KR100669944B1 - 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등의 박막성형기를 이용하여 평판 디스플레이등의 윗부분에 박막을 형성시키거나 또는 액막을 형성시키는데 이용되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치를 개시한다.

본 발명에 따른 박막성형장치는 기판의 상면에 상기 기판과 이격되어 배치되며, 상기 기판의 상면에 존재하는 이물질을 흡입하여 제거하는 이물질 제거기; 상기 이물질 제거기의 일측에 배치되며, 상기 이물질 제거기에 의해 제거되지 않은 잔류 이물질이 상기 기판의 상면에 존재하는지의 여부를 센싱하는 이물질 감지기; 및 상기 이물질 감지기의 일측에 설치되며, 상기 기판 상에 박막의 필름 또는 액막을 형성하는 박막성형기를 포함하고, 상기 이물질 제거기, 상기 이물질 감지기, 및 상기 박막성형기는 상기 기판의 진행 방향에 따라 순차적으로 배치되어, 이물질 제거 및 잔류 이물질 검출이 가능한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 박막성형장치는 기판에 존재할 수 있는 이물질을 제거함과 동시에 이물질이 완벽하게 제거되었는가를 검사하고, 기판에 박막의 코팅층을 형성하는 기술을 제공하여 잔류 이물질로 인하여 발생할 수 있는 고가의 박막 성형기의 파손을 줄일 수 있으며, 기판의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 달성된다.

평판, 이물질, 기판, 파티클, 제거, 광학 센서, 코팅, 필름, 액막

Description

이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치{Thin film forming system having particle remover and detector}

도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 박막성형장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.

도 2는 도 1의 A-A부를 절개하여 개략적으로 도시한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 적용 예를 설명하기 위한 도면이다.

도 4 내지 도6은 본 발명에 적용될 수 있는 센서의 구성 및 작동원리를 설명하기 위한 구성도 및 그래프이다.

본 발명은 이물질 제거와 잔류 이물질 검출기능을 갖춘 박막성형장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등을 이용하여 평판디스플레이 등의 윗부분에 박막을 형성시키거나 또는 액막을 형성시키는데 이용되며, 먼지나 이물질을 제거함과 동시에 이물질이 제거되었는지를 확인하면서 박막 또는 액막을 형성하는 작업을 수행할 수 있는 이물질 제거와 잔류 이물질 검출기능을 갖춘 박막성형장치에 관한 것이다.

일반적으로 박막성형장치는 기판 위에 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등을 이용하여 박막 또는 액막을 형성시키는 것으로, 상기 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치가 이송되는 방향 측에 기판 상에 존재할 수 있는 이물질을 제거할 수 있는 이물질 제거기가 배치된다. 이러한 박막성형장치는 이물질 제거기를 통하여 이물질이 제거된 기판 상에 박막 성형기에 의하여 박막 또는 액막이 형성되는데, 이 때 이물질 제거기에 의하여 제거되지 않은 이물질, 즉 잔류 이물질이 상기 기판 상에 존재하는 경우, 고가의 박막성형기를 손상시킬 수도 있으며, 기판의 불량이 발생할 수 있는 문제점을 가지고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판 상에 존재할 수 있는 이물질을 제거함과 동시에 이물질의 제거 작업이 이루어졌는가를 검사하고 기판에 박막 또는 액막을 형성함으로써, 고가의 박막성형기의 손상을 방지하고, 기판의 품질을 향상시킬 수 있는 이물질 제거와 잔류 이물질 검출기능을 갖춘 박막성형장치를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 기판에 필름 또는 액막을 형성시키는 박막성형장치는 상기 기판의 상면에 상기 기판과 이격되어 배치되며, 상기 기판의 상면에 존재하는 이물질을 흡입하여 이물질을 제거하는 이물질 제거기; 상기 이물질 제거기의 일측에 배치되며, 상기 이물질 제거기에 의해 제거되지 않은 이물질이 상기 기판의 상면에 존재하는지의 여부를 센싱하는 이물질 감지기; 및 상기 이물질 감지기의 일측에 설치되며, 상기 기판 상에 박막의 필름 또는 액막을 형성하는 박막성형기를 포함하고, 상기 이물질 제거기, 상기 이물질 감지기, 및 상기 박막성형기는 상기 기판의 진행 방향에 따라 순차적으로 배치되어, 이물질 제거 및 잔류 이물질 검출이 가능한 박막성형장치를 제공하기 위한 것이다.

본 발명에 따른 박막성형장치는 기판이 이송됨에 따라 기판의 상부(상면)에 존재할 수 있는 이물질을 진공 등에 의하여 흡입하여 제거하고, 이물질이 완전히 제거되었는가를 검사한 후 기판 상에서 이물질이 완전히 제거된 경우 박막 성형기를 통하여 기판에 박막 필름의 코팅 또는 액막을 형성시킨다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명에 따른 실시 예를 설명하기 위한 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 이송 방향으로 일부를 절개하여 개념적으로 도시한 도면으로, 기판(G), 상기 기판(G)의 일면(상부 또는 상면)에 배치되는 이물질 제거와 검출기능을 갖춘 박막성형장치(이하, '박막성형장치'라 함)를 도시하고 있다.

상기 박막성형장치는, 기판(G) 위에 존재할 수 있는 이물질을 제거하는 이물질 제거기(30), 상기 이물질 제거기(30)에 인접하여 설치되어 잔류 이물질의 존재 유무를 검사하는 이물질 감지기(100), 그리고 상기 이물질 감지기(100)의 일측에 배치되어 상기 기판(G)에 박막의 필름을 코팅하거나, 액막을 도포하는 박막성형기(200)를 포함한다.

도 1에서 실선 화살표는 본 발명의 박막성형장치가 이동되는 방향을 나타낸다. 상기 이물질 제거기(30), 상기 이물질 감지기(100), 그리고 상기 박막 성형기(200)는 기판(G)의 진행 방향(실선 화살표)에 따라 순차적으로 배치되는 것이 바람직하다.

상기 이물질 제거기(30)는 고압의 공기를 공급하는 경로와 함께 진공에 의하여 이물질을 흡착할 수 있는 흡착수단이 포함되며, 기판(G) 위에 존재하는 이물질이 가지는 정전기를 상쇄시켜 이탈이 용이하도록 하는 이오나이저(31)를 포함할 수 있다. 즉, 이물질 제거기(30)는 도 1과 같이 기판(G)의 이송 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가지도록 배치되어 고압의 공기경로에 설치된 이오나이저(31)에 의하여 이물질 입자(P, 파티클이라고도 함)에 존재할 수 있는 정전기를 제거하고, 진공수단에 의하여 정전기가 제거된 이물질을 흡입하여 기판(G)에서 제거하는 것이다.

상기 이오나이저(31)는 이물질이 정전기에 의하여 기판(G)에서 잘 떨어지지 않는 문제점을 해결하기 위한 것이며, 통상의 것이 사용될 수 있다.

상술한 이물질 제거기(30)는 진공 흡입에 의하여 이물질을 제거하는 구조에 한정되는 것이 아니며, 단지 기판(G)에 존재하는 이물질을 제거할 수 있는 것이면 어느 것이나 사용될 수 있다.

상기 이물질 감지기(100)는 사각기둥형으로 이루어지는 다수의 광학 파티클 센서(103)가 일정한 간격으로 배치되는 라인 형태를 이루며, 기판(G)이 진행하는 방향에 대하여 직각 또는 일정한 경사각을 가진다. 이러한 라인 형태로 제공되는 이물질 감지기(100)는 기판(G)이 이송되는 과정에서 기판(G)의 전체 영역에 존재할 수 있는 이물질을 효율적으로 제거하기 위한 것이다. 상기 광학 파티클 센서(103)는 서로 고른 파장의 분포(스펙트럼)를 갖는 백색광을 조사하며 각 파장별 초점을 깊이(수직거리) 방향으로 분리하여 조사하는 부분과 조사된 광이 기판(G)의 표면 혹은 잔류 이물질 입자(P)로부터 반사되는 광을 수광하는 부분 및 수광된 광의 파장(스펙트럼)을 분석하여 잔류 이물질 입자(P)의 존재 여부를 판단하는 부분으로 이루어진다.

상기 이물질 감지기(100)를 이루는 광학 파티클 센서(103)의 구조 및 원리는, 도 4 내지 도 6을 통하여 더욱 상세하게 설명한다.

상기 광학 파티클 센서(103)는 광을 조사하는 광 조사수단(120), 상기 광 조사수단(120)에서 조사된 빛을 상기 기판(G)에 집속하는 광 집속수단(140), 상기 광 집속수단(140)에서 집속된 광을 반사하는 빔 스플리터(160), 그리고 상기 빔 스플리터(160)에서 반사된 빛의 파장을 검출하는 검출수단(180)을 구비할 수 있다. 그리고 상기 검출수단(180)은 검출된 빛의 감도를 센싱하고, 그 차이값을 연산하여 파장에 따른 초점 거리의 차이로 발생하는 위치를 연산하는 컨트롤러(C)에 센싱된 값을 전송할 수 있는 구조를 가진다.

상기 광 조사수단(120)은 케이스(도시생략)에 제공되는 광원(LS), 상기 광원(LS)에서 조사되는 빛을 모으는 렌즈 어셈블리(121), 상기 렌즈 어셈블리(121)에서 모아진 빛을 일정한 길이의 슬릿(123a)을 통과시키는 빛 통과부재(123), 그리고 상기 빛 통과부재(123)를 통과한 빛을 적당한 파장 분포(스펙트럼)를 갖게 하는 제1 필터(125)를 포함한다.

상기 광원(LS)은 백색광을 조사할 수 있는 것이며, 통상의 것이 사용될 수 있다. 상기 빛 통과부재(123)는 상기 렌즈 어셈블리(121)의 결상 점 위치에 배치되며, 슬릿(123a)을 통하여 광원(LS)의 빛이 효과적으로 통과할 수 있는 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 특히, 상기 빛 통과부재(123)에 제공되는 슬릿(123a)은 기판(G)의 진행 방향에 대하여 수직 또는 일정한 경사를 가지도록 긴 형태의 장홀로 이루어지는 것 바람직하다. 상기 제1필터(125)는 불필요한 파장의 빛을 차단하여 노이즈를 줄이고 기판(G)에 조사될 수 있는 열을 차단하여 필터링하는 역할을 한다.

상기 광 집속수단(140)은 색수차에 의하여 파장에 따라 초점 거리가 달라질 수 있는 렌즈 어셈블리로 이루어질 수 있는 것이 바람직하다. 상기 광 집속수단(140)은 그 초점이 기판(G, 또는 작업물)의 표면까지의 깊이(수직거리)에 맺혀지는 제1 파장의 초점(A, 실제로는 특정 영역 파장의 그룹이며, 편의상 하나의 파장으로 구분하여 설명함)과, 상기 기판의 표면을 제외한 깊이(수직거리)에 맺혀지는 파장들의 초점(B, 실제로 파장의 분포는 연속적이며, 편의상 파장들로 구분하여 설명함)을 가지는 구성을 가질 수 있다.

이러한 광 집속수단(140)은 존 플레이트 또는 플래널 렌즈가 사용될 수 있다.

한편, 상기한 빔 스플리터(160)는 상기 광 조사수단(120)과 상기 광 집속수단(140) 사이에 배치되어 상기 광원(LS)의 빛을 통과시키고, 광 집속수단(140)을 통과하여 기판(G)에서 반사되는 파장의 빛을 검출수단(180) 측으로 반사하는 역할을 한다.

상기 검출수단(180)은 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환이 되어 빛이 통과될 수 있는 슬릿을 구비한 또 다른 빛 통과부재(181), 이 빛 통과부재(181)를 지나온 빛을 모을 수 있는 또 다른 렌즈 어셈블리(183), 이 렌즈 어셈블리(183)를 통과하는 빛을 각각의 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 위치로 나누는 또 다른 빔 스플리터(185), 이 빔 스플리터(185)를 통과한 빛에서 적당한 파장 분포를 통과시키는 광 조사수단(120)에서의 제2 필터(187), 상기 검출수단(180)에 제공되는 빔 스플리터(185)에 의하여 반사되는 빛에서 제2 필터(187)와는 다른 적당한 파장 분포를 통과시키는 광 조사수단(120)에서의 제3 필터(189), 그리고 상기 제2,3필터(187, 189)를 통과한 빛을 감지하는 제1,2촬상소자(191, 193)를 포함할 수 있다.

상기 검출수단(180)에 제공되는 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에서 반사되는 빛의 파장들 중에서 가장 초점이 잘 맺힌 파장을 가지는 빛을 가장 큰 세기로 통과시킬 수 있다.

또한, 상기 검출수단(180)에 제공된 렌즈 어셈블리(183)는 빛을 모아 상기 검출수단(180)에 제공된 빔 스플리터(185)에서 특정한 파장이 통과 또는 반사되도록 하는 역할을 한다.

상기 컨트롤러(C)는 기판(G)에서 검출되는 두 개의 파장(스펙트럼)의 감도를 설정된 알고리즘으로 연산하여, 연산된 결과의 분석으로 기판(G)의 표면에 잔류 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지와 잔류 이물질 입자(P)의 위치를 검출한다.

상기 컨트롤러(C)에는 표시수단이 구비되어 검출되는 잔류 이물질 입자(P)에 대한 정보, 즉 잔류 이물질 입자(P)의 존재 여부와 잔류 이물질 입자(P)의 두께 및 크기에 대한 정보를 표시하여 주도록 한다.

상기의 컨트롤러(C)의 도시되지 않은 메모리수단에는 기판(G)의 표면에 존재하는 잔류 이물질 입자(P)의 크기 및 두께에 따라 제1,2촬상소자(191, 193)를 통해 도 5와 같이 검출되는 두 개의 파장에 대한 감도를 학습 연산하여 얻은 기준 데이터가 도 6과 같이 선형화되는 1차원 곡선의 값으로 저장된다.

또한, 상기 컨트롤러(C)는 기판(G)의 표면에서 잔류 이물질 입자(P)의 존재가 검출되는 경우 연동되는 주변장치인 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치인 박막 성형기에 해당 정보를 제공하여, 잔류 이물질 입자(P)의 존재에 따른 적절한 대응이 수행될 수 있도록 한다.

상기의 컨트롤러(C)는 차동 증폭기와 A/D변환수단이 포함되며, 검출수단(180)내의 제1,2촬상소자(191,193)를 통해 검출되는 두 개 파장의 감도를 차동 증폭기 이용하여 미분 혹은 차 연산하여 두 파장간의 감도를 1차원 함수로 추출하고, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 도 6의 기준 데이터에 적용 비교하여 파장의 깊이(수직거리)를 추출함으로써, 잔류 이물질 입자(P)의 존재 여부와 잔류 이물질 입자(P)의 위치를 검출하도록 한다.

이와 같이 이루어지는 본 발명에 적용될 수 있는 이물질 감지기(100)를 통하여 작업 대상물(G)의 표면상에 잔류 이물질 입자(P)가 존재하는지를 검출하는 동작에 대하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 이물질 검출장치(100)를 구성하고 있는 복수개의 광 파티클 센서(103)의 광 조사수단(120)내 광원(LS)에서는 백색광을 발생시켜 스크린상에 얼라인되어 있는 기판(G)에 조사한다.

상기 광원(LS)에서 발생되는 백색광은 렌즈 어셈블리(121)에 의해 집속되어 빛 통과부재(123)의 슬릇(123a)을 통과한 다음 제1필터(124)를 통과하게 된다.

이때, 제1 필터(125)는 광원(LS)의 백색광을 필터링하여 적절한 파장분포(스펙트럼)를 가지는 빛 만을 통과시켜 광 집속수단(140)에 조사한다.

상기 광 집속수단(140)은 렌즈 어셈블리를 이용한 색수차에 의하여 상기 파장분포(스펙트럼)에 대하여 그 중 좁은 선폭의 파장(스펙트럼)은 기판(G)의 고정된 제1위치에 초점(A)이 맺히고, 나머지의 파장들(스펙트럼)은 기판(G)상의 제1 위치를 제외한 깊이(수직거리)에 초점들(B)이 맺히도록 한다.

상기와 같이 기판(G) 상에 초점들이 맺히도록 조사된 여러 파장들의 광 중 기판(G)의 표면 및 잔류 이물질 입자(P)의 표면에 초점이 맞은 파장의 빛과 이를 제외한 나머지 파장들의 빛은 반사되어 빔 스플리터(160)에 의해 진행 방향이 전환되고 검출수단(180)측으로 조사된다.

이때, 상기 검출수단(180)내의 빛 통과부재(181)는 상기 빔 스플리터(160)에 의해 방향 전환되어 조사되는 빛 중 기판(G) 표면 및 잔류 이물질 입자(P) 표면에 초점이 가장 잘 맞았던 파장의 빛에 대해서만 가장 강한 세기로 통과시켜 렌즈 어셈블리(183)를 통해 집속시킨 다음 빔 스플리터(185)를 통해 반사되는 빛을 파장에 따라 통과시키거나 일정한 각도로 반사시켜 두 갈래로 분리한다.

상기와 같이 검출수단(180)내의 빔 스플리터(185)에 의해 분리된 각 빛 중에서 하나의 빛은 제2필터(187)의 파장에 따른 투과율 특성에 의해 적당한 세기를 갖게하여 제1촬상소자(191)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송되고, 다른 하나의 빛은 다른 파장에 따른 투과율 특성이 제2필터(187)와는 다른 제3필터(189)의 투과율 특 성에 의해 적당한 세기를 갖게하여 제2촬상소자(193)에 입력되어 컨트롤러(C)에 전송된다.

상기의 컨트롤러(C)는 제1촬상소자(191) 및 제2촬상소자(193)에서 입력되는 기판(G)으로부터의 두 개 광에 대한 세기를 검출한 다음, 내부의 차동 증폭기를 이용하여 미분(B = S2/S1) 혹은 차 연산(B = S2-S1)하여 두 파장간의 감도를 1차원 함수로 추출한다.

이후, 추출된 함수값을 A/D변환수단을 통해 디지털 신호로 변환하며, 이를 도 5의 기준 데이터에 적용 비교하여 해당 파장을 추출하고, 이로부터 광 조사수단(120)에서 조사된 빛의 파장에 대한 깊이(수직거리) 정보를 추출함으로써, 기판(G)의 표면상에 잔류 이물질 입자(P)의 존재 여부와 잔류 이물질 입자(P)의 위치를 검색하도록 한다.

상기에서 광 조사수단(120)에서 기판(G) 표면의 허용 오차범위 이외의 깊이(수직거리)에 해당하는 파장이 검출될 경우, 작업 대상물(G)의 표면상에 잔류 이물질 입자(P)가 존재함을 인지한다.

따라서, 컨트롤러(C)는 상기와 같이 검출되는 두 광의 세기 신호를 미분 혹은 차 연산한 차이를 1차 함수로 추출하고, 이를 메모리수단에 저장되어 있는 도 6의 기준 데이터와 비교함으로써, 기판(G)에 잔류 이물질 입자(P)가 존재하고 있는지의 여부와 그 크기 및 두께를 검출할 수 있게 된다.

상기와 같이 추출되는 기판(G) 표면 상에 잔류 이물질 입자(P)가 존재하는지의 유무에 대한 정보는 표시수단을 통해 표시되며, 기판(G)의 표면에서 잔류 이물질 입자(P)의 존재가 검출되는 경우 연동되는 주변장치인 형광체 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치인 박막성형기(200)에 해당 정보를 제공하여, 잔류 이물질 입자(P)의 존재에 따른 적절한 대응이 수행될 수 있도록 한다.

한편, 상기 박막 성형기(200)는 기판(G)에 필름을 코팅하거나 또는 액막을 형성시킬 수 있는 통상의 도포액 토출장치 또는 필름 부착장치 등이 사용될 수 있다.

이와 같이 이루어지는 본 발명은 이물질 제거기(30), 이물질 감지기(100), 그리고 박막성형기(200)가 실선 화살표 방향으로 이동되는 경우에 이물질 제거기(30)는 기판(G)에 존재할 수 있는 이물질을 진공에 의하여 흡착하여 제거한다. 이때 이물질은 고압으로 공급되는 공기와 이에 의해서 기판에서 이탈된 후 후면에 위치한 고압의 진공에 의해 흡입되거나 고압의 공기공급로 상에 설치되어 이온을 발생하는 이오나이저(31)에 의하여 이물질에 존재할 수 있는 정전기가 상쇄되면서 진공경로로 흡착 작업이 이루어지는 것이다. 계속해서 상기 이물질 제거기(30)를 따라 이동하는 이물질 감지기(100)는 상술한 원리에 의하여 아직 제거되지 않은 잔류 이물질의 존재 유무를 감지한다. 그리고 상기 이물질 제거기(30)에 의하여 이물질이 제거된 기판(G)에 박막성형기(200)가 이동하면서 작업 공정에 따라 필름의 코팅(도 3에 도시하고 있음) 또는 액막(도 1 및 도 2에 도시하고 있음)을 형성하는 작업을 한다.

만약, 이 과정에서 이물질 감지기(100)에 의하여 기판(G) 상에 잔류 이물질이 존재하는 것이 검출되면, 컨트롤러(C)의 제어에 의하여 이물질 제거기(30)를 잔류 이물질이 존재하는 위치까지 이동시켜 다시 제거 작업을 할 수 있도록 하거나 또는 필름의 코팅 또는 액막 성형 작업을 중지시켜 별도의 작업을 통하여 잔류 이물질을 제거하도록 함으로써 기판(G)에 존재하는 잔류 이물질로 인하여 불량 기판(G)이 생산되는 것을 막을 수 있다. 이러한 본 발명의 이물질 제거와 잔류 이물질 검출기능을 갖춘 박막성형장치는 기판(G) 상에 존재하는 이물질을 이미 제거한 후에도 잔류 이물질이 존재하는지를 확인하여 잔류 이물질에 의하여 손상될 수 있는 고가의 박막 성형기를 보호할 수 있는 것이다.

이와 같이 본 발명은 기판이 이송되는 방향을 기준으로 이물질 제거기, 이물질 감지기, 및 박막성형기를 순차적으로 배치하여 기판에 존재할 수 있는 이물질을 제거함과 동시에 잔류 이물질이 완벽하게 제거되었는가를 검사하고, 기판에 박막의 코팅층을 형성하는 기술을 제공하여 잔류 이물질로 인하여 발생할 수 있는 고가의 박막 성형기의 파손을 줄일 수 있으며, 기판의 불량률을 현저하게 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 기판에 필름 또는 액막을 형성시키는 박막성형장치에 있어서,

   상기 기판의 상면에 상기 기판과 이격되어 배치되며, 상기 기판의 상면에 존재하는 이물질을 흡입하여 제거하는 이물질 제거기;

   상기 이물질 제거기의 일측에 배치되며, 상기 이물질 제거기에 의해 제거되지 않은 잔류 이물질이 상기 기판의 상면에 존재하는지의 여부를 센싱하는 이물질 감지기; 및

   상기 이물질 감지기의 일측에 설치되며, 상기 기판 상에 박막의 필름 또는 액막을 형성하는 박막성형기

   를 포함하고,

   상기 이물질 제거기, 상기 이물질 감지기, 및 상기 박막성형기는 상기 기판의 진행 방향에 따라 순차적으로 배치되며,

   상기 이물질 감지기는 상기 기판 및 상기 기판의 상면에 존재하는 잔류 이물질로부터 각각 반사되는 빛의 파장에 따라 다른 초점 거리를 가짐으로써 잔류 이물질의 존재 여부를 검출하는 다수의 광학 파티클 센서로 구성되되, 상기 다수의 광학 파티클 센서는 라인형태로 배치되며 또한 상기 기판의 진행 방향에 대하여 일정한 각을 가지며,

   상기 다수의 광학 파티클 센서는 각각

   광원;

   상기 광원으로부터 조사되는 빛을 두 그룹의 파장으로 분리하는 제1필터;

   상기 제1필터를 통과한 빛이 색수차에 의하여 서로 다른 초점 거리를 가지도록 하는 렌즈 그룹;

   상기 제1필터 및 상기 렌즈 그룹 사이에 배치되며, 상기 두 그룹의 파장을 가지는 빛은 통과시키고, 상기 기판 및 상기 기판의 상면에 존재하는 잔류 이물질로부터 각각 반사되는 빛의 각도를 바꾸어 반사시키는 빔 스플리터;

   상기 빔 스플리터에서 반사되는 빛을 통과시키는 제2,3필터;

   상기 제2,3필터를 통과하는 두 그룹의 파장을 각각 센싱하는 두 개의 촬상소자; 및

   상기 촬상소자에 의하여 감지된 두 그룹의 파장을 가지는 빛의 감도 차를 연산하여 파장의 차이에 따라 잔류 이물질의 유무를 판단하는 컨트롤러

   를 포함하여,

   이물질 제거 및 잔류 이물질 검출이 가능한

   박막성형장치.
6. 제5항에 있어서,

   상기 제2,3필터는 서로 다른 대역의 파장이 상기 촬상소자에 맺히도록 상기 촬상소자의 앞쪽에 배치되는 박막성형장치.
7. 제5항에 있어서,

   상기 광원과 상기 제1필터 사이에는 상기 광원에서 조사되는 빛이 통과될 수 있도록 상기 기판의 진행 방향에 대하여 직각 또는 일정한 각을 이루는 슬릿이 구비된 빛 통과부재가 추가로 제공되는 박막성형장치.

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