JPH0629352A - 多層配線ｔａｂテープキャリア - Google Patents
多層配線ｔａｂテープキャリアInfo
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- JPH0629352A JPH0629352A JP11047693A JP11047693A JPH0629352A JP H0629352 A JPH0629352 A JP H0629352A JP 11047693 A JP11047693 A JP 11047693A JP 11047693 A JP11047693 A JP 11047693A JP H0629352 A JPH0629352 A JP H0629352A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】配線層の厚さを均一化して高い品質を得られ、
微細パターンを形成できる多層配線ＴＡＢテープキャリ
アを提供する。 【構成】絶縁フィルム層１２により電気的に絶縁して複
数の配線層を積層して設けるとともに、絶縁フィルム層
に貫通孔２０ａ，２０ｂを形成して貫通孔内に導電層２
１を形成し、この導電層で配線層間を電気的に接続する
多層配線ＴＡＢテープキャリア１１において、前記導電
層あるいは前記導電層と前記配線層の少なくとも１部と
を気相めっき法で同時に形成するようにした。
微細パターンを形成できる多層配線ＴＡＢテープキャリ
アを提供する。 【構成】絶縁フィルム層１２により電気的に絶縁して複
数の配線層を積層して設けるとともに、絶縁フィルム層
に貫通孔２０ａ，２０ｂを形成して貫通孔内に導電層２
１を形成し、この導電層で配線層間を電気的に接続する
多層配線ＴＡＢテープキャリア１１において、前記導電
層あるいは前記導電層と前記配線層の少なくとも１部と
を気相めっき法で同時に形成するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、絶縁フィルム層の両
面に設けられた配線層をスルーホール等の貫通孔内に設
けられた導電層で電気的に接続する多層配線ＴＡＢテー
プキャリアに関する。
面に設けられた配線層をスルーホール等の貫通孔内に設
けられた導電層で電気的に接続する多層配線ＴＡＢテー
プキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置用のリードフレームと
して高周波信号の伝送特性等に優れた多層構造のリード
フレームが開発され、このような多層構造のリードフレ
ームに多層配線ＴＡＢテープキャリアが用いられる。
して高周波信号の伝送特性等に優れた多層構造のリード
フレームが開発され、このような多層構造のリードフレ
ームに多層配線ＴＡＢテープキャリアが用いられる。
【０００３】従来、この種の多層配線ＴＡＢテープキャ
リアは、図７および図８に示すように、有機ポリイミド
あるいはガラスエポキシ等の樹脂からなる絶縁フィルム
層３１にＩＣ素子と対応するデバイスホール（図示せ
ず）を形成し、この絶縁フィルム層３１の表面に接着剤
層３２によって表面配線層３３を、絶縁フィルム層３１
の裏面に裏面配線層３４を設けるものが知られる。この
多層配線ＴＡＢテープキャリアは、表面配線層３３に配
線パターンを形成してＩＣ素子と接続し、また、裏面配
線層３４を電源あるいは接地する。
リアは、図７および図８に示すように、有機ポリイミド
あるいはガラスエポキシ等の樹脂からなる絶縁フィルム
層３１にＩＣ素子と対応するデバイスホール（図示せ
ず）を形成し、この絶縁フィルム層３１の表面に接着剤
層３２によって表面配線層３３を、絶縁フィルム層３１
の裏面に裏面配線層３４を設けるものが知られる。この
多層配線ＴＡＢテープキャリアは、表面配線層３３に配
線パターンを形成してＩＣ素子と接続し、また、裏面配
線層３４を電源あるいは接地する。
【０００４】そして、このような多層配線ＴＡＢテープ
キャリアは、絶縁フィルム層３１に表裏を貫通するバイ
アホール３５等の貫通孔を形成してバイアホール３５内
壁にパネルめっき法あるいはパターンめっき法で導電層
３６を形成し、この導電層３６で表面配線層３３と裏面
配線層３４とを電気的に接続する。
キャリアは、絶縁フィルム層３１に表裏を貫通するバイ
アホール３５等の貫通孔を形成してバイアホール３５内
壁にパネルめっき法あるいはパターンめっき法で導電層
３６を形成し、この導電層３６で表面配線層３３と裏面
配線層３４とを電気的に接続する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の多層配線ＴＡＢテープキャリアにあっては、バ
イアホール３５内壁の導電層３６をパネルめっき法で形
成すると、図７に示すように、導電層３６の形成と同時
に表面配線層３３上にも表面配線層３３と略等しい厚さ
のめっき層３７が重畳して形成され、後に表面配線層３
３に配線パターンをホトレジスト等で形成することが困
難になるという問題がある。特に、上述のめっき層３７
は、表面配線層３３およびインナーリードの回わりで厚
くなるという問題があるため、表面配線層３３およびイ
ンナーリードの微細配線加工が困難になるという障害が
発生する。すなわち、銅層が厚くなったり、部分的な厚
さの変動があると、エッチング残り（銅層の残存）によ
りショート等が発生することがある。通常、導電層の厚
さは３〜７μｍ必要とされるが、これに対して表面配線
層３３およびインナーリードの回わりは、めっき液の撹
拌が良いためとめっき電流の集中等により約３倍の１０
〜２０μｍのめっき厚さとなる。
た従来の多層配線ＴＡＢテープキャリアにあっては、バ
イアホール３５内壁の導電層３６をパネルめっき法で形
成すると、図７に示すように、導電層３６の形成と同時
に表面配線層３３上にも表面配線層３３と略等しい厚さ
のめっき層３７が重畳して形成され、後に表面配線層３
３に配線パターンをホトレジスト等で形成することが困
難になるという問題がある。特に、上述のめっき層３７
は、表面配線層３３およびインナーリードの回わりで厚
くなるという問題があるため、表面配線層３３およびイ
ンナーリードの微細配線加工が困難になるという障害が
発生する。すなわち、銅層が厚くなったり、部分的な厚
さの変動があると、エッチング残り（銅層の残存）によ
りショート等が発生することがある。通常、導電層の厚
さは３〜７μｍ必要とされるが、これに対して表面配線
層３３およびインナーリードの回わりは、めっき液の撹
拌が良いためとめっき電流の集中等により約３倍の１０
〜２０μｍのめっき厚さとなる。
【０００６】また、上述した従来の多層配線ＴＡＢテー
プキャリアは、表面配線層３３に配線パターンを形成し
た後にバイアホール３５の導電層３６をパターンめっき
法で形成すると、パターン配線の幅寸法が小さい場合
（２００μｍ以下）にレジストの合せ精度等の制約から
配線パターンとレジストによるパターン形成とが図８ｂ
に示すようなずれδを生じ、微細なパターン形成が困難
になるという問題がある。なお、図８ａは正規位置に導
電層３６が形成されたものを示す。
プキャリアは、表面配線層３３に配線パターンを形成し
た後にバイアホール３５の導電層３６をパターンめっき
法で形成すると、パターン配線の幅寸法が小さい場合
（２００μｍ以下）にレジストの合せ精度等の制約から
配線パターンとレジストによるパターン形成とが図８ｂ
に示すようなずれδを生じ、微細なパターン形成が困難
になるという問題がある。なお、図８ａは正規位置に導
電層３６が形成されたものを示す。
【０００７】さらに、上述のパターンめっき法では、電
気めっきによらなければならず、電極用配線が不可欠で
あり、配線設計が制約を受け、微細配線が困難になると
いう問題もある。
気めっきによらなければならず、電極用配線が不可欠で
あり、配線設計が制約を受け、微細配線が困難になると
いう問題もある。
【０００８】この発明は、上記各問題に鑑みてなされた
もので、配線層の厚さに影響を及ぼさず、また、微細パ
ターンを達成できる多層配線ＴＡＢテープキャリアを提
供することを目的とする。
もので、配線層の厚さに影響を及ぼさず、また、微細パ
ターンを達成できる多層配線ＴＡＢテープキャリアを提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、所定の配線パターンを有する複数の配
線層間に絶縁フィルム層を設けて配線層間を電気的に絶
縁するとともに、前記絶縁フィルム層に貫通孔を形成し
て該貫通孔内に導電層を設け、この導電層で前記絶縁フ
ィルム層の表裏の配線層を電気的に導通する多層配線Ｔ
ＡＢテープキャリアであって、前記導電層を気相めっき
法で形成する、あるいは前記配線層の少なくとも１つと
前記導電層とを気相めっき法で同時に形成することが要
旨である。
め、この発明は、所定の配線パターンを有する複数の配
線層間に絶縁フィルム層を設けて配線層間を電気的に絶
縁するとともに、前記絶縁フィルム層に貫通孔を形成し
て該貫通孔内に導電層を設け、この導電層で前記絶縁フ
ィルム層の表裏の配線層を電気的に導通する多層配線Ｔ
ＡＢテープキャリアであって、前記導電層を気相めっき
法で形成する、あるいは前記配線層の少なくとも１つと
前記導電層とを気相めっき法で同時に形成することが要
旨である。
【００１０】
【作用】この発明の多層配線ＴＡＢテープキャリアの製
造方法は、気相めっき法、例えば、蒸着、イオンプレー
ティングあるいはスパッタリング等で導電層あるいは配
線層の一部と導電層とが同時に形成されるため、特に後
者にあっては配線層を形成した後に導電層を形成する必
要がなく、工程を簡素化でき、また、後に配線層の厚さ
等が影響を受けず、さらに、配線層と導電層との位置に
高い精度が得られ微細な配線パターンを形成できる。
造方法は、気相めっき法、例えば、蒸着、イオンプレー
ティングあるいはスパッタリング等で導電層あるいは配
線層の一部と導電層とが同時に形成されるため、特に後
者にあっては配線層を形成した後に導電層を形成する必
要がなく、工程を簡素化でき、また、後に配線層の厚さ
等が影響を受けず、さらに、配線層と導電層との位置に
高い精度が得られ微細な配線パターンを形成できる。
【００１１】
【実施例】以下、この発明にかかる両面配線ＴＡＢテー
プキャリアの実施例を図面を参照して説明する。図１か
ら図５はこの発明の一実施例にかかる両面配線ＴＡＢテ
ープキャリアを示し、図１が平面図、図２が断面図、図
３が一部拡大断面図、図４が他の一部拡大断面図、図５
がＩＣを組み付けた状態の断面図である。
プキャリアの実施例を図面を参照して説明する。図１か
ら図５はこの発明の一実施例にかかる両面配線ＴＡＢテ
ープキャリアを示し、図１が平面図、図２が断面図、図
３が一部拡大断面図、図４が他の一部拡大断面図、図５
がＩＣを組み付けた状態の断面図である。
【００１２】図において、１１は両面配線ＴＡＢテープ
キャリアを示し、両面配線ＴＡＢテープキャリア１１
は、ポリイミドフィルムあるいはガラスエポキシフィル
ム等からなる絶縁フィルム層１２と、この絶縁フィルム
層１２の表面に形成された表面配線層１３と、この表面
配線層１３を絶縁フィルム層１２に接着する接着剤層１
４と、絶縁フィルム層１２の裏面に形成された裏面配線
層１５とを有する。絶縁フィルム層１２は、厚さが１２
５μｍ程度のユーピレックスＳ（商品名）を用いる。表
面配線層１３は電解銅箔の貼着等で形成され、この表面
配線層１３にはホトエッチング等でリードパターン２２
が形成される。このリードパターン２２は、後述するデ
バイスホール廻りのインナリード部２２ａと、後述する
ＯＬＢホールに向かって延出するアウタリード部２２ｂ
とを有する。裏面配線層１５は、後述するように気相め
っき法で導電層と同時に形成される。
キャリアを示し、両面配線ＴＡＢテープキャリア１１
は、ポリイミドフィルムあるいはガラスエポキシフィル
ム等からなる絶縁フィルム層１２と、この絶縁フィルム
層１２の表面に形成された表面配線層１３と、この表面
配線層１３を絶縁フィルム層１２に接着する接着剤層１
４と、絶縁フィルム層１２の裏面に形成された裏面配線
層１５とを有する。絶縁フィルム層１２は、厚さが１２
５μｍ程度のユーピレックスＳ（商品名）を用いる。表
面配線層１３は電解銅箔の貼着等で形成され、この表面
配線層１３にはホトエッチング等でリードパターン２２
が形成される。このリードパターン２２は、後述するデ
バイスホール廻りのインナリード部２２ａと、後述する
ＯＬＢホールに向かって延出するアウタリード部２２ｂ
とを有する。裏面配線層１５は、後述するように気相め
っき法で導電層と同時に形成される。
【００１３】この両面配線ＴＡＢテープキャリア１１に
は、リードパターン２２の中央に位置して矩形状のデバ
イスホール１７が、このデバイスホール１７の各辺の外
側に４つのＯＬＢホール１８が、両側に走行駆動用のパ
イロットホール１９が形成される。図５に示すように、
デバイスホール１７にはＩＣ素子１６が配置され、この
ＩＣ素子１６はバンプ２３によってリードパターン２２
のインナリード部２２ａに接続される。
は、リードパターン２２の中央に位置して矩形状のデバ
イスホール１７が、このデバイスホール１７の各辺の外
側に４つのＯＬＢホール１８が、両側に走行駆動用のパ
イロットホール１９が形成される。図５に示すように、
デバイスホール１７にはＩＣ素子１６が配置され、この
ＩＣ素子１６はバンプ２３によってリードパターン２２
のインナリード部２２ａに接続される。
【００１４】また、両面配線ＴＡＢテープキャリア１１
には絶縁フィルム層１２を貫通するスルーホール２０
ａ，２０ｂが形成され、これらスルーホール２０ａ，２
０ｂの壁面に導電層２１が形成される。スルーホール２
０ａはデバイスホール１７の近傍に電源接続または接地
用のインナリード部２２ａに対応して開口し、スルーホ
ール２０ｂはＯＬＢホール１８の内側にアウタリード部
２２ｂに対応して開口する。スルーホール２０ａの導電
層２１はインナリード部２２ａを、同様に、スルーホー
ル２０ｂの導電層２１はアウタリード部２２ｂを裏面配
線層１５に接続する。
には絶縁フィルム層１２を貫通するスルーホール２０
ａ，２０ｂが形成され、これらスルーホール２０ａ，２
０ｂの壁面に導電層２１が形成される。スルーホール２
０ａはデバイスホール１７の近傍に電源接続または接地
用のインナリード部２２ａに対応して開口し、スルーホ
ール２０ｂはＯＬＢホール１８の内側にアウタリード部
２２ｂに対応して開口する。スルーホール２０ａの導電
層２１はインナリード部２２ａを、同様に、スルーホー
ル２０ｂの導電層２１はアウタリード部２２ｂを裏面配
線層１５に接続する。
【００１５】この実施例の両面配線ＴＡＢテープキャリ
アは次のようにして製造される。まず、厚さが７５μｍ
程度の絶縁フィルム層１２の表面にポリイミド系接着剤
を１８μｍ程度の厚さに塗布して接着剤層１４を形成す
る。そして、デバイスホール１７およびスルーホール２
０ａ，２０ｂ等を打抜き等で形成した後、厚さが１８μ
ｍ程度の表面配線層１３をロールラミネータを用いて温
度２１０℃の環境下で貼り合せ、続いてホトレジスト等
によりリードパターン２２を形成する。
アは次のようにして製造される。まず、厚さが７５μｍ
程度の絶縁フィルム層１２の表面にポリイミド系接着剤
を１８μｍ程度の厚さに塗布して接着剤層１４を形成す
る。そして、デバイスホール１７およびスルーホール２
０ａ，２０ｂ等を打抜き等で形成した後、厚さが１８μ
ｍ程度の表面配線層１３をロールラミネータを用いて温
度２１０℃の環境下で貼り合せ、続いてホトレジスト等
によりリードパターン２２を形成する。
【００１６】次に、表面配線層１３にマスクを装着し、
真空蒸着で５００Å程度の厚さにニッケル下地をした後
に銅層を形成する。この真空蒸着により、絶縁フィルム
層１２の裏面には裏面配線層１５が、スルーホール２０
ａ，２０ｂの内壁面には全面にわたって導電層２１が形
成される。この導電層１５は、図３に明示されるよう
に、裏面配線層１５と連続して絶縁フィルム層１２の表
面側端部が表面配線層１３に重畳し、配線層１３，１５
を電気的に接続する。
真空蒸着で５００Å程度の厚さにニッケル下地をした後
に銅層を形成する。この真空蒸着により、絶縁フィルム
層１２の裏面には裏面配線層１５が、スルーホール２０
ａ，２０ｂの内壁面には全面にわたって導電層２１が形
成される。この導電層１５は、図３に明示されるよう
に、裏面配線層１５と連続して絶縁フィルム層１２の表
面側端部が表面配線層１３に重畳し、配線層１３，１５
を電気的に接続する。
【００１７】続いて、裏面配線層１５に電源接続および
接地用の配線パターンを形成し、さらに、全体に４μｍ
程度の厚さにはんだの表面処理を施す。そして、この
後、ＩＣ素子１６をデバイスホール１７に配置してリー
ドパターン２２に接続することで、ＩＣ素子１６を実装
できる。裏面配線層１５は電源あるいは接地用として用
いられるが、通常は微細配線を施す必要がなく、ベタパ
ターンとして設けられる。このため、気相めっきによる
裏面配線層１５は必ずしもエッチングによりパターン形
成する必要がない。そこで、気相めっきにおいてはＯＬ
Ｂホール１８とデバイスホール１７内を蒸着マスクで遮
蔽して他の部分全面に蒸着する方法が可能である（な
お、デバイスホールにおける絶縁フィルム層の側面等に
蒸着がなされた場合、パターンの短絡を起こすため、デ
バイスホールおよびＯＬＢホールは少なくとも蒸着マス
クで遮蔽する必要がある）。裏面配線層をベタパターン
としてではなく、いくつかの簡単な配線パターンをもっ
て構成する場合があるが、この場合において裏面配線層
を蒸着により形成する場合であれば、配線パターンが簡
単なことから蒸着マスクを用いることによって容易に配
線パターンを形成することができる。
接地用の配線パターンを形成し、さらに、全体に４μｍ
程度の厚さにはんだの表面処理を施す。そして、この
後、ＩＣ素子１６をデバイスホール１７に配置してリー
ドパターン２２に接続することで、ＩＣ素子１６を実装
できる。裏面配線層１５は電源あるいは接地用として用
いられるが、通常は微細配線を施す必要がなく、ベタパ
ターンとして設けられる。このため、気相めっきによる
裏面配線層１５は必ずしもエッチングによりパターン形
成する必要がない。そこで、気相めっきにおいてはＯＬ
Ｂホール１８とデバイスホール１７内を蒸着マスクで遮
蔽して他の部分全面に蒸着する方法が可能である（な
お、デバイスホールにおける絶縁フィルム層の側面等に
蒸着がなされた場合、パターンの短絡を起こすため、デ
バイスホールおよびＯＬＢホールは少なくとも蒸着マス
クで遮蔽する必要がある）。裏面配線層をベタパターン
としてではなく、いくつかの簡単な配線パターンをもっ
て構成する場合があるが、この場合において裏面配線層
を蒸着により形成する場合であれば、配線パターンが簡
単なことから蒸着マスクを用いることによって容易に配
線パターンを形成することができる。
【００１８】なお、上記実施例では絶縁フィルム層１２
等を貫通するスルーホール２０ａ，２０ｂについて説明
するが、一端が表面配線層１３で閉止されるバイアホー
ルについても同様に適用できる。そして、図４に示すよ
うに、バイアホール２４を形成したものは上述の真空蒸
着を行うことで表面配線層１３の裏面にまで一体に連続
する導電層２１が形成され、この導電層２１で電気的な
接続が維持される。
等を貫通するスルーホール２０ａ，２０ｂについて説明
するが、一端が表面配線層１３で閉止されるバイアホー
ルについても同様に適用できる。そして、図４に示すよ
うに、バイアホール２４を形成したものは上述の真空蒸
着を行うことで表面配線層１３の裏面にまで一体に連続
する導電層２１が形成され、この導電層２１で電気的な
接続が維持される。
【００１９】上述のようにして得られた半導体装置につ
いて、ボンディングワイヤの長さと配線リード長さとを
含めて下式（１）に従いインダクタンスＬを、また、下
式（２）に従い半導体装置のＩ／Ｏを同時に切替えた時
の電源に発生するノイズ量Ｖｎを求め、従来のものと比
較したところ、インダクタンスＬが２／３、ノイズ量Ｖ
ｎも約２／３に減少した。
いて、ボンディングワイヤの長さと配線リード長さとを
含めて下式（１）に従いインダクタンスＬを、また、下
式（２）に従い半導体装置のＩ／Ｏを同時に切替えた時
の電源に発生するノイズ量Ｖｎを求め、従来のものと比
較したところ、インダクタンスＬが２／３、ノイズ量Ｖ
ｎも約２／３に減少した。
【００２０】 Ｌ＝（μｒ・εｒ）1/2 Ｚｏ／Ｃｏ ＝２．１ｎ｛６Ｈ／（０．８Ｗ＋Ｔ）｝ （ｎＨ／ｃｍ） （１） 但し、μｒ，εｒ：比透磁率（＝１）、比誘電率 Ｃｏ：光速（３×１０8 ｍ／ｓ） Ｚｏ：配線路の特性インピーダンス Ｈ：絶縁層の長さ Ｗ：配線の幅 Ｔ：配線の長さ
【００２１】Ｖｎ＝Ｌｓ（ｄｉ／ｄｔ） （２） 但し、Ｌｓ：電源線の自己インダクタンス ｉ：電源線に流れた電流（ΣΔｉ） Δｉ：出力回路当りの流入電流 ｔ：信号切替時間
【００２２】次に、図６にこの発明の他の実施例にかか
る両面配線ＴＡＢテープキャリアを示す。なお、以下、
上述の実施例と同一の部分については同一の番号を付し
て説明を簡略する。この実施例においては、ポリイミド
系フィルムから構成される第１の絶縁フィルム層１２の
表面にポリイミド系接着剤からなる接着剤層１４を形成
し、この接着剤層１４で厚さ３５μｍの無酸素銅圧延箔
を貼り合せて中間配線層８０を形成する。そして、この
中間配線層８０にパターンエッチング等を施し、アウタ
リード部２２ｂを形成する。
る両面配線ＴＡＢテープキャリアを示す。なお、以下、
上述の実施例と同一の部分については同一の番号を付し
て説明を簡略する。この実施例においては、ポリイミド
系フィルムから構成される第１の絶縁フィルム層１２の
表面にポリイミド系接着剤からなる接着剤層１４を形成
し、この接着剤層１４で厚さ３５μｍの無酸素銅圧延箔
を貼り合せて中間配線層８０を形成する。そして、この
中間配線層８０にパターンエッチング等を施し、アウタ
リード部２２ｂを形成する。
【００２３】続いて、イオンプレーティング法で５００
Å程度の厚さにニッケル下地を施した後に４μｍ程度の
厚さの銅層を形成する。このイオンプレーティング法に
よる処理でスルーホール２０ａ，２０ｂの導電層２１と
裏面配線層１５とが同時に形成される。そして、裏面配
線層１５にパターンエッチングを施してグランド配線部
等を形成する。
Å程度の厚さにニッケル下地を施した後に４μｍ程度の
厚さの銅層を形成する。このイオンプレーティング法に
よる処理でスルーホール２０ａ，２０ｂの導電層２１と
裏面配線層１５とが同時に形成される。そして、裏面配
線層１５にパターンエッチングを施してグランド配線部
等を形成する。
【００２４】次に、厚さが７５μｍの第２の絶縁フィル
ム層４２の両面にポリイミド系接着剤を塗布して接着剤
層４３を形成し、この第２の絶縁フィルム層４２の一面
に接着剤層４３で厚さが８μｍの電解銅箔を貼着して表
面配線層４４を形成する。そして、第２の絶縁フィルム
層４２にパンチング加工等でスルーホール４５ａ，４５
ｂを形成し、この後、この第２の絶縁フィルム層４２の
他面を上記第１の絶縁フィルム層１２の裏面に貼り合せ
て接着剤層４３により接着する。
ム層４２の両面にポリイミド系接着剤を塗布して接着剤
層４３を形成し、この第２の絶縁フィルム層４２の一面
に接着剤層４３で厚さが８μｍの電解銅箔を貼着して表
面配線層４４を形成する。そして、第２の絶縁フィルム
層４２にパンチング加工等でスルーホール４５ａ，４５
ｂを形成し、この後、この第２の絶縁フィルム層４２の
他面を上記第１の絶縁フィルム層１２の裏面に貼り合せ
て接着剤層４３により接着する。
【００２５】この後、第２の絶縁フィルム層４２の配線
層４４およびスルーホール４５ａ，４５ｂにニッケル下
地を２００Å程度の厚さに施した後に真空蒸着法によっ
て厚さが４μｍの銅層を形成し、スルーホール４５ａ，
４５ｂ内面に導電層４６を、第２の絶縁フィルム層４２
の配線層４４上に層４４ａを形成する。そして、パター
ンエッチングによりインナリード部２２ａを形成し、こ
の後、全体に厚さ４μｍの半田めっきの表面処理を行
い、以上で多層配線ＴＡＢテープキャリアが完成する。
層４４およびスルーホール４５ａ，４５ｂにニッケル下
地を２００Å程度の厚さに施した後に真空蒸着法によっ
て厚さが４μｍの銅層を形成し、スルーホール４５ａ，
４５ｂ内面に導電層４６を、第２の絶縁フィルム層４２
の配線層４４上に層４４ａを形成する。そして、パター
ンエッチングによりインナリード部２２ａを形成し、こ
の後、全体に厚さ４μｍの半田めっきの表面処理を行
い、以上で多層配線ＴＡＢテープキャリアが完成する。
【００２６】なお、上述した実施例では、絶縁フィルム
層としてユーピレックスＳ（商品名）と称せられるポリ
イミド系フィルムを用いるが、カプトンＶあるいはカプ
トンスーパーＶ（商品名）と称せられるフィルムを用い
ることもでき、また、銅箔にポリイミドワニスを塗布し
た２層ＣＣＬ（Copper claud Laminate ）を絶縁フィル
ム層として使用することも可能である。この場合２層Ｃ
ＣＬの銅箔は裏面配線層１５として用いられる。この形
では構成材料としてすでに片面に銅箔を有しているた
め、裏面配線層の形成が不要となるので、気相めっきに
おいてはスルーホールに形成される導電層のみの形成で
よいことになる。
層としてユーピレックスＳ（商品名）と称せられるポリ
イミド系フィルムを用いるが、カプトンＶあるいはカプ
トンスーパーＶ（商品名）と称せられるフィルムを用い
ることもでき、また、銅箔にポリイミドワニスを塗布し
た２層ＣＣＬ（Copper claud Laminate ）を絶縁フィル
ム層として使用することも可能である。この場合２層Ｃ
ＣＬの銅箔は裏面配線層１５として用いられる。この形
では構成材料としてすでに片面に銅箔を有しているた
め、裏面配線層の形成が不要となるので、気相めっきに
おいてはスルーホールに形成される導電層のみの形成で
よいことになる。
【００２７】またさらに、上述した実施例では、気相め
っきの下地処理として厚さが２００〜５００Åのニッケ
ル下地膜を形成するが、ニッケルに限らずチタンあるい
はクローム等を採用でき、厚さも３０〜１μｍの範囲で
任意に設定できる。また、気相めっき法として蒸着とイ
オンプレーティング法を開示するが、他の気相めっき
法、例えばスパッタリング等でも本発明が達成されるこ
とは述べるまでもない。
っきの下地処理として厚さが２００〜５００Åのニッケ
ル下地膜を形成するが、ニッケルに限らずチタンあるい
はクローム等を採用でき、厚さも３０〜１μｍの範囲で
任意に設定できる。また、気相めっき法として蒸着とイ
オンプレーティング法を開示するが、他の気相めっき
法、例えばスパッタリング等でも本発明が達成されるこ
とは述べるまでもない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明にかかる
多層配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法によれば、各
配線層を電気的に接続する貫通孔の導電層を気相めっき
法で形成するため、あるいはその際配線層の一部を気相
めっき法で同時に形成するため、配線層の厚さを変化さ
せること無く導電層を容易に形成でき配線パターンを正
確に形成でき、また、微細な配線パターンを達成でき、
配線設計に大きな自由度を得られるという効果がある。
多層配線ＴＡＢテープキャリアの製造方法によれば、各
配線層を電気的に接続する貫通孔の導電層を気相めっき
法で形成するため、あるいはその際配線層の一部を気相
めっき法で同時に形成するため、配線層の厚さを変化さ
せること無く導電層を容易に形成でき配線パターンを正
確に形成でき、また、微細な配線パターンを達成でき、
配線設計に大きな自由度を得られるという効果がある。
【図１】 この発明の一実施例にかかる多層配線ＴＡＢ
テープキャリアの平面図である。
テープキャリアの平面図である。
【図２】 同実施例にかかる多層配線ＴＡＢテープキャ
リアの断面図である。
リアの断面図である。
【図３】 同実施例にかかる多層配線ＴＡＢテープキャ
リアのスルーホール部の拡大断面図である。
リアのスルーホール部の拡大断面図である。
【図４】 同実施例にかかる多層配線ＴＡＢテープキャ
リアのバイアホール部の拡大断面図である。
リアのバイアホール部の拡大断面図である。
【図５】 同実施例にかかる多層配線ＴＡＢテープキャ
リアのＩＣ素子装着状態の断面図である。
リアのＩＣ素子装着状態の断面図である。
【図６】 この発明の他の実施例にかかる多層配線ＴＡ
Ｂテープキャリアの断面図である。
Ｂテープキャリアの断面図である。
【図７】 従来の多層配線ＴＡＢテープキャリアの一部
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図８】 従来の他の多層配線ＴＡＢテープキャリアの
一部拡大平面図であり、ａが正常状態、ｂが異常状態を
表す。
一部拡大平面図であり、ａが正常状態、ｂが異常状態を
表す。
１１ 両面配線ＴＡＢテープキャリア １２ 絶縁フィルム層 １３，４４ 表面配線層 １４，４３ 接着剤層 １５ 裏面配線層 １６ ＩＣ素子 ２０ａ，２０ｂ，４５ａ，４５ｂ スルーホール ２１，４６ 導電層 ２４ バイアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 御 田 護 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 村 上 富 男 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (2)
- 【請求項１】所定の配線パターンを有する複数の配線層
間に絶縁フィルム層を設けて配線層間を電気的に絶縁す
るとともに、前記絶縁フィルム層に貫通孔を形成して該
貫通孔内に導電層を設け、この導電層で前記絶縁フィル
ム層の表裏の配線層を電気的に導通する多層配線ＴＡＢ
テープキャリアであって、 前記導電層を気相めっき法で形成することを特徴とする
多層配線ＴＡＢテープキャリア。 - 【請求項２】所定の配線パターンを有する複数の配線層
間に絶縁フィルム層を設けて配線層間を電気的に絶縁す
るとともに、前記絶縁フィルム層に貫通孔を形成して該
貫通孔内に導電層を設け、この導電層で前記絶縁フィル
ム層の表裏の配線層を電気的に導通する多層配線ＴＡＢ
テープキャリアであって、 前記配線層の少なくとも１つと前記導電層とを気相めっ
き法で同時に形成することを特徴とする多層配線ＴＡＢ
テープキャリア。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047693A JP3573352B2 (ja) | 1992-05-12 | 1993-05-12 | 多層配線ｔａｂテープキャリア |
| US08/149,795 US5589668A (en) | 1993-05-12 | 1993-11-10 | Multi-metal layer wiring tab tape carrier and process for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11859692 | 1992-05-12 | ||
| JP4-118596 | 1992-05-12 | ||
| JP11047693A JP3573352B2 (ja) | 1992-05-12 | 1993-05-12 | 多層配線ｔａｂテープキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629352A true JPH0629352A (ja) | 1994-02-04 |
| JP3573352B2 JP3573352B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=26450105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11047693A Expired - Fee Related JP3573352B2 (ja) | 1992-05-12 | 1993-05-12 | 多層配線ｔａｂテープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3573352B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306947A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US6300675B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Low-cost tape carrier package and liquid crystal module using the same |
| JP2008282489A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板 |
| JP2010267754A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
-
1993
- 1993-05-12 JP JP11047693A patent/JP3573352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09306947A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5977617A (en) * | 1996-05-10 | 1999-11-02 | Nec Corporation | Semiconductor device having multilayer film carrier |
| US6300675B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-10-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Low-cost tape carrier package and liquid crystal module using the same |
| JP2008282489A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板 |
| JP2010267754A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3573352B2 (ja) | 2004-10-06 |
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