JPS5946164A - 有機高分子溶液の塗布装置 - Google Patents
有機高分子溶液の塗布装置Info
- Publication number
- JPS5946164A JPS5946164A JP15512682A JP15512682A JPS5946164A JP S5946164 A JPS5946164 A JP S5946164A JP 15512682 A JP15512682 A JP 15512682A JP 15512682 A JP15512682 A JP 15512682A JP S5946164 A JPS5946164 A JP S5946164A
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- JP
- Japan
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- solution
- tank
- resist
- film
- pressurized gas
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、レジストのような有機高分子溶液の塗布装
置の改良に関するものである。
置の改良に関するものである。
従来、集積回路パターン形成を行なうだめのリングラフ
ィでは、半導体基板上にレジスト溶液を塗布してベーク
した後、所望のパターン部に露光し、現像工程を経て所
望のパターン形成している。
ィでは、半導体基板上にレジスト溶液を塗布してベーク
した後、所望のパターン部に露光し、現像工程を経て所
望のパターン形成している。
このようなりソグラフイ技術は半導体装置の製造では広
く一般に使用されている技術である。前述のようなりソ
ゲラフイエ程でレジスト膜を形成するには、レジスト溶
液を半導体基板に滴下した後、スピン塗布する方法が高
集積回路の製造プロセスに主として用いられ、他にスプ
レー法、コータ法などがある。
く一般に使用されている技術である。前述のようなりソ
ゲラフイエ程でレジスト膜を形成するには、レジスト溶
液を半導体基板に滴下した後、スピン塗布する方法が高
集積回路の製造プロセスに主として用いられ、他にスプ
レー法、コータ法などがある。
従来のレジスト塗布スピナー装置につき、第１図を参照
して説明する。第１図において、１はレジスト溶液２を
収容した容量数リットルの加圧タンク、３は加圧タンク
１の上部に開口された加圧ガスパイプ、４は加圧タンク
１の下部に一端が連通され、他端に滴下口５が設けられ
た移送パイプ、６は移送パイプ４に設けられたフィルタ
、７は電動機８によって回転される回転装ｖ、９上に装
着された半導体基板であるウェハであシ、このウエノ・
７上に１１１記滴下口５が配設されている。
して説明する。第１図において、１はレジスト溶液２を
収容した容量数リットルの加圧タンク、３は加圧タンク
１の上部に開口された加圧ガスパイプ、４は加圧タンク
１の下部に一端が連通され、他端に滴下口５が設けられ
た移送パイプ、６は移送パイプ４に設けられたフィルタ
、７は電動機８によって回転される回転装ｖ、９上に装
着された半導体基板であるウェハであシ、このウエノ・
７上に１１１記滴下口５が配設されている。
前述のように構成されたレジスト塗布スピナー装置では
、加圧ガスｉＲイｆ３から加圧タンク１に加圧ガスを送
ってこのタンク内を加圧することで、加圧タンクツ内の
レジスト溶液を移送／Ｊイｆ４でフィルタ６′（ｉｌ−
介して滴下口５に送り、この滴下口５からウェハ７上に
滴下させる。その後回転装置９の電動機８の駆動によっ
てウェハ７にレジスト溶液をスピン塗布する。
、加圧ガスｉＲイｆ３から加圧タンク１に加圧ガスを送
ってこのタンク内を加圧することで、加圧タンクツ内の
レジスト溶液を移送／Ｊイｆ４でフィルタ６′（ｉｌ−
介して滴下口５に送り、この滴下口５からウェハ７上に
滴下させる。その後回転装置９の電動機８の駆動によっ
てウェハ７にレジスト溶液をスピン塗布する。
このような従来の装置は、レジスト溶液の保存について
は、これを室温すなわち２０℃程度の温度条件で保存す
ることが最長保存を可能にするレジスト溶液が多いため
、前記加圧タンクなどを温度コントロールすることが重
要視されていなかった。しかし、前述したレジスト塗布
膜の形成は、露光工程および・七ターン寸法の制御に高
精度性が要求されつつあることから、高精度にすること
が要求され、レジスト溶液の温度コントロールカ必要と
されるに至っている。
は、これを室温すなわち２０℃程度の温度条件で保存す
ることが最長保存を可能にするレジスト溶液が多いため
、前記加圧タンクなどを温度コントロールすることが重
要視されていなかった。しかし、前述したレジスト塗布
膜の形成は、露光工程および・七ターン寸法の制御に高
精度性が要求されつつあることから、高精度にすること
が要求され、レジスト溶液の温度コントロールカ必要と
されるに至っている。
すなわち、前述した従来のレジスト塗布装置には、レジ
スト溶液の温度制御手段が付加されていないため、レジ
スト溶液に粘度の変動などがあり、このため僅かなレジ
スト膜厚の変動や塗布むらが生じ、これらが高集積回路
）＋ターンの形成に対して寸法変化を生じさせるように
なっている。
スト溶液の温度制御手段が付加されていないため、レジ
スト溶液に粘度の変動などがあり、このため僅かなレジ
スト膜厚の変動や塗布むらが生じ、これらが高集積回路
）＋ターンの形成に対して寸法変化を生じさせるように
なっている。
まプＣ１前記レジスト膜以外に、ポリイミドを代表とす
る熱硬化性高分子膜が半導体県債回路構造体として使用
される状況になっている。例えば集積回路の配線は、集
積回路の高密度化に伴い、金属配線を多層構造とするこ
とが心安となり、多島構造の配線間の絶縁物としてポリ
イミド膜が使用され、他の例として集積回路の保みとし
ても熱硬化性高分子膜が重要視されるようになっている
。
る熱硬化性高分子膜が半導体県債回路構造体として使用
される状況になっている。例えば集積回路の配線は、集
積回路の高密度化に伴い、金属配線を多層構造とするこ
とが心安となり、多島構造の配線間の絶縁物としてポリ
イミド膜が使用され、他の例として集積回路の保みとし
ても熱硬化性高分子膜が重要視されるようになっている
。
しかし、ポリイミドを代表とする熱硬化性樹脂は、室温
保存寿命がきわめて短く、室温放置により短時間で高粘
度となり、前述のような従来の塗布装置を使用した場合
には、粘度の変動によってポリイミド膜の均一な厚さで
の形成がきｔ）めて田無となる。
保存寿命がきわめて短く、室温放置により短時間で高粘
度となり、前述のような従来の塗布装置を使用した場合
には、粘度の変動によってポリイミド膜の均一な厚さで
の形成がきｔ）めて田無となる。
さらに、従来の塗布装置４の滴下［コでのレジストなど
の有機高分子溶液は、絶えず周囲空気中に放置されてい
るために、前記溶液が固化する欠点かあり、絶えず滴下
口部を清掃することを余儀なくされ、プロセス上煩雑に
なるという問題、がある。
の有機高分子溶液は、絶えず周囲空気中に放置されてい
るために、前記溶液が固化する欠点かあり、絶えず滴下
口部を清掃することを余儀なくされ、プロセス上煩雑に
なるという問題、がある。
この発明は、前述した従来の塗布装置の欠点を除去しよ
うとするものであって、シソスト。ポリイミド、シラン
などの有機高分子溶液をタンク内では冷却しておき、冷
却されている溶液を加熱して溶液滴下口内側を含むタン
−り外で循環させ、前記滴下口の内側に設けた開閉扉を
開いて溶液を滴下させるようにして、レソスト膜、ポリ
イミド膜有機シラン膜を均一な膜厚に形成できる、有機
高分子溶液の塗布装置を提供することを目的としている
。
うとするものであって、シソスト。ポリイミド、シラン
などの有機高分子溶液をタンク内では冷却しておき、冷
却されている溶液を加熱して溶液滴下口内側を含むタン
−り外で循環させ、前記滴下口の内側に設けた開閉扉を
開いて溶液を滴下させるようにして、レソスト膜、ポリ
イミド膜有機シラン膜を均一な膜厚に形成できる、有機
高分子溶液の塗布装置を提供することを目的としている
。
以下、この発明の一実施例につき第２図、第３図を参照
して説明する。第２図において、１１は却収納答器１３
はタンク１１内のレジスト溶液を冷却する冷却手段を構
成している。１４はタンク１１内上部に開口する加圧ガ
スパイプ、１５はタンク１１内下部に開口してタンク１
１内に延びる移送パイプであシ、これらによって移送手
段２４が構成されている。１６は移送／４’イブ１５の
先端部に設けられた恒温加熱装置であり、この加熱装置
１６の先端側に循環手段２５の往路管１９と復路管２０
とが接続され、往路管１９はポンプ１７゜フィルタ１８
を経て、滴下口部に至っている。滴下口部は、第３図に
示すように、往路管１９がこれの先端部を覆う復路管２
ｏの大径部２１下端に設けた溶液−滴下口２２の真上に
開口され、復路管２０はポンプ１７吸込側の恒温加熱装
置１６内で往路管１９に接続されている。前記滴下口２
２の内側には内方に開く滴下口開閉ＪＲ２３が設けられ
ている。また、滴下口２２の真下に電動機２６で水平回
転される回転装置２７上え装着したウェハ２８が配設さ
れている。
して説明する。第２図において、１１は却収納答器１３
はタンク１１内のレジスト溶液を冷却する冷却手段を構
成している。１４はタンク１１内上部に開口する加圧ガ
スパイプ、１５はタンク１１内下部に開口してタンク１
１内に延びる移送パイプであシ、これらによって移送手
段２４が構成されている。１６は移送／４’イブ１５の
先端部に設けられた恒温加熱装置であり、この加熱装置
１６の先端側に循環手段２５の往路管１９と復路管２０
とが接続され、往路管１９はポンプ１７゜フィルタ１８
を経て、滴下口部に至っている。滴下口部は、第３図に
示すように、往路管１９がこれの先端部を覆う復路管２
ｏの大径部２１下端に設けた溶液−滴下口２２の真上に
開口され、復路管２０はポンプ１７吸込側の恒温加熱装
置１６内で往路管１９に接続されている。前記滴下口２
２の内側には内方に開く滴下口開閉ＪＲ２３が設けられ
ている。また、滴下口２２の真下に電動機２６で水平回
転される回転装置２７上え装着したウェハ２８が配設さ
れている。
前述のように構成されたレジスト塗布スピナー装置は、
タンク１１が冷却収納容器１３に収納されて３、タンク
１１内のレジスト溶液１２の保存特性を安定化させてい
る。この場合に、タンク１１の全体を冷却することによ
り、レジスト溶液の粘度を常に一定にするために、これ
を−１０℃程度に維持することが好ましい。
タンク１１が冷却収納容器１３に収納されて３、タンク
１１内のレジスト溶液１２の保存特性を安定化させてい
る。この場合に、タンク１１の全体を冷却することによ
り、レジスト溶液の粘度を常に一定にするために、これ
を−１０℃程度に維持することが好ましい。
また、タンク１１内で冷却嬶れているレジスト溶液は、
従来の塗布装置、の場合と同様に、加圧ガスパイプ１４
からタンク１１内に加圧ガスを送ることにより、移送バ
イア”１５でタンク１１外に送られる。タンク１１外に
移送されたレジストｇ液は、恒温加熱装置ＶＩ′１６で
２０上程度に保持して塗布粘度に調整する。
従来の塗布装置、の場合と同様に、加圧ガスパイプ１４
からタンク１１内に加圧ガスを送ることにより、移送バ
イア”１５でタンク１１外に送られる。タンク１１外に
移送されたレジストｇ液は、恒温加熱装置ＶＩ′１６で
２０上程度に保持して塗布粘度に調整する。
活用が調整されたレジスト溶液は、ボンｆ１７でフィル
タ１８を通過させ、微粒子やごみなどを除去した後、滴
下１」２２に送られる。レジスト滴下の心太がない場合
には、第３図に示すように・滴下１．Ｊ ２２の開閉扉
２３全閉じておき、レジスト溶液を往路管１９から復路
管２０に入れ、滴−トロ２２内側を経て恒温加熱装置ｔ
’（１６に戻り、ここから往路管１９に導いて循環さセ
る。レジスト溶液を滴下ネせる場合には、開閉扉２３を
開いて滴−１口２２からウエノ・２８上にレジスト溶液
を滴下沁せる。したがって、滴下口２２部はレジスト溶
液が常に循環されているために、溶液の固化、付着の発
生がない１、 以上説明したように、この発明の一実施例による塗布装
置は、タンクｌｌ内のレジスト溶′ｅ、を冷却すること
、タンクｌｌ外に＃送゛されたレジスト溶液を恒ＩＶｒ
Ａ加熱装ｆｉ″１．１６で加熱してＦｊｉＪ記溶液の粘
度を調整すること、およびレジスト滴下口部にθ」、常
にレジスト溶液が循環しているＣと１／（より・（１）
レジス）Ｍ液の粘度慣性が均一である、（１１）
レジスト滴−Ｆ’ ０部のレジストが固化しない、と
いう理由で、ウェハにレジストを塗イ１」する場合に、
滴下口の清掃などの作業を必犬とせず、類題。
タ１８を通過させ、微粒子やごみなどを除去した後、滴
下１」２２に送られる。レジスト滴下の心太がない場合
には、第３図に示すように・滴下１．Ｊ ２２の開閉扉
２３全閉じておき、レジスト溶液を往路管１９から復路
管２０に入れ、滴−トロ２２内側を経て恒温加熱装置ｔ
’（１６に戻り、ここから往路管１９に導いて循環さセ
る。レジスト溶液を滴下ネせる場合には、開閉扉２３を
開いて滴−１口２２からウエノ・２８上にレジスト溶液
を滴下沁せる。したがって、滴下口２２部はレジスト溶
液が常に循環されているために、溶液の固化、付着の発
生がない１、 以上説明したように、この発明の一実施例による塗布装
置は、タンクｌｌ内のレジスト溶′ｅ、を冷却すること
、タンクｌｌ外に＃送゛されたレジスト溶液を恒ＩＶｒ
Ａ加熱装ｆｉ″１．１６で加熱してＦｊｉＪ記溶液の粘
度を調整すること、およびレジスト滴下口部にθ」、常
にレジスト溶液が循環しているＣと１／（より・（１）
レジス）Ｍ液の粘度慣性が均一である、（１１）
レジスト滴−Ｆ’ ０部のレジストが固化しない、と
いう理由で、ウェハにレジストを塗イ１」する場合に、
滴下口の清掃などの作業を必犬とせず、類題。
さが解消でき、また塗布されたレジスト溶液中に固化し
たレジストの混入がなく、パクーン欠陥の発生などの問
題がなく、さらＩｃ均一な膜厚にレジストヲ・形成でき
る。したがって、高集積１１．１１路の戸゛ターニング
の品質が向上し、素子の歩留り向上がはかれる利点があ
る。
たレジストの混入がなく、パクーン欠陥の発生などの問
題がなく、さらＩｃ均一な膜厚にレジストヲ・形成でき
る。したがって、高集積１１．１１路の戸゛ターニング
の品質が向上し、素子の歩留り向上がはかれる利点があ
る。
なお、前述した実施例では、レノスト溶液の塗布につい
て述べたがこの発明の塗布装置ｆ”ｉは、ポリイミド前
駆体や′）Ｉ″Ｊ機シジシラン溶液のイ」轡高分子−溶
液の塗布に広く適用できる。
て述べたがこの発明の塗布装置ｆ”ｉは、ポリイミド前
駆体や′）Ｉ″Ｊ機シジシラン溶液のイ」轡高分子−溶
液の塗布に広く適用できる。
前述したように、この発明による塗布装置は、タンク内
の有機高分子溶液を冷却する冷却手段と、タンク内で前
記溶液の粘度を調整する恒温加熱装置と、溶液滴下口部
を含むタンク外で溶液を循環させる循環手段とを鳴して
いるので、常に高精度に均一な膜厚にレジストなどの溶
液を塗布できるという効果があり、ＶＬＳＩ製造に用い
て好適なものである。
の有機高分子溶液を冷却する冷却手段と、タンク内で前
記溶液の粘度を調整する恒温加熱装置と、溶液滴下口部
を含むタンク外で溶液を循環させる循環手段とを鳴して
いるので、常に高精度に均一な膜厚にレジストなどの溶
液を塗布できるという効果があり、ＶＬＳＩ製造に用い
て好適なものである。
第１図は従来例の塗布装置−を示′を構成説明図、第２
図はこの発明の一実施例による塗布装置を示す構成説明
図、第３図は同滴下口部の側断面図である、。 １１・・タンク、１２・・・レジスト溶液、１３・・・
冷却収納容器（冷却手段）、１４・・・加圧ガスパイプ
、１５・・・移送ノ９イグ、１６・・・恒温加熱装置、
１７・・・ポンプ、１８・・・フィルタ、１９・・・往
路管、２０・・・後路管、２１−゛°犬径部、２２・・
・滴下口、２３・・・開閉扉、２４・・・移送手段、２
５・・・循環手段、２６・・・１１１１機、２７・・・
回転装博、２８・・′ウニ・・。 第１図 − （
図はこの発明の一実施例による塗布装置を示す構成説明
図、第３図は同滴下口部の側断面図である、。 １１・・タンク、１２・・・レジスト溶液、１３・・・
冷却収納容器（冷却手段）、１４・・・加圧ガスパイプ
、１５・・・移送ノ９イグ、１６・・・恒温加熱装置、
１７・・・ポンプ、１８・・・フィルタ、１９・・・往
路管、２０・・・後路管、２１−゛°犬径部、２２・・
・滴下口、２３・・・開閉扉、２４・・・移送手段、２
５・・・循環手段、２６・・・１１１１機、２７・・・
回転装博、２８・・′ウニ・・。 第１図 − （
Claims (1)
- レジストのような有機高分子溶液を収容するタンクと、
このタンクに収容した前記溶液を冷、却する冷却手段と
、前記タンクと連通されて前記溶液をタンク外に移送す
る移送手段と、この移送手段と連通されて溶液滴下口内
側を含むタンク外で前記溶液を循環させる循環手段と、
前記タンク外の溶液を所定温度に加熱する恒温加熱装置
と、前記滴下口の内側に設けた滴下口開閉扉とを備えた
ことを４？徴とする有機高分子溶液の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15512682A JPS5946164A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 有機高分子溶液の塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15512682A JPS5946164A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 有機高分子溶液の塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946164A true JPS5946164A (ja) | 1984-03-15 |
| JPS621546B2 JPS621546B2 (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15599123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15512682A Granted JPS5946164A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 有機高分子溶液の塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946164A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647972A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Spin coater |
| JPS6437838A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nec Corp | Chemical liquid coater |
| JPH0194620A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | スピン塗布装置 |
| JPH01130758A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | スピン塗布装置 |
| JPH01227437A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| JPH0217968A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-22 | Toshiba Corp | 塗布装置およびこれを用いた塗布方法 |
| JPH0246730A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Nec Corp | 塗布膜形成用ディスペンサ |
| JPH07263654A (ja) * | 1995-03-27 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2007067199A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Showa Denko Kk | マスキング材料の前処理方法及びこれを用いた固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2014216471A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP15512682A patent/JPS5946164A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS647972A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Spin coater |
| JPS6437838A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nec Corp | Chemical liquid coater |
| JPH0194620A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | スピン塗布装置 |
| JPH01130758A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | スピン塗布装置 |
| JPH01227437A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 現像装置 |
| JPH0217968A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-22 | Toshiba Corp | 塗布装置およびこれを用いた塗布方法 |
| JPH0246730A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Nec Corp | 塗布膜形成用ディスペンサ |
| JPH07263654A (ja) * | 1995-03-27 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2007067199A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Showa Denko Kk | マスキング材料の前処理方法及びこれを用いた固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2014216471A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621546B2 (ja) | 1987-01-14 |
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