JPS6122326Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、半誘電体共振器を用いた帯域通過ろ
波器（以下、帯域通過ろ波器をBPFと略称す
る）、特にその入出力回路に関するものである。

第１図は、従来のBPFの一例を示す縦断面図
で、１はシールドケース、２ないし６は内部導
体、７はシールドケース１内に充てんした誘電
体、８及び９は入出力同軸端子で、各内部導体を
シールドケース１内の内部導体２及び６の各頂部
に接続してある。

このBPFにおいては、内部導体２と３及び５と
６によつてそれぞれ入出力変成器を構成してある
ため全体が大形となり、コスト高となる欠点があ
る。

第２図もまた従来のBPFの一例を示す縦断面図
で、１０ないし１２は内部導体で、１０及び１２
は中空管より成り、１１は中空管或は棒状体より
成る。１３及び１４は導体片で、入出力同軸端子
８及び９の各内部導体に各別に接続してある。他
の符号は第１図と同様である。

このBPFにおいては、内部導体１０と導体片１
３によつて入力（又は出力）結合コンデンサを形
成し、内部導体１２と導体片１４によつて出力
（又は入力）結合コンデンサを形成すると共に内
部導体１０が初段共振器の内部導体として作動
し、内部導体１２が終段共振器の内部導体を兼ね
るので、第１図に示したBPFと同様３段の共振器
を縦続接続したBPFを構成することとなるが、第
１図における内部導体２及び６が不要で、又、導
体片１３及び１４を内部導体１０及び１２の中空
内部に取付けてあるので全体を小形に形成し得る
と共にコストを低廉ならしめることが出来る等の
利点を有するが、その反面、導体片１３及び１４
が外部衝撃によつて揺動し、結合容量が変化して
特性が不安定となると共に結合容量の調整に多く
の時間と手数を要する欠点がある。

本考案は、小形で製作調整が容易なると共に安
定な特性を有するBPFを実現することを目的とす
る。

第３図は、本考案の一実施例を示す縦断面図、
第４図は、第３図のＡ−Ａ部分の断面図で、両図
において、１５ないし１７は半同軸形誘電体共振
器の構成素子で、例えばチタン酸バリウム等の誘
電体より成る直方体の中心軸にほぼ一致せしめて
孔隙を穿ち、その内壁面に銀又は銅等の金属被膜
を蒸着等によつて被着せしめるか、孔隙内に棒状
導体を挿入して内部導体１５′ないし１７′を形成
したもので、この構成素子を空隙１８及び１９を
介して縦続的に配設すると共に初段の共振器の構
成素子１５とシールドケース１の端壁の間に空隙
２０を設け、終段の共振器の構成素子１７とシー
ルドケース１の端壁の間に空隙２１を設けるよう
にして各共振器の構成素子１５ないし１７をシー
ルドケース１内に嵌入してある。２２及び２３は
本考案の要旨たるストリツプラインで、２２は初
段の共振器の構成素子１５における誘電体部分の
側壁（段間結合面を形成する側壁）、即ち空隙２
０を介してシールドケース１の端壁に対向する側
壁に設けられ、その一端を入力（又は出力）同軸
端子８の内部導体に接続し、他端をシールドケー
ス１に接続してある。２３は終段の共振器の構成
素子１７における誘電体の側壁の中、空隙２１を
介してシールドケース１の端壁と対向する側壁に
設けられ、その一端を出力（又は入力）同軸端子
９の内部導体に接続すると共に他端をシールドケ
ース１に接続してある。そして同軸端子８及び９
を設けるシールドケース１の壁面と、初段及び終
段の共振器の構成素子１５及び１７における内部
導体１５′及び１７′の各短絡端を接続するシール
ドケース１の壁面とが同じ壁面となるように構成
し、ストリツプライン２２及び２３の各アース側
と内部導体１５′及び１７′の各アース側とが上下
反対側の壁面に接続されるように形成する。尚、
ストリツプライン２２及び２３は銀又は銅等を蒸
着等の手段によつて誘電体の側壁に被着せしめて
ある。

このように構成した本案BPFにおいてはストリ
ツプライン２２と初段共振器の内部導体１５′に
よつて入力（又は出力）結合変成器が構成され、
ストリツプライン２３と終段共振器の内部導体１
７′によつて出力（又は入力）結合変成器が構成
されるので全体を小形化することが出来る。又、
ストリツプライン２２及び２３は初段及び終段共
振器の構成素子における誘電体の側壁に固着して
あるので、外部衝撃によつて結合度が変化するお
それなく、安定な特性が得られると共に、共振器
の内部導体１５′及び１７′とストリツプライン２
２及び２３との間隔が定まつているのでストリツ
プラインの幅を変えることによつて結合度を所要
の大きさとし、したがつてまた負荷Ｑを所要の値
となし得るから製作調整が極めて容易である。

入出力結合変成器の形成用電極を前実施例のよ
うなストリツプラインを以て形成する代りに第５
図に縦断面図を示すように、空隙２０及び２１の
部分に棒状或はリボン状導体２４及び２５を内装
し、その各一端を入出力同軸端子８及び９の各内
部導体に接続し、各他端をシールドケース１に接
続するようにしてもよい。この場合にも棒状或は
リボン状導体２４及び２５のアース側と、初段及
び終段の共振器の構成素子１５及び１７における
内部導体１５′及び１７′の各アース側とが、それ
ぞれシールドケース１の上下反対側の壁面に接続
されるように形成する。尚、第５図において他の
符号は第３図及び第４図と同様である。

本実施例においても導体２４と初段共振器の内
部導体１５′及び導体２５と終段共振器の内部導
体１７′によつてそれぞれ入出力結合変成器が形
成されるので全体を小形に形成することが出来、
又、導体２４及び２５の各両端が固定されている
ので外部衝撃に強く安定な特性が得られ、製作調
整も比較的容易である。

本実施例においては、導体２４及び２５が初段
及び終段共振器の誘電体の側壁に密着することな
く離れているため入出力結合変成器の結合度が比
較的疎で、したがつて前実施例に比し負荷Ｑの高
いBPFを形成せしめ得る。

以上何れの実施例においても、入出力結合は磁
界結合成分と電界結合成分との合成による結合、
即ち、オツド・モード・インピーダンスによる結
合と、イーブン・モード・インピーダンスによる
結合との合成結合となる。

尚、第３図ないし第５図には各共振器の共振周
波数の微細調整素子を示すのを省略してあるが、
これは従来と同様のものを用いることが出来、
又、図には共振器を３段縦続接続してインターデ
イジタル形BPFを形成した場合を例示してある
が、共振器の段数は適宜変更して差支えなく、共
振器をコムライン状に配設して成るBPFにも本考
案を実施することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、従来のろ波器を示す断面
図、第３図ないし第５図は、本考案の一実施例を
示す断面図で、１：シールドケース、２ないし６
及び１０ないし１２：内部導体、７：誘電体、８
及び９：入出力同軸端子、１３及び１４：入出力
結合コンデンサ形成用導体片、１５ないし１７：
半同軸形誘電体共振器の構成素子、１５′ないし
１７′：内部導体、１８ないし２１：空隙、２２
ないし２５：入出力結合変成器形成用電極であ
る。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 誘電体より成る直方体の中心軸にほぼ一致せ
   しめて穿つた孔隙の内壁面に金属被膜を設ける
   か、この孔隙に棒状導体を挿入して形成した半
   同軸形誘電体共振器の構成素子を複数個縦続的
   に配設すると共に、前記各半同軸形誘電体共振
   器の構成素子の前段及び後段に空隙を介在せし
   めてシールドケースに内装し、初段及び終段の
   半同軸形誘電体共振器の構成素子における各誘
   電体の段間結合面の中、前記シールドケースの
   端壁に対向する外側面にストリツプラインより
   成る結合変成器形成用電極を被着すると共に、
   この結合変成器形成用電極の一端を入出力端子
   に接続し、他端を前記シールドケースの壁面の
   中、前記初段及び終段の半同軸形誘電体共振器
   の構成素子における各内部導体の開放端と対向
   する側の壁面に接続して成ることを特徴とする
   帯域通過ろ波器。 (2) 結合変成器形成用電極を初段及び終段の半同
   軸形誘電体共振器の構成素子とシールドケース
   の端壁間における空隙内に設けられ、一端を入
   出力端子に接続し、他端を前記シールドケース
   の壁面の中、前記初段及び終段の半同軸形誘電
   体共振器の構成素子における内部導体の開放端
   と対向する側の壁面に接続した棒状或はリボン
   状導体を以て形成した実用新案登録請求の範囲
   第１項記載の帯域通過ろ波器。