JPH07321344A - 圧力センサ及び圧力センサチップの実装方法 - Google Patents

圧力センサ及び圧力センサチップの実装方法

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JPH07321344A
JPH07321344A JP11310294A JP11310294A JPH07321344A JP H07321344 A JPH07321344 A JP H07321344A JP 11310294 A JP11310294 A JP 11310294A JP 11310294 A JP11310294 A JP 11310294A JP H07321344 A JPH07321344 A JP H07321344A
Authority
JP
Japan
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pressure sensor
adhesive
pressure
sensor chip
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP11310294A
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English (en)
Inventor
Tomohiro Inoue
智広 井上
Shigenari Takami
茂成 高見
Hiroshi Saito
宏 齋藤
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 圧力測定不能となることを防止する。 【構成】 半導体ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧力セ
ンサにおいて、圧力センサチップ2の実装位置の中央に
設けられた圧力導入口1aの周囲に接着剤逃がし手段と
してテーパ1cを設けた。 【効果】 余分な接着剤がテーパ1cの部分に流れるの
でダイヤフラム1aへの接着剤付着を防止することがで
きると共に、接着剤によって圧力導入口が塞がれて圧力
測定不能となることを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、歪みゲージ型の半導体
圧力センサチップを備えた圧力センサ及び圧力センサチ
ップの実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体ピエゾ抵抗効果を用いた半
導体式の圧力センサでは、圧力を検知する圧力センサチ
ップの実装基台となるボディの材料としてPPS またはLC
P (液晶ポリマー)等の成形樹脂が用いられ、圧力セン
サチップを直接、ボディに実装するものと、硼珪酸ガラ
ス製のガラス台座をボディに接着した後、ガラス台座上
に圧力センサチップを陽極接合法で接合したものの2種
類があった。
【0003】ガラス台座を設ける方がシリコン製の圧力
センサチップとガラスの線膨張係数が類似しているの
で、ガラス台座が緩衝材の役割を果たし圧力センサチッ
プがボディの熱的変化による影響を受けにくくなるとい
う利点がある。圧力センサチップのボディへの実装は、
転写法等によりボディに設けられたφ2.5 〜3mm の圧力
導入口の周囲に略円形に20〜30μm 厚さの接着剤(シリ
コン系またはエポキシ系)を塗布して、その上に圧力セ
ンサチップを配置することによって行われていた。
【0004】図9に圧力センサチップを直接ボディに実
装した圧力センサの一例を示す。図9は実装された圧力
センサチップ周辺の構造を示す部分断面図である。図9
で、1は圧力センサのボディ、1aは一方の開口が圧力
センサの外部に臨むように、また、他方の開口が圧力セ
ンサチップの実装位置に臨むようにボディに形成され
た、φ2.5 〜3mm の圧力導入口、2は圧力を検知するベ
アチップ状の圧力センサチップ、2aの部分は圧力セン
サチップ上に形成され、印加された圧力に応じて歪むダ
イヤフラム、3はボディ1の圧力導入口2a上方に圧力
センサチップ2を固着する接着剤である。図に示す例で
は、圧力センサチップ2は、そのダイヤフラム2aの部
分が圧力導入口1aに対向するように固定されており、
圧力導入口1aの圧力センサ内部側の開口1bを圧力セ
ンサチップ2及び接着剤3によって完全に塞ぐようにし
て、圧力導入口1a内部の圧力が圧力センサチップ2の
上面側に逃げないように構成されている。圧力センサは
圧力導入口1aを介して圧力センサチップ2のダイヤフ
ラム2aに印加される外気圧を電気信号に変換して出力
するように構成されている。
【0005】図10に圧力センサチップをガラス台座を
介してボディに実装した圧力センサの一例を示す。図1
0は実装された圧力センサチップ周辺の構造を示す部分
断面図である。図9に示した構成と同等構成については
同符号を付すこととする。図10で、4は中央に上下方
向に貫通する穴4aが設けられた平板状のガラス台座で
ある。ガラス台座4は圧力導入口1aと穴4aが連結さ
れるように接着剤3によってボディ1に接着されてい
る。圧力センサチップ2は陽極接合法によってガラス台
座4の上面に接合されている。外気圧は圧力導入口1a
及び穴4aを介して圧力センサチップ2のダイヤフラム
2aに伝わることになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】接着剤3をボディ1に
設けられた圧力導入口1aの一方の開口1bの周囲に略
円状に塗布する際、接着剤3の量を厳密に管理しないと
接着剤3で圧力導入口1aが塞がれてしまい、外気圧を
正確に検知できなくなるという問題点があった。
【0007】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、外気圧の導入口が接着剤で塞
がれてしまい圧力測定不能となることを防止することが
できる圧力センサの構造を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の圧力センサは、半導体ピエゾ抵抗効
果を用いた半導体圧力センサにおいて、圧力センサチッ
プ実装位置に設けられた圧力導入口の周囲に接着剤逃が
し手段を設けたことを特徴とするものである。
【0009】請求項2記載の圧力センサは、半導体ピエ
ゾ抵抗効果を用いた半導体圧力センサにおいて、圧力セ
ンサチップ実装位置に設けられた圧力導入口の周囲に凸
状の接着剤侵入防止手段を設けたことを特徴とするもの
である。
【0010】請求項3記載の圧力センサは、請求項2記
載の圧力センサで、前記接着剤侵入防止手段が前記圧力
導入口に沿って、その一方の端面が前記圧力センサチッ
プ実装面より所定高さ突出するように埋め込まれた管で
あることを特徴とするものである。
【0011】請求項4記載の圧力センサチップの実装方
法は、半導体ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧力センサ
チップの実装方法において、中央付近に穴を設けたシー
ト状の接着樹脂を、前記穴が圧力導入口の上方に位置す
るように配置し、前記接着樹脂上に前記半導体圧力セン
サチップを配置して圧力センサの本体に前記半導体圧力
センサチップを固着させることを特徴とするものであ
る。
【0012】
【作用】請求項1記載の圧力センサにおいては、圧力導
入口の周囲に接着剤逃がし手段を形成したので、接着剤
の圧力導入口への侵入を防止することができ、接着剤に
よって導入口が塞がれてしまうことを防止することがで
きる。
【0013】請求項2記載の圧力センサにおいては、圧
力導入口の周囲に凸状の接着剤侵入防止手段を形成した
ので、接着剤の圧力導入口への侵入を防止することがで
き、接着剤によって導入口が塞がれてしまうことを防止
することができる。
【0014】請求項3記載の圧力センサにおいては、圧
力導入口に沿って、その一方の端面が前記圧力センサチ
ップ実装面より所定高さ突出するような管を同時成形等
によりボディに埋め込んだので、接着剤の圧力導入口へ
の侵入を防止することができ、接着剤によって導入口が
塞がれてしまうことを防止することができる。
【0015】請求項4記載の圧力センサチップの実装方
法においては、圧力導入口と略同サイズの穴を設けたシ
ート状の接着樹脂(エポキシ樹脂等)を介して圧力セン
サチップをボディに接着することにより、接着剤の量の
管理を厳密に行えるので、接着剤の圧力導入口への侵入
を防止することができ、接着剤によって導入口が塞がれ
てしまうことを防止することができる。
【0016】
【実施例】図1に本発明の圧力センサの一実施例を示
す。図1は圧力導入口周辺の構造を示す部分断面図であ
る。図1で、圧力センサのボディ1には、一方の開口が
圧力センサの外部に臨み、他方の開口が圧力センサチッ
プの実装位置に臨む圧力導入口1aが形成されている。
また、圧力導入口1aの圧力センサの内部側開口(開口
1b)には接着剤逃がし手段としてテーパ1cが形成さ
れている。ベアチップ状の圧力センサチップ2の中央部
には、印加された圧力に応じて歪むダイヤフラム2aが
形成されている。3はボディ1の圧力導入口1a上に圧
力センサチップ2を固着する接着剤である。圧力センサ
チップ2及び接着剤3によって、圧力導入口1aの開口
1bを完全に塞いで圧力導入口1a内部の圧力が圧力セ
ンサチップ2の上面側に漏れないように構成されてい
る。これは、圧力導入口1a内部の圧力がそのまま圧力
センサチップ2のダイヤフラム2aに印加されるように
するためである。以上のように構成することによって、
接着剤3を多少多く供給したとしても、開口1bが接着
剤3で塞がれることを防止することができる。
【0017】図2の断面図に本発明の圧力センサの異な
る実施例を示す。図1に示した圧力センサでは、接着剤
逃がし手段として開口1bの周縁にテーパ1cを設けた
が、図2に示す例では、開口1bの周縁に接着剤逃がし
手段として、ボディ1の圧力センサチップを接着する接
着面1d(圧力センサチップ実装面)より所定高さ低い
段差形状1eを形成したことを特徴とするものである。
【0018】図3の断面図に本発明の圧力センサのさら
に異なる実施例を示す。図3に示す例では、開口1bに
接着剤逃がし手段として、開口1bの周辺の接着面1d
上に、平面視略環状の溝1fを設けて余分な接着剤をそ
の内部に逃がすように構成したものである。
【0019】図4の断面図に本発明の圧力センサのさら
に異なる実施例を示す。図4に示す例では、開口1bに
接着剤が侵入しないように開口1b周縁の接着面1d上
に、例えば、高さ約0.1mm の平面視略環状の凸部1gを
形成して余分な接着剤が開口1bに侵入しないように構
成したものである。
【0020】図5の断面図に本発明の圧力センサのさら
に異なる実施例を示す。図5に示す例では、図4に示し
た凸部1gと同等形状を、開口1b周縁の接着面1d上
に平面視略環状のリング5を接着することによって形成
した例である。(a)はボディ1にリング5を接着した
状態を示した、開口1b部分の断面の斜視図、(b)は
圧力センサチップ2を接着した状態を示す断面図であ
る。
【0021】図6の断面図に本発明の圧力センサのさら
に異なる実施例を示す。図6に示す例では、図4に示し
た凸部1gと同等形状を、開口1b周縁の接着面1d上
に接着剤6を平面視略環状に塗布し硬化させて形成した
例である。(a)は開口1b周縁の接着面1d上で接着
剤6を平面視略環状に硬化させた状態を示す断面図、
(b)は圧力センサチップ2を接着剤3によって接着し
た状態を示す断面図である。
【0022】図7の矢視図に本発明の圧力センサのさら
に異なる実施例を示す。図7に断面構造を示す例では、
ボディ1の圧力導入口1aの形成位置に管7を同時成形
によって埋め込んだ例である。図に示すように、管7の
一端は接着面1dより所定高さだけ突出した状態となる
ように、また、管7の他端が圧力センサの外部に臨むよ
うに同時成形されている。この場合、管7内部の通路が
圧力導入口の代わりとなる。このように構成することに
より、図4に示した凸部1gと同等形状を開口1b周縁
の接着面1d上に設けることができ、圧力導入口となる
管7内部の通路が接着剤3によって塞がれることが防止
できる。
【0023】図7に示した例では、管7の一端が接着面
1dより所定高さだけ突出した状態となるようにボディ
1に同時成形されていたが、管7の一端が接着面1dよ
り所定高さだけ低くなるようにボディ1に同時成形して
もよい。この場合は、図2に示した段差1eと等価な形
状を形成することができる。
【0024】図8に本発明の圧力センサチップの実装方
法の一実施例を示す。図8に示す例では、(a)の平面
図に示すような穴8aを有するシート状の接着樹脂(エ
ポキシ樹脂板8)を介して、圧力センサチップ2を開口
1b上に配置し加熱して、エポキシ樹脂板8を溶融させ
て(b)の断面図に示すようにボディ1に圧力センサチ
ップ2を接着した例を示すものである。穴8aは開口1
bの平面形状と略同形状または少し大きめ(例えば、開
口1bの口径を0.2mm 程度大きくした大きさ)に形成し
ておく。このように構成することによって、接着剤3の
量、樹脂厚み、供給方法を厳密に管理することができる
ので、開口1bへの接着剤の侵入が発生しないように調
整することが容易となる。
【0025】
【発明の効果】以上に説明したように、請求項1記載の
圧力センサでは、圧力導入口の周囲に凹状の接着剤逃が
し手段を形成したので、ダイヤフラムへの接着剤付着、
または、接着剤によって圧力導入口が塞がれることによ
る圧力測定不能となることを防止することができる。
【0026】請求項2記載の圧力センサでは、圧力導入
口の周囲に凸状の接着剤侵入防止手段を形成したので、
ダイヤフラムへの接着剤付着、または、接着剤の圧力導
入口への侵入を防止することができ圧力測定不能となる
ことを防止することができる。
【0027】請求項3記載の圧力センサでは、圧力導入
口に沿って、その一方の端面が前記圧力センサチップ実
装面より所定高さ突出するような管を同時成形等により
ボディに埋め込んだので、ダイヤフラムへの接着剤付
着、または、接着剤の圧力導入口への侵入を防止するこ
とができ圧力測定不能となることを防止することができ
る。
【0028】請求項4記載の圧力センサチップの実装方
法では、圧力導入口と略同サイズの穴を設けたシート状
の接着樹脂(エポキシ樹脂等)を介して圧力センサチッ
プをボディに接着することにより、接着剤の量、接着樹
脂の厚さ、供給方法の管理を厳密に行えるので、ダイヤ
フラムへの接着剤付着、または、接着剤によって圧力導
入口が塞がれて圧力測定不能となることを防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の圧力センサの一実施例を示す断面図で
ある。
【図2】本発明の圧力センサの異なる実施例を示す断面
図である。
【図3】本発明の圧力センサのさらに異なる実施例を示
す断面図である。
【図4】本発明の圧力センサのさらに異なる実施例を示
す断面図である。
【図5】本発明の圧力センサのさらに異なる実施例を示
す図で、(a)はリングを接着した状態を示す断面図
で、(b)は圧力センサチップを接着した状態を示す断
面図である。
【図6】本発明の圧力センサのさらに異なる実施例を示
す図で、(a)は接着剤侵入防止手段を接着剤で形成し
た状態を示す断面図で、(b)は圧力センサチップを接
着した状態を示す断面図である。
【図7】本発明の圧力センサのさらに異なる実施例を示
す断面図である。
【図8】本発明の圧力センサチップの実装方法の一実施
例を示す図で、(a)は接着樹脂の平面図で、(b)は
圧力センサの圧力センサチップ実装位置での断面図であ
る。
【図9】従来の圧力センサの一例を示す断面図である。
【図10】従来の圧力センサの異なる例を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
1 ボディ 1a 圧力導入口 1c テーパ(接着剤逃がし手段) 1e 段差形状(接着剤逃がし手段) 1f 溝(接着剤逃がし手段) 1g 凸部(接着剤侵入防止手段) 2 圧力センサチップ 5 リング(接着剤侵入防止手段) 6 接着剤(接着剤侵入防止手段) 7 管(接着剤侵入防止手段) 8 エポキシ樹脂板(接着樹脂) 8a 穴

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧
    力センサにおいて、圧力センサチップ実装位置に設けら
    れた圧力導入口の周囲に接着剤逃がし手段を設けたこと
    を特徴とする圧力センサ。
  2. 【請求項2】 半導体ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧
    力センサにおいて、圧力センサチップ実装位置に設けら
    れた圧力導入口の周囲に凸状の接着剤流れ防止手段を設
    けたことを特徴とする圧力センサ。
  3. 【請求項3】 前記接着剤流れ防止手段が前記圧力導入
    口に沿って、その一方の端面が前記圧力センサチップ実
    装面より所定高さ突出するように埋め込まれた管である
    ことを特徴とする請求項2記載の圧力センサ。
  4. 【請求項4】 半導体ピエゾ抵抗効果を用いた半導体圧
    力センサチップの実装方法において、中央付近に穴を設
    けたシート状の接着樹脂を、前記穴が圧力導入口の上方
    に位置するように配置し、前記接着樹脂上に前記半導体
    圧力センサチップを配置して圧力センサの本体に前記半
    導体圧力センサチップを固着させることを特徴とする圧
    力センサチップの実装方法。
JP11310294A 1994-05-26 1994-05-26 圧力センサ及び圧力センサチップの実装方法 Pending JPH07321344A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010036280A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Fuji Electric Holdings Co Ltd Mems構造体の製造方法
US8552514B2 (en) 2010-07-02 2013-10-08 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor
JP2020187046A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 アズビル株式会社 圧力センサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010036280A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Fuji Electric Holdings Co Ltd Mems構造体の製造方法
US8552514B2 (en) 2010-07-02 2013-10-08 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor
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Effective date: 20020625