JPH07321554A - 正弦波発振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 より少ない種類の部品を組み合わせて簡単に
正弦波を発生させることができる正弦波発振回路を提供
すること。 【構成】 正弦波発振回路１は、反転増幅器として機能
するインバータ論理回路１０と、インダクタ成分とキャ
パシタ成分とが分布定数的に形成されており、トランス
の機能を有するＬＣ素子１２とを含んで構成されてい
る。ＬＣ素子１２により位相が反転し、さらにインバー
タ論理回路１０により位相が反転し、一巡したときに０
度あるいは３６０度位相がずれてもとに戻る。また、Ｌ
Ｃ素子１２により、そのインダクタンスとキャパシタン
スによって決まる所定周波数の信号が選択され、この特
定周波数信号が増幅されて正弦波発振が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＣ共振を利用して所
定周波数の正弦波信号を得る正弦波発振回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、通信等各種分野において正弦
波が使われており、この正弦波を得る発振回路も種々の
ものが知られている。例えば代表的なものとしては、ウ
イーンブリッジ型発振回路やコルピッツ型，ハートレー
型，ベース同調型等の各種ＬＣ発振回路が知られてい
る。

【０００３】これらの各種正弦波発振回路は、いずれも
原理的にはトランジスタ等の増幅器とＬＣ回路あるいは
ＲＣ回路を組み合わせることにより構成されており、所
望の発振周波数の正弦波を得るために各素子定数を決定
する必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の正弦
波発振回路は、ＬＣ回路を構成するインダクタとキャパ
シタあるいはＲＣ回路を構成する抵抗とキャパシタとを
個別に用意して組み合わせていたため、設計の自由度が
増す反面、設計者等が決定する素子定数が多くて設計が
複雑になる。特に、正弦波を使用する装置によっては、
より少ない種類の部品を組み合わせるだけで簡単に所望
の発振周波数を有することができれば便利である。

【０００５】本発明は、このような点に鑑みて創作され
たものであり、その目的はより少ない種類の部品を組み
合わせて簡単に正弦波を発生させることができる正弦波
発振回路を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の正弦波発振回路は、入力信号を増幅
するとともに位相反転を行う反転増幅器と、一次および
二次捲線としての機能を有する２本のインダクタ導体を
ほぼ平行に配置することにより、これら２本のインダク
タ導体間に分布定数的にキャパシタが形成されているＬ
Ｃ素子と、を備え、前記反転増幅器の出力側を前記ＬＣ
素子の一次側に接続するとともに、前記ＬＣ素子の二次
側を一次側と逆相となるように前記反転増幅器の入力側
に接続することを特徴とする。

【０００７】請求項２の正弦波発振回路は、請求項１の
正弦波発振回路において、前記反転増幅器をインバータ
論理回路により構成することを特徴とする。

【０００８】請求項３の正弦波発振回路は、請求項１の
正弦波発振回路において、前記反転増幅器をソース接地
回路あるいはエミッタ接地回路により構成することを特
徴とする。

【０００９】請求項４の正弦波発振回路は、請求項１〜
３のいずれかの正弦波発振回路において、前記ＬＣ素子
は、所定の距離隔たった位置に２つの一次側端子が接続
されており、前記２本のインダクタ導体のいずれか一方
として機能する一次側帯状導電体と、所定の距離隔たっ
た位置に２つの二次側端子が接続されており、前記２本
のインダクタ導体の他方として機能する二次側帯状導電
体と、前記一次側および二次側帯状導電体の間に挿入さ
れる誘電体シートと、を備え、前記帯状導電体と前記誘
電体シートとを交互に重ねて同心状に巻き回すことによ
り形成することを特徴とする。

【００１０】請求項５の正弦波発振回路は、請求項１〜
３のいずれかの正弦波発振回路において、前記ＬＣ素子
は、それぞれがほぼ同一面上に形成されて前記インダク
タ導体として機能するとともに互いにほぼ重ねて形成さ
れた２本のスパイラル状電極と、前記複数のスパイラル
状電極の間に形成された絶縁層と、前記絶縁層と前記２
本のスパイラル状電極が一方の面上に形成された絶縁基
板と、を備え、前記２本のスパイラル状電極の一方の所
定の距離隔たった位置に２つの一次側端子を設けるとと
もに、他方の所定の距離隔たった位置に２つの二次側端
子を設けることを特徴とする。

【００１１】請求項６の正弦波発振回路は、請求項１〜
３のいずれかの正弦波発振回路において、前記ＬＣ素子
は、層が異なる各周回部分を有しており、その全体が前
記インダクタ導体として機能する２本のスパイラル状電
極と、前記２本のスパイラル状電極の周回部分を交互に
重ねた場合に各周回部分の間に挿入される絶縁板あるい
は絶縁膜と、を備え、前記２本のスパイラル状電極の一
方の所定の距離隔たった位置に２つの一次側端子を設け
るとともに、他方の所定の距離隔たった位置に２つの二
次側端子を設けることを特徴とする。

【００１２】請求項７の正弦波発振回路は、請求項１〜
３のいずれかの正弦波発振回路において、前記ＬＣ素子
は、交互に逆向きに折り畳んで積層される複数の折り畳
み部を有する絶縁シートと、前記絶縁シートの両面にほ
ぼ対向するように形成されて前記折り畳み部を交互に折
り畳んで積層したときにそれぞれが所定ターン数の前記
インダクタ導体として機能する２本のスパイラル状電極
と、を備え、前記２本のスパイラル状電極の一方の所定
の距離隔たった位置に２つの一次側端子を設けるととも
に、他方の所定の距離隔たった位置に２つの二次側端子
を設けることを特徴とする。

【００１３】

【作用】請求項１の正弦波発振回路は、反転増幅器の出
力をＬＣ素子の一次側に入力するとともに、このＬＣ素
子の二次側から出力される逆相の信号を再び反転増幅器
に入力している。したがって、信号の位相のみに着目す
ると、ＬＣ素子において１８０度位相がずれ、さらに反
転増幅器によって位相が１８０度位相がずれるため、出
力される信号の位相と一巡して戻ってくる信号の位相と
が一致する。しかも、上述したＬＣ素子は、２本のイン
ダクタ導体がほぼ平行に、それらの間に分布定数的なキ
ャパシタが形成されるように配置されているため、これ
らのインダクタンスおよびキャパシタンスにより決定さ
れる特定周波数が選択的に伝達され、この特定周波数の
信号のみが増幅されて正弦波発振が行われる。

【００１４】このように、請求項１の発明によれば、反
転増幅器とＬＣ素子とを接続するだけで正弦波発振が行
われており、より少ない種類の部品を組み合わせるだけ
で簡単に正弦波を発生させることができる。

【００１５】また、請求項２または３の正弦波発振回路
は、上述した反転増幅器をインバータ論理回路やトラン
ジスタを利用したソース接地回路あるいはエミッタ接地
回路により構成している。すなわち、これらはいずれも
入力信号の論理を反転させて出力すると同時に入力信号
の電圧レベルを増幅するものであり、このような構造が
単純な反転増幅器とＬＣ素子とを組み合わせるだけで、
簡単に正弦波を発生させることができる。

【００１６】また、請求項４〜７の正弦波発振回路は、
上述したＬＣ素子の具体的構成の一例を示したものであ
る。すなわち、帯状導電体と誘電体シートとを交互に重
ねて同心状に巻き回すことにより、絶縁基板上にスパイ
ラル状電極を重ねて形成することにより、複数の層にわ
たって各周回部分が形成された立体的なスパイラル状電
極を用いることにより、あるいは両面に導体が形成され
た絶縁シートを折り畳んで積層体を形成することにより
ＬＣ素子を形成している。

【００１７】したがって、簡単な構造によってインダク
タ成分とキャパシタ成分とが１つの素子内に分布定数的
に形成されるとともに、各帯状導電体あるいは各スパイ
ラル状電極のそれぞれに一次側あるいは二次側端子を設
けることによりトランスの機能を兼ね備えたＬＣ素子を
容易に実現することができ、このＬＣ素子を用いること
により正弦波発振回路を構成する部品の種類を少なくす
ることができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明を適用した一実施例の正弦波発
振回路について、図面を参照しながら具体的に説明す
る。

【００１９】〔第１実施例〕図１は、本発明を適用した
第１実施例の正弦波発振回路１の詳細な構成を示す図で
ある。

【００２０】同図に示すように、第１実施例の正弦波発
振回路１は、反転増幅器として機能するインバータ論理
回路１０と、トランスと考えた場合に一次および二次捲
線に相当する２つのインダクタ導体を有しておりしかも
これら２つのインダクタ導体間に分布定数的なキャパシ
タが形成されたＬＣ素子１２と、インバータ論理回路１
０の入力側を交流的に接地するためのキャパシタ１４
と、所定のバイアス電圧をインバータ論理回路１０の入
力側に印加するための帰還抵抗３０とを含んで構成され
ている。

【００２１】インバータ論理回路１０は、入力信号の論
理を反転、すなわち位相を１８０度ずらして出力すると
ともに、増幅器として動作する。このインバータ論理回
路１０は、ＴＴＬロジック等任意のロジックを用いて実
現することができるが、入力インピーダンスが高くて回
路設計が容易なＣＭＯＳロジック、その中でも高周波の
正弦波を発振させる場合には高速タイプである７４ＨＣ
シリーズ等のＣＭＯＳロジックが適している。

【００２２】ＬＣ素子１２は、２本のインダクタ導体を
有しており、これらのインダクタ導体を２つの電極とし
て分布定数的にキャパシタが形成されている。また、Ｌ
Ｃ素子１２は、これら２本のインダクタ導体が電磁結合
することにより、全体としてトランスの機能も兼ね備え
ており、一方のインダクタ導体が一次側捲線に、他方の
インダクタ導体が二次側捲線に相当している。ＬＣ素子
１２の詳細構造については後述する。

【００２３】キャパシタ１４は、ＬＣ素子１２の一次側
のインダクタ導体の一方端を交流的に接地するためのも
のであり、所定の周波数領域において位相のずれを生じ
ないような大きなキャパシタンスを有する。

【００２４】抵抗３０は、インバータ論理回路１０の入
力側に所定のバイアス電圧を印加するためのものであ
る。一般に、インバータ論理回路１０は、入力電圧が所
定のしきい値近傍となるように使用することにより反転
増幅器として動作する。そのため、この所定のしきい値
に相当するバイアス電圧を抵抗３０により印加してい
る。

【００２５】上述したＬＣ素子１２の一次側のインダク
タ導体の一方端がインバータ論理回路１０の出力端に、
他方端が所定の電源に接続されている。また、ＬＣ素子
１２の二次側のインダクタ導体の一方端がインダクタ導
体の入力端に、他方端がキャパシタ１４を介して接地さ
れている。また、インバータ論理回路１０の出力端と入
力端の間に、すなわちインバータ論理回路１０と並列に
抵抗３０が接続されている。

【００２６】次に、本実施例のＬＣ素子１２の具体的一
例について詳細を説明する。

【００２７】図２は、帯状導電体等を巻き回すことによ
りＬＣ素子を構成した場合の展開図である。また、図３
は図２に示した帯状導電体等を巻き回した後の状態を示
す図である。

【００２８】本実施例のＬＣ素子１２，１４を製造する
場合には、図２に示すように、帯状導電体１８−１と１
８−２を誘電体シート２０−１，２０−２を介して重ね
合わせて積層体を形成するとともに、帯状導電体１８−
１の内側端部（同図においては左端）近傍に第１の一次
側リード２２−１を、帯状導電体１８−２の内側端部近
傍に第１の二次側リード２４−１をそれぞれ接続する。

【００２９】次に、この積層体を図３（Ａ）に示すよう
に、回転巻き軸２６の回りに複数回巻き回す。そして、
帯状導電体１８−１の外側端部近傍に第２の一次側リー
ド２２−２を接続するとともに、もう一方の帯状導電体
１８−２の外側端部近傍に第２の二次側リード２４を接
続する。

【００３０】なお、上述した各リード２２−１，２２−
２，２４−１，２４−２のそれぞれは、巻き回した後に
充分離して配置することが好ましい。例えば、第１の二
次側リード２４−１を第１の一次側リード２２−１に対
して回転巻き軸２６を挟んでほぼ１／２回転ずらして取
り付けるとともに、これら２本のリード２２−１，２４
−１を含んだ線上であって互いに回転巻き軸２６を挟ん
で１／２回転ずらした位置に第２の一次側リード２２−
２と第２の二次側リード２４−２を取り付ける。このよ
うにして各リードを取り付けることにより、帯状導電体
１８−１等を巻き回した後に４本のリード２２−１，２
２−２，２４−１，２４−２を充分離して配置すること
が可能となり、後の結線等に好都合となる。

【００３１】次に、巻回部２８の巻き終わりを熱溶着や
接着剤などで固定した後、巻き軸２６から巻回部２８を
抜き取り、各リード２２−１，２２−２，２４−１，２
４−２を結んだ線と直交する方向から巻回部２８を加熱
しながら押圧する。

【００３２】これにより、巻回部２８は、図３（Ｂ）に
示すように、巻き軸２６から抜き取られた空心部３０が
変形し、リード２２−１，２２−２，２４−１，２４−
２が一直線上に並ぶようになるとともに、各リードの間
隔が拡大する。このようにして、図３（Ｃ）に示すよう
なほぼ偏平形状のＬＣ素子１２が完成する。

【００３３】なお、このようにして形成される偏平形状
のＬＣ素子１２は、必要に応じて巻回部２８の外表面に
金属箔などでケーシングを施したり、またエポキシ等の
コーティングを行ってもよい。

【００３４】図４は、上述した構造を有するＬＣ素子１
２の等価回路を示す図である。帯状導電体１８−１が巻
き回されることによりインダクタンスＬ１を有するイン
ダクタとして機能するとともに、帯状導電体１８−２が
巻き回されることによりインダクタンスＬ２を有するイ
ンダクタとして機能する。また、これら２つの帯状導電
体１８−１，１８−２は対向して巻き回されるため、こ
れらの間にはキャパシタンスＣを有するキャパシタが分
布定数的に形成される。さらに、これら２つの帯状導電
体１８−１，１８−２は同心状に巻き回されるため、そ
れぞれが一次側捲線および二次側捲線に相当するトラン
スとしての機能も兼ね備えている。

【００３５】本実施例の正弦波発振回路１は、このよう
な構造を有するＬＣ素子１２がトランスとして使用され
ており、しかもこのトランスの一次側と二次側のそれぞ
れに入出力される信号の位相が反転するように配線が行
われている。

【００３６】具体的には、ＬＣ素子１２の第１の一次側
リード２２−１がインバータ論理回路１０の出力端に、
第２の一次側リード２２−２が所定の電圧ラインに接続
されているとともに、第１の二次側リード２４−１がキ
ャパシタ１４に、第２の二次側リード２４−２がインバ
ータ論理回路１０の入出力端に接続されている。

【００３７】このようにＬＣ素子１２は一次側と二次側
とが互いに逆相となるように配線が行われているため、
ＬＣ素子１２の一次側（帯状導電体１８−１側）にイン
バータ論理回路１０の出力信号が入力されると、その出
力信号とは逆相の関係にある信号がインバータ論理回路
１０の入力側に帰還されることになる。

【００３８】ところで、上述したＬＣ素子１２は、２本
の帯状導電体１８−１，１８−２のそれぞれがインダク
タンスＬ１，Ｌ２を有するインダクタ導体であると同時
に、これらインダクタ導体間にはキャパシタンスＣを有
する分布定数的なキャパシタが形成されている。したが
って、これらインダクタンスＬ１，Ｌ２およびキャパシ
タンスＣを有するインダクタあるいはキャパシタとによ
り構成される共振回路が構成されており、特定周波数の
信号のみが伝搬されやすい特性を有している。

【００３９】このため、ＬＣ素子１２によってこの特定
周波数の信号が選択されるとともに位相の反転が行わ
れ、出力信号とは位相が反転、すなわち１８０度ずれた
信号がインバータ論理回路１０に再び入力される。イン
バータ論理回路１０ではさらに入力信号の位相を反転し
て１８０度位相をずらして出力する。したがって、イン
バータ論理回路１０の増幅度をある値以上にしてループ
ゲインを１以上に設定した場合には、一巡して戻ってく
る特定周波数信号の位相のずれが０度あるいは３６０度
となって発振が行われる。すなわち、ＬＣ素子１２によ
り選択された特定周波数で発振が行われる。

【００４０】このように、本実施例の正弦波発振回路１
は、原理的にはインバータ論理回路１０とＬＣ素子１２
といった少ない種類の部品を組み合わせるだけで、簡単
に正弦波を発生させることができる。特に、共振回路と
して機能するＬＣ素子１２は、従来のＬＣ直列共振回路
やＬＣ並列共振回路等と異なり、１つの素子内にインダ
クタとキャパシタとが分布定数的に形成されたものであ
るため、発振回路を構成する際にインダクタとキャパシ
タとを別々に用意して素子定数を決定して接続する手間
がなくなる。

【００４１】例えば、所定のＬとＣを有するインダクタ
とキャパシタを個別に用意してＬＣ共振回路を構成して
正弦波発振回路を製造する場合には、異なった材料およ
び異なった工程により製造された各部品を回路設計者が
任意に組み合わせることができるため、回路設計者に多
くの自由度を与える反面、設計・製造について大きな負
担を強いることになる。

【００４２】一方、図２に示したＬＣ素子１２は、イン
ダクタとキャパシタとが同一材料，同一工程で同時に製
造することができるため、回路設計者の負担を軽減でき
ると同時に製造も容易になる利点がある。また、同一材
料，同一工程でインダクタとキャパシタとが一体的に形
成されているため、配線の手間が低減できることは勿論
であるが、特性も安定化することになる。

【００４３】したがって、このような数々の利点を有す
るＬＣ素子１２を用いて正弦波発振回路を構成すること
ができれば、その利点はそのまま正弦波発振回路全体の
利点でもあり、本実施例の正弦波発振回路１は、従来の
正弦波発振回路よりも設計および製造が容易であり、特
性が安定しているといえる。

【００４４】さらに、本実施例のＬＣ素子１２はトラン
スの機能も兼ね備えており、本実施例の正弦波発振回路
１はＬＣ素子１２を用いてインバータ論理回路１０の入
出力端子間を分離することにより大きな出力振幅、例え
ば電源電圧と同程度の大きな出力振幅を得ることができ
るという利点もある。そのため、本実施例の正弦波発振
回路１は、特に大きな振幅を有する正弦波が必要な用途
に適している。

【００４５】〔第２実施例〕図５は、本発明を適用した
第２実施例の正弦波発振回路２の構成を示す図である。
同図（Ａ）に示す本実施例の正弦波発振回路２は、上述
した第１実施例の正弦波発振回路１が反転増幅器として
インバータ論理回路１０を使用していたのに対し、反転
増幅器としてＭＯＳ型のＦＥＴによるソース接地回路を
使用している点に特徴がある。

【００４６】すなわち、正弦波発振回路２は、図１に示
すインバータ論理回路１０を、ソース側が接地されたＦ
ＥＴ３２に置き換えた構成を有しており、このＦＥＴ３
２とそのドレイン側に接続されたＬＣ素子１２の一次側
インダクタ導体とにより、反転増幅器として機能するソ
ース接地回路が構成されている。また、抵抗１５，１６
による分圧回路により、ＦＥＴ３２のゲートに所定のバ
イアス電圧が印加されており、適切な動作点が確保され
ている。

【００４７】正弦波発振回路２の動作原理は、上述した
正弦波発振回路１と同じであり、ＬＣ素子１２とソース
接地回路とによって一巡した信号の位相のずれが０度あ
るいは３６０度になるとともにＬＣ素子１２によって特
定周波数の信号が選択され、この周波数で発振が行われ
る。

【００４８】また、ＬＣ素子１２については、図２およ
び図３に示したような帯状導電体と誘電体シートとを重
ねて巻き回すことにより構成することができ、回路内の
接続方法もＦＥＴ３２によるソース接地回路を反転増幅
器として使用している他は図１に示した正弦波発振回路
１と変わるところはない。

【００４９】このように、反転増幅器としてＦＥＴ３２
によるソース接地回路を用いるとともに、ＬＣ素子１２
を共振回路および反転信号を取り出すためのトランスと
して使用しており、簡単な構成によって正弦波を発生さ
せることができる。

【００５０】図５（Ｂ）は、本実施例の変形例を示す図
である。図５（Ａ）に示した正弦波発振回路２がＭＯＳ
型のＦＥＴ３２を用いているのに対し、同図（Ｂ）に示
した正弦波発振回路は、接合型のＦＥＴ３３を用いると
ともに、ＦＥＴ３３のソース側に抵抗３４とキャパシタ
３６からなる並列回路を挿入することによりゲートに対
して相対的に所定のバイアス電圧を印加するようになっ
ている。また、キャパシタ１４は削除されており、ＬＣ
素子１２の二次側の一方端が直接接地されている。

【００５１】この並列回路を構成する抵抗３４は、比較
的小さな抵抗値を有している。これは、あまり抵抗値が
大きなものであると抵抗３４による電圧降下が大きくな
るため、ＦＥＴ３３のソース・ドレイン間電圧が小さく
なり、適切な動作点が確保できなくなるおそれがあるか
らである。また、キャパシタ３６は、交流的にＦＥＴ３
２のソースを接地するためのものである。

【００５２】このように、ＦＥＴ３３のソース側に挿入
した抵抗３４によって所定のバイアス電圧を印加した場
合には、ソース・ドレイン間電流に応じてゲート電圧も
変化するセルフバイアス回路となるため、安定した動作
点を確保することができる利点がある。

【００５３】〔第３実施例〕図６は、本発明を適用した
第３実施例の正弦波発振回路３の構成を示す図である。
同図（Ａ）に示す本実施例の正弦波発振回路３は、上述
した第１実施例の正弦波発振回路１が反転増幅器として
インバータ論理回路１０を、第２実施例の正弦波発振回
路２が反転増幅器としてＦＥＴ３２を用いたソース接地
回路を使用していたのに対し、反転増幅器としてバイポ
ーラトランジスタによるエミッタ接地回路を使用してい
る点に特徴がある。

【００５４】すなわち、正弦波発振回路３は、図１に示
すインバータ論理回路１０を、バイポーラトランジスタ
３８を用いたエミッタ接地回路に置き換えた構成を有し
ており、このバイポーラトランジスタ３８とそのコレク
タ側に接続されたＬＣ素子１２の一次側インダクタ導体
とにより、反転増幅器として機能するエミッタ接地回路
が構成されている。

【００５５】正弦波発振回路３の動作原理は、上述した
正弦波発振回路１等と同じであり、ＬＣ素子１２とエミ
ッタ接地回路とによって一巡した信号の位相のずれが０
度あるいは３６０度となるとともにＬＣ素子１２によっ
て特定周波数の信号が選択され、この周波数で発振が行
われる。

【００５６】また、ＬＣ素子１２については、第１実施
例および第２実施例と同様に、図２および図３に示した
ような帯状導電体と誘電体シートとを重ねて巻き回すこ
とにより構成することができ、回路の接続方法もバイポ
ーラトランジスタ３８を用いたエミッタ接地回路を反転
増幅器として使用している他は図１に示した正弦波発振
回路１等と変わるところはない。

【００５７】このように、反転増幅器としてバイポーラ
トランジスタ３８によるエミッタ接地回路を用いるとと
もに、ＬＣ素子１２を共振回路および反転信号を取り出
すためのトランスとして使用しており、簡単な構成によ
って正弦波を発生させることができる。

【００５８】図６（Ｂ）は、本実施例の変形例を示す図
である。図５（Ａ）に示した正弦波発振回路３が抵抗１
５，１６からなる分圧回路をバイアス回路として用いて
安定したバイアス電圧をバイポーラトランジスタ３８の
ベースに印加しているのに対し、同図（Ｂ）に示した正
弦波発振回路は、この分圧回路の代わりに、抵抗４０を
バイポーラトランジスタ３８のベース・コレクタ間に挿
入するとともに、ＬＣ素子１２と所定の電源ラインとの
間に抵抗４２とキャパシタ４４からなる並列回路を挿入
することにより所定のバイアス電圧を印加するようにな
っている。

【００５９】この抵抗４０は、トランジスタ３８のベー
スに所定のバイアス電圧を印加するためのフィードバッ
ク用抵抗であるが、ＬＣ素子１２の一次側抵抗が小さい
ため（図２に示すようにＬＣ素子１２の一次側が金属箔
等の帯状導電体１８−１を所定ターン数巻き回すことに
より形成されているため）、有効に作用しない場合があ
る。このため、バイアス電流検出用の抵抗４２とパスコ
ンとして動作するキャパシタ４４からなる並列回路がＬ
Ｃ素子１２の一次側と電源ラインとの間に挿入されてい
る。このため、トランジスタ３８のコレクタに流れる電
流が抵抗４２によって検出され、抵抗４０を介してベー
スに帰還されて所定のバイアス設定がなされる。

【００６０】〔その他の実施例〕次に、本発明を適用し
た他の実施例について説明する。以下に説明する各種実
施例は、上述した第１実施例〜第３実施例において使用
したＬＣ素子１２を他の構造によって実現したものであ
る。

【００６１】図７は、他の実施例におけるＬＣ素子の概
略構造を示す図である。

【００６２】同図に示すＬＣ素子１２ａは、絶縁基板５
２とこの表面にほぼ重ねて形成された２本のスパイラル
状電極５４−１，５４−２とを含んで構成されている。
一方のスパイラル状電極５４−１は図２に示す帯状導電
体１８−１に、他方のスパイラル状電極５４−２は図２
に示す帯状導電体１８−２にそれぞれ対応しており、こ
れら２つのスパイラル状電極５４−１，５４−２間には
図示しない絶縁膜が形成されている。

【００６３】したがって、一方のスパイラル状電極５４
−１の両端近傍に図２に示すリード２２−１，２２−２
に相当する入出力端子を設けるとともに、他方のスパイ
ラル電極５４−２の両端近傍に図２に示すリード２４−
１，２４−２に相当する入出力端子を設けることによ
り、２つのスパイラル状電極５４−１，５４−２のそれ
ぞれをインダクタとして使用することができる。また、
これら２つのスパイラル状電極５４−１，５４−２は、
ほぼ重ねて形成されているため、これらの間には分布定
数的なキャパシタが形成されており、これらのインダク
タ成分とキャパシタ成分との関係は第１実施例等で使用
したＬＣ素子１２と全く同じとなる。

【００６４】このため、図７に示すＬＣ素子１２ａを図
２および図３に示したＬＣ素子１２に置き換えるだけ
で、第１実施例〜第３実施例に示した正弦波発振回路１
等に相当する正弦波発振回路を得ることができる。

【００６５】特に、図７に示したＬＣ素子１２ａは、絶
縁基板５２上に薄膜成形の技術を利用して電極等を形成
することができるため、容易に小型化や製造工程の簡素
化が可能となる。

【００６６】図８は、図７に概略構造を示したＬＣ素子
１２ａの製造工程の一例を示す図である。同図は、ＬＣ
素子の断面構造を各工程順に示したものである。なお、
以下の文頭における括弧付き符号は、図８において使用
した符号に対応している。

【００６７】(A)絶縁基板５２を用意する。この絶縁基
板５２としては、例えばセラミクスやガラスあるいは合
成樹脂等の各種材料を使用することができる。

【００６８】(B)この絶縁基板５２上に金属膜を形成、
例えばアルミニウム膜５４ａを蒸着する。なお、金や銅
などの他の材料により金属膜を形成するようにしてもよ
い。

【００６９】(C)アルミニウム膜５４ａ上にスパイラル
状のフォトレジスト５６ａのパターンを形成する。この
パターンの形成は、例えば写真蝕刻法により行うことが
できる。

【００７０】(D)このフォトレジスト５６ａをマスクに
してアルミニウム膜５４ａを部分的に除去することによ
りスパイラル状電極５４−２を形成する。その後、フォ
トレジスト５６ａを洗い落とす。

【００７１】(E)このようにして形成されたスパイラル
状電極５４−２の両端部をフォトレジスト５６ｂによっ
てマスクする。

【００７２】(F)陽極酸化を行って、スパイラル状電極
５４−２の残り部分（マスクされない部分）の表面に絶
縁性酸化皮膜５８を形成する。この絶縁性酸化皮膜５８
は、図２に示した誘電体シート２０−１に相当するもの
である。

【００７３】(G)再度、全表面に金属膜を形成、例えば
アルミニウム膜５４ｂを蒸着する。

【００７４】(H)アルミニウム膜５４ｂ上にスパイラル
状のフォトレジスト５６ｃのパターンおよびスパイラル
状電極５４−２の両端部に形成する引出電極６０に対応
するフォトレジスト５６ｄのパターンを形成する。この
パターンの形成は、例えば上述したフォトレジスト５６
ａの場合と同様に写真蝕刻法により行うことができる。

【００７５】(I)これらのフォトレジスト５６ｃ，５６
ｄをマスクにしてアルミニウム膜５４ｂを部分的に除去
することによりスパイラル状電極５４−１を形成すると
ともに、下層であるスパイラル状電極５４−２の端部に
引出電極６０を形成する。その後、フォトレジスト５６
ｃ，５６ｄを洗い落とす。

【００７６】図９は、このような工程を経て絶縁基板５
２上に形成されたＬＣ素子１２ａの平面形状を示す図で
ある。同図に示すように、本実施例のＬＣ素子１２ａ
は、表面にスパイラル状電極５４−１が形成されている
とともに、スパイラル状電極５４−２の両端部に設けら
れた２つの引出電極６０が露出している。表面に形成さ
れたスパイラル状電極５４−１の両端および２つの引出
電極６０にボンディングを行ってケースに収めることに
よりＬＣ素子１２ａとして完成する。

【００７７】このＬＣ素子１２ａを用いて図１等に示し
た回路を構成するには、ケースに収められたＬＣ素子１
２ａを単体部品として使用して配線を行う場合の他、図
９に示した状態（ベアチップ）を配線基板の一部に配置
して、表面に形成されたスパイラル状電極５４−１の両
端および２つの引出電極６０を直接他の部品と配線する
ようにしてもよい。

【００７８】図１０は、図７に概略構造を示したＬＣ素
子の製造工程の他の例を示す図である。図８に示した製
造工程によれば２つのスパイラル状電極５４−１と５４
−２との間を陽極酸化により形成された絶縁性酸化皮膜
５８により絶縁を行うＬＣ素子が製造されるが、図１０
に示した製造工程によればこの絶縁性酸化皮膜５８を化
学気相法（ＣＶＤ）により形成されたシリコン酸化膜や
窒化膜に置き換えたＬＣ素子が製造される点が異なって
いる。なお、以下の文頭における括弧付き符号は、図１
０において使用した符号に対応している。

【００７９】(A)絶縁基板５２を用意する。この絶縁基
板５２としては、図８に示した製造工程を用いる場合と
同様に、例えばセラミクスやガラスあるいは合成樹脂等
の各種材料を使用することができる。

【００８０】(B)この絶縁基板５２上に、化学気相法に
より第１のシリコン酸化膜１３０を形成する。但し、絶
縁基板５２および第１のシリコン酸化膜１３０はいずれ
も絶縁体であり、この工程を省略することもできる。

【００８１】(C)第１のシリコン酸化膜１３０上に、次
の化学気相法の工程に耐え得る金属、例えば金，タング
ステン，モリブデン，タンタル，ニオブなどの金属膜１
３２ａを蒸着する。

【００８２】(D)金属膜１３２ａ上にスパイラル状のフ
ォトレジスト５６ａのパターンを形成する。このパター
ンの形成は、例えば写真蝕刻法により行うことができ
る。

【００８３】(E)このフォトレジスト５６ａをマスクに
して金属膜１３２ａを部分的に除去することによりスパ
イラル状電極５４−２を形成する。その後、フォトレジ
スト５６ａを洗い落とす。

【００８４】(F)スパイラル状電極５４−２および露出
している第１のシリコン酸化膜１３０の上に、化学気相
法により第２のシリコン酸化膜１３４を成形する。

【００８５】(G)この第２のシリコン酸化膜１３４上に
金属膜１３２ｂを蒸着する。後工程に化学気相法の工程
がないことから、この金属膜１３２ｂはアルミニウム膜
とすることができるが、金や銅等の他の金属材料で形成
してもよい。

【００８６】(H)金属膜１３２ｂ上にスパイラル状のフ
ォトレジスト５６ｃのパターンを形成する。このパター
ンの形成は、例えば上述したフォトレジスト５６ａの場
合と同様に写真蝕刻法により行うことができる。

【００８７】(I)このフォトレジスト５６ｃをマスクに
して、両端部に端子電極を有するスパイラル状電極５４
−１を形成する。その後、フォトレジスト５６ｃを洗い
落とす。

【００８８】このような工程を用いることによっても、
図９に平面構造を示したＬＣ素子を製造することができ
る。

【００８９】図１１および図１２は、ＬＣ素子の他の例
の構造を示す図である。図１１にはその展開状態が、図
１２には外観斜視図がそれぞれ示されている。

【００９０】これらの図に示すＬＣ素子１２ｂは、複数
の絶縁板６４−１，６４−２，…，６４−４を積層して
形成された積層体６２と、これら絶縁板６４の層間６８
−２，６８−３，６８−４に設けられた所定ターン数の
コイルを形成する第１の導体７２と、絶縁板６４の層間
６８−１，６８−２，６８−３に絶縁板６４を介して第
１の導体７２と相対向するよう設けられた第２の導体８
２とを含んで構成される。第１の導体７２が図２に示す
帯状導電体１８−１に、第２の導体８２が図２に示す帯
状導電体１８−２にそれぞれ対応する。

【００９１】上述した絶縁板６４は、必要に応じて各種
絶縁材料を用いて形成されているが、例えばセラミクス
やガラスあるいは合成樹脂等の各種材料により形成され
ている。また、第１および第２の導体７２，８２のそれ
ぞれは、例えばアルミニウムや銅等の各種金属材料を印
刷や蒸着あるいはメッキ等の各種の手法を用いて絶縁板
６４の両面に互いに相対向するよう被覆形成されてい
る。

【００９２】また、積層体６２では、第１の導体７２お
よび第２の導体８２の短絡を防止するために、各絶縁板
６４を層間絶縁シート６６−１，６６−２，６６−３を
介して積層している。そして、最上層の絶縁板６４−１
および最下層の絶縁シート６６−３の表面には、第１の
導体７２の両端に設ける端子７４ａ，７４ｂと、第２の
導体８２の両端に設ける端子８４ａ，８４ｂが被覆形成
されている。ここで、第１の導体７２の両端に設けられ
た端子７４ａ，７４ｂのそれぞれが図２に示したリード
２２−１，２２−２にそれぞれ対応し、第２の導体８２
の両端に設けられた端子８４ａ，８４ｂが図２に示した
リード２４−１，２４−２にそれぞれ対応する。

【００９３】また、第１の導体７２および第２の導体８
２は、絶縁板６４の層間６８−１，６８−２，…，６８
−４に一の層間から他の層間にかけて連続して周回する
複数の第１の導電性エレメント７６−１，７６−２，７
６−３および第２の導電性エレメント８６−１，８６−
２，８６−３から構成されている。

【００９４】このような構造を有する本実施例のＬＣ素
子１２ｂにおいては、第１および第２の導電性エレメン
ト７６，８６が絶縁板６４を介して相対向し、両者の間
にキャパシタンスが連続的に形成されるという特徴を有
している。このため、第１および第２の導体７２，８２
のそれぞれが所定ターン数のコイル、すなわちインダク
タとして機能するとともに、これら第１および第２の導
体７２，８２の間には絶縁板６４を介してキャパシタが
連続的に形成され、しかもこのキャパシタは第１および
第２の導体７２，８２の間に分布定数的に形成されるこ
とになる。

【００９５】そして、絶縁板６４−１の表面に形成され
た端子８４ａは、スルーホール６５を介して絶縁板６４
−２上に設けられた第２の導電性エレメント８６−１に
接続される。同様に、最下層の絶縁シート６６−３上に
被覆形成された端子８４ｂも絶縁シート６６−３，絶縁
板６４−４に設けられたスルーホール６７，６５を介し
て第２の導電性エレメント８６−３に接続されている。

【００９６】同様に、絶縁板６４−１の表面に設けられ
た一方の入力端子７４ａは、各絶縁板６４−１，６４−
２に設けられたスルーホール６５および導電パターン７
８を介して、絶縁板６４−２の裏面側に設けられた第１
の導電性エレメント７６−１の端部に接続されている。
同様に、最下層の層間絶縁シート６６−３上に設けられ
た他方の入出力端子７４ｂは、スルーホール６７を介し
て、絶縁板６４−４上に被覆形成された第１の導電性エ
レメント７６−３に接続されている。

【００９７】また、各絶縁板６４−２，６４−３，６４
−４上に被覆形成された第１の導電性エレメント７６お
よび第２の導電性エレメント８６は、これら各絶縁板６
４上に形成されたスルーホール６５，導電パターン７
８，８８および層間絶縁シート６６上に設けられたスル
ーホール６７を介して、１つの層間６８から他の層間６
８にかけて周回するよう電気的に接続されている。

【００９８】これにより、本実施例のＬＣ素子１２ｂに
おいて、第１の導体７２はその両端が端子７４ａ，７４
ｂに接続され、所定のインダクタンスを持ったインダク
タとして機能することになる。同様に、第２の導体８２
はその両端が端子８４ａ，８４ｂに接続され、所定のイ
ンダクタンスを持ったインダクタとして機能することに
なる。しかも、上述したようにこれら第１および第２の
導体７２，８２間にはキャパシタンスがほぼ連続的にし
かも分布定数的に形成されるとともに、これら２つの導
体７２，８２は電磁結合されるためＬＣ素子１２ｂがト
ランスとしての機能も兼ね備えることになる。

【００９９】したがって、これらＬＣ素子１２ｂの等価
回路は図４の回路をそのまま適用することができ、第１
実施例〜第３実施例において示した正弦波発振回路１〜
３のＬＣ素子１２に置き換えることにより、所定周波数
の正弦波を発振させることができる。

【０１００】図１３および図１４は、ＬＣ素子の他の例
の構造を示す図であり、工程毎の詳細が示されている。

【０１０１】これらの図に示すＬＣ素子１２ｃは、図１
１および図１２に示したＬＣ素子１２ｂを膜成形技術を
利用して形成したものである。すなわち、図１１等に示
したＬＣ素子１２ｂは絶縁層として絶縁板６４を用いて
いたが、本実施例のＬＣ素子１２ｃでは絶縁層として絶
縁薄膜あるいは絶縁厚膜を用いている点に特徴がある。
以下、製造工程をおうことによりＬＣ素子１２ｃの構造
を説明する。なお、以下の文頭における括弧付き符号
は、図１３および図１４において使用した符号に対応し
ている。

【０１０２】(A)絶縁基板９０の裏面側から側面にかけ
て補助リード部９２ａを被覆形成するとともに、絶縁基
板９０の表面にはこの補助リード部９２ａから連続する
Ｉ字型スリットパターン９４を有する面状の第１の導電
性エレメント９８−１を被覆形成する。絶縁基板９０と
しては、例えばガラスや合成樹脂あるいはセラミクス等
の絶縁材料が使用される。

【０１０３】(B)第１の導電性エレメント９８−１が形
成された絶縁基板９０のさらに表面に、第１の導電性エ
レメント９８−１の端部が露出するように絶縁薄膜（あ
るいは絶縁厚膜）１００−１を被覆形成する。

【０１０４】(C)絶縁基板９０の裏面側から側面にかけ
て補助リード部１１４ａを被覆形成するとともに、絶縁
薄膜１００−１上に補助リード部１１４ａから連続し、
しかも絶縁薄膜１００−１を挟んで第１の導電性エレメ
ント９８−１と面対向する面状の第２の導電性エレメン
ト１１２−１を被覆形成する。なお、この第２の導電性
エレメント１１２−１にも上述したスリットパターン９
４と相対向するＩ字型のスリットパターン１１６を設け
る。

【０１０５】(D)各導電性エレメント９８−１，１１２
−１の端部が露出するよう絶縁薄膜１００−２を被覆形
成する。

【０１０６】(E)この絶縁皮膜１００−２上に露出した
第１の導電性エレメント９８−１の端部と電気的に接続
された面状の第１の導電性エレメント９８−２を被覆形
成する。この第１の導電性エレメント９８−２上にも第
１の導電性エレメント９８−１と逆向きにＩ字型スリッ
トパターン９４を設ける。これにより、第１の導電性エ
レメント９８−１，９８−２は、一の層間から他の層間
にかけて連続して周回する通電路を形成することにな
る。

【０１０７】(F)第１の導電性エレメント９８−２と第
２の導電性エレメント１１２−１の各端部が露出するよ
う絶縁薄膜１００−３を被覆形成する。

【０１０８】(G)絶縁薄膜１００−３上に第２の導電性
エレメント１１２−２を、第１の導電性エレメント９８
−２と面対向するよう面状に被覆形成する。

【０１０９】(H)〜 (T)このような薄膜形成工程とエレ
メント形成工程とを繰り返し行い、積層体を形成する。
このとき、図１４（Ｑ）の工程において、絶縁基板９０
の側面および表面にかけて第１の導電性エレメント９８
−５から連続する補助リード部９２ｂを被覆形成する。
また、図１４（Ｔ）の工程において、絶縁基板９０の側
面および表面にかけて第２の導電性エレメント１１２−
５から連続する補助リード部１１４ｂを被覆形成する。

【０１１０】(U)最終工程において、この積層体の表面
に補助リード部９２ａ，９２ｂ，１１４ａ，１１４ｂと
電気的に接続された端子１２０ａ，１２０ｂ，１２２
ａ，１２２ｂを被覆形成する。ここで、第１の導電性エ
レメント９８の全体が図２に示す帯状導電体１８−１に
対応し、第２の導電性エレメント１１２の全体が図２に
示す帯状導電体１８−２に対応する。

【０１１１】以上のような工程によって図１１および図
１２に示したＬＣ素子１２ｂと機能的に等価なＬＣ素子
１２ｃを形成することができる。

【０１１２】図１５，図１６および図１７は、ＬＣ素子
の他の例を構造を示す図である。図１５および図１６に
は展開状態が、図１７には外観斜視図がそれぞれ示され
ている。

【０１１３】これらの図に示すＬＣ素子１２ｄは、複数
箇所で交互に逆向きに折り畳まれる長尺形状の絶縁シー
ト１４０と、この絶縁シート１４０の両面にほぼ対向す
るように形成された第１および第２の導体１６０，１７
０とを含んで構成されている。

【０１１４】本実施例のＬＣ素子１２ｄを製造する場合
には、まず図１６に示す第１の絶縁シート１４０を形成
する。この第１の絶縁シート１４０は、折り畳んで積層
される複数の折り畳み部１４２−１，１４２−２，…
…，１４２−８を、折り曲部１４４を介して連続的に配
列して形成されている。各折り曲部１４４には、その折
り曲げを容易にするために予めミシン目が形成されてい
る。また、図１６に示す折り畳み部１４２はほぼ正方形
に形成されているが、折り畳んだ場合に互いに積層され
るならば、長方形や平行四辺形等その形状は任意に形成
することができる。

【０１１５】そして、この第１の絶縁シート１４０の表
面１４０ａ側に、図１６に示すパターンの第１の導体１
６０を設け、裏面１４０ｂ側には第２の導体１７０を設
ける。

【０１１６】上述した第１の導体１６０は、連続的に配
列された各折り畳み部１４２−１，１４２−２，……，
１４２−８の表面１４０ａ側に、その一部を切欠いたリ
ング状の第１の導電体１６２−１，１６２−２，……，
１６２−７を交互にしかも逆向きに連続して設け、第１
の絶縁シート１４０を図１５に示すように交互にしかも
逆向きに折り畳んで積層したときに所定ターン数（図１
５の場合は４ターン）のコイルを形成する。

【０１１７】第１の導体１６０の両端には入出力端子１
６４ａ，１６４ｂが設けられている。一方の入出力端子
１６４ａは折り畳み部１４２−１の端部に設けられてお
り、他方の入出力端子１６４ｂは折り畳み部１４２−７
の端部に設けられている。そして、これら入出力端子１
６４ａ，１６４ｂには、入出力用のリード１６６ａ，１
６６ｂが外部接続用導体として取り付け固定されてい
る。

【０１１８】また、上述した第２の導体１７０は、各折
り畳み部１４２−１，１４２−２，……，１４２−７の
裏面側１４０ｂに設けられた第２の導電体１７６−１，
１７６−２，……，１７６−７から構成されている。そ
れぞれの第２の導電体１７６−１，１７６−２，……，
１７６−７は、上述した第１の導電体１６２−１，１６
２−２，……，１６２−７と相対向するように連続して
設けられており、第１の導体１６０との間にキャパシタ
を形成している。

【０１１９】第２の導体１７０の両端には入出力端子１
７３ａ，１７３ｂが設けられている。これら２つの入出
力端子１７３ａ，１７３ｂは、それぞれ折り畳み部１４
２−１あるいは折り畳み部１４２−８の端部であって、
絶縁シート１４０を折り畳んで積層したときに、上述し
た２つの入出力端子１６４ａ，１６４ｂの間でほぼ等間
隔になるように設けられている。そして、これらの入出
力端子１７３ａ，１７３ｂには入出力用のリード１７４
ａ，１７４ｂが取り付け固定されている。

【０１２０】なお、上述した第１の導体１６０が図２に
示した帯状導電体１８−１に、第２の導体１７０が図２
に示した帯状導電体１８−２にそれぞれ対応する。ま
た、各リード１６６ａ，１６６ｂ，１７４ａ，１７４ｂ
が図２に示した各リード２２−１，２２−２，２４−
１，２４−２のそれぞれに対応する。

【０１２１】ところで、上述した第１の導体１６０およ
び第２の導体１７０は、印刷，エッチング，メッキ等各
種方法により第１の絶縁シート１４０の両面に被覆形
成、あるいは第１の絶縁シート１４０上に貼り付ける
等、任意の手法により形成することができる。

【０１２２】また、本実施例においては、上述した第１
および第２の導体１６０，１７０は、その表面に図示し
ない絶縁層が被覆形成されており、絶縁シート１４０を
折り畳んだときに、第１の導電体１６２同士あるいは第
２の導電体１７６同士が短絡されることを防いでいる。

【０１２３】なお、図１６に示すように、これらの絶縁
層を被覆形成する代わりに第１の絶縁シート１４０と同
様な構成の第２の絶縁シート１５０を用意し、これを第
１の絶縁シート１４０と同時に折り畳んで積層するよう
にしてもよい。また、以下の説明を簡単なものとするた
めに絶縁シート１５０を使用しない場合を例にとり行
う。

【０１２４】次に、両面に第１および第２の導体１６
０，１７０が被覆形成された絶縁シート１６０を、図１
５に示すように、折り曲部１４４を介してジグザグ状に
折り曲げ、各折り畳み部１４２−１，１４２−２，…
…，１４２−８を積層する。これにより、図１７（Ａ）
に示す積層体１８０が形成される。そして、一部切欠い
たリング形状の各導電体１６２−１，１６２−２，…
…，１６２−７は互いに重なり合い、１本の導体を複数
ターン巻回したコイルが形成される。これと同時に、第
２の導体１７０は、第１の導体１６０と絶縁シート１４
０を介して相対向し、その間にはキャパシタが形成され
る。したがって、このような構造を有するＬＣ素子１２
ｄは、図４に示すような等価回路を有することになる。

【０１２５】また、これら２つの導体１６０，１７０
は、絶縁シート１４０を折り畳んで積層したときに同時
に巻き回された２つの捲線として機能するため、捲線比
がほぼ１対１のトランスとしての機能を兼ね備えてい
る。

【０１２６】さらに、上述したＬＣ素子１２ｄは、図１
７（Ｂ）に示すように、積層体１８０をリード１６６
ａ，１６６ｂ，１７４ａ，１７４ｂを除いてエポキシ等
の樹脂を用いてモールドを行い、その後図１等に示した
他の部品との結線を行うようにする。

【０１２７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。

【０１２８】また、図２，図７等に示した各種のＬＣ素
子１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、インダク
タを形成する２つの導体の長さをほぼ等しく設定した場
合を例にとり説明したが、一方の導体の長さを短く設定
するようにしてもよい。この場合には、分布定数的に形
成されるキャパシタンスが小さくなるため正弦波発振回
路を構成した場合の発振周波数も変わることになり、２
つの導体の相対的な長さを変えることによって発振周波
数を調整することができる。

【０１２９】また、各ＬＣ素子をトランスとしてみた場
合にはその捲線比も変わることになるため、例えば捲線
比を１以上に設定した場合には昇圧することも可能であ
り、その分だけ増幅率の低い反転増幅器を使用すること
ができる。

【０１３０】また、上述した各実施例におけるＬＣ素子
１２等は、２つのインダクタを形成する帯状導電体やス
パイラル状電極等をほぼ対向するように配置したが、こ
れらをずらして部分的に対向させるようにしてもよい。
この場合は、インダクタンスはそのままにしてキャパシ
タンスのみを少なくすることができるため、この素子定
数の変更に伴ってＬＣ素子の共振特性も変化し、正弦波
発振回路全体の発振周波数の調整が可能となる。

【０１３１】

【発明の効果】上述したように請求項１の発明によれ
ば、反転増幅器とＬＣ素子とを接続するだけで正弦波発
振が行われており、より少ない種類の部品を組み合わせ
るだけで簡単に正弦波を発生させることができる。

【０１３２】また、請求項２または３の発明によれば、
上述した反転増幅器をインバータ論理回路やトランジス
タを利用したソース接地回路あるいはエミッタ接地回路
により構成しており、このような構造が単純な反転増幅
器とＬＣ素子とを組み合わせるだけで、簡単に正弦波を
発生させることができる。

【０１３３】また、請求項４の発明によれば帯状導電体
と誘電体シートとを交互に重ねて同心状に巻き回すこと
により、請求項５の発明によれば絶縁基板上にスパイラ
ル状電極を重ねて形成することにより、請求項６の発明
によれば複数の層にわたって各周回部分が形成された立
体的なスパイラル状電極を用いることにより、あるいは
請求項７の発明によれば両面に導体が形成された絶縁シ
ートを折り畳んで積層体を形成することによりＬＣ素子
を形成している。このように、簡単な構造によってイン
ダクタ成分とキャパシタ成分とが１つの素子内に分布定
数的に形成されたＬＣ素子を容易に実現することがで
き、このＬＣ素子を用いることにより正弦波発振回路を
構成する部品の種類を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した第１実施例の正弦波発振回路
の詳細な構成を示す図である。

【図２】帯状導電体等を巻き回すことによりＬＣ素子を
構成した場合の展開図である。

【図３】図２に示す帯状導電体等を巻き回した後の状態
を示す図である。

【図４】図２に示すＬＣ素子の等価回路を示す図であ
る。

【図５】本発明を適用した第２実施例の正弦波発振回路
の詳細な構成を示す図である。

【図６】本発明を適用した第３実施例の正弦波発振回路
の詳細な構成を示す図である。

【図７】ＬＣ素子の他の例を示す図である。

【図８】図７のＬＣ素子の製造工程の一例を示す図であ
る。

【図９】図７に示したＬＣ素子の平面図を示す図であ
る。

【図１０】図７のＬＣ素子の製造工程の他の例を示す図
である。

【図１１】ＬＣ素子の他の例を示す分解斜視図である。

【図１２】図１１に示したＬＣ素子の外観を示す斜視図
である。

【図１３】ＬＣ素子の他の例の製造工程を示す図であ
る。

【図１４】ＬＣ素子の他の例の製造工程を示す図であ
る。

【図１５】ＬＣ素子の他の例を示す展開図である。

【図１６】ＬＣ素子の他の例を示す展開図である。

【図１７】図１５および図１６に示したＬＣ素子の外観
斜視図である。

【符号の説明】

１ 正弦波発振回路 １０ インバータ論理回路 １２ ＬＣ素子 １４ キャパシタ １５，１６，３０ 抵抗 １８−１，１８−２ 帯状導電体 ２０−１，２０−２ 誘電体シート ２２−１，２２−２，２４−１，２４−２ リード

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 5/02 8321−5Ｊ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力信号を増幅するとともに位相反転を
   行う反転増幅器と、 一次および二次捲線としての機能を有する２本のインダ
   クタ導体をほぼ平行に配置することにより、これら２本
   のインダクタ導体間に分布定数的にキャパシタが形成さ
   れているＬＣ素子と、 を備え、前記反転増幅器の出力側を前記ＬＣ素子の一次
   側に接続するとともに、前記ＬＣ素子の二次側を一次側
   と逆相となるように前記反転増幅器の入力側に接続する
   ことを特徴とする正弦波発振回路。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記反転増幅器をインバータ論理回路により構成するこ
   とを特徴とする正弦波発振回路。
3. 【請求項３】 請求項１において、 前記反転増幅器をソース接地回路あるいはエミッタ接地
   回路により構成することを特徴とする正弦波発振回路。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記ＬＣ素子は、 所定の距離隔たった位置に２つの一次側端子が接続され
   ており、前記２本のインダクタ導体のいずれか一方とし
   て機能する一次側帯状導電体と、 所定の距離隔たった位置に２つの二次側端子が接続され
   ており、前記２本のインダクタ導体の他方として機能す
   る二次側帯状導電体と、 前記一次側および二次側帯状導電体の間に挿入される誘
   電体シートと、 を備え、前記帯状導電体と前記誘電体シートとを交互に
   重ねて同心状に巻き回すことにより形成することを特徴
   とする正弦波発振回路。
5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記ＬＣ素子は、 それぞれがほぼ同一面上に形成されて前記インダクタ導
   体として機能するとともに互いにほぼ重ねて形成された
   ２本のスパイラル状電極と、 前記複数のスパイラル状電極の間に形成された絶縁層
   と、 前記絶縁層と前記２本のスパイラル状電極が一方の面上
   に形成された絶縁基板と、 を備え、前記２本のスパイラル状電極の一方の所定の距
   離隔たった位置に２つの一次側端子を設けるとともに、
   他方の所定の距離隔たった位置に２つの二次側端子を設
   けることを特徴とする正弦波発振回路。
6. 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記ＬＣ素子は、 層が異なる各周回部分を有しており、その全体が前記イ
   ンダクタ導体として機能する２本のスパイラル状電極
   と、 前記２本のスパイラル状電極の周回部分を交互に重ねた
   場合に各周回部分の間に挿入される絶縁板あるいは絶縁
   膜と、 を備え、前記２本のスパイラル状電極の一方の所定の距
   離隔たった位置に２つの一次側端子を設けるとともに、
   他方の所定の距離隔たった位置に２つの二次側端子を設
   けることを特徴とする正弦波発振回路。
7. 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかにおいて、 前記ＬＣ素子は、 交互に逆向きに折り畳んで積層される複数の折り畳み部
   を有する絶縁シートと、 前記絶縁シートの両面にほぼ対向するように形成されて
   前記折り畳み部を交互に折り畳んで積層したときにそれ
   ぞれが所定ターン数の前記インダクタ導体として機能す
   る２本のスパイラル状電極と、 を備え、前記２本のスパイラル状電極の一方の所定の距
   離隔たった位置に２つの一次側端子を設けるとともに、
   他方の所定の距離隔たった位置に２つの二次側端子を設
   けることを特徴とする正弦波発振回路。