JPS61263135A - 半導体ウエハチツピング検出装置 - Google Patents
半導体ウエハチツピング検出装置Info
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- JPS61263135A JPS61263135A JP10330285A JP10330285A JPS61263135A JP S61263135 A JPS61263135 A JP S61263135A JP 10330285 A JP10330285 A JP 10330285A JP 10330285 A JP10330285 A JP 10330285A JP S61263135 A JPS61263135 A JP S61263135A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chipping
- wafer
- reflected light
- laser beam
- detection
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置製造プロセスにおいて半導体ウェ
ハの周辺部にチッピング（割れ．欠は等）が存在するか
否かを自動的に検出するためのチッピング検出装置に関
する。
ハの周辺部にチッピング（割れ．欠は等）が存在するか
否かを自動的に検出するためのチッピング検出装置に関
する。
半導体装置製造プロセスにおいて、通常は複数枚の半導
体ウェハをウェハカセットや石英ボート等に載置する際
にウェハ周辺部にチッピングが生じることがある。この
ような周辺部にチッピングのあるウェハは、半導体製造
装置へのセット時，にクランプ等のホルダによるストレ
スを受けたり、装置の稼動時におけるウェハの移動や回
転に伴なうショックにより割れ易い。このように製造装
置の稼動時にウェハが割れた場合には、他のウェハや装
置自体に損傷を与えるだけでなく、この装置のクリーニ
ングや修理に多くの時間を費すことになる。たとえばイ
オン注入装置の稼動中にウェハが割れた場合、真空系の
クライオポンプにまで影響が及んだ場合は完全復帰まで
に通常は１日以上かかってしまう。
体ウェハをウェハカセットや石英ボート等に載置する際
にウェハ周辺部にチッピングが生じることがある。この
ような周辺部にチッピングのあるウェハは、半導体製造
装置へのセット時，にクランプ等のホルダによるストレ
スを受けたり、装置の稼動時におけるウェハの移動や回
転に伴なうショックにより割れ易い。このように製造装
置の稼動時にウェハが割れた場合には、他のウェハや装
置自体に損傷を与えるだけでなく、この装置のクリーニ
ングや修理に多くの時間を費すことになる。たとえばイ
オン注入装置の稼動中にウェハが割れた場合、真空系の
クライオポンプにまで影響が及んだ場合は完全復帰まで
に通常は１日以上かかってしまう。
また、割れたかけらが電気系の故障を引き起した場合に
は、サブレッジジンバイアス電源が故障する可能性が非
常に高い。したがって、ビームラインおよびエンド・ス
テーションの分解。
は、サブレッジジンバイアス電源が故障する可能性が非
常に高い。したがって、ビームラインおよびエンド・ス
テーションの分解。
洗浄１組立て、真空立ち上げ、動作チェック。
品質管理チェックなどを必要とし、装置が使用可能にな
るまでには非常な時間を要することになる。このような
問題は他の製造装置（特に真空系における処理を行なう
もの）においても同様であり、予めチッピングのあるウ
ェハを抜き取っておくことは、製造装置の被害を最小限
に抑制してその稼動率を向上させる上で重要である０ 〔背景技術の問題点〕 ところで、従来はウェハ周辺のチッピングの有無を検出
する際に作業者が真空ピンセットでウェハを１枚づつカ
セットから抜き取って目視による観察によりチェックを
行なっている。したがって、製造ラインの全りエへに対
する目視検査は極めて作業量が大きくなり、検査時間が
長くかかるだけでなく正確な検査が不可能であり、チッ
ピングを見逃すことにより前述したようなり工へ割れを
生じて煩雑な問題を引き起こすことが多かった。
るまでには非常な時間を要することになる。このような
問題は他の製造装置（特に真空系における処理を行なう
もの）においても同様であり、予めチッピングのあるウ
ェハを抜き取っておくことは、製造装置の被害を最小限
に抑制してその稼動率を向上させる上で重要である０ 〔背景技術の問題点〕 ところで、従来はウェハ周辺のチッピングの有無を検出
する際に作業者が真空ピンセットでウェハを１枚づつカ
セットから抜き取って目視による観察によりチェックを
行なっている。したがって、製造ラインの全りエへに対
する目視検査は極めて作業量が大きくなり、検査時間が
長くかかるだけでなく正確な検査が不可能であり、チッ
ピングを見逃すことにより前述したようなり工へ割れを
生じて煩雑な問題を引き起こすことが多かった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、半導体ウ
ェハ周辺のチッピングの有無を自動的に正確かつ高速に
検出でき、チッピングによるクエハ割れに起因する半導
体製造装置の被害を最小限に抑制すると共にその稼動率
の向上を図り得る半導体ウェハチッピング検出装置を提
供するものである。
ェハ周辺のチッピングの有無を自動的に正確かつ高速に
検出でき、チッピングによるクエハ割れに起因する半導
体製造装置の被害を最小限に抑制すると共にその稼動率
の向上を図り得る半導体ウェハチッピング検出装置を提
供するものである。
即ち、本発明の半導体ウェハチッピング検出装置は、ウ
ェハカセット内に垂直状態でかつ回転自在に収容された
半導体ウェハの周辺部の下方部に接触する回転手段によ
り上記ウェハを回転させ、このウェハの周辺部にレーザ
ービーム照射手段によりレーザービームを照射し、上記
周辺部からのレーザービーム反射光を反射光検出手段に
より検出し、この検出手段の検出出力に基いてウェハ周
辺部のチッピングの有無を検出するよづにしてなること
を特徴とするものである。
ェハカセット内に垂直状態でかつ回転自在に収容された
半導体ウェハの周辺部の下方部に接触する回転手段によ
り上記ウェハを回転させ、このウェハの周辺部にレーザ
ービーム照射手段によりレーザービームを照射し、上記
周辺部からのレーザービーム反射光を反射光検出手段に
より検出し、この検出手段の検出出力に基いてウェハ周
辺部のチッピングの有無を検出するよづにしてなること
を特徴とするものである。
これによって、チッピングの有無を自動的に検出でき、
正確かつ高速な検出動作が可能になる０ 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
正確かつ高速な検出動作が可能になる０ 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
図において、カセット載置台１の上面中央部にはロー２
２が回転自在かつ一定高さ範囲内で上下動自在に設けら
れている。チッピング検査に際して上記載置台１上には
複数枚（たとえば２５枚）の半導体ウェハ３・・・をそ
れぞれ垂直状態かつ回転自在に収容したウェハカセット
４が載置される。このウニ八カセット４は、各ウェハ３
・・・の周辺部に側方からレーザービーム照射ａｆｔ
ｓ Ｋよるレーザービームの照射が可能となるよりに側
面に窓６が設Ｃすられている。また、各ウェハ３・・・
の周辺部の下方部は前記ロー２２上に接触しており、ロ
ーラ２の回転に伴ってウェハ３・・・が回転するように
なっているが、ローラ２を降下させた状態ではウェハ３
・・・のオリエンテーシ重ンフラット３′がロー２２に
面した状態に整列されるようになる。さらに、前記ウェ
ハカセット４の側方には、各ウェハ３・・・の周辺部に
照射されたレーザービームの反射光を検出するための反
射光検出装置７が設けられており、この検出装置７の検
出出力に基いてチッピングの有無がチッピング検出回路
８により検出され、チッピングの有無の検出結果は表示
部９に表示されたり、記録部１０に記碌されるようにな
っている。なお、ウェハカセット４の側方には載置台１
上の様子全体を監視するための監視用テレビカメラ１１
および画像モニタ装置１２が配置されている。
２が回転自在かつ一定高さ範囲内で上下動自在に設けら
れている。チッピング検査に際して上記載置台１上には
複数枚（たとえば２５枚）の半導体ウェハ３・・・をそ
れぞれ垂直状態かつ回転自在に収容したウェハカセット
４が載置される。このウニ八カセット４は、各ウェハ３
・・・の周辺部に側方からレーザービーム照射ａｆｔ
ｓ Ｋよるレーザービームの照射が可能となるよりに側
面に窓６が設Ｃすられている。また、各ウェハ３・・・
の周辺部の下方部は前記ロー２２上に接触しており、ロ
ーラ２の回転に伴ってウェハ３・・・が回転するように
なっているが、ローラ２を降下させた状態ではウェハ３
・・・のオリエンテーシ重ンフラット３′がロー２２に
面した状態に整列されるようになる。さらに、前記ウェ
ハカセット４の側方には、各ウェハ３・・・の周辺部に
照射されたレーザービームの反射光を検出するための反
射光検出装置７が設けられており、この検出装置７の検
出出力に基いてチッピングの有無がチッピング検出回路
８により検出され、チッピングの有無の検出結果は表示
部９に表示されたり、記録部１０に記碌されるようにな
っている。なお、ウェハカセット４の側方には載置台１
上の様子全体を監視するための監視用テレビカメラ１１
および画像モニタ装置１２が配置されている。
次に、上記チッピング検出装置の動作を説明する。ロー
ラ２を上昇させた位置で回転させると・ウエノ・３・・
・が回転する。この状態で、□枚のウェハ３の周辺部に
レーザービームを照射し、その反射光を反射光検出装置
７で検出する。この場合、ウニ八周辺部に割れや欠けが
あれば反射光強度が変化するので、反射光検出装置７の
検出出力に基いてチッピング検出回路８によりチッピン
グの有無の検出が可能である。このようなチッピング検
出動作が各ウェハ３・・・に対して順次行なわれ、それ
ぞれの検出結果が表示部９により表示される。この場合
、各ウェハ３・・・に対するレーザービーム照射および
反射光検出は、１組のレーザービーム照射装置および反
射光検出装置の向きを順次変えることにより、あるいは
カセット内の全りエへに対応した複数組のレーザービー
ム照射装置および反射光検出装置を用いることにより行
なわれる。全りエへに対スるチッピング検出が終了した
時点でロー２２を降下させて各ウェハ３・・・のオリエ
ンテーシ冒ンフラット３′を下向きに揃えた状態でロー
ラ２の回転を停止させる。そして、表示部９に表示され
ているチッピング検出結果にしたがってチッピングの有
るウェハを抜き取ることで製造プロセスにおけるチッピ
ングによるウェハ割れの事故を未然に防ぐことができる
。
ラ２を上昇させた位置で回転させると・ウエノ・３・・
・が回転する。この状態で、□枚のウェハ３の周辺部に
レーザービームを照射し、その反射光を反射光検出装置
７で検出する。この場合、ウニ八周辺部に割れや欠けが
あれば反射光強度が変化するので、反射光検出装置７の
検出出力に基いてチッピング検出回路８によりチッピン
グの有無の検出が可能である。このようなチッピング検
出動作が各ウェハ３・・・に対して順次行なわれ、それ
ぞれの検出結果が表示部９により表示される。この場合
、各ウェハ３・・・に対するレーザービーム照射および
反射光検出は、１組のレーザービーム照射装置および反
射光検出装置の向きを順次変えることにより、あるいは
カセット内の全りエへに対応した複数組のレーザービー
ム照射装置および反射光検出装置を用いることにより行
なわれる。全りエへに対スるチッピング検出が終了した
時点でロー２２を降下させて各ウェハ３・・・のオリエ
ンテーシ冒ンフラット３′を下向きに揃えた状態でロー
ラ２の回転を停止させる。そして、表示部９に表示され
ているチッピング検出結果にしたがってチッピングの有
るウェハを抜き取ることで製造プロセスにおけるチッピ
ングによるウェハ割れの事故を未然に防ぐことができる
。
上述したように本発明の半導体クエハチツビング検出装
置によれば、チッピングの有無をレーザービームの照射
による反射光の検出出力に基いて検出するものであり、
自動的に正確かつ高速に検出することができる。したが
って、チッピングの有るウェハを抜き取っておくことで
チッピングによるウェハ割れ事故を未然に防ぐことがで
き、ウェハ割れに起因する半導体製造装置の被害を最小
限に抑制すると共にその稼動率の向上を図ることができ
る。
置によれば、チッピングの有無をレーザービームの照射
による反射光の検出出力に基いて検出するものであり、
自動的に正確かつ高速に検出することができる。したが
って、チッピングの有るウェハを抜き取っておくことで
チッピングによるウェハ割れ事故を未然に防ぐことがで
き、ウェハ割れに起因する半導体製造装置の被害を最小
限に抑制すると共にその稼動率の向上を図ることができ
る。
図面は本発明の半導体ウェハチッピング検出装置の一実
施例を示す構成説明図である。 ２・・・ローラ、３・・・ウェハ、４・・・ウェハカセ
ット、５・・・レーザービーム照射装置、６・・・カセ
、ット窓、７・・・反射光検出装置、８・・・チッピン
グ検出回路。
施例を示す構成説明図である。 ２・・・ローラ、３・・・ウェハ、４・・・ウェハカセ
ット、５・・・レーザービーム照射装置、６・・・カセ
、ット窓、７・・・反射光検出装置、８・・・チッピン
グ検出回路。
Claims (2)
- （１）ウェハカセット内に垂直状態でかつ回転自在に収
容された半導体ウェハの周辺部の下方部に接触して上記
ウェハを回転させることが可能な回転手段と、上記半導
体ウェハの周辺部にレーザービームを照射させるレーザ
ービーム照射手段と、上記半導体ウェハの周辺部からの
レーザービーム反射光を検出する反射光検出手段と、こ
の反射光検出手段による検出出力に基いてウェハチッピ
ングの有無を検出する手段とを具備することを特徴とす
る半導体ウェハチッピング検出装置。 - （２）前記レーザービーム照射手段は、前記ウェハカセ
ット内の複数枚の半導体ウェハに対して順次その周辺部
にレーザービームを照射するようにしてなることを特徴
とする前記特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハチ
ッピング検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330285A JPS61263135A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 半導体ウエハチツピング検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330285A JPS61263135A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 半導体ウエハチツピング検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61263135A true JPS61263135A (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=14350447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10330285A Pending JPS61263135A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 半導体ウエハチツピング検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61263135A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002333309A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | チッピング測定装置及び方法 |
| JP2007149903A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 欠損基板の検出方法及びその検出装置 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10330285A patent/JPS61263135A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002333309A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | チッピング測定装置及び方法 |
| JP2007149903A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 欠損基板の検出方法及びその検出装置 |
| JP4557871B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 欠損基板の検出方法及びその検出装置 |
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