JPH0745954Y2 - 石英炉芯管装置 - Google Patents
石英炉芯管装置Info
- Publication number
- JPH0745954Y2 JPH0745954Y2 JP1988169994U JP16999488U JPH0745954Y2 JP H0745954 Y2 JPH0745954 Y2 JP H0745954Y2 JP 1988169994 U JP1988169994 U JP 1988169994U JP 16999488 U JP16999488 U JP 16999488U JP H0745954 Y2 JPH0745954 Y2 JP H0745954Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace core
- gas
- mixing chamber
- quartz furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体装置製造の拡散炉石英炉芯管に関し、
特に石英炉芯管の反応ガス導入部に関する。
特に石英炉芯管の反応ガス導入部に関する。
従来、この種の石英炉芯管は、第3図の側面図に示すよ
うに、反応ガスを炉芯管5内に導入させる際に、拡散種
ガス(本例ではBCl3)とN2キャリアー,O2及びH2ガスと
の接触混合する配管部分9は、細くかつ何んの仕かけも
ない単なる配管となっていた。
うに、反応ガスを炉芯管5内に導入させる際に、拡散種
ガス(本例ではBCl3)とN2キャリアー,O2及びH2ガスと
の接触混合する配管部分9は、細くかつ何んの仕かけも
ない単なる配管となっていた。
上述した従来の石英炉芯管装置は、種々の拡散種ガスを
N2キャリアーガスでO2及びH2ガス等とともに炉芯管内に
導入する際に、ガス相互が接触混合する配管が簡素なた
め、十分に混合されずに炉芯管高温部にあるシリコンウ
ェハーに到達するという欠点がある。そのため、シリコ
ンウェハーで層抵抗の面内及びバッチ内のばらつきの原
因になってしまうという問題を引き起こす。
N2キャリアーガスでO2及びH2ガス等とともに炉芯管内に
導入する際に、ガス相互が接触混合する配管が簡素なた
め、十分に混合されずに炉芯管高温部にあるシリコンウ
ェハーに到達するという欠点がある。そのため、シリコ
ンウェハーで層抵抗の面内及びバッチ内のばらつきの原
因になってしまうという問題を引き起こす。
本考案の石英炉芯管装置は、不純物拡散プロセスで使用
される石英炉芯管装置において、炉芯管本体のガス導入
部にガス混合室を設け、前記ガス混合室を遮へい部によ
り2室に分離し、前記炉芯管本体より遠い方の室には、
その上部に少なくとも拡散種を含む第1の反応ガスを導
入する第1のガス導入口を設置し、下部には酸素を含む
第2の反応ガスを導入する第2のガス導入口を設置した
ことを特徴とする。
される石英炉芯管装置において、炉芯管本体のガス導入
部にガス混合室を設け、前記ガス混合室を遮へい部によ
り2室に分離し、前記炉芯管本体より遠い方の室には、
その上部に少なくとも拡散種を含む第1の反応ガスを導
入する第1のガス導入口を設置し、下部には酸素を含む
第2の反応ガスを導入する第2のガス導入口を設置した
ことを特徴とする。
次に、本考案について図面を参照して説明する。
第1図(a)は本考案の第1の実施例の縦断面図、同図
(b)は同図(a)のA−A断面図である。第1図
(a)と(b)において、反応ガス,リン拡散の場合は
(POCl3+N2)とO2、ボロン拡散の場合はBCl3と(O2+H
2+N2)ガスがそれぞれノズル2,3より混合室1に入る。
そして、混合室1の内部には、多数の空孔から成る遮へ
い板4が設けられ、遮へい板4によって混合室1の前
部,後部間が遮へいされ、そこで各ガスが接触混合した
後で炉芯管本体5へ送られる様にする。また、継手6
は、テフロン製であり、石英製の混合室1と炉芯管本体
5とを接続して、取りはずしが可能な構造となってい
る。
(b)は同図(a)のA−A断面図である。第1図
(a)と(b)において、反応ガス,リン拡散の場合は
(POCl3+N2)とO2、ボロン拡散の場合はBCl3と(O2+H
2+N2)ガスがそれぞれノズル2,3より混合室1に入る。
そして、混合室1の内部には、多数の空孔から成る遮へ
い板4が設けられ、遮へい板4によって混合室1の前
部,後部間が遮へいされ、そこで各ガスが接触混合した
後で炉芯管本体5へ送られる様にする。また、継手6
は、テフロン製であり、石英製の混合室1と炉芯管本体
5とを接続して、取りはずしが可能な構造となってい
る。
第2図(a)は本考案の第2の実施例の縦断面図、同図
(b)は同図(a)のA−A線断面図である。第2図
(a),(b)において、本例は第1図の第1実施例に
比べた場合、遮へい板8は上壁および下壁から交互に衝
立て状に中心部に突き出された複数の衝立板から形成さ
れていることに違いがあり、その他は同じであって、本
例では混合室7内での反応ガスの保持範囲が第1実施例
より長くなるため、より混合の割合が高められるという
利点がある。
(b)は同図(a)のA−A線断面図である。第2図
(a),(b)において、本例は第1図の第1実施例に
比べた場合、遮へい板8は上壁および下壁から交互に衝
立て状に中心部に突き出された複数の衝立板から形成さ
れていることに違いがあり、その他は同じであって、本
例では混合室7内での反応ガスの保持範囲が第1実施例
より長くなるため、より混合の割合が高められるという
利点がある。
以上説明したように本考案は、石英炉芯管本体の反応ガ
ス導入口に、反応ガスの混合室を設けることにより、従
来型よりも混合度の高い反応ガスを石英炉芯管本体内に
導入できる。それによって、同一温度の拡散において
も、より活性度の高く、均一な反応ガスをシリコンウェ
ハーに触れさせることができるため、層抵抗等の面内及
びバッチ内のばらつきをより一層低減できる効果があ
る。また、混合室と炉芯管本体と継手で接続することに
より、炉芯管本体から混合室がとりはずし可能とする。
これによって、炉芯管本体の種類と形状により、混合室
を様々に交換できる。さらに、炉芯管本体、混合室の洗
浄時の取扱いがしやすくなるという付随的効果もある。
ス導入口に、反応ガスの混合室を設けることにより、従
来型よりも混合度の高い反応ガスを石英炉芯管本体内に
導入できる。それによって、同一温度の拡散において
も、より活性度の高く、均一な反応ガスをシリコンウェ
ハーに触れさせることができるため、層抵抗等の面内及
びバッチ内のばらつきをより一層低減できる効果があ
る。また、混合室と炉芯管本体と継手で接続することに
より、炉芯管本体から混合室がとりはずし可能とする。
これによって、炉芯管本体の種類と形状により、混合室
を様々に交換できる。さらに、炉芯管本体、混合室の洗
浄時の取扱いがしやすくなるという付随的効果もある。
第1図(a)は本考案の第1の実施例の縦断面図、同図
(b)は同図(a)のA−A断面図、第2図(a)は本
考案の第2の実施例の縦断面図、同図(b)は同図
(a)のA−A断面図、第3図は従来の炉芯管の側面図
である。 1,7……混合室、2,3……ノズル、4,8……遮へい板、5
……炉芯管本体、6……継手、9……配管。
(b)は同図(a)のA−A断面図、第2図(a)は本
考案の第2の実施例の縦断面図、同図(b)は同図
(a)のA−A断面図、第3図は従来の炉芯管の側面図
である。 1,7……混合室、2,3……ノズル、4,8……遮へい板、5
……炉芯管本体、6……継手、9……配管。
Claims (1)
- 【請求項1】不純物拡散プロセスで使用される石英炉芯
管装置において、炉芯管本体のガス導入部にガス混合室
を設け、前記ガス混合室を遮へい部により2室に分離
し、前記炉芯管本体より遠い方の室には、その上部に少
なくとも拡散種を含む第1の反応ガスを導入する第1の
ガス導入口を設置し、下部には酸素を含む第2の反応ガ
スを導入する第2のガス導入口を設置したことを特徴と
する石英炉芯管装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988169994U JPH0745954Y2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 石英炉芯管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988169994U JPH0745954Y2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 石英炉芯管装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0289828U JPH0289828U (ja) | 1990-07-17 |
JPH0745954Y2 true JPH0745954Y2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=31460550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988169994U Expired - Lifetime JPH0745954Y2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 石英炉芯管装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0745954Y2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59104123A (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-15 | Toshiba Corp | 不純物拡散装置 |
JPS6273535U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-11 | ||
JPS62278273A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
JPS63200537A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | Canon Inc | 酸化シリコン膜形成装置 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP1988169994U patent/JPH0745954Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0289828U (ja) | 1990-07-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |