JPH0737884A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0737884A JPH0737884A JP18311793A JP18311793A JPH0737884A JP H0737884 A JPH0737884 A JP H0737884A JP 18311793 A JP18311793 A JP 18311793A JP 18311793 A JP18311793 A JP 18311793A JP H0737884 A JPH0737884 A JP H0737884A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- aluminum
- conductor
- wiring aluminum
- signal
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高周波パルス等の信号配線とその影響を防ぐべ
き配線が多層間にまたがっていてしかも隣接している場
合において、シールド用の配線を多層化することにより
その影響を極力小さくすることを目的とする。 【構成】ｐ型基板１の上で形成された層間絶縁膜２ａ上
に第一配線アルミ３ａと３ｂが在り、さらに層間絶縁膜
２ｂを形成し、その層間絶縁膜２ｂ上に第二配線アルミ
４ａと４ｂがある。このとき第一配線アルミ３ａとその
上にある第二配線アルミ４ｂとの間にスルーホールを形
成する。このような構造の元で高周波パルス等の信号配
線４ａとその影響を防ぐべき配線３ｂとが隣接した場合
でも、第一配線アルミ３ａと第二配線アルミ４ｂならび
にスルーホールによって形成された配線をＧＮＤにする
ことによりその影響を極力小さくすることが出来る。ま
た高周波パルス等の信号配線とその影響を防ぐべき配線
とが逆の場合でも同様の効果を得ることが出来る。
き配線が多層間にまたがっていてしかも隣接している場
合において、シールド用の配線を多層化することにより
その影響を極力小さくすることを目的とする。 【構成】ｐ型基板１の上で形成された層間絶縁膜２ａ上
に第一配線アルミ３ａと３ｂが在り、さらに層間絶縁膜
２ｂを形成し、その層間絶縁膜２ｂ上に第二配線アルミ
４ａと４ｂがある。このとき第一配線アルミ３ａとその
上にある第二配線アルミ４ｂとの間にスルーホールを形
成する。このような構造の元で高周波パルス等の信号配
線４ａとその影響を防ぐべき配線３ｂとが隣接した場合
でも、第一配線アルミ３ａと第二配線アルミ４ｂならび
にスルーホールによって形成された配線をＧＮＤにする
ことによりその影響を極力小さくすることが出来る。ま
た高周波パルス等の信号配線とその影響を防ぐべき配線
とが逆の場合でも同様の効果を得ることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の構造に関
し、特に高周波パルス等の信号配線とその配線の影響を
防止すべき信号配線とが隣接している場合に関する。
し、特に高周波パルス等の信号配線とその配線の影響を
防止すべき信号配線とが隣接している場合に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の構造の縦断面図を図
２（ａ），（ｂ）に示す。
２（ａ），（ｂ）に示す。
【０００３】図２（ａ）においてｐ型基板１の上で形成
された層間絶縁膜２ａ上に第一の配線アルミ３ａと第二
の配線アルミ３ｂがある。さらに層間絶縁膜２ｂを形成
し、その上に第四の配線アルミ４ｂがある。このような
半導体装置において、第四の配線アルミ４ｂが高周波パ
ルス等の信号配線で第二の配線アルミ３ｂが、前記高周
波パルス等の信号の影響を防止すべき配線である場合第
一の配線アルミ３ａを、ＧＮＤにすることにより、第二
の配線アルミ３ｂを、シールドする役目を果し、高周波
パルス等の信号配線からの影響を防いでいる。
された層間絶縁膜２ａ上に第一の配線アルミ３ａと第二
の配線アルミ３ｂがある。さらに層間絶縁膜２ｂを形成
し、その上に第四の配線アルミ４ｂがある。このような
半導体装置において、第四の配線アルミ４ｂが高周波パ
ルス等の信号配線で第二の配線アルミ３ｂが、前記高周
波パルス等の信号の影響を防止すべき配線である場合第
一の配線アルミ３ａを、ＧＮＤにすることにより、第二
の配線アルミ３ｂを、シールドする役目を果し、高周波
パルス等の信号配線からの影響を防いでいる。
【０００４】しかし、高周波パルス等の信号配線と、そ
の配線の影響を防止すべき配線が多層間にまたがってい
る為層間絶縁膜の間を抜け、悪影響を与える可能性があ
る。
の配線の影響を防止すべき配線が多層間にまたがってい
る為層間絶縁膜の間を抜け、悪影響を与える可能性があ
る。
【０００５】また図２（ｂ）のように、高周波パルス等
の信号配線が第二の配線アルミ３ｂで前記高周波パルス
等の信号配線の影響を防止すべき配線が第四の配線アル
ミ４ｂでシールド用の配線が第三の配線アルミ４ａの場
合も図２（ａ）と同様に完全にシールドすることができ
ない。
の信号配線が第二の配線アルミ３ｂで前記高周波パルス
等の信号配線の影響を防止すべき配線が第四の配線アル
ミ４ｂでシールド用の配線が第三の配線アルミ４ａの場
合も図２（ａ）と同様に完全にシールドすることができ
ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述のように従来の半
導体装置において高周波パルス等の信号配線と、前記高
周波パルス等の影響を防止すべき配線とが多層間にまた
がる場合、シールドの役目を果たすＧＮＤ配線が、下層
配線アルミもしくは、上層配線アルミのいずれかにしか
ない為、高周波パルス等の信号による影響が層間絶縁膜
の間を抜け、高周波パルス等の影響を防止すべき配線に
悪影響を与えるという問題点がある。
導体装置において高周波パルス等の信号配線と、前記高
周波パルス等の影響を防止すべき配線とが多層間にまた
がる場合、シールドの役目を果たすＧＮＤ配線が、下層
配線アルミもしくは、上層配線アルミのいずれかにしか
ない為、高周波パルス等の信号による影響が層間絶縁膜
の間を抜け、高周波パルス等の影響を防止すべき配線に
悪影響を与えるという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、シールド配線を多層にま
たがるようにすることで高周波パルス等の信号配線と、
その信号の影響を防ぐべき配線が多層間にまたがった場
合でも、その悪影響を極力小さくする半導体装置を提供
するものである。
たがるようにすることで高周波パルス等の信号配線と、
その信号の影響を防ぐべき配線が多層間にまたがった場
合でも、その悪影響を極力小さくする半導体装置を提供
するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は高
周波パルス等の信号配線と高周波パルス等の影響を防止
すべき配線とが多層間にまたがりかつ隣接する場合、そ
の配線間に多層にて、ＧＮＤ配線を形成し、かつ、その
多層のＧＮＤ配線をスルーホールにて継いだことを特徴
としている。
周波パルス等の信号配線と高周波パルス等の影響を防止
すべき配線とが多層間にまたがりかつ隣接する場合、そ
の配線間に多層にて、ＧＮＤ配線を形成し、かつ、その
多層のＧＮＤ配線をスルーホールにて継いだことを特徴
としている。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
【００１０】図１は、本発明の第一、第二の実施例の構
造を示す縦断面図である。
造を示す縦断面図である。
【００１１】第一の実施例は、図１においてｐ型基板１
の上で形成された層間絶縁膜２ａ上に第一の配線アルミ
３ａと第二の配線アルミ３ｂがあり、さらに、層間絶縁
膜２ｂを形成し、その層間絶縁膜２ｂ上に第三の配線ア
ルミ４ａと第四の配線アルミ４ｂとがある。また、第一
の配線アルミ３ａとその上に形成された第三の配線アル
ミ４ａとの間にスルーホールを形成する。
の上で形成された層間絶縁膜２ａ上に第一の配線アルミ
３ａと第二の配線アルミ３ｂがあり、さらに、層間絶縁
膜２ｂを形成し、その層間絶縁膜２ｂ上に第三の配線ア
ルミ４ａと第四の配線アルミ４ｂとがある。また、第一
の配線アルミ３ａとその上に形成された第三の配線アル
ミ４ａとの間にスルーホールを形成する。
【００１２】このとき第二の配線アルミ３ｂが高周波パ
ルス等の信号配線で第四の配線アルミ４ｂが前記高周波
パルス等の信号の影響を防止すべき配線であるとき第一
の配線アルミ３ａと第三の配線アルミ４ａならびにスル
ーホールによって形成されたものをＧＮＤにすることに
より第四の配線アルミ４ｂは、第二の配線アルミ３ｂか
ら高周波パルス等の信号の影響を極力、小さくすること
が出来る。
ルス等の信号配線で第四の配線アルミ４ｂが前記高周波
パルス等の信号の影響を防止すべき配線であるとき第一
の配線アルミ３ａと第三の配線アルミ４ａならびにスル
ーホールによって形成されたものをＧＮＤにすることに
より第四の配線アルミ４ｂは、第二の配線アルミ３ｂか
ら高周波パルス等の信号の影響を極力、小さくすること
が出来る。
【００１３】第二の実施例は図１において、第四の配線
アルミ４ｂが高周波パルス等の信号配線で第二の配線ア
ルミ３ｂが前記高周波パルス等の信号の影響を防止すべ
き配線であり、第一の配線アルミ３ａと第三の配線アル
ミ４ａならびにスルーホールによって形成されたものを
ＧＮＤとする。
アルミ４ｂが高周波パルス等の信号配線で第二の配線ア
ルミ３ｂが前記高周波パルス等の信号の影響を防止すべ
き配線であり、第一の配線アルミ３ａと第三の配線アル
ミ４ａならびにスルーホールによって形成されたものを
ＧＮＤとする。
【００１４】この場合も第二の配線アルミ３ｂが第四の
配線アルミ４ｂからの高周波パルス等の信号の影響を受
けるのを極力おさえている。
配線アルミ４ｂからの高周波パルス等の信号の影響を受
けるのを極力おさえている。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は高周波パル
ス等の信号配線とその信号の影響を防ぐべき配線が多層
間にまたがった場合でもシールト配線を多層にし、さら
にその多層間をスルーホールでつなぐことで、高周波パ
ルス等による悪影響を極力小さくすることができる。
ス等の信号配線とその信号の影響を防ぐべき配線が多層
間にまたがった場合でもシールト配線を多層にし、さら
にその多層間をスルーホールでつなぐことで、高周波パ
ルス等による悪影響を極力小さくすることができる。
【図１】本発明の第一実施例、第二実施例の縦断面図。
【図２】（ａ）（ｂ）従来の半導体装置の縦断面図。
１ ｐ型基板 ２ａ，２ｂ 層間絶縁膜 ３ａ 第一の配線アルミ ３ｂ 第二の配線アルミ ４ａ 第三の配線アルミ ４ｂ 第四の配線アルミ
Claims (1)
- 【請求項１】 ｐ型基板上に形成された第一の層間絶縁
膜上に第一の配線のアルミと第二の配線アルミが存在
し、前記第一、第二配線アルミ上に第二の層間絶縁膜を
形成し、前記第二の層間絶縁膜上に第一の配線アルミと
重なるように第三の配線アルミが存在し、その第一の配
線アルミと第三の配線アルミの間の第二の層間絶縁膜を
スルーホールにて開口し、さらに第二の層間絶縁膜上に
第四の配線アルミが、その第四の配線アルミと、第二の
配線アルミとで第一の配線アルミと第三の配線アルミを
はさむような配置で存在する半導体装置において、第一
の配線アルミ第三の配線アルミが電源でバイアスされ、
第二の配線アルミと、第四の配線アルミのどちらか一方
が高周波パルス等の信号配線でもう一方が前記高周波パ
ルス等の影響を防止すべき信号配線であることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18311793A JPH0737884A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18311793A JPH0737884A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737884A true JPH0737884A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16130084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18311793A Withdrawn JPH0737884A (ja) | 1993-07-26 | 1993-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737884A (ja) |
-
1993
- 1993-07-26 JP JP18311793A patent/JPH0737884A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |