JPH0735572B2 - イオン注入装置のベント方法 - Google Patents
イオン注入装置のベント方法Info
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- JPH0735572B2 JPH0735572B2 JP59237026A JP23702684A JPH0735572B2 JP H0735572 B2 JPH0735572 B2 JP H0735572B2 JP 59237026 A JP59237026 A JP 59237026A JP 23702684 A JP23702684 A JP 23702684A JP H0735572 B2 JPH0735572 B2 JP H0735572B2
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、真空容器内に設けられたディスクの円周部
に複数のウエハが装着されるイオン注入装置の当該真空
容器をベントする、即ち当該真空容器内にガスを注入し
てそこを大気圧状態に戻す方法に関し、特にベントに際
してのウエハへの塵埃付着防止方法に関する。
に複数のウエハが装着されるイオン注入装置の当該真空
容器をベントする、即ち当該真空容器内にガスを注入し
てそこを大気圧状態に戻す方法に関し、特にベントに際
してのウエハへの塵埃付着防止方法に関する。
第５図は、従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す
概略断面図であり、第６図は第５図のディスク回りを示
す正面図である。真空容器１の蓋２には、ディスク駆動
モータ４によって回転させられるディスク５が取り付け
られている。ディスク５の円周部には複数のウエハ７が
装着されるようになっている。符号３は、軸受及び軸シ
ールである。イオン注入に際しては、まず、ヒンジ12を
支点にしてエアシリンダ（図示省略）等により蓋２を図
中２点鎖線の状態まで開き、大気中でディスク５にウエ
ハ７を複数枚装着する。次に、図中実線のように蓋２を
閉じて、真空容器１を例えば10-6〜10-7Torr程度にまで
真空引きした後ウエハ７にイオン注入を行う。イオン注
入後はベントバルブ13を開いて真空容器１をベント（ガ
スリークとも言う）した後、即ち真空容器１内に窒素ガ
ス等のガスを注入して真空容器１を大気圧状態にした
後、蓋２を開いてディスク５よりウエハ７を取り外す。
概略断面図であり、第６図は第５図のディスク回りを示
す正面図である。真空容器１の蓋２には、ディスク駆動
モータ４によって回転させられるディスク５が取り付け
られている。ディスク５の円周部には複数のウエハ７が
装着されるようになっている。符号３は、軸受及び軸シ
ールである。イオン注入に際しては、まず、ヒンジ12を
支点にしてエアシリンダ（図示省略）等により蓋２を図
中２点鎖線の状態まで開き、大気中でディスク５にウエ
ハ７を複数枚装着する。次に、図中実線のように蓋２を
閉じて、真空容器１を例えば10-6〜10-7Torr程度にまで
真空引きした後ウエハ７にイオン注入を行う。イオン注
入後はベントバルブ13を開いて真空容器１をベント（ガ
スリークとも言う）した後、即ち真空容器１内に窒素ガ
ス等のガスを注入して真空容器１を大気圧状態にした
後、蓋２を開いてディスク５よりウエハ７を取り外す。
上述のようなイオン注入においては、特にレジストを使
用しないイオン注入においては、注入後のウエハ７への
塵埃の付着が製品不良の一因となる。特に、ウエハ７を
研究用とか高集積度のVLSI用等に用いる場合には、ウエ
ハ７への塵埃の付着が大きな問題となる。
用しないイオン注入においては、注入後のウエハ７への
塵埃の付着が製品不良の一因となる。特に、ウエハ７を
研究用とか高集積度のVLSI用等に用いる場合には、ウエ
ハ７への塵埃の付着が大きな問題となる。
上述のような工程でウエハ７に塵埃が最も多く付着する
のはベント時であり、その理由は窒素ガス注入により真
空容器１内に溜まっていた塵埃が舞い上がり、これがウ
エハ７に付着するからである。例えば、あるイオン注入
装置で実験した結果、窒素ガスラインにフィルタが無い
場合は、大きさが0.2〜0.5μｍの塵埃が約700個/4″ウ
エハ付着していた。一方、窒素ガスラインに0.2μｍの
フィルタを入れた場合には、通常のベント速度（20秒）
の場合は約500個./4″ウエハであり、ベント速度が２分
の場合は約100個/4″ウエハであった。このように、ベ
ント速度を遅くして塵埃の舞い上がりを少なくするとウ
エハ７への塵埃の付着は減少するが、それでも完全に塵
埃の舞い上がり・付着を抑えることはできない。
のはベント時であり、その理由は窒素ガス注入により真
空容器１内に溜まっていた塵埃が舞い上がり、これがウ
エハ７に付着するからである。例えば、あるイオン注入
装置で実験した結果、窒素ガスラインにフィルタが無い
場合は、大きさが0.2〜0.5μｍの塵埃が約700個/4″ウ
エハ付着していた。一方、窒素ガスラインに0.2μｍの
フィルタを入れた場合には、通常のベント速度（20秒）
の場合は約500個./4″ウエハであり、ベント速度が２分
の場合は約100個/4″ウエハであった。このように、ベ
ント速度を遅くして塵埃の舞い上がりを少なくするとウ
エハ７への塵埃の付着は減少するが、それでも完全に塵
埃の舞い上がり・付着を抑えることはできない。
従ってこの発明は、ベント時のウエハの塵埃付着を防止
することができるイオン注入装置のベント方法を提供す
ることを主たる目的とする。
することができるイオン注入装置のベント方法を提供す
ることを主たる目的とする。
この発明のベント方法は、真空容器内に設けられたディ
スクの円周部に複数のウエハが装着されるイオン注入装
置において、その真空容器内のディスクのウエハ装着面
に対向するように、ガス吹出し用のリング状ノズルであ
ってその全周に亘ってディスク上の全てのウエハ装着場
所の方に向いた複数のガス吹出し穴を有するものを設け
ておき、このリング状ノズルに洗浄なガスを供給してそ
のガス吹出し穴からディスク上の全てのウエハに向けて
ガスを噴出させて全てのウエハの表面に清浄なガス流を
発生させながら、前記真空容器内にガスを注入して当該
真空容器内を大気圧状態に戻すことを特徴とする。
スクの円周部に複数のウエハが装着されるイオン注入装
置において、その真空容器内のディスクのウエハ装着面
に対向するように、ガス吹出し用のリング状ノズルであ
ってその全周に亘ってディスク上の全てのウエハ装着場
所の方に向いた複数のガス吹出し穴を有するものを設け
ておき、このリング状ノズルに洗浄なガスを供給してそ
のガス吹出し穴からディスク上の全てのウエハに向けて
ガスを噴出させて全てのウエハの表面に清浄なガス流を
発生させながら、前記真空容器内にガスを注入して当該
真空容器内を大気圧状態に戻すことを特徴とする。
ベント時、リング状ノズルのガス吹出し穴からディスク
に装着された全てのウエハに向かってベント用のガスが
噴出される。これによって、ディスク上の全てのウエハ
の表面に清浄なガス流を発生させながら真空容器がベン
トされる。この場合、真空容器内に溜まっていた塵埃が
舞い上がっても、全てのウエハの表面は清浄なガス流で
覆われているので、ディスク上の全てのウエハへの塵埃
の付着を防止することができる。
に装着された全てのウエハに向かってベント用のガスが
噴出される。これによって、ディスク上の全てのウエハ
の表面に清浄なガス流を発生させながら真空容器がベン
トされる。この場合、真空容器内に溜まっていた塵埃が
舞い上がっても、全てのウエハの表面は清浄なガス流で
覆われているので、ディスク上の全てのウエハへの塵埃
の付着を防止することができる。
第２図はこの発明を実施するイオン注入装置の一例を部
分的に示す概略断面図であり、第３図は第２図のディス
ク回りを示す正面図であり、第１図は第２図のディスク
回りを拡大して示す断面図である。これらの図におい
て、第５図及び第６図に示した従来例の符号と同一符号
は同等部分を示す。ディスク５の円周部に複数のウエハ
７がウエハ押え６によって押えられて装着されている。
そして蓋２には、真空容器１内のディスク５のウエハ装
着面に対向するように、ウエハ群の内径よりも小さい外
径を有するリング状ノズル８が取り付けられている。リ
ング状ノズル８には、その全周に亘って、ディスク５上
の全てのウエハ装着場所の方に向いた、即ちこの例では
外側に向いた複数のガス吹出し穴8aが設けられている。
例えば、0.8〜1mmφ程度のガス吹出し穴8aが10〜数十mm
程度の間隔で複数個設けられている。このリング状ノズ
ル８には、図示しないガス源から、ベントバルブ10及び
フィルター11を経由してベント用の清浄なガス、例えば
窒素ガスが供給される。尚、窒素ガス供給用のパイプの
一部分はフレキシブルになっており、蓋２を２点鎖線の
ように開いても支障は無い、又、リング状ノズル８の全
面にはこの例ではしゃへい板９が取り付けられている。
分的に示す概略断面図であり、第３図は第２図のディス
ク回りを示す正面図であり、第１図は第２図のディスク
回りを拡大して示す断面図である。これらの図におい
て、第５図及び第６図に示した従来例の符号と同一符号
は同等部分を示す。ディスク５の円周部に複数のウエハ
７がウエハ押え６によって押えられて装着されている。
そして蓋２には、真空容器１内のディスク５のウエハ装
着面に対向するように、ウエハ群の内径よりも小さい外
径を有するリング状ノズル８が取り付けられている。リ
ング状ノズル８には、その全周に亘って、ディスク５上
の全てのウエハ装着場所の方に向いた、即ちこの例では
外側に向いた複数のガス吹出し穴8aが設けられている。
例えば、0.8〜1mmφ程度のガス吹出し穴8aが10〜数十mm
程度の間隔で複数個設けられている。このリング状ノズ
ル８には、図示しないガス源から、ベントバルブ10及び
フィルター11を経由してベント用の清浄なガス、例えば
窒素ガスが供給される。尚、窒素ガス供給用のパイプの
一部分はフレキシブルになっており、蓋２を２点鎖線の
ように開いても支障は無い、又、リング状ノズル８の全
面にはこの例ではしゃへい板９が取り付けられている。
作用に付いて説明すると、イオン注入終了後、蓋２を閉
じたままの状態で（即ち第２図の実線の状態で）ベント
バルブ10を開き、フィルター11で塵埃を取り除いた清浄
な窒素ガスをリング状ノズル８に送り、これを各ガス吹
出し穴8aからディスク５上の全てのウエハ７に向けて噴
出させて全てのウエハ７の表面に清浄なガス流FOを発生
させながら、真空容器１内に窒素ガスを注入してベント
する。即ち、真空容器１内を大気圧状態に戻す。この
時、真空容器１内に溜まっていた塵埃が舞い上がって
も、全てのウエハ７の表面は清浄なガス流FOで覆われて
いるので、ディスク上の全てのウエハ７への塵埃の付着
を防止することができる。又、ベント以前にウエハ７に
塵埃が付着していたとしても、これはガス流FOにより吹
き飛ばされて除去される。
じたままの状態で（即ち第２図の実線の状態で）ベント
バルブ10を開き、フィルター11で塵埃を取り除いた清浄
な窒素ガスをリング状ノズル８に送り、これを各ガス吹
出し穴8aからディスク５上の全てのウエハ７に向けて噴
出させて全てのウエハ７の表面に清浄なガス流FOを発生
させながら、真空容器１内に窒素ガスを注入してベント
する。即ち、真空容器１内を大気圧状態に戻す。この
時、真空容器１内に溜まっていた塵埃が舞い上がって
も、全てのウエハ７の表面は清浄なガス流FOで覆われて
いるので、ディスク上の全てのウエハ７への塵埃の付着
を防止することができる。又、ベント以前にウエハ７に
塵埃が付着していたとしても、これはガス流FOにより吹
き飛ばされて除去される。
更に、この実施例のようにリング状ノズル８の全面にし
ゃへい板９を設けると、第１図の点線のような塵埃を含
むガス流FBが発生したとしても、しゃへい板９によって
ガス流FBがウエハ７の方へ巻き込まれるのが防止される
ため、ウエハ７への塵埃付着防止はより完全となる。
ゃへい板９を設けると、第１図の点線のような塵埃を含
むガス流FBが発生したとしても、しゃへい板９によって
ガス流FBがウエハ７の方へ巻き込まれるのが防止される
ため、ウエハ７への塵埃付着防止はより完全となる。
真空容器１内が大気圧状態になると、ヒンジ12を支点に
して蓋２を第２図の２点鎖線の状態まで開く。蓋２を開
いた状態では、蓋２の上方よりクリーンユニット（図示
省略）からの清浄な空気流が流されており、蓋２を開い
た時に飛散した塵埃がこの空気流により取り除かれた時
点でベントバルブ10を閉じる。その後、ハンドリング装
置（図示省略）によりディスク５上の注入済みのウエハ
７を回収し、未注入のウエハの装着を行う。
して蓋２を第２図の２点鎖線の状態まで開く。蓋２を開
いた状態では、蓋２の上方よりクリーンユニット（図示
省略）からの清浄な空気流が流されており、蓋２を開い
た時に飛散した塵埃がこの空気流により取り除かれた時
点でベントバルブ10を閉じる。その後、ハンドリング装
置（図示省略）によりディスク５上の注入済みのウエハ
７を回収し、未注入のウエハの装着を行う。
第４図は、リング状ノズルの他の例を示す部分断面図で
ある。この例では、リング状ノズル８の全周に亘って、
前記外側に向いた複数のガス吹出し穴8aの他に、ウエハ
装着場所とは反対方向に向いた、即ちこの例では内側に
向いた複数のガス吹出し穴8bを設けている。ガス吹出し
穴8bの大きさ、間隔等は前述したガス吹出し穴8aと略同
じである。この代わり、第１図に示したようなしゃへい
板９は設けていない。ベント時、ガス吹出し穴8bから内
向きのガス流FIが発生する。このガス流FIもしゃへい板
９と同様の作用をし、点線のような塵埃を含むガス流FB
が発生したとしても、ガス流FIによってガス流FBがウエ
ハ７の方へ巻き込まれるのが防止される。従ってウエハ
７への塵埃付着防止は、しゃへい板９を設けたのと同様
に、より完全となる。
ある。この例では、リング状ノズル８の全周に亘って、
前記外側に向いた複数のガス吹出し穴8aの他に、ウエハ
装着場所とは反対方向に向いた、即ちこの例では内側に
向いた複数のガス吹出し穴8bを設けている。ガス吹出し
穴8bの大きさ、間隔等は前述したガス吹出し穴8aと略同
じである。この代わり、第１図に示したようなしゃへい
板９は設けていない。ベント時、ガス吹出し穴8bから内
向きのガス流FIが発生する。このガス流FIもしゃへい板
９と同様の作用をし、点線のような塵埃を含むガス流FB
が発生したとしても、ガス流FIによってガス流FBがウエ
ハ７の方へ巻き込まれるのが防止される。従ってウエハ
７への塵埃付着防止は、しゃへい板９を設けたのと同様
に、より完全となる。
尚、リング状ノズル８はイオン注入前のウエハの清掃に
も使用することができる。即ち、蓋２を閉じて真空排気
装置（図示省略）を運転して、ディスク５を回転させな
がらリング状ノズル８より窒素ガスを噴射してウエハ上
の塵埃を吹き飛ばして除去することも可能である。
も使用することができる。即ち、蓋２を閉じて真空排気
装置（図示省略）を運転して、ディスク５を回転させな
がらリング状ノズル８より窒素ガスを噴射してウエハ上
の塵埃を吹き飛ばして除去することも可能である。
以上説明したようにこの発明によれば、リング状ノズル
に清浄なガスを供給してそのガス吹出し穴からディスク
上の全てのウエハに向けてガスを噴出させて全てのウエ
ハの表面に清浄なガス流を発生させながら真空容器をベ
ントするので、ベント時に、真空容器内に溜まっていた
塵埃が舞い上がっても、ディスク上の全てのウエハの表
面は清浄なガス流で覆われており、従ってディスク上の
全てのウエハ塵埃の付着を防止することができる。又、
ベント以前にウエハ塵埃が付着していたとしても、それ
を上記ガス流によって吹き飛ばして除去することができ
るという効果も得られる。
に清浄なガスを供給してそのガス吹出し穴からディスク
上の全てのウエハに向けてガスを噴出させて全てのウエ
ハの表面に清浄なガス流を発生させながら真空容器をベ
ントするので、ベント時に、真空容器内に溜まっていた
塵埃が舞い上がっても、ディスク上の全てのウエハの表
面は清浄なガス流で覆われており、従ってディスク上の
全てのウエハ塵埃の付着を防止することができる。又、
ベント以前にウエハ塵埃が付着していたとしても、それ
を上記ガス流によって吹き飛ばして除去することができ
るという効果も得られる。
第１図、第２図はディスク回りを拡大して示す断面図で
ある。第２図は、この発明を実施するイオン注入装置の
一例を部分的に示す概略断面図である。第３図、第２図
のディスク回りを示す正面図である。第４図は、リング
状ノズルの他の例を示す部分断面図である。第５図は、
従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す概略断面図
である。第６図は、第５図のディスク回りを示す正面図
である。 １…真空容器、５…ディスク、７…ウエハ、８…リング
状ノズル、8a,8b…ガス吹出し穴、９…しゃへい板、FO,
FI,FB…ガス流。
ある。第２図は、この発明を実施するイオン注入装置の
一例を部分的に示す概略断面図である。第３図、第２図
のディスク回りを示す正面図である。第４図は、リング
状ノズルの他の例を示す部分断面図である。第５図は、
従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す概略断面図
である。第６図は、第５図のディスク回りを示す正面図
である。 １…真空容器、５…ディスク、７…ウエハ、８…リング
状ノズル、8a,8b…ガス吹出し穴、９…しゃへい板、FO,
FI,FB…ガス流。
Claims (3)
- 【請求項１】真空容器内に設けられたディスクの円周部
に複数のウエハが装着されるイオン注入装置において、
その真空容器内のディスクのウエハ装着面に対向するよ
うに、ガス吹出し用のリング状ノズルであってその全周
に亘ってディスク上の全てのウエハ装着場所の方に向い
た複数のガス吹出し穴を有するものを設けておき、この
リング状ノズルに清浄なガスを供給してそのガス吹出し
穴からディスク上の全てのウエハに向けてガスを噴出さ
せて全てのウエハの表面に清浄なガス流を発生させなが
ら、前記真空容器内にガスを注入して当該真空容器内を
大気圧状態に戻すことを特徴とするイオン注入装置のベ
ント方法。 - 【請求項２】リング状ノズルの全面にしゃへい板を設け
た特許請求の範囲第１項記載のイオン注入装置のベント
方法。 - 【請求項３】リング状ノズルの全周に亘ってウエハ装着
場所とは反対方向に向いた複数のガス吹出し穴を更に設
けた特許請求の範囲第１項記載のイオン注入装置のベン
ト方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237026A JPH0735572B2 (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | イオン注入装置のベント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237026A JPH0735572B2 (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | イオン注入装置のベント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113765A JPS61113765A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH0735572B2 true JPH0735572B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=17009288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59237026A Expired - Lifetime JPH0735572B2 (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | イオン注入装置のベント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735572B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2566308B2 (ja) * | 1989-01-12 | 1996-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置を備えた処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5261182A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-20 | Stanley Electric Co Ltd | Method of purifying material to be vacuum evaporated |
| JPS5632722A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-02 | Hitachi Ltd | Ion implanting apparatus |
| JPS5953659B2 (ja) * | 1980-04-11 | 1984-12-26 | 株式会社日立製作所 | 真空室中回転体の往復動機構 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP59237026A patent/JPH0735572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61113765A (ja) | 1986-05-31 |
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