JPH07316814A - Thin film treating equipment - Google Patents
Thin film treating equipmentInfo
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- JPH07316814A JPH07316814A JP6137996A JP13799694A JPH07316814A JP H07316814 A JPH07316814 A JP H07316814A JP 6137996 A JP6137996 A JP 6137996A JP 13799694 A JP13799694 A JP 13799694A JP H07316814 A JPH07316814 A JP H07316814A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は薄膜処理設備に関する。
さらに詳しくは、金属板やガラス板、シリコンウェハー
のような平板状被処理物の表面に、薄膜堆積、ＩＴＯ膜
形成、エッチング等の成膜処理を行う薄膜処理設備に関
する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to thin film processing equipment.
More specifically, the present invention relates to a thin film processing facility for performing film forming processing such as thin film deposition, ITO film formation, and etching on the surface of a flat object to be processed such as a metal plate, a glass plate, and a silicon wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の薄膜処理設備の一例として、特公
平５−76544 号公報に記載された装置（従来例Ｉ）があ
る。この従来例Ｉでは、真空処理室の入側に入側ロード
室を設置し、出側に出側ロード室を設置しており、トレ
ー（被処理治具）に基板を載せて、入側ロード室、真空
処理室、出側ロード室を循環するようにしている。とこ
ろが、上記のトレーが基板といっしょに循環する従来例
Ｉでは、トレーが汚染されるので、トレーを洗浄する設
備が必要となり、高価な設備となる欠点がある。2. Description of the Related Art As an example of conventional thin film processing equipment, there is an apparatus (conventional example I) described in Japanese Patent Publication No. 5-76544. In this conventional example I, an inlet side load chamber is installed on the inlet side of the vacuum processing chamber, and an outlet side load chamber is installed on the outlet side. The substrate is placed on a tray (jig to be processed) to load the inlet side load chamber. It circulates through the chamber, the vacuum processing chamber, and the outlet load chamber. However, in the conventional example I in which the tray is circulated together with the substrate, the tray is contaminated, so that equipment for cleaning the tray is required and there is a drawback that the equipment is expensive.
【０００３】上記の問題を解消したものとして、カセッ
トToカセット方式といわれる薄膜処理設備がある。この
カセットToカセット方式とは、基板を大気中あるいは真
空下でカセットから基板を１枚ずつ出して成膜処理し、
また処理済みの基板を１枚ずつカセットに収納する方式
で、成膜処理中に基板はカセットから離れているので、
前記従来例例Ｉのような汚染の問題は生じないのであ
る。このカセットToカセット方式の従来技術として実公
平５−79752 号公報に記載された薄膜処理設備（従来例
II）がある。この従来例IIは、ロード室と真空処理室を
ゲート弁を介して連設したことを基本構造としている。
そして、ロード室内のカセットに多数の基板を載せた
後、ロード室内を真空引きし、所定の真空度に達した
後、ゲート弁を開いて常時真空に保っている真空処理室
へ基板を送り込み、真空処理室で成膜処理を行う。成膜
処理の済んだ基板は、再びゲート弁を通ってロード室に
取り込み、カセットに収納する。そして、ゲート弁を閉
めてロード室を大気に戻したあと、処理済み基板を収納
したカセットを取り出すよう構成されている。As a solution to the above problems, there is a thin film processing facility called a cassette to cassette system. This cassette-to-cassette method is a method of taking out substrates one by one from the cassette in the atmosphere or under vacuum and performing film formation processing.
In addition, the processed substrates are stored in a cassette one by one, and since the substrates are separated from the cassette during the film formation process,
The problem of contamination unlike the conventional example I does not occur. The thin film processing equipment (conventional example) described in Japanese Utility Model Publication No. 5-79752 as the conventional technology of this cassette to cassette system.
II) The conventional example II has a basic structure in which a load chamber and a vacuum processing chamber are connected to each other through a gate valve.
Then, after placing a large number of substrates on the cassette in the load chamber, the load chamber is evacuated, and after reaching a predetermined degree of vacuum, the substrates are sent to the vacuum processing chamber that is always kept in vacuum by opening the gate valve, A film forming process is performed in the vacuum processing chamber. The substrate on which the film formation process has been completed is again taken into the load chamber through the gate valve and stored in the cassette. Then, after closing the gate valve and returning the load chamber to the atmosphere, the cassette containing the processed substrate is taken out.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来例
IIでは、ローディング（所定の真空度に達するまで空
気を抜く作業）、成膜処理（処理前後の基板の送出し
と収納を含む）、アンローディング（真空状態から徐
々に大気状態に戻す作業）の各工程を、一工程ずつ順に
完了させないと、次回処理作業にかかることができなか
った。換言すれば、のローディング工程とのアンロ
ード工程は実質的に成膜処理に貢献していないむだ時間
であるにも拘らず、そのようなむだ時間が必ず消費され
るので、成膜処理能力の向上に大きな限界をもたらして
いた。By the way, the above-mentioned conventional example
In II, loading (work to remove air until a predetermined vacuum level is reached), film formation processing (including sending and storing of substrates before and after processing), and unloading (work to gradually return from a vacuum state to an atmospheric state) Unless each step was completed in sequence, the next processing operation could not be started. In other words, even though the loading process and the unloading process are dead time that does not substantially contribute to the film forming process, such dead time is always consumed, so It brought great limits to improvement.
【０００５】本発明はかかる事情に鑑み、上記のむだ時
間をなくし、全工程を通した基板１枚当りの成膜処理所
要時間を短縮し、処理能力の大幅な向上を可能とした薄
膜処理設備を提供することを目的とする。また、本発明
はクリーンルームの設置面積を小さくし、ひいては設備
全体をコンパクトにできる薄膜処理設備の提供を目的と
する。In view of such circumstances, the present invention eliminates the dead time described above, shortens the time required for the film forming process per substrate through all the steps, and makes it possible to greatly improve the processing capacity. The purpose is to provide. It is another object of the present invention to provide a thin film processing equipment which can reduce the installation area of a clean room and can make the entire equipment compact.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】第１発明（請求項１の発
明）の薄膜処理設備は、基板を搭載したカセットの送り
手段を備えている基板準備ステージと、前記基板準備ス
テージに第１ゲート弁を介して連接されており、真空装
置とカセット送り手段を備えたロード室と、前記ロード
室に第２ゲート弁を介して連接されており、カセット内
の基板を１枚ずつ送り出す枚葉送出し手段と、カセット
旋回搬送手段を備えた基板枚葉送りステージと、前記基
板枚葉送りステージに連接された前処理室と、基板に成
膜処理する成膜処理室と、後処理室をその順に設けてな
る真空処理室と、前記真空処理室の後処理室に連接され
ており、処理済みの基板を１枚ずつカセット内に収納す
る枚葉受取り手段と、カセット旋回搬送手段を備えた基
板枚葉受取りステージと、前記基板枚葉受取りステージ
に第３ゲート弁を介して連接されており、真空送置とカ
セット送り手段を備えたアンロード室と、前記アンロー
ド室に第４ゲート弁を介して連接されており、処理済み
基板を搭載したカセットの送り手段を備えている基板取
出ステージと、前記基板枚葉送りステージから前記基板
枚葉受取りステージへ、搭載していた基板を全て送り出
した空のカセットを送る搬送手段を備えたカセット搬送
室とからなることを特徴とする。上記第１発明におい
て、各室等の配置レイアウトは第１発明の必須の構成要
件を満たす限り自由であり、たとえば次のような態様が
ある。第１発明の好ましい一つの態様は、前記基板準備
ステージ、ロード室、基板枚葉送りステージおよび前処
理室を一直線にその順で設置し、それと平行であって同
方向に前記基板取出ステージ、アンロード室、基板枚葉
受取りステージおよび後処理室を一直線にその順で設置
しており、かつ前記基板枚葉送りステージと基板枚葉受
取りステージとを連結するカセット搬送室と前記真空処
理室の成膜処理室を互いに平行に設置してなる薄膜処理
設備である。また、第１発明の好ましい他の態様は、前
記基板準備ステージ、ロード室、基板枚葉送りステー
ジ、該基板枚葉送りステージに連設される前処理室と該
前処理室に連設される成膜処理室と該成膜処理室に連設
される後処理室からなる真空処理室、基板枚葉受取りス
テージ、アンロード室および基板取出ステージを一直線
にその順で設置し、カセット搬送室が、前記基板枚葉送
りステージ、真空処理室および基板枚葉受取りステージ
の側方に設置されてなる薄膜処理設備である。更に第２
発明（請求項４の発明）の薄膜処理設備は、基板を搭載
したカセットの送り手段を備えている基板準備ステージ
と、前記基板準備ステージに第１ゲート弁を介して連接
されており、真空装置とカセット送り手段を備えたロー
ド室と、前記ロード室に第２ゲート弁を介して連接され
ており、カセット内の基板を１枚ずつ送り出す枚葉送出
し手段を備えた基板枚葉送りステージと、前記基板枚葉
送りステージに連接された前処理室と基板に成膜処理す
る成膜処理室と後処理室をその順に設けてなる真空処理
室と、前記真空処理室の後処理室に連接されており、処
理済みの基板を１枚ずつカセット内に収納する枚葉受取
り手段を備えた基板枚葉受取りステージと、前記基板枚
葉受取りステージに第３ゲート弁を介して連接されてお
り、真空送置とカセット送り手段を備えたアンロード室
と、前記アンロード室に第４ゲート弁を介して連接され
ており、処理済み基板を搭載したカセットの送り手段を
備えている基板取出ステージとを備え、前記基板準備ス
テージ、ロード室、基板枚葉送りステージ、真空処理
室、基板枚葉受取りステージ、アンロード室および基板
取出ステージを一直線にその順で設置し、基板枚葉送り
ステージと基板枚葉受取りステージ間に配設されるカセ
ット搬送室が前記真空処理室の上方または下方に設置さ
れていることを特徴とする。According to the thin film processing equipment of the first invention (the invention of claim 1), there is provided a substrate preparation stage having a cassette feeding means for mounting a substrate, and a first gate on the substrate preparation stage. A load chamber, which is connected through a valve, is equipped with a vacuum device and a cassette feeding means, and is connected to the load chamber through a second gate valve, and feeds the substrates in the cassette one by one. And a pre-processing chamber connected to the substrate single-wafer feeding stage, a film-forming processing chamber for forming a film on the substrate, and a post-processing chamber. A substrate provided with a vacuum processing chamber which is provided in order and a post-processing chamber of the vacuum processing chamber, which is provided with a single-wafer receiving means for storing processed substrates one by one in a cassette, and a cassette swiveling and conveying means. Single-wafer receiving station And an unloading chamber that is connected to the substrate single-wafer receiving stage through a third gate valve, and has an evacuating and cassette feeding means, and the unloading chamber that is connected to the unloading chamber through a fourth gate valve. A substrate take-out stage equipped with a cassette feeding means that carries processed substrates, and an empty cassette that has fed out all the loaded substrates from the substrate single-wafer feeding stage to the substrate single-wafer receiving stage. And a cassette carrying chamber provided with a carrying means for sending the paper. In the above-mentioned first invention, the layout of each room and the like is free as long as the essential structural requirements of the first invention are satisfied, and there are, for example, the following modes. In a preferred aspect of the first invention, the substrate preparation stage, the loading chamber, the substrate single-wafer feeding stage, and the pretreatment chamber are installed in a straight line in that order, and the substrate extracting stage and A load chamber, a substrate-wafer receiving stage, and a post-treatment chamber are installed in a straight line in that order, and a cassette transfer chamber for connecting the substrate-wafer feeding stage and the substrate-wafer receiving stage and a vacuum processing chamber are formed. This is a thin film processing facility in which the film processing chambers are installed parallel to each other. In another preferred aspect of the first invention, the substrate preparation stage, the load chamber, the substrate single-wafer feed stage, a pretreatment chamber connected to the substrate single-leaf feed stage, and a pretreatment chamber connected to the pretreatment chamber. A vacuum processing chamber including a film forming processing chamber and a post-processing chamber connected to the film forming processing chamber, a substrate single-wafer receiving stage, an unloading chamber, and a substrate unloading stage are installed in a straight line in that order, and a cassette transfer chamber is provided. A thin film processing equipment installed laterally of the substrate single-wafer feeding stage, the vacuum processing chamber, and the substrate single-wafer receiving stage. Further second
In the thin film processing equipment of the invention (the invention of claim 4), a substrate preparation stage equipped with a cassette loading means for mounting a substrate is connected to the substrate preparation stage via a first gate valve, and a vacuum device is provided. A load chamber having a cassette feeding means, and a substrate single-wafer feeding stage having a single-wafer feeding means that is connected to the load chamber via a second gate valve and feeds the substrates in the cassette one by one. , A vacuum processing chamber in which a pre-processing chamber connected to the substrate single-wafer feeding stage, a film forming processing chamber and a post-processing chamber for forming a film on a substrate are provided in that order, and a vacuum processing chamber is connected to a post-processing chamber. And a substrate single-wafer receiving stage having a single-wafer receiving means for storing processed substrates one by one in a cassette, and the substrate single-wafer receiving stage is connected to the substrate single-wafer receiving stage via a third gate valve, Vacuum transfer and power An unloading chamber having a feeding means and a unloading chamber connected to the unloading chamber via a fourth gate valve, and a substrate unloading stage having a feeding means for a cassette carrying a processed substrate, The substrate preparation stage, the load chamber, the substrate single-wafer feeding stage, the vacuum processing chamber, the substrate single-wafer receiving stage, the unload chamber and the substrate unloading stage are installed in a straight line in that order, and the substrate single-wafer feeding stage and the substrate single-wafer receiving The cassette transfer chamber arranged between the stages is installed above or below the vacuum processing chamber.
【０００７】[0007]
【作用】本発明（第１発明および第２発明を含む。以下
同じ）では、カセットから送り出される基板が枚葉送り
ステージ、真空処理室、枚葉受取りステージの処理ルー
トを通って成膜処理されるのに対し、カセットは枚葉送
りステージからカセット搬送室を経て枚葉受取りステー
ジに達する搬送ルートを送られる。この搬送ルートは前
記処理ルートに対し、バイパスした別ルートであるた
め、基板の処理状況に拘束されずにカセットを枚葉送り
ステージから枚葉受取りステージへ回送することができ
る。処理手順をみてみると、基板準備ステージでカセッ
トに積込まれた基板はロード室を経て枚葉送りステージ
に到着し、ここからは基板のみが前記処理ルートを通っ
て成膜処理され、枚葉受取りステージに至る。枚葉受取
りステージでは前回処理作業で基板を搬入してきたカセ
ットが空の状態で待機しており、処理済みの基板はこの
空のカセットに１枚ずつ収納される。そして、全ての処
理済み基板を回収したカセットは、アンロード室を経て
基板取出しステージに行き、ここで取出される。また、
枚葉送りステージには次に処理すべき基板を積載したカ
セットが、基板準備ステージからロード室を経て到着し
ている。そして、基板を枚葉送りステージから１枚ずつ
真空処理室へ送って成膜処理している間に、次回作業で
処理予定の基板をロード室でローディングすることがで
き、ローディングのみに費やす時間を実質的に無くする
ことができる。同様に枚葉受取りステージで処理済み基
板をカセットに収納している間に、前回作業における処
理済み基板を搭載しているカセットをアンロード室でア
ンローディングすることができ、アンローディングのみ
に費やす時間を実質的に無くすことができる。したがっ
て、本発明ではむだ時間がなくなるので、基板１枚当り
の処理時間を大幅に短縮することができ、処理能力を飛
躍的に向上することができる。また、第１発明におい
て、前記基板準備ステージ、ロード室、基板枚葉送りス
テージおよび前処理を一直線にその順で設置し、それと
平行であって同方向に前記基板取出ステージ、アンロー
ド室、基板枚葉受取りステージおよび後処理室を一直線
にその順で設置したときは、ロード室とアンロード室が
近接するので、同一のクリーンルーム内に設置すること
ができ、クリーンルームの設置面積を小さくすると共に
薄膜処理設備をコンパクトにすることができる。さら
に、第２発明では、カセット搬送室を前記真空処理の上
方または下方に設置しているので、真空処理室の側方に
スペースを必要としないので、設置面積をさらに小さく
することができる。また、基板枚葉送りステージと基板
枚葉受取りステージにおけるカセット昇降機構の昇降ス
トロークを略カセット高さ分だけ増やす必要はあるが、
カセット旋回手段が不要になるので構造が簡単になり設
備費の低減に寄与できる。In the present invention (including the first invention and the second invention, the same applies hereinafter), the substrate delivered from the cassette is subjected to film formation processing through the processing route of the single-wafer feeding stage, the vacuum processing chamber, and the single-wafer receiving stage. On the other hand, the cassette is sent from the single-sheet feeding stage through the cassette transport chamber to the single-sheet receiving stage through the transport route. Since this transfer route is a different route bypassing the processing route, the cassette can be transferred from the single-wafer feeding stage to the single-wafer receiving stage without being restricted by the processing condition of the substrate. Looking at the processing procedure, the substrates loaded in the cassette at the substrate preparation stage arrive at the single-wafer feeding stage through the load chamber, from which only the substrate is film-formed through the processing route, and the single-wafer processing is performed. Receiving stage. At the single-wafer receiving stage, the cassette into which the substrate has been loaded in the previous processing operation is on standby in an empty state, and the processed substrates are stored one by one in this empty cassette. Then, the cassette in which all the processed substrates are collected goes through the unload chamber to the substrate taking-out stage, where the cassette is taken out. Also,
A cassette loaded with a substrate to be processed next arrives at the single-wafer feeding stage from the substrate preparation stage through the load chamber. Then, while the substrates are sent from the single-wafer feeding stage to the vacuum processing chamber one by one, the substrates to be processed can be loaded in the loading chamber in the next work, and the time spent only for the loading can be reduced. It can be virtually eliminated. Similarly, while the processed substrates are being stored in the cassette at the single-wafer receiving stage, the cassette loaded with the processed substrates from the previous work can be unloaded in the unload chamber, and the time spent only for unloading Can be substantially eliminated. Therefore, in the present invention, the dead time is eliminated, so that the processing time per substrate can be greatly shortened, and the processing capacity can be dramatically improved. Further, in the first invention, the substrate preparation stage, the loading chamber, the substrate single-wafer feeding stage, and the pretreatment are installed in a straight line in that order, and the substrate unloading stage, the unload chamber, and the substrate are arranged in the same direction and in the same direction. When the single-wafer receiving stage and the post-treatment chamber are installed in a straight line in that order, the loading chamber and the unloading chamber are close to each other, so they can be installed in the same clean room, reducing the installation area of the clean room and thin film. The processing equipment can be made compact. Further, in the second aspect of the invention, since the cassette transfer chamber is installed above or below the vacuum processing, no space is required on the side of the vacuum processing chamber, so that the installation area can be further reduced. Also, although it is necessary to increase the lifting stroke of the cassette lifting mechanism in the substrate single-wafer feeding stage and the substrate single-wafer receiving stage by approximately the cassette height,
Since the cassette turning means is not required, the structure is simplified and the equipment cost can be reduced.
【０００８】[0008]
【実施例】つぎに、本発明の実施例を図面に基づき説明
する。図１は第１発明の一実施例に係わる薄膜処理設備
の概略平面図、図２は図１のII−II線断面図、図３は図
１のIII −III 線断面図である。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. 1 is a schematic plan view of a thin film processing facility according to an embodiment of the first invention, FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III of FIG.
【０００９】図１〜３に示すように、基板準備ステージ
１、ロード室２、基板枚葉送りステージ３、真空処理室
10の前処理室11と第１方向転換ステージ12が一直線にそ
の順で設置されており、その側方において平行かつ同方
向に、基板取出ステージ７、アンロード室６、基板枚葉
受取ステージ５、真空処理室10の後処理室15と、第２方
向転換ステージ14がその順で設置されている。そして、
基板枚葉送りステージ３と基板枚葉受取りステージ５と
の間はカセット搬送室４で連結されており、真空処理室
10の第１，第２方向転換ステージ12，14の間に成膜処理
室13が設置されている。上記のカセット搬送室４と成膜
処理室13は互いに平行となっている。As shown in FIGS. 1 to 3, a substrate preparation stage 1, a loading chamber 2, a substrate single-wafer feeding stage 3, a vacuum processing chamber.
The ten pretreatment chambers 11 and the first direction changing stage 12 are installed in a straight line in that order, and the substrate take-out stage 7, the unloading chamber 6, the substrate single-wafer receiving stage 5 are arranged in parallel and in the same direction on the side thereof. The post-processing chamber 15 of the vacuum processing chamber 10 and the second direction changing stage 14 are installed in that order. And
A cassette transfer chamber 4 is connected between the substrate single-wafer feeding stage 3 and the substrate single-wafer receiving stage 5, and is a vacuum processing chamber.
A film forming processing chamber 13 is installed between the ten first and second direction changing stages 12 and 14. The cassette transfer chamber 4 and the film formation processing chamber 13 are parallel to each other.
【００１０】基板準備ステージ１とロード室２との間に
は第１ゲート弁21が設置され、該ロード室２と基板枚葉
送りステージ３との間には第２ゲート弁22が設置されて
いる。また基板枚葉受取りステージ５とアンロード室６
との間には第３ゲート弁23が設置され、アンロード室６
と基板取出ステージ７との間には第４ゲート弁24が設置
されている。ロード室２とアンロード室３とは真空装置
（空気を排気する真空ポンプなど）を備えており、室内
を所定の真空度にまで真空にしたり、（以下、ローディ
ングという）、また真空状態から大気に戻すこと（以
下、アンローディングという）ができるようになってい
る。A first gate valve 21 is installed between the substrate preparation stage 1 and the loading chamber 2, and a second gate valve 22 is installed between the loading chamber 2 and the substrate single-wafer feeding stage 3. There is. Also, the substrate single-wafer receiving stage 5 and the unload chamber 6
A third gate valve 23 is installed between the
A fourth gate valve 24 is installed between the substrate extraction stage 7 and the substrate extraction stage 7. The load chamber 2 and the unload chamber 3 are equipped with a vacuum device (a vacuum pump for exhausting air, etc.), and the chamber can be evacuated to a predetermined degree of vacuum (hereinafter referred to as loading), or from a vacuum state to the atmosphere. It can be returned to (hereinafter referred to as unloading).
【００１１】前記基板枚葉送りステージ３と前処理室11
との間には第５ゲート弁25が設置され、第１方向転換ス
テージ12と成膜処理室13との間には第６ゲート弁26が設
置され、また成膜処理室13と第２方向転換ステージ14と
の間に第７ゲート弁27が設置され、後処理室15と基板枚
葉受取りステージ５との間に第８ゲート弁28が設置され
ている。なお、基板枚葉送りステージ３、カセット搬送
室４および基板枚葉受取りステージ５、そして真空処理
室10を構成する前処理室11、第１、第２方向転換ステー
ジ12、14、成膜処理室13および後処理室15はいずれも操
業中は真空状態に保たれているので、第５〜８ゲート弁
25〜28は必ずしも必須ではないが、保守点検等の便宜の
ために設けられている。前記第１〜第８ゲ―ト弁21〜28
は、いずれも真空と大気間を気密に仕切る真空仕切り弁
といわれるものである。The substrate single-wafer feeding stage 3 and the pretreatment chamber 11
A fifth gate valve 25 is installed between the first direction change stage 12 and the film forming processing chamber 13, and a sixth gate valve 26 is installed between the first direction changing stage 12 and the film forming processing chamber 13. The seventh gate valve 27 is installed between the conversion stage 14 and the eighth gate valve 28 is installed between the post-processing chamber 15 and the substrate single-wafer receiving stage 5. It should be noted that the substrate single-wafer feeding stage 3, the cassette transfer chamber 4, the substrate single-wafer receiving stage 5, and the pretreatment chamber 11, which constitutes the vacuum processing chamber 10, the first and second direction changing stages 12 and 14, the film forming chamber Since both 13 and the post-treatment chamber 15 are kept in a vacuum state during operation, the 5th to 8th gate valves
25 to 28 are not necessarily required, but are provided for convenience of maintenance and inspection. The first to eighth gate valves 21 to 28
Both are called vacuum sluice valves that hermetically separate the vacuum from the atmosphere.
【００１２】つぎに、各部の構成を詳細に説明する。図
４〜５は基板準備ステージ１の平面図と側面図である。
この基板準備ステージ１は基板ＰをカセットＣに搭載す
るための作業ステーションで、カセットＣをロード室２
に送り込むためのカセット送り手段を備えている。この
カセット送り手段はフレーム31に軸支された多数のロー
ラ32と、該ローラ32と同軸のスプロケットに巻き掛けら
れたチェーン33と駆動モータ34等からなり、カセットＣ
を載置して、ロ―ド室２方向へ送りをかけるようになっ
ている。なお、カセット送り手段は上記に限ることな
く、カセットＣをロード室２に送り込むことができれ
ば、どのような手段を採用してもよい。また、基板取出
ステージ７も実質的に同様の構成である。カセットＣは
枠状の搬送用部材であり、内部に多数（例えば30枚程
度）の基板Ｐを積載できるようになっている。Next, the configuration of each part will be described in detail. 4 to 5 are a plan view and a side view of the substrate preparation stage 1.
The substrate preparation stage 1 is a work station for mounting the substrate P on the cassette C, and the cassette C is loaded on the loading chamber 2
It is provided with a cassette feeding means for feeding to. The cassette feeding means comprises a large number of rollers 32 pivotally supported by the frame 31, a chain 33 wound around a sprocket coaxial with the rollers 32, a drive motor 34, etc.
Is placed and is fed in the direction of the load chamber 2. The cassette feeding means is not limited to the above, and any means may be adopted as long as the cassette C can be fed into the load chamber 2. The substrate take-out stage 7 also has substantially the same configuration. The cassette C is a frame-shaped transfer member, and can accommodate a large number (for example, about 30) of substrates P therein.
【００１３】図６〜７はロード室２の平面図と側面図で
ある。ロード室２は第１，第２ゲート弁21，22を閉じる
と密閉空間となる部屋であり、前記した真空装置（図示
省略）とカセット送り手段を備えている。このカセット
送り手段は前記基板準備ステージ１と実質的に同一であ
るので、同一符号を付して説明を省略する。また同じ機
能を果すなら別の手段を採用してよいこと勿論である。
そして、アンロード室６も実質的に同様の構成である。6 to 7 are a plan view and a side view of the load chamber 2. The load chamber 2 is a chamber that becomes a closed space when the first and second gate valves 21 and 22 are closed, and includes the above-described vacuum device (not shown) and cassette feeding means. Since this cassette feeding means is substantially the same as the substrate preparation stage 1, the same reference numerals are given and description thereof is omitted. Further, it goes without saying that another means may be adopted if the same function is achieved.
The unload chamber 6 has substantially the same structure.
【００１４】図８は基板枚葉送りステージ３の平面図、
図９はカセット旋回搬送手段と基板枚葉送出し手段の一
部断面正面図である。41は枚葉送りステージ３の固定フ
レームであり、固定フレーム41に固定された軸受42に旋
回フレーム43のボス部が回転自在に挿入されており、こ
の旋回フレーム43はモータ44で駆動される歯車機構45に
より旋回されるようになっている。また旋回フレーム43
上には２本の支柱46が立設され、支柱46の上端に上部フ
レーム47が固定されている。一方、旋回フレーム43のボ
ス部を貫いて昇降支柱51が設けられており、この昇降支
柱51の上端には昇降フレーム52が取付けられている。ま
た、前記支柱46は昇降フレーム52を貫いている。したが
って、旋回フレ―ム43を旋回させると２本の支柱46が回
転トルクを伝達して昇降フレ―ム52を旋回させることが
できる。この旋回機構はカセット旋回搬送手段の一部を
構成している。前記昇降支柱51の下端には昇降駆動板53
が取付けられており、この昇降駆動板53には図12に併せ
て示すように、ガイド54とナット55が取付けられてい
る。そして固定フレーム41に固定されたガイドロット56
が前記ガイド54を貫き、固定フレーム41に回転自在に支
持されているネジ軸57が前記ナット55に螺合している。
そして、ネジ軸57にはモータ58を直結するか、チェーン
59等で動力を伝達し、回転するように構成している。か
かる構成によりネジ軸57を回転させると昇降駆動板53が
昇降し、その動きが昇降支柱51、昇降フレーム52に伝え
られて、カセットＣを昇降させることができる。この昇
降機構は枚葉送出し手段の一部を構成している。そし
て、前記昇降フレーム52の両端部にはカセット旋回搬送
手段を構成するローラ32の支持フレーム31が固定されて
いる。また、前記上部フレーム47には基板Ｐを１枚ずつ
送るための枚葉送出し手段が取付けられている。FIG. 8 is a plan view of the substrate single-wafer feeding stage 3,
FIG. 9 is a partial cross-sectional front view of the cassette turning and conveying means and the substrate single-wafer feeding means. Reference numeral 41 denotes a fixed frame of the single-wafer feed stage 3, and a boss portion of a turning frame 43 is rotatably inserted into a bearing 42 fixed to the fixed frame 41. The turning frame 43 is a gear driven by a motor 44. It is designed to be rotated by the mechanism 45. Also swivel frame 43
Two columns 46 are erected on the upper side, and an upper frame 47 is fixed to the upper ends of the columns 46. On the other hand, an elevating column 51 is provided penetrating the boss portion of the revolving frame 43, and an elevating frame 52 is attached to the upper end of the elevating column 51. Further, the column 46 penetrates the elevating frame 52. Therefore, when the swivel frame 43 is swung, the two columns 46 can transmit the rotational torque to swivel the elevating frame 52. This turning mechanism constitutes a part of the cassette turning and conveying means. A lift drive plate 53 is provided at the lower end of the lift column 51.
Is attached, and a guide 54 and a nut 55 are attached to the lifting drive plate 53, as also shown in FIG. And the guide lot 56 fixed to the fixed frame 41
A screw shaft 57 that penetrates the guide 54 and is rotatably supported by the fixed frame 41 is screwed into the nut 55.
Then, connect the motor 58 directly to the screw shaft 57, or
It is configured to transmit power by 59 and rotate. With this configuration, when the screw shaft 57 is rotated, the elevating drive plate 53 moves up and down, and the movement is transmitted to the elevating column 51 and the elevating frame 52, so that the cassette C can be moved up and down. This lifting mechanism constitutes a part of the single-wafer feeding means. Further, the support frames 31 of the rollers 32 constituting the cassette turning and conveying means are fixed to both ends of the elevating frame 52. Further, the upper frame 47 is provided with a single-sheet feeding means for feeding the substrates P one by one.
【００１５】つぎに上記枚葉送出し手段の詳細を述べ
る。図10（ａ）は図９のＸ部の拡大図、図10（ｂ）は図
10（ａ）のＺ線矢視部分平断面図である。カセットＣの
縦枠63の下端には横梁62が取付けられており、その横梁
62はローラ32の上に載せられている。31はロ―ラ32を載
置するフレ―ムであり、35はチェーン33を巻き掛けたス
プロケットである。これらのロ―ラ32、スプロケット35
等によるカセットＣの送り機構は基板準備ステ―ジ１や
ロード室２のカセット送り手段と実質的に異なるところ
はない。そのため同一符号を付して詳細説明を省略す
る。この送り機構と前記旋回機構とでカセット旋回搬送
手段が構成されている。その動作は次のとおりである。
すなわち、図９に示す旋回フレーム43を旋回させると、
その動きが２本の支柱46によって昇降フレーム52に伝え
られ昇降フレーム52が旋回する。したがって、図８に矢
印ａで示すようにカセットＣを前処理室11に向けた図示
の状態と、カセット搬送室４に向けた状態との間で向き
を変えることができる。ここで、ローラ32を転動させる
とカセットＣをカセット搬送室４へ送り込むことができ
るのである。Next, details of the above-mentioned single-wafer feeding means will be described. 10 (a) is an enlarged view of part X in FIG. 9, and FIG. 10 (b) is a view.
FIG. 10 is a partial plan sectional view taken along the line Z of FIG. A horizontal beam 62 is attached to the lower end of the vertical frame 63 of the cassette C.
62 is mounted on the roller 32. Reference numeral 31 is a frame on which the roller 32 is placed, and 35 is a sprocket around which the chain 33 is wound. These rollers 32, sprockets 35
The mechanism for feeding the cassette C by means such as the above is not substantially different from the cassette feeding means in the substrate preparation stage 1 or the loading chamber 2. Therefore, the same reference numerals are given and detailed description is omitted. The feeding mechanism and the swiveling mechanism constitute cassette swiveling and conveying means. The operation is as follows.
That is, when the turning frame 43 shown in FIG. 9 is turned,
The movement is transmitted to the elevating frame 52 by the two columns 46, and the elevating frame 52 turns. Therefore, as shown by the arrow a in FIG. 8, the direction can be changed between the illustrated state in which the cassette C is directed to the pretreatment chamber 11 and the state in which the cassette C is directed to the cassette transfer chamber 4. Here, by rolling the roller 32, the cassette C can be sent to the cassette transport chamber 4.
【００１６】図11は図10のＹ部の拡大図である。図10〜
11に示すようにカセットＣの内側の縦枠63にはクシ歯状
の溝64が上下方向に多数形成されており、一つ一つの溝
64に１枚ずつ基板Ｐが収納されている。一方、上部フレ
ーム47の両端部にはフレーム65で軸支された支軸66にロ
ーラ67が取付けられており、このローラ67は、モータ68
の動力をチェーン69等で伝達して回転させるようにして
いる。このローラ67の回転により基板Ｐを送り出すこと
ができる。この送り出し機構と前記昇降機構とにより枚
葉送出し機構が構成されている。すなわち、ロ―ラ67を
回転させて基板Ｐを１枚送ると、カセットＣを溝64の１
ピッチ分だけ前記昇降機構によって下降させ、つぎの基
板Ｐをローラ67に接触させることができる。このような
操作を順次繰り返すことにより、全ての基板Ｐを１枚ず
つ枚葉送りすることができるのである。上記のカセット
旋回搬送手段と基板Ｐの枚葉送り出し手段は、同様の機
能を果すことができれば、上記以外のどのような機構を
用いてもよい。また、図３に示す基板枚葉受取りステー
ジ５は、前記基板枚葉送りステージ３と同様の構成が採
用されている。FIG. 11 is an enlarged view of portion Y in FIG. Figure 10 ~
As shown in FIG. 11, a large number of comb-shaped grooves 64 are formed in the vertical direction in the vertical frame 63 inside the cassette C.
One substrate P is stored in 64. On the other hand, rollers 67 are attached to both ends of the upper frame 47 on a support shaft 66 supported by a frame 65.
The power of is transmitted by the chain 69 etc. to rotate. The substrate P can be sent out by the rotation of the roller 67. The feeding mechanism and the elevating mechanism constitute a single-wafer feeding mechanism. That is, when the roller 67 is rotated to feed one substrate P, the cassette C is moved to the groove 64
The next substrate P can be brought into contact with the roller 67 by lowering the pitch by the lifting mechanism. By sequentially repeating such an operation, it is possible to feed all the substrates P one by one. Any mechanism other than the above may be used as the cassette swiveling and conveying means and the single-wafer feeding means for the substrate P as long as they can perform the same function. The substrate single-wafer receiving stage 5 shown in FIG. 3 has the same structure as the substrate single-wafer feeding stage 3.
【００１７】図13はカセット搬送室４の平面図である。
カセット送り手段は、ロード室２内の送り手段と実質的
に同一であり搬送距離が長くなっている点でのみ相違す
る。そのため同一符号を付して説明を省略する。したが
って、図３に示すようにローラ32を回転させることによ
って、基板を全て払い出した空のカセットＣを基板枚葉
送りステージ３から基板枚葉受取りステージ５に送り込
むことができる。図14は前処理室11の平面図であり、基
板を送る基板送り手段が設けられている。この基板送り
手段はフレーム71に軸支されたローラ72と該ローラ72と
同軸のスプロケット75と該スプロケット75に巻き掛けら
れたチェーン73とモータ74等からなる。モータ74により
ローラ72を回転させると、その上面に載せている基板Ｐ
に送りをかけることができる。また図示を省略している
が、この前処理室11には基板を加熱するための加熱装置
が設けられている。図１に示した成膜処理室13と後処理
室15に設けた基板送り手段は上記図14の例と同様であ
る。そして成膜処理室13には成膜処理のためのスパッタ
リング装置や蒸着装置、ＩＴＯ膜形成装置などが設置さ
れている。また後処理室15には基板を冷却するための冷
却装置が設置されている。FIG. 13 is a plan view of the cassette transfer chamber 4.
The cassette feeding means is substantially the same as the feeding means in the load chamber 2 and differs only in that the transport distance is long. Therefore, the same reference numerals are given and the description is omitted. Therefore, by rotating the roller 32 as shown in FIG. 3, the empty cassette C from which all the substrates have been dispensed can be sent from the substrate single-wafer feeding stage 3 to the substrate single-wafer receiving stage 5. FIG. 14 is a plan view of the pretreatment chamber 11, in which a substrate feeding means for feeding the substrate is provided. The substrate feeding means includes a roller 72 pivotally supported by the frame 71, a sprocket 75 coaxial with the roller 72, a chain 73 wound around the sprocket 75, a motor 74 and the like. When the roller 72 is rotated by the motor 74, the substrate P placed on the upper surface thereof is rotated.
Can be sent to. Although not shown, the pretreatment chamber 11 is provided with a heating device for heating the substrate. The substrate feeding means provided in the film forming processing chamber 13 and the post-processing chamber 15 shown in FIG. 1 are the same as those in the example shown in FIG. The film forming processing chamber 13 is provided with a sputtering device, a vapor deposition device, an ITO film forming device, etc. for the film forming process. Further, the post-processing chamber 15 is provided with a cooling device for cooling the substrate.
【００１８】図15は方向転換ステージ12の平面図、図16
は同縦断面図である。基板送り手段70は図14の例と実質
的に同一であるが、方向転換機能をもたせるため次の機
構を付加している。81は固定フレームであり、固定フレ
ーム81に固定された軸受82に旋回フレーム83のボス部84
が回転自在に挿入され、ボス部84の下端に取付けた歯車
85にモータ（図示省略）で回転される歯車86が噛み合っ
ており、歯車86を回転させることにより旋回フレーム83
が方向転換するようになっている。この旋回フレーム83
の上面に基板送り手段70のローラ72がフレーム71に支持
されて取付けられている。前記ローラ72に回転動力を伝
達する伝動軸91、92、93がかさ歯車で伝動方向を変えな
がら設けられており、伝動軸93は前記ボス部84の中心を
貫通している。そして伝動軸93の下端には傘歯車95が取
付けられ、モータ（図示省略）で回転される歯車95が噛
み合っている。したがって、歯車95を回転させることに
より、基板送り手段70のローラ72を回転させることがで
き、その動作は旋回フレーム83の旋回動作に影響される
ことがない。したがって、図15の状態で前処理室11から
基板Ｐを受取ると、矢印ｂ方向に90度旋回すれば成膜処
理室13に基板Ｐを送り込むことができる。なお上記の方
向転換装置は一例であり、基板を送る機能と方向転換す
る機能さえ有しておれば、どのような他の機構を採用し
てもよい。したがって、例えば互いに直交したローラコ
ンベヤを組合せ、一方のコンベヤを上昇させて一方向に
送りをかけ、つぎに他方のコンベヤを上昇させて（ある
いは前記一方のコンベヤを下降させて）直交方向に送り
をかける機構等を用いてもよい。FIG. 15 is a plan view of the direction changing stage 12, FIG.
Is a vertical sectional view of the same. The substrate feeding means 70 is substantially the same as the example of FIG. 14, but the following mechanism is added to have a direction changing function. Reference numeral 81 denotes a fixed frame. A bearing 82 fixed to the fixed frame 81 is attached to a boss portion 84 of a swivel frame 83.
Is rotatably inserted and is attached to the lower end of the boss 84.
A gear 86 that is rotated by a motor (not shown) meshes with 85, and by rotating the gear 86, the revolving frame 83
Are turning around. This swivel frame 83
The roller 72 of the substrate feeding means 70 is supported and attached to the frame 71 on the upper surface of the. Transmission shafts 91, 92, 93 for transmitting rotational power to the roller 72 are provided by bevel gears while changing the transmission direction, and the transmission shaft 93 penetrates the center of the boss portion 84. A bevel gear 95 is attached to the lower end of the transmission shaft 93, and a gear 95 rotated by a motor (not shown) meshes with the bevel gear 95. Therefore, by rotating the gear 95, the roller 72 of the substrate feeding means 70 can be rotated, and its operation is not affected by the revolving operation of the revolving frame 83. Therefore, when the substrate P is received from the pretreatment chamber 11 in the state of FIG. 15, the substrate P can be sent to the film forming treatment chamber 13 by turning 90 degrees in the direction of arrow b. The above-mentioned direction changing device is an example, and any other mechanism may be adopted as long as it has a function of feeding the substrate and a function of changing the direction. Thus, for example, by combining roller conveyors orthogonal to each other, one conveyor is raised to feed in one direction, and then the other conveyor is raised (or one of the conveyors is lowered) to feed in the orthogonal direction. A hanging mechanism or the like may be used.
【００１９】つぎに、図１に基づき上記実施例における
成膜処理作用を説明する。基板準備ステージ１でカセッ
トＣに基板Ｐを複数（例えば、30枚）積み込み、第１ゲ
ート弁21を開いてロード室２に送り込む。ここで第１ゲ
ート弁21を閉じて、ロード室２内を所定の真空度になる
までローディング（真空引き）する。ローディングを終
えると第２ゲート弁22を開いてカセットＣを基板枚葉送
りステージ３に送り込む。ここで、基板枚葉送り手段に
より、基板を１枚ずつカセットＣから取出し、前処理室
11に送り込む。この後、基板Ｐは前処理室11で加熱さ
れ、第１方向転換ステージ12で方向転換して成膜処理室
13に送り込まれ、成膜処理される。そして、第２方向転
換ステージ14に送り込まれ、ここで方向転換して後処理
室15に送られ、基板が冷却される。そして、さらに基板
枚葉受取りステージ５に送り込まれる。上記の基板Ｐの
流れは点線矢印で示すとおりであり、カセットＣ内の基
板Ｐは全枚数が順次に上記の成膜ルートを通って処理さ
れる。そして、全ての基板Ｃを送り出した後の空のカセ
ットＣは図９のカセット旋回搬送手段によって90°方向
転換した後、カセット搬送室４に送り込まれる。この空
のカセットＣは次の処理作業の基板を受取るため用いら
れるものであり、時間待ちの必要な間、カセット搬送室
４で待機している。基板Ｐを成膜処理している間、前回
の処理作業で使用したカセットＣが基板枚葉受取りステ
ージ５で待機しており、処理済み基板Pfを順次収納して
いく。そして、全枚数の処理済み基板Pfを収納したカセ
ットＣは第３ゲート弁23を開いてアンロード室６へ入
り、ここで大気状態に戻すアンローディングを行い、第
４ゲート弁24を開いて基板取出ステージ７に送られる。
なお、カセット搬送室４で待機していたカセットは全枚
数の処理済基板Pfを収納したカセットＣが第３ゲート弁
23を通過してアンロード室６に入ってゲート弁23を閉じ
た後、直ちに次回処理作業の基板の受取りのため、基板
枚葉受取りステージ５に進入する。Next, the film forming operation in the above embodiment will be described with reference to FIG. A plurality of substrates P (for example, 30 substrates) are loaded in the cassette C on the substrate preparation stage 1, the first gate valve 21 is opened, and the substrates P are sent to the load chamber 2. Here, the first gate valve 21 is closed, and the inside of the load chamber 2 is loaded (evacuated) until a predetermined vacuum degree is reached. When the loading is completed, the second gate valve 22 is opened to feed the cassette C to the substrate single-wafer feeding stage 3. Here, the substrates are taken out from the cassette C one by one by the substrate single-wafer feeding means,
Send to 11. After that, the substrate P is heated in the pre-treatment chamber 11 and is redirected by the first redirecting stage 12 to be deposited in the film deposition chamber.
It is sent to 13 and a film forming process is performed. Then, it is sent to the second direction change stage 14, where the direction is changed and sent to the post-processing chamber 15, where the substrate is cooled. Then, it is further sent to the substrate single-wafer receiving stage 5. The flow of the substrate P is indicated by a dotted arrow, and all the substrates P in the cassette C are sequentially processed through the film formation route. Then, the empty cassette C after all the substrates C have been sent out is turned into 90 ° by the cassette swivel transfer means of FIG. 9 and then sent into the cassette transfer chamber 4. This empty cassette C is used to receive a substrate for the next processing operation, and stands by in the cassette transfer chamber 4 for a necessary waiting time. While the substrate P is being film-formed, the cassette C used in the previous processing operation stands by on the substrate single-wafer receiving stage 5 and sequentially stores the processed substrates Pf. Then, the cassette C containing all the processed substrates Pf enters the unload chamber 6 by opening the third gate valve 23, where unloading for returning to the atmospheric state is performed, and the fourth gate valve 24 is opened to open the substrate. It is sent to the take-out stage 7.
As for the cassette waiting in the cassette transfer chamber 4, the cassette C storing all the processed substrates Pf is the third gate valve.
After passing through 23 and entering the unloading chamber 6 and closing the gate valve 23, it immediately enters the substrate single-wafer receiving stage 5 for receiving the substrate for the next processing operation.
【００２０】したがって、基板枚葉送りステージ３で基
板Ｐを枚葉送りしている間、次回処理作業で処理する基
板を積んだカセットＣをロード室２に入れてローディン
グすることが可能であり、同様に、基板枚葉受取りステ
ージ５で処理済み基板Pfを受取っている間、前工程の処
理済み基板Pfを積んだカセットＣをアンロード室６に入
れて、アンローディングすることが可能である。換言す
れば、真空処理室10で成膜処理すると同時に、その前後
の準備取出し作業を行っているので、直接成膜に貢献し
ない作業にのみ費やす時間がなくなり、基板１枚当りの
処理必要時間を大幅に短縮できるのである。また、上記
実施例では、図17に示すように、ロード室２とアンロー
ド室６が近接した位置にあるので、両者を共通したクリ
ーンルーム20に入れることができ、クリーンルーム20の
設置面積を少なくできるという利点がある。Therefore, while the substrates P are being fed by the substrate-by-substrate feeding stage 3, the cassette C loaded with the substrates to be processed in the next processing operation can be put in the loading chamber 2 and loaded. Similarly, while the processed substrate Pf is being received by the substrate single-wafer receiving stage 5, the cassette C loaded with the processed substrate Pf of the previous process can be placed in the unload chamber 6 and unloaded. In other words, since the film forming process is performed in the vacuum processing chamber 10 and the preparatory taking-out work before and after the film forming process is performed, the time spent only for the work that does not directly contribute to the film formation is eliminated, and the necessary processing time per substrate is reduced. It can be greatly shortened. Further, in the above embodiment, as shown in FIG. 17, since the load chamber 2 and the unload chamber 6 are located close to each other, both can be put in the common clean room 20, and the installation area of the clean room 20 can be reduced. There is an advantage.
【００２１】つぎに、第１発明の他の実施例を図18に基
づき説明する。図18の薄膜処理設備は、基板準備ステー
ジ１、ロード室２、基板枚葉送りステージ３、基板枚葉
送りステージ３に連設される前処理室11と、該前処理室
11に連設される成膜処理室13と、該成膜処理室13に連設
される後処理室15からなる真空処理室10、基板枚葉受取
りステージ５、アンロード室６および基板取出ステージ
７を一直線にその順で設置し、カセット搬送室４を前記
基板枚葉送りステージ３、真空処理室10および基板枚葉
受取りステージ５の側方に配置したものである。この実
施例においても、基板１枚当りの処理必要時間を短縮で
きるという効果がある。Next, another embodiment of the first invention will be described with reference to FIG. The thin film processing equipment of FIG. 18 includes a substrate preparation stage 1, a loading chamber 2, a substrate single-wafer feeding stage 3, a pretreatment chamber 11 connected to the substrate single-wafer feeding stage 3, and the pretreatment chamber
A vacuum processing chamber 10 including a film forming processing chamber 13 connected to 11 and a post processing chamber 15 connected to the film forming processing chamber 13, a substrate single-wafer receiving stage 5, an unloading chamber 6 and a substrate unloading stage. 7 are arranged in that order in a straight line, and the cassette transfer chamber 4 is arranged on the side of the substrate single-wafer feeding stage 3, the vacuum processing chamber 10 and the substrate single-wafer receiving stage 5. Also in this embodiment, there is an effect that the required processing time per substrate can be shortened.
【００２２】つぎに、第２発明の実施例を図19に基づき
説明する。図19の薄膜処理設備は、基板準備ステージ
１、ロード室２、基板枚葉送りステージ３、真空処理室
10、基板枚葉受取りステージ５、アンロード室６、基板
取出ステージ７を一直線にその順で設置し、カセット搬
送室４を真空処理室10の上方に設置したものである。こ
の場合、基板枚葉送りステージ３とカセット搬送室４の
間、およびカセット搬送室４と基板枚葉受取りステージ
５との間には、空のカセットを昇降搬送する装置が必要
となるが、枚葉送出し機構の構成部材である昇降機構に
その昇降ストロークを空のカセットを昇降する分だけ増
やしておくだけでよい。この実施例のものでは空のカセ
ットが基板と同一方向に搬送されるので基板枚葉送りス
テージ３および基板枚葉受取りステージ５にはカセット
旋回手段が不要となり、構造が簡単となる。さらに、こ
の実施例では、カセット搬送室４の設置に要する面積を
必要としないので、設置面積がよりコンパクトになる利
点がある。なお、図示の例はカセット搬送室４を真空処
理室10の上方に設置しているが、下方に設置してもよい
ものである。Next, an embodiment of the second invention will be described with reference to FIG. The thin film processing equipment of FIG. 19 includes a substrate preparation stage 1, a loading chamber 2, a substrate single-wafer feeding stage 3, and a vacuum processing chamber.
10, the substrate single-wafer receiving stage 5, the unloading chamber 6, and the substrate unloading stage 7 are installed in that order in a straight line, and the cassette transfer chamber 4 is installed above the vacuum processing chamber 10. In this case, between the substrate single-wafer feeding stage 3 and the cassette transport chamber 4, and between the cassette transport chamber 4 and the substrate single-wafer receiving stage 5, a device for raising and lowering an empty cassette is required. It suffices to increase the lifting stroke of the lifting mechanism, which is a component of the leaf feeding mechanism, by the amount of lifting the empty cassette. In this embodiment, since the empty cassette is conveyed in the same direction as the substrate, the cassette turning means is not required in the substrate single-wafer feeding stage 3 and the substrate single-wafer receiving stage 5, and the structure is simplified. Further, in this embodiment, since the area required for installing the cassette transfer chamber 4 is not required, there is an advantage that the installation area becomes more compact. In the illustrated example, the cassette transfer chamber 4 is installed above the vacuum processing chamber 10, but it may be installed below the vacuum processing chamber 10.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明によれば、むだ時間をなくし、全
工程を通した基板１枚当りの成膜処理所要時間を短縮
し、処理能力の大幅な向上を可能とした薄膜処理設備を
提供することができる。また第１発明によればクリーン
ルームの設置面積を小さくし、第２発明では薄膜処理設
備自体の設置面積をさらにコンパクトにすることができ
る。According to the present invention, there is provided a thin film processing facility which eliminates the dead time, shortens the time required for the film forming process per substrate through all the steps, and can greatly improve the processing capacity. can do. Further, according to the first invention, the installation area of the clean room can be reduced, and in the second invention, the installation area of the thin film processing equipment itself can be made more compact.
【図１】第１発明の一実施例に係る薄膜処理設備の概略
平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a thin film processing facility according to an embodiment of the first invention.
【図２】図１のII−II線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG.
【図３】図１のIII −III 線断面図である。3 is a sectional view taken along line III-III in FIG.
【図４】基板準備ステージ１の平面図である。FIG. 4 is a plan view of the substrate preparation stage 1.
【図５】基板準備ステージの側面図である。FIG. 5 is a side view of a substrate preparation stage.
【図６】ロード室２の平面図である。FIG. 6 is a plan view of the load chamber 2.
【図７】ロード室２の側面図である。FIG. 7 is a side view of the load chamber 2.
【図８】基板枚葉送りステージ３の平面図である。8 is a plan view of the substrate single-wafer feed stage 3. FIG.
【図９】基板枚葉送りステージ３の縦断面図である。9 is a vertical cross-sectional view of the substrate single-wafer feeding stage 3. FIG.
【図１０】図１０（ａ）は図９のＸ部拡大図、図１０
（ｂ）は図１０（ａ）のＺ線矢視部分平断面図である。10 (a) is an enlarged view of an X portion of FIG. 9, FIG.
FIG. 10B is a partial plan sectional view taken along the line Z in FIG.
【図１１】図10のＹ部拡大図である。11 is an enlarged view of a Y portion of FIG.
【図１２】図９のII線断面図である。12 is a sectional view taken along line II of FIG.
【図１３】カセット搬送室４の平面図である。FIG. 13 is a plan view of the cassette transfer chamber 4.
【図１４】前処理室11の平面図である。FIG. 14 is a plan view of the pretreatment chamber 11.
【図１５】第１方向転換ステージ12の平面図である。FIG. 15 is a plan view of a first direction changing stage 12.
【図１６】第１方向転換ステージ12の縦断面図である。FIG. 16 is a vertical cross-sectional view of the first direction changing stage 12.
【図１７】図１の薄膜処理設備のブロック図である。17 is a block diagram of the thin film processing equipment of FIG. 1. FIG.
【図１８】第１発明の他の実施例のブロック図である。FIG. 18 is a block diagram of another embodiment of the first invention.
【図１９】第２発明の一実施例のブロック図である。FIG. 19 is a block diagram of an embodiment of the second invention.
１ 基板準備ステージ ２ ロード室 ３ 基板枚葉送りステージ ４ カセット搬
送室 ５ 基板枚葉受取りステージ ６ アンロード
室 ７ 基板取出ステージ 10 真空処理室 11 前処理室 13 成膜処理室 15 後処理室1 Substrate Preparation Stage 2 Load Chamber 3 Substrate Single Wafer Feed Stage 4 Cassette Transfer Chamber 5 Substrate Single Wafer Receiving Stage 6 Unload Chamber 7 Substrate Extraction Stage 10 Vacuum Processing Room 11 Pre-Processing Room 13 Deposition Processing Room 15 Post-Processing Room
Claims (4)
ている基板準備ステージと、前記基板準備ステージに第
１ゲート弁を介して連接されており、真空装置とカセッ
ト送り手段を備えたロード室と、前記ロード室に第２ゲ
ート弁を介して連接されており、カセット内の基板を１
枚ずつ送り出す枚葉送出し手段と、カセット旋回搬送手
段を備えた基板枚葉送りステージと、前記基板枚葉送り
ステージに連接された前処理室と、基板に成膜処理する
成膜処理室と、後処理室をその順に設けてなる真空処理
室と、前記真空処理室の後処理室に連接されており、処
理済みの基板を１枚ずつカセット内に収納する枚葉受取
り手段と、カセット旋回搬送手段を備えた基板枚葉受取
りステージと、前記基板枚葉受取りステージに第３ゲー
ト弁を介して連接されており、真空送置とカセット送り
手段を備えたアンロード室と、前記アンロード室に第４
ゲート弁を介して連接されており、処理済み基板を搭載
したカセットの送り手段を備えている基板取出ステージ
と、前記基板枚葉送りステージから前記基板枚葉受取り
ステージへ、搭載していた基板を全て送り出した空のカ
セットを送る搬送手段を備えたカセット搬送室とからな
ることを特徴とする薄膜処理設備。1. A load chamber provided with a substrate preparation stage equipped with a cassette feeding means for mounting a substrate and connected to the substrate preparation stage via a first gate valve, and equipped with a vacuum device and a cassette feeding means. Is connected to the load chamber via a second gate valve, and the substrate in the cassette is
A single-wafer feeding means for feeding the substrates one by one, a substrate single-wafer feeding stage equipped with a cassette turning and conveying means, a pretreatment chamber connected to the substrate single-wafer feeding stage, and a film-forming treatment chamber for film-forming treatment on the substrate. A vacuum processing chamber in which a post-processing chamber is provided in that order; a single-wafer receiving means that is connected to the post-processing chamber of the vacuum processing chamber and stores processed substrates in a cassette one by one; A substrate single-wafer receiving stage having a transfer means, an unload chamber connected to the substrate single-wafer receiving stage via a third gate valve, and provided with a vacuum transfer means and a cassette feeding means; and the unload chamber. To the fourth
The substrate pick-up stage, which is connected through a gate valve, is equipped with a cassette feeding means that carries processed substrates, and the loaded substrate from the substrate single-wafer feeding stage to the substrate single-wafer receiving stage. A thin film processing facility comprising a cassette transfer chamber equipped with a transfer means for sending all empty cassettes.
葉送りステージおよび前処理室を一直線にその順で設置
し、それと平行であって同方向に前記基板取出ステー
ジ、アンロード室、基板枚葉受取りステージおよび後処
理室を一直線にその順で設置しており、かつ前記基板枚
葉送りステージと基板枚葉受取りステージとを連結する
カセット搬送室と前記真空処理室の成膜処理室とを互い
に平行に設置してなる請求項１記載の薄膜処理設備。2. The substrate preparation stage, load chamber, substrate sheet feeding stage, and pretreatment chamber are installed in a straight line in that order, and the substrate unloading stage, unload chamber, and substrate sheet are parallel and in the same direction. A leaf receiving stage and a post-treatment chamber are installed in that order in a straight line, and a cassette transfer chamber that connects the substrate single-wafer feeding stage and the substrate single-wafer receiving stage and a film forming processing chamber of the vacuum processing chamber are provided. The thin film processing equipment according to claim 1, wherein the thin film processing equipment is installed in parallel with each other.
葉送りステージ、該基板枚葉送りステージに連設される
前処理室と該前処理室に連設される成膜処理室と該成膜
処理室に連設される後処理室からなる真空処理室、基板
枚葉受取りステージ、アンロード室および基板取出ステ
ージを一直線にその順で設置し、カセット搬送室が、前
記基板枚葉送りステージ、真空処理室および基板枚葉受
取りステージの側方に設置されてなる請求項１記載の薄
膜処理設備。3. A substrate preparation stage, a load chamber, a substrate single-wafer feed stage, a pretreatment chamber connected to the substrate single-leaf feed stage, and a film formation processing chamber connected to the pretreatment chamber. A vacuum processing chamber consisting of a post-processing chamber connected to the film processing chamber, a substrate single-wafer receiving stage, an unload chamber and a substrate unloading stage are installed in that order in a straight line, and a cassette transfer chamber is provided with the substrate single-wafer feeding stage. The thin film processing equipment according to claim 1, wherein the thin film processing equipment is installed laterally of the vacuum processing chamber and the substrate single-wafer receiving stage.
ている基板準備ステージと、前記基板準備ステージに第
１ゲート弁を介して連接されており、真空装置とカセッ
ト送り手段を備えたロード室と、前記ロード室に第２ゲ
ート弁を介して連接されており、カセット内の基板を１
枚ずつ送り出す枚葉送出し手段を備えた基板枚葉送りス
テージと、前記基板枚葉送りステージに連接された前処
理室と、基板に成膜処理する成膜処理室と、後処理室を
その順に設けてなる真空処理室と、前記真空処理室の後
処理室に連接されており、処理済みの基板を１枚ずつカ
セット内に収納する枚葉受取り手段を備えた基板枚葉受
取りステージと、前記基板枚葉受取りステージに第３ゲ
ート弁を介して連接されており、真空送置とカセット送
り手段を備えたアンロード室と、前記アンロード室に第
４ゲート弁を介して連接されており、処理済み基板を搭
載したカセットの送り手段を備えている基板取出ステー
ジとを備え、前記基板準備ステージ、ロード室、基板枚
葉送りステージ、真空処理室、基板枚葉受取りステー
ジ、アンロード室および基板取出ステージを一直線にそ
の順で設置し、基板枚葉送りステージと基板枚葉受取り
ステージ間に配設されるカセット搬送室が前記真空処理
室の上方または下方に設置されていることを特徴とする
薄膜処理設備。4. A load chamber provided with a substrate preparation stage equipped with a cassette feeding means for mounting a substrate and connected to the substrate preparation stage via a first gate valve, and equipped with a vacuum device and a cassette feeding means. Is connected to the load chamber via a second gate valve, and the substrate in the cassette is
A substrate single-wafer feeding stage having a single-wafer feeding means for feeding the substrates one by one, a pre-treatment chamber connected to the substrate single-wafer feeding stage, a film-forming treatment chamber for film-forming treatment on the substrate, and a post-treatment chamber. A vacuum processing chamber which is provided in order, and a substrate single-wafer receiving stage which is connected to a post-processing chamber of the vacuum processing chamber and which includes single-wafer receiving means for storing processed substrates one by one in a cassette; It is connected to the substrate single-wafer receiving stage via a third gate valve, and is connected to an unload chamber equipped with a vacuum transfer means and a cassette transfer means, and to the unload chamber via a fourth gate valve. , A substrate unloading stage having a cassette feeding means for mounting the processed substrate, the substrate preparation stage, load chamber, substrate single-wafer feeding stage, vacuum processing chamber, substrate single-wafer receiving stage, unload chamber And the substrate unloading stage are installed in that order in a straight line, and the cassette transfer chamber disposed between the substrate single-wafer feeding stage and the substrate single-wafer receiving stage is installed above or below the vacuum processing chamber. Thin film processing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137996A JPH07316814A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Thin film treating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137996A JPH07316814A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Thin film treating equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316814A true JPH07316814A (en) | 1995-12-05 |
Family
ID=15211632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6137996A Pending JPH07316814A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Thin film treating equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316814A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969119A3 (en) * | 1998-05-29 | 2003-11-26 | RWE Solar GmbH | Method and device for coating of objects |
| CN102951401A (en) * | 2012-10-31 | 2013-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Device and method for carrying cassettes |
| US8574366B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-11-05 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
-
1994
- 1994-05-27 JP JP6137996A patent/JPH07316814A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0969119A3 (en) * | 1998-05-29 | 2003-11-26 | RWE Solar GmbH | Method and device for coating of objects |
| US8574366B2 (en) | 2005-07-29 | 2013-11-05 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
| CN102951401A (en) * | 2012-10-31 | 2013-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Device and method for carrying cassettes |
| WO2014067177A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Cassette conveying device and method |
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