JPH07321508A - 帯域通過ろ波器及びこの帯域通過ろ波器を用いて成る共用器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】段間結合が磁気結合又は容量結合の何れの結合
も実現可能で、共振素子の中心間隔を変えることなく結
合係数を変えることができ、生産性に優れた帯域通過ろ
波器及びこの帯域通過ろ波器より成る共用器を実現す
る。 【構成】共通の誘電体ブロック内に配設され、段間結合
が本来磁気結合である隣接共振素子間に段間結合用容量
素子を設けてある。この容量素子の容量と隣接共振素子
間における等価段間結合インダクタンスより成る段間結
合用並列共振回路のインピ−ダンスは、共振周波数より
低い周波数領域において誘導性で、段間結合が磁気結合
となり、可変容量素子の容量を変えることにより磁気結
合係数を変えることができる。又、段間結合用並列共振
回路のインピ−ダンスは、共振周波数より高い周波数領
域において容量性で、段間結合が容量結合となり、可変
容量素子の容量を変えることにより容量結合係数を変え
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、無線通信装置又は移動
通信装置等の構成素子として好適な誘電体帯域通過ろ波
器及びこの帯域通過ろ波器を用いて成る共用器に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図２３は、従来の誘電体帯域通過ろ波器
の要部を示す断面図で、11₁ ないし11₄ は共振素子、12
₁ ないし12₄ は固体誘電体、13₁₂、13₂₃及び13₃₄は段間
シ−ルド板、14は段間結合容量形成電極の支持用誘電体
板で、固体誘電体12₁ ないし12₄ の上部に取り付けてあ
る。図２４は、電極の支持用誘電体板14の表面（図２３
と同様の面）を示す拡大図、図２５はその裏面を示す拡
大図で、14₁₂、14₂₃及び14₃₄は誘電体板14の表面に設け
た段間結合容量形成電極で、電極14₁₂は共振素子11₁ の
頂部に、電極14₂₃は共振素子11₂ の頂部に、電極14₃₄は
共振素子11₃ の頂部に、それぞれ電気的に接続してあ
る。14₂₁、14₃₂及び14₄₃は誘電体板14の裏面に設けた段
間結合容量形成電極で、電極14₂₁は共振素子11₂ の頂部
に、電極14₃₂は共振素子11₃ の頂部に、電極14₄₃は共振
素子11₄ の頂部に、それぞれ電気的に接続してある。
尚、図２３には、共通のシ−ルドケ−ス、入出力結合素
子、入出力端子及び共振周波数の微調整素子等を図示す
るのを省略してある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】図２３に要部を示した
従来の帯域通過ろ波器においては、共通のシ−ルドケ−
ス（図示していない）の一部と共振素子11₁ 及び固体誘
電体12₁ によって初段の共振器が、共通のシ−ルドケ−
スの一部と共振素子11₂ 及び固体誘電体12₂ によって次
段の共振器が、共通のシ−ルドケ−スの一部と共振素子
11₃ 及び固体誘電体12₃ によって第３段の共振器が、共
通のシ−ルドケ−スの一部と共振素子11₄及び固体誘電
体12₄ によって終段の共振器が、それぞれ形成され、段
間に挿入されたシ−ルド板13₁₂、13₂₃及び13₃₄によって
段間の磁気結合が遮断され、誘電体板14の表裏面に設け
た電極14₁₂と14₂₁によって初段と次段の共振器間が、電
極14₂₃と14₃₂によって次段と第３段の共振器間が、電極
14₃₄と14₄₃によって第３段と終段の共振器間が、それぞ
れ容量結合されるように構成してあるので、特に、固体
誘電体12₁ ないし12₄ が各独立に形成され、段間の磁気
結合を遮断するためにシ−ルド板13₁₂、13₂₃及び13₃₄を
設ける必要のあることが主たる原因となって部品数が多
くなり、組み立て及び調整に多くの時間と労力を必要と
し、コスト高となるのを免れることができない。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、共通の誘電体
ブロック内に適宜間隔を隔ててコムライン形に配設さ
れ、隣り合う素子相互が磁気結合される共振素子と、共
振素子のうち、隣り合う共振素子間に介装された段間結
合容量素子とを備えた帯域通過ろ波器を実現することに
よって、従来の誘電体帯域通過ろ波器の欠点を除こうと
するものである。

【０００５】

【実施例】図１は、本発明の一実施例を示す断面図で、
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図１（ｂ）
は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（ｃ）は、図１
（ａ）のＣ−Ｃ断面図で、１は共通のシ−ルドケ−ス、
２は共通の誘電体ブロック、3₁ないし3₄は共通の誘電体
ブロック２の長手方向に適宜間隔を隔てて上下方向に穿
った貫通孔、4₁ないし4₄は共振素子で、貫通孔3₁ないし
3₄の各内周面に付着させた銀又は銅等の金属薄層で形成
するか、貫通孔3₁ないし3₄内に嵌入した金属棒又は筒状
の金属体で形成する。５は銀又は銅等の金属薄層で、共
通の誘電体ブロック２の両側壁面、両端壁面及び下壁面
に付着させてある。尚、共通の誘電体ブロック２の下壁
面に付着させた金属薄層５と共振素子4₁ないし4₄の各下
端部とを電気的に接続し、共通の誘電体ブロック２の上
壁面には金属薄層を付着させることなく、共通の誘電体
ブロック２の地肌を直接露出させてある。したがって、
共振素子4₁ないし4₄の各上端部が開放端となり、各下端
部が短絡端となる。次に、６は入出力結合容量形成電
極、段間結合容量形成電極及び共振周波数微調整容量形
成電極の支持用誘電体板で、共振素子4₁ないし4₄の各開
放端の上部に設けてある。図２は、電極の支持用誘電体
板６の表面［図１（ｂ）と同様の面］を示す拡大図で、
6₀₁ 、6₁₂ 、6₂₃ 、6₃₄ 及び6₄₅ は結合容量形成電極
で、電極6₀₁ は電極6₁₂ を介して共振素子4₁の開放端
に、電極6₂₃ は共振素子4₂の開放端に、電極6_{3 4} は共振
素子4₃の開放端に、電極6₄₅ は共振素子4₄の開放端に、
それぞれ接続してある。6₁ないし6₄は共振周波数微調整
容量形成電極で、それぞれ金属薄層５を介して接地して
ある。図３は、電極の支持用誘電体板６の裏面を示す拡
大図で、6₁₀ 、6₂₁ 、6₃₂ 、6₄₃ 及び6₄₅ は結合容量形
成電極で、電極6₁₀ は入力（又は出力）端子を形成する
同軸接栓7₀の内部導体に、電極6₂₁ は共振素子4₂の開放
端に、電極6₃₂ は共振素子4₃の開放端に、電極6₄₃ は共
振素子4₄の開放端に、電極6₅₄ は出力（又は入力）端子
を形成する同軸接栓7₅の内部導体に、それぞれ接続して
ある。6₀は共振周波数微調整容量形成電極で、共振素子
4₁の開放端に接続してある。電極6₁₂ ないし6₄₅ 及び6₀
ないし6₄₃ と共振素子4₁ないし4₄の各開放端との電気的
接続を確実にするため、共振素子4₁ないし4₄を金属棒又
は筒状の金属体で形成した場合には、共振素子4₁ないし
4₄の各開放端が共通の誘電体ブロック２の上壁面から適
宜の高さだけ上方へ突出するように共通の誘電体ブロッ
ク２の高さを選び、電極の支持用誘電体板６の下縁、し
たがって、電極の支持用誘電体板６の表裏面に設けた電
極6₁₂ ないし6₄₅ 及び6₀ないし6₄₃ の各下縁に共振素子
4₁ないし4₄の各開放端が接触するように形成し、電極6
₁₂ ないし6₄₅ 及び6₀ないし6₄₃の各下縁と共振素子4₁な
いし4₄の各開放端との間を半田付け等の手段によって電
気的に接続する。共振素子4₁ないし4₄を共通の誘電体ブ
ロック２の高さとほぼ等しい軸長を有する筒状の金属体
又は貫通孔3₁ないし3₄の各内周面に付着させた金属薄層
で形成した場合には、図１に示すように、側面から見た
断面形状が逆凸字型の電極8₁ないし8₄を共振素子4₁ない
し4₄の各開放端に嵌合し、電極8₁ないし8₄の各上端面
が、電極の支持用誘電体板６の下縁、したがって、電極
の支持用誘電体板６の表裏面に設けた電極6₁₂ ないし6
₄₅ 及び6₀ないし6₄₃ の各下縁に接触するように形成
し、電極6₁₂ ないし6₄₅ 及び6₀ないし6₄₃ の各下縁と電
極8₁ないし8₄の各上端面との間を半田付け等の手段によ
って電気的に接続する。共振素子4₁ないし4₄の各開放端
又は電極8₁ないし8₄の各上端面と電極の支持用誘電体板
６の表裏面に設けた電極の各下縁とを半田付け等の手段
によって電気的に接続することによって、電極の支持用
誘電体板６を共振素子4₁ないし4₄の上部に十分な機械的
強度で取り付けることができる。尚、電極の支持用誘電
体板６の表裏面に設けた電極6₁₂ ないし6₄₅ 及び6₀ない
し6₄₃ 並びに電極6₁ないし6₄は、電極の支持用誘電体板
６の表裏面に金属薄層を付着させるか、金属板を貼付し
て形成する。次に、図１において、9₁₂ 、9₂₃ 及び9₃₄
は容量性の不要モ−ドの阻止用接地導体で、共通の誘電
体ブロック２の上壁面のうち、共振素子4₁と4₂の間、4₂
と4₃の間、4₃と4₄の間の壁面の一部に、この壁面を横幅
方向に横断するように、適宜幅の細長い金属薄層を付着
させるか、金属板を取り付け、各金属薄層又は金属板の
両端又は一端を共通の誘電体ブロック２の側壁面に付着
させた金属薄層５に電気的に接続してある。本発明誘電
体帯域通過ろ波器を構成する各段の共振器間を信号が結
合伝送する際に生じた容量性の不要モ−ドは、接地導体
9₁₂ 、9₂₃ 及び9₃₄ を介して地気に吸収除去される。

【０００６】図４は、図１ないし図３について説明した
本発明帯域通過ろ波器の等価回路図で、L₁は、共振素子
4₁、その周りの固体誘電体（共通の誘電体ブロック２の
一部）、共通のシ−ルドケ−ス１の一部によって形成さ
れる初段（又は終段）の共振回路のインダクタンス分、
C₁は初段（又は終段）の共振回路の容量分、電極6₁及び
6₀によって形成される共振周波数の微調整容量、電極6
₁₀ 及び6₀₁ によって形成される入力（又は出力）結合
容量の合成容量である。L₂は、共振素子4₂、その周りの
固体誘電体、共通のシ−ルドケ−ス１の一部によって形
成される次段（又は第３段）の共振回路のインダクタン
ス分、C₂は次段（又は第３段）の共振回路の容量分、電
極6₂及び6₂₁ によって形成される共振周波数の微調整容
量の合成容量である。L₃は、共振素子4₃、その周りの固
体誘電体、共通のシ−ルドケ−ス１の一部によって形成
される第３段（又は次段）の共振回路のインダクタンス
分、C₃は第３段（又は次段）の共振回路の容量分、電極
6₃及び6₃₂ によって形成される共振周波数の微調整容量
の合成容量である。L₄は、共振素子4₄、その周りの固体
誘電体、共通のシ−ルドケ−ス１の一部によって形成さ
れる終段（又は初段）の共振回路のインダクタンス分、
C₄は終段（又は初段）の共振回路の容量分、電極6₄及び
6₄₃ によって形成される共振周波数の微調整容量、電極
6₄₅ 及び6₅₄ によって形成される出力（又は入力）結合
容量の合成容量である。C₁₂ は電極6₁₂ 及び6₂₁ によっ
て形成される段間結合容量、C₂₃ は電極6₂₃ 及び6₃₂ に
よって形成される段間結合容量、C₃₄ は電極6₃₄ 及び6
₄₃ によって形成される段間結合容量、M₁₂ 、M₂₃ 及びM
₃₄ は段間磁気結合係数、T₀は入力（又は出力）端子、T
₅は出力（又は入力）端子である。

【０００７】図５は、図１における共通のシ−ルドケ−
ス１、金属薄層５、電極の支持用誘電体板６、同軸接栓
7₀及び7₅、容量性の不要モ−ドの阻止用接地導体9₁₂ 、
9₂₃及び9₃₄ を省き、隣り合う任意の２個の共振素子を
含む共通の誘電体ブロック２の一部分を示す断面図で、
図５（ａ）は、図５（ｂ）のＢ−Ｂ断面図、図５（ｂ）
は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図、図５（ｃ）は、図５
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図で、２は共通の誘電体ブロック、
4_k及び4_k+1は共振素子で、図１には共振素子が４個、即
ち、帯域通過ろ波器の次数が４の場合を例示したが、次
数はこれを適宜増減して本発明を実施することができる
から、一般的にはｋ＝１、２、３、・・・・・（ｎ−
１）である。但し、ｎは任意の正の整数である。S_k,k+1
は隣り合う共振素子の中心間隔、ｄは共振素子の直径、
Ｗは共通の誘電体ブロック２の横幅である。図５（ａ）
において、矢印を付した実線は電界分布、矢印を付した
破線は磁界分布を示す。共振素子4_k及び4_k+1の特性イン
ピ−ダンスZ_Oは、次式で求められる。

【数１】 ε：共通の誘電体ブロック２の比誘電率 本発明帯域通過ろ波器はコムライン形ろ波器であるか
ら、共振素子4_k及び4_k+1の軸長は、ほぼ0.95λ_g/4 に選
ぶこととなるので、共振素子の分布インダクタンス分Ｌ
は、次式で求めることができる。

【数２】

【０００８】図１に示した電極の支持用誘電体板６の表
裏面に設けた段間結合容量形成電極6₁₂ ないし6₃₄ 及び
6₂₁ ないし6₄₃ を省いた状態においては、共振素子4₁な
いし4₄の各段間結合は磁気結合となる。今、上記のよう
に、電極の支持用誘電体板６の表裏面に設けた段間結合
容量形成電極6₁₂ ないし6₃₄ 及び6₂₁ ないし6₄₃ を省い
た状態を想定して共振素子4₁及び4₂の各分布インダクタ
ンス分L₁及びL₂と、共振素子4₁及び4₂間の磁気結合係数
M₁₂ に着目した場合の基本等価回路は図６で示され、図
６の等価回路は、一般に図７の等価回路で示される。図
７の等価回路は、図８に示す等価回路に変換し得るが、
これを図９及び図１０について説明する。図９における
各回路定数をZ₁、Z₂及びZ₃、図１０における各回路定数
をZ_A、Z_B及びZ_Cとすると、これらの間には等価変換公式
によって次の各式が成立する。

【数３】 図８における各回路定数をZ_AL 、Z_BL 及びZ_CL とする
と、図８における各回路定数と図７における各回路定数
L₁−M₁₂ 、L₂−M₁₂ 及びM₁₂ との関係は、式（３）ない
し式（５）から次の各式で表わされる。

【数４】 図８に示した各回路定数を、式（６）ないし式（８）で
示した関係を有するように選ぶことによって、図７の等
価回路は、図８の等価回路で表わされることとなる。
尚、L₁、L₂及びM₁₂ の間には、 M₁₂ ≪L₁≒L₂ ・・・・（９） の関係があるので、式（８）における

【数５】 の値は極めて大となる。

【０００９】図６ないし図１０について説明した等価変
換手法に基づいて図４に示した等価回路をπ型回路に変
換した等価回路は、図１１で示される。図１１における
L₁₂ は図８におけるZ_CL に対応するインダクタンスで、
容量C_{1 2} と共に共振素子4₁及び4₂間の結合用並列共振回
路を形成する。L₂₃ は、容量C₂₃ と共に共振素子4₂及び
4₃間の結合用並列共振回路を形成するインダクタンス、
L₃₄ は、容量C₃₄ と共に共振素子4₃及び4₄間の結合用並
列共振回路を形成するインダクタンスで、他の符号は、
図４と同様である。図１１における各段間結合用並列共
振回路を一般的に図１２に示すように表わすと、その合
成リアクタンス −ｊｘ_T は、

【数６】 式（10）においてｘ_L ＞ｘ_C であれば、−ｊｘ_T は容量
性となり、図１２は図１３のように表わすことができ、
したがって、図１１は図１４（符号は、図１１と同じ）
のように表わすことができる。図１に示した電極の支持
用誘電体板６の表裏面に設けた段間結合容量形成電極6
₁₂ ないし6₃₄ 及び6₂₁ ないし6₄₃ を省いた状態におい
ては共振素子4₁ないし4₄の各段間結合が磁気結合となる
こと前述のとおりであるが、この場合における各段間の
磁気結合損失（誘導性リアクタンス）の大きさL
_M(k,k+1) は、次式で求められる。

【数７】 又、図１２に示した −ｊｘ_C 及びｊｘ_L を−ｊｘ
_C(k,k+1)及びｊｘ_L(k,k+1)で表わすと、ｘ_L(k,k+1)は式
（11）におけるL_M(k,k+1) を用いて、次式で表わされ
る。

【数８】 図１２に示した −ｊｘ_C 及びｊｘ_L を上記のように−
ｊｘ_C(k,k+1)及びｊｘ_L(k,k+1)で表わすと、式（10）は
次式で表わされる。

【数９】 式（13）においてｘ_L(k,k+1)＞ｘ_C(k,k+1)である場合に
は、−ｊｘ_T(k,k+1)は容量性となるので、

【数１０】 したがって、

【数１１】 式（14）におけるｘ_T(k,k+1)は、本発明帯域通過ろ波器
における各段間結合用並列共振回路の回路定数で、その
大きさは回路設計から求めることができる。式（14）に
おけるｘ_L(k,k+1)は、式（12）に示すように L_M(k,k+1)
から求めることができ、 L_M(k,k+1)は式（11）に示すよ
うに、隣り合う共振素子の中心間隔Ｓ_k,k+1 、共振素子
の直径ｄ、共通の誘電体ブロック２の横幅Ｗ及びその比
誘電率ε、伝送信号の自由空間波長λから求めることが
できる。式（14）におけるｘ_C(k,k+1)は、次式で求めら
れる。

【数１２】 Ｌ：式（２）で示した共振素子の分布インダクタンス分 段間結合容量Ｃ_k,k+1 （図１４におけるC₁₂ 、C₂₃ 及び
C₃₄ ）は、次式で求められる。

【数１３】 以上は、本発明を無極形の帯域通過ろ波器に実施した場
合について説明したが、その通過域がチェビシェフ特性
となるように構成した場合、その伝送特性は、次式で求
めることができる。

【数１４】 ATT ：伝送損失 Ｔ_n(ｘ) ：チェビシェフの多項式で、ｘ＜１ の場合、 Ｔ_n(ｘ) ＝ cos（ｎ cos^-1ｘ） ｘ＞１ の場合、 Ｔ_n(ｘ) ＝cosh（ｎ cosh^-1 ｘ） ｘ：基準化周波数で、

【数１５】 f₀ ：帯域通過ろ波器の通過域における中心周波数 f：任意の伝送周波数 B_Wr：帯域通過ろ波器の許容通過周波数帯域幅 Ｓ：通過帯域内における許容電圧定在波比（VSWR) 図１５は、上記本発明帯域通過ろ波器の伝送特性を示す
図で、横軸は周波数、縦軸は減衰量である。図１６は、
図１１に等価回路を示した本発明無極形帯域通過ろ波器
に副結合回路を設けることによって、有極形帯域通過ろ
波器を構成した一例を示す等価回路で、C_0M 及びC_M5 は
副結合容量、M₀₅ は副磁気結合係数で、他の符号は図１
１と同様である。図１６に示すように、２個又はその整
数倍の個数の共振回路を隔てた共振回路相互間を副結合
することによって、有極形帯域通過ろ波器を構成するこ
とができる。図１６に示した本発明有極形帯域通過ろ波
器において通過域がチェビシェフ特性となるように構成
した場合、その伝送特性は、次式で求めることができ
る。

【数１６】 図１６に示したように回路次数ｎが４、即ち、ｎが偶数
の場合は、

【数１７】 次数ｎが奇数の場合は、

【数１８】 f_p：許容電圧定在波比を与えるバンドエッジの周波数 上式においてR_eは実数部をとるの意、I_mは虚数部をとる
の意である。図１７は、図１６に示した本発明有極形帯
域通過ろ波器の伝送特性を示す図で、横軸及び縦軸は図
１５と同様である。

【００１０】図１８は、本発明帯域通過ろ波器を用いて
構成した共用器を示す図で、BPF・Cは入出力結合が容量
結合で、段間結合が容量結合である無極形又は有極形の
本発明帯域通過ろ波器、即ち、式（10）においてｘ_L ＞
ｘ_C とし、図１２に示した段間結合用並列共振回路を容
量性とした本発明帯域通過ろ波器、BPF・M は入出力結合
が容量結合で、段間結合が磁気結合である無極形又は有
極形の本発明帯域通過ろ波器、即ち、式（10）において
ｘ_L ＜ｘ_C とし、図１２に示した段間結合用並列共振回
路を誘導性とした本発明帯域通過ろ波器、ZMはインピ−
ダンス整合用のインダクタンス素子、T_C共通の入力（又
は出力）端子、T_L及びT_Hは出力（又は入力）端子であ
る。図１９は、図１８に示した本発明共用器を構成する
帯域通過ろ波器BPF・C 及びBPF・M をそれぞれ無極形に形
成した場合における伝送特性を示す図、図２０は、図１
８に示した本発明共用器を構成する帯域通過ろ波器BPF・
C 及びBPF・M をそれぞれ有極形に形成した場合における
伝送特性を示す図で、図１９及び図２０の各横軸は周波
数、各縦軸は減衰量である。図１９及び図２０から明ら
かなように、段間結合が容量結合である帯域通過ろ波器
BPF・C においては、共振周波数f_Hより低い周波数領域に
おける減衰特性曲線の勾配が急峻で、共振周波数f_Hより
高い周波数領域における減衰特性曲線の勾配が緩やかで
あり、段間結合が磁気結合である帯域通過ろ波器BPF・M
においては、共振周波数f_Lより高い周波数領域における
減衰特性曲線の勾配が急峻で、共振周波数f_Lより低い周
波数領域における減衰特性曲線の勾配が緩やかである。
したがって、段間結合が磁気結合である帯域通過ろ波器
BPF・M の共振周波数f_Lを、段間結合が容量結合である帯
域通過ろ波器BPF・C の共振周波数f_Hより低くなるように
設定すれば、各帯域通過ろ波器BPF(C)及びBPF(M)の各次
数を少なくして減衰域における減衰量を大にすることが
でき、挿入損失の小さい共用器を実現することができ
る。

【００１１】以上は、入出力結合容量素子及び段間結合
容量素子を図１に示すように、電極の支持用誘電体板６
の表裏面に設けた金属薄層又は金属板より成る電極で形
成した場合を例示したが、図２１（ａ）に、図２１
（ｂ）のＢ−Ｂ断面図を、図２１（ｂ）に、図２１
（ａ）のＡ−Ａ断面図を各示すように、共振素子4₁ない
し4₄の開放端に直接、又は図示のように電極8₁ないし8₄
に取り付けた棒状又は板上の対向電極6_B1 ないし6_B6 の
各対向間隙間に形成される容量を段間結合容量とし、入
出力結合容量は集中定数形の固定又は可変コンデンサ6
_C01及び6_C45で形成するか、図２２に要部の断面図を示
すように、入出力結合容量素子及び段間結合容量素子を
それぞれ集中定数形の固定又は可変コンデンサ6_C01、6
_C12、6_C23、6_C34及び6_C45で形成するようにしても本発
明を実施することができる。尚、図２１及び図２２の説
明において言及することのなかった他の符号及び構成
は、図１と同様である。

【００１２】

【発明の効果】従来の帯域通過ろ波器が、共振素子の周
りの固体誘電体が共振素子毎に分割され、共振素子間の
磁気結合を遮断するために分割された固体誘電体の境界
にシ−ルド板を介在させて、部品数の増加を招いている
のに対して、本発明帯域通過ろ波器は、共振素子の周り
の固体誘電体が各共振素子に共通の１個の誘電体ブロッ
クより成り、段間の磁気結合を遮断するためのシ−ルド
板を設ける必要もないから、それだけ従来に比し部品数
が少なく、組み立て調整も容易である。本発明帯域通過
ろ波器においては、段間結合容量の大きさに応じて段間
を容量結合又は磁気結合の何れの結合をも選択実施する
ことができ、段間結合容量の大きさを適当に変えること
によって、共振素子相互の中心間隔を一定に保ったま
ま、容量結合係数又は磁気結合係数を変えて所要の電気
的特性を持たせることが可能であるから、共通の部品及
び金型等を用いて各種所要の電気的特性を有する帯域通
過ろ波器を実現することができ、生産性を著しく高める
ことができる。式（８）及び式（９）で説明したよう
に、Z_CL の値、即ち、図１１におけるL_{1 2} ないしL₃₄ の
値が極めて大であるから、L₁₂ ないしL₃₄ と共に段間結
合用並列共振回路を形成するC₁₂ ないしC₃₄ の値を極め
て小に選んでも段間結合係数の調整を自在に行うことが
できるから、コストを低く抑えることができる。本発明
帯域通過ろ波器を組み合わせて共用器を構成する場合、
共振周波数の高い帯域通過ろ波器の段間結合を容量結合
とし、共振周波数の低い帯域通過ろ波器の段間結合を磁
気結合とすることによって、各帯域通過ろ波器の次数を
比較的少なくして減衰量を大にすることができるから、
挿入損失の小さい共用器を実現することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す図である。

【図２】本発明帯域通過ろ波器の要部の構成を示す図で
ある。

【図３】本発明帯域通過ろ波器の要部の構成を示す図で
ある。

【図４】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。

【図５】本発明帯域通過ろ波器の電磁界分布を示す図で
ある。

【図６】本発明帯域通過ろ波器の構成原理を説明するた
めの等価回路図である。

【図７】本発明帯域通過ろ波器の構成原理を説明するた
めの等価回路図である。

【図８】本発明帯域通過ろ波器の構成原理を説明するた
めの等価回路図である。

【図９】本発明帯域通過ろ波器の構成原理を説明するた
めの等価回路図である。

【図１０】本発明帯域通過ろ波器の構成原理を説明する
ための等価回路図である。

【図１１】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。

【図１２】本発明帯域通過ろ波器の作動説明のための等
価回路図である。

【図１３】本発明帯域通過ろ波器の作動説明のための等
価回路図である。

【図１４】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。

【図１５】本発明帯域通過ろ波器の伝送特性を示す図で
ある。

【図１６】本発明の他の実施例を示す等価回路図であ
る。

【図１７】本発明帯域通過ろ波器の伝送特性を示す図で
ある。

【図１８】本発明を共用器に実施した一例を示す図であ
る。

【図１９】本発明共用器の伝送特性を示す図である。

【図２０】本発明共用器の伝送特性を示す図である。

【図２１】本発明の他の実施例を示す図である。

【図２２】本発明の他の実施例を示す図である。

【図２３】従来の帯域通過ろ波器の要部を示す図であ
る。

【図２４】従来の帯域通過ろ波器の要部を示す図であ
る。

【図２５】従来の帯域通過ろ波器の要部を示す図であ
る。

【符号の説明】 １ 共通のシ−ルドケ−ス ２ 共通の誘電体ブロック 3₁〜3₄ 貫通孔 4₁〜4₄、4_k、4_k+1 共振素子 ５ 金属薄層 ６ 電極の支持用誘電体板 6₀₁ 、6₁₀ 電極 6₁₂ 、6₂₁ 電極 6₂₃ 、6₃₂ 電極 6₃₄ 、6₄₃ 電極 6₄₅ 、6₅₄ 電極 6₀〜6₄ 電極 7₀、7₅ 同軸接栓 8₁〜8₄ 電極 9₁₂ 、9₂₃ 、9₃₄ 容量性の不要モ−ドの阻止用接地導
体 BPF・C 、BPF・M 本発明帯域通過ろ波器 ZM インダクタンス素子 T_C、T_L、T_H 端子 6_B1 〜6_B6 電極 6_C01、6_C45 コンデンサ 6_C12、6_C23、6_C34 コンデンサ 11₁ 〜11₄ 共振素子 12₁ 〜12₄ 固体誘電体 13₁₂、13₂₃、13₃₄ 段間シ−ルド板 14 電極の支持用誘電体板 14₁₂、14₂₁ 電極 14₂₃、14₃₂ 電極 14₃₄、14₄₃ 電極

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】共通の誘電体ブロック内に適宜間隔を隔て
   てコムライン形に配設され、隣り合う素子相互が磁気結
   合される共振素子と、 前記共振素子のうち、隣り合う共振素子間に介装された
   段間結合容量素子とを備えたことを特徴とする帯域通過
   ろ波器。
2. 【請求項２】共通の入出力端子に接続される帯域通過ろ
   波器を、 共通の誘電体ブロック内に適宜間隔を隔ててコムライン
   形に配設され、隣り合う素子相互が磁気結合される共振
   素子と、 前記共振素子のうち、隣り合う共振素子間に介装された
   段間結合容量素子とを備えた帯域通過ろ波器で形成した
   ことを特徴とする共用器。
3. 【請求項３】共通の入出力端子に接続される帯域通過ろ
   波器を、 共通の誘電体ブロック内に適宜間隔を隔ててコムライン
   形に配設され、隣り合う素子相互が磁気結合される共振
   素子と、 前記共振素子のうち、隣り合う共振素子間に介装された
   段間結合容量素子とを備えた帯域通過ろ波器で形成し、 共振周波数の低い方の帯域通過ろ波器の段間結合を磁気
   結合形に、共振周波数の高い方の帯域通過ろ波器の段間
   結合を容量結合形に形成したことを特徴とする共用器。