JPH0749540Y2

JPH0749540Y2 - 半導体集積回路装置

Info

Publication number: JPH0749540Y2
Application number: JP12423189U
Authority: JP
Inventors: 宰大岡; 忠司能勢
Original assignee: 関西日本電気株式会社
Priority date: 1989-10-23
Filing date: 1989-10-23
Publication date: 1995-11-13
Anticipated expiration: 2004-10-23
Also published as: JPH0363217U

Description

【考案の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本考案は半導体集積回路装置に関し、詳しくはパワー用
IC等に組込まれた過電流検出手段に関する。

〔従来の技術〕

パワー用IC等の半導体集積回路装置の従来例を第３図を
参照しながら説明する。

同図において、（１）は半導体集積回路を組込んだ半導
体ペレットで、基板（図示せず）上に導電性接着材等を
介して固着される。（２）（３）（４）は上記半導体ペ
レット（１）の表面に形成された電極パッド、（５）は
上記半導体ペレット（１）内で回路構成された過電流検
出回路で、第１のトランジスタ（６）のエミッタを電極
パッド（４）に接続し、そのコレクタを過電流検出用抵
抗（７）を介して電極パッド（２）に接続する。この過
電流検出用抵抗（７）の両端をコンパレータ（８）の入
力に基準電圧源（９）を介挿して接続する。このコンパ
レータ（８）の出力端子を第２トランジスタ（10）のベ
ースに接続し、その第２のトランジスタ（10）のエミッ
タを電極パッド（３）に接続すると共に、コレクタをベ
ース抵抗（11）を介して第１のトランジスタ（６）のベ
ースに接続し、また第１のトランジスタ（６）のベース
・エミッタ間にバイアス抵抗（12）を接続する。尚、
（13）は負荷、（14）は入力電源、（15）（16）（17）
は半導体ペレット（１）の電極パッド（２）（３）
（４）とリード先端部（18）（19）（20）間に接続され
たAl、やAuなどの金属細線である。

上述した半導体集積回路装置では、負荷（13）に流れる
負荷電流I_Lが過電流となって抵抗（７）での電圧降下分
が基準電圧源（９）での基準電圧Vrefよりも大きくなる
と、これをコンパレータ（８）で検出する。そしてこの
コンパレータ（８）の出力により、第２のトランジスタ
（10）をOFFした上で、第１のトランジスタ（６）をOFF
して電流をカットする。

〔考案が解決しようとする課題〕

ところで、従来の半導体集積回路装置では、半導体ペレ
ット（１）内に組込んだ抵抗（７）での電圧降下分が基
準電圧Vref以上であるか否かで過電流発生の有無を検出
していた。上記半導体ペレット（１）内に組込まれた抵
抗（７）は、半導体ペレット（１）の内部に拡散処理に
より形成するか、或いは半導体ペレット（１）の表面に
Alなどの配線パターンとして形成するのが一般的であっ
た。しかしながら、パワー用IC等などの半導体集積回路
装置では半導体ペレット（１）内の抵抗（７）に大電流
が流れるため、上記抵抗（７）の占有面積も大きくなっ
てその結果、上記半導体ペレット（１）での高密度実装
化が困難になるという問題があった。

そこで、本考案は上記問題に鑑みて提案されたもので、
その目的とするところは、半導体ペレット内に過電流検
出用抵抗を組込むことなく、簡便な手段により過電流検
出回路を構成し得る半導体集積回路装置を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

本考案における上記目的を達成するための技術手段は、
半導体集積回路を組込んだ半導体ペレットを基板上の固
着し、上記半導体ペレット表面の電極パッドとリードの
先端部とを金属細線で電気的に接続したものにおいて、
上記半導体ペレット内の過電流検出回路の電極パッドと
リード先端部間に接続された金属細線を過電流検出用抵
抗としたことである。

〔作用〕

本考案に係る半導体集積回路装置では、半導体ペレット
内の過電流検出用回路の電極パッドとリード先端部間に
接続された金属細線を過電流検出用抵抗としたから、上
記金属細線の両端での電圧降下分を検出することにより
過電流発生の有無を判別する。これにより半導体ペレッ
ト内部に過電流検出用抵抗を組込む必要がなくなる。

〔実施例〕

本考案に係る半導体集積回路装置の一実施例を第１図及
び第２図を参照しながら説明する。

同図において、（21）は半導体集積回路を組込んだ半導
体ペレットで、基板（22）上に導電性接着材を介して固
着される。この半導体ペレット（21）を含む主要部分、
即ち、第２図に示す基板（22）、半導体ペレット（21）
及びリード（23）（24）（25）の先端部（23a）（24a）
（25a）を外装樹脂材（図示せず）でモールドする。（2
6）〜（29）は上記半導体ペレット（21）の表面に形成
された電極パッド、（30）は上記半導体ペレット（21）
内で回路構成された過電流検出回路で、第１のトランジ
スタ（31）のエミッタを電極パッド（29）に接続し、そ
のコレクタを電極パッド（26）に接続する。また、電極
パッド（26）（27）にコンパレータ（32）を入力接続
し、そのマイナス端子と電極パッド（26）間に基準電圧
源（33）を介挿する。このコンパレータ（33）の出力端
子を第２のトランジスタ（34）のベースに接続し、その
第２のトランジスタ（34）のエミッタを電極パッド（2
8）に接続すると共に、コレクタをベース抵抗（35）介
して第１のトランジスタ（31）のベースに接続し、更に
第１のトランジスタ（31）のベース・エミッタ間にバイ
アス抵抗（36）を接続する。（37）はコンパレータ（3
2）のマイナス端子側にある基準電圧源（33）が接続さ
れた電極パッド（26）とリード（23）の先端部（23a）
間に接続したAlやAu等の金属細線で、過電流検出用抵抗
R_B1となる。（38）はコンパレータ（32）のプラス端子
に接続された電極パッド（27）と上記リード（23）の先
端部（23a）間に接続したAlやAu等の金属細線である。

尚、（39）（40）は電極パッド（28）（29）とリード
（24）（25）の先端部（24a）（25a）間に接続された金
属細線、（41）は負荷、（42）は入力電源である。

上述した本考案の半導体集積回路装置では、上記金属細
線（37）を過電流検出用抵抗R_B1としたことが特徴であ
る。即ち、負荷（41）に流れる負荷電流I_Lが過電流とな
って金属細線（37）での電圧降下分R_B1・I_Lが基準電圧
源（33）での基準電圧Vrefよりも大きくなると、これを
コンパレータ（32）で検出する。そして上記コンパレー
タ（32）の出力により第２のトランジスタ（34）をOFF
した上で第１のトランジスタ（31）をOFFして電流をカ
ットする。この時、金属細線（38）にはコンパレータ
（32）の入力電流Iiが流れるが、その金属細線（38）で
の電圧降下分R_B2・Iiは極めて小さいため無視すること
ができ、電極パッド（27）とリード（23）の先端部（23
a）とは同電位とみなせる。このように金属細線（37）
は固有の抵抗値を持ち、その線径及び長さ等の諸条件に
よってばらつきを有する。しかしながら、過電流検出用
抵抗として使用する場合には、異常に大電流が流れた時
にその電流をカットさせる機能があればよいので、上記
金属細線（37）については高精度を要求する必要がな
く、通常のワイヤボンディング作業により得られた金属
細線（37）であれば過電流検出用抵抗として充分に機能
する。

尚、本考案では金属細線（38）を半導体ペレット（21）
に接続するための電極パッド（27）を増設しなければな
らないが、これの占有面積は従来の半導体集積回路装置
における抵抗（７）の占有面積と比較すれば極めて小さ
いので問題ない。

〔考案の効果〕

本考案によれば、金属細線を過電流検出用抵抗としたこ
とにより、半導体ペレット内部に抵抗を組込む構造をと
る必要がなくなるので、上記半導体ペレットでの回路構
成の簡略化が図れ、高密度実装化は実現容易となる。

【図面の簡単な説明】第１図は本考案に係る半導体集積回路装置の一実施例を
示す回路図、第２図は第１図の半導体集積回路装置の要
部斜視図である。第３図は半導体集積回路装置の従来例を示す回路図であ
る。（21）……半導体ペレット、（22）……基板、（23）…
…リード、（23a）先端部、（26）……電極パッド、（3
0）……過電流検出回路、（37）……金属細線。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】半導体集積回路を組込んだ半導体ペレット
を基板上に固着し、上記半導体ペレット表面の電極パッ
ドとリードの先端部とを金属細線で電気的に接続したも
のにおいて、上記半導体ペレット内の過電流検出回路の電極パッドと
リード先端部間に接続された金属細線を過電流検出用抵
抗としたことを特徴とする半導体集積回路装置。