JPH074668B2 - 溶接位置検出装置 - Google Patents
溶接位置検出装置Info
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- JPH074668B2 JPH074668B2 JP4028587A JP4028587A JPH074668B2 JP H074668 B2 JPH074668 B2 JP H074668B2 JP 4028587 A JP4028587 A JP 4028587A JP 4028587 A JP4028587 A JP 4028587A JP H074668 B2 JPH074668 B2 JP H074668B2
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- semiconductor laser
- welding
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/12—Automatic feeding or moving of electrodes or work for spot or seam welding or cutting
- B23K9/127—Means for tracking lines during arc welding or cutting
- B23K9/1272—Geometry oriented, e.g. beam optical trading
- B23K9/1274—Using non-contact, optical means, e.g. laser means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は溶接位置検出装置に関し、特に被溶接材のアー
ク点に先行する開先面の光切断像を検出し、溶接すべき
位置を検出する全自動溶接ロボツトの溶接線倣い装置に
好適な溶接位置検出装置に関するものである。
ク点に先行する開先面の光切断像を検出し、溶接すべき
位置を検出する全自動溶接ロボツトの溶接線倣い装置に
好適な溶接位置検出装置に関するものである。
従来の装置は、例えば特開昭60−233252号公報に記載の
ように、溶接トーチと視覚センサを一体とした構造と
し、溶接トーチのノズル部分で溶接アーク光が隠れる方
向から光切断像を観測するようになつていた。また、特
開昭60−128304号公報では、スポツト光を走査し形状を
測定する際、走査に比較し十分速い速度でスポツト光を
変調し、変調信号成分のみを取り出すことにより溶接ア
ーク光の影響を軽減するようになつていた。
ように、溶接トーチと視覚センサを一体とした構造と
し、溶接トーチのノズル部分で溶接アーク光が隠れる方
向から光切断像を観測するようになつていた。また、特
開昭60−128304号公報では、スポツト光を走査し形状を
測定する際、走査に比較し十分速い速度でスポツト光を
変調し、変調信号成分のみを取り出すことにより溶接ア
ーク光の影響を軽減するようになつていた。
上記従来技術のうち特開昭60−233252号公報に開示され
た技術では、溶接トーチのノズル部分で溶接アーク光を
隠しているため、直接強いアーク光が入射することは無
いが、被溶接材の表面で反射したアーク光、あるいは溶
接中に飛散する溶融金属（いわゆるスパツタ）の発する
光については考慮されておらず、これらの光が光切断像
に重なり検出を困難にするという問題があつた。また、
ノズル部分でアーク光を隠すためには、ノズルに近接す
る部分から光切断像を観測する必要があり、溶接トーチ
が被溶接部材に誤つて衝突すると、これに近接するセン
サも破損するという問題があつた。
た技術では、溶接トーチのノズル部分で溶接アーク光を
隠しているため、直接強いアーク光が入射することは無
いが、被溶接材の表面で反射したアーク光、あるいは溶
接中に飛散する溶融金属（いわゆるスパツタ）の発する
光については考慮されておらず、これらの光が光切断像
に重なり検出を困難にするという問題があつた。また、
ノズル部分でアーク光を隠すためには、ノズルに近接す
る部分から光切断像を観測する必要があり、溶接トーチ
が被溶接部材に誤つて衝突すると、これに近接するセン
サも破損するという問題があつた。
また、特開昭60−128304号公報に開示された技術では、
センサと溶接トーチを分離しているため、トーチが衝突
した際、センサが破損する可能性が無く、また、ワーク
との距離を測定する一次元センサの視野内にアーク光の
像が直接入射しないような光学系の配置および、走査す
るスポツト光を高速に変調し、センサ出力の変調成分の
みを取り出すという対策によりアーク光による影響を除
去していたが、センサには、変調したスポツト光の変調
成分（交流分）と被溶接部材表面で反射したアーク光の
直流成分が重畳して入射しており、これによりセンサの
出力が飽和する、あるいは飽和部近辺でセンサの感度が
低下するという問題があつた。
センサと溶接トーチを分離しているため、トーチが衝突
した際、センサが破損する可能性が無く、また、ワーク
との距離を測定する一次元センサの視野内にアーク光の
像が直接入射しないような光学系の配置および、走査す
るスポツト光を高速に変調し、センサ出力の変調成分の
みを取り出すという対策によりアーク光による影響を除
去していたが、センサには、変調したスポツト光の変調
成分（交流分）と被溶接部材表面で反射したアーク光の
直流成分が重畳して入射しており、これによりセンサの
出力が飽和する、あるいは飽和部近辺でセンサの感度が
低下するという問題があつた。
本発明の目的は、溶接トーチとセンサを分離しセンサの
破損を防ぐとともに、溶接中に発生するアーク光および
スパツタが溶接線位置の検出に影響を与えないような溶
接位置検出装置を提供することにある。
破損を防ぐとともに、溶接中に発生するアーク光および
スパツタが溶接線位置の検出に影響を与えないような溶
接位置検出装置を提供することにある。
上記目的は、光切断像を観測する撮像素子の前面に光の
透過と遮断を制御する機能を有するシャッタを設け、こ
のシャッタと同期してスリツト光を照射する半導体レー
ザの発光を制御するように成すとともに、半導体レー
ザ，撮像素子等の光学素子を内蔵する視覚センサを溶接
トーチと分離して設置することにより達成される。
透過と遮断を制御する機能を有するシャッタを設け、こ
のシャッタと同期してスリツト光を照射する半導体レー
ザの発光を制御するように成すとともに、半導体レー
ザ，撮像素子等の光学素子を内蔵する視覚センサを溶接
トーチと分離して設置することにより達成される。
光切断像を観測する撮像素子の前面に設置したシヤツタ
は、半導体レーザの発光と同期して光を透過し、半導体
レーザが発光していない状態では遮光する。そして、撮
像素子上には、半導体レーザが発光した際に形成される
光切断像と、シヤツタが光を透過するシヤツタ開の状態
での溶接アーク光を光源とする像が入射し、撮像素子を
形成する各画素からは撮像素子の全画素を走査する時間
のうちシヤツタ開の時間内での露光量に比例した信号が
得られる。ここで、シャッタによる光の透過時間を遮光
時間に比べ短く、例えば、透過時間ｔμｓに対し、遮光
時間ｄ×ｔμｓとすると、撮像素子上に入射する溶接ア
ーク光による光量は、光を連続透過した場合に比べ1/d
に減少する。ここで、半導体レーザについては点灯時の
出力が連続発振の場合のｄ倍とすることにより撮像素子
上における反射像の光量を連続発振の場合と同等に保つ
ている。このように、本発明になる視覚センサでは、溶
接アーク光からの反射光のみが減光され光切断像は減光
されないので、撮像素子の出力が飽和する、あるいは飽
和領域付近で感度が低下するということがない。このた
め、溶接中においても溶接線の位置を検出することがで
きる。
は、半導体レーザの発光と同期して光を透過し、半導体
レーザが発光していない状態では遮光する。そして、撮
像素子上には、半導体レーザが発光した際に形成される
光切断像と、シヤツタが光を透過するシヤツタ開の状態
での溶接アーク光を光源とする像が入射し、撮像素子を
形成する各画素からは撮像素子の全画素を走査する時間
のうちシヤツタ開の時間内での露光量に比例した信号が
得られる。ここで、シャッタによる光の透過時間を遮光
時間に比べ短く、例えば、透過時間ｔμｓに対し、遮光
時間ｄ×ｔμｓとすると、撮像素子上に入射する溶接ア
ーク光による光量は、光を連続透過した場合に比べ1/d
に減少する。ここで、半導体レーザについては点灯時の
出力が連続発振の場合のｄ倍とすることにより撮像素子
上における反射像の光量を連続発振の場合と同等に保つ
ている。このように、本発明になる視覚センサでは、溶
接アーク光からの反射光のみが減光され光切断像は減光
されないので、撮像素子の出力が飽和する、あるいは飽
和領域付近で感度が低下するということがない。このた
め、溶接中においても溶接線の位置を検出することがで
きる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第２図および第３図に本発明に係る溶接位置検出装置を
溶接ロボツトに適用してなる一実施例の概略構成図を示
し、第１図にその要部構成図を示す。
溶接ロボツトに適用してなる一実施例の概略構成図を示
し、第１図にその要部構成図を示す。
第２図および第３図に示すように、溶接トーチ１は、ア
ーム２の先端に図示矢印３方向に揺動可能に、かつ図示
矢印４方向に回転可能に垂下されてなる支持軸５に、取
付具６を介して固定されている。また、溶接トーチ１の
内部を通つて送給されるワイヤ７の先端位置は、前記支
持軸５の回転中心軸ｌに一致するように配設されてい
る。前記支持軸５の下端部に第１図に示す詳細構成を有
する検出光学系10を直流モータ９とタイミングベルト８
により回転中心軸ｌの回りを回転するよう取り付けてい
る。なお、溶接トーチ軸ｋと支持軸５の回転中心軸ｌは
一定の角度δ（例えば25゜）に設定されている。
ーム２の先端に図示矢印３方向に揺動可能に、かつ図示
矢印４方向に回転可能に垂下されてなる支持軸５に、取
付具６を介して固定されている。また、溶接トーチ１の
内部を通つて送給されるワイヤ７の先端位置は、前記支
持軸５の回転中心軸ｌに一致するように配設されてい
る。前記支持軸５の下端部に第１図に示す詳細構成を有
する検出光学系10を直流モータ９とタイミングベルト８
により回転中心軸ｌの回りを回転するよう取り付けてい
る。なお、溶接トーチ軸ｋと支持軸５の回転中心軸ｌは
一定の角度δ（例えば25゜）に設定されている。
検出光学系10は、光照射装置20と曲折点検出装置30とを
含んで形成されている。光照射装置20は、光源としての
半導体レーザ21,凸レンズ22,凹レンズ23,シリンドリカ
ルレンズ24,ミラー25を含んで形成されており、半導体
レーザ21から出射された光は、凸レンズ22と凹レンズ23
を介してシリンドリカルレンズ24に導かれ、スリツト光
（線状照射光）に形成される。このスリツト光は、ミラ
ー25によつて反射され、検出光学系10の底板に取付けた
窓26から検出すべき溶接線を含む母材40の表面に照射さ
れるようになつている。また曲折点検出装置30は、ミラ
ー32,凸レンズ33,干渉フイルタ34,光学シヤツタ機構35,
撮像素子36を含んで形成されている。光学シヤツタ機構
35は、偏光子検光子の間にポツケルス効果を持つ結晶を
挾持したポツケルスセルから成り、電圧印加により遮光
状態から透光状態に変わる。そして、この検出光学系10
の底板に取付けた窓31を通つて入射される母材表面から
の反射光を凸レンズ33,干渉フイルタ34,光学シヤツチ機
構35を介して撮像素子36に導き、ここにおいて母材表面
の反射像を電気信号に変換して２次元の反射像として検
出するようになつている。
含んで形成されている。光照射装置20は、光源としての
半導体レーザ21,凸レンズ22,凹レンズ23,シリンドリカ
ルレンズ24,ミラー25を含んで形成されており、半導体
レーザ21から出射された光は、凸レンズ22と凹レンズ23
を介してシリンドリカルレンズ24に導かれ、スリツト光
（線状照射光）に形成される。このスリツト光は、ミラ
ー25によつて反射され、検出光学系10の底板に取付けた
窓26から検出すべき溶接線を含む母材40の表面に照射さ
れるようになつている。また曲折点検出装置30は、ミラ
ー32,凸レンズ33,干渉フイルタ34,光学シヤツタ機構35,
撮像素子36を含んで形成されている。光学シヤツタ機構
35は、偏光子検光子の間にポツケルス効果を持つ結晶を
挾持したポツケルスセルから成り、電圧印加により遮光
状態から透光状態に変わる。そして、この検出光学系10
の底板に取付けた窓31を通つて入射される母材表面から
の反射光を凸レンズ33,干渉フイルタ34,光学シヤツチ機
構35を介して撮像素子36に導き、ここにおいて母材表面
の反射像を電気信号に変換して２次元の反射像として検
出するようになつている。
第４図は、半導体レーザ21の点灯および光学シヤツタ機
構35の開閉のタイミングを示し、また第５図は、このタ
イミングを達成するための回路ブロツク図を示したもの
である。半導体レーザ21は、例えばパルス発振に適した
英国エム／エー・コム（M/A Com）社半導体レーザ（型
名:LA−68）を、また光学シヤツタ機構35には米国レー
ザ・メトリクス（Laser metrics）社製Ｑスイツチ（型
名:1057）を用いる。第５図に示した同期回路60は、繰
り返し周波数5MHz、デユーテイ比１の方形波を出力する
発振回路61、この方形波の周波数を1000分の１としデユ
ーテイ比を1:999とする分周回路62、この分周回路の出
力が０→１に遷移するタイミングに対し微小時間（例え
ば20n sec）遅延した信号を出力する遅延回路63、遅延
回路の出力信号が０→１に遷移したタイミングで０→１
に切換わり、一定時間（例えば50n sec）１の状態を保
持するタイマー回路64により構成している。半導体レー
ザ駆動回路70およびシヤツタ駆動回路80は、同期回路60
から送られてくるこれらの制御信号により、それぞれ半
導体レーザおよび光学シヤツタ機構を駆動し、光学シヤ
ツタ機構35の開時間を100ns、開閉の繰り返し周波数を1
0KHzとし、光スイツチ機構が開くタイミングに同期し
て、半導体レーザ21を50ns、点灯時の出力10Wとして点
灯する。このように制御することにより、撮像素子36に
入射する溶接アーク光の光量は光スイツチ機構35を持た
ない場合の1/1000に減少するが、光切断像については、
5mWの出力で連続発振する半導体レーザを照射した場合
と同等の像を得ることができ、溶接アーク光の影響を受
けることなく反射像が検出できる。
構35の開閉のタイミングを示し、また第５図は、このタ
イミングを達成するための回路ブロツク図を示したもの
である。半導体レーザ21は、例えばパルス発振に適した
英国エム／エー・コム（M/A Com）社半導体レーザ（型
名:LA−68）を、また光学シヤツタ機構35には米国レー
ザ・メトリクス（Laser metrics）社製Ｑスイツチ（型
名:1057）を用いる。第５図に示した同期回路60は、繰
り返し周波数5MHz、デユーテイ比１の方形波を出力する
発振回路61、この方形波の周波数を1000分の１としデユ
ーテイ比を1:999とする分周回路62、この分周回路の出
力が０→１に遷移するタイミングに対し微小時間（例え
ば20n sec）遅延した信号を出力する遅延回路63、遅延
回路の出力信号が０→１に遷移したタイミングで０→１
に切換わり、一定時間（例えば50n sec）１の状態を保
持するタイマー回路64により構成している。半導体レー
ザ駆動回路70およびシヤツタ駆動回路80は、同期回路60
から送られてくるこれらの制御信号により、それぞれ半
導体レーザおよび光学シヤツタ機構を駆動し、光学シヤ
ツタ機構35の開時間を100ns、開閉の繰り返し周波数を1
0KHzとし、光スイツチ機構が開くタイミングに同期し
て、半導体レーザ21を50ns、点灯時の出力10Wとして点
灯する。このように制御することにより、撮像素子36に
入射する溶接アーク光の光量は光スイツチ機構35を持た
ない場合の1/1000に減少するが、光切断像については、
5mWの出力で連続発振する半導体レーザを照射した場合
と同等の像を得ることができ、溶接アーク光の影響を受
けることなく反射像が検出できる。
なお、検出光学系10で用いている撮像素子36は、MOS,CC
D等の蓄積形の撮像素子であり、走査周期内で光学シヤ
ツタ機構が開となつた総時間内の各画素の総露光量に比
例した電気信号を出力する。
D等の蓄積形の撮像素子であり、走査周期内で光学シヤ
ツタ機構が開となつた総時間内の各画素の総露光量に比
例した電気信号を出力する。
第５図に示したように、撮像素子36は、画像処理装置内
の同期信号発生回路から出力される信号に同期して入力
画像に対応した電気信号を出力する。この信号は、A/D
変換器101で一定周期毎にA/D変換され、アドレスカウン
タから出力されるアドレス情報に対応した画像メモリ10
2に順次記憶される。画像処理装置内のCPU103は、画像
メモリに記憶された情報から、後述する方法により溶接
すべき位置を求め、検出結果を通信制御回路104を介し
てロボツト制御装置に転送する。同期信号発生回路105
は、画像処理装置100の動作のためのタイミング信号を
発生する。アドレスカウンタ106は、同期信号発生回路
からのタイミング信号をカウントして、画像メモリ102
の読出し，書込みのアドレスを発生する。
の同期信号発生回路から出力される信号に同期して入力
画像に対応した電気信号を出力する。この信号は、A/D
変換器101で一定周期毎にA/D変換され、アドレスカウン
タから出力されるアドレス情報に対応した画像メモリ10
2に順次記憶される。画像処理装置内のCPU103は、画像
メモリに記憶された情報から、後述する方法により溶接
すべき位置を求め、検出結果を通信制御回路104を介し
てロボツト制御装置に転送する。同期信号発生回路105
は、画像処理装置100の動作のためのタイミング信号を
発生する。アドレスカウンタ106は、同期信号発生回路
からのタイミング信号をカウントして、画像メモリ102
の読出し，書込みのアドレスを発生する。
一方、１図に示したように、ミラー25から出射されるス
リツト光の光軸ｍと、ミラー32に入射される反射光の光
軸ｎとの交点すなわち曲折点検出装置30の原点O2は、ワ
イヤ先端の位置O1から一定距離（例えば15mm）離して設
定しており、撮像素子36の有効視野（例えば±10mm）内
にワイヤ７の先端位置、すなわち溶接中におけるアーク
光が直接入らないようにしている。さらに、検出光学系
10を回転中心軸ｌを軸として回転させると、O1からO2ま
での距離を一定に保ち、さらに母材40の表面に対する溶
接位置検出装置10の相対的な姿勢もほぼ一定に保つた状
態で検出方向を変更することが可能となつており、これ
によつて、溶接線の検出位置は、回転中心軸ｌを中心と
した同心円状の任意の位置に選定することが可能とな
る。
リツト光の光軸ｍと、ミラー32に入射される反射光の光
軸ｎとの交点すなわち曲折点検出装置30の原点O2は、ワ
イヤ先端の位置O1から一定距離（例えば15mm）離して設
定しており、撮像素子36の有効視野（例えば±10mm）内
にワイヤ７の先端位置、すなわち溶接中におけるアーク
光が直接入らないようにしている。さらに、検出光学系
10を回転中心軸ｌを軸として回転させると、O1からO2ま
での距離を一定に保ち、さらに母材40の表面に対する溶
接位置検出装置10の相対的な姿勢もほぼ一定に保つた状
態で検出方向を変更することが可能となつており、これ
によつて、溶接線の検出位置は、回転中心軸ｌを中心と
した同心円状の任意の位置に選定することが可能とな
る。
第６図は、第１図および第２図に示した溶接位置検出装
置が適用された全自動アーク溶接ロボツトの一例の構成
図、また第７図は、溶接母材が重ね継手である場合に撮
像素子36から得られる２次元の反射像の一例を示したも
のである。母材40が重ね継手である場合、第７図に示し
たＺ形の反射像が得られる。溶接中には、溶接アーク光
を光源とした像がＺ形の反射像に重畳されるが、光学シ
ヤツターの開，閉の比率が1:dであるため、その光量は
連続的に入射する場合の1/dに減光され、Ｚ形の反射像
の背景に対するSN比は向上する。この時、撮像素子36の
出力が、溶接アーク光を光源とする像により飽和するこ
とも防げ、検出感度が低下することもない。このＺ形の
反射像中の線分 は、下側の板の上面で生成される反射像、又、線分 は上側板の端面及び上面で各々生成される反射像であ
り、線分 の交点Q2が溶接線の位置を示す。第６図に示した画像処
理装置100は、撮像素子36から得られる反射像を処理
し、この交点Q2を求める。そして、光照射装置20の配
置，曲折点検出装置30の配置および撮像倍率を基に、撮
像素子36上での交点位置Q2のデータを変換して支持軸５
上で設定した座標系における溶接位置の三次元座標デー
タを求め、これをロボツト制御装置150に検出データと
して転送する。
置が適用された全自動アーク溶接ロボツトの一例の構成
図、また第７図は、溶接母材が重ね継手である場合に撮
像素子36から得られる２次元の反射像の一例を示したも
のである。母材40が重ね継手である場合、第７図に示し
たＺ形の反射像が得られる。溶接中には、溶接アーク光
を光源とした像がＺ形の反射像に重畳されるが、光学シ
ヤツターの開，閉の比率が1:dであるため、その光量は
連続的に入射する場合の1/dに減光され、Ｚ形の反射像
の背景に対するSN比は向上する。この時、撮像素子36の
出力が、溶接アーク光を光源とする像により飽和するこ
とも防げ、検出感度が低下することもない。このＺ形の
反射像中の線分 は、下側の板の上面で生成される反射像、又、線分 は上側板の端面及び上面で各々生成される反射像であ
り、線分 の交点Q2が溶接線の位置を示す。第６図に示した画像処
理装置100は、撮像素子36から得られる反射像を処理
し、この交点Q2を求める。そして、光照射装置20の配
置，曲折点検出装置30の配置および撮像倍率を基に、撮
像素子36上での交点位置Q2のデータを変換して支持軸５
上で設定した座標系における溶接位置の三次元座標デー
タを求め、これをロボツト制御装置150に検出データと
して転送する。
ロボツト制御装置150は、溶接中画像処理装置100に検出
を指令すると同時に各回転軸の角度情報を記憶し、上述
の手順を経て処理装置から転送されたデータを指令時に
記憶した角度情報を用いて座標変換し溶接の目標位置と
してメモリ内に順次記憶し、現在位置に先行して得られ
たこの検出データすなわち溶接線の位置情報を用いて、
溶接トーチ１の倣い制御を行う。
を指令すると同時に各回転軸の角度情報を記憶し、上述
の手順を経て処理装置から転送されたデータを指令時に
記憶した角度情報を用いて座標変換し溶接の目標位置と
してメモリ内に順次記憶し、現在位置に先行して得られ
たこの検出データすなわち溶接線の位置情報を用いて、
溶接トーチ１の倣い制御を行う。
以上説明したように、本発明によれば溶接アーク光を光
源とした像のみを感光することができるので、溶接中に
も光照射装置で形成した反射像の曲折点を検出し、溶接
トーチを溶接線に正確に倣わせ溶接することができると
いう効果がある。
源とした像のみを感光することができるので、溶接中に
も光照射装置で形成した反射像の曲折点を検出し、溶接
トーチを溶接線に正確に倣わせ溶接することができると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例の主要部構成斜視図、第２図
および第３図は第１図図示実施例を適用してなる要部構
成図、第４図は、第１図図示実施例の動作タイミングを
示す図、第５図は回路ブロツク図、第６図は、第１図図
示実施例を適用してなる溶接ロボツドの全体構成図、第
７図は、溶接線の検出方法を示す図である。 10……検出光学系、20……光照射装置、30……曲折点検
出装置。
および第３図は第１図図示実施例を適用してなる要部構
成図、第４図は、第１図図示実施例の動作タイミングを
示す図、第５図は回路ブロツク図、第６図は、第１図図
示実施例を適用してなる溶接ロボツドの全体構成図、第
７図は、溶接線の検出方法を示す図である。 10……検出光学系、20……光照射装置、30……曲折点検
出装置。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ及び半導体レーザの点灯を制
御する半導体レーザ駆動回路と、前記半導体レーザより
出たレーザをシート状の光束に変換し被溶接物表面上に
照射して物体上に光切断像を形成する照射用光学系と、
前記光切断像を撮像素子上に集光する観測用光学系と、
前記物体からの反射光が前記撮像素子に到達する光路上
に配設され、反射光の透過と遮光を切り替える光学的シ
ャッタ機構と、前記光学的シャッタ機構の透過と遮光を
制御するシャッタ駆動回路と、前記光学的シャッタ機構
における反射光透過制御信号にもとづいて前記半導体レ
ーザが点灯するように前記半導体レーザ駆動回路とシャ
ッタ駆動回路を制御する同期制御回路と、前記半導体レ
ーザの点灯によって得られる撮像素子の出力信号を処理
して溶接線の位置を検出する画像処理回路とを備えたこ
とを特徴とする溶接位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4028587A JPH074668B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 溶接位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4028587A JPH074668B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 溶接位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63212073A JPS63212073A (ja) | 1988-09-05 |
| JPH074668B2 true JPH074668B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=12576338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4028587A Expired - Lifetime JPH074668B2 (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 溶接位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH074668B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797021B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1995-10-18 | 株式会社豊田中央研究所 | ３次元形状計測装置 |
| CN109759753B (zh) * | 2019-02-12 | 2021-10-22 | 北京斯达峰控制技术有限公司 | 激光测距焊缝跟踪器及智能焊接系统 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP4028587A patent/JPH074668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63212073A (ja) | 1988-09-05 |
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