JPH0621060A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0621060A JPH0621060A JP17634692A JP17634692A JPH0621060A JP H0621060 A JPH0621060 A JP H0621060A JP 17634692 A JP17634692 A JP 17634692A JP 17634692 A JP17634692 A JP 17634692A JP H0621060 A JPH0621060 A JP H0621060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- insulating film
- circuit device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体集積回路の外部からの電磁波の侵入をカ
ットし、回路の誤動作を防止する。 【構成】下層のアルミニウム配線３と上層のアルミニウ
ム配線７の間に設けた層間絶縁膜４，６の間に挟んで設
けたフェリ磁性体膜５及び層間絶縁膜８の上に設けたフ
ェリ磁性体膜９を備えることにより半導体基板１及びア
ルミニウム配線３，７を電磁波よりシールドする。
ットし、回路の誤動作を防止する。 【構成】下層のアルミニウム配線３と上層のアルミニウ
ム配線７の間に設けた層間絶縁膜４，６の間に挟んで設
けたフェリ磁性体膜５及び層間絶縁膜８の上に設けたフ
ェリ磁性体膜９を備えることにより半導体基板１及びア
ルミニウム配線３，７を電磁波よりシールドする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に多層配線を有する半導体集積回路装置に関す
る。
し、特に多層配線を有する半導体集積回路装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体集積回路装置は図３に示す
ように、半導体基板１の上に設けた絶縁膜２の上に下層
のアルミニウム配線３を設け、アルミニウム配線３を含
む表面に層間絶縁膜４を形成する。次に、層間絶縁膜４
の上に上層のアルミニウム配線７を設け、アルミニウム
配線７を含む表面に保護膜１０を形成している。
ように、半導体基板１の上に設けた絶縁膜２の上に下層
のアルミニウム配線３を設け、アルミニウム配線３を含
む表面に層間絶縁膜４を形成する。次に、層間絶縁膜４
の上に上層のアルミニウム配線７を設け、アルミニウム
配線７を含む表面に保護膜１０を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路装置は、外部から侵入してくる電磁波が上層及び下
層のアルミニウム配線並びに半導体基板に輻射され半導
体集積回路の誤動作の一要素となっていた。また、半導
体集積回路が動作することにより発生する電磁波が外部
へ放出され、他の装置を誤動作させることもある。
回路装置は、外部から侵入してくる電磁波が上層及び下
層のアルミニウム配線並びに半導体基板に輻射され半導
体集積回路の誤動作の一要素となっていた。また、半導
体集積回路が動作することにより発生する電磁波が外部
へ放出され、他の装置を誤動作させることもある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、半導体基板上に設けた下層配線と、前記下層配
線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上
に設けた上層配線とを有する半導体集積回路装置におい
て、前記下層配線と上層配線との中間及び前記上層配線
の上にそれぞれ層間絶縁膜を介して設けたフェリ磁性体
膜を備えている。
装置は、半導体基板上に設けた下層配線と、前記下層配
線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上
に設けた上層配線とを有する半導体集積回路装置におい
て、前記下層配線と上層配線との中間及び前記上層配線
の上にそれぞれ層間絶縁膜を介して設けたフェリ磁性体
膜を備えている。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の第１の実施例を示す半導体
チップの断面図である。
チップの断面図である。
【０００７】図１に示すように、半導体基板１の上に設
けた絶縁膜２の上に下層のアルミニウム配線３を設け、
アルミニウム配線３を含む表面に層間絶縁膜４を堆積す
る。次に層間絶縁膜４の上にフェリ磁性体膜５を堆積
し、フェリ磁性体膜５の上に層間絶縁膜６を形成する。
次に、層間絶縁膜６の上に上層のアルミニウム配線７を
形成し、アルミニウム配線７を含む表面に層間絶縁膜８
を形成する。次に、層間絶縁膜８の上にフェリ磁性体膜
９を形成し、フェリ磁性体膜９の上に保護膜１０を形成
する。
けた絶縁膜２の上に下層のアルミニウム配線３を設け、
アルミニウム配線３を含む表面に層間絶縁膜４を堆積す
る。次に層間絶縁膜４の上にフェリ磁性体膜５を堆積
し、フェリ磁性体膜５の上に層間絶縁膜６を形成する。
次に、層間絶縁膜６の上に上層のアルミニウム配線７を
形成し、アルミニウム配線７を含む表面に層間絶縁膜８
を形成する。次に、層間絶縁膜８の上にフェリ磁性体膜
９を形成し、フェリ磁性体膜９の上に保護膜１０を形成
する。
【０００８】ここで、フェリ磁性体膜５，９は外部から
の電磁波を吸収する機能を有しており、本実施例の構成
により外部からの電磁波を遮断し半導体集積回路の誤動
作を防止できる。また、半導体集積回路自身によって発
生する電磁波もこのフェリ磁性体膜によって外部へ漏出
するのを遮断することが可能となる。
の電磁波を吸収する機能を有しており、本実施例の構成
により外部からの電磁波を遮断し半導体集積回路の誤動
作を防止できる。また、半導体集積回路自身によって発
生する電磁波もこのフェリ磁性体膜によって外部へ漏出
するのを遮断することが可能となる。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例を示す半導体
チップの断面図である。
チップの断面図である。
【００１０】図２に示すように、フェリ磁性体膜５，９
の上面をエッチバックして平坦化した以外は第１の実施
例と同様の構成を有しており層間絶縁膜を含めて平坦化
が実現できる利点がある。
の上面をエッチバックして平坦化した以外は第１の実施
例と同様の構成を有しており層間絶縁膜を含めて平坦化
が実現できる利点がある。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、層間絶縁
膜の間にフェリ磁性体膜を挟んで設けることにより、外
部から侵入する電磁波を遮断し、半導体集積回路の誤動
作を防止できるという効果を有する。
膜の間にフェリ磁性体膜を挟んで設けることにより、外
部から侵入する電磁波を遮断し、半導体集積回路の誤動
作を防止できるという効果を有する。
【００１２】また、半導体集積回路自身から発生する電
磁波が外部へ漏れることも防止できるという効果を有す
る。
磁波が外部へ漏れることも防止できるという効果を有す
る。
【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体チップの断
面図。
面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す半導体チップの断
面図。
面図。
【図３】従来の半導体集積回路装置の一例を示す半導体
チップの断面図。
チップの断面図。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３，７ アルミニウム配線 ４，６，８ 層間絶縁膜 ５，９ フェリ磁性体膜 １０ 保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に設けた下層配線と、前記
下層配線を含む表面に設けた層間絶縁膜と、前記層間絶
縁膜上に設けた上層配線とを有する半導体集積回路装置
において、前記下層配線と上層配線との中間及び前記上
層配線の上にそれぞれ層間絶縁膜を介して設けたフェリ
磁性体膜を備えたことを特徴とする半導体集積回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17634692A JPH0621060A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17634692A JPH0621060A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621060A true JPH0621060A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16011994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17634692A Withdrawn JPH0621060A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621060A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368101A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Nec Tokin Corp | 半導体回路基板およびその製造方法 |
| JP2007273638A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US8072048B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-12-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor apparatus |
| US8373256B2 (en) | 2009-04-30 | 2013-02-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17634692A patent/JPH0621060A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002368101A (ja) * | 2001-06-04 | 2002-12-20 | Nec Tokin Corp | 半導体回路基板およびその製造方法 |
| JP4632336B2 (ja) * | 2001-06-04 | 2011-02-16 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 半導体回路基板およびその製造方法 |
| JP2007273638A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US8072048B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-12-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor apparatus |
| US8835190B2 (en) | 2008-05-07 | 2014-09-16 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor apparatus |
| US8373256B2 (en) | 2009-04-30 | 2013-02-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |