KR20000060092A - 이온 주입 장치의 이물 제거장치 - Google Patents

이온 주입 장치의 이물 제거장치 Download PDF

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KR20000060092A KR1019990008140A KR19990008140A KR20000060092A KR 20000060092 A KR20000060092 A KR 20000060092A KR 1019990008140 A KR1019990008140 A KR 1019990008140A KR 19990008140 A KR19990008140 A KR 19990008140A KR 20000060092 A KR20000060092 A KR 20000060092A
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Abstract

본 발명은 반도체 제조장치 중 이온 주입 장치의 이물 제거장치에 관한 것으로, 이온 주입 장치의 엔드 스테이션부에는 복수개의 웨이퍼가 디스크에 고정된 상태에서 상기 각 웨이퍼에 부착된 이물의 측정 및 제거가 원활하고 동시에 이루어지도록 하여 상기 웨이퍼의 불량을 방지하고, 작업효율이 향상되도록 한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 가스를 이온화시키는 소스부(1)에서 보내지는 가스 중 원하는 이온만 통과시킴과 함께 이온을 가속시키는 빔 라인부(2)와, 상기 빔 라인부(2)에서 보내지는 이온이 주입되는 웨이퍼를 고정하기 위해 복수개의 디스크(11)와 상기 각 디스크(11)에 결합되어 복수개의 웨이퍼(18)가 고정됨과 함께 디스크를 따라 회동되면서 개폐되는 개폐 챔버(14) 및 개폐 챔버(14)의 전면에 설치되는 고정 챔버(13)로 이루어진 엔드 스테이션부(3)가 구비된 이온 주입 장치에 있어서, 상기 고정 챔버(13) 내에는 빔 라인부(2)에서 웨이퍼(18)로 조사되어 반사되는 레이저 빔을 수광하여 웨이퍼(18)에 부착된 이물을 측정하는 레이저 빔 수광부(101)를 설치하고, 상기 각 디스크(11)의 외측에는 레이저 빔 수광부(101)에서 측정된 웨이퍼(18)의 이물을 제거하도록 하는 이물 제거수단이 설치된 것이다.

Description

이온 주입 장치의 이물 제거장치{device for removing foreign substance of ion pour device}
본 발명은 반도체 제조장치 중 이온 주입 장치에 관한 것으로써, 좀 더 구체적으로는 이온 주입 장치의 이물 제거장치에 관한 것이다.
종래 반도체 제조장치의 이온 주입 장치는 도 1 내지 도 3b에서 도시한 바와 같이, 가스 분자가 이온화되는 영역인 소스(source)부(1)와, 상기 소스부(1)에서 보내지는 가스 중 원하는 이온만 통과시킴과 동시에 상기 웨이퍼(18)로 원하는 이온을 가속시키는 빔 라인(beam line)부(2)와, 상기 빔 라인부(2)에서 보내지는 원하는 이온을 웨이퍼(18)에 주입할 수 있도록 상기 웨이퍼(18)를 고정하는 엔드 스테이션(endstation)부(3)로 구비되어 있다.
상기 이온 주입 장치의 외측에는 도 4에서와 같이, 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 측정하기 위한 이물 측정장치(4)가 이온 주입 장치와 별도로 구비되어 있다.
상기 소스부(1)에는 가스가 공급되는 가스 박스(gas box)(5)가 설치되어 있고, 상기 가스 박스(5)에 연결되어 가스를 이온화함과 함께 이온화된 가스를 빔 라인부(2)로 보내는 소스(source)(6)가 설치되어 있다.
상기 빔 라인부(2)에는 소스(6)에서 보내지는 이온화된 가스 중 원하는 이온만 통과하도록 하는 질량 분리기(Analyzer chamber)(7)가 설치되어 있고, 상기 질량 분리기(7)를 통과한 이온 빔(a)이 엔드 스테이션부(3)의 웨이퍼(18)까지 갈 수 있도록 에너지를 걸어주는 가속 튜브(Accel tube)(8)가 설치되어 있으며, 상기 가속튜브(8)의 전방에는 플라스(+),마이너스(-) 바이어스 혹은 엔(N),에스(S)의 자석 극성을 이용하여 수평, 수직으로 상기 이온 빔(a)의 초점을 맞추도록 하는 렌즈(lens)부(9)가 설치되어 있고, 상기 렌즈부(9)의 전방에는 렌즈부(9)를 통과한 이온빔(a)을 엔드 스테이션부(2)에 고정된 웨이퍼(18)로 각각 보내도록 이온빔(a)을 편향시키도록 하는 편향(deflection)부(10)가 설치되어 있다.
상기 렌즈부(9)는 이온 빔(a)의 초점을 맞추도록 하는 복수개의 퀀드러펄 렌즈(quadruple lens)를 주로 사용한다.
상기 엔드 스테이션부(3)에는 편향부(10)에서 편향되어 보내지는 이온 빔(a)을 웨이퍼(18)에 주입하도록 복수개의 웨이퍼(18)를 고정시키는 디스크(disk)가 복수개 설치되어 있고, 상기 각 디스크(11)의 전면에는 복수개의 웨이퍼(18)가 고정됨과 함께 상기 각 디스크(11)를 따라 회동되면서 개폐되는 개폐 챔버(14)가 회동가능하게 결합되어 있으며, 상기 개폐 챔버(14)의 전면에는 회동되는 개폐 챔버(14)와 마주보도록 고정된 고정 챔버(13)가 설치되어 있다.
상기 이물 측정장치(4)는 아르곤(Ar) 레이저 빔(laser beam)을 조사하는 레이저 빔 공급부(15)가 설치되어 있고, 상기 레이저 빔 공급부(15)에서 공급되는 아르곤 레이저 빔을 웨이퍼(18)로 반사할 수 있도록 반사거울(16)이 일정각도로 회동가능하게 설치되어 있으며, 상기 웨이퍼(18)에서 반사되는 아르곤 레이저 빔을 수광하여 웨이퍼(18)에서의 이물을 감지하는 수광부(17)가 설치되어 있다.
이러한 구조의 반도체 제조장치의 이온 주입 장치는 엔드 스테이션부(3)에 설치된 복수개의 디스크(11)에 복수개의 웨이퍼(18)가 각각 로딩(loading)되면 소스부(1)의 가스 박스(5)에서 소스(6)로 여러가지의 가스가 공급되고, 상기 소스(6)로 공급된 가스는 소스(6)에서 이온화되어 빔 라인부(2)로 보내진다.
상기 빔 라인부(2)로 보내진 이온화된 여러가지의 가스 중 아르곤 가스(이하, 이온 빔이라 함)만 질량 분리기(7)를 통과하여 가속 튜브(8)로 보내지고, 나머지 이온화된 가스는 질량 분리기(7)를 통과하지 못한다.
이 때, 질량 분리기(7)를 통과한 이온 빔(a)은 가속 튜브(8)를 자나면서 가속됨과 함께 일정한 에너지를 갖게 되고, 상기 일정한 에너지를 갖은 상태에서 이온 빔(a)은 가속 튜브(8)를 통과하여 렌즈부(9)로 보내져 상기 렌즈부(9)의 각 렌즈를 통과하는 과정에서 초점이 맞춰진다.
여기서, 상기 렌즈부(9)를 통과하는 이온 빔(a)은 도 3a와 도 3b에서와 같이 렌즈부(9)에서 이용되는 자석 극성에 의해 수평, 수직으로 초점이 맞춰지며, 상기 초점이 맞춰진 이온 빔(a)은 편향부(10)로 보내져 상기 편향부(10)에서 편향된 상태로 이온 빔(a)이 엔드 스테이션부(3)의 디스크(11)로 보내진다.
즉, 엔드 스테이션부(3)에는 회전되는 복수개의 디스크(11)가 설치되어 있으므로 상기 편향부(10)에서 편향된 이온 빔(a)은 어느 하나의 디스크(11)에 로딩된 복수개의 웨이퍼(18)로 보내져 상기 각 웨이퍼(18)에 이온이 주입됨과 동시에 다른 하나의 디스크(11)의 각 웨이퍼(18)로는 이온 빔(a)이 보내지지 않음에 따라 상기 다른 하나의 디스크(11)에서는 각 웨이퍼(18)를 로딩 및 언로딩하게 된다.
한편, 디스크(11)에 로딩되어 이온이 주입되는 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 측정하기 위해서는 우선, 프로세서 웨이퍼(18) 대신 테스트 웨이퍼(보통 보어 웨이퍼(Bore wafer)를 사용함)(18)를 디스크(11) 내에 로딩시키고 나서 상기 디스크(11)를 일정 회전수로 일정 시간동안(720RPM, 5분) 회전시킨다.
즉, 디스크(11)의 전면에 회동가능하게 결합되어 디스크(11)를 따라 회동되면서 개폐되는 개폐 챔버(14)를 회동시켜 상기 개폐 챔버(14)와 고정 챔버(13)를 분리시킴에 따라 열려진 개폐 챔버(14)에 복수개의 웨이퍼(18)를 각각 고정시키고 나서 상기 개폐 챔버(14)를 다시 회동시켜 고정 챔버(13)와 서로 맞닿도록 하여 닫으므로 상기 디스크(11) 내는 고진공 상태가 된다.
그리고 나서, 디스크(11)를 일정 회전수로 일정 시간동안 회전시키고 나서 상기 개폐 챔버(14)를 회동시킴에 따라 고정 챔버(13)와 분리되어 열려지고, 상기 열려진 개폐 챔버(14)에서 각 테스트 웨이퍼(18)를 꺼낸 다음 이온 주입 장치의 외부에 구비된 이물 측정장치(4)로 이동시킨다.
이 때, 개폐 챔버(14)에서 꺼내 이물 측정장치(4)로 테스트 웨이퍼(18)를 이동할 때 외부에 있던 이물 등이 상기 웨이퍼(18)에 부착되는 것이 방지되도록 상기 웨이퍼(18)를 박스(미도시)에 담아 이동시킨다.
한편, 상기 이물 측정장치(4)로 이동된 웨이퍼(18)는 도 4에서 도시한 바와 같이 고정된 상태에서 레이저 빔 공급부(15)으로 부터 공급되는 아르곤 레이저 빔이 반사 거울(16)로 보내지고, 상기 반사 거울(16)에서 반사되는 아르곤 레이저 빔은 웨이퍼(18)로 조사되며, 상기 반사 거울(16)은 일정각도로 회전됨에 따라 아르곤 레이저 빔은 웨이퍼(18)에 골고루 보내진다.
상기 웨이퍼(18)로 보내진 아르곤 레이저 빔은 웨이퍼(18)에 이물이 부착된 경우에는 이물에 의해 난반사가 이루어지며, 상기 난반사되는 아르곤 레이저 빔을 수광부(17)에서 수광한 다음 전기신호로 변환함에 따라 상기 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 감지하게 된다.
이 때, 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 확인할 때에는 외부의 빛에 의한 영향을 없애기 위해 암실(빛이 없는 어두운 공간)에서 작업을 한다.
여기서, 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도가 상기 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 일정하게 관리하는 이물의 량보다 적으면 상기 디스크(11)의 개폐 챔버(14)에 웨이퍼(18)를 고정시킨 다음 디스크(11)를 회전시킴과 함께 웨이퍼(18)에 이온을 주입한다.
그리고, 상기 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 일정하게 관리하는 이물의 량보다 크면 디스크(11)의 개폐 챔버(14)를 세척하게 되는데, 즉 이물에 의한 개폐 챔버(14)의 오염 정도가 심할 경우에는 에어 압력을 이용하여 질소가스 또는 공기를 고정 챔버(13)와 개폐 챔버(14)로 분사하여 이물을 제거하고 나서 상기 각 테스트 웨이퍼(18)를 다시 디스크(11)의 개폐 챔버(14)에 고정시킨 후 상기 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 확인하며, 상기 확인된 이물의 량이 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 일정하게 관리하는 이물의 량보다 적을 때까지 상기와 같은 동작을 반복한다.
그러나, 이러한 종래 반도체 제조장치의 이온 주입 장치는 웨이퍼(18)에 부착되는 이물을 측정하거나 제거하기 위해서는 상기 웨이퍼(18)에 이온을 주입하는 이온 주입 장치를 중단시킨 다음 상기 웨이퍼(18)에서 이물을 측정 및 제거하여야 하므로 작업손실이 발생될 뿐만 아니라 상기 이물을 측정 및 제거하기 위해 소요되는 시간만큼 장비를 사용할 수 없어 작업 생산성 즉, 작업효율이 저하된다.
또한, 웨이퍼(18)에 이물이 발생되면 자체적으로 이물을 제거할 수 있는 장치가 없으므로 상기 이물에 의한 웨이퍼(18)의 오염이 발생되어 상기 웨이퍼(18)의 불량이 발생될 뿐만 아니라 상기 웨이퍼(18)의 손실을 미연에 방지할 수 없다.
그리고, 이물 측정을 위해서는 디스크(11)의 개폐 챔버(14)에 로딩되는 웨이퍼(18) 수만큼 테스트 웨이퍼(18)를 준비해 두어야 하므로 재료손실이 증가된다.
본 발명은 상기의 종래 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 이온 주입 장치의 엔드 스테이션부에는 복수개의 웨이퍼가 디스크에 고정된 상태에서 상기 각 웨이퍼에 부착된 이물의 측정 및 제거가 원활하고 동시에 이루어지도록 하여 상기 웨이퍼의 불량을 방지하고, 작업효율이 향상되도록 하는데 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 가스를 이온화시키는 소스부에서 보내지는 가스 중 원하는 이온만 통과시킴과 함께 상기 이온을 웨이퍼로 가속시키는 빔 라인부와, 상기 빔 라인부에서 보내지는 이온이 주입되는 웨이퍼를 고정하기 위하여 복수개의 디스크와 상기 각 디스크에 회동가능하게 결합되어 복수개의 웨이퍼가 고정됨과 함께 각 디스크를 따라 회동되면서 개폐되는 개폐 챔버 및 상기 개폐 챔버의 전면에 설치되어 고정되는 고정 챔버로 이루어진 엔드 스테이션부가 구비된 이온 주입 장치에 있어서, 상기 고정 챔버 내에는 빔 라인부에서 웨이퍼로 조사되어 반사되는 레이저 빔을 수광하여 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 측정하는 레이저 빔 수광부를 설치하고, 상기 각 디스크의 외측에는 레이저 빔 수광부에서 측정된 웨이퍼의 이물을 제거하도록 하는 이물 제거수단을 설치하여서 된 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이물 제거장치가 제공된다.
도 1은 종래 반도체 제조장치 중 이온 주입 장치를 나타낸 구조도.
도 2a 내지 도 2c는 종래 이온 주입 장치의 디스크에 웨이퍼의 로딩 및 디스크가 개폐되는 상태를 나타낸 작동상태도.
도 3a와 도 3b는 종래 이온 빔의 초점을 맞추는 상태를 나타낸 작동상태도.
도 4는 종래 이온 주입 장치에서 웨이퍼의 이물을 측정하는 상태를 나타낸 구조도.
도 5는 본 발명 이온 주입 장치의 디스크에 로딩된 웨이퍼에서 이물의 측정 및 제거하는 상태를 나타낸 구조도.
도 6a와 도 6b는 본 발명 디스크가 개폐되는 상태를 개략적으로 나타낸 작동상태도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
101: 레이저 빔 수광부 102: 공기 분사부
103: 이물 흡입부 104: 콘트롤러부
이하, 본 발명의 일 실시예를 첨부도면 도 5 내지 도 6b를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
이온 주입 장치의 구조는 종래의 구성에서 언급한 바 있으므로 중복되는 부분은 그 설명을 생략하고, 동일한 구조에 한해서는 종래와 동일한 부호를 부여키로 한다.
도 5는 본 발명 이온 주입 장치의 디스크에 로딩된 웨이퍼에서 이물의 측정 및 제거하는 상태를 나타낸 구조도이고, 도 6a와 도 6b는 본 발명 디스크가 개폐되는 상태를 개략적으로 나타낸 작동상태도이다.
본 발명은 가스를 이온화시키는 소스부(1)가 설치되어 있고, 상기 소스부(1)에서 보내지는 가스 중 원하는 이온만 통과시킴과 동시에 상기 웨이퍼(18)로 원하는 이온을 가속시키는 빔 라인부(2)가 설치되어 있으며, 상기 빔 라인부(2)에서 보내지는 이온을 웨이퍼(18)로 주입할 수 있도록 상기 웨이퍼(18)를 고정하는 엔드 스테이션부(3)가 설치되어 있다.
상기 엔드 스테이션부(3)에는 빔 라인부(2)의 편향부(10)와 연결되어 이온 빔(a)이 보내지는 복수개의 디스크(11)가 설치되어 있고, 상기 디스크(11)에는 이온이 주입되는 복수개의 웨이퍼(18)가 고정됨과 함께 상기 디스크(11)를 따라 회동되면서 개폐되는 개폐 챔버(14)가 회동가능하게 결합되어 있으며, 상기 개폐 챔버(14)의 전면에는 회동되는 개폐 챔버(14)와 마주보도록 고정 챔버(13)가 고정된 상태로 설치되어 있다.
상기 고정 챔버(13) 내에는 빔 라인부(2)에서 웨이퍼(18)로 이온을 주입하기 위해 상기 웨이퍼(1)로 조사되어 반사되는 레이저 빔을 수광하여 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도를 측정하는 레이저 빔 수광부(101)가 설치되어 있고, 상기 디스크(11) 외측에는 레이저 빔 수광부(101)에서 측정된 웨이퍼(18)의 이물 정도에 따라 상기 웨이퍼(18)에서 이물을 제거하도록 하는 이물 제거수단이 설치되어 있다.
상기 이물 제거수단은 디스크(11)의 외측에 개폐 챔버(14)에 고정된 각 웨이퍼(18)로 공기를 분사하여 웨이퍼(18)에서 이물을 떨어뜨리는 공기 분사부(102)가 설치되어 있고, 상기 디스크(11)의 외측에는 웨이퍼(18)에서 떨어진 이물과 상기 공기 분사부(102)에서 분사되는 공기를 흡입하도록 흡입력이 발생되는 이물 흡입부(103)이 설치되어 있으며, 상기 공기 분사부(102)와 이물 흡입부(103)는 개폐 챔버(14)를 중심으로 하여 서로 마주보도록 설치되어 있다.
상기 엔드 스테이션부(3)에는 웨이퍼(18)에서 이물을 측정함과 함께 제거하도록 레이저 빔 수광부(101)와 공기 분사부(102) 및 이물 흡입부(103)의 작동을 조절하도록 하는 콘트롤러부(104)가 설치되어 있고, 상기 레이저 빔 수광부(101)와 공기 분사부(102) 및 이물 흡입부(103) 그리고 콘트롤러부(104)는 서로 연결되어 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용은 다음과 같다.
먼저, 엔드 스테이션부(3)에 설치된 각 디스크(11)의 전면에 디스크(11)를 따라 회동되도록 결합된 개폐 챔버(14)에 복수개의 웨이퍼(18)를 각각 로딩시키고 나서 상기 디스크(11)를 회동시켜 개폐 챔버(14)를 고정 챔버(13)에 맞닿도록 함에 따라 상기 고정 챔버(13)와 개폐 챔버(14)는 닫혀지므로 상기 디스크(11) 내를 고진공 상태로 형성한다.
그리고, 개폐 챔버(14)에 각 웨이퍼(18)가 고정됨과 함께 상기 디스크(11)의 내부가 고진공 상태에서 소스부(1)의 가스 박스(5)에서 소스(6)로 공급되는 여러가지의 가스는 상기 소스(6)에서 이온화된 후 빔 라인부(2)로 보내진다.
상기 빔 라인부(2)로 보내진 이온화된 가스는 질량 분리기(7)를 통과하면서 이온화된 가스 중 사용자가 원하는 가스 즉, 아르곤 가스(이온 빔)만 가속 튜브(8)로 보내고, 상기 이온 빔(a)은 가속 튜브(8)를 통과하면서 일정한 에너지를 가지면서 가속된다.
한편, 상기 가속되는 이온 빔(a)은 렌즈부(9)로 보내져 상기 렌즈부(9)의 각 렌즈를 통과하는 과정에서 수평, 수직으로 초점이 맞춰지며, 상기 초점이 맞춰진 이온 빔(a)은 편향부(10)에 의해 편향된 상태로 엔드 스테이션부(3)의 디스크(11)로 보내져 상기 디스크(11)에 로딩된 각 웨이퍼(18)는 이온주입된다.
이 때, 편향부(10)에서 편향된 이온 빔(a)은 어느 하나의 디스크(11)로 보내져 각 웨이퍼(18)에 이온이 주입됨과 동시에 다른 하나의 디스크(11)로는 이온 빔(a)이 보내지지 않음에 따라 상기 다른 하나의 디스크(11)에서는 각 웨이퍼(18)를 로딩 및 언로딩하게 된다.
여기서, 디스크(11)에 고정된 각 웨이퍼(18)의 이물 정도를 측정하고, 상기 각 웨이퍼(18)에서 이물을 제거하도록 하기 위해서는 상기 디스크(11)의 전면에 설치된 개폐 챔버(14)에 각 웨이퍼(18)를 고정하고 나서 상기 개폐 챔버(14)를 회동시켜 고정 챔버(13)에 맞닿도록 하여 닫은 상태에서 일정 회전수로 일정시간동안 회전되는 디스크(11)의 각 웨이퍼(18)로 상기 빔 라인부(2)의 편향부(10)에서 편향되는 이온 빔(a)이 주입된다.
이 때, 고정 챔버(13) 내에는 레이저 빔을 수광하는 레이저 빔 수광부(101)가 설치되어 있으므로 상기 각 웨이퍼(18)로 이온 주입되는 이온 빔(a)은 각 웨이퍼(18)에서 반사되고, 상기 레이저 빔 수광부(101)는 각 웨이퍼(18)에서 반사되는 이온 빔(a)을 수광 즉, 집적함에 따라 상기 각 웨이퍼(18)에 부착된 이물의 정도가 측정된다.
상기 레이저 빔 수광부(101)에서 측정된 웨이퍼(18)의 이물 정도가 상기 웨이퍼(18)에 일정하게 관리하는 이물의 량보다 많게 되면 디스크(11)의 회전이 멈춰짐과 동시에 디스크(11)가 회동되면 상기 디스크(11)를 따라 개폐 챔버(14)가 회동되면서 고정 챔버(13)와 분리되므로 상기 개폐 챔버(14)는 열려진다.
그리고, 엔드 스테이션부(3)에 설치된 콘트롤러부(14)에서 발생되는 신호가 상기 엔드 스테이션부(3)의 외측에 각각 설치된 공기 분사부(102)와 공기 흡입부(103)로 전달되므로 상기 공기 분사부(102)에서는 개폐 챔버(14)의 각 웨이퍼(18)로 공기가 분사되어 상기 각 웨이퍼(18)에 부착된 이물을 떨어뜨림과 동시에 상기 공기 흡입부(103)에서는 흡입력이 발생되어 각 웨이퍼(18)에서 떨어진 이물과 공기 분사부(102)에서 분사되는 공기를 흡입하게 된다.
한편, 상기 각 웨이퍼(18)가 고정된 디스크(11)의 개폐 챔버(14)는 모터(미도시)에서 발생되는 구동력에 의해 계속해서 회전됨에 따라 상기 공기 분사부(102)에서 분사되는 공기에 의해 각 웨이퍼(18)에 부착된 이물 등이 원활하게 떨어질 뿐만 아니라 상기 공기 흡입부(103)에서 발생되는 흡입력에 의해 공기와 이물을 흡입하므로 상기 각 웨이퍼(18)에서 이물이 원활하게 제거된다.
상기와 같이, 개폐 챔버(14)의 각 웨이퍼(18)에서 이물이 완전히 제거되면 상기 디스크(11)를 따라 개폐 챔버(14)가 회동되어 고정 챔버(13)와 서로 맞닿아 닫혀지고, 상기 개폐 챔버(14)가 닫혀진 상태에서 디스크(11)가 회전됨과 함께 상기 빔 라인부(2)에서 엔드 스테이션부(3)로 보내지는 이온 빔(a)은 각 웨이퍼(18)에 이온 주입된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 이온 주입 장치의 엔드 스테이션부의 고정 챔버 내에 이온 빔을 수광하는 레이저 빔 수광부를 설치하여 상기 엔드 스테이션부의 디스크에 복수개의 웨이퍼가 고정된 상태에서 상기 각 웨이퍼에 부착된 이물을 측정하고, 상기 디스크의 외측에는 웨이퍼로 공기를 분사하는 공기 분사부와 상기 공기 및 이물을 흡입하도록 흡입력이 발생되는 공기 흡입부를 설치하여 상기 각 웨이퍼에 부착된 이물의 정도에 따라 상기 이물을 제거하게 되므로 상기 웨이퍼에서 이물의 정도를 측정 및 제거가 동시에 원활하게 이루어진다.
즉, 디스크에 결합된 개폐 챔버와 고정 챔버가 서로 맞닿아 닫혀진 상태에서 이온 주입 장치의 빔 라인부에서 디스크의 각 웨이퍼에 이온을 주입하기 위해 보내지는 이온 빔의 일부는 각 웨이퍼에 부딪히면서 반사되고, 상기 반사되는 이온 빔을 상기 레이저 빔 수광부가 수광하여 상기 각 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 측정하므로 상기 웨이퍼 생산 적용시 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 수시로 측정가능할 뿐만 아니라 상기 각 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 측정하기 위한 단계 및 측정시간을 줄이므로 작업효율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 디스크의 개폐 챔버가 상기 디스크를 따라 회동되어 고정 챔버와 분리되어 열려지고, 상기 디스크의 개폐 챔버에 복수개의 웨이퍼가 고정된 상태에서 상기 공기 분사부와 공기 흡입부에 의해 각 웨이퍼에 부착된 이물을 원활하게 제거함에 따라 이온 주입 장치의 다운 타임(down time)이 줄어듬으로 생산성 및 작업효율이 향상되는 효과도 있다.
그리고, 빔 라인부에서 보내지는 이온 빔을 각 웨이퍼에 이온 주입함과 동시에 상기 각 웨이퍼에서 반사되는 이온 빔의 일부를 레이저 빔 수광부에서 수광하여 각 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 측정하므로 상기 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 측정하기 위해 사용되는 테스트 웨이퍼의 사용량을 줄임에 따라 제조원가가 절감되는 효과도 있다.

Claims (3)

  1. 가스를 이온화시키는 소스부에서 보내지는 가스 중 원하는 이온만 통과시킴과 함께 상기 이온을 웨이퍼로 가속시키는 빔 라인부와, 상기 빔 라인부에서 보내지는 이온이 주입되는 웨이퍼를 고정하기 위하여 복수개의 디스크와 상기 각 디스크에 회동가능하게 결합되어 복수개의 웨이퍼가 고정됨과 함께 각 디스크를 따라 회동되면서 개폐되는 개폐 챔버 및 상기 개폐 챔버의 전면에 설치되어 고정되는 고정 챔버로 이루어진 엔드 스테이션부가 구비된 이온 주입 장치에 있어서,
    상기 고정 챔버 내에는 빔 라인부에서 웨이퍼로 조사되어 반사되는 레이저 빔을 수광하여 웨이퍼에 부착된 이물의 정도를 측정하는 레이저 빔 수광부를 설치하고, 상기 디스크의 외측에는 레이저 빔 수광부에서 측정된 웨이퍼의 이물을 제거하도록 하는 이물 제거수단을 설치하여서 된 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이물 제거장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    이물 제거수단은 디스크의 외측에 고정된 웨이퍼에서 이물을 떨어뜨리도록 상기 웨이퍼로 공기를 분사하는 공기 분사부와,
    상기 디스크의 외측에는 공기 분사부와 연결됨과 함께 웨이퍼에서 떨어진 이물을 흡입하도록 흡입력이 발생되는 이물 흡입부로 구성된 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이물 제거장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    엔드 스테이션부에는 웨이퍼에 부착된 이물의 정도에 따라 레이저 빔 수광부와 공기 분사부 및 이물 흡입부의 작동을 조절하도록 하는 콘트롤러부가 설치된 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치의 이물 제거장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100669944B1 (ko) * 2004-04-21 2007-01-18 주식회사 나래나노텍 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치

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