JPH07333588A - 液晶パネルとその製造方法 - Google Patents

液晶パネルとその製造方法

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JPH07333588A
JPH07333588A JP12283494A JP12283494A JPH07333588A JP H07333588 A JPH07333588 A JP H07333588A JP 12283494 A JP12283494 A JP 12283494A JP 12283494 A JP12283494 A JP 12283494A JP H07333588 A JPH07333588 A JP H07333588A
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JP
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liquid crystal
crystal panel
substrate
shielding layer
pixel
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JP12283494A
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Kazuo Yudasaka
一夫 湯田坂
Mitsutoshi Miyasaka
光敏 宮坂
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Seiko Epson Corp
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
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    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract

(57)【要約】 【目的】輝点欠陥を黒点欠陥に転換し、液晶パネルの表
示品質を向上させ、実質的な歩留りを向上させる。 【構成】液晶パネルを構成する基板の外側表面または該
基板の内側表面の輝点欠陥に対応する部分に、遮光層を
形成し輝点欠陥を黒点欠陥に転換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネルとその点欠
陥を修正する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶パネルの製造技術は著しく進
歩し、1インチ以下のサイズのビデオカメラ用ビューフ
ァインダーパネル、2乃至3インチのポケットTV用パ
ネル、3乃至5インチの車載用パネル、10インチクラ
スのコンピュータ用パネルなどさまざまな分野でさまざ
まな液晶パネルが使用されている。これら液晶パネルの
主流となっている技術は、薄膜トランジスタや非線形素
子を画素電極のスイッチング素子とするアクティブマト
リクス型液晶パネルである。画素数、即ち、スイッチン
グ素子の数は、数インチクラスの液晶パネルで数十万
個、標準的なコンピュータ用パネルでは約92万個あ
る。更に画素数が多いハイビジョン用液晶パネルやワー
クステーション用パネルではでは150万から300万
個のスイッチング素子がある。
【0003】しかし、液晶パネルの製造技術の進歩にも
かかわらず、表示欠陥が全く無い液晶パネルは少ない。
欠陥のうち線欠陥を有する液晶パネルが市場で受け入れ
られることはないが、点欠陥を有する液晶パネルは、そ
の欠陥の種類や数に制限を設けた上で一般的に使用され
ているのが現状である。線欠陥は欠陥修正により点欠陥
に変換できれば、市場で受け入れられる可能性があるた
め、その修正に努力が払われる。特に、単純なショート
などによって線欠陥となっているものは、レーザで当該
箇所を切断することにより点欠陥に修正できることが多
い。勿論、点欠陥であれば何でもよいというわけではな
く、点欠陥であっても市場で受け入れられないもや、用
途によっては受け入れられないものも多く存在する。
【0004】点欠陥は、大別して輝点欠陥と黒点欠陥に
分類できる。輝点欠陥は常時明るく見える欠陥であり、
黒点欠陥は常時黒く見える欠陥である。通常、輝点欠陥
の方が黒点欠陥よりも視覚的に目立つため、両者の欠陥
に対する許容範囲は別々に設けられる。当然、輝点欠陥
の方が黒点欠陥に比較して、その数あるいは画面上の位
置などがより厳しく規制されることになる。
【0005】上記課題に対して、従来技術では、特開平
4−274407及び特開平4−274408に示され
るように、液晶パネルを構成する基板表面をレーザビ−
ムにより粗面化する方法がある。また、他の従来技術で
は、特開昭55−52091に示されるように、欠陥と
なる配線部やスイッチング素子などをレーザビームによ
り除去する方法が開示されている。また、他の従来技術
である特開平4−324819には、修整用配線を予め
設けて置き、輝点欠陥となる画素電極をレーザビームに
より該修整用配線と短絡させ、該修整用配線に輝点欠陥
が黒点欠陥になるよう特定の電位を与える方法が開示さ
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前述のとおり、点欠陥
が全く無い液晶パネルは少なく、実際にはある程度の数
の欠陥を有するパネルが使用されている。許容される欠
陥の範囲は、欠陥の種類やその数、あるいは欠陥の表示
画面での位置といった項目毎に設定される。液晶パネル
の歩留まりは、これらの許容される欠陥の設定値あるい
は基準によって大きく左右される。また、前述のよう
に、点欠陥には輝点欠陥と黒点欠陥があるが、それらの
許容可否の基準は、輝点欠陥と黒点欠陥で通常別々に設
定される。これは、輝点欠陥と黒点欠陥を比較したと
き、輝点欠陥の方がより目立つためである。 従って、
同じ数の輝点欠陥だけを有するパネルと、黒点欠陥だけ
を有するパネルがある場合は、輝点欠陥を有する液晶パ
ネルの方が表示品質が劣ることを意味する。従って、あ
る表示品質を維持するためには、点欠陥に対する基準
は、輝点欠陥の方が黒点欠陥よりも厳しくなる。一方、
もしも輝点欠陥が黒点欠陥に変換できれば、許容不可か
ら許容可となる液晶パネルも多く存在する。
【0007】これに現状に対して、前述の従来の欠陥修
整方法には、次のような問題点があった。まず、基板の
表面を粗面化する方法では、レーザビ−ムを照射したと
きこの透明な基板の表面にだけにレーザビ−ムのエネル
ギを吸収させることが困難であり、光軸に沿った場所に
あるスイッチング素子や配線層の損傷を惹起するおそれ
があった。そして、粗面化の程度に応じて輝点欠陥の明
るさを減ずることはできても、黒点欠陥とすることがで
きなかった。次に、欠陥となる配線部やスイッチング素
子などをレーザビームにより除去する方法では、短絡に
より線欠陥となっている箇所を点欠陥に変換することに
は有効であっても、輝点欠陥を修正するのには必ずしも
有効ではなかった。それから、修整用配線を設ける方法
では、修整用配線を設ける工程が増えたり、修整用配線
のために開口率が低下してパネルの透過率が減少してし
まう等の問題があった。
【0008】本発明は、これら従来技術の有する課題を
解決するものであり、簡単な方法でかつ確実に、パネル
の駆動方式等に関係なく、輝点欠陥を黒点欠陥に変換す
る方法を提供するものであり、液晶パネルの表示品質を
向上させ、実質的な歩留りを向上させ、コストを低減す
ることができるものである。また、輝点欠陥を黒点欠陥
に変換するための製造方法を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述したよう
に輝点欠陥を黒点欠陥に変換する手段及びその製造方法
を提案するものであり、液晶パネルの歩留りを向上させ
ることができるものである。その具体的手段は、 (1)2枚の基板に液晶が挟持された液晶パネルにおい
て、前記2枚の基板の少なくとも一方の基板の外側表面
上の、輝点欠陥となった画素電極に対応する領域に遮光
層を被着したことを特徴とする。
【0010】(2)2枚の基板に液晶が挟持された液晶
パネルにおいて、前記2枚の基板の少なくとも一方の基
板の内側面上の、点欠陥となった画素電極に対応する領
域に遮光層を被着したことを特徴とする。
【0011】(3)複数のアクティブ素子及び複数の画
素電極を有するアクティブマトリクス型液晶パネルにお
いて、アクティブマトリクス基板を製造する工程と、該
アクティブマトリクス基板の点欠陥を検査する工程と、
次に該点欠陥に対応する該画素部の画素電極領域に対応
する領域に、レーザCVD法等により金属層等を遮光層
として被着する工程とを含むことを特徴とする。
【0012】
【実施例】以下本発明を図面に基づいて説明する。
【0013】(実施例1)図1は本発明による第1の実
施例を示す。図1は薄膜トランジスタや非線形素子をス
イッチング素子とする液晶パネルの断面図である。図1
に於いて、ガラス等の透明絶縁基板101上にスイッチ
ング素子などと共に、複数の画素電極102が形成さ
れ、アクティブマトリクス基板を構成する。対向基板で
あるガラス基板103上には、共通電極104及び複数
のカラーフィルタ105が形成されている。2つの基板
101、103は、基板周辺部に配置されたシール材1
07を介して位置決め固定されている。液晶106は、
基板101、103及びシール材107によって挟持、
封入されている。
【0014】図1は、1つの輝点欠点に対して、この輝
点欠点に対応するアクティブマトリクス基板101及び
対向基板103の外側の面上に、それぞれ遮光層110
および111を設けた例を示す。画素102Aはスイッ
チング素子の不良等により発生した輝点欠陥であり、こ
の輝点欠陥に対応する基板101の外側表面上に遮光層
110が被着されている。また前記輝点欠陥の画素10
2Aに対応するカラーフィルタが105Aであり、この
カラーフィルタ105Aに対応する対向基板103の外
側表面に、遮光層111が被着されている。遮光層11
0及び111は、基本的には可視光を遮るものであれば
何でも良い。
【0015】遮光層としては、遮光性を有するネガ型感
光性有機膜、金属膜等が使用可能である。それぞれの遮
光層の形成方法およびその効果については、実施例2お
よび実施例3で詳細に説明する。
【0016】以上の通り、図1は、薄膜トランジスタま
たは非線型素子をスイッチング素子とするアクティブマ
トリクス型のカラー液晶パネルを例としてとして説明し
たが、本発明が、白黒及びカラーの単純マトリクス型あ
るいは白黒タイプのアクティブマトリクス型の液晶パネ
ルへ適用可能であることは明きらかである。
【0017】例えば、白黒タイプのアクティブマトリク
ス基板では、図1の複数のカラーフィルタ105を除い
て考えれば良い。また、白黒タイプの単純マトリクス型
液晶パネルでは、前記共通電極104を削除して、10
5を、配線を兼用する複数の画素電極と解釈すれば良
い。
【0018】いづれにしても、図1における本発明のポ
イントは、遮光層(110、111)がなければ輝点欠
陥となるマトリクス型の白黒またはカラー液晶パネル及
び単純マトリクス型パネルにおいて、輝点欠陥となった
画素電極に対応する領域の基板の外側表面上に遮光層1
10または111を形成することにより、輝点欠陥を黒
点欠陥に変換した点にある。
【0019】次に、どの様な工程に基づいて、前述した
遮光層を形成することを決めていくのかについて述べ
る。液晶パネルの欠陥検査は製造工程のいくつかの途中
工程で行なわれるが、図1に示す工程まで進んだとき、
初めて実際の使用条件に近い点灯検査が可能となる。と
ころで、図1の状態で行なわれる欠陥検査では、多くの
場合点欠陥が問題となる。なぜならば、通常はいかなる
線欠陥も許容されることはないため、線欠陥を有する液
晶パネルは無条件で不良パネルと判定され、廃棄処理さ
れるからである。これは、線欠陥を修正して良品パネル
とすることが困難なためである。
【0020】一方、点欠陥は、その種類や数、点欠陥の
表示画面上での位置などにより、その液晶パネルの良、
不良の判定がされる。しかし、前述した通り、一般的に
は輝点欠陥に対する基準の方が黒点欠陥に対する基準よ
り厳しいため、輝点欠陥が黒点欠陥に変換できれば、不
良と判定されるべき液晶パネルが良品になることもあ
る。したがって、点欠陥の検査をする際、まず、予め定
められた基準に基づいてそのパネルの良否を判断し、次
に、不良と判断されたパネルのうち輝点欠陥を黒点欠陥
に変換すれば良品となるパネルを選別する工程、あるい
は良品パネルであっても輝点欠陥が黒点欠陥に変換され
れば、さらに表示品質が改善されると思われるパネルを
選別する工程を追加して行う。そして、この追加した工
程で選別されたパネルの輝点欠陥に対して、図1に示し
た遮光層を形成することにより、輝点欠陥を黒点欠陥に
変換して不良パネルを良品パネルに、また、良品パネル
をより表示品質の高いパネルにする。
【0021】液晶パネルの点欠陥に対するユーザの要求
基準は、今後益々厳しくなると考えられ、それに伴い輝
点欠陥の許容される基準もより厳しくなると考えられ
る。このことは、従来の液晶パネルの歩留りが下がるこ
とを意味する。しかし、本発明によれば、輝点欠陥を黒
点欠陥へ変換することが可能となり、液晶パネルの歩留
りの向上、また液晶パネルのさらなる表示品質の向上、
そして不良コスト低減等が可能となる。
【0022】それから、図1においては、1つの輝点欠
陥に対応して、2枚の基板の外側に夫々遮光層を設けた
が、もちろんどちらか一方にだけ遮光層を設けることに
よっても、両側に遮光層を形成した場合に近い効果が得
られる。どちらか一方にのみ遮光層を形成する場合は、
光源が配置される側の基板に遮光層を形成する方が望ま
しい。
【0023】しかしながら、より望ましくは、図1に示
すように、2枚の基板の外側表面にそれぞれ遮光層を形
成する方がよい。その理由は以下の通りである。液晶パ
ネルでは、図1に示すように液晶106により光の制御
が行なわれるので、前述の遮光層は液晶に近い方が望ま
しい。光軸に沿ってみたとき、液晶と遮光層の距離が離
れると、回折光や斜めからの光、あるいは迷光等によ
り、輝点欠陥となっている画素を透過する光を遮光層で
完全に遮断できなくなる場合があり、コントラストの低
下をもたらすからである。従って、図1に示すように基
板の外側表面に遮光層を設ける場合には、2つの基板の
夫々の基板の外側表面に設ける方がより望ましい。
【0024】また、遮光層と輝点欠陥となっている画素
電極、あるいは遮光層と輝点欠陥となっている画素電極
に対応するカラーフィルタとの大小の関係では、遮光層
の方が、輝点欠陥となっている画素電極及びカラーフィ
ルタよりも僅かに大きくするのが望ましい。前記遮光層
と前記画素電極との大きさの差は、対向基板側もしくは
アクティブマトリクス基板側に形成されるブラックスト
ライプの幅程度が適当である。その値は数μm乃至10
μm程度であり、詳細には実際の液晶パネルの各種設計
値で最適値が設定される。特にブラックストライプを有
する液晶パネルでは、遮光層に対応する輝点欠陥の画素
電極の大きさに対して、ブラックストライプの幅と同程
度大きくするのがよい。遮光層の大きさが画素電極に対
して小さすぎると、輝点欠陥からの光が遮光層で完全に
遮断できなくなり、逆に大きすぎると隣接画素からの正
常な光を遮断してしまうことになるからである。
【0025】(実施例2)次に本発明の第2の実施例に
ついて説明する。前述したように遮光層は液晶に近い方
が望ましい。従って、遮光層の位置は図1に示した基板
の外側表面上より、該基板の内側表面の方が望ましい。
第2の実施例は前記基板の内側の輝点欠陥あるいは点欠
陥に対応する領域に遮光層を設けるものである。
【0026】図2は本発明の第2の実施例である。図2
は、図1に示したような液晶表示装置の画素電極102
を、薄膜トランジスタで構成したアクティブマトリクス
基板の、一画素部分の断面拡大図を示したものである。
該薄膜トランジスタは一例として示すもので、その構造
や画素電極の構造等を規定するものではない。従って、
前記薄膜トランジスタは逆スタガー型で構成してもよい
し、画素電極がゲート電極乃至ゲート線あるいはデータ
線の上に絶縁膜を介して重畳する構造や、画素電極の下
または上にカラーフィルタが形成される構造等でもよ
い。
【0027】また、図2では画素電極が薄膜トランジス
タによって駆動される例を示したが、前記薄膜トランジ
スタの代わりに非線形素子等を用いてもよい。以下の説
明は、薄膜トランジスタを用いた場合を例に行う。
【0028】図2に於いて、201はガラス等の透明絶
縁基板、202は多結晶シリコンなどの半導体層、20
3はSiO2などのゲート絶縁膜、204はゲート電
極、205はSiO2などの層間絶縁膜、206はAl
等によるデータ線、207はITOによる画素電極であ
る。画素電極207の上に遮光層210が形成されてい
る。前記画素電極が207が薄膜トランジスタ等の不良
等により、液晶パネルとしたとき輝点欠陥となった場合
は、前記遮光層210により、該輝点欠陥は黒点欠陥に
変換される。前記画素電極207の一部あるいは全部が
欠損している場合、所謂ノーマリホワイトモードでの表
示では、この点欠陥は輝点欠陥となる。この場合も画素
電極に対応する領域に遮光層を設けることにより、該輝
点欠陥を黒点欠陥に変換することができる。
【0029】また、より確実な遮光のために図1に示す
遮光層と図2に示す遮光層の両方を設ける構造としても
よい。
【0030】それから、図2では画素電極材料に直接遮
光層が被着されているが、画素電極がSiO2等の絶縁
膜によるパシベイション膜等で被覆されている場合は、
前記パシベイション膜等の上に遮光層を被着する構造と
なる。
【0031】図2における薄膜トランジスタの構造で
は、画素電極とデータ線が同一平面上にあるため、遮光
層の大きさは画素電極と同じ程度の大きさ以上にはでき
ない。なぜなら、遮光層に導電性の物質を使用した場合
は、前記遮光層を介して画素電極とデータ線とが短絡
し、新たな欠陥を引き起こす可能性があるからである。
しかし、前記パシベイション膜等の絶縁膜が画素電極及
びデータ線を覆っている場合には、前記遮光層の大きさ
を隣接するデータ線及びゲート線と一部重なる程度まで
大きくできる。この場合は、輝点欠陥による透過光をよ
り確実に遮断することが可能となり、遮光方法としては
より有効である。
【0032】では、如何にして前述した点欠陥を検出す
るのかについて以下に説明する。
【0033】前記第2の実施例のような点欠陥の検査
は、例えば次のように行なうことができる。図3は薄膜
トランジスタをスイッチング素子とするアクティブマト
リクス基板の1画素の回路図である。Xはデータ線、Y
はゲート線であり、両者の交点に薄膜トランジスタ30
1が形成されている。図3の容量302は、液晶パネル
では画素電極と対向基板に形成される共通電極との間で
構成される容量であるが、パネルに組み立てられる以前
の状態では画素電極が持つ浮遊容量となる。
【0034】先ず、データ線Xからデータを入力し、ゲ
ート線Yから信号を入力して、薄膜トランジスタを介し
て該データを前記容量に書き込む。次に、ゲート線Yの
信号を前記薄膜トランジスタがオフする状態にし、前記
容量に前記書き込まれたデータ、つまり電荷を保持す
る。次に、適当な時間経過した後、前記データをゲート
線Yの信号を前記薄膜トランジスタをオンするように切
り替え、前記容量に保持されているデータあるいは電荷
をデータ線Xから読み出す。そして、該データ線から読
み出された該読み出しデータの信号レベルにより、前記
薄膜トランジスタの動作が正常かどうか、画素電極に周
辺画素との短絡等の異常がないかどうかを判断する。該
判断から異常のが見つかった場合は、該欠陥検査に図2
に示すように、画素電極上に遮光層を形成する。
【0035】前記判断では、当該画素が輝点欠陥となる
か、黒点欠陥となるかの判断が困難なため、異常と判断
された画素の画素電極には遮光層を形成するのが望まし
い。周辺回路内蔵型のアクティブマトリクス基板では、
該周辺回路を前記点欠陥検査回路として利用することが
でき、欠陥検査の工程を簡略化することができる。
【0036】前記点欠陥の検査方法は電気的な方法によ
るものであるが、電気光学的方法やパタン認識による光
学的方法もある。光学的方法では、スイッチング素子の
電気的な異常を検出することは困難であるが、殆どあら
ゆるパタンの異常を検出できるため、電気的方法では検
出が困難である画素電極の部分的欠損や非線形素子によ
るアクティブマトリックス基板、単純マトリクス型の基
板にも適用できる。
【0037】本発明は勿論これら点欠陥の検査方法を規
定するものではなく、また、液晶パネルの種類や構造を
規定するものではない。
【0038】(実施例3)図1及び図2に示す遮光層の
形成方法について図4で説明する。ここでは遮光層とし
て金属膜を用いる場合について説明する。金属膜として
は、Co、Ni、Cr、Al、W、Pt等がその候補と
なる。
【0039】図4に於いて、401は液晶パネル或いは
アクティブマトリックス基板である。該パネル或いは基
板を適当な真空状態に置き、金属有機物のガス402を
導入し、所望の箇所にレーザビーム420を照射する。
レーザビ−ムを照射された前記ガスは分解し、金属膜4
10が形成される。この方法は所謂レーザCVD法であ
り、前記ガスとして例えばコバルトとカルボニル基(C
O)の化合物Co(CO)8を用いれば、コバルトを遮
光層として形成する事が出来る。また、Pt(PF34
を用いて白金の遮光層を形成することもできる。アセチ
レンガスを用いればカーボンブラックの遮光層を形成で
きる。また、TiCl4をソースガスとして用いればT
iの遮光層を形成できる。なおここでは、遮光層の材料
としてコバルト、白金、カーボンブラック、チタン等に
ついてのみ説明したが、その他遮光層の材料となり得る
ものとしては、室温または減圧下で金属を含むガス状に
なり得るものであれば何でもよい。
【0040】通常、前記真空度の程度は1−100Tor
r、前記レーザビームとしては、例えば10−200m
WのArレーザを用いることが出来る。前記真空は少な
くともレーザビームが照射される領域あるいは金属膜を
形成すべき領域が真空であれば良く、必ずしも前記液晶
パネル或いはアクティブマトリックス基板全体を真空に
しなくても良い。前記金属膜の膜厚はレーザビームの強
度や該レーザビームの照射回数などにより制御する事が
出来る。
【0041】また、レーザビームは1から20μm程度
まで照射する幅を自由に変えられるので、形成する遮光
層の大きさを厳密に決定できる利点がある。
【0042】(実施例4)前記レーザCVDと異なる遮
光層形成方法として、ネガ型の感光性有機膜を利用する
方法がある。ネガ型の感光性有機膜として、可視光に対
して不透明な黒色感光性有機膜を用いる方法を図5によ
り説明する。
【0043】図5は2枚の基板間に液晶が挾持された液
晶パネルである。液晶504は第1の基板501と第2
の基板502及びシール部503によって保持されてい
る。505は該液晶パネルを全面黒の表示にしたときの
輝点欠陥である。該液晶パネルを点灯するための光は、
第1の基板501側から入射するものとすれば、該光の
出射側である第2の基板502にネガ型の黒色感光性有
機膜506を塗布する。前記光を該感光性有機膜が感光
する波長を含み十分強い光とすれば、輝点欠陥505に
対応した該感光性有機膜の部分507が感光し変質す
る。次に現像液で処理すれば該感光性有機膜の感光部分
507だけを第2の基板502上に残すことができる。
ネガ型の黒色感光性有機膜は通常のネガレジストにカー
ボンブラックを含ませるか、赤、緑及び青の顔料を分散
させるか、あるいはカーボンブラックと顔料の両方を含
ませた物を用いることができる。このような黒色有機膜
は可視光に対して十分な遮光性がある。本実施例では遮
光層を自己整合的に形成できる利点がある。
【0044】
【発明の効果】前述したように、本発明によれば液晶パ
ネルの輝点欠陥を黒点欠陥に変換することができる。実
際に使用される液晶パネルはなんらかの点欠陥を有する
ものが多いが、今後該点欠陥の許容範囲は一層小さくな
っていくものと考えられる。特に輝点欠陥の存在は液晶
パネルの表示品質を損なうもので、その許容基準は益々
厳しくなっている。該基準の厳しさに対応して液晶パネ
ルの歩留りは必然的に低下する。従って、本発明は液晶
パネルの表示品質を向上し、同時に液晶パネルの歩留り
向上とコストを低減する効果を有するものである。
【0045】本発明の効果を更に具体的に述べる。液晶
パネルを構成する基板の外側に遮光層を設ける方法で
は、液晶パネルを点灯表示して、輝点欠陥の有無の検査
や該液晶パネルの欠陥を修正することに効果があるか否
かの判断をすると同時に、輝点欠陥の位置を容易に特定
でき、必要に応じて輝点欠陥を修正できるので、該修正
作業が容易且つ効率的である。前記修正することに効果
があるか否かの判断とは、該修正によって当該液晶パネ
ルが不良から良品に転換できるか否かの判断であり、前
記点灯表示によって該判断が可能であるため、欠陥検査
と修正作業を効率的に行うことができる。また、遮光層
に黒色のネガ型感光性有機膜を用いる方法では、輝点欠
陥に対応して自己整合的に遮光層を形成できるという利
点がある。液晶パネルを構成する基板の内側に遮光層を
設ける方法では、欠陥となる部分の液晶に近い位置に遮
光層を形成できるので、隣接する正常な画素への影響を
最小限に抑えると同時に、輝点欠陥を確実に黒点欠陥に
変換できる効果がある。また、遮光層をレーザCVD法
によって形成する方法では、レーザビームの幅を1μm
程度まで絞ることができるので、遮光層を所望の大きさ
および所望の位置に精確に形成できる利点をする。前記
利点により輝点欠陥を確実に黒点欠陥に変換する効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶パネルの断面図。
【図2】本発明による薄膜トランジスタを含む1画素の
断面図。
【図3】1画素の回路図。
【図4】レーザCVDによる遮光層の形成方法を示す
図。
【図5】感光性有機膜による遮光層の形成方法を示す
図。
【符号の説明】
101,201 ガラス基板 102 画素電極 103 対向基板 105 カラーフィルタ 110,111,210,410 遮光層 202 半導体層 203 ゲート絶縁膜 204 ゲート電極 206 データ線 207 画素電極 402 金属有機化合物ガス 420 レーザビーム 505 輝点欠陥 507 感光性有機膜

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2枚の基板間に液晶が挟持された液晶パ
    ネルにおいて、前記2枚の基板の少なくとも一方の基板
    の外側表面上に、輝点欠陥となる画素電極に対応する領
    域に遮光層が被着されていることを特徴とする液晶パネ
    ル。
  2. 【請求項2】 2枚の基板間に液晶が挟持された液晶パ
    ネルにおいて、前記2枚の基板の少なくとも一方の基板
    の内側に、点欠陥となる画素電極に対応する領域に遮光
    層が被着されていることを特徴とする液晶パネル。
  3. 【請求項3】 前記液晶パネルは、複数のデータ線及び
    複数のゲート線と、それらの交点に薄膜トランジスタ及
    び画素電極を有するアクティブマトリクス型であること
    を特徴とする請求項1記載の液晶パネル。
  4. 【請求項4】 前記液晶パネルは、複数のデータ線及び
    複数のゲート線と、それらの交点に薄膜トランジスタ及
    び画素電極を有するアクティブマトリクス型であること
    を特徴とする請求項2記載の液晶パネル。
  5. 【請求項5】 前記液晶パネルは、一方の基板に複数の
    非線形素子と該非線形素子の一方の電極に接続される複
    数の配線と該非線形素子の他方の電極に接続される複数
    の画素電極が形成され、他方の基板には前記基板に形成
    された前記複数の配線と直交するように形成された画素
    電極を兼用する複数の配線が形成されていることを特徴
    とする請求項1記載の液晶パネル。
  6. 【請求項6】 前記液晶パネルは、一方の基板に複数の
    非線形素子と該非線形素子の一方の電極に接続される複
    数の配線と該非線形素子の他方の電極に接続される複数
    の画素電極が形成され、他方の基板には前記基板に形成
    された前記複数の配線と直交するように形成された画素
    電極を兼用する複数の配線が形成されていることを特徴
    とする請求項2記載の液晶パネル。
  7. 【請求項7】 前記液晶パネルは、一方の基板に画素電
    極を兼用する複数の配線が形成され、他方の基板には前
    記基板に形成された前記複数の配線と直交するように形
    成された画素電極を兼用する複数の配線が形成されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の液晶パネル。
  8. 【請求項8】 前記遮光層は黒色のネガ型感光性有機膜
    からなることを特徴とする請求項1、3、5及び7記載
    の液晶パネル。
  9. 【請求項9】 前記遮光層はレーザCVD法により形成
    される金属膜などからなることを特徴とする請求項1か
    ら7記載の液晶パネル。
  10. 【請求項10】 複数のデータ線及び複数のゲート線
    と、それらの交点に薄膜トランジスタ及び画素電極を有
    するアクティブマトリクス型液晶パネルの少なくとも輝
    点欠陥となる画素部において、該画素部の画素電極材料
    に直接遮光層が被着されていることを特徴とする液晶パ
    ネル。
  11. 【請求項11】 一方の基板に複数の非線形素子と該非
    線形素子の一方の電極に接続される複数の配線と該非線
    形素子の他方の電極に接続される複数の画素電極が形成
    され、他方の基板には前記基板に形成された前記複数の
    配線と直交するように形成された画素電極を兼用する複
    数の配線が形成されている液晶パネルの少なくとも輝点
    欠陥となる画素部において、該画素部の画素電極材料に
    直接遮光層が被着されていることを特徴とする液晶パネ
    ル。
  12. 【請求項12】 複数のデータ線及び複数のゲート線
    と、それらの交点に薄膜トランジスタ及び画素電極を有
    するアクティブマトリクス型液晶パネルの少なくとも輝
    点欠陥となる画素部において、該画素部の画素電極領域
    に対応する領域に、該画素電極とは絶縁層を介して絶縁
    された状態で遮光層が被着されていることを特徴とする
    液晶パネル。
  13. 【請求項13】 一方の基板に複数の非線形素子と該非
    線形素子の一方の電極に接続される複数の配線と該非線
    形素子の他方の電極に接続される複数の画素電極が形成
    され、他方の基板には前記基板に形成された前記複数の
    配線と直交するように形成された画素電極を兼用する複
    数の配線が形成されている液晶パネルの少なくとも輝点
    欠陥となる画素部において、該画素部の画素電極領域に
    対応する領域に、該画素電極とは絶縁層を介して絶縁さ
    れた状態で遮光層が被着されていることを特徴とする液
    晶パネル。
  14. 【請求項14】 2枚の基板に液晶が挟持された液晶パ
    ネルにおいて、液晶パネルを点灯表示して少なくとも輝
    点欠陥の有無を検査する工程と、次に前記2枚の基板の
    少なくとも一方の基板の外側表面上に、該輝点欠陥とな
    る画素電極に対応する領域に遮光層を被着する工程とを
    含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
  15. 【請求項15】 前記遮光層はレーザCVD法により形
    成される金属膜などであることを特徴とする請求項10
    から14記載の液晶パネルの製造方法。
  16. 【請求項16】 2枚の基板に液晶が挟持された液晶パ
    ネルにおいて、該液晶パネルを点灯表示して少なくとも
    輝点欠陥の有無を検査する工程と、次に前記輝点欠陥を
    有する液晶パネルにおいて、前記2枚の基板の一方の基
    板の外側表面に黒色のネガ型感光性有機膜を塗布する工
    程と、次に前記液晶パネルを全面黒表示状態にし、且つ
    前記黒色のネガ型感光性有機膜が塗布されていない基板
    側から前記黒色のネガ型感光性有機膜を感光させるため
    の光を照射する工程と、次に前記黒色のネガ型感光性有
    機膜を現像し、前記輝点欠陥に対応する領域に前記黒色
    のネガ型感光性有機膜を遮光層として形成する工程とを
    含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
  17. 【請求項17】 複数のデータ線及び複数のゲート線
    と、それらの交点に薄膜トランジスタ及び画素電極を有
    するアクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、前記
    薄膜トランジスタの製造工程が終了した後、点欠陥を検
    査する工程と、次に該点欠陥に対応する画素部におい
    て、該画素部の画素電極または画素電極領域に対応する
    領域に、遮光層を被着する工程とを含むことを特徴とす
    る液晶パネルの製造方法。
  18. 【請求項18】 一方の基板に複数の非線形素子と該非
    線形素子の一方の電極に接続される複数の配線と該非線
    形素子の他方の電極に接続される複数の画素電極が形成
    され、他方の基板には前記基板に形成された前記複数の
    配線と直交するように形成された画素電極を兼用する複
    数の配線が形成されている液晶パネルにおいて、前記非
    線形素子の製造工程が終了した後、点欠陥を検査する工
    程と、次に該点欠陥に対応する画素部において、該画素
    部の画素電極または画素電極領域に対応する領域に、遮
    光層を被着する工程とを含むことを特徴とする液晶パネ
    ルの製造方法。
  19. 【請求項19】 前記遮光層はレーザCVD法により形
    成される金属膜などであることを特徴とする請求項16
    から18記載の液晶パネルの製造方法。
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