JPH07326317A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH07326317A JPH07326317A JP11631394A JP11631394A JPH07326317A JP H07326317 A JPH07326317 A JP H07326317A JP 11631394 A JP11631394 A JP 11631394A JP 11631394 A JP11631394 A JP 11631394A JP H07326317 A JPH07326317 A JP H07326317A
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- JP
- Japan
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- wafer
- disc
- disk
- slit
- ion
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明は、ウェ−ハを固定し回転するディス
ク２１のウェ−ハ台２にウェ−ハ台スリット２３を具備
し、ウェ−ハ落下によるウェ−ハ台スリット２３からの
漏れイオンビ−ムを感知する感知部を有するメカニカル
スキャン方式のイオン注入装置である。 【効果】 イオン注入時のウェ−ハ落下を感知し、落下
の情報により速やかに部分的に設備稼働を停止し、ウェ
ーハクズの発生、およびウェーハクズのイオン注入装置
全体への拡散を防止する。
ク２１のウェ−ハ台２にウェ−ハ台スリット２３を具備
し、ウェ−ハ落下によるウェ−ハ台スリット２３からの
漏れイオンビ−ムを感知する感知部を有するメカニカル
スキャン方式のイオン注入装置である。 【効果】 イオン注入時のウェ−ハ落下を感知し、落下
の情報により速やかに部分的に設備稼働を停止し、ウェ
ーハクズの発生、およびウェーハクズのイオン注入装置
全体への拡散を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置等のウェー
ハへの不純物イオンを注入をするメカニカルスキャン方
式のイオン注入装置の構造に関する。
ハへの不純物イオンを注入をするメカニカルスキャン方
式のイオン注入装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３の概略断面図、図２（ａ）の従来の
ディスクの平面図、図２（ｂ）の側面図を用いて、メカ
ニカルスキャン方式のイオン注入装置の構造、およびイ
オン注入方法について説明する。メカニカルスキャン方
式のイオン注入装置は、イオンビームを発生させるイオ
ンソース部１４、および真空を保つための真空排気装置
１２，１３が、イオン注入されるウェーハ装着部として
のディスク１を収納するディスクチャンバー１１と、バ
ルブ１５を介して接続され、バルブ１５で気密遮断可能
に構成されている。また、ディスクチャンバー１１を上
下動させながら真空に保つために、ディスクチャンバー
１１はスライディングシール１６を介してバルブ１５と
接続している。ディスク１のウェーハ台２の半径位置
に、イオン注入量を測定するために、ディスクの直径方
向にウェーハの直径より長い長方形スリット（ディスク
スリット４）を設けてある。デイスクスリット４の後方
に、イオンビーム量を測定するファラデー６を設けてあ
る。イオン注入装置のディスク１上の複数個のウェーハ
台２上にウェーハ（図示せず）を載せ、ディスクチャン
バー１１内を、真空排気装置１２を用いて１．０×（１
０-5〜１０-4）Ｐａの真空にする。つぎに、ディスク１
を回転させるとともに、ディスクチャンバー１１ごと上
下に動かし、ウェーハ内、ウェーハ間のイオン注入を均
一になるように、この回転、上下動のスピードをコント
ロールしながら、イオンソース部１４に高電圧を掛け、
イオンビーム５をウェーハに当てる。この時、ディスク
スリット４から漏れるイオンビーム５をディスクファラ
デー６で測定しながらイオンを注入する。真空到達のス
ピ−ドを上げるために、ディスク１へのウェーハ入れ替
え時もバルブ１５を閉じ、イオンソース部１４側は真空
を保持している。
ディスクの平面図、図２（ｂ）の側面図を用いて、メカ
ニカルスキャン方式のイオン注入装置の構造、およびイ
オン注入方法について説明する。メカニカルスキャン方
式のイオン注入装置は、イオンビームを発生させるイオ
ンソース部１４、および真空を保つための真空排気装置
１２，１３が、イオン注入されるウェーハ装着部として
のディスク１を収納するディスクチャンバー１１と、バ
ルブ１５を介して接続され、バルブ１５で気密遮断可能
に構成されている。また、ディスクチャンバー１１を上
下動させながら真空に保つために、ディスクチャンバー
１１はスライディングシール１６を介してバルブ１５と
接続している。ディスク１のウェーハ台２の半径位置
に、イオン注入量を測定するために、ディスクの直径方
向にウェーハの直径より長い長方形スリット（ディスク
スリット４）を設けてある。デイスクスリット４の後方
に、イオンビーム量を測定するファラデー６を設けてあ
る。イオン注入装置のディスク１上の複数個のウェーハ
台２上にウェーハ（図示せず）を載せ、ディスクチャン
バー１１内を、真空排気装置１２を用いて１．０×（１
０-5〜１０-4）Ｐａの真空にする。つぎに、ディスク１
を回転させるとともに、ディスクチャンバー１１ごと上
下に動かし、ウェーハ内、ウェーハ間のイオン注入を均
一になるように、この回転、上下動のスピードをコント
ロールしながら、イオンソース部１４に高電圧を掛け、
イオンビーム５をウェーハに当てる。この時、ディスク
スリット４から漏れるイオンビーム５をディスクファラ
デー６で測定しながらイオンを注入する。真空到達のス
ピ−ドを上げるために、ディスク１へのウェーハ入れ替
え時もバルブ１５を閉じ、イオンソース部１４側は真空
を保持している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のメカニカルスキ
ャン方式のイオン注入装置では、イオン注入中にウェー
ハのワレ、カケが発生し、ウェーハが落下しても、感知
する方法がなく、所定のイオン注入を完了後、ウェーハ
を取り出す時点で初めてウェーハの落下が判明する。し
かし、この段階で判明したのでは、落下後のディスク１
の回転、ディスク１とディスクンチャンバー１１の上下
運動により、落下したウェーハが、ディスク１とディス
クチャンバー１１間の隙間が２〜３ｃｍと狭いこともあ
り、ディスク１およびディスクチャンバー１１の壁に衝
突し、粉砕される。この粉砕されたウェーハクズが装置
内に飛び散り、真空排気装置１２、イオンソース部１４
へも拡散する。このことにより、イオン注入中のウェー
ハはもちろん、以後の注入でも装置内に残ったウェーハ
クズがウェーハに付着し、以後のウェーハ洗浄で完全に
除去できず、電気的特性不良要因の一つになる。またウ
ェーハが落下し、装置内がウェーハクズで汚染された場
合は、汚染が装置全体に広がっているために、設備を休
止にし、装置内のシリコンクズの除去に２〜３日を要し
ていた。したがって、ウェーハが落下した時に速やかに
落下を感知し設備を停止することが求められる。
ャン方式のイオン注入装置では、イオン注入中にウェー
ハのワレ、カケが発生し、ウェーハが落下しても、感知
する方法がなく、所定のイオン注入を完了後、ウェーハ
を取り出す時点で初めてウェーハの落下が判明する。し
かし、この段階で判明したのでは、落下後のディスク１
の回転、ディスク１とディスクンチャンバー１１の上下
運動により、落下したウェーハが、ディスク１とディス
クチャンバー１１間の隙間が２〜３ｃｍと狭いこともあ
り、ディスク１およびディスクチャンバー１１の壁に衝
突し、粉砕される。この粉砕されたウェーハクズが装置
内に飛び散り、真空排気装置１２、イオンソース部１４
へも拡散する。このことにより、イオン注入中のウェー
ハはもちろん、以後の注入でも装置内に残ったウェーハ
クズがウェーハに付着し、以後のウェーハ洗浄で完全に
除去できず、電気的特性不良要因の一つになる。またウ
ェーハが落下し、装置内がウェーハクズで汚染された場
合は、汚染が装置全体に広がっているために、設備を休
止にし、装置内のシリコンクズの除去に２〜３日を要し
ていた。したがって、ウェーハが落下した時に速やかに
落下を感知し設備を停止することが求められる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハを固
定し回転するディスクのウェーハ台にスリットを具備
し、ウェーハ落下による前記スリットからの漏れイオン
ビームを感知する感知部を有するメカニカルスキャン方
式のイオン注入装置を提供する。
定し回転するディスクのウェーハ台にスリットを具備
し、ウェーハ落下による前記スリットからの漏れイオン
ビームを感知する感知部を有するメカニカルスキャン方
式のイオン注入装置を提供する。
【０００５】
【作用】ウェーハ台からのウェーハ落下による、ウェー
ハ台スリットからの漏れイオンビームを、イオン注入量
を測定するディスクファラデーで感知し、ウェーハ落下
の情報を得る。この情報により、ディスクとディスクチ
ャンバーの上下動の停止、真空排気系にウェーハクズが
入らないように、バルブを閉じての真空遮断、イオン注
入を停止することができる。
ハ台スリットからの漏れイオンビームを、イオン注入量
を測定するディスクファラデーで感知し、ウェーハ落下
の情報を得る。この情報により、ディスクとディスクチ
ャンバーの上下動の停止、真空排気系にウェーハクズが
入らないように、バルブを閉じての真空遮断、イオン注
入を停止することができる。
【０００６】
【実施例】本発明のメカニカルスキャン方式のイオン注
入装置について説明する。装置は従来のメカニカルスキ
ャン方式のイオン注入装置の概略断面図とほとんど同じ
で、異なる点はディスクの一部（図１と図２参照）と制
御部（図示せず）のみであり、図１（ｂ）本発明のディ
スクの平面図、図１（ａ）の側面図、および図３の従来
装置と共通の概略断面図を用いて説明する。本発明のデ
ィスク２１のウェーハ台２２の半径位置に、イオン注入
量を測定するために、ディスクの直径方向にウェーハの
直径より長い長方形スリット（ディスクスリット２４）
を設けてある点は従来と同様である。しかし、各ウェー
ハ台２２にウェーハ落下をイオンの通過により検知する
ために、ウェーハ台スリット２３が設けてある。デイス
クスリット２４の後方に、イオンビーム量を測定するフ
ァラデー６を設けてある。イオン注入装置のディスク１
上の複数個のウェーハ台上にウェーハを載せ、ディスク
チャンバー１１内を、真空排気装置１２を用いて１．０
×（１０-5〜１０-4）Ｐａの真空にする。つぎに、ディ
スク１を回転させるとともに、ディスクチャンバー１１
毎上下に動かし、ウェーハ内、ウェーハ間のイオン注入
を均一になるように、この回転、上下動のスピードをコ
ントロールしながら、イオンソース部１４に高電圧を掛
け、イオンビ−ム５をウェ−ハに当て、ディスクスリッ
ト２４から漏れるイオンビーム５をディスクファラデー
６で測定しながらイオンを注入する。真空到達のスピー
ドを上げるために、ディスク２１へのウェーハ入れ替え
時もバルブ１５を閉じ、イオンソース部１４側は真空に
している。
入装置について説明する。装置は従来のメカニカルスキ
ャン方式のイオン注入装置の概略断面図とほとんど同じ
で、異なる点はディスクの一部（図１と図２参照）と制
御部（図示せず）のみであり、図１（ｂ）本発明のディ
スクの平面図、図１（ａ）の側面図、および図３の従来
装置と共通の概略断面図を用いて説明する。本発明のデ
ィスク２１のウェーハ台２２の半径位置に、イオン注入
量を測定するために、ディスクの直径方向にウェーハの
直径より長い長方形スリット（ディスクスリット２４）
を設けてある点は従来と同様である。しかし、各ウェー
ハ台２２にウェーハ落下をイオンの通過により検知する
ために、ウェーハ台スリット２３が設けてある。デイス
クスリット２４の後方に、イオンビーム量を測定するフ
ァラデー６を設けてある。イオン注入装置のディスク１
上の複数個のウェーハ台上にウェーハを載せ、ディスク
チャンバー１１内を、真空排気装置１２を用いて１．０
×（１０-5〜１０-4）Ｐａの真空にする。つぎに、ディ
スク１を回転させるとともに、ディスクチャンバー１１
毎上下に動かし、ウェーハ内、ウェーハ間のイオン注入
を均一になるように、この回転、上下動のスピードをコ
ントロールしながら、イオンソース部１４に高電圧を掛
け、イオンビ−ム５をウェ−ハに当て、ディスクスリッ
ト２４から漏れるイオンビーム５をディスクファラデー
６で測定しながらイオンを注入する。真空到達のスピー
ドを上げるために、ディスク２１へのウェーハ入れ替え
時もバルブ１５を閉じ、イオンソース部１４側は真空に
している。
【０００７】ディスク２１の全てのウェーハ台２２にウ
ェーハ台スリット２３を設ける。このウェーハ２２の上
にウェーハ（図示せず）を装着する。この場合に、イオ
ン注入するウェーハのないウェーハ台２２には、ダミー
ウェーハを装着する。この状態でイオン注入を開始する
と、スリット２４からの漏れイオンビーム５をディスク
ファラデー６で捕獲し、注入量が測定される。途中でウ
ェーハが落下した場合、ウェーハが落下したウェーハ台
２２のウェーハ台スリット２３から漏れたイオンビーム
５がディスクファラデー６で捕獲される。ウェーハが全
てのウェーハ台２２に装着されていると、ディスクが１
回回転する毎に１回イオンビーム５がディスクファラデ
ー６で捕獲される。しかし、ウェーハが１枚落下した場
合は１回転する毎に、ディスクスリット２４とウェーハ
台スリット２３を通過するイオンビ−ム５を合計２回感
知部である同じディスクファラデー６が捕獲する。この
差を自動的に識別機能を有する制御部（図示せず）で分
析することにより、ウェーハの落下を感知する。さら
に、落下が確認されたら、制御部は図３のスライディン
グシール部１６のパッキンにウェーハクズが入りキズが
付かないようにディスク２１の回転およびディスク２１
とディスクチャンバー１１の上下動を止め、真空排気装
置１２，１３にシリコンクズが入らないようにバルブ１
５を閉じて真空遮断し、またバルブが焼損しないように
イオン注入を停止するよう作動する。
ェーハ台スリット２３を設ける。このウェーハ２２の上
にウェーハ（図示せず）を装着する。この場合に、イオ
ン注入するウェーハのないウェーハ台２２には、ダミー
ウェーハを装着する。この状態でイオン注入を開始する
と、スリット２４からの漏れイオンビーム５をディスク
ファラデー６で捕獲し、注入量が測定される。途中でウ
ェーハが落下した場合、ウェーハが落下したウェーハ台
２２のウェーハ台スリット２３から漏れたイオンビーム
５がディスクファラデー６で捕獲される。ウェーハが全
てのウェーハ台２２に装着されていると、ディスクが１
回回転する毎に１回イオンビーム５がディスクファラデ
ー６で捕獲される。しかし、ウェーハが１枚落下した場
合は１回転する毎に、ディスクスリット２４とウェーハ
台スリット２３を通過するイオンビ−ム５を合計２回感
知部である同じディスクファラデー６が捕獲する。この
差を自動的に識別機能を有する制御部（図示せず）で分
析することにより、ウェーハの落下を感知する。さら
に、落下が確認されたら、制御部は図３のスライディン
グシール部１６のパッキンにウェーハクズが入りキズが
付かないようにディスク２１の回転およびディスク２１
とディスクチャンバー１１の上下動を止め、真空排気装
置１２，１３にシリコンクズが入らないようにバルブ１
５を閉じて真空遮断し、またバルブが焼損しないように
イオン注入を停止するよう作動する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明はイオン
注入時のウェーハ落下を感知し、落下の情報により速や
かに部分的に設備稼働を停止し、ウェーハクズの発生、
およびウェーハクズのイオン注入装置全体への拡散を防
止する。
注入時のウェーハ落下を感知し、落下の情報により速や
かに部分的に設備稼働を停止し、ウェーハクズの発生、
およびウェーハクズのイオン注入装置全体への拡散を防
止する。
【図１】 本発明のディスクの（ａ）は平面図、および
（ｂ）は側面図
（ｂ）は側面図
【図２】 従来のディスクの（ａ）平面図、および
（ｂ）は側面図
（ｂ）は側面図
【図３】 共通のメカニカルスキャン方式イオン注入装
置の概略断面図
置の概略断面図
５ イオンビーム １１ ディスクチャンバー １２，１３ 真空排気系 １４ イオンソース部 １５ バルブ ２１ ディスク ２２ ウェーハ台 ２３ ウェーハ台スリット
Claims (3)
- 【請求項１】ウェーハを固定し回転するディスクのウェ
ーハ台にスリットを具備し、ウェーハ落下による前記ス
リットからの漏れイオンビームを感知する感知部を有す
るメカニカルスキャン方式のイオン注入装置。 - 【請求項２】前記感知部からの情報により、自動的にデ
ィスク、およびディスクチャンバーの駆動を停止する制
御部を有する請求項１のイオン注入装置。 - 【請求項３】前記感知部からの情報により、自動的にデ
ィスク部とイオンソース部間の境界を気密遮断するとと
もにイオンビームを停止する制御部を有する請求項１の
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11631394A JPH07326317A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11631394A JPH07326317A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326317A true JPH07326317A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14683909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11631394A Pending JPH07326317A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326317A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485387B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 |
| JP2015099051A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社アルバック | 電流測定装置、および、イオン電流測定システム |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11631394A patent/JPH07326317A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485387B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 |
| JP2015099051A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社アルバック | 電流測定装置、および、イオン電流測定システム |
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