JPH0741997A

JPH0741997A - 電着めっき装置及び電着めっき方法

Info

Publication number: JPH0741997A
Application number: JP20842093A
Authority: JP
Inventors: Kazutoshi Asada; 和敏麻田; Tetsuo Endo; 哲雄遠藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-07-31
Filing date: 1993-07-31
Publication date: 1995-02-10

Abstract

(57)【要約】【目的】被めっき体である薄膜ウェハーに、めっき膜
厚及びめっき膜質がその表面上で均一となるように電着
めっきを施す。【構成】電着めっき装置を、めっき槽１と、このめっ
き槽１中のめっき浴に侵漬されて配置された陽極部２，
陰極部である薄膜ウェハー３，及びめっき液を攪拌する
ための攪拌手段４と、めっき槽１の外部に設けられた電
源５及び磁界発生手段６とから構成する。そして、この
攪拌手段４を、回転軸Ｌを中心として放射状に複数の回
転翼１１を有し、上部及び下部に強度を補強するための
円盤１２ａ及び１２ｂが設けられた、いわゆる水車型形
状に形成して構成する。この攪拌手段４においては、そ
の高さＨを薄膜ウェハー３の高さ方向の長さｈよりも大
きく（Ｈ＞ｈ）形成する。そして、攪拌手段４は、めっ
き槽１のほぼ中央に配置され、攪拌手段４の上端の延長
線ａと下端の延長線ｂとの間の領域に薄膜ウェハー３が
設置される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電着反応によって、例
えば磁気ヘッド用の薄膜ウェハーにめっき層を形成する
電着めっき装置及び電着めっき方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電着反応によって薄膜ウェハー
に電着めっきを施してこの薄膜ウェハーにめっき層を形
成する際、膜厚及び膜質を上記薄膜ウェハー面上で均一
にすることが重要である。

【０００３】電着めっきのプロセスにおける主な制御要
素は、めっき浴の組成，陽極部の寸法、形状及び設置箇
所，被めっき体である陰極部の設置箇所，めっき温度，
めっき電流，めっき浴のｐＨ，及び上記めっき浴の攪拌
である。この攪拌によって、上記めっき浴に流れが生
じ、上記陰極部における物質交換が促進される。

【０００４】従来の、例えば磁気ヘッド用薄膜ウェハー
にパーマロイめっきを施すための電着めっき装置は、図
６に示すように、めっき槽１０１と、このめっき槽１０
１中のめっき浴に浸漬された陽極部１０２，陰極部であ
る薄膜ウェハー１０３，及びめっき浴を攪拌するための
回転翼１０４と、めっき槽１０１の外部に設けられた電
源１０５及び磁界発生手段１０６とから構成されてい
る。

【０００５】なお、攪拌手段として回転翼１０４を用い
るのは、以下の理由によるものである。即ち、パーマロ
イのめっきを施す際に、めっき膜に異方性をつける必要
性から、被めっき体に磁場を印加しなければならない。
従ってこの場合、通常の薄膜ウェハーのめっきのように
基板回転と空気攪拌との組合せが使用できないために、
攪拌手段として回転翼１０４を用いる。

【０００６】電源１０５を用いて、陽極部１０２及び薄
膜ウェハー１０３に電流を流すと、めっき浴内で還元反
応が起こる。この薄膜ウェハー１０３における還元反応
は、以下の反応式で示される。

【０００７】Ｍ⁺＋ｍｅ^-→Ｍ（Ｍ：金属元素，ｅ：電子，ｍ：価数）・・・（１）２Ｈ⁺＋２ｅ^-→Ｈ₂↑ （Ｈ：水素）・・・（２）

【０００８】この還元反応により、陰極部である薄膜ウ
ェハー１０３の表面に金属が析出し、めっき膜が形成さ
れる。なお、合金の電着めっきでは、複数の金属の
（１）式で示される析出反応が同時に生じている。
（１）式に示すように、薄膜ウェハー１０３の表面上及
びその近傍では陽イオン（金属イオン）が消費されるた
め、上記めっき浴中で陽イオンの濃度勾配が生じる。図
７に示すように、めっき浴中において陽イオンの濃度勾
配が生じている部分δは、陽イオンのめっき浴中の移動
度、即ち拡散により決定されるために、便宜的に拡散層
と称されている。

【０００９】この電着めっきのプロセスの際に、上述の
還元反応の反応速度を増大させるために、回転翼１０４
により上記めっき浴を攪拌する。即ち、回転翼１０４を
軸Ｌを中心として例えば矢印Ｍの方向に回転させること
によって、上記めっき浴に液流が生じる。そのため、陰
極部である薄膜ウェハー１０３における物質交換が促進
され、めっき膜の形成速度が増大する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、回転翼
１０４により上記めっき浴を攪拌することで上記めっき
浴に生じる液流の流速は、陰極部である薄膜ウェハー１
０３の表面上の位置において、その中心部付近と上下両
端部付近とでは異なる値となる。この攪拌ムラに応じ
て、（１）式に示す上記陽イオンの反応速度も、薄膜ウ
ェハー１０３の表面上の位置によって異なる値となる。
従って、陽極部１０２における（２）式に示す反応の速
度も変化するため、金属の析出と水素の発生の速度比が
変わり、陰極部である薄膜ウェハー１０３に生じるめっ
き膜厚が不均一となる。また、合金の電着めっきでは、
めっき膜の成分金属比、即ちめっき膜質が不均一とな
る。

【００１１】上述の薄膜ウェハー１０３の膜厚及び膜質
の不均一の原因となる要素としては、上記攪拌ムラと、
陽極部１０２及び薄膜ウェハー１０３に流れる電着めっ
き電流の密度分布の不均一とがある。この電着めっき電
流の密度分布の不均一の度合は、陽極部１０２及び薄膜
ウェハー１０３の形状、寸法及びめっき槽１０１内にお
ける配置でほぼ決定される。これらを制御することは比
較的容易であるため、さほど問題ではない。ところが、
上記攪拌ムラについては、この攪拌ムラの度合がめっき
槽１０１全体の形状に関わるために装置依存性が大きい
こと、及び攪拌状態の定量的評価が困難であることによ
り、未だ決定的な解決手法が得られていない。

【００１２】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、被めっき体に、め
っき膜厚及びめっき膜質がその表面上で均一となるよう
に電着めっきを施すことができ、被めっき体の品質の信
頼性、及びその歩溜りを大幅に向上させることが可能と
なる電着めっき装置及び電着めっき方法を提供すること
にある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、めっき槽１
と、該めっき槽１中のめっき浴内に薄膜ウェハー３、陽
極部２、及び攪拌手段４が浸漬され、薄膜ウェハー３と
陽極部２との電着反応によって、薄膜ウェハー３表面上
にめっき層を形成する電着めっき装置及び電着めっき方
法において、攪拌手段４を、短冊形状の回転翼を複数配
置することにより構成し、その高さ方向の長さが薄膜ウ
ェハー３の高さ方向の長さ以上に形成する。

【００１４】この場合、攪拌手段４を、上記めっき槽中
で、上端の延長線と下端の延長線間に薄膜ウェハー３が
含まれる位置に設置してもよい。

【００１５】またこの場合、攪拌手段を、その横方向の
長さが薄膜ウェハー３の横方向の長さ以上にしてもよ
い。

【００１６】また、本発明は、攪拌手段４を薄膜ウェハ
ー３の左右に設置し、各攪拌手段４と薄膜ウェハー３の
周囲に複数の整流板を配置して構成してもよい。

【００１７】この場合、攪拌手段４を薄膜ウェハー３の
左右に設置し、各攪拌手段４から薄膜ウェハー３に亘る
周囲に第１の整流板７を配置し、各攪拌手段間に第２の
整流板８を配置してもよい。

【００１８】またこの場合、陽極部２を、薄膜ウェハー
３の左右に設置された攪拌手段４の間に第２の整流板８
と共に配置してもよい。

【００１９】また、本発明は、めっき槽１と、該めっき
槽１中のめっき浴内に薄膜ウェハー３、陽極部２、及び
攪拌手段４が浸漬され、薄膜ウェハー３と上記陽極部と
の電着反応によって、薄膜ウェハー３にめっき層を形成
する電着めっき方法において、攪拌手段として、短冊形
状の回転翼が複数配置され、その高さ方向の長さが薄膜
ウェハー３の高さ方向の長さ以上である攪拌手段４を用
いて、薄膜ウェハー３にめっき層を形成する。

【００２０】この場合、攪拌手段４を、めっき槽１中
で、上端の延長線と下端の延長線間に薄膜ウェハー３が
含まれる位置に設置して、薄膜ウェハー３にめっき層を
形成してもよい。

【００２１】またこの場合、攪拌手段として、その横方
向の長さが薄膜ウェハー３の横方向の長さ以上とされた
攪拌手段９を用いて、薄膜ウェハー３にめっき層を形成
してのよい。

【００２２】また、本発明は、攪拌手段４を、薄膜ウェ
ハー３の左右に設置し、各攪拌手段４と薄膜ウェハー３
の周囲に複数の整流板が配置して、薄膜ウェハー３にめ
っき層を形成してもよい。

【００２３】この場合、攪拌手段４を、薄膜ウェハー３
の左右に設置し、各攪拌手段４から薄膜ウェハー３に亘
る周囲に第１の整流板７を配置し、各攪拌手段４間に第
２の整流板８を配置して、薄膜ウェハー３にめっき層を
形成してもよい。

【００２４】またこの場合、陽極部２を、薄膜ウェハー
３の左右に設置された攪拌手段４の間に上記第２の整流
板８と共に配置して、薄膜ウェハー３にめっき層を形成
してもよい。

【００２５】

【作用】本発明に係る電着めっき装置及び電着めっき方
法においては、攪拌手段４を用いてめっき浴を攪拌する
ことで、めっき浴中の広い領域で流速が均一となる液流
が生じる。従って、この領域に薄膜ウェハー３を配置す
ることで、薄膜ウェハー３の表面上におけるめっき浴の
流速を、この薄膜ウェハー３の表面全体に亘って均一に
保ってめっき浴を攪拌しながら、この薄膜ウェハー３に
電着めっきを施すことが可能となる。

【００２６】また、攪拌手段を、更にその横方向の長さ
が薄膜ウェハー３の横方向の長さ以上である攪拌手段９
とすることで、薄膜ウェハー３の表面上におけるめっき
浴の流速を、この薄膜ウェハー３の表面全体に亘って更
に均一に保ちながらめっき浴を攪拌することが可能とな
る。

【００２７】更に、２基の攪拌手段４を設置し、各攪拌
手段４から薄膜ウェハー３に亘る周囲に第１の整流板７
を配置し、各攪拌手段４の近傍にそれぞれ第２の整流板
８を１枚づつ配置して、各攪拌手段４を用いてめっき浴
を攪拌することで、第１の整流板７によってめっき浴の
液流がよりスムーズとなる領域が生じ、更に第２の整流
板８によって上記領域における液流方向がより均一なも
のとなる。即ち、めっき浴中の上記領域で更に安定した
上記液流が生じることとなる。従って、この領域に薄膜
ウェハー３を設置することで、薄膜ウェハー３の表面上
におけるめっき浴の流速を、この薄膜ウェハー３の表面
全体に亘って更に均一に保ってめっき浴を攪拌しなが
ら、この薄膜ウェハー３に電着めっきを施すことが可能
となる。

【００２８】またこの場合、陽極部２を、薄膜ウェハー
３の左右に設置された２基の攪拌手段４の間に第２の整
流板８と共に配置することで、２基の攪拌手段４間に、
第２の整流板８に沿っためっき浴の流路がほぼ完全に形
成される。従って、薄膜ウェハー３の表面上におけるめ
っき浴の流速を、この薄膜ウェハー３の表面全体に亘っ
て更に均一に保ちながらめっき浴を攪拌しながら、この
薄膜ウェハー３に電着めっきを施すことが可能となる。

【００２９】

【実施例】以下、本発明に係る電着めっき装置及び電着
めっき方法をパーマロイのめっきに適用したいくつかの
実施例を図１〜５を参照しながら説明する。

【００３０】まず、第１実施例に係る電着めっき装置
は、図１に示すように、めっき槽１と、このめっき槽１
中のめっき浴に浸漬されて配置された陽極部２，陰極部
である薄膜ウェハー３，及びめっき浴を攪拌するための
攪拌手段４と、めっき槽１の外部に設けられた電源５及
び磁界発生手段６とから構成されている。

【００３１】この攪拌手段４においては、その高さＨが
薄膜ウェハー３の高さ方向の長さｈよりも大きく（Ｈ＞
ｈ）形成されている。そして、攪拌手段４は、めっき槽
１のほぼ中央に配置され、攪拌手段４の上端の延長線ａ
と下端の延長線ｂとの間の領域に薄膜ウェハー３が設置
される。また、陽極部２は、攪拌手段４に対して薄膜ウ
ェハー３のほぼ対称な位置に配置される。

【００３２】攪拌手段４は、図２に示すように、回転軸
Ｌを中心として放射状に複数（図示の例では４枚）の回
転翼１１を有し、上部及び下部に強度を補強するための
円盤１２ａ及び１２ｂが設けられた、いわゆる水車型形
状に形成されて構成されている。

【００３３】上記第１実施例に係る電着めっき方法にお
いては、先ず電源５を用いて、陽極部２及び薄膜ウェハ
ー３に電流を流すことにより、めっき浴内で還元反応が
起こり、薄膜ウェハー３の表面にパーマロイが析出す
る。またそれと同時に、磁界発生手段６を用いて、薄膜
ウェハー３に磁場を印加することによって、薄膜ウェハ
ー３の表面に析出したパーマロイに磁気的異方性が与え
られる。このようにして、薄膜ウェハー３の表面に、磁
気的異方性を有するパーマロイのめっき膜が形成され
る。

【００３４】この電着めっきのプロセスの際に、上述の
還元反応の反応速度を増大させるために、攪拌手段４に
より上記めっき浴を攪拌する。即ち、攪拌手段４を軸Ｌ
を中心として例えば矢印Ｍの方向に回転させることによ
って、上記めっき浴に液流が生じる。そのため、陰極部
である薄膜ウェハー３における物質交換が促進され、め
っき膜の形成速度が増大する。

【００３５】上記第１実施例に係る電着めっき装置及び
電着めっき方法においては、攪拌手段４を用いてめっき
浴を攪拌することで、めっき浴中の広い領域で流速が均
一となる液流が生じる。従って、この領域に薄膜ウェハ
ー３を配置することで、薄膜ウェハー３の表面上におけ
るめっき浴の流速を、この薄膜ウェハー３の表面全体に
亘って均一に保ってめっき浴を攪拌しながら、この薄膜
ウェハー３に電着めっきを施すことが可能となる。

【００３６】従って、薄膜ウェハー３の表面上における
パーマロイの析出と陽極部２における水素の発生の速度
比が一定となり、薄膜ウェハー３の表面全体に亘って更
に均一な膜厚を有するめっき膜が形成される。更に、上
記めっき浴の流速が均一な領域では、そのめっき浴の成
分比も一定となっている。従って、上述のように形成さ
れためっき膜は、その膜質も薄膜ウェハー３の表面全体
に亘って均一となる。即ち、上記第１実施例に係る電着
めっき装置を用いて薄膜ウェハー３に電着めっきを施す
ことによって、薄膜ウェハー３の表面全体に亘って均一
な膜厚及び膜質を有するめっき膜を形成することが可能
となる。

【００３７】ここで、一つの実験例を示す。この実験例
は、従来例及び上記第１実施例に係る電着めっき装置及
び電着めっき方法（以下、単に従来例及び上記第１実施
例と記す）によって薄膜ウェハーにパーマロイめっきを
施した際の、上記薄膜ウェハーの表面に形成されたパー
マロイのめっき膜中のフェライトの含有量の最大値（以
下、Ｍと記す）及び最小値（以下、ｍと記す）をモル％
を単位として測定したものである。

【００３８】この実験例によれば、従来例では、Ｍ＝２
２．１８，ｍ＝１６．６３であり、ばらつきを示す値Ｓ
を、Ｓ＝Ｍ−ｍで定義すると、Ｓ＝５．５５であった。
また、上記第１実施例では、Ｍ＝１８．３７，ｍ＝１
６．２０であり、Ｓ＝２．１７であった。従来例と上記
第１実施例とを比較すると、ばらつきを示す値Ｓは、上
記第１実施例では従来例の半分以下となっている。即
ち、上記第１実施例によって上記薄膜ウェハーの表面に
形成されたパーマロイのめっき膜の膜質は、従来例のそ
れに比べて２倍以上の向上を示すことがわかる。

【００３９】次に、上記第１実施例の変形例Ａを、図３
を参照しながら説明する。なお、図１及び図２と対応す
るものについては同符号を記す。

【００４０】この変形例Ａは、上記第１実施例とほぼ同
様の構成を有するが、図３に示すように、攪拌手段を、
更にその横方向の長さが薄膜ウェハー３の横方向の長さ
以上である攪拌手段９とする点で異なる。

【００４１】この変形例Ａにおいては、薄膜ウェハー３
の表面上におけるめっき浴の流速を、この薄膜ウェハー
３の表面全体に亘って更に均一に保ちながらめっき浴を
攪拌することが可能となる。

【００４２】従って、薄膜ウェハー３の表面上における
パーマロイの析出と陽極２における水素の発生の速度比
が一定となり、薄膜ウェハー３の表面全体に亘って更に
均一な膜厚を有するめっき膜が形成される。更に、上記
めっき浴の流速が均一な領域では、そのめっき浴の成分
比も一定となっている。従って、上述のように形成され
ためっき膜は、その膜質も薄膜ウェハー３の表面全体に
亘って均一となる。即ち、上記変形例Ａに係る電着めっ
き装置を用いて薄膜ウェハー３に電着めっきを施すこと
によって、薄膜ウェハー３の表面全体に亘って更に均一
な膜厚及び膜質を有するめっき膜を形成することが可能
となる。

【００４３】次に、第２実施例に係る電着めっき装置及
び電着めっき方法について、図４を参照しながら説明す
る。なお、図１と対応するものについては同符号を記
す。

【００４４】この第２実施例に係る電着めっき装置は、
上記第１実施例とほぼ同様の構成を有するが、図４に示
すように、めっき槽１中のめっき浴に浸漬されて配置さ
れた攪拌手段４が２基である点と、めっき槽１中に第１
及び第２の整流板７及び８が設置されている点とで異な
る。

【００４５】めっき槽１中で、２基の攪拌手段４は、図
中で左右上方に設置され、第１の整流板７は、各攪拌手
段４から薄膜ウェハー３に亘る周囲に配置され、第２の
整流板８は、各攪拌手段４の近傍にそれぞれ１枚づつ配
置され、陽極部２は、図中で下方中央に設置されてい
る。薄膜ウェハー３は、図中で上方中央に、第１の整流
板７に片面（めっきを施さない面）を対向させて設置さ
れている。

【００４６】そして、上記第２実施例に係る電着めっき
方法においては、上記第１実施例と同様にして、薄膜ウ
ェハー３の表面に、磁気的異方性を有するパーマロイの
めっき膜が形成される。

【００４７】上記第２実施例に係る電着めっき装置及び
電着めっき方法においては、各攪拌手段４を用いてめっ
き浴を攪拌することで、第１の整流板７によってめっき
浴の液流がよりスムーズとなる領域が生じ、更に第２の
整流板８によって上記領域における液流方向がより均一
なものとなる。即ち、めっき浴中の上記領域で更に安定
した上記液流が生じることとなる。従って、この領域に
薄膜ウェハー３を設置することで、薄膜ウェハー３の表
面上におけるめっき浴の流速を、この薄膜ウェハー３の
表面全体に亘って更に均一に保ってめっき浴を攪拌しな
がら、この薄膜ウェハー３に電着めっきを施すことが可
能となる。

【００４８】このことから、薄膜ウェハー３の表面上に
おけるパーマロイの析出と陽極２における水素の発生の
速度比が一定となり、薄膜ウェハー３の表面全体に亘っ
て更に均一な膜厚を有するめっき膜が形成される。更
に、上記めっき浴の流速が均一な領域では、そのめっき
浴の成分比も一定となっている。その結果、上述のよう
に形成されためっき膜は、その膜質も薄膜ウェハー３の
表面全体に亘って均一となる。即ち、上記第２実施例に
係る電着めっき装置を用いて薄膜ウェハー３に電着めっ
きを施すことによって、薄膜ウェハー３の表面全体に亘
って更に均一な膜厚及び膜質を有するめっき膜を形成す
ることが可能となる。

【００４９】ここで、上記第１実施例で示した実験例と
同じ実験例を、上記第２実施例に係る電着めっき装置及
び電着めっき方法（以下、単に上記第２実施例と記す）
によって行った際の測定結果は、Ｍ＝１９．４４，ｍ＝
１８．７８であり、Ｓ＝０．６６であった。従来例（Ｍ
＝２２．１８，ｍ＝１６．６３，Ｓ＝５．５５）と上記
第２実施例とを比較すると、ばらつきを示す値Ｓは、上
記第２実施例では従来例の１／８以下となっている。即
ち、上記第２実施例によって上記薄膜ウェハーの表面に
形成されたパーマロイのめっき膜の膜質は、従来例のそ
れに比べて８倍以上の向上を示すことがわかる。

【００５０】次に、上記第２実施例の変形例Ｂを、図５
を参照しながら説明する。なお、図４と対応するものに
ついては同符号を記す。

【００５１】この変形例Ｂは、上記第２実施例とほぼ同
様の構成を有するが、めっき槽１中で、２基の攪拌手段
４の間をほぼ閉塞するように第２の整流板８が設置され
ている点と、陽極部２が、この第２の整流板８に片面を
対向させて設置されている点とで異なる。

【００５２】この変形例Ｂにおいては、２基の攪拌手段
４間に、整流板８に沿ってめっき浴の流路がほぼ完全に
形成される。従って、薄膜ウェハー３の表面上における
めっき浴の流速を、この薄膜ウェハー３の表面全体に亘
って更に均一に保ちながらめっき浴を攪拌しながら、こ
の薄膜ウェハー３に電着めっきを施すことが可能とな
る。

【００５３】このことから、薄膜ウェハー３の表面上に
おけるパーマロイの析出と陽極２における水素の発生の
速度比が一定となり、薄膜ウェハー３の表面全体に亘っ
て更に均一な膜厚を有するめっき膜が形成される。更
に、上記めっき浴の流速が均一な領域では、そのめっき
浴の成分比も一定となっている。その結果、上述のよう
に形成されためっき膜は、その膜質も薄膜ウェハー３の
表面全体に亘って均一となる。即ち、上記変形例Ｂに係
る電着めっき装置を用いて薄膜ウェハー３に電着めっき
を施すことによって、薄膜ウェハー３の表面全体に亘っ
て更に均一な膜厚及び膜質を有するめっき膜を形成する
ことが可能となる。

【００５４】なお、本発明に係る電着めっき装置及び電
着めっき方法は、上記第１及び第２実施例のようにパー
マロイの電着めっきのみに適用が限定されることはな
く、その電着機構から、他のあらゆる電着めっきにも応
用可能である。

【００５５】

【発明の効果】本発明に係る電着めっき装置によれば、
めっき槽と、該めっき槽中のめっき浴内に被めっき体、
陽極部、及び攪拌手段が浸漬され、上記被めっき体と上
記陽極部との電着反応によって、上記被めっき体にめっ
き層を形成する電着めっき装置において、上記攪拌手段
を、短冊形状の回転翼を複数配置し、その高さ方向の長
さが上記被めっき体の高さ方向の長さ以上にしたので、
上記被めっき体にめっき膜厚及びめっき膜質がその表面
上で均一となるように電着めっきを施すことができ、上
記被めっき体の品質の信頼性、及びその歩溜りを大幅に
向上させることが可能となる。

【００５６】また、本発明に係る電着めっき装置によれ
ば、上記攪拌手段を上記被めっき体の左右に設置し、各
攪拌手段と上記被めっき体の周囲に複数の整流板を配置
したので、上記被めっき体にめっき膜厚及びめっき膜質
がその表面上で更に均一となるように電着めっきを施す
ことができ、上記被めっき体の品質の信頼性、及びその
歩溜りを更に大幅に向上させることが可能となる。

【００５７】本発明に係る電着めっき方法によれば、め
っき槽と、該めっき槽中のめっき浴内に被めっき体、陽
極部、及び攪拌手段が浸漬され、上記被めっき体と上記
陽極部との電着反応によって、上記被めっき体にめっき
層を形成する電着めっき方法において、上記攪拌手段
を、短冊形状の回転翼を複数配置し、その高さ方向の長
さが上記被めっき体の高さ方向の長さ以上にして、この
攪拌手段を用いて、上記被めっき体にめっき層を形成す
るので、上記被めっき体にめっき膜厚及びめっき膜質が
その表面上で均一となるように電着めっきを施すことが
でき、上記被めっき体の品質の信頼性、及びその歩溜り
を大幅に向上させることが可能となる。

【００５８】また、本発明に係る電着めっき方法によれ
ば、上記攪拌手段を上記被めっき体の左右に設置し、各
攪拌手段と上記被めっき体の周囲に複数の整流板を配置
して、上記被めっき体にめっき層を形成するので、上記
被めっき体にめっき膜厚及びめっき膜質がその表面上で
更に均一となるように電着めっきを施すことができ、上
記被めっき体の品質の信頼性、及びその歩溜りを更に大
幅に向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例に係る電着めっき装置を模式的に示
す正面図である。

【図２】第１実施例に係る電着めっき装置の攪拌手段を
模式的に示す正面図及び平面図である。

【図３】第１実施例に係る電着めっき装置の変形例Ａの
攪拌手段を模式的に示す平面図である。

【図４】第２実施例に係る電着めっき装置を模式的に示
す平面図である。

【図５】第２実施例に係る電着めっき装置の変形例Ｂを
模式的に示す平面図である。

【図６】従来例に係る電着めっき装置を模式的に示す正
面図である。

【図７】被めっき体に電着めっきを施す際の、該被めっ
き体からの距離とその場における陽イオン濃度との関係
を示す特性図である。

【符号の説明】

１・・・めっき槽２・・・陽極部３・・・薄膜ウェハー４，９・・・攪拌手段５・・・電源６・・・磁界発生手段７，８・・・整流板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】めっき槽と、該めっき槽中のめっき浴内
に被めっき体、陽極部、及び攪拌手段が浸漬され、上記
被めっき体と上記陽極部との電着反応によって、上記被
めっき体にめっき層を形成する電着めっき装置におい
て、上記攪拌手段は、短冊形状の回転翼が複数配置されてな
り、その高さ方向の長さが上記被めっき体の高さ方向の
長さ以上であることを特徴とする電着めっき装置。
【請求項２】上記攪拌手段は、上記めっき浴内で、上
端の延長線と下端の延長線間に上記被めっき体が含まれ
る位置に設置されていることを特徴とする請求項１記載
の電着めっき装置。
【請求項３】上記攪拌手段は、その横方向の長さが上
記被めっき体の横方向の長さ以上とされていることを特
徴とする請求項１又は２記載の電着めっき装置。
【請求項４】上記攪拌手段は、上記被めっき体の左右
に設置され、各攪拌手段と上記被めっき体の周囲に複数
の整流板が配置されていることを特徴とする請求項１又
は２記載の電着めっき装置。
【請求項５】上記攪拌手段は、上記被めっき体の左右
に設置され、各攪拌手段から上記被めっき体に亘る周囲
に第１の整流板が配置され、各攪拌手段相間に第２の整
流板が配置されていることを特徴とする請求項１，２又
は４記載の電着めっき装置。
【請求項６】上記陽極部は、上記被めっき体の左右に
設置された上記攪拌手段の間に上記第２の整流板と共に
配置されていることを特徴とする請求項１，２，４又は
５記載の電着めっき装置。
【請求項７】めっき槽と、該めっき槽中のめっき浴内
に被めっき体、陽極部、及び攪拌手段が浸漬され、上記
被めっき体と上記陽極部との電着反応によって、上記被
めっき体にめっき層を形成する電着めっき方法におい
て、上記攪拌手段として、短冊形状の回転翼が複数配置さ
れ、その高さ方向の長さが上記被めっき体の高さ方向の
長さ以上である攪拌手段を用いて、上記被めっき体にめ
っき層を形成することを特徴とする電着めっき方法。
【請求項８】上記攪拌手段を、上記めっき槽中で、上
端の延長線と下端の延長線間に上記被めっき体が含まれ
る位置に設置して、上記被めっき体にめっき層を形成す
ることを特徴とする請求項７記載の電着めっき方法。
【請求項９】上記攪拌手段として、その横方向の長さ
が上記被めっき体の横方向の長さ以上とされた攪拌手段
を用いて、上記被めっき体にめっき層を形成することを
特徴とする請求項７又は８記載の電着めっき方法。
【請求項１０】上記攪拌手段を、上記被めっき体の左
右に設置し、各攪拌手段と上記被めっき体の周囲に複数
の整流板が配置して、上記被めっき体にめっき層を形成
することを特徴とする請求項７又は８記載の電着めっき
方法。
【請求項１１】上記攪拌手段を、上記被めっき体の左
右に設置し、各攪拌手段から上記被めっき体に亘る周囲
に第１の整流板を配置し、各攪拌手段間に第２の整流板
を配置して、上記被めっき体にめっき層を形成すること
を特徴とする請求項７，８又は１０記載の電着めっき方
法。
【請求項１２】上記陽極部を、上記被めっき体の左右
に設置された上記攪拌手段の間に上記第２の整流板と共
に配置して、上記被めっき体にめっき層を形成すること
を特徴とする請求項７，８，１０又は１１記載の電着め
っき方法。