JPH0734427B2 - 塗布膜形成用ディスペンサ - Google Patents
塗布膜形成用ディスペンサInfo
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- JPH0734427B2 JPH0734427B2 JP63198321A JP19832188A JPH0734427B2 JP H0734427 B2 JPH0734427 B2 JP H0734427B2 JP 63198321 A JP63198321 A JP 63198321A JP 19832188 A JP19832188 A JP 19832188A JP H0734427 B2 JPH0734427 B2 JP H0734427B2
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- dispenser
- nozzle
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基板に絶縁膜等を形成するための塗布膜
形成用ディスペンサに関する。
形成用ディスペンサに関する。
従来、この種のディスペンサは、高速回転させられた半
導体基板にこのディスペンサにより塗布液を滴下して、
塗布液の一様な膜を形成し、この塗布膜を焼成して半導
体基板上に絶縁膜を形成したり、あるいは半導体基板に
不純物を拡散するためのドーパント膜を形成したりする
ときに用いられている。
導体基板にこのディスペンサにより塗布液を滴下して、
塗布液の一様な膜を形成し、この塗布膜を焼成して半導
体基板上に絶縁膜を形成したり、あるいは半導体基板に
不純物を拡散するためのドーパント膜を形成したりする
ときに用いられている。
第８図は従来のディスペンサの構造の一例を示すディス
ペンサの断面図である。このディスペンサは、同図に示
すように、半導体基板に塗布液を滴下するためのノズル
３と、ノズル３を使用しないときに、ノズル３の吐出口
１が塗布液の固形化により塞がらないように、テーパ穴
８にノズル３の先端部２を差し込んで密閉するポット13
とから構成されている。ノズル３の中心に、塗布液、例
えば、シリカ液を供給するチューブ４が挿入されてお
り、チューブ４の周囲に所定の隙間をもたせてチューブ
４の外径と同心円の穴である溶剤吐出口６が開けられて
いる。この溶剤吐出口６の後端はノズル３の側面に明け
られた細穴と通じている。また、ノズル３の側面の前記
細穴には継手7aを介して溶剤、例えば、エタノールを供
給するチューブ５が接続されている。ポット13の内部に
は、ノズル３の先端部２がテーパ穴８に差し込まれて保
管されている間に、ノズル３より滴下するシリカ液とメ
タノールを溜める槽15が形成され、更に、オーバフロー
したシリカ液とメタノールを排出するドレーン口10が設
けられている。このドレーン口10は継手7bを介してチュ
ーブ14に接続されている。
ペンサの断面図である。このディスペンサは、同図に示
すように、半導体基板に塗布液を滴下するためのノズル
３と、ノズル３を使用しないときに、ノズル３の吐出口
１が塗布液の固形化により塞がらないように、テーパ穴
８にノズル３の先端部２を差し込んで密閉するポット13
とから構成されている。ノズル３の中心に、塗布液、例
えば、シリカ液を供給するチューブ４が挿入されてお
り、チューブ４の周囲に所定の隙間をもたせてチューブ
４の外径と同心円の穴である溶剤吐出口６が開けられて
いる。この溶剤吐出口６の後端はノズル３の側面に明け
られた細穴と通じている。また、ノズル３の側面の前記
細穴には継手7aを介して溶剤、例えば、エタノールを供
給するチューブ５が接続されている。ポット13の内部に
は、ノズル３の先端部２がテーパ穴８に差し込まれて保
管されている間に、ノズル３より滴下するシリカ液とメ
タノールを溜める槽15が形成され、更に、オーバフロー
したシリカ液とメタノールを排出するドレーン口10が設
けられている。このドレーン口10は継手7bを介してチュ
ーブ14に接続されている。
第９図は塗布動作を説明するための半導体基板とディス
ペンサの相対位置を示すディスペンサの斜視図である。
次に、半導体基板に塗布液を塗布する動作を説明する
と、同図に示すように、まず、半導体基板11をスピンコ
ータの回転テーブル（図示せず）に載置する。次に、半
導体基板11を矢印17の方向に高速回転する。次に、支持
棒12に取り付けられたアーム16を上昇させ、ポット13よ
りノズル３を抜き、アム16を回転し、ノズル３を半導体
基板11の中心上の位置に位置決めする。次に、ノズル３
より適量のシリカ液を滴下する。滴下されたシリカ液は
遠心力により半導体基板11と同心の円形状の塗布膜18に
形成される。この形成された塗布膜18が半導体基板11の
外周まで拡がり一様な膜厚に形成される。
ペンサの相対位置を示すディスペンサの斜視図である。
次に、半導体基板に塗布液を塗布する動作を説明する
と、同図に示すように、まず、半導体基板11をスピンコ
ータの回転テーブル（図示せず）に載置する。次に、半
導体基板11を矢印17の方向に高速回転する。次に、支持
棒12に取り付けられたアーム16を上昇させ、ポット13よ
りノズル３を抜き、アム16を回転し、ノズル３を半導体
基板11の中心上の位置に位置決めする。次に、ノズル３
より適量のシリカ液を滴下する。滴下されたシリカ液は
遠心力により半導体基板11と同心の円形状の塗布膜18に
形成される。この形成された塗布膜18が半導体基板11の
外周まで拡がり一様な膜厚に形成される。
上述した従来のディスペンサでは、以下に示す３つの問
題点がある。
題点がある。
1.ノズルの吐出口にシリカ液が結晶化して固まり、充分
な溶剤の回り込みがなく結晶化が進み吐出口を塞ぎ正常
な滴下が出来ないことがある。
な溶剤の回り込みがなく結晶化が進み吐出口を塞ぎ正常
な滴下が出来ないことがある。
2.ノズルのポットへの差し込みが頻繁なため、ノズルの
先端にごみが付着し、シリカ液を滴下するとき、ごみが
混入し半導体基板の汚染を招くことになる。
先端にごみが付着し、シリカ液を滴下するとき、ごみが
混入し半導体基板の汚染を招くことになる。
3.ノズルの吐出口に溜った溶剤が半導体基板に落ちて塗
布膜の厚さむらを起す。
布膜の厚さむらを起す。
本発明の目的は、半導体基板を汚染しない、塗布膜の厚
みむらを起すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用
ディスペンサを提供することである。
みむらを起すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用
ディスペンサを提供することである。
本発明の特徴は、半導体基板上に塗布膜を形成する塗布
膜形成用ディスペンサにおいて、塗布液を滴下する塗布
液滴下用ノズルの第１の吐出口とは別に該第１の吐出口
の周囲に少なくとも１個ずつ前記塗布液の溶剤及び圧縮
空気の各供給口が形成されるブロック体を有し、前記第
１の吐出口からの前記塗布液と前記溶剤の供給口からの
前記溶剤と前記圧縮空気の供給口からの前記圧縮空気と
を混合する空間部を形成する溶剤溜り部と該溶剤溜り部
と外気に通ずる第２の吐出口とを前記ブロック体に設け
る塗布膜形成用ディスペンサである。
膜形成用ディスペンサにおいて、塗布液を滴下する塗布
液滴下用ノズルの第１の吐出口とは別に該第１の吐出口
の周囲に少なくとも１個ずつ前記塗布液の溶剤及び圧縮
空気の各供給口が形成されるブロック体を有し、前記第
１の吐出口からの前記塗布液と前記溶剤の供給口からの
前記溶剤と前記圧縮空気の供給口からの前記圧縮空気と
を混合する空間部を形成する溶剤溜り部と該溶剤溜り部
と外気に通ずる第２の吐出口とを前記ブロック体に設け
る塗布膜形成用ディスペンサである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明による第１の実施例を示すデ
ィスペンサの断面図及び下面図である。このディスペン
サの本体は、例えば、透明な樹脂で製作され、ノズル３
をもつブロック体９に形成されており、このブロック体
９の両側面に貫通する細穴20が開けられ、その細穴20の
両端には継手7a及び7cを介して溶剤液供給用チューブ５
及び空気供給用チューブ19が取付けられている。また、
この細穴20に直交するように前記両側面に直交するブロ
ック体９の面に前記細穴より太い直径をもつ穴が開けら
れ、その穴の一端は溶剤吐出口６を形成し、他端には継
手7bを介してシリカ液供給用チューブ４と接続されてい
る。更に、溶剤吐出口６の内部にシリカ液を滴下するた
めの吐出管21が差し込まれ、吐出管21の一端がシリカ液
供給用チューブ４の継手7bの穴に通じ、他端であるシリ
カ液を滴下する吐出口１が溶剤吐出口１よりやや凹んだ
位置に取り付けられている。ここで、この吐出管21は、
例えば、その内径を2mm程度の直径をもつ石英管で製作
される。
ィスペンサの断面図及び下面図である。このディスペン
サの本体は、例えば、透明な樹脂で製作され、ノズル３
をもつブロック体９に形成されており、このブロック体
９の両側面に貫通する細穴20が開けられ、その細穴20の
両端には継手7a及び7cを介して溶剤液供給用チューブ５
及び空気供給用チューブ19が取付けられている。また、
この細穴20に直交するように前記両側面に直交するブロ
ック体９の面に前記細穴より太い直径をもつ穴が開けら
れ、その穴の一端は溶剤吐出口６を形成し、他端には継
手7bを介してシリカ液供給用チューブ４と接続されてい
る。更に、溶剤吐出口６の内部にシリカ液を滴下するた
めの吐出管21が差し込まれ、吐出管21の一端がシリカ液
供給用チューブ４の継手7bの穴に通じ、他端であるシリ
カ液を滴下する吐出口１が溶剤吐出口１よりやや凹んだ
位置に取り付けられている。ここで、この吐出管21は、
例えば、その内径を2mm程度の直径をもつ石英管で製作
される。
第３図はディスペンサが半導体基板に塗布する前の準備
状態を示すノズルの断面図、第４図は塗布動作を説明す
るための半導体基板を含むディスペンサの斜視図であ
る。塗布作業を行う前には、ディスペンサのノズル３の
清掃を行なう必要がある。これには、まず、第４図に示
すように、ディスペンサのブロック体９を保持している
アーム16を回転してブロック体９をＡで示す位置に位置
決めする。次に、第３図に示すように、ノズル３の溶剤
吐出口６に通ずる溶剤供給用チューブ５より溶剤23を供
給し、溶剤吐出口６の壁と吐出管21との隙間でなる空間
を形成する溶剤溜り部に溶剤23を満たす。この溶剤は比
較的に粘度が高いので溶剤23が溶剤吐出口６より滴下す
ることはない。また、吐出管21の内部は使用前のシリカ
液22か残存し、特に、吐出口１付近のシリカ液22が結晶
化し、吐出口１を塞いでいる。この結晶化したシリカ液
22を溶剤23が溶解し、強制的に送られた溶剤により、ブ
ロック体９の下にあるドレーンポット27に滴下される。
次に、空気供給用チューブ19から清浄な圧縮空気を供給
して溶剤吐出口６に通ずる溶剤溜り部の溶剤23を吹き飛
ばす。次に、シリカ供給用チューブからシリカ液を吐出
管21内に満たし、試験的にシリカ液をドレーンポット27
に滴下する。次に、第４図に示すように、あらかじめス
ピンコータの回転テーブルの上に位置決めされた半導体
基板11を高速回転させ、ディスペンサのブロック体９を
アーム16を回転させ、Ｂに示す位置にブロック体９を位
置決めする。次に、ディスペンサのシリカ供給用チュー
ブ４により所定の量を強制的に供給し、半導体基板11の
上に所定の量のシリカ液を滴下する。滴下されたシリカ
液は遠心力により拡がり半導体基板11上に膜厚が一様な
塗布膜18が形成される。ここで、この塗布膜18が形成さ
れる前に、ブロック体９はアーム16によりＡで示す位置
に戻され、再び、ノズルの清掃作業を開始する。このよ
うな一連の作業を繰返して、半導体基板11の上に順次塗
布膜を形成する。
状態を示すノズルの断面図、第４図は塗布動作を説明す
るための半導体基板を含むディスペンサの斜視図であ
る。塗布作業を行う前には、ディスペンサのノズル３の
清掃を行なう必要がある。これには、まず、第４図に示
すように、ディスペンサのブロック体９を保持している
アーム16を回転してブロック体９をＡで示す位置に位置
決めする。次に、第３図に示すように、ノズル３の溶剤
吐出口６に通ずる溶剤供給用チューブ５より溶剤23を供
給し、溶剤吐出口６の壁と吐出管21との隙間でなる空間
を形成する溶剤溜り部に溶剤23を満たす。この溶剤は比
較的に粘度が高いので溶剤23が溶剤吐出口６より滴下す
ることはない。また、吐出管21の内部は使用前のシリカ
液22か残存し、特に、吐出口１付近のシリカ液22が結晶
化し、吐出口１を塞いでいる。この結晶化したシリカ液
22を溶剤23が溶解し、強制的に送られた溶剤により、ブ
ロック体９の下にあるドレーンポット27に滴下される。
次に、空気供給用チューブ19から清浄な圧縮空気を供給
して溶剤吐出口６に通ずる溶剤溜り部の溶剤23を吹き飛
ばす。次に、シリカ供給用チューブからシリカ液を吐出
管21内に満たし、試験的にシリカ液をドレーンポット27
に滴下する。次に、第４図に示すように、あらかじめス
ピンコータの回転テーブルの上に位置決めされた半導体
基板11を高速回転させ、ディスペンサのブロック体９を
アーム16を回転させ、Ｂに示す位置にブロック体９を位
置決めする。次に、ディスペンサのシリカ供給用チュー
ブ４により所定の量を強制的に供給し、半導体基板11の
上に所定の量のシリカ液を滴下する。滴下されたシリカ
液は遠心力により拡がり半導体基板11上に膜厚が一様な
塗布膜18が形成される。ここで、この塗布膜18が形成さ
れる前に、ブロック体９はアーム16によりＡで示す位置
に戻され、再び、ノズルの清掃作業を開始する。このよ
うな一連の作業を繰返して、半導体基板11の上に順次塗
布膜を形成する。
第５図及び第６図は本発明の第２の実施例を示すディス
ペンサの断面図及び下面図、第７図は第５図のAA断面を
示す断面図である。このディスペンサのブロック体９は
円筒状の樹脂材で製作されており、ノズル３はブロック
体９と分離されて製作されている。また、このノズル３
はブロック体９に蓋をするように組立てられ、ブロック
体９とノズル３との間に形成される空間である溶剤溜り
部24が形成される。このブロック体９の中心には、樹脂
製のシリカ液供給用チューブ４がきつい状態のはめ合い
で挿入され、その先端はノズル３の溶剤吐出口６より凹
んだ位置に取り付けられている。また、シリカ液供給チ
ューブ４の周囲には、溶剤供給用チューブ５及び空気供
給用チューブ19が各２本ずつ継手7a及び7bを介して取り
付けられ、この第５図では、継手7a凡び7bに通ずる細穴
25a及び26aはブロック体９を貫通し、溶剤溜り部24に通
じている。この溶剤及び空気を供給する細穴は第５図で
は１個所ずつしか示されていないが、実際は、第７図に
示すように、溶剤供給口及び空気供給に連らなる細穴25
a、25b、26a及び26bの各２個ずつ配置されている。
ペンサの断面図及び下面図、第７図は第５図のAA断面を
示す断面図である。このディスペンサのブロック体９は
円筒状の樹脂材で製作されており、ノズル３はブロック
体９と分離されて製作されている。また、このノズル３
はブロック体９に蓋をするように組立てられ、ブロック
体９とノズル３との間に形成される空間である溶剤溜り
部24が形成される。このブロック体９の中心には、樹脂
製のシリカ液供給用チューブ４がきつい状態のはめ合い
で挿入され、その先端はノズル３の溶剤吐出口６より凹
んだ位置に取り付けられている。また、シリカ液供給チ
ューブ４の周囲には、溶剤供給用チューブ５及び空気供
給用チューブ19が各２本ずつ継手7a及び7bを介して取り
付けられ、この第５図では、継手7a凡び7bに通ずる細穴
25a及び26aはブロック体９を貫通し、溶剤溜り部24に通
じている。この溶剤及び空気を供給する細穴は第５図で
は１個所ずつしか示されていないが、実際は、第７図に
示すように、溶剤供給口及び空気供給に連らなる細穴25
a、25b、26a及び26bの各２個ずつ配置されている。
この実施例のディスペンサの動作は第１の実施例と同じ
である。また、この実施例と第１の実施例との異なる点
は、第１の実施例の吐出口を含めた吐出管と溶剤吐出口
の壁との間に出来る空間の溶剤溜り部に対して独立した
溶剤溜り部24を設けたこと、溶剤供給用及び空気供給用
チューブを各２本ずつ設けたこと、及びシリカ液供給用
チューブの材質を変えて、更に、その長さを短くしたこ
とである。これらの変更により、第１の実施例と比べ以
下の点が有利である。
である。また、この実施例と第１の実施例との異なる点
は、第１の実施例の吐出口を含めた吐出管と溶剤吐出口
の壁との間に出来る空間の溶剤溜り部に対して独立した
溶剤溜り部24を設けたこと、溶剤供給用及び空気供給用
チューブを各２本ずつ設けたこと、及びシリカ液供給用
チューブの材質を変えて、更に、その長さを短くしたこ
とである。これらの変更により、第１の実施例と比べ以
下の点が有利である。
1.より広い溶剤溜り部を設けたことにより、結晶化され
たシリカの除去がより効果的に行えること。
たシリカの除去がより効果的に行えること。
2.複数の溶剤供給チューブと空気供給チューブを設けた
のでディスペンサの清掃作業がより短時間で出来るこ
と。
のでディスペンサの清掃作業がより短時間で出来るこ
と。
3.溶剤供給用チューブを安価な材料で出来ること、メン
テナンスのときにチューブを清掃することなく、切断し
て常に新しい先端部を使えば、よりメンテナンス工数が
節減出来ること。
テナンスのときにチューブを清掃することなく、切断し
て常に新しい先端部を使えば、よりメンテナンス工数が
節減出来ること。
の３点である。
以上説明したように、本発明のディスペンサは一つのブ
ロック体に、塗布液滴下用ノズルとノズルを清掃する塗
布液溶剤用供給吐出口及び空気吹出し口とをブロック体
内の溶剤溜り部に通ずるように一体化して設けたことに
より、塗布液滴下用ノズルに塗布液が詰ることがなく、
ノズルにごみを付着することなく常にきれいに保つこと
が出来、更に、溶剤を半導体基板上に滴下することがな
いので、半導体基板を汚染しない、塗布膜の厚みむらを
起すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用ディスペ
ンサが得られるという効果がある。
ロック体に、塗布液滴下用ノズルとノズルを清掃する塗
布液溶剤用供給吐出口及び空気吹出し口とをブロック体
内の溶剤溜り部に通ずるように一体化して設けたことに
より、塗布液滴下用ノズルに塗布液が詰ることがなく、
ノズルにごみを付着することなく常にきれいに保つこと
が出来、更に、溶剤を半導体基板上に滴下することがな
いので、半導体基板を汚染しない、塗布膜の厚みむらを
起すことなく安定して塗布出来る塗布膜形成用ディスペ
ンサが得られるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明による第１の実施例を示すデ
ィスペンサの断面図及び下面図、第３図はディスペンサ
が半導体基板に塗布する前の準備状態を示すノズルの断
面図、第４図は塗布動作を説明するための半導体基板を
含むディスペンサの斜視図、第５図及び第６図は本発明
の第２の実施例を示すディスペンサの断面図及び下面
図、第７図は第５図のAA断面を示す断面図、第８図は従
来のディスペンサのの構造の一例を示すディスペンサの
断面図、第９図は塗布動作を説明するための半導体基板
とディスペンサの相対位置を示すディスペンサの斜視図
である。 １……吐出口、２……先端部、３……ノズル、４、５、
14、19……チューブ、６……溶剤吐出口、7a、7b、7c…
…継手、８……テーパ穴、９……ブロック体、10……ド
レーン口、11……半導体基板、12……支持棒、13……ポ
ット、15……槽、16……アーム、17……矢印、18……塗
布膜、20、25a、25b、26a、26b……細穴、21……吐出
管、22……シリカ液、23……溶剤、24……溶剤溜り部、
27……ドレーンポット。
ィスペンサの断面図及び下面図、第３図はディスペンサ
が半導体基板に塗布する前の準備状態を示すノズルの断
面図、第４図は塗布動作を説明するための半導体基板を
含むディスペンサの斜視図、第５図及び第６図は本発明
の第２の実施例を示すディスペンサの断面図及び下面
図、第７図は第５図のAA断面を示す断面図、第８図は従
来のディスペンサのの構造の一例を示すディスペンサの
断面図、第９図は塗布動作を説明するための半導体基板
とディスペンサの相対位置を示すディスペンサの斜視図
である。 １……吐出口、２……先端部、３……ノズル、４、５、
14、19……チューブ、６……溶剤吐出口、7a、7b、7c…
…継手、８……テーパ穴、９……ブロック体、10……ド
レーン口、11……半導体基板、12……支持棒、13……ポ
ット、15……槽、16……アーム、17……矢印、18……塗
布膜、20、25a、25b、26a、26b……細穴、21……吐出
管、22……シリカ液、23……溶剤、24……溶剤溜り部、
27……ドレーンポット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 21/316 Ｚ 7352−4Ｍ 21/52 Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に塗布膜を形成する塗布膜形
成用ディスペンサにおいて、塗布液を滴下する塗布液滴
下用ノズルの第１の吐出口とは別に該第１の吐出口の周
囲に少なくとも１個ずつ前記塗布液の溶剤及び圧縮空気
の各供給口が形成されるブロック体を有し、前記第１の
吐出口からの前記塗布液と前記溶剤の供給口からの前記
溶剤と前記圧縮空気の供給口からの前記圧縮空気とを混
合する空間部を形成する溶剤溜り部と該溶剤溜り部と外
気に通ずる第２の吐出口とを前記ブロック体に設けるこ
とを特徴とする塗布膜形成用ディスペンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198321A JPH0734427B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 塗布膜形成用ディスペンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63198321A JPH0734427B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 塗布膜形成用ディスペンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246730A JPH0246730A (ja) | 1990-02-16 |
| JPH0734427B2 true JPH0734427B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=16389172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63198321A Expired - Fee Related JPH0734427B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 塗布膜形成用ディスペンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0734427B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0637691U (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-20 | 三井精機工業株式会社 | 配管用継手 |
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