状 配列体の中に設けられている、前記請求の範囲のうちのいず九か１項に記載の測 定装置。
16. １６．各々の光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）に、電荷増幅器が配属されている、前 記請求の範囲のうちのいず九か１項に記載の測定装置。
17. １７．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）として、フォトダイオードが設けられている 、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
18. １８．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）のためにＣＣＤ素子が設けられている、請求 の範囲１から１６のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
19. １９．結合装置（ＫＲ１）の中で、光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）の中心がそれぞ れ、相並んで位置する光導波体（ＬＷ１−ＬＷ４）の所属の心へ位置合わせされ ている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
20. ２０．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）が、ビーム界（ＳＦ１、ＳＦ２）の対称軸線 （ＳＡ２）に垂直に配置されている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記 載の測定装置。
21. ２１．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）と所属のビーム界（ＳＦ１，ＳＦ２）との間 の対応づけを最適化するために調整装置が設けられている、前記請求の範囲のう ちのいずれか１項に記載の測定装置。
22. ２２．光導波体が２つより多い場合は、光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）の数は、相 並んで位置する光導波体（ＬＷ１−ＬＷ４）の数よりも少なく選定されている、 前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
23. ２３．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）の数が、相並んで位置する光波導体（ＬＷ１ −ＬＷ４）の数と同じに選定されている、請求の範囲１から２１のうちのいずれ か１項に記載の測定装置。
24. ２４．光感素子（ＬＥ１−ＬＥ８）の数が、相並んで位置する光波導体（ＬＷ１ −ＬＷ４）の数よりも多く、例えば少なくとも５倍に、有利には約１００倍に選 定されている、請求の範囲１から２１のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
25. ２５．絞り（ＢＬ１−ＢＬ３）が設けられており、該絞りは、隣合うビーム界（ ＳＦ１，ＳＦ２）を減結合するように配置されている、前記請求の範囲のうちの いずれか１項に記載の測定装置。
26. ２６．ｍ個の光感素子（ＬＥ１−ＬＥｍ）に、ｍ−１個の遮蔽体（ＢＬ１−ＢＬ ｍ−１）が設けられている、請求の範囲２５に記載の測定装置。
27. ２７．遮蔽体（ＢＬ１−ＢＬ３）がビーム界（ＳＦ１−ＳＦ４）の対称軸線に並 行に配置されている、請求の範囲２５または２６に記載の測定装置。
28. ２８．評価装置（ＡＥ６）が，同時の実時間作動用の装置を有している、前記請 求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
29. ２９．評価装置（ＡＥ６）の中に読み出し装置（ＤＡＶ）が設けられており、該 読み出し装置は光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）により捕捉検出された測定信号（Ｒ Ｓ１−ＲＳ４）を時間的にサンプリングする、前記請求の範囲のうちのいずれか １項に記載の測定装置。
30. ３０．評価装置の中に、測定値メモリ（ＭＥＭ）を有する計算ユニット（ＣＰＵ ）が設けられており、該光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）により記縁された測定信号 は次のように機能的に互いに結合される、即ち各々の光波導体のために、所属の 光学的特性量が選択的に評価されるように機能的に互いに結合される、前記請求 の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
31. ３１．測定装置（ＭＥ１）が光波導体スプライス装置の構成部品である、前記請 求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
32. ３２．相並んで位置する光波導体（ＬＷ１−ＬＷ４）の軸線合わせのための手段 がスプライス個所に設けられている、請求の範囲３１に記載の測定装置。
33. ３３．相並んで位置する光波導体（ＬＷ１−ＬＷ４）の軸線合わせのための手段 （ＳＧ１、ＳＧ２）がスプライス個所において、評価装置（ＡＥ１）の評価信号 により個々に制御される、請求の範囲３２に記載の測定装置。
34. ３４．測定装置（ＭＥ１）が光波導体の減衰測定装置の構成部品である、請求の 範囲１から３０のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
35. ３５．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の出力結合個所と光感素子（例えばＬ Ｅ１、ＬＥ２）との間に、隣り合うビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の減結合 を一層増加する手段（例えばＭＳＶ１、ＭＳＶ２）が設けられている、前記請求 の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
36. ３６．ビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）が光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２） の連結線を横切る方向においては、光波導体の連結線（ＶＬ）に沿う方向におけ るよりも大きい広がりを有する、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の 測定装置。
37. ３７．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）からのビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ ２）の出力結合個所と、所属の光感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）との間に、光 波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ）を横切る方向（ｙ）に、それ ぞれビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）広がりを拡大する手段（例えばＭＳＶ１ 、ＭＳＶ２）が設けられている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の 測定装置。
38. ３８．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ）を横切る方向（ｙ） に幅が少なくとも２倍だけ拡大される、請求の範囲３７に記載の測定装置。
39. ３９．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の出力結合個所と所属の光感素子（例 えばＬＥ１、ＬＥ２）との間に、手段（例えばＭＳＶ１、ＭＳＶ２）が設けられ ており該手段はビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）を、光感素子（例えばＬＥ１ 、ＬＥ２）の領域において、光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ ）に沿う方向（ｘ）にそれぞれ峡幅化する、前記請求の範囲のうちのいずれか１ 項に記載の測定装置。
40. ４０．光感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）の領域においてビーム界（例えばＥＦ １、ＥＦ２）によりそれぞれ形成さ九る光スポット（例えばＬＦ１・ＬＦ２）は 、光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ）を横切る方向（ｙ）にお いては、光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ）の方向（ｘ）にお けるよりも、例えば少なくとも２倍は大きい、前記請求の範囲のうちのいずれか １項に記載の測定装置。
41. ４１．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の出力結合個所と光感素子（例えばＬ Ｅ１、ＬＥ２）との間に、出力結合光学部材（ＭＳＶＧ）が設けられている、前 記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
42. ４２．出力結合光学部材（例えばＭＳＶＧ）が，モノクロマティックに補正され たトリプレットを含む、請求の範囲４１に記載の測定装置。
43. ４３．出力結合光学部材（例えばＭＳＶＧ）が、高屈折率の重フリントガラスか ら製造されているか、またはこの重フリントガラスをふくむ、請求の範囲４１ま たは４２に記載の測定装置。
44. ４４．出力結合光学部材（例えばＭＳＶＧ）が、少なくとも±２０°、有利には ±３５°、最大で±４５°の著しく大きい角度範囲において設計されている、請 求の範囲４１から４３のうちのいずれか１項に記載の測定装置。
45. ４５．出力結合光学部材（例えばＭＳＶＧ）が、光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ ２）の連結線（ＶＬ）を横切る方向においては、光波導体の連結線（ＶＬ）に沿 う方向におけるよりも、一層大きい開口を有する、請求の範囲４１から４４のう ちのいずれか１項に記載の測定装置。
46. ４６．光感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）の領域において各々のビーム界（例え ばＥＦ１、ＥＦ２）によりそれぞれ形成される光スポット（例えばＬＦ１、ＬＦ ２）が、実質的に帯状体の形状を有する、前記請求の範囲のうちのいずれか１項 に記載の測定装置。。
47. ４７．光感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）の領域において各々のビーム界（例え ばＥＦ１、ＥＦ２）によりそれぞれ形成される光スポット（例えばＬＦ１、ＬＦ ２）が、実質的に楕円形の形状を有する、請求の範囲１から４５のうちのいずれ か１項に記載の測定装置。
48. ４８．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ）を横切る方向（ｙ） におけるビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の広がりが、それぞれ次のように選 定されており、即ち、光波導体の所属の光スポット（例えばＬＦ１、ＬＦ２）の 広がりが、この方向（ｙ）における光感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）の広がり に相応するように選定されている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載 の測定装置。
49. ４９．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の連結線（ＶＬ）の方向（ｘ）におけ るビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の広がりがそれぞれ次のように小さく選定 されており、即ち、隣り合う光スポット（例えばＬＦ１、ＬＦ２）の受信素子（ 例えばＬＥ１、ＬＥ２）の領域において、それぞれ重ならないようにまたは出来 るだけ僅かしか重ならないように選定されいる、前記請求の範囲のうちのいずれ か１項に記載の測定装置。
50. ５０．出力結合個所と光感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）の間にスリット絞り（ Ｓ１｝が設けられている、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装 置。
51. ５１．光波導体（例えばＬＷ１、ＬＷ２）の出力結合個所と光感素子（例えばＬ Ｅ１、ＬＥ２）との間に光学的結像手段が設けられており、光学的結像手段の結 像特性は、隣り合うビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の減結合が改善されてい るように選定されいる、前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置 。
52. ５２．ビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の結像がホログラムを用いて、隣り合 うビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の減結合の改善が光感素子（例えばＬＥ１ 、ＬＥ２）の領域において生ずるように、行われる、請求の範囲５１に記載の測 定装置。
53. ５３．ビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の結像がブラッグセルを用いて、隣合 うビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の減結合の改善が光感素子（例えばＬＥ１ 、ＬＥ２）の領域において生ずるように、行われる、請求の範囲５１に記載の測 定装置。
54. ５４．例えば前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の、被数個の光波導体 における測定装置（ＭＥ７）において、光受信器（ＯＲ７）の構成において、少 なくとも１つの光感索子（例えばＬＥ１）が、測定されるべき光波導体（例えば ＬＷ１、ＬＷ２）に対して、ビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）の伝播方向を横 切る方向に相対的に変位可能に設けられている、測定装置。
55. ５５．例えば前記請求の範囲のうちのいず九か１項に記載の、複数個の光波導体 における測定装置（ＭＥ７）において、光受信器（ＯＲ７）の構成において、該 光受信器の結合装置（ＫＲ７）が、測定さ九るべき光波導体（例えばＬＷ１、Ｌ Ｗ２）と共に、少なくとも１つの光感素子（例えばＬＥ１）に対して、ビーム界 （例えばＥＦ１、ＥＦ２）の伝播方向を横切る方向に相対的に変位可能に設けら れている、測定装置。
56. ５６．前記請求の範囲のうちのいずれか１項に記載の測定装置の使用法において 、少なくとも２つの光波導体（ＬＷ１、ＬＷ２）が光受信器（ＯＲ１）の結合装 置（ＫＲ１）の中へ整列さ九たストラクチャとして、次のように相並ぶビーム界 （ＳＦ１、ＳＦ２）が形成されるようにし、即ち少なくとも２つの光感素子（例 えばＬＥ１、ＬＥ２）がその受信特性に関してビーム界（ＳＦ１、ＳＦ２）へ、 ビーム界の相異なる部分が検出されるように方向づけられるようにし、さらに光 感素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）により、それぞれのビーム界（ＳＦ１、ＳＦ２ ）に相応する選択的な測定信号（ＲＳ１、ＲＳ２）が受信され続いて個別に評価 されることを特徴とする、測定装置の使用法。
57. ５７．個々の光感素子（ＬＥ１−ＬＥ４）により検出された、個々のビーム界（ ＳＦ１−ＳＦ４）の測定信号（ＲＳ１−ＲＳ４）が時分割形式の動作でシーケン シャルに相次いで読みだされ、続いて測定信号として記憶される、請求の範囲５ ６に記載の方法。
58. ５８．ビーム界（例えばＥＦ１、ＥＦ２）が、増加された相互の減結合で、光感 素子（例えばＬＥ１、ＬＥ２）へ結像される、前記請求の範囲のうちのいずれか １項に記載の方法。