JP2001135704A - Substrate treatment apparatus and transfer control method for substrate transfer tray - Google Patents

Substrate treatment apparatus and transfer control method for substrate transfer tray

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JP2001135704A
JP2001135704A JP31844699A JP31844699A JP2001135704A JP 2001135704 A JP2001135704 A JP 2001135704A JP 31844699 A JP31844699 A JP 31844699A JP 31844699 A JP31844699 A JP 31844699A JP 2001135704 A JP2001135704 A JP 2001135704A
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deposition
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JP31844699A
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Japanese (ja)
Inventor
Makoto Kishimoto
真 岸本
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus which is compact and high in productivity and ensures satisfactory film quality. SOLUTION: This substrate-processing apparatus, having plurality of serially connected deposition chambers having deposition means for substrates, load lock chambers connected to the deposition chambers, and a vacuum means capable of controlling and holding the pressures at a prescribed vacuum atmospheres independently in these chambers, comprises a substrateholding means disposed in the load lock chambers for holding substrates and tray transfer means which mount the substrate held with the substrate holding means on trays, move the substrate to the deposition chambers, and return them to the substrate-holding means, and while the load lock chamber is open to the atmospheric air, the tray transfer means sets the trays standing in a buffer chamber having a vacuum atmosphere. It mounts the substrates held by the substrate-holding means on the trays and moves them to the deposition chamber, when the load lock chamber becomes vacuum atmosphere.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子、半導体素子などに使用される基板を成膜する基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法に関し、特に、これらの基板をトレイに載せて成膜室に搬送するインライン式の基板処理装置と基板搬送用トレイの搬送制御方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a liquid crystal display device, relates to a substrate processing apparatus and a conveyance control method of a substrate carrying tray for forming the substrate used such as a semiconductor device, in particular, put these substrates in the tray it relates conveyance control method of tray substrate processing apparatus and a substrate transport in-line for transporting the film forming chamber Te.

【0001】 [0001]

【従来の技術】液晶表示素子や半導体素子の製造には、 In the manufacture of liquid crystal display element or a semiconductor element,
スパッタリング装置等の基板処理装置が用いられている。 The substrate processing apparatus is used such as a sputtering apparatus. 例えば、液晶表示装置の製造は、インジウム−スズ酸化物や金属等の薄膜をガラス基板の表面に成膜する工程を含み、このような工程は、スパッタ装置等の真空成膜装置を用いて行われる。 For example, the production of liquid crystal display device, an indium - a thin film of tin oxide, metal or the like includes a step of forming a film on the surface of the glass substrate, such processes, using a vacuum deposition device such as sputtering device row divide.

【0002】スパッタ装置では、ターゲットを含む成膜材料及び成膜対象であるガラス基板を減圧雰囲気中で対向配置させ、放電現象を利用してガラス基板上に成膜材料を堆積させる。 [0002] In the sputtering apparatus, the glass substrate is a film-forming material and the deposition target comprising a target is opposed in a reduced pressure atmosphere, using a discharge phenomenon depositing a deposition material on a glass substrate. また、成膜処理に先立ち、ガラス基板を加熱する工程を含むことが多い。 Further, prior to the film forming process, often comprises heating the glass substrate. こうした製造装置には、良好な成膜特性、高い生産性、良好なメンテナンス性及びより小さな設置面積が要求される。 Such manufacturing apparatus, good film forming properties, high productivity, good maintainability and smaller footprint is required.

【0003】上記した素子の量産に用いられる基板処理装置には、基板搬送ロボットを設置した中間室の周囲に複数の処理室を配置し、基板だけを中間室を介して処理室に搬送するクラスター型基板処理装置と、複数の処理室を連続的に配置し、トレイに載せた基板をトレイごと搬送するインライン型基板処理装置の2種類の形態がある。 [0003] substrate processing apparatus used for mass production of devices described above, clusters by arranging a plurality of process chambers around the intermediate chamber which is placed a substrate transfer robot, transporting only the substrate into the processing chamber through the intermediate chamber -type substrate processing apparatus, a plurality of processing chambers are continuously arranged, the substrate placed on the tray there are two forms of inline type substrate processing apparatus for transporting each tray.

【0004】まず、クラスター型基板処理装置に関して説明する。 [0004] will be described first cluster type substrate processing apparatus. 図11は、従来の一般的なクラスター型基板処理装置の概要を示す平面図である。 Figure 11 is a plan view showing an outline of a conventional cluster type substrate processing apparatus. 図11において、 11,
クラスター型基板処理装置100は、6つの処理室、すなわち、2つのロードロック室101、加熱室102、 Cluster type substrate processing apparatus 100 includes six processing chambers, namely, two load lock chambers 101, heating chamber 102,
成膜手段109を備えた第1成膜室103、成膜手段1 First film forming chamber 103 with a film forming means 109, the film forming means 1
10を備えた第2成膜室104及び成膜手段111を備えた第3成膜室105が、中間室106の周囲に配置されてなる。 The third film forming chamber 105 having a second film forming chamber 104 and the film forming means 111 having a 10, are arranged in a periphery of the intermediate chamber 106. また、各処理室間はそれぞれのゲートバルブ107により隔離されている。 Also, among the processing chambers are separated by respective gate valves 107. なお、ロードロック室とは、前記の処理室を大気中に開放しないで基板の搬入を行うための真空予備室であって、ゲートバルブ107 Note that the load lock chamber, the processing chamber to a preliminary vacuum chamber for carrying in the substrate without opening to the atmosphere, the gate valve 107
と、ゲートバルブ107に接続された真空排気系(図示しない)によって、各処理室を常に真空に保持する。 When the vacuum exhaust system connected to the gate valve 107 by a (not shown), holds the processing chamber always vacuo.

【0005】中間室106の内部には、図示しない基板搬送ロボットが配置され、各処理室に対して基板Sの搬入・搬出を行なう。 [0005] Inside the intermediate chamber 106, it is disposed a substrate transfer robot (not shown), performs loading and unloading of the substrate S for each processing chamber. なお、一般的には基板搬送ロボットは、一度に1枚の基板しか搬送できない。 Note that generally the substrate transfer robot, the can only transport one substrate at a time. 基板処理装置100の動作は、処理前の基板Sがロードロック室10 Operation of the substrate processing apparatus 100, the substrate S before processing load lock chamber 10
1に搬入され、加熱室102で加熱後、成膜室103、 Is carried in 1, after heating in the heating chamber 102, deposition chamber 103,
104、105で所定の基板処理を実施後、ロードロック室101から搬出される。 After performing a predetermined substrate processing in 104 and 105, it is unloaded from the load lock chamber 101. これらの基板Sの搬入出は、すべて中間室106内に設置された基板搬送ロボットにより行われる。 Loading and unloading of the substrates S are all performed by the installed substrate transfer robot in the intermediate chamber 106.

【0006】次に、インライン型基板処理装置に関して説明する。 [0006] Next, will be described in-line-type substrate processing apparatus. 図12は、一般的なインライン型基板処理装置の概略を示す平面図である。 Figure 12 is a plan view showing the outline of a typical inline substrate processing apparatus. 図12において、インライン型基板処理装置200は、6つの処理室、すなわちロードロック室201、加熱室202、成膜手段209 12, in-line type substrate processing apparatus 200 includes six processing chambers, namely a load lock chamber 201, the heating chamber 202, the film forming means 209
を備えた第1成膜室203、成膜手段210を備えた第2成膜室204、成膜手段211を備えた第3成膜室2 The first film forming chamber 203 with a second film forming chamber 204 having a film forming means 210, a third film forming chamber 2 with a film forming means 211
05及びアンロードロック室206が直列に配置され、 05 and unload lock chamber 206 is arranged in series,
さらにこれら6つの処理室に平行したトレイ回収機構2 Tray recovery mechanism 2 further parallel to the six process chambers
07とともに直線的な装置を構成する。 Constituting a linear device with 07. なお、アンロードロック室とは、前記の処理室を大気中に開放しないで基板の搬出を行うための真空予備室であって、ゲートバルブ208と、ゲートバルブ208に接続された真空排気系(図示しない)によって、各処理室を常時、真空に保持する。 Note that the unload lock chamber, the processing chamber to a preliminary vacuum chamber for performing unloading of the substrate without opening to the atmosphere, the gate valve 208, a vacuum exhaust system connected to the gate valve 208 ( by not shown), each processing chamber constantly held in a vacuum.

【0007】ロードロック室201からアンロードロック室206の間には、トレイ搬送機構(図示しない)が配設され、各処理室は、ゲートバルブ208によって隔離されている。 [0007] Between the load lock chamber 201 of the unload lock chamber 206, a tray transport mechanism (not shown) is disposed, the processing chambers are isolated by the gate valve 208. トレイ搬送機構は、処理対象である基板Sをトレイ213上に保持し、基板を垂直に立った状態で搬送する。 Tray transfer mechanism, the substrate S to be processed held on the tray 213 is conveyed in a state of standing the substrate vertically.

【0008】上記したインライン型基板処理装置200 [0008] The inline-type substrate processing apparatus described above 200
では、処理前の基板Sが、まず、ロードロック室201 In the substrate S before the process is, first of all, the load lock chamber 201
に搬入され、加熱室202で加熱後、成膜室203、2 It is carried in, after the heating in the heating chamber 202, deposition chamber 203,2
04及び205で所定の基板処理が施され、アンロードロック室206から常圧の大気中に搬出される。 04 and 205 predetermined substrate processing is performed, it is unloaded from the unload lock chamber 206 to the atmosphere of normal pressure. 基板処理を終了した基板Sは、トレイ213上に保持されてトレイ回収機構207によってアンロードロック室206 Substrate S exit substrate processing, is held on the tray 213 unload lock chamber by the tray recovery mechanism 207 206
からロードロック室201手前の基板交換位置まで戻ってくる。 Come back to the substrate exchange position of the load lock chamber 201 in front from. このように、基板Sを保持するトレイ213 Thus, the tray 213 for holding the substrate S
は、トレイ搬送機構及びトレイ回収機構207により、 It is by the tray transfer mechanism and the tray collecting mechanism 207,
常圧大気下と真空中とを交互に移動しながら循環する。 It circulates while moving and in the ordinary 圧大 care under a vacuum alternately.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記した従来のクラスター型基板処理装置やインライン型基板処理装置には、下記のような問題がある。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, the conventional cluster type substrate processing apparatus and inline type substrate processing apparatus described above, has the following problems. (イ)クラスターツール型の基板処理装置でも、複数の処理段数(成膜工程)からなる多層膜成膜(上述の例では3層膜)が可能であるが、各処理室間の基板の搬送は、中間室106内に設置された基板搬送ロボットにより全て行われる。 (B) in a cluster tool type substrate processing apparatus, but (in the above example 3 layer film) multilayer film formation comprising a plurality of processing stages (deposition step) can, transfer of the substrate between the processing chambers It is carried out all the installed substrate transfer robot in the intermediate chamber 106. 従って、基板搬送ロボットの搬送能力が生産能力を決定するため、処理段数が多い成膜の場合、インライン型基板処理装置と比較して生産効率が大幅に低下する。 Thus, since the conveying capacity of the substrate transport robot determines the production capacity, if the number of processing stages are often deposited, production efficiency compared to in-line type substrate processing apparatus is greatly reduced.

【0010】(ロ)基板搬送ロボットを配置した大きな中間室が必要となり、さらに、中間室の周囲に各処理室を設置するという装置構成になるので、装置の大型化を招く。 [0010] (b) requires a large intermediate chamber disposed substrate transfer robot further, since the apparatus configuration of installing the processing chamber around the intermediate chamber, increasing the size of the apparatus. (ハ)インライン型基板処理装置の場合、トレイは、常圧大気下から真空中へ、さらに常圧大気下へと交互に移動する。 For (c) in-line-type substrate processing apparatus, the tray, the vacuum from below atmospheric 圧大 gas further moves alternately to atmospheric 圧大 vapor pressure. このため、大気側に出た際に大気中の水分や有機物がトレイに付着し、基板に堆積される膜中にこれらが取り込まれて不純物となり膜質が低下する。 Thus, attached to the tray moisture and organic substances in the air upon exiting the air side, it is quality becomes impurities decreases taken into the film deposited on the substrate. この問題を解決するには、成膜する前に基板及びトレイを加熱チャンバに搬入した後、十分な時間をかけて加熱・排気を行い、不純物を除去する必要がある。 To resolve this problem, after carrying the substrate and the tray in the heating chamber before forming, subjected to heat and exhaust a sufficient period of time, it is necessary to remove the impurities. しかし、この方法ではタクトタイムが非常に長くなり、生産性が低下する。 However, tact time in this way is very long, productivity is lowered.

【0011】(ニ)成膜時には、膜は基板のみならずトレイの表面にも堆積する。 [0011] At the time of (d) the deposition, the film is also deposited on the surface of the tray as well as board only. このように膜が堆積したトレイを大気中に開放して基板の交換を行うと、大気中の水分や有機物によりトレイ上に堆積した膜が汚染される。 With such a tray film is deposited to exchange substrate open to the atmosphere, the film deposited on the tray by moisture and organic substances in the air is contaminated.
汚染されたトレイを再び成膜に使用すると、トレイの堆積層の上に付着した汚染層の上に、さらに膜が堆積し、 When used in the contaminated tray again deposited, on the adhered onto the tray of the deposited layer contamination layer, further film is deposited,
汚染層の界面を持った膜が積層される。 Film having a surface contamination layer is laminated. このような汚染層の界面をもった膜は剥離しやすく、剥離した膜がパーティクルとなって基板に付着し、膜質に重大な悪影響を及ぼすことがある。 Such membranes having an interfacial contamination layer is easily peeled, peeled film adhered to the substrate becomes particles, which may have a material adverse effect on film quality.

【0012】(ホ)成膜を行うときには、基板の温度を200℃以上に加熱することが多い。 [0012] (e) when forming a film is often heat the substrate to 200 ° C. or higher. この場合、基板温度の均一性を確保するために、トレイも基板温度と同じ温度まで加熱しなければならない。 In this case, in order to ensure uniformity of the substrate temperature, the tray must also be heated to the same temperature as the substrate temperature. しかし、基板を交換する際にトレイが大気中に暴露されるため、トレイの温度は常温付近まで低下する。 However, since the tray is exposed to the air when replacing the substrate, the temperature of the tray is reduced to around room temperature. 従って、トレイも加熱チャンバの中で基板と同じ温度まで加熱する必要があった。 Accordingly, the tray also had to be heated to the same temperature as the substrate in a heated chamber.
しかし、熱容量の大きなトレイを必要な温度に加熱するには長い時間を要すると共に、加熱に必要な電力も増加する。 However, with take a long time to heat a large tray heat capacity required temperature also increases the power required for heating.

【0013】(ヘ)トレイに繰り返し与えられる、大気開放時の低温と真空中の高温との熱サイクルは、上記のトレイに堆積した膜が剥離する大きな要因にもなる。 [0013] given repeatedly (f) trays, thermal cycling between high temperatures during cold and vacuum during air release is also a major factor in film deposited above the tray is peeled off. このときに剥がれた膜も、上述したようなパーティクルを発生させる。 Film peeling at this time also, to generate particles as described above. また、インライン型基板処理装置は各処理室を直線的に配置しているため、処理室の数が多い場合、装置の大型化を招くという問題もある。 Moreover, some since the in-line type substrate processing apparatus are linearly arranged each processing chamber, when the number of the processing chamber is large, a problem that increasing the size of the apparatus.

【0014】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、小型で生産性が高く、良好な膜質を得ることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 [0014] The present invention has been made in view of the above problems, small and productivity is high, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus capable of obtaining a good film quality.

【0015】 [0015]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板に対する成膜手段を備えかつ直列に接続された複数の成膜室と、成膜室に接続されたロードロック室と、これらの室をそれぞれ独立して所定の真空雰囲気に調圧して保持可能な真空手段とを有する基板処理装置であって、ロードロック室に配置され、基板を保持させる基板保持手段と、基板保持手段が保持する基板をトレイに載置して成膜室へ移動させ、基板保持手段に戻すトレイ搬送手段とを備え、トレイ搬送手段は、ロードロック室が大気開放下にあるとき、トレイを真空雰囲気の成膜室に待機させ、ロードロック室が真空雰囲気になったとき、基板保持手段が保持する基板をトレイに載置して成膜室へ移動させることを特徴とする基板処理装置が提供される。 According to the present invention SUMMARY OF], a plurality of film formation chambers connected with the film forming means and in series with respect to the substrate, a load lock chamber connected to the deposition chamber, the chambers a each independently substrate processing apparatus having a vacuum means capable of holding and by regulating to a predetermined vacuum atmosphere, arranged in the load lock chamber, a substrate holding device for holding the substrate, the substrate holding means for holding by placing the substrate on the tray is moved into the film forming chamber, and a tray conveying means for returning the substrate holding means, the tray conveying means, when the load lock chamber is under atmospheric release, a tray vacuum deposition to wait in the chamber, the load lock chamber when it becomes a vacuum atmosphere, the substrate processing apparatus, characterized in that moving and placing the substrate substrate holding means for holding the tray into the deposition chamber is provided.

【0016】すなわち、この発明では、ロードロック室を大気開放して成膜処理が施された基板をロードロック室から取り出すとともに、成膜処理を施す前の基板をロードロック室に供給する際に、トレイは、ゲートバルブ等を含む真空手段により真空雰囲気に調圧保持された成膜室の1つに位置するので、大気に曝されない。 [0016] That is, in this invention, is taken out the substrate film formation process open to the atmosphere is subjected to the load lock chamber from the load lock chamber, in supplying the previous substrate in the load lock chamber to perform a film forming process , tray, so positioned on one of the pressure regulating retained deposition chamber to a vacuum atmosphere by a vacuum means including a gate valve or the like, not exposed to the atmosphere. また、 Also,
トレイは、真空手段によりロードロック室が真空雰囲気に調圧保持されたときに、成膜室の1つからロードロック室へ移動し、成膜処理を施す前の基板が載置される。 Tray, load-lock chamber by the vacuum means when it is pressure-adjusting kept in a vacuum atmosphere, from one of the film forming chamber moves to the load lock chamber, the substrate before applying the film forming process is placed.
したがって、トレイは大気に曝されることがない。 Therefore, the tray is not exposed to the atmosphere.

【0017】このように、多数の基板に対して成膜処理を連続的に行う場合に、基板を載置して搬送するトレイは、大気に曝されることがないので、トレイに水分等の不純物が付着するのが防止され、基板上に良好な膜質を形成することができる。 [0017] Thus, when performing a film forming process continuously on a large number of substrates, trays for transporting and placing the substrate, there is no exposure to the atmosphere, tray water, etc. impurities are prevented from adhering, it is possible to form a good film quality on a substrate. さらに、トレイは成膜処理工程の間、大気に曝されることがないので、トレイの温度低下を防止できる。 Further, the tray during the deposition process, since there is no exposure to the atmosphere, the temperature drop of the tray can be prevented. したがって、成膜処理前にトレイを予熱するとしても、トレイを基板と同じ温度まで昇温するのに要する時間が短縮され、生産性が向上する。 Accordingly, even to preheat the tray before the film forming process, the time required for the tray to warm to the same temperature as the substrate is shortened, the productivity is improved. 一方、 on the other hand
トレイは、一連の処理室を直線状に連結したインライン型の基板処理装置の内部を往復移動するので、小型で設置面積の小さい基板処理装置が構成される。 Tray, the internal and reciprocated in-line type substrate processing apparatus, a small substrate processing apparatus footprint compact is formed which is connected a series of processing chambers in a straight line.

【0018】この発明における成膜手段としては、スパッタ装置、CVD装置、エピタキシャル成長装置等の薄膜形成装置、プラズマ陽極酸化装置等の酸化膜形成装置が挙げられる。 [0018] As the film forming device in this invention, a sputtering apparatus, CVD apparatus, a thin film forming apparatus such as an epitaxial growth apparatus, the oxide film forming apparatus such as a plasma anodic oxidation apparatus. この発明におけるロードロック室とは、 The load lock chamber in the present invention,
処理室を大気中に開放しないで基板等の取り入れ、取り出しを行うことを目的にした真空予備室であって、処理室の前後、またはどちらか一方にゲートバルブを介して配置され、バルブと真空排気系動作の組み合わせで処理室を常に真空に保持することができる。 The process chamber incorporating substrate or the like without opening to the atmosphere, a vacuum prechamber that the purpose of performing the extraction, is disposed via a gate valve back and forth, or either one of the processing chambers, valves and a vacuum the treatment chamber with a combination of the exhaust system operation can be always kept in a vacuum.

【0019】この発明における真空手段としては、処理室を所定の真空度まで真空排気するポンプ及び処理室の前後、またはどちらか一方に配置され、閉じた状態で真空排気された処理室を所定の真空度に保持し、開いた状態で各処理室間のトレイ及び/または基板の搬送を可能にするゲートバルブを含む。 [0019] The vacuum means in the present invention, before and after the pumps and the processing chamber for evacuating the treatment chamber to a predetermined vacuum degree, or either is arranged on one, closed process chamber a predetermined which is evacuated by held at a vacuum, a gate valve that allows conveyance of the tray and / or the substrate between the processing chambers in the open state. この発明における基板保持手段としては、外部から基板を受け取り、ロードロック室で保持し、成膜室からトレイ搬送手段により搬送されたトレイに、単独で、またはトレイ搬送手段と共働してこの基板を載置させる機構、例えば、アーム機構、多関節を有するマニピュレータが挙げられる。 The substrate holding device in this invention, receives the substrate from the outside, and held in the load lock chamber, a tray which is conveyed by the tray conveying means from the deposition chamber, either alone or tray conveying means and in cooperation with the substrate, mechanism for placing, for example, the arm mechanism, a manipulator with an articulated and the like.

【0020】真空手段が、それぞれの成膜室の間に介設されたゲートバルブを有し、隣接する少なくとも2つの成膜室が、その間にゲートバルブのない1室として真空手段により調圧保持される構成とすれば、成膜室の間を隔離していたゲートバルブ、ポンプ類等の真空手段を削減でき、それによって、成膜室の体積を小さくし、装置全体の小型化を可能にする。 The vacuum means has a respective gate valve which is interposed between the film forming chamber, at least two adjacent deposition chambers, regulated by pressure holding the vacuum means as a chamber with no gate valve therebetween if configured to be, the gate valve has been isolated between the deposition chamber can reduce the vacuum means such as pumps, thereby reducing the volume of the deposition chamber, to allow the overall size of the device to.

【0021】この発明におけるトレイ搬送手段としては、基板保持手段が保持する基板を受け取ってトレイに載置し、所定の処理室まで往復移動し、トレイに載置した基板を基板保持手段に再度保持させるコンベアあるいは位置センサーと連動する自走ロボットが挙げられる。 [0021] As the tray conveying means in the present invention, the holding and placed on the tray receiving the substrate board holding means for holding, reciprocates to a predetermined treatment chamber, again substrate placed on the tray on the substrate holding means self-propelled robot may be mentioned in conjunction with the conveyor or a position sensor to.
トレイと基板保持手段との間の基板の受け渡しは、トレイ搬送手段が単独で、または基板保持手段と共働して行われる。 Transferring the substrate between the tray and the substrate holding means, a tray conveying means are carried out alone or in cooperation with the substrate holding means. トレイ搬送手段が、成膜室へ搬入される基板及び成膜室から搬出される基板のそれぞれを、垂直に保持して搬送すれば、搬送及び成膜処理の期間中に基板は常に垂直方向に保持されるため、成膜面への塵や埃の付着が抑制されて膜質が向上する。 Tray conveying means, each of the substrates to be unloaded from the substrate and the deposition chamber is carried into the deposition chamber, if transported vertically holding the substrate during the transport and deposition process is always in a vertical direction to be held, it is suppressed adhesion of dust to the film-forming surface film quality is improved.

【0022】ロードロック室と成膜室の間に介設され、 [0022] is interposed between the load lock chamber and the deposition chamber,
独立して所定の真空雰囲気に調圧保持されるバッファ室を有し、トレイ搬送手段は、ロードロック室が大気開放下にあるとき、トレイを真空雰囲気のバッファ室に待機させ、ロードロック室が真空雰囲気になったとき、基板保持手段が保持する基板をトレイに載置して成膜室へ移動させる構成とすることにより、トレイを真空雰囲気下で待機させるために成膜室の1つを使用しなくてよいので、成膜室における成膜の効率を高めることができる。 Independently has a buffer chamber which is pressure regulating maintained at a predetermined vacuum atmosphere, the tray conveying means, when the load lock chamber is under atmospheric release the tray to wait in the buffer chamber of the vacuum atmosphere, the load lock chamber when it becomes a vacuum atmosphere, with the structure that moves by placing the substrate in which the substrate holding means for holding the tray into the deposition chamber, one of the film forming chamber in order to the tray to stand in a vacuum atmosphere since it is not necessary to use, it is possible to increase the efficiency of film formation in the deposition chamber.

【0023】この発明におけるバッファ室とは、トレイ搬送手段により搬送されるトレイをロードロック室が大気開放されたときに、大気に曝されないようにロードロック室から遮断された室を意味する。 [0023] The buffer chamber in the present invention, when the tray load lock chamber to be conveyed by the tray conveying means is opened to the atmosphere, means a chamber that is isolated from the load lock chamber so as not to be exposed to air. したがって、成膜手段を備えた1つの成膜室にこのバッファ室としての機能を兼用させれば、独立した1つの処理室をバッファ室として設ける必要はない。 Therefore, if also serves the function as the buffer chamber into one of the film forming chamber including a film forming means, there is no need to provide a single treatment chamber separate as a buffer chamber. バッファ室が、成膜室へ搬入される基板を加熱する加熱手段を具備することにより、 By buffer chamber comprises heating means for heating a substrate is carried into the deposition chamber,
成膜室における基板に対する加熱工程を短縮あるいは省略できる。 It can be shortened or omitted heating step with respect to the substrate in the deposition chamber. 加熱手段は、成膜手段として用いられるヒータであってもよいし、成膜手段のヒータとは別に予備加熱用として設けられるヒータであってもよい。 Heating means may be a heater that is used as a film forming means may be a heater which is provided for the preheating apart from the heater of the deposition means.

【0024】トレイ搬送手段が、成膜室へ搬入される基板及び成膜室から搬出される基板のそれぞれを行き違い可能に保持するステーションをバッファ室に有し、ステーションに保持されたそれぞれの基板に応じてステーションを基板の搬入位置と搬出位置とに移動して基板の搬入路と搬出路とを選択的に形成する構成とすることにより、成膜前の基板と成膜済みの基板をステーションに並べ、バッファ室の中で行き違えることができるので、処理時間が短縮され生産性が向上する。 The tray conveying means has a station for holding a respective substrate disagreement capable carried out of the substrate and the deposition chamber is carried into the deposition chamber to the buffer chamber, each of the substrate held in the station by moving the station and unloading position and loading position of the substrate and configured to selectively form the introduction passage and the delivery passage of the substrate in response, the substrate and the deposition processed substrate before film formation to the station arranging, it is possible that Yukichigae in the buffer chamber, reduces the processing time and the productivity is improved.

【0025】ステーションの具体的な構成としては、搬入路と搬出路とを形成する、インライン型の処理室に沿って配設されたトレイ搬送路(トレイ搬送手段)の軸線に対して直交する水平方向に移動可能なトレイ列を設け、このトレイ列の1つまたは複数を、1本の搬入路を形成する搬入位置と、1本の搬出路を形成する搬出位置とに選択的に移動させる構成が挙げられる。 [0025] As a specific configuration of stations, introduction passage to form a discharge path, the horizontal perpendicular to the axis of the tray transport path arranged along the in-line processing chamber (tray conveying means) direction provided tray column movable, the one or more trays columns, a loading position to form a single introduction passage, selectively moving to the unloading position to form a single output path configuration and the like.

【0026】本発明は他の観点によれば、真空雰囲気のロードロック室に配置された基板を基板搬送用トレイに受け取り、基板とともにトレイを、基板に対する成膜手段を有する成膜室に移動させ、次いで、基板をトレイからロードロック室に戻し、さらにトレイをロードロック室外の真空雰囲気下で待機させる基板搬送用トレイの搬送制御方法が提供される。 The invention According to another aspect, receiving a substrate disposed in the load lock chamber in the vacuum atmosphere substrate carrying tray, the tray with the substrate is moved into the film forming chamber having a film forming means with respect to the substrate , then returned to the substrate from the tray to the load lock chamber, further the substrate conveyance control method of carrying tray to wait for a tray in a vacuum atmosphere in the load lock outdoor is provided.

【0027】具体的には、成膜室とロードロック室の間に配設された真空雰囲気のバッファ室にトレイを待機させ、ロードロック室が真空になったとき、ロードロック室に配置された基板をこのトレイが受け取る方法が挙げられる。 [0027] More specifically, the tray is waiting in the buffer chamber of the vacuum atmosphere disposed between the deposition chamber and the load lock chamber when the load lock chamber becomes a vacuum, placed in the load lock chamber this tray receives method substrates. この発明では、トレイを真空雰囲気下で待機させる室は、成膜室の1室を用いてもよいし、上記したバッファ室を別途設けてもよい。 In the present invention, chamber for the trays to stand in a vacuum atmosphere may be used one room of the deposition chamber, may be provided separately a buffer chamber which is above.

【0028】 [0028]

【発明の実施の形態】以下、図1〜図10を参照して、 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to FIGS. 1 to 10,
本発明の基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法の実施の形態を説明する。 An embodiment of a substrate processing apparatus and a substrate transfer method of controlling transfer trays of the present invention will be described. 実施例1図1の平面図に基づいて、実施例1を説明する。 Based on the plan view of the first embodiment 1, the first embodiment will be described. 図1に示すように、インライン型の基板処理装置10は、アンロードロック室を兼用したロードロック室1と、バッファ室2と、第1 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 of the in-line type, a load lock chamber 1 serving as both an unload lock chamber, a buffer chamber 2, the first
成膜室3及び第2成膜室4とが直列に配置されてなる。 A film forming chamber 3 and the second film forming chamber 4 are arranged in a series.
これらの処理室には、真空手段としてのゲートバルブ5 These processing chamber, the gate valve 5 of the vacuum means
(5a,5b,5c,5d)と、ゲートバルブ5の開閉と連動してこれら4つの処理室を独立して所定の真空度まで減圧する真空排気ポンプ(図示しない)とが配設されている。 (5a, 5b, 5c, 5d) and a vacuum pump (not shown) which in conjunction with the opening and closing of the gate valve 5 independently of these four processing chambers are evacuated to a predetermined degree of vacuum is disposed .

【0029】ロードロック室1は、バッファ室2、第1 [0029] The load lock chamber 1, buffer chamber 2, the first
成膜室3及び第2成膜室4を大気中に開放しないで基板Sの搬入及び搬出を行うための真空予備室であって、ゲートバルブ5a及び5bを閉じ、真空排気ポンプを所定時間駆動することによって、真空に保持される。 Deposition chamber 3 and the second film forming chamber 4 a lock chambers for carrying in and out the substrate S without opening to the atmosphere, the gate valve is closed 5a and 5b, the vacuum exhaust pump for a predetermined time driving by, it is held in a vacuum. さらに、基板処理装置10には、基板Sを上記4つの処理室に沿って各処理室を貫通して移動させるトレイ搬送手段6と、ロードロック室1に配置された基板保持手段7 Further, the substrate processing apparatus 10, the substrate S and the tray conveying means 6 for moving through the processing chamber along the four processing chambers above the substrate holding unit 7 disposed in the load lock chamber 1
と、基板保持手段7と基板Sの受け渡しを行う基板移載手段8とが配設されてなる。 When a substrate transferring unit 8 for transferring the substrate holding means 7 and the substrate S is disposed.

【0030】基板移載手段8は、外部からカセット等に載置され送られてきた基板Sを基板保持手段7に搬入するとともに、基板処理装置10による所定の成膜工程を経て基板保持手段7に戻ってきた基板Sを外部に搬出する機構であり、例えば、基板Sを真空吸着で支持するとともに、この基板Sをロードロック室1の内部に進退させるアームを有する公知のロボット機構が用いられる。 The substrate transfer means 8 is transported to the substrate S that has been sent is placed externally to the cassette or the like to the substrate holding means 7, the substrate holding means 7 through a predetermined film forming process by the substrate processing apparatus 10 a mechanism for unloading the substrate S that has returned to the outside, for example, to support the substrate S at vacuum suction, known robotic mechanism having an arm for advancing and retracting the substrate S inside the load lock chamber 1 is used .

【0031】基板保持手段7は、基板Sを支持する支持機構71からなり、基板移載手段8とトレイ搬送手段6 The substrate holding means 7 consists of a support mechanism 71 for supporting the substrate S, the substrate transfer means 8 and the tray conveying means 6
の間で行われる基板Sの受け渡しの媒介となる。 The mediation of transferring the substrate S to be carried out between. トレイ搬送手段6は、ロードロック室1からバッファ室2を経て第1成膜室3及び第2成膜室4に至る搬送路61と、 Tray conveying means 6, a conveying path 61 leading to the first film forming chamber 3 and the second film forming chamber 4 through the buffer chamber 2 from the load lock chamber 1,
搬送路61上を双方向に自走可能なトレイ62とからなる。 The upper conveying passage 61 consisting of self-propelled tray 62 in both directions. トレイ62は、支持機構71に支持された成膜処理前の基板Sを受け取り、その成膜面が、第1成膜室3及び第2成膜室4に配置された後述する成膜手段31、4 Tray 62 receives the substrate S before supported film forming process of the support mechanism 71, film forming means 31 that the film formation surface is, to be described later is disposed in the first film formation chamber 3 and the second film forming chamber 4 , 4
1と対向するよう、基板Sを垂直に立てた状態に保持しながら図示しない位置決め制御部からの指令に基づいて搬送路61上を走行し、さらに成膜処理後の基板Sを、 1 and so as to face, travels on the transport path 61 based on a command from the positioning controller (not shown) while holding the upright substrate S vertically, the substrate S after further deposition process,
支持機構71に移載する公知の自走型ロボットが用いられる。 Known self-running robot for transferring the support mechanism 71 is used.

【0032】上記のトレイ搬送手段6、基板保持手段7 [0032] The tray transfer means 6, the substrate holding means 7
及び基板移載手段8の協働により、基板処理装置10による処理前の基板Sは、基板移載手段8から基板保持手段7(支持機構71)に移載される。 And by the cooperation of the substrate transferring unit 8, the substrate S before processing by the substrate processing apparatus 10 is transferred from the substrate transferring unit 8 to the substrate holding means 7 (supporting mechanism 71). 支持機構71と対向する受け渡し位置に停止したトレイ62に支持機構7 Supported by the tray 62 is stopped at the transfer position facing the support mechanism 71 mechanism 7
1から基板Sが移し換えられ、トレイ62に保持された基板Sは、バッファ室2を経て上記の各処理室まで搬送路61上を搬送される。 1 is was transferred substrate S from the substrate S held on the tray 62 is conveyed on the conveying path 61 through the buffer chamber 2 to the processing chamber described above. 基板Sを保持したトレイ62がバッファ室2側からロードロック室1に移動し搬送路6 Tray 62 which holds the substrate S is moved from the buffer chamber 2 side to the load lock chamber 1 carrying path 6
1の受け渡し位置に戻ったとき、基板Sはトレイ62から支持機構71へ移し換えられる。 When returned to the first transfer position, the substrate S is was transferred from the tray 62 to the support mechanism 71. 支持機構71に支持された基板Sは、基板移載手段8により外部へ搬出される。 Substrate S supported on the support mechanism 71 is carried out to the outside by the substrate transferring unit 8.

【0033】図1に示すように、第1成膜室3及び第2 As shown in FIG. 1, the first film forming chamber 3 and the second
成膜室4には、加熱装置及びスパッタリング装置等を有する第1成膜手段31及び第2成膜手段41がそれぞれ設けられている。 The film forming chamber 4, the first film forming means 31 and the second film forming unit 41 having a heating apparatus and a sputtering apparatus or the like are provided.

【0034】バッファ室2は、基板Sの交換、すなわち、処理後の基板Sを搬出し、処理前の基板Sを搬入する際にロードロック室1内が大気に開放されるため、トレイ62を減圧下に位置させること、基板Sの加熱によりロードロック室1で発生するパーティクルが第1成膜室3、第2成膜室4に及ぼす影響を排除すること及び第1成膜室3及び第2成膜室4の真空度を所定範囲内に維持することを目的として設けられている。 The buffer chamber 2, replacement of the substrate S, that is, carries the substrate S after treatment, since in the load lock chamber 1 when carrying a substrate S pretreatment is opened to the atmosphere, the tray 62 be located under reduced pressure, the particles are first film forming chamber 3 that occurs in the load lock chamber 1 by heating of the substrate S, and that the first film forming chamber 3 and the eliminating effect on the second film forming chamber 4 It provided for the purpose of maintaining a vacuum degree of 2 film formation chamber 4 within a predetermined range.

【0035】以下に、本発明の基板搬送用トレイの搬送制御方法を用いた基板Sの成膜処理について、真空成膜装置10のトレイ62の動作を中心に説明する。 [0035] Hereinafter, the deposition process of the substrate S using the substrate transfer method of controlling transfer trays of the present invention will be described focusing on the operation of the tray 62 of the vacuum deposition apparatus 10. なお、 It should be noted that,
この成膜処理では、実際の成膜プロセスを実施する前に基板Sを前記した成膜室3、4の中で加熱し、この加熱処理の後に、基板Sの表面に3つの層を順次成膜するものとし、これら3つの層は、1層目と3層目の膜が同種類の膜からなる。 In this film forming process, heated in a deposition chamber 3 and 4 above the substrate S before performing the actual film forming process, after this heat treatment, sequentially forming three layers on the surface of the substrate S shall film, these three layers, the first layer and the third layer film is composed of the same kind of film. また、基板Sの加熱は、第1成膜室3 The heating of the substrate S, the first film forming chamber 3
及び第2成膜室4の中で、成膜プロセスを実施する前に行うものとする。 And in the second film forming chamber 4, it shall be performed before carrying out the deposition process.

【0036】(1)処理前の基板Sをロードロック室1 [0036] (1) the processing load lock chamber in front of the substrate S 1
に供給するに際して、トレイ62は、真空ポンプにより予め減圧されたバッファ室2に待機している。 Upon supplied to the tray 62, waiting to previously decompressed buffer chamber 2 by the vacuum pump. このとき、ゲートバルブ5bは閉じられ、バッファ室2、第1 At this time, the gate valve 5b is closed, the buffer chamber 2, the first
成膜室3及び第2成膜室4は減圧下にある。 Film forming chamber 3 and the second film forming chamber 4 is under reduced pressure. ゲートバルブ5aが開かれ、基板移載手段8によりロードロック室1に搬入された処理前の基板Sは、支持機構71に支持される。 Gate valve 5a is opened, the substrate S before processing which is carried into the load lock chamber 1 by the substrate transfer means 8 is supported by the supporting mechanism 71. 次いで、ゲートバルブ5aを閉じ、ロードロック室1を真空排気後、ゲートバルブ5bを開いてトレイ62をロードロック室1に移動する。 Then, close the gate valve 5a, to move the load lock chamber 1 after evacuation, the tray 62 in the load lock chamber 1 by opening the gate valve 5b. 次いで、トレイ6 Then, the tray 6
2に支持機構71の基板Sを保持させる。 To hold the substrate S of the support mechanism 71 2.

【0037】(2)次いで、基板Sを保持したトレイ6 [0037] (2) Then, the tray 6 holding the substrate S
2は、バッファ室2を経由して第1成膜室3に移動される。 2 is moved to the first film forming chamber 3 via the buffer chamber 2. その後、ゲートバルブ5bは閉じられる。 After that, the gate valve 5b is closed. 第1成膜室3に搬送されたトレイ62及び基板Sを、第1成膜手段31により、所定の温度まで加熱した後、基板Sの表面に1層目の成膜を行う。 The tray 62 and the substrate S transported to the first film forming chamber 3, the first film forming means 31, after heating to a predetermined temperature, forming a film of the first layer on the surface of the substrate S. (3)次いで、ゲートバルブ5dが開かれて基板Sを保持したトレイ62を第2成膜室4に移動しゲートバルブ5dを閉じる。 (3) Then, move the tray 62 which holds the substrate S is opened gate valve 5d is the second film forming chamber 4 is closed and the gate valve 5d. 第2成膜室4に移動されたトレイ62及び基板Sを、第2成膜手段41により、所定の温度まで加熱した後、基板Sの表面に2層目を積層する。 The moved tray 62 and the substrate S in the second film forming chamber 4, the second film forming means 41, after heating to a predetermined temperature, laminating a second layer on the surface of the substrate S.

【0038】(4)次いで、ゲートバルブ5dが開かれて基板Sを保持したトレイ62を第1成膜室3に移動し、第1成膜手段31により基板Sの表面に3層目を積層する。 [0038] (4) Next, the gate valve 5d is opened to move the tray 62 which holds the substrate S in the first film forming chamber 3, stacked third layer on the surface of the substrate S by the first film forming means 31 to. (5)ゲートバルブ5bを開いて、3層の成膜処理を終えた基板Sを、トレイ62に保持した状態で、バッファ室2を経由して減圧下のロードロック室1に搬送する。 (5) by opening the gate valve 5b, a substrate S having been subjected to the film forming process of three layers, while holding the tray 62 is transferred into the load lock chamber 1 under reduced pressure via the buffer chamber 2.
次いで、処理後の基板Sをトレイ62から支持機構71 Then, the supporting substrate S after processing from the tray 62 mechanism 71
に移載し、空になったトレイ62をバッファ室2に移動して待機状態とする。 Was transferred to, and move the tray 62 becomes empty buffer chamber 2 to the standby state. (6)次いで、ゲートバルブ5bを閉じ、ゲートバルブ5aを開いてロードロック室1を大気開放とし、基板移載手段8の駆動により処理後の基板Sを、例えば、次工程の待機位置に搬送した後、前記した(1)の処理に戻る。 (6) Then, close the gate valve 5b, the load lock chamber 1 is opened to the atmosphere by opening the gate valve 5a, transports the substrate S after processing by driving the substrate transfer means 8, for example, in a standby position of the next step after, the processing returns to the above-mentioned (1).

【0039】上記した基板処理装置10の構成から明らかなように、本発明の装置によれば、従来のインライン型成膜処理装置と比較して成膜室とそれに付随する真空ポンプ等の補助機器類及びトレイ回収機構を省略することが可能となる。 As is apparent from the configuration of the substrate processing apparatus 10 described above, the apparatus according to the present invention, auxiliary equipment such as a vacuum pump in comparison with conventional in-line type film forming apparatus and its associated deposition chamber it is possible to omit the kind and tray recovery mechanism. この結果、基板処理装置10は、従来のクラスター型またはインライン型基板処理装置と比較してシンプルな構成となり、処理動作の信頼性が向上するとともに設置面積の小型化が可能となる。 As a result, the substrate processing apparatus 10, as compared with the conventional cluster type or inline type substrate processing apparatus becomes simple structure, reliable processing operation it is possible to miniaturize the installation area as well as improves.

【0040】また、基板Sの成膜面は常に垂直方向に保持されるので、搬送時に塵や埃、パーティクル等が基板Sの成膜面に付着し難く、歩留りは大幅に向上される。 Further, since the film-forming surface of the substrate S is always maintained in a vertical direction, dust and dirt during transport, such as particles hardly adhere to the film-forming surface of the substrate S, the yield is greatly improved.
また、トレイ62は、大気中に開放されることがなく、 In addition, the tray 62, without being open to the atmosphere,
真空雰囲気下でのみ往復移動するため、トレイ62の温度は基板Sを加熱する目標温度に近い温度範囲で小さな昇降を繰り返すことになる。 To only reciprocates in a vacuum atmosphere, the temperature of the tray 62 will be repeated a small elevation in the temperature range close to the target temperature for heating the substrate S. したがって、従来の装置のように、基板Sの交換時にトレイ62を大気中に開放してトレイ62の温度を常温付近まで下げてしまうことがなくなり、加熱効率は格段に向上する。 Therefore, as in the conventional apparatus, the tray 62 when replacing the substrate S it is not possible to open to the atmosphere thereby lowering the temperature of the tray 62 to the vicinity of room temperature, heating efficiency is significantly improved.

【0041】 実施例2図2〜図5の各平面図及び図6のフローチャートに基づいて、実施例2を説明する。 [0041] Based on the flowchart of the plan view and FIG. 6 of Example 2 2-5, a second embodiment will be described. 図2に示すように、インライン型の基板処理装置20は、成膜室3、4へ搬入される基板S及び成膜室3、4から搬出される基板Sのそれぞれを行き違い可能に保持するステーション18をバッファ室2に配設した点で、図1の基板処理装置10の構成と異なる。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 20 of the in-line type, the station that holds the respective substrate S possible misunderstandings carried out of the substrate S and the deposition chamber 3, 4 is carried into the film forming chamber 3, 4 18 in that disposed in the buffer chamber 2 differs from the structure of the substrate processing apparatus 10 of FIG. 1. よって、基板処理装置10と同一の構成部分の説明は省略する。 Therefore, description of the same components as those of the substrate processing apparatus 10 will be omitted. また、図2において、支持機構7 Further, in FIG. 2, the support mechanism 7
1(基板保持手段7)及び基板移載手段8の図示は省略する。 1 shown in (substrate holding means 7) and the substrate transfer unit 8 will be omitted. なお、この例でも、基板処理装置20は、基板S Also in this example, the substrate processing apparatus 20, the substrate S
を加熱処理した後、3層目の膜を基板Sの表面に順次成膜し、1層目と3層目の膜は同種類の膜である。 After heat treatment, the third layer of the film are sequentially formed on the surface of the substrate S, 1-layer and 3-layer film is the same type of film.

【0042】図3を参照してステーション18を詳しく説明する。 [0042] will be described in detail the station 18 with reference to FIG. ステーション18は、バッファ室2の室内底面に、搬送路61の軸線に対して直交する水平方向に敷設された2本のガイドレール63と、これらガイドレール63に支持されるとともに、ガイドレール63に沿って移動可能な平板状のシフトプレート64とからなる。 Station 18, the indoor bottom of the buffer chamber 2, two guide rails 63 laid in a horizontal direction perpendicular to the axis of the conveying path 61, while being supported on the guide rails 63, the guide rail 63 along consisting movable plate-shaped shift plate 64. with.

【0043】シフトプレート64は、処理前の基板を保持したトレイ62を係止する搬入トレイ保持部14及び処理済みの基板を保持したトレイ62を係止する搬出トレイ保持部15が設けられてなり、これらの各保持部1 The shift plate 64 is made to discharge tray holding portion 15 is provided for locking the loading tray holding unit 14 and the processed substrate tray 62 holding the locks the tray 62 which holds the substrate before treatment each of these holding portions 1
4、15はトレイ62の進退に弱い拘束を与える一対の位置決めピン(図示しない)からなる。 4, 15 is a pair of positioning pins which gives a weak restraining the forward and backward of the tray 62 (not shown). 一対の位置決めピンは、これらの内側にトレイ62の長さに略等しい間隔を有し、走行してきたトレイ62を一対の位置決めピンの内側に留め、再び走行を開始した各トレイ62がそれぞれの位置決めピンから抜け出て前進できるよう構成されている。 A pair of positioning pins has a substantially equal distance to the length of the tray 62 on these inner, traveling retaining trays 62 have on the inner side of the pair of positioning pins, travel of each tray 62 that initiated each repositioning It is configured to be advanced exits from the pin.

【0044】シフトプレート64は、図3(a)に示した、搬入トレイ保持部14が搬送路61上に位置する基板搬入位置X1 と、図3(b)に示した、搬出トレイ保持部15が搬送路61上に位置する基板搬出位置X2 とを選択的にとり得るよう、ガイドレール63上を図中の矢印16c及び17cの方向に往復移動が可能である。 The shift plate 64 is shown in FIG. 3 (a), a substrate loading position X1 to carry the tray holding portion 14 is positioned on the conveying path 61, shown in FIG. 3 (b), unloading the tray holding portion 15 There to be taken selectively and substrate unloading position X2 located on the conveying path 61, it is possible to reciprocate on the guide rail 63 in the direction of the arrows 16c and 17c in FIG.
シフトプレート64は、基板搬入のためにトレイ62 Shift plate 64, a tray 62 for a substrate carrying
が、図3(a)中の矢印16a方向から進入して基板搬入位置X1 に停止し、前記矢印16c及び17cの方向への移動後、矢印16b方向(図中上向き)へ進出することを可能にする。 But it stopped at the substrate loading position X1 enters the arrow 16a direction in FIG. 3 (a), after movement in the direction of the arrows 16c and 17c, allows to expand the arrow 16b direction (upward in the drawing) to. さらに、基板搬出のためにトレイ6 Further, the tray 6 for the substrate carry-out
2が、図3(b)中の矢印17b方向から進入して基板搬出位置X2 に停止し、前記矢印17c及び16cの方向への移動後、矢印17a方向(図中下向き)へ進出することを可能にする。 2, stop in a substrate unloading position X2 enters the arrow 17b direction in FIG. 3 (b), the following movement in the direction of the arrows 17c and 16c, to advance the arrow 17a direction (downward in the drawing) enable. このような構成により、バッファ室2の室内で、処理前及び処理後の基板Sを保持したトレイ62が行き違えることが可能となる。 With this configuration, in a room in the buffer chamber 2, it is possible tray 62 which holds the substrate S before and after the treatment is that Yukichigae.

【0045】実施例2におけるバッファ室2及びその内部のステーション18に部分的な変形を加えた例を、図4及び図5の平面図に示す。 [0045] An example of adding a partial deformation in the buffer chamber 2 and the interior of the station 18 that in the second embodiment, shown in plan view in FIGS. インライン型の基板処理装置30には、バッファ室2の室内側壁面には加熱手段1 The line type of the substrate processing apparatus 30, the interior side wall of the buffer chamber 2 heating means 1
2が設けられるとともに、シフトプレート64には搬入トレイ保持部14及び搬出トレイ保持部15の間に隔壁11が設けられる。 With 2 are provided, the partition wall 11 is provided between the loading tray holding unit 14 and the unloading tray holding unit 15 to shift plate 64. 隔壁11は、基板搬入位置X1 に位置するトレイ62及び処理前の基板Sを加熱するための加熱手段12からの熱が、処理後の基板S及びトレイ6 Partition wall 11, the tray 62 and the heat from the heating means 12 for heating the substrates S before processing, the processed substrate S and the tray 6 located in the substrate loading position X1
2に伝播するのを防止する。 To prevent the propagation of two.

【0046】以下に、本発明の基板搬送用トレイの搬送制御方法を用いた基板の成膜処理を、上記した基板処理装置30のトレイ62の動作を中心に説明する。 [0046] Hereinafter, the deposition process of the substrate using the substrate conveyance control method of transfer trays of the present invention will be described focusing on the operation of the tray 62 of the substrate processing apparatus 30 described above. なお、 It should be noted that,
この成膜処理では、3つの層を基板Sの表面に順次成膜するものとし、これら3つの層は、1層目と3層目の膜が同種類の膜である。 In this film forming process, the three layers shall sequentially formed on the surface of the substrate S, these three layers, the first layer and the third layer of the film is the same type of film. また、基板Sの加熱は、第1成膜室3及び第2成膜室4の中で、成膜プロセスを実施する前に行うものとする。 The heating of the substrate S in the first film forming chamber 3 and the second film forming chamber 4, shall be performed before carrying out the deposition process. この例では、トレイ62を1枚使用した場合について、図4、図5(バッファ室2の拡大図)及び図6のフローチャートを参照しながら説明する。 In this example, the case where the tray 62 was used one, 4, will be described with reference to the flowchart of FIG. 5 (enlarged view of the buffer chamber 2) and 6. なお、図6中の番号(1)〜(20)は、以下の各頭記号(1)〜(20)に対応する。 The numbers (1) to (20) in Figure 6, following the head symbol (1) corresponding to (20).

【0047】(1)初期状態として、ゲートバルブ5b [0047] (1) as the initial state, the gate valve 5b
は閉じられ、トレイ62は真空雰囲気下にあるバッファ室2のシフトプレート64の搬出トレイ保持部15に位置する。 Is closed, the tray 62 is located out tray holding portion 15 of the shift plate 64 of the buffer chamber 2 in the vacuum atmosphere. また、シフトプレート64は、図5(a)で示されるように、搬出トレイ保持部15が搬出可能な基板搬出位置X2 にある。 The shift plate 64, as shown in FIG. 5 (a), the discharge tray holding portion 15 is in a substrate unloading position X2 possible out. (2)ゲートバルブ5aを開いてロードロック室1を大気開放とし、基板移載手段8の駆動により処理前の基板Sがロードロック室1内の支持機構71に支持される。 (2) a load lock chamber 1 by opening the gate valve 5a open to the atmosphere, the substrate S before processing by driving the substrate transfer means 8 is supported by the support mechanism 71 in the load lock chamber 1.

【0048】(3)ゲートバルブ5aを閉じて、ロードロック室1を真空排気する。 [0048] (3) Close the gate valve 5a, to evacuate the load lock chamber 1. (4)次いで、トレイ62をロードロック室1に移動する。 (4) Then, move the tray 62 to the load lock chamber 1. (5)支持機構71から基板Sをトレイ62に移載する。 (5) transfers from the supporting mechanism 71 of the substrate S on the tray 62. (6)(5)の動作と並行して、シフトプレート64を図5(b)に示す基板搬入位置X1に移動する。 (6) (5) operating in parallel with the moves the shift plate 64 to the substrate loading position X1 shown in Figure 5 (b). (7)ゲートバルブ5bを開いて、トレイ62を搬入トレイ保持部14に移動する。 (7) by opening the gate valve 5b, to move the tray 62 to the carrying tray holding unit 14.

【0049】(8)シフトプレート64を図5(a)に示す基板搬出位置X2 に移動する。 [0049] (8) to move the shift plate 64 to the substrate carry-out position X2 shown in Figure 5 (a). (9)加熱手段12を駆動してトレイ62に保持された処理前の基板Sを成膜処理に必要な所定の温度まで加熱する。 (9) by driving the heating means 12 for heating the substrates S before processing that is held in the tray 62 to a predetermined temperature required for the deposition process. このとき、基板Sは加熱手段12に接近しているので、加熱効率は高い。 At this time, since the substrate S is closer to the heating means 12, the heating efficiency is high. (10)シフトプレート64を図5(b)に示す基板搬入位置X1に移動する。 (10) to move the shift plate 64 to the substrate loading position X1 shown in Figure 5 (b). (11)ゲートバルブ5cを開いて、搬入トレイ保持部1 (11) by opening the gate valve 5c, carrying tray holding unit 1
4からトレイ62を第1成膜室3に移動し、ゲートバルブ5cを閉じた後、第1成膜手段31により基板Sの表面に1層目の成膜を行う。 Move from 4 to tray 62 to the first film forming chamber 3, after closing the gate valve 5c, forming a film of the first layer on the surface of the substrate S by the first film forming means 31. (12)トレイ62を第2成膜室4に移動し、第2成膜手段41により基板Sの表面に2層目を積層する。 (12) the tray 62 moves to the second film forming chamber 4, the second film forming means 41 for laminating the second layer to the surface of the substrate S. (13)トレイ62を第1成膜室3に移動し、第1成膜手段31により基板Sの表面に3層目を積層する。 (13) the tray 62 moves to the first film forming chamber 3, the first film forming means 31 for laminating the third layer on the surface of the substrate S. (14)上記(11)から(13)までの処理と並行して、シフトプレート64を図5(a)に示す基板搬出位置X2 (14) in parallel with the processing from the (11) to (13), the substrate carry-out position indicating the shift plate 64 in FIG. 5 (a) X2
に移動する。 To move to.

【0050】(15)トレイ62を第1成膜室3からバッファ室2内の搬出トレイ保持部15に移動する。 [0050] (15) to move the tray 62 from the first film forming chamber 3 to the carry-out tray holding portion 15 of the buffer chamber 2. (16)ゲートバルブ5bを開いて、トレイ62を減圧下のロードロック室1に移動する。 (16) by opening the gate valve 5b, to move the tray 62 in the load lock chamber 1 under reduced pressure. (17)基板Sをトレイ62から支持機構71に移載する。 (17) transfers to the support mechanism 71 of the substrate S from the tray 62. (18)トレイ62をロードロック室1からバッファ室2 (18) tray 62 buffer chamber 2 from the load lock chamber 1
内の搬出トレイ保持部15に移動する。 It moves to discharge tray holding portion 15 of the inner. (19)ゲートバルブ5bを閉じて、ロードロック室1内を大気に開放する。 (19) closes the gate valve 5b, to open the load lock chamber 1 to the atmosphere. (20)支持機構71に支持された処理後の基板Sを基板移載手段8によりロードロック室1から取り出す。 (20) takes the substrate S after being supported by the support mechanism 71 processed from the load lock chamber 1 by the substrate transferring unit 8. その後、(2)の処理に戻る。 Then, the procedure returns to the process of (2).

【0051】上記した実施例では、バッファ室2内に配設した加熱手段12により、処理前の基板Sを予熱できるので、第1成膜室3での加熱時間が短縮される。 [0051] In the above embodiment, the heating means 12 is disposed in the buffer chamber 2, it is possible to preheat the substrate S before treatment, the heating time in the first film forming chamber 3 is reduced. また、基板Sの交換に要する時間を短縮できるので、スループットが向上する。 Further, since it is possible to shorten the time required for the exchange of the substrate S, the throughput is improved.

【0052】 実施例3前記の実施例2では、1枚のトレイ62を用いた場合を説明したが、この例では、前記した基板処理装置30を用いて、3枚のトレイ62を同時に扱う場合のトレイ搬送制御方法の一例を、図4及び図5を参照しながら、図7の工程図に従って説明する。 [0052] Example 2 Example 3 above, a case has been described using a single tray 62, in this example, by using the substrate processing apparatus 30 described above, when working with three trays 62 simultaneously an example of a tray conveyance control method, with reference to FIGS. 4 and 5 will be described in accordance with the process diagram of FIG. なお、図7中の記号(A)〜(U)は、以下の頭記号(A)〜(U)に対応する。 The symbol in FIG. 7 (A) ~ (U) corresponds to the following head mark (A) ~ (U). また、図7において、支持機構71(基板保持手段7)、基板移載手段8及び搬送路61の図示は省略する。 Further, in FIG. 7, illustration of the support mechanism 71 (substrate holding means 7), the substrate transfer means 8 and the conveying path 61 is omitted.

【0053】(A)初期状態として、基板Sが装着されていない3枚の空のトレイ62が、バッファ室2内のシフトプレート64上の搬出トレイ保持部15と、第1成膜室3と、第2成膜室4とに位置している。 [0053] As (A) the initial state, the empty tray 62 in three of the substrate S is not attached, the carry-out tray holding portion 15 on the shift plate 64 in the buffer chamber 2, a first film forming chamber 3 It is located in the second film forming chamber 4. また、ロードロック室1には処理前の基板Sが支持機構71に支持されている。 Further, the substrate S before treatment is supported by the support mechanism 71 in the load lock chamber 1. (B)ロードロック室1を真空排気後、バッファ室2内の搬出トレイ保持部15に位置したトレイ62がロードロック室1に移動され、基板Sがトレイ62に装着される。 (B) after vacuum evacuating the load lock chamber 1, a tray 62 located in a carry-out tray holding unit 15 in the buffer chamber 2 is moved to the load lock chamber 1, the substrate S is mounted on the tray 62. 次に、第1成膜室3に位置するトレイ62をバッファ室2内の搬出トレイ保持部15に移動する。 Next, move the tray 62 to be positioned in the first film forming chamber 3 to the carry-out tray holding unit 15 in the buffer chamber 2. また、第2成膜室4に位置したトレイ62を第1成膜室3に移動する。 Further, to move the tray 62 located on the second film forming chamber 4 in the first film forming chamber 3.

【0054】(C)バッファ室2内のシフトプレート6 [0054] (C) shift plate 6 in the buffer chamber 2
4を基板搬入位置X1 に移動する。 4 to move to the substrate loading position X1. (D)ロードロック室1から基板Sを保持したトレイ6 (D) a tray 6 holding the load lock chamber 1 to a substrate S
2をバッファ室2内の搬入トレイ保持部14に移動させた後、ロードロック室1内を大気開放する。 2 after moving the loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2, the load lock chamber 1 is opened to the atmosphere. (E)バッファ室2内のシフトプレート64を基板搬出位置X2 に移動する。 (E) moving the shift plate 64 in the buffer chamber 2 to the substrate carry-out position X2. 同時に、基板移載手段8によりロードロック室1内の処理前の基板Sを支持機構71に支持させた後、ロードロック室1内を真空排気する。 At the same time, after the supporting substrate S before processing in the load lock chamber 1 to the support mechanism 71 by the substrate transfer means 8, for evacuating the load lock chamber 1.

【0055】(F)加熱手段12を駆動して基板Sを予備的に加熱する。 [0055] (F) a heating means 12 is driven to heat the substrate S preliminarily. 同時に、搬出トレイ保持部15に位置するトレイ62をロードロック室1内に移動し、支持機構71の基板Sをトレイ62に移載する。 At the same time, the tray 62 is located in the unloading tray holding unit 15 moved to the load lock chamber 1, and transfers the substrate S of the support mechanism 71 to the tray 62. 次に、第1成膜室3内のトレイ62をバッファ室2内の搬出トレイ保持部15に移動する。 Next, move the tray 62 in the first film forming chamber 3 to the carry-out tray holding unit 15 in the buffer chamber 2. (G)バッファ室2内のシフトプレート64を基板搬入位置X1 に移動する。 (G) moving a shift plate 64 in the buffer chamber 2 to the substrate loading position X1. (H)加熱処理の済んだ基板Sを第1成膜室3に搬送した後、1層目の成膜処理を実施する。 (H) After a substrate S having undergone the heat treatment were transported to the first film forming chamber 3 to perform the film forming process of the first layer. 次に、ロードロック室1から基板Sを保持したトレイ62を、バッファ室2内の搬入トレイ保持部14に移動した後、ロードロック室1内を大気開放する。 Then, the tray 62 which holds the substrate S from the load lock chamber 1, after moving to the loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2, the load lock chamber 1 is opened to the atmosphere.

【0056】(I)1層目の成膜が終了した基板Sを第2成膜室4に搬送した後、2層目の成膜処理を実施する。 [0056] (I) 1-layer deposition after transporting the substrate S ended second film forming chamber 4, to implement the film formation process of the second layer. 同時に、基板移載手段8によりロードロック室1内の処理前の基板Sを支持機構71に支持させた後、ロードロック室1内を真空排気するとともに、バッファ室2 At the same time, after the supporting substrate S before processing in the load lock chamber 1 to the support mechanism 71 by the substrate transfer means 8, as well as evacuated load-lock chamber 1, buffer chamber 2
内のシフトプレート64を基板搬出位置X2 に移動する。 The shift plate 64 of the inner moves to the substrate carry-out position X2. (J)2層目の成膜が終了した基板Sを第1成膜室3に搬送後、3層目の成膜処理を実施する。 (J) 2-layer deposition after transporting the substrate S ended the first film forming chamber 3 to perform the film forming process of the third layer. 同時に、バッファ室2内の搬入トレイ保持部14上の基板Sを成膜に必要な温度まで加熱処理を行うとともに、搬出トレイ保持部15に位置するトレイ62をロードロック室1内に移動し、このトレイ62に基板Sが保持される。 At the same time, moves the substrate S on the loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2 performs a heat treatment to the temperature required deposition, the tray 62 is located in the unloading tray holding unit 15 into the load lock chamber 1, substrate S is held in the tray 62.

【0057】(K)3層目の成膜が終了した基板Sをバッファ室2内の搬出トレイ保持部15に搬送する。 [0057] (K) 3-layer deposition transports the substrate S ended discharge tray holding portion 15 in the buffer chamber 2. (L)バッファ室2内のシフトプレート64を基板搬入位置X1 に移動する。 (L) to move the shift plate 64 in the buffer chamber 2 to the substrate loading position X1. (M)バッファ室2内の搬入トレイ保持部14上のトレイ62が保持する加熱処理後の基板Sを第1成膜室3に搬送後、1層目の成膜処理を実施する。 (M) after transporting the substrate S after the heat treatment tray 62 on the loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2 is held in the first film forming chamber 3 to perform the film forming process of the first layer. 次に、ロードロック室1から基板Sを保持したトレイ62を、バッファ室2内の搬入トレイ保持部14に移動させる。 Then, the tray 62 which holds the substrate S from the load lock chamber 1, is moved to the loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2.

【0058】(N)1層目の成膜が終了した基板Sを第2成膜室4に搬送後、2層目の成膜処理を実施する。 [0058] (N) 1-layer deposition after transporting the substrate S ended second film forming chamber 4, to implement the film formation process of the second layer. 同時に、バッファ室2内のシフトプレート64を基板搬出位置X2 に移動する。 At the same time, to move the shift plate 64 in the buffer chamber 2 to the substrate carry-out position X2. (O)2層目の成膜が終了した基板Sを第1成膜室3に搬送後、3層目の成膜処理を実施する。 (O) 2-layer deposition after transporting the substrate S ended the first film forming chamber 3 to perform the film forming process of the third layer. 同時に、バッファ室2内の搬入トレイ保持部14上の基板Sを成膜に必要な温度まで加熱処理を行うとともに、搬出トレイ保持部15に位置するトレイ62をロードロック室1内に移動し、処理済みの基板Sがロードロック室1内の支持機構71に支持される。 At the same time, moves the substrate S on the loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2 performs a heat treatment to the temperature required deposition, the tray 62 is located in the unloading tray holding unit 15 into the load lock chamber 1, processed substrate S is supported by the support mechanism 71 in the load lock chamber 1.

【0059】(P)空になったトレイ62をバッファ室2内の搬出トレイ保持部15に待避させた後、ロードロック室1内を大気開放する。 [0059] After the tray 62 has become (P) the sky is retracted to carry-out tray holding portion 15 of the buffer chamber 2, the load lock chamber 1 is opened to the atmosphere. (Q)ロードロック室1内の支持機構71に支持された処理済みの基板Sを基板移載手段8によりロードロック室1から取り出す。 (Q) removing the substrate S of the supported processed to a support mechanism 71 in the load lock chamber 1 from the load lock chamber 1 by the substrate transferring unit 8. (R)基板移載手段8によりロードロック室1内の支持機構71に処理前の基板Sを支持させた後、ロードロック室1内を真空排気する。 (R) After supporting the substrate S before treatment to the support mechanism 71 in the load lock chamber 1 by the substrate transferring unit 8, for evacuating the load lock chamber 1. (S)バッファ室2内の搬出トレイ保持部15に位置するトレイ62がロードロック室1に移動され、支持機構71の基板Sをトレイ62に移載する。 Tray 62 is located in the unloading tray holding portion 15 of the (S) buffer chamber 2 is moved to the load lock chamber 1, and transfers the substrate S of the support mechanism 71 to the tray 62. 次に、第1成膜室3に位置するトレイ62がバッファ室2内の搬出トレイ保持部15に移動される。 Then, the tray 62 is located in the first film forming chamber 3 is moved to the unloading tray holding unit 15 in the buffer chamber 2.

【0060】(T)バッファ室2内のシフトプレート6 [0060] (T) shift plate 6 of the buffer chamber 2
4を基板搬入位置X1 に移動する。 4 to move to the substrate loading position X1. (U)バッファ室2内の搬入トレイ保持部14上の加熱処理済の基板Sを第1成膜室3に搬送後、1層目の成膜処理を実施する。 (U) after transporting the substrate S heat treated on loading tray holding unit 14 in the buffer chamber 2 in the first film forming chamber 3 to perform the film forming process of the first layer. 次に、基板Sを保持したトレイ62を搬入トレイ保持部14に移動し、ロードロック室1内を大気開放する。 Next, move the tray 62 which holds the substrate S to the carrying tray holding unit 14, a load lock chamber 1 is opened to the atmosphere. 後は前記した(N)の処理に戻り、すべての基板Sの成膜処理が終了するまで一連の動作を繰り返す。 After the processing returns to the above (N), the film forming processing of all the substrates S repeats a series of operations until the end.

【0061】上記した実施例では、トレイ62への基板Sの脱着プロセス、基板加熱プロセス及び成膜処理プロセスに要する時間の配分の最適化により、効率の高い成膜処理が可能となる。 [0061] In the above embodiment, the desorption process of the substrate S into the tray 62, by optimizing the allocation of time required for the substrate heating process and the deposition processes, high deposition processing efficiency can be achieved. また、バッファ室2内に配設した加熱手段12により、処理前の基板Sを予熱できるので、第1成膜室3での加熱時間が短縮され、また、基板Sの交換に要する時間も短縮できるので、スループットがさらに向上する。 Further, the heating means 12 is disposed in the buffer chamber 2, it is possible to preheat the substrate S before treatment, the heating time in the first film forming chamber 3 is reduced, also, the time required for exchange of the substrate S shortening since it, the throughput is further improved.

【0062】 実施例4実施例3における第1成膜室3及び第2成膜室4の間に配設されたゲートバルブ5dを省略し、これら成膜室3 [0062] Example 4 is omitted disposed gate valve 5d between the first film formation chamber 3 and the second film forming chamber 4 in Example 3, these film forming chamber 3
及び4を、1つの成膜室13として構成した例を、図8 And 4, an example in which a single film forming chamber 13, FIG. 8
の平面図に示す。 It is shown in the plan view of. 基板処理装置40の成膜室13には、 The deposition chamber 13 of the substrate processing apparatus 40,
加熱装置及びスパッタリング装置等を有する第1成膜手段31及び第2成膜手段41がそれぞれ設けられている。 First deposition means 31 and the second film forming unit 41 having a heating apparatus and a sputtering apparatus or the like are provided. 基板の加熱は、バッファ室2に設けられた加熱手段12により、予備的に行うものとする。 Heating of the substrate, the heating means 12 provided in the buffer chamber 2, it shall be performed preliminarily.

【0063】このような構成では、前述の第1成膜室3 [0063] In such a configuration, the first film forming chamber 3 above
と第2成膜室4との間のゲートバルブ5dを省略したため、成膜プロセスは、第1及び第3の成膜と第2の成膜の際に使用するプロセスガスなどの影響が相互間にない場合に限られる。 If by omitting the gate valve 5d between the second film forming chamber 4, the deposition process, the influence of the process gas used during the first and third film formation and the second film formation therebetween only if not in the. しかし、この図9の装置は、実施例3 However, apparatus of FIG. 9, Example 3
の構成と比較して成膜室、真空ポンプ等の補助機器類及びゲートバルブなどを省略することが可能となり、コストダウンが図れるとともに、装置のさらなる小型化を実現することが可能となる。 Structure as compared to the deposition chamber, it is possible to omit the like auxiliary equipment and gate valves such as a vacuum pump, along with cost can be reduced, it is possible to achieve further downsizing of the apparatus. 基板処理装置40の基本的な処理動作は、上記した実施例3の図8で示した動作と略同様の動作が可能である。 The basic processing operation of the substrate processing apparatus 40 is operable substantially similar to the operation shown in FIG. 8 of the third embodiment described above. なお、図8において、支持機構71(基板保持手段7)及び基板移載手段8の図示は省略する。 In FIG. 8, the illustration of the support mechanism 71 (substrate holding means 7) and the substrate transfer unit 8 will be omitted.

【0064】 その他の実施例図9及び図10の各平面図に基づいて、さらに2つの実施の形態を説明する。 [0064] Based on the plan view of another embodiment FIGS. 9 and 10, further illustrating the two embodiments. 図9に示したインライン型の基板処理装置50は、図1に示した基板処理装置10のバッファ室2に加熱手段12を設け、予熱室21としたものである。 Inline type substrate processing apparatus 50 shown in FIG. 9, the heating means 12 to the buffer chamber 2 of the substrate processing apparatus 10 shown in provided 1, in which the preheating chamber 21. 他の構成は基板処理装置10と同一であり、各部の詳細な説明は省略する。 Other constructions are the same as the substrate processing apparatus 10, a detailed description of each part will be omitted. なお、この例では、基板処理装置50は、基板Sを予熱室21で予熱した後、3層の膜を基板Sの表面に順次成膜し、1層目と3層目の膜は同種類の膜である。 In this example, the substrate processing apparatus 50, after preheating the substrate S at the preheating chamber 21, a film of three-layer sequentially formed on the surface of the substrate S, 1-layer and third-layer film is the same type which is a membrane. なお、図9において、支持機構7 In FIG. 9, the support mechanism 7
1(基板保持手段7)及び基板移載手段8の図示は省略する。 1 shown in (substrate holding means 7) and the substrate transfer unit 8 will be omitted.

【0065】基板処理装置50では、トレイ搬送手段6 [0065] In the substrate processing apparatus 50, the tray conveying means 6
は、ロードロック室1が大気開放下にあるとき、トレイ62を真空雰囲気の予熱室21に待機させ、ロードロック室1が真空雰囲気になったとき、支持機構71に支持された基板Sをトレイ62に載置して第1成膜室3(1 Tray, when the load lock chamber 1 is under the atmosphere opening, the tray 62 is waiting preheating chamber 21 of the vacuum atmosphere, when the load lock chamber 1 becomes a vacuum atmosphere, a supported substrate S to a support mechanism 71 the first film forming chamber 3 is placed in 62 (1
層目と3層目の成膜)及び第2成膜室4(2層目の成膜)へ移動させる。 Layer eyes and moving the third layer deposition) and to the second film forming chamber 4 (second layer deposition). このような構成により、予熱室21 With this arrangement, the preheating chamber 21
では、専用の高速加熱プロセスを実施することが可能となり、装置の運転効率を高めることができる。 So it is possible to implement a dedicated high-speed heating process, it is possible to improve the operating efficiency of the apparatus.

【0066】図10に示したインライン型の基板処理装置60は、図1に示した基板処理装置10のバッファ室2を省略し、ロードロック室1に隣接する第1成膜室3 [0066] in-line substrate processing apparatus 60 shown in FIG. 10 omits the buffer chamber 2 of the substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1, the first film forming chamber 3 adjacent to the load lock chamber 1
と、その後方の第2成膜室4を設ける。 When provided with a second film forming chamber 4 in its rear. 他の構成は基板処理装置10と同一であり、基板処理装置10と同一の構成部分の説明は省略する。 Other constructions are the same as the substrate processing apparatus 10, the description thereof will not be components of the same substrate processing apparatus 10. また、図10において、支持機構71(基板保持手段7)及び基板移載手段8の図示は省略する。 Further, in FIG. 10, the illustration of the support mechanism 71 (substrate holding means 7) and the substrate transfer unit 8 will be omitted. なお、この例では、基板処理装置60 In this example, the substrate processing apparatus 60
は、基板Sを各成膜室3、4で加熱した後、3層の膜を基板Sの表面に順次成膜し、1層目と3層目の膜は同種類の膜である。 After heating the substrate S in the film forming chamber 3 and 4, a film of three-layer sequentially formed on the surface of the substrate S, 1-layer and 3-layer film is the same type of film.

【0067】基板処理装置60では、トレイ搬送手段6 [0067] In the substrate processing apparatus 60, the tray conveying means 6
は、ロードロック室1が大気開放下にあるとき、トレイ62を真空雰囲気の第1成膜室3に待機させ、ロードロック室1が真空雰囲気になったとき、支持機構71に支持された基板Sをトレイ62に載置して第1成膜室3 The substrate, when the load lock chamber 1 is under the atmosphere opening, the tray 62 is waiting in the first film formation chamber 3 of the vacuum atmosphere, when the load lock chamber 1 becomes a vacuum atmosphere, which is supported by the support mechanism 71 the first film forming chamber 3 by placing the S on the tray 62
(1層目と3層目の成膜)及び第2成膜室4(2層目の成膜)へ移動させる。 Is moved to (first and third layers of film formation) and the second film forming chamber 4 (second layer deposition). このような構成により、基板処理装置60は、全長の短い装置となり、装置の小型化が達成される。 With this configuration, the substrate processing apparatus 60 becomes a short total length device, miniaturization of the apparatus is achieved.

【0068】以上説明したように、本発明により効率の高い基板処理装置を提供することが可能であるが、装置の構成及び基板搬送用トレイの搬送制御方法に関しては、本実施例に限定されることなく、種々の応用形態があることは明白である。 [0068] As described above, it is possible to provide a high substrate processing apparatus efficiency by the present invention, with respect to the structure and the substrate transfer method of controlling transfer tray device is limited to this example without, it is apparent that there are a variety of applications forms.

【0069】 [0069]

【発明の効果】この発明では、ロードロック室を大気開放して成膜処理が施された基板をロードロック室から取り出すとともに、成膜処理を施す前の基板をロードロック室に供給する際に、トレイは、ゲートバルブ等を含む真空手段により真空となっているバッファ室に位置しているので、トレイは大気に曝されない。 EFFECTS OF THE INVENTION The present invention takes out the substrate film formation process open to the atmosphere is subjected to the load lock chamber from the load lock chamber, in supplying substrate before applying the film forming process in the load lock chamber , trays, since the position in the buffer chamber has a vacuum by a vacuum means including a gate valve or the like, the tray is not exposed to the atmosphere. また、トレイは、真空手段によりロードロック室が真空になったときに、バッファ室からロードロック室へ移動し、成膜処理を施す前の基板が載置される。 Also, the tray, when the load lock chamber becomes a vacuum by the vacuum means to move from the buffer chamber into the load lock chamber, the substrate before applying the film forming process is placed. したがって、トレイは大気に曝されることがない。 Therefore, the tray is not exposed to the atmosphere.

【0070】本発明を用いて、多数の基板に対して成膜処理を連続的に行う場合には、基板を載置して搬送するトレイは、大気に曝されることがないので、トレイに水分等の不純物が付着するのが防止され、基板上に良好な膜質を形成することができる。 [0070] Using the present invention, when performing a film forming process continuously for a number of substrates, trays for transporting and placing the substrate, since there is no exposure to the atmosphere, the tray is prevented from adhering impurities such as moisture, it is possible to form a good film quality on a substrate. さらに、トレイが大気に曝されることがないので、トレイの温度低下を防止できる。 Further, since the tray is not exposed to the atmosphere, the temperature drop of the tray can be prevented. したがって、成膜処理前にトレイを基板と同じ温度まで昇温するのに要する時間が短縮され生産性が向上する。 Therefore, the time required for the tray to warm to the same temperature as the substrate before the film forming process is shortened and productivity is improved. 一方、トレイは、一連の処理室を直線状に連結したインライン型の基板処理装置の内部を往復移動するので、小型で設置面積の小さい基板処理装置が構成される。 Meanwhile, the tray, the internal and reciprocated in-line type substrate processing apparatus, a small substrate processing apparatus footprint compact is formed which is connected a series of processing chambers in a straight line.

【0071】さらに、従来のクラスター型基板処理装置や一連の処理室を直列に配置し保持具搬送路が必要なインライン型基板処理装置と比較して、装置設置面積を小さくすることができ、また処理室の数が少ないこととそれに伴う補助機器類が不要なことによりコストダウンを図ることができる。 [0071] Further, as compared with the conventional cluster type substrate processing apparatus and a series of processing chambers were arranged in series retainer conveying path line type substrate processing equipment required, it is possible to reduce the equipment footprint, also auxiliary equipment associated with it that the number of the processing chamber is small it is possible to reduce the cost by not required. ステーションをバッファ室に設けることにより、バッファ室の中で処理前の基板と処理済みの基板とが行き違えるので、小型化及びコストダウンが図られた本発明の基板処理装置の特長を生かしつつ、複数の基板を扱えることにより高い生産能力を発揮できる。 By providing the station into the buffer chamber, since the substrate and the treated substrate before processing in the buffer chamber that Yukichigae, while taking advantage of the substrate processing apparatus of the present invention that size and cost have been achieved, It can exhibit high production capacity by handle multiple substrates.

【0072】成膜室へ搬入される基板を加熱する加熱手段をバッファ室の中に設けることにより、成膜プロセスと並行して加熱プロセスを実施することが可能となり、 [0072] By providing a heating means for heating a substrate is carried into the deposition chamber into the buffer chamber, it is possible to carry out the heating process in parallel with the film formation process,
装置の運転効率を高めることができる。 It is possible to increase the operating efficiency of the apparatus. 成膜室が、それぞれの成膜手段を有する連続した複数の成膜室からなり、これらの成膜室は仕切りのない1つの室として真空手段により真空排気されることにより、独立した複数のプロセスを一つの成膜室の中で行うことができ、それによって処理室及び補助機器類を削減することが可能となり、装置の設置面積を小さくするとともにコストダウンが可能となる。 Deposition chamber, a plurality of film forming chambers which successive having respective film forming means, by being evacuated by these film forming chambers are vacuum means as one chamber without a partition, a plurality of independent processes can be performed in a single deposition chamber, whereby it is possible to reduce the processing chamber and auxiliary equipment, the cost can be reduced as well as reduce the installation area of ​​the apparatus.

【0073】トレイ搬送手段が、基板を垂直に保持して搬送することにより、搬送及び成膜処理中に基板は常に垂直方向に保持されるため、成膜面への塵や埃の付着が抑制されて、成膜の質が向上する。 [0073] tray conveying means, by holding and transporting the substrate vertically, conveyance and to the substrate during the film forming process is always held in a vertical direction, deposition suppression of dust and dirt into the film-forming surface is, the quality of the film formation can be improved.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施例1における基板処理装置の構成の概要を説明するための平面図。 Plan view for explaining an outline of a configuration of a substrate processing apparatus in Embodiment 1 of the present invention.

【図2】本発明の実施例2における基板処理装置の構成の概要を説明するための平面図。 Plan view for explaining an outline of a configuration of a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention; FIG.

【図3】図2の基板入替え用のステーションの構成を説明するための平面図〔基板搬入時(a)及び基板搬出時(b)〕。 Figure 3 is a plan view for explaining the configuration of a station for the substrate replacement of 2 [when substrate carry (a) and at the substrate carry-out (b)].

【図4】本発明の実施例3における基板処理装置の構成の概要を説明するための平面図。 Plan view for explaining an outline of a configuration of a substrate processing apparatus in Embodiment 3 of the present invention; FIG.

【図5】図4の基板入替え用のステーションの構成を説明するための平面図〔基板搬出時(a)及び基板搬入時(b)〕。 FIG. 5 is a plan view for explaining the configuration of a station for the substrate replacement of 4 [when substrate carry-out (a) and during substrate loading (b)].

【図6】本発明の実施例3における基板搬送用トレイの搬送制御方法を説明するためのフローチャート。 Flowchart for explaining a conveyance control method of a substrate carrying tray in Example 3 of the present invention; FIG.

【図7】本発明の実施例3における基板搬送用トレイの搬送制御方法を説明するための工程図。 [7] a process diagram for explaining a conveyance control method of a substrate carrying tray according to the third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例4における基板処理装置の構成の概要を説明するための平面図。 Figure 8 is a plan view for explaining an outline of a configuration of a substrate processing apparatus in Embodiment 4 of the present invention.

【図9】本発明の他の実施例による基板処理装置の構成の概要を説明するための平面図。 Plan view for explaining an outline of a configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention; FIG.

【図10】本発明のさらに他の実施例による基板処理装置の構成の概要を説明するための平面図。 Moreover plan view for explaining an outline of a configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention; FIG.

【図11】従来例によるクラスター型成膜装置の構成の概要を説明するための平面図。 Figure 11 is a plan view for explaining an outline of a configuration of a cluster type deposition apparatus according to the prior art.

【図12】従来例によるインライン型成膜装置の構成の概要を説明するための平面図。 Figure 12 is a plan view for explaining an outline of a configuration of an in-line type film forming apparatus according to the prior art.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ロードロック室 2 バッファ室 3 第1成膜室 4 第2成膜室 5 ゲートバルブ(真空手段) 6 トレイ搬送手段 7 基板保持手段 10 基板処理装置 12 加熱手段 14 搬入トレイ保持部 15 搬出トレイ保持部 18 ステーション 31 第1成膜手段 41 第2成膜手段 61 搬送路(トレイ搬送手段) 62 トレイ(トレイ搬送手段) 64 シフトプレート 71 支持機構(基板保持手段) 1 load lock chamber 2 buffer chamber 3 first film forming chamber 4 the second film forming chamber 5 a gate valve (vacuum means) 6 tray transporting means 7 substrate holding means 10 substrate processing apparatus 12 heating unit 14 carrying the tray holding portion 15 out tray holding part 18 station 31 first film forming means 41 and the second film forming means 61 conveying path (tray conveying means) 62 tray (tray transporting means) 64 shift plate 71 supporting mechanism (substrate holding means)

Claims (6)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板に対する成膜手段を備えかつ直列に接続された複数の成膜室と、成膜室に接続されたロードロック室と、これらの室をそれぞれ独立して所定の真空雰囲気に調圧して保持可能な真空手段とを有する基板処理装置であって、 ロードロック室に配置され、基板を保持させる基板保持手段と、基板保持手段が保持する基板をトレイに載置して成膜室へ移動させ、基板保持手段に戻すトレイ搬送手段とを備え、 トレイ搬送手段は、ロードロック室が大気開放下にあるとき、トレイを真空雰囲気の成膜室に待機させ、ロードロック室が真空雰囲気になったとき、基板保持手段が保持する基板をトレイに載置して成膜室へ移動させることを特徴とする基板処理装置。 A plurality of film formation chambers connected with and in series film forming means for 1. A substrate, a load lock chamber connected to the deposition chamber, these chambers each independently predetermined vacuum atmosphere the substrate processing apparatus having a vacuum means capable of holding it by regulating, disposed in the load lock chamber, a substrate holding device for holding the substrate, by placing the substrate in which the substrate holding means for holding the tray deposition is moved to the chamber, and a tray conveying means for returning the substrate holding means, the tray conveying means, when the load lock chamber is under atmospheric release the tray to wait for film formation chamber of the vacuum atmosphere, the load lock chamber is vacuum when it is an atmosphere, the substrate processing apparatus, characterized in that moving and placing the substrate substrate holding means for holding the tray into the deposition chamber.
  2. 【請求項2】 ロードロック室と成膜室の間に介設され、独立して所定の真空雰囲気に調圧保持されるバッファ室を有し、トレイ搬送手段は、ロードロック室が大気開放下にあるとき、トレイを真空雰囲気のバッファ室に待機させ、ロードロック室が真空雰囲気になったとき、 Wherein interposed between the load lock chamber and the deposition chamber independently a buffer chamber which is pressure regulating maintained at a predetermined vacuum atmosphere, the tray conveying means, air release under load lock chamber when in, a tray made to wait in the buffer chamber of vacuum atmosphere, when the load lock chamber becomes a vacuum atmosphere,
    基板保持手段が保持する基板をトレイに載置して成膜室へ移動させる請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, the substrate holding means moves by placing the substrate to hold the tray to the deposition chamber.
  3. 【請求項3】 バッファ室が、成膜室へ搬入される基板を加熱する加熱手段を具備してなる請求項2に記載の基板処理装置。 Wherein the buffer chamber, the substrate processing apparatus according to claim 2 comprising comprises a heating means for heating a substrate is carried into the deposition chamber.
  4. 【請求項4】 トレイ搬送手段は、成膜室へ搬入される基板及び成膜室から搬出される基板のそれぞれを、行き違い可能に保持するステーションをバッファ室の中に有し、ステーションに保持されたそれぞれの基板に応じてステーションを基板の搬入位置と搬出位置とに移動して基板の搬入路と搬出路とを選択的に形成する請求項2または3に記載の基板処理装置。 4. A tray conveying means, each of the substrates to be unloaded from the substrate and the deposition chamber is carried into the deposition chamber has a station for misunderstandings can hold in the buffer chamber, it is held in the station the substrate processing apparatus according to claim 2 or 3 by moving the station and unloading position and loading position of the substrate to selectively form a carry path and output path of the substrate in accordance with the respective substrate.
  5. 【請求項5】 真空雰囲気のロードロック室に配置された基板を基板搬送用トレイに受け取り、基板とともにトレイを、基板に対する成膜手段を有する成膜室に移動させ、次いで、基板をトレイからロードロック室に戻し、 5. receive a substrate disposed in the load lock chamber in the vacuum atmosphere substrate carrying tray, load the tray with substrates is moved into the film forming chamber having a film forming means with respect to the substrate, then the substrate from the tray back to the lock chamber,
    さらにトレイをロードロック室外の真空雰囲気下で待機させる基板搬送用トレイの搬送制御方法。 Further, the substrate conveyance control method of transfer trays to wait for a tray in a vacuum atmosphere in the load lock chamber.
  6. 【請求項6】 成膜室とロードロック室の間に配設された真空雰囲気のバッファ室にトレイを待機させ、ロードロック室が真空になったとき、ロードロック室に配置された基板をトレイが受け取る請求項5に記載の基板搬送用トレイの搬送制御方法。 6. to wait the tray to the buffer chamber of vacuum atmosphere disposed between the deposition chamber and the load lock chamber when the load lock chamber becomes a vacuum, a substrate disposed in the load lock chamber tray substrate transfer method of controlling transfer tray according to claim 5 receives. 【0001】 [0001]
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