JP2000129442A - Deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の搬走路に沿
って配置された複数の処理室に基板を順次搬送して成膜
処理を施すインライン式真空成膜装置とそのロード室に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an in-line vacuum film forming apparatus for sequentially transferring a substrate to a plurality of processing chambers arranged along a substrate carrying path and performing a film forming process, and a load chamber thereof. It is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置や半導体等の製造には広く
真空成膜装置が用いられている。液晶表示装置の製造を
例に説明すると、液晶表示装置の製造は、インジウム−
スズ酸化物や金属の薄膜をガラス基板表面に成膜する行
程を含み、このような薄膜は例えばスパッタ装置と呼ば
れる真空成膜装置においてガラス表面に成膜される。2. Description of the Related Art Vacuum film forming apparatuses are widely used for manufacturing liquid crystal display devices and semiconductors. Taking the manufacture of a liquid crystal display device as an example, the manufacture of the liquid crystal display device is indium-
The method includes a step of forming a thin film of tin oxide or a metal on a glass substrate surface, and such a thin film is formed on a glass surface by, for example, a vacuum film forming apparatus called a sputtering apparatus.
【０００３】スパッタ装置では、成膜材料で構成された
ターゲットと成膜対象であるガラス基板を減圧雰囲気の
中で対向させ、放電現象を利用してガラス基板上に成膜
材料を堆積させる。また、成膜処理に先立ち、ガラス基
板を加熱する行程を含むことが多い。In a sputtering apparatus, a target formed of a film forming material and a glass substrate to be formed are opposed to each other in a reduced pressure atmosphere, and the film forming material is deposited on the glass substrate by using a discharge phenomenon. In addition, it often includes a step of heating the glass substrate prior to the film forming process.
【０００４】こうした製造装置は、良好な膜が得られ、
生産性が高く、メンテナンス性が良好で、設置面積の小
さいものが理想的である。[0004] Such a manufacturing apparatus can obtain a good film,
Ideally, a product with high productivity, good maintainability, and a small installation area is used.
【０００５】真空成膜装置は、中間室の周囲に複数の処
理室を配置したクラスターツール真空成膜装置と、複数
の処理室を連続的に配置したインライン真空成膜装置の
２種類の形態に分類できる。There are two types of vacuum film forming apparatuses: a cluster tool vacuum film forming apparatus in which a plurality of processing chambers are arranged around an intermediate chamber, and an in-line vacuum film forming apparatus in which a plurality of processing chambers are continuously arranged. Can be classified.
【０００６】図６は一般的なクラスターツール真空成膜
装置の概要図である。図６を用いて、一般的なクラスタ
ーツール真空成膜装置について説明する。FIG. 6 is a schematic view of a general cluster tool vacuum film forming apparatus. A general cluster tool vacuum film forming apparatus will be described with reference to FIG.
【０００７】図６において、６個の処理室、つまり２個
のロード室１０１、加熱室１０３、第１成膜室１０４、
第２成膜室１０５、第３成膜室１０６が中間室１１６の
周りに配置されている。中間室１１６内部には基板搬送
ロボット１１５が配置され、各処理室間で基板１０８の
搬送を行う。なお、一般的には基板搬送ロボット１１５
は、一度に一枚の基板しか搬送できない。また、各成膜
室には成膜手段１１７が設けられている。In FIG. 6, six processing chambers, ie, two load chambers 101, a heating chamber 103, a first film forming chamber 104,
A second film forming chamber 105 and a third film forming chamber 106 are arranged around the intermediate chamber 116. A substrate transfer robot 115 is disposed inside the intermediate chamber 116, and transfers the substrate 108 between the processing chambers. In general, the substrate transfer robot 115
Can transfer only one substrate at a time. Further, a film forming means 117 is provided in each film forming chamber.
【０００８】このクラスターツール真空成膜装置に対
し、基板１０８を運搬するための基板カセット１２０
と、基板１０８を成膜処理する前に洗浄する洗浄装置１
１８と、基板カセット１２０と洗浄装置１１８とロード
室１０１との間で基板１０８を搬送する自走ロボット１
１９とが設置されている。[0008] A substrate cassette 120 for transporting the substrate 108 to the cluster tool vacuum film forming apparatus.
Cleaning apparatus 1 for cleaning substrate 108 before performing film formation processing
, A substrate cassette 120, a cleaning device 118, and a self-propelled robot 1 that transports a substrate 108 between the load chamber 101.
19 are installed.
【０００９】処理前の基板１０８は複数枚が基板カセッ
ト１２０に入れられて装置手前に運搬される。自走ロボ
ット１１９は処理前の基板１０８を基板カセット１２０
から取り出して、洗浄装置１１８まで搬送し、洗浄装置
１１８に投入する。次に、洗浄を終了した基板１０８を
洗浄装置１１８からロード室１０１に搬送する。また、
自走ロボット１１９は、処理済みの基板１０８をロード
室１０１から取り出し、基板カセット１２０に搬送す
る。A plurality of substrates 108 before processing are put in a substrate cassette 120 and transported to the front of the apparatus. The self-propelled robot 119 stores the substrate 108 before processing in the substrate cassette 120.
, And is transported to the cleaning device 118 and put into the cleaning device 118. Next, the cleaned substrate 108 is transferred from the cleaning device 118 to the load chamber 101. Also,
The self-propelled robot 119 takes out the processed substrate 108 from the load chamber 101 and transports it to the substrate cassette 120.
【００１０】次に、一般的なインライン真空成膜装置を
図７を用いて説明する。図７は一般的なインライン真空
成膜装置の概要図である。Next, a general in-line vacuum film forming apparatus will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram of a general in-line vacuum film forming apparatus.
【００１１】図７において、６個の処理室、つまりロー
ド室２０１、加熱室２０３、第１成膜室２０４、第２成
膜室２０５、第３成膜室２０６、アンロード室２０７
は、直線的に連なって配置されている。In FIG. 7, six processing chambers, ie, a loading chamber 201, a heating chamber 203, a first film forming chamber 204, a second film forming chamber 205, a third film forming chamber 206, and an unloading chamber 207 are shown.
Are arranged in a straight line.
【００１２】一般的なインライン真空成膜装置では、成
膜対象である基板２０８は保持具２０９に保持され、垂
直に立った状態で搬送される。可能ならば保持具２０９
には複数枚の基板が保持され、さらに基板２０８の成膜
面を外側に向けて２個の保持具２０９が背中合わせで一
組となり、搬送されることが多い。In a general in-line vacuum film forming apparatus, a substrate 208 on which a film is to be formed is held by a holder 209 and conveyed while standing vertically. Holder 209 if possible
, A plurality of substrates are held, and two holders 209 are often set as a back-to-back pair with the film-forming surface of the substrate 208 facing outward, and are often conveyed.
【００１３】従って、同時に処理することが可能な基板
枚数が一枚であるクラスターツール真空成膜装置と比較
して、処理可能枚数が多いため生産性が良い。Therefore, compared to a cluster tool vacuum film forming apparatus in which only one substrate can be processed at a time, the number of substrates that can be processed is large, so that productivity is high.
【００１４】ロード室２０１とアンロード室２０７は保
持具走路２２１によって接続され、処理を終了した基板
２０８を保持する保持具２０９をアンロード室２０７か
らロード室２０１手前の保持具開閉機構２２２に移動さ
せる。The load chamber 201 and the unload chamber 207 are connected by a holder runway 221, and the holder 209 holding the processed substrate 208 is moved from the unload chamber 207 to the holder opening / closing mechanism 222 in front of the load chamber 201. Let it.
【００１５】各成膜室においては、２個の成膜手段２１
７がその両面に搭載され、成膜する面を外側に向けて背
中合わせに搬送されている２組の基板２０８を同時に成
膜する。In each film forming chamber, two film forming means 21
7 are mounted on both sides thereof, and two sets of substrates 208 which are conveyed back to back with the surfaces to be formed facing outward are formed simultaneously.
【００１６】インライン成膜装置に対し、基板２０８を
運搬するための基板カセット２２０と、基板を洗浄する
洗浄装置２１８と、保持具２０９を水平軸を中心に開く
ように回転して水平にする保持具開閉機構２２２と、基
板カセット２２０と洗浄装置２１８と中間基板台２２４
の３者間で基板２０８を搬送する自走ロボット２１９
と、中間基板台２２４と保持具２０９との間で基板２０
８を搬送する脱着ロボット２２３が設置されている。The substrate cassette 220 for transporting the substrate 208, the cleaning device 218 for cleaning the substrate, and the holding device 209 are rotated so as to be opened about a horizontal axis and held horizontally to the in-line film forming apparatus. Tool opening / closing mechanism 222, substrate cassette 220, cleaning device 218, intermediate substrate table 224
Self-propelled robot 219 that transports a substrate 208 between the three
And the substrate 20 between the intermediate substrate base 224 and the holder 209.
8 is installed.
【００１７】図７に示す中間基板台２２４は、中央に配
設された垂直軸の周りに旋回する４個の基板保持台によ
って構成され、脱着ロボット２２３と自走ロボット２１
９は同時に中間基板台２２４にアクセスすることができ
る。The intermediate substrate table 224 shown in FIG. 7 is constituted by four substrate holders that pivot around a vertical axis disposed in the center, and includes a detachable robot 223 and a self-propelled robot 21.
9 can access the intermediate substrate platform 224 at the same time.
【００１８】処理前の基板２０８は、複数枚が基板カセ
ット２２０に格納した状態で装置手前に運搬される。自
走ロボット２１９は、処理前の基板２０８を基板カセッ
ト２２０から取り出し、洗浄装置２１８に搬送し、投入
して洗浄する。次に、洗浄を終了した基板２０８を洗浄
装置２１８から中間基板台２２４に搬送する。The substrate 208 before processing is transported toward the apparatus in a state where a plurality of substrates 208 are stored in the substrate cassette 220. The self-propelled robot 219 takes out the unprocessed substrate 208 from the substrate cassette 220, transports the substrate 208 to the cleaning device 218, and throws the substrate 208 in for cleaning. Next, the cleaned substrate 208 is transferred from the cleaning device 218 to the intermediate substrate table 224.
【００１９】脱着ロボット２２３は、中間基板台２２４
に置かれた基板２０８を受け取り、保持具開閉機構２２
２に搬送する。The detachable robot 223 includes an intermediate substrate table 224.
Receiving the substrate 208 placed on the
Convey to 2.
【００２０】保持具開閉機構２２２は、背中合わせにな
った２枚の保持具２０９を、水平軸を中心に開くように
回転させて水平にする。The holder opening / closing mechanism 222 rotates the two holders 209, which are back to back, so as to open about a horizontal axis to make them horizontal.
【００２１】脱着ロボット２２３は、成膜処理を実施し
た基板２０８を保持具２０９から取り外し、未処理の基
板２０８を保持具２０９に装着する。The detaching robot 223 removes the substrate 208 on which the film formation process has been performed from the holder 209 and mounts the unprocessed substrate 208 on the holder 209.
【００２２】基板２０８を装着後、保持具開閉機構２２
２は水平になっている２枚の保持具２０９を再び垂直に
起こし、ロード室２０１に搬送する。After the substrate 208 is mounted, the holder opening / closing mechanism 22
2 lifts the two holders 209 that are horizontal vertically again and transports them to the load chamber 201.
【００２３】脱着ロボット２２３が処理済みの基板２０
８を中間基板台２２４に置くと、自走ロボット２１９
は、処理済みの基板２０８を中間基板台２２４から基板
カセット２２０に搬送する。The detached robot 223 operates the processed substrate 20
8 on the intermediate substrate table 224, the self-propelled robot 219
Transports the processed substrate 208 from the intermediate substrate stage 224 to the substrate cassette 220.
【００２４】このように、クラスターツール真空成膜装
置、インライン真空成膜装置、あるいは説明していない
その他の真空成膜装置であっても、生産に用いられる自
動化された真空成膜装置では、装置のみが単独で存在す
るわけではなく、必ず装置に対して、処理対象をやりと
りするための移載搬送装置が必要である。As described above, even if a cluster tool vacuum film forming apparatus, an in-line vacuum film forming apparatus, or another vacuum film forming apparatus which is not described, an automated vacuum film forming apparatus used for the production is used for the apparatus. Is not alone, and a transfer / conveyance apparatus for exchanging a processing target with the apparatus is always required.
【００２５】装置に対する処理対象のやりとりを行う移
載搬送装置は、クラスターツール真空成膜装置の方が、
保持具開閉機構２２２、保持具走路２２１や脱着ロボッ
ト２２３を必要とするインライン真空成膜装置と比較し
て少ない床面積で設置できる。The transfer tool for exchanging the object to be processed with the apparatus is a cluster tool vacuum film forming apparatus,
It can be installed with a smaller floor area as compared with an inline vacuum film forming apparatus that requires the holder opening / closing mechanism 222, the holder running path 221 and the detachable robot 223.
【００２６】したがって、成膜手順が単純であったり、
設置面積を優先する場合はクラスターツール真空成膜装
置が用いられ、成膜手順が複数段階から構成されていた
り、生産効率を要求される場合はインライン真空成膜装
置が用いられている。Therefore, the film forming procedure is simple,
When the installation area is prioritized, a cluster tool vacuum film forming apparatus is used, and when the film forming procedure includes a plurality of stages, or when production efficiency is required, an in-line vacuum film forming apparatus is used.
【００２７】[0027]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クラス
ターツール真空成膜装置やインライン真空成膜装置など
の従来の真空成膜装置にも下記のような問題がある。However, conventional vacuum film forming apparatuses such as a cluster tool vacuum film forming apparatus and an in-line vacuum film forming apparatus also have the following problems.
【００２８】クラスターツール真空成膜装置でも多層膜
成膜のような複数段階の処理を必要とする成膜は可能で
はあるが、各処理室を接続する中間室１１６内部の基板
搬送ロボット１１５の搬送能力が生産能力の限界を決定
するため、処理段数が多い場合、生産効率がインライン
真空成膜装置と比較して大幅に悪くなる。Although a cluster tool vacuum film forming apparatus can form a film that requires a plurality of stages of processing such as a multilayer film forming method, the transfer by a substrate transfer robot 115 inside an intermediate chamber 116 connecting each processing chamber is possible. Since the capacity determines the limit of the production capacity, when the number of processing stages is large, the production efficiency is significantly deteriorated as compared with the in-line vacuum film forming apparatus.
【００２９】これまでの液晶表示装置の製造においては
その製造工程が比較的単純であったため、クラスターツ
ール真空成膜装置の生産能力で十分対応でき、上述のよ
うに設置面積の点から、クラスターツール真空成膜装置
が主に用いられてきた。Since the manufacturing process of the conventional liquid crystal display device has been relatively simple, the production capacity of the cluster tool vacuum film forming apparatus can sufficiently cope with the problem. Vacuum film forming apparatuses have been mainly used.
【００３０】しかし、液晶表示装置の性能向上に伴っ
て、複数段階の処理を必要とする多層膜成膜の要求が高
まってきており、この要求に対し、中間室１１６内部の
基板搬送ロボット１１５の搬送能力を向上させることを
目的とするクラスターツールの改良装置が提案されてい
る。However, with the improvement in the performance of the liquid crystal display device, the demand for multilayer film formation requiring a plurality of stages of processing has been increasing. In response to this demand, the substrate transfer robot 115 inside the intermediate chamber 116 has responded. There has been proposed an improved cluster tool for improving the transfer capability.
【００３１】例えば、特開平８−３７４４号公報で提案
されている装置は、中間室における搬送処理数を２組と
し、搬送能力の向上を図っている。For example, in the apparatus proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-3744, the number of transfer processes in the intermediate chamber is set to two sets to improve the transfer capacity.
【００３２】しかし、この種の改良を行っても、成膜処
理対象の処理室間の移動を中間室を介して行うクラスタ
ーツール真空成膜装置の特徴を有していることに関して
は変化がない。However, even if this kind of improvement is performed, there is no change in the feature of the cluster tool vacuum film forming apparatus that moves the processing object between the processing chambers through the intermediate chamber. .
【００３３】従って、多層膜成膜のような複数の処理を
必要とする成膜では、成膜処理対象が何度も中間室を通
過する必要が生じ、生産性はインライン真空成膜装置と
比較して悪くなる。Therefore, in a film formation requiring a plurality of processes such as a multilayer film formation, it is necessary to pass the film formation target many times through the intermediate chamber, and the productivity is higher than that of the in-line vacuum film formation apparatus. And worse.
【００３４】また、この種のクラスターツール真空成膜
装置の改良装置（例えば特開平４−１３７５２２号公
報、特開平６−６９３１６号公報、特開平８−３７４４
号公報等）では、どれも中間室周囲に処理室を配置する
構造であるため、中間室内部をメンテナンスするために
は周囲に配置された処理室のどれかを除去しなければな
らない。Further, this type of cluster tool vacuum film forming apparatus is improved (for example, JP-A-4-137522, JP-A-6-69316, JP-A-8-3744).
In each of the above publications, the processing chamber is arranged around the intermediate chamber. Therefore, in order to maintain the inside of the intermediate chamber, one of the processing chambers arranged around the intermediate chamber must be removed.
【００３５】ところが、処理室はそれぞれ排気系の配管
や電気系の配線で外部装置と接続されており、処理室移
動の際は、それらの切り離しや再接続処理を行う必要を
生ずる。また、処理室の重量が大きな場合、その移動や
中間室との再接続時の位置決めも困難である。However, each of the processing chambers is connected to an external device through an exhaust system pipe or an electrical system wiring, and when the processing chamber is moved, it is necessary to perform disconnection and reconnection of the processing chambers. In addition, when the weight of the processing chamber is large, it is difficult to move the processing chamber and position it when reconnecting to the intermediate chamber.
【００３６】従って、中間室内部メンテナンス毎にこれ
らの処理を行うことは現実的ではない。Therefore, it is not practical to perform these processes for every maintenance in the intermediate room.
【００３７】一方、インライン真空成膜装置は、処理が
連続的かつ並列に行われ、しかも各処理室に２個の処理
手段２１７を配置することが可能なため生産効率が良い
が、各処理室が連なって配置されているため、どれか１
つの処理室に問題が発生すると装置全体が停止してしま
い生産が行えなくなるという問題がある。On the other hand, in the in-line vacuum film forming apparatus, the processing is performed continuously and in parallel, and two processing means 217 can be arranged in each processing chamber. Are arranged consecutively, so any one
If a problem occurs in one of the processing chambers, there is a problem that the entire apparatus stops and production cannot be performed.
【００３８】また、一連の処理のうち、どれかの処理に
必要となる時間が他の処理と比較して長い場合、他の処
理はこの特定の処理が完了するまで待つ必要があり、装
置の生産効率が低下してしまう。If the time required for any one of the series of processing is longer than the other processing, the other processing must wait until the specific processing is completed. Production efficiency decreases.
【００３９】さらに、処理室を直線的に配置した装置で
は、処理室の数が多い場合、装置寸法が大きくなってし
まうという問題がある。Further, in an apparatus in which the processing chambers are arranged linearly, there is a problem that when the number of processing chambers is large, the size of the apparatus becomes large.
【００４０】この装置寸法の問題を解決する目的で、一
連の処理室をコの字状に配置（特開平５−２８７５３０
号公報）したり、多角形に配置（特開平８−２７４１４
２号公報）するというインライン装置の改良装置が提案
されている。In order to solve the problem of the size of the apparatus, a series of processing chambers are arranged in a U-shape (Japanese Patent Laid-Open No. 5-287530).
JP-A-8-27414) or arranged in a polygon
No. 2) has been proposed.
【００４１】しかし、処理室をコの字状、あるいは多角
形に配置した場合、コの字状、あるいは多角形の内側に
ある装置のメンテナンスが困難になるという問題が発生
する。However, when the processing chambers are arranged in a U-shape or a polygon, there is a problem that maintenance of the apparatus inside the U-shape or the polygon becomes difficult.
【００４２】具体的に図８を用いて説明する。図８に示
す真空成膜装置は、ロード室３０１、加熱室３０３、回
転室３１０、第１成膜室３０４、第２成膜室３０５、第
３成膜室３０６、アンロード室３０７がコの字型の搬送
路に沿って配置され、ロード室３０１とアンロード室３
０７は保持具走路３２１で接続されている。A specific description will be made with reference to FIG. The vacuum deposition apparatus shown in FIG. 8 includes a load chamber 301, a heating chamber 303, a rotation chamber 310, a first deposition chamber 304, a second deposition chamber 305, a third deposition chamber 306, and an unload chamber 307. The load chamber 301 and the unload chamber 3 are arranged along the
07 is connected by a holder running path 321.
【００４３】各処理室には、それぞれ２個の成膜手段３
１７がその内側と外側に搭載されている。この内側に位
置する成膜手段３１７に対しメンテナンス等の作業を行
う場合を考える。Each processing chamber has two film forming means 3
17 are mounted inside and outside thereof. A case is considered where maintenance work or the like is performed on the film forming means 317 located inside.
【００４４】この場合、内側の成膜手段３１７は各処理
室や保持具走路３２１、洗浄装置３１８、脱着ロボット
３２３、自走ロボット３１９等によって囲まれているた
め、メンテナンス作業者は成膜手段３１７へのアクセス
が困難である。また、内側の成膜手段３１７で部品交換
の必要が生じた場合、交換部品の運搬も困難である。In this case, since the inner film forming means 317 is surrounded by the processing chambers, the holder running path 321, the cleaning device 318, the detachable robot 323, the self-propelled robot 319, and the like, the maintenance worker needs the film forming means 317. Difficult to access. Further, when it is necessary to replace a component in the inner film forming means 317, it is difficult to transport the replacement component.
【００４５】外側の成膜手段３１７の取り付け位置から
内側の成膜手段３１７にアクセスすることは原理的には
可能であるが、そのためには外側の成膜手段３１７を除
去する必要があり、特に成膜手段３１７の重量が大きな
場合には現実的ではない。Although it is possible in principle to access the inner film forming means 317 from the mounting position of the outer film forming means 317, it is necessary to remove the outer film forming means 317. It is not practical when the weight of the film forming means 317 is large.
【００４６】図８の構成においてこの問題を根本的に解
決するためには、装置内側にメンテナンスを必要とする
成膜手段３１７などの装置を配置しないようにすればよ
い。しかし、内側の成膜手段３１７を省略すればメンテ
ナンスに関する問題は発生しないが、装置寸法が同じで
あるにもかかわらず装置の処理能力が半分になってしま
い、良い解決方法ではない。In order to solve this problem fundamentally in the configuration shown in FIG. 8, it is only necessary not to dispose a device such as the film forming means 317 which requires maintenance inside the device. However, if the inner film forming means 317 is omitted, no problem concerning maintenance occurs, but the processing capacity of the apparatus is halved even though the apparatus dimensions are the same, which is not a good solution.
【００４７】また、インライン真空成膜装置では、成膜
対象である基板を保持具に保持し、保持具ごと基板を処
理室間で移動する構成であるため、保持具の基板脱着機
構とその設置面積が必要となる。In the in-line vacuum film forming apparatus, the substrate to be formed is held by the holder, and the substrate is moved between the processing chambers together with the holder. An area is required.
【００４８】また、この保持具への基板の脱着を大気中
で行なうと、保持具が大気中のガスを吸着し、処理室内
で高い真空度が得られにくい。ただし、基板の装着とロ
ード室における排気処理を平行して行うことができる。When the substrate is detached from the holder in the atmosphere, the holder adsorbs gas in the atmosphere, and it is difficult to obtain a high degree of vacuum in the processing chamber. However, the mounting of the substrate and the exhaust processing in the load chamber can be performed in parallel.
【００４９】一方、保持具への基板の装着を真空回転室
内で行う場合、保持具は常に真空雰囲気内にあるためガ
スの吸着という問題は発生しないが、基板の装着とロー
ド室における排気処理を平行に行えないため、装置生産
性が悪くなるという問題がある。On the other hand, when the substrate is mounted on the holder in a vacuum rotating chamber, the holder is always in a vacuum atmosphere, so that the problem of gas adsorption does not occur. Since the operations cannot be performed in parallel, there is a problem that the productivity of the apparatus deteriorates.
【００５０】[0050]
【課題を解決するための手段】本発明は上述した課題の
解決を目的としてなされたものであって、請求項１記載
の発明は、基板に対して真空中で成膜処理を施す成膜室
やロード室といった複数の処理室と、前記各処理室を隔
離するゲートバルブと、前記基板を保持した保持具を前
記処理室の間を搬送する搬送系とから構成される成膜装
置であって、前記処理室を並列に配設したものを一単位
とする複合処理室を複数単位直列に配置し、その両端に
前記保持具を回転する回転室または回転装置をそれぞれ
配置したことを特徴とする成膜装置である。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the invention according to claim 1 is a film forming chamber for performing a film forming process on a substrate in a vacuum. A film forming apparatus comprising: a plurality of processing chambers such as a load chamber and a load chamber; a gate valve for isolating the processing chambers; and a transfer system for transferring a holder holding the substrate between the processing chambers. A plurality of combined processing chambers each having one processing chamber arranged in parallel as one unit are arranged in series, and a rotating chamber or a rotating device for rotating the holder is arranged at both ends thereof. It is a film forming apparatus.
【００５１】また、請求項２記載の発明は、前記請求項
１乃至４記載の成膜装置において、前記保持具は基板を
立てた状態で保持し、且つ、前記処理室の各処理部を並
列に配置した外側に設けることを特徴とする成膜装置で
ある。According to a second aspect of the present invention, in the film forming apparatus of the first to fourth aspects, the holder holds the substrate in an upright state, and the processing units of the processing chamber are arranged in parallel. A film forming apparatus characterized in that the film forming apparatus is provided outside of the film forming apparatus.
【００５２】また、請求項３記載の発明は、前記請求項
１または２記載の成膜装置において、前記回転室または
回転装置の一方は大気中で回転することを特徴とする成
膜装置である。According to a third aspect of the present invention, in the film forming apparatus according to the first or second aspect, one of the rotating chamber and the rotating device rotates in the atmosphere. .
【００５３】また、請求項４記載の発明は、前記請求項
１または２記載の成膜装置において、前記回転室または
回転装置の一方の隣にロード室を設けたことを特徴とす
る成膜装置である。According to a fourth aspect of the present invention, in the film forming apparatus of the first or second aspect, a load chamber is provided next to the rotating chamber or one of the rotating apparatuses. It is.
【００５４】また、請求項５記載の発明は、前記請求項
３または４記載の成膜装置において、前記回転室または
回転装置の他方の隣に複合処理室を一単位付加したこと
を特徴とする成膜装置である。According to a fifth aspect of the present invention, in the film forming apparatus of the third or fourth aspect, one unit of a combined processing chamber is added next to the rotating chamber or the other of the rotating apparatus. It is a film forming apparatus.
【００５５】また、請求項６記載の発明は、前記請求項
３記載の成膜装置において、前記ロード室の側面壁に前
記基板を保持する機構を有し、且つ、前記側面壁は水平
軸を介してロード室と掛合し、水平軸の周囲に回転する
ことによりロード室を開閉することを特徴とする成膜装
置である。According to a sixth aspect of the present invention, in the film forming apparatus of the third aspect, there is provided a mechanism for holding the substrate on a side wall of the load chamber, and the side wall has a horizontal axis. A film forming apparatus characterized by opening and closing the load chamber by rotating around a horizontal axis through a load chamber.
【００５６】[0056]
【発明の実施の形態】以下、図をもとに本発明の実施例
１乃至４を説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments 1 to 4 of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００５７】［実施例１］以下、実施例１について説明
する。Embodiment 1 Embodiment 1 will be described below.
【００５８】図１は本発明の実施例１の真空成膜装置の
概要図である。一例として、この真空成膜装置は基板８
を加熱処理した後、３層の膜を基板表面に成膜する装置
である。FIG. 1 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. As an example, this vacuum film forming apparatus is
Is a device for forming a three-layer film on the substrate surface after heat-treating.
【００５９】図１に示すように、実施例１の真空成膜装
置は、ロード室１とアンロード室７、加熱室３と第３成
膜室６、第１成膜室４と第２成膜室５がそれぞれ背中合
わせになって１組となり、この３組が一列に連なって配
置されている。As shown in FIG. 1, the vacuum film forming apparatus of the first embodiment includes a load chamber 1 and an unload chamber 7, a heating chamber 3 and a third film forming chamber 6, and a first film forming chamber 4 and a second film forming chamber. The membrane chambers 5 are back-to-back to form one set, and these three sets are arranged in a row.
【００６０】これら背中合わせに１組となっている各処
理室は、独立した容器であっても良いが、実施例１では
１個の容器を隔壁で分割した構造とした。Each of the processing chambers, which are a set of these back-to-back units, may be independent containers. In the first embodiment, however, one container is divided by a partition.
【００６１】また、それぞれの処理室には独立に排気系
を設け、背中合わせになっている各処理室が独立に異な
る処理を異なるタイミングで行うことができる。Further, an exhaust system is independently provided in each of the processing chambers, so that the processing chambers that are back to back can independently perform different processing at different timings.
【００６２】しかし、背中合わせに１組になっている各
処理室を１個の容器で構成し、排気系を共有する構成で
あっても良い。この場合、背中合わせになっている各処
理室は協調して、同時にあるいは交互に処理を行うこと
になるが、排気系を共有するので、装置のコスト低減を
図れる。However, the processing chambers, which are one set back to back, may be constituted by one container, and the exhaust system may be shared. In this case, the back-to-back processing chambers cooperate and perform the processing simultaneously or alternately. However, since the exhaust system is shared, the cost of the apparatus can be reduced.
【００６３】実施例１では、装置の列の１端である第１
成膜室４と第２成膜室５には、ゲートバルブ２を介して
真空回転室１０が接続されている。保持具９に保持され
た成膜基板８は、第１成膜室４から回転室１０に搬送さ
れ、搬送方向を１８０度転回し、第２成膜室５に搬入さ
れる。In the first embodiment, the first row of the device
A vacuum rotating chamber 10 is connected to the film forming chamber 4 and the second film forming chamber 5 via the gate valve 2. The deposition substrate 8 held by the holder 9 is transported from the first deposition chamber 4 to the rotation chamber 10, turned 180 degrees in the transport direction, and is transported into the second deposition chamber 5.
【００６４】この列の他端には、回転機構１１が設けら
れてある。回転機構１１は、アンロード室７から搬送さ
れた保持具９を垂直軸の周りに１８０度転回させ、ロー
ド室１に搬送する働きを有している。回転機構１１上に
は、保持具９を水平軸の周りに９０度回転させる機構を
有している。A rotating mechanism 11 is provided at the other end of the row. The rotation mechanism 11 has a function of rotating the holder 9 conveyed from the unload chamber 7 around the vertical axis by 180 degrees and conveying the holder 9 to the load chamber 1. The rotation mechanism 11 has a mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees about a horizontal axis.
【００６５】更に、この真空成膜装置に対し、洗浄装置
１８、自走ロボット１９、基板脱着ロボット２３が設け
られている。Further, a cleaning device 18, a self-propelled robot 19, and a substrate attaching / detaching robot 23 are provided for the vacuum film forming apparatus.
【００６６】次に、この真空成膜装置の処理動作を工程
順に説明する。Next, the processing operation of the vacuum film forming apparatus will be described in the order of steps.
【００６７】（１）基板８脱着時には、保持具９は回転
機構１１上の保持具９を水平軸の周りに回転させる機構
によって９０度回転し、水平状態に支持されている。こ
の状態で、脱着ロボット２３が、処理済みの基板８を保
持具９から取り外し、次に、新しい基板８を保持具９に
装着する。(1) When the substrate 8 is detached, the holder 9 is rotated 90 degrees by a mechanism for rotating the holder 9 on the rotating mechanism 11 about a horizontal axis, and is supported in a horizontal state. In this state, the detaching robot 23 removes the processed substrate 8 from the holder 9, and then mounts a new substrate 8 on the holder 9.
【００６８】（２）回転機構１１上の保持具９を、水平
の周りに９０度回転させる機構により保持具９を回転さ
せて垂直状態にする。(2) The holder 9 on the rotation mechanism 11 is rotated by a mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees around a horizontal plane to bring the holder 9 into a vertical state.
【００６９】（３）保持具９をロード室１に搬入し、ロ
ード室１のゲートバルブ２ａを閉じた後、図示されてい
ない排気装置によりロード室１内を所定の圧力にまで排
気する。(3) The holder 9 is carried into the load chamber 1, and after closing the gate valve 2a of the load chamber 1, the inside of the load chamber 1 is exhausted to a predetermined pressure by an exhaust device (not shown).
【００７０】（４）ロード室１と加熱室３の間のゲート
バルブ２ｂを開け、保持具９をロード室１から加熱室３
に搬送する。搬送後、ゲートバルブ２ｂは閉じられる。
以降ゲートバルブの動作については記述を省略する。(4) The gate valve 2b between the load chamber 1 and the heating chamber 3 is opened, and the holder 9 is moved from the load chamber 1 to the heating chamber 3.
Transport to After the transfer, the gate valve 2b is closed.
Hereinafter, description of the operation of the gate valve will be omitted.
【００７１】（５）保持具９上の基板８を加熱室３にお
いて所定の温度まで加熱する。(5) The substrate 8 on the holder 9 is heated to a predetermined temperature in the heating chamber 3.
【００７２】（６）基板８を加熱後、保持具９は第１成
膜室４に搬送され、第１の膜が基板８表面に成膜され
る。(6) After heating the substrate 8, the holder 9 is transferred to the first film forming chamber 4, and the first film is formed on the surface of the substrate 8.
【００７３】（７）第１の膜の成膜後、保持具９は回転
室１０に搬送され、垂直軸を中心に１８０度方向を転回
した後、第２成膜室５に搬送される。(7) After forming the first film, the holder 9 is transferred to the rotating chamber 10, turned around the vertical axis by 180 degrees, and then transferred to the second film forming chamber 5.
【００７４】（８）第２成膜室５で第２の膜が基板８表
面に成膜される。(8) A second film is formed on the surface of the substrate 8 in the second film forming chamber 5.
【００７５】（９）第２の膜の成膜後、保持具９は第３
成膜室６に搬送され、第３の膜が基板８表面に成膜され
る。(9) After forming the second film, the holder 9 is moved to the third position.
The third film is transferred to the film forming chamber 6 and formed on the surface of the substrate 8.
【００７６】（１０）第３の膜の成膜後、保持具９はア
ンロードロック室７に搬送される。アンロードロック室
７が大気圧になった後、保持具９は装置外に搬送され
る。(10) After the third film is formed, the holder 9 is transferred to the unload lock chamber 7. After the unload lock chamber 7 reaches the atmospheric pressure, the holder 9 is transported out of the apparatus.
【００７７】（１１）大気中の回転機構１１が、保持具
９を垂直軸の周りに１８０度転回する。(11) The rotating mechanism 11 in the atmosphere rotates the holder 9 by 180 degrees around the vertical axis.
【００７８】（１２）回転機構１１上の保持具９を水平
軸の周りに９０度回転させる機構が、保持具９を水平状
態になるように回転させる。(12) A mechanism for rotating the holder 9 on the rotating mechanism 11 by 90 degrees about a horizontal axis rotates the holder 9 so as to be horizontal.
【００７９】（１３）成膜済みの基板８が保持具９から
取り外され、未処理の基板８が保持具９に装着される。(13) The substrate 8 on which the film has been formed is removed from the holder 9, and the unprocessed substrate 8 is mounted on the holder 9.
【００８０】（１４）回転機構１１上の保持具９を水平
軸中心に９０度回転させる機構が、保持具９を垂直にな
るように回転させる。(14) A mechanism for rotating the holder 9 on the rotating mechanism 11 by 90 degrees about the horizontal axis rotates the holder 9 vertically.
【００８１】（１５）再びロード室１に搬送される。(15) It is transported to the load chamber 1 again.
【００８２】以上の一連の処理は並列的かつ連続的に実
行される。このため、実施例１の真空成膜装置によれば
基板加熱を伴う３層の成膜処理を、高い生産性を維持し
て実施することができる。The above series of processing is executed in parallel and continuously. Therefore, according to the vacuum film forming apparatus of the first embodiment, the three-layer film forming process involving the heating of the substrate can be performed while maintaining high productivity.
【００８３】処理中の基板の流れは、処理途中で、回転
室によって垂直軸を中心に１８０度向きが変えられるた
め、１直線上に配置したインライン真空成膜装置と比較
してその装置長さをほぼ半分にできる。The direction of the flow of the substrate during the processing is changed by 180 ° around the vertical axis by the rotating chamber during the processing, so that the length of the apparatus is shorter than that of the in-line vacuum film forming apparatus arranged on one straight line. Can be reduced by almost half.
【００８４】また、本装置はすべての成膜室の成膜手段
１７を装置外部に向けているため、成膜室のメンテナン
スを容易に行うことができる。Further, in the present apparatus, since the film forming means 17 of all the film forming chambers are directed to the outside of the apparatus, maintenance of the film forming chamber can be easily performed.
【００８５】また、各処理室は背中合わせに配置されて
おり、インライン真空成膜装置で必要となる保持具を大
気中で搬送する保持具走路もないため装置幅が小さくな
る。Further, since the processing chambers are arranged back to back, and there is no holder running path for transporting the holder required in the in-line vacuum film forming apparatus in the atmosphere, the width of the apparatus is reduced.
【００８６】また、大気中で保持具を垂直軸の周りに所
定角度で回転させる回転機構上に、保持具を水平軸中心
に９０度回転させる機構を設けたことにより、従来のイ
ンライン装置に付属している保持具開閉機構回転機構の
機能を持つため、装置設置面積を少なくすることができ
る。Further, a mechanism for rotating the holder by 90 degrees about the horizontal axis is provided on a rotation mechanism for rotating the holder at a predetermined angle about the vertical axis in the atmosphere, so that the holder is attached to the conventional in-line apparatus. Since it has the function of the rotating mechanism of the holding member opening / closing mechanism, the installation area of the apparatus can be reduced.
【００８７】この結果、通常装置の半分の設置面積で装
置を設置できる。従って、通常装置の設置面積内にこの
真空成膜装置を２台設置することができ、高い生産対面
積比が得られる。しかも、この場合、独立した真空成膜
装置が２台あるため、うち１台がメンテナンスを目的に
停止しても生産全体を停止する必要がない。As a result, the device can be set up in half the installation area of the normal device. Therefore, two vacuum film forming apparatuses can be installed within the installation area of the normal apparatus, and a high production-to-area ratio can be obtained. Moreover, in this case, since there are two independent vacuum film forming apparatuses, there is no need to stop the entire production even if one of them is stopped for maintenance.
【００８８】さらに、背中合わせに１組となっている各
処理室は１つの容器を隔壁で分割した構造となっている
ため、別々の容器で構成する場合と比較してより低いコ
ストで作成できる。Further, since each processing chamber, which is one set back to back, has a structure in which one container is divided by a partition wall, it can be manufactured at a lower cost as compared with a case where it is constituted by separate containers.
【００８９】なお、本実施例１では基板加熱を伴う３層
の成膜処理について説明したが、２層以下の成膜処理や
４層以上の成膜処理、あるいはその他の処理を必要とす
る成膜処理についても装置構成の変更で対応可能であ
る。In the first embodiment, a three-layer film forming process involving substrate heating has been described. However, a film forming process of two or less layers, a film forming process of four or more layers, or a process requiring other processes is required. The film processing can be handled by changing the apparatus configuration.
【００９０】［実施例２］以下、実施例２について説明
する。Embodiment 2 Hereinafter, Embodiment 2 will be described.
【００９１】図２は本発明の実施例２の真空成膜装置の
概要図である。一例として、この真空成膜装置は基板８
を加熱処理した後、１層の膜を基板８表面に成膜し、そ
の後、基板８を冷却処理する装置である。FIG. 2 is a schematic view of a vacuum film forming apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. As an example, this vacuum film forming apparatus is
Is subjected to a heat treatment, a single-layer film is formed on the surface of the substrate 8, and then the substrate 8 is cooled.
【００９２】例えば、成膜処理には加熱処理や冷却処理
と比較して２倍程度の時間を必要とする場合、一般的な
インライン真空成膜装置や実施例１に示した真空成膜装
置のように、処理室が連続して配置されている装置を用
いると、もっとも長い処理時間を必要とする処理に、装
置の生産能力が律速されるため、生産性が悪化するとい
った問題がある。For example, when the film forming process requires about twice as long as the heating process or the cooling process, a general in-line vacuum film forming apparatus or the vacuum film forming apparatus shown in the first embodiment may be used. As described above, when an apparatus in which the processing chambers are continuously arranged is used, there is a problem that productivity is deteriorated because the production capacity of the apparatus is limited by the processing requiring the longest processing time.
【００９３】実施例２の真空成膜装置は、図２に示すよ
うに、実施例１と同様に、ロード室１とアンロード室
７、加熱室３と冷却室１２がそれぞれ背中合わせになっ
て１組となり、この２組が一列に連なって配置されてい
る。また、背中合わせに１組となっている各処理室は独
立した容器であっても良いが、本実施例では１つの容器
を隔壁で分割した構造とした。As shown in FIG. 2, in the vacuum film forming apparatus of the second embodiment, as in the first embodiment, the load chamber 1 and the unload chamber 7, and the heating chamber 3 and the cooling chamber 12 are back to back. The two sets are arranged in a row. Further, each processing chamber which is a set back to back may be an independent container, but in this embodiment, one container is divided by a partition.
【００９４】それぞれの処理室には独立に排気系を有す
るため、背中合わせになっている各処理室が、独立に異
なる処理を異なるタイミングで実施することができる。Since each of the processing chambers has an exhaust system independently, different processing chambers that are back to back can independently perform different processing at different timings.
【００９５】実施例２の装置の１端を構成する加熱室３
と冷却室１２には回転室１０が接続されている。さら
に、回転室１０には他の処理室と同様に背中合わせにな
って１組となった第１成膜室４と第２成膜室５が接続さ
れている。第１成膜室４と第２成膜室５では同じ膜が時
間的に平行して成膜処理できるように構成されている。The heating chamber 3 constituting one end of the apparatus of the second embodiment
The rotating chamber 10 is connected to the cooling chamber 12. Further, the rotating chamber 10 is connected to a first film forming chamber 4 and a second film forming chamber 5 which are back-to-back as a set like the other processing chambers. The first film forming chamber 4 and the second film forming chamber 5 are configured so that the same film can be formed in parallel in time.
【００９６】回転室１０内部は真空に保たれ、加熱室３
から回転室１０に搬送された保持具９に保持された基板
８を第１成膜室４に搬送したり、基板８を１８０度回転
させて第２成膜室５に搬送する。The inside of the rotating chamber 10 is kept in a vacuum,
The substrate 8 held by the holder 9 transferred to the rotation chamber 10 is transferred to the first film formation chamber 4 or the substrate 8 is rotated by 180 degrees and transferred to the second film formation chamber 5.
【００９７】また、第１成膜室４で成膜処理を終了して
回転室１０に搬送された保持具９に保持された基板８
を、保持具ごと１８０度回転させて冷却室１２に搬送す
る、あるいは、第２成膜室５で成膜処理を終了して回転
室１０に搬送された保持具９に保持された基板８を冷却
室１２に搬送する。The film forming process is completed in the first film forming chamber 4 and the substrate 8 held by the holder 9 conveyed to the rotating chamber 10.
Is rotated by 180 degrees together with the holder and transported to the cooling chamber 12, or the substrate 8 held by the holder 9 transported to the rotating chamber 10 after completing the film forming process in the second film forming chamber 5. It is transported to the cooling chamber 12.
【００９８】他端には回転機構１１が設けられている。
回転機構１１は、アンロード室７から搬送された保持具
９を垂直軸の周りに１８０度回転させ、ロード室１に搬
送する働きを有している。また、回転機構１１上には、
保持具９を水平軸中心に９０度回転させる機構が設けら
れている。At the other end, a rotation mechanism 11 is provided.
The rotation mechanism 11 has a function of rotating the holder 9 conveyed from the unload chamber 7 by 180 degrees around a vertical axis and conveying the holder 9 to the load chamber 1. Also, on the rotation mechanism 11,
A mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees about the horizontal axis is provided.
【００９９】次に、この真空成膜装置の処理動作を工程
順に説明する。下記説明において先行する基板と保持具
を各々８ａ，９ａとし、後行する基板と保持具を各々８
ｂ，９ｂとする。Next, the processing operation of the vacuum film forming apparatus will be described in the order of steps. In the following description, the preceding substrate and the holder are referred to as 8a and 9a, respectively, and the subsequent substrate and the holder are referred to as 8a and 9a, respectively.
b, 9b.
【０１００】（１）基板８脱着時、保持具９は、回転機
構１１上の保持具９を水平軸の周りに９０度回転させる
機構によって、水平状態に支持されている。この状態
で、脱着ロボット２３が、処理済みの基板を保持具９か
ら取り外し、新しい基板８ａを保持具９ａに装着する。(1) When the substrate 8 is detached, the holder 9 is supported horizontally by a mechanism for rotating the holder 9 on the rotating mechanism 11 by 90 degrees around a horizontal axis. In this state, the detachment robot 23 removes the processed substrate from the holder 9 and mounts a new substrate 8a on the holder 9a.
【０１０１】（２）回転機構１１上の、保持具９を水平
軸の周りに９０度回転させる機構が、保持具９ａを垂直
状態に回転させる。(2) A mechanism on the rotating mechanism 11 for rotating the holder 9 by 90 degrees around the horizontal axis rotates the holder 9a vertically.
【０１０２】（３）保持具９ａをロード室１に搬入し、
ロード室１のゲートバルブ２を閉じた後、図示されてい
ない排気装置によりロード室１内を所定の圧力に設定す
る。(3) The holder 9a is carried into the load chamber 1, and
After closing the gate valve 2 of the load chamber 1, the inside of the load chamber 1 is set to a predetermined pressure by an exhaust device (not shown).
【０１０３】（４）ロード室１と加熱室３の間のゲート
バルブ２を開け、保持具９をロード室から加熱室３に搬
送する。搬送後、ゲートバルブ２は閉じられる。以降ゲ
ートバルブの動作については記述を省略する。(4) The gate valve 2 between the load chamber 1 and the heating chamber 3 is opened, and the holder 9 is transported from the load chamber to the heating chamber 3. After the transfer, the gate valve 2 is closed. Hereinafter, description of the operation of the gate valve will be omitted.
【０１０４】（５）基板８ａを加熱室３において所定の
温度まで加熱する。(5) The substrate 8a is heated to a predetermined temperature in the heating chamber 3.
【０１０５】（６）基板８ａ加熱後、保持具９ａは回転
室１０に搬送され、そのまま第１成膜室４に搬送されて
基板８ａ表面の成膜処理が開始される。(6) After the substrate 8a is heated, the holder 9a is transferred to the rotating chamber 10, and is directly transferred to the first film forming chamber 4 to start the film forming process on the surface of the substrate 8a.
【０１０６】（７）第１成膜室４で成膜処理が行われて
いるとき、次の基板８ｂが装着された保持具９ｂがロー
ド室から加熱室３に搬送され、所定の温度まで加熱され
る。(7) When the film forming process is being performed in the first film forming chamber 4, the holder 9b on which the next substrate 8b is mounted is transferred from the load chamber to the heating chamber 3 and heated to a predetermined temperature. Is done.
【０１０７】（８）基板８ｂ加熱後、保持具９ｂは回転
室１０に搬送され、垂直軸の周りに１８０度方向転回さ
れた後、第２成膜室５に搬送されて基板８ｂ表面の成膜
処理が開始される。この時、第１成膜室４では基板８ａ
の成膜処理が行われている。(8) After heating the substrate 8b, the holder 9b is transported to the rotating chamber 10 and turned around the vertical axis by 180 degrees, and then transported to the second film forming chamber 5 to form the surface of the substrate 8b. The film processing is started. At this time, the substrate 8a is
Is performed.
【０１０８】（９）第１成膜室４での成膜処理終了後、
保持具９ａは回転室１０に搬送され、垂直軸の周りに１
８０度回転された後、冷却室１２に搬送され、冷却され
る。この時、第２成膜室５では基板８ｂの成膜処理が行
われている。(9) After the completion of the film forming process in the first film forming chamber 4,
The holder 9a is transported to the rotating chamber 10 and is rotated around the vertical axis by one.
After being rotated by 80 degrees, it is transferred to the cooling chamber 12 and cooled. At this time, a film forming process for the substrate 8b is being performed in the second film forming chamber 5.
【０１０９】（１０）冷却処理後、保持具９ａはアンロ
ードロック室７に搬送され、アンロードロック室７が大
気圧になった後、装置外に搬送される。(10) After the cooling process, the holder 9a is transported to the unload lock chamber 7, and after the unload lock chamber 7 has been brought to the atmospheric pressure, is transported out of the apparatus.
【０１１０】（１１）一方、第２成膜室５での成膜処理
終了後、保持具９ｂは回転室１０に搬送され、そのまま
冷却室１２に搬送され、冷却される。(11) On the other hand, after the completion of the film forming process in the second film forming chamber 5, the holder 9b is transferred to the rotating chamber 10, and is transferred to the cooling chamber 12 as it is to be cooled.
【０１１１】（１２）大気中の回転機構１１が保持具９
ａを垂直軸の周りに１８０度回転させる。大気中の回転
機構１１上の、保持具９を水平軸中心に９０度回転させ
る機構が、保持具９ａを水平状態になるように回転させ
る。成膜済みの基板８ａが保持具９ａから取り外され、
未処理の基板８が基板保持具９に装着される。大気中の
回転機構１１上の、保持具９を水平軸中心に９０度回転
させる機構が、保持具９を垂直になるように回転させ
る。再びロード室１に搬送される。(12) The rotating mechanism 11 in the atmosphere is
a is rotated 180 degrees about a vertical axis. A mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees about the horizontal axis on the rotating mechanism 11 in the atmosphere rotates the holder 9a so as to be horizontal. The substrate 8a on which the film has been formed is removed from the holder 9a,
The unprocessed substrate 8 is mounted on the substrate holder 9. A mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees about the horizontal axis on the rotating mechanism 11 in the atmosphere rotates the holder 9 to be vertical. It is transported to the load chamber 1 again.
【０１１２】（１３）一方、冷却処理後、保持具９ｂは
アンロードロック室７に搬送され、アンロードロック室
７が大気圧になった後、装置外に搬送される。大気中の
回転機構１１が、保持具９ｂを垂直軸の周りに１８０度
回転させる。大気中の回転機構１１上の、保持具９を水
平軸中心に９０度回転させる機構が、保持具９ｂを水平
状態になるように回転させる。成膜済みの基板８ｂが保
持具９ｂから取り外され、未処理の基板８が保持具９に
装着される。大気中の回転機構１１上の、保持具９を水
平軸中心に９０度回転させる機構が保持具９を垂直にな
るように回転させる。再びロード室１に搬送される。(13) On the other hand, after the cooling process, the holder 9b is transported to the unload lock chamber 7, and after the unload lock chamber 7 reaches the atmospheric pressure, it is transported outside the apparatus. The rotation mechanism 11 in the atmosphere rotates the holder 9b by 180 degrees around the vertical axis. A mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees about the horizontal axis on the rotating mechanism 11 in the atmosphere rotates the holder 9b so as to be horizontal. The film-formed substrate 8b is removed from the holder 9b, and the unprocessed substrate 8 is mounted on the holder 9. A mechanism for rotating the holder 9 by 90 degrees about the horizontal axis on the rotating mechanism 11 in the atmosphere rotates the holder 9 to be vertical. It is transported to the load chamber 1 again.
【０１１３】以上の一連の処理は同時並列的かつ連続的
に実行される。The above series of processing is executed simultaneously in parallel and continuously.
【０１１４】第１成膜室４と第２成膜室５において平行
して成膜処理が行われるため、成膜処理が他の処理より
も長い時間を必要とするものであってもそれが律速段階
となって生産性が悪化することがない。Since the film forming process is performed in parallel in the first film forming chamber 4 and the second film forming chamber 5, even if the film forming process requires a longer time than the other processes, it is not necessary. The productivity is not deteriorated due to the rate-limiting step.
【０１１５】このため、本真空成膜装置によれば長い処
理時間を必要とする行程を有する成膜処理を高い生産性
をもって行うことができる。Thus, according to the present vacuum film forming apparatus, a film forming process having a process requiring a long processing time can be performed with high productivity.
【０１１６】その他の特徴は実施例１の真空成膜装置と
同様である。The other features are the same as those of the vacuum film forming apparatus of the first embodiment.
【０１１７】［実施例３］以下、実施例３について説明
する。[Embodiment 3] Embodiment 3 will be described below.
【０１１８】図３は本発明の実施例３の真空成膜装置の
概要図である。一例として、この真空成膜装置は基板８
を加熱処理した後、３層の膜を基板８表面に成膜する装
置である。FIG. 3 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. As an example, this vacuum film forming apparatus is
Is a device for forming a three-layer film on the surface of the substrate 8 after the heat treatment.
【０１１９】実施例３の真空成膜装置は、図３に示すよ
うに、実施例１および２と同様に、加熱室３と第３成膜
室６、第１成膜室４と第２成膜室５がそれぞれ背中合わ
せになって１組となり、この２組が一列に連なって配置
されている。As shown in FIG. 3, the vacuum film forming apparatus of the third embodiment has a heating chamber 3 and a third film forming chamber 6, and a first film forming chamber 4 and a second film forming chamber, as in the first and second embodiments. The membrane chambers 5 are back-to-back to form one set, and these two sets are arranged in a row.
【０１２０】背中合わせに１組となっている各処理室は
独立した容器であっても良いが、本実施例では１つの容
器を隔壁で分割した構造となっている。それぞれの処理
室には独立に排気系を設け、背中合わせになっている各
処理室が独立に異なる処理を異なるタイミングで行うこ
とができる。Each of the processing chambers that are paired back to back may be independent containers, but in this embodiment, one container is divided by a partition. Each of the processing chambers is provided with an exhaust system independently, and the processing chambers that are back to back can independently perform different processing at different timings.
【０１２１】実施例３の装置の列の両端には第１の回転
室１０ａと第２の回転室１０ｂが接続されている。さら
に、第２の回転室１０ｂには、２個のロード室１がＴ字
型に接続されている。この２個のロード室１は独立した
排気系を有し、異なるタイミングで排気やベントを行う
ことができる。A first rotating chamber 10a and a second rotating chamber 10b are connected to both ends of the row of the device of the third embodiment. Further, two load chambers 1 are connected in a T-shape to the second rotating chamber 10b. The two load chambers 1 have independent exhaust systems, and can perform exhaust and vent at different timings.
【０１２２】第１の回転室１０ａ内部は真空に保たれ、
第１成膜室４から第１の回転室１０ａに搬送された保持
具９に保持された基板８を垂直軸の周りに１８０度旋回
させ、第２成膜室５に搬送する。The interior of the first rotating chamber 10a is kept at a vacuum,
The substrate 8 held by the holder 9 transferred from the first film forming chamber 4 to the first rotating chamber 10 a is turned 180 degrees around a vertical axis and transferred to the second film forming chamber 5.
【０１２３】また、第２の回転室１０ｂ内部も真空に保
たれ、第３成膜室６から第２の回転室１０ｂに搬送され
た保持具９を垂直軸の周りに９０度転回させ、２個のロ
ード室１のうちのどちらかに搬送する働きと、２個のロ
ード室１のうちのどちらかから第２の回転室１０ｂに搬
送された保持具９を垂直軸の周りに９０度回転させ、加
熱室３に搬送する。Further, the inside of the second rotating chamber 10b is also kept at a vacuum, and the holder 9 transported from the third film forming chamber 6 to the second rotating chamber 10b is turned 90 degrees around the vertical axis, and And the holder 9 conveyed from one of the two load chambers 1 to the second rotating chamber 10b is rotated by 90 degrees about a vertical axis. And transported to the heating chamber 3.
【０１２４】図４にロード室１の側面図を示す。図４
（ａ）は閉じた状態であり、図４（ｂ）は開いた状態で
ある。FIG. 4 shows a side view of the load chamber 1. FIG.
4A shows a closed state, and FIG. 4B shows an open state.
【０１２５】ロード室１の側壁１３は水平軸中心に回転
することによって開閉可能に構成されており、側壁１３
には真空内で基板８を保持具９に脱着する基板移載装置
１４が取り付けられている。The side wall 13 of the load chamber 1 is configured to be opened and closed by rotating about a horizontal axis.
Is mounted with a substrate transfer device 14 for detaching the substrate 8 from the holder 9 in a vacuum.
【０１２６】基板移載装置１４は、保持した基板が安定
するように、基板８を垂直軸から所定の角度（５度〜１
５度程度）だけ傾けて保持する。したがって、排気中に
基板が基板移載装置１４から外れることを防止できる。The substrate transfer device 14 moves the substrate 8 from the vertical axis at a predetermined angle (5 degrees to 1 degree) so that the held substrate is stable.
(About 5 degrees). Therefore, it is possible to prevent the substrate from being detached from the substrate transfer device 14 during the evacuation.
【０１２７】基板移載装置１４が取り付けられている側
壁１３は、水平軸まわりに回転するため、基板移載装置
１４及びそれに保持された基板８も同時に回転する。側
壁１３の回転角度は、側壁１３が開いた状態のときに基
板８がほぼ水平となるように設定されている。Since the side wall 13 to which the substrate transfer device 14 is attached rotates around a horizontal axis, the substrate transfer device 14 and the substrate 8 held thereby also rotate. The rotation angle of the side wall 13 is set such that the substrate 8 is substantially horizontal when the side wall 13 is open.
【０１２８】実施例３の真空成膜装置の成膜処理動作
は、基本的に実施例１のものと同じであるので省略す
る。The film forming operation of the vacuum film forming apparatus of the third embodiment is basically the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【０１２９】ここでは、実施例３の真空成膜装置の特徴
であるロード室１の動作を順に説明する。Here, the operation of the load chamber 1 which is a feature of the vacuum film forming apparatus of the third embodiment will be described in order.
【０１３０】（１）成膜処理を終了した基板８が保持具
９に保持された状態で、第２の回転室１０ｂからロード
室１に搬送される。(1) The substrate 8 that has completed the film forming process is transferred from the second rotating chamber 10b to the load chamber 1 while being held by the holder 9.
【０１３１】（２）ロード室１では、基板８を保持具９
からロード室１の側壁１３に取り付けられた基板移載装
置１４に移動する。このとき、基板８は基板移載装置１
４に垂直軸から所定の角度（５度）をもって保持されて
おり、倒れることがない。(2) In the load chamber 1, the substrate 8 is
To the substrate transfer device 14 attached to the side wall 13 of the load chamber 1. At this time, the substrate 8 is
4 is held at a predetermined angle (5 degrees) from the vertical axis and does not fall.
【０１３２】（３）空になった保持具９をロード室１か
ら第２の回転室１０ｂに搬送し、２室間のゲートバルブ
２を閉じる。(3) The empty holder 9 is transferred from the load chamber 1 to the second rotating chamber 10b, and the gate valve 2 between the two chambers is closed.
【０１３３】（４）ロード室１内部を大気圧にする。(4) The inside of the load chamber 1 is set to the atmospheric pressure.
【０１３４】（５）ロード室１の側壁１３を開く。この
とき基板８はロード室１の側壁１３に取り付けられた基
板移載装置１４に機械的に保持されているため、側壁１
３の開扉と同時に、これに保持された基板８が外部に展
開する。(5) The side wall 13 of the load chamber 1 is opened. At this time, since the substrate 8 is mechanically held by the substrate transfer device 14 attached to the side wall 13 of the load chamber 1, the side wall 1
Simultaneously with the opening of the door 3, the substrate 8 held by the door 3 is spread out.
【０１３５】（６）自走ロボット１９はほぼ水平状態と
なっている基板移載装置１４の上の成膜処理済み基板８
を取り外し、成膜処理前の次の基板８を基板移載装置１
４に装着する。(6) The self-propelled robot 19 is placed on the substrate transfer device 14 in a substantially horizontal state.
Is removed, and the next substrate 8 before the film forming process is transferred to the substrate transfer device 1
Attach to 4.
【０１３６】（７）ロード室１の側壁１３を閉じる。こ
のとき、側壁１３に取り付けられた基板移載装置１４
と、これに保持された基板８とは同時に起き上がる。(7) The side wall 13 of the load chamber 1 is closed. At this time, the substrate transfer device 14 attached to the side wall 13
And the substrate 8 held thereon rises at the same time.
【０１３７】（８）ロード室１を排気する。(8) The load chamber 1 is evacuated.
【０１３８】（９）ロード室１の排気終了後、ゲートバ
ルブ２を開き、空の保持具９を第２の回転室１０ｂより
搬送する。(9) After the exhaust of the load chamber 1, the gate valve 2 is opened, and the empty holder 9 is transported from the second rotating chamber 10b.
【０１３９】（１０）基板８をロード室１の側壁１３に
取り付けられた基板移載装置１４から保持具９に移載す
る。(10) The substrate 8 is transferred to the holder 9 from the substrate transfer device 14 attached to the side wall 13 of the load chamber 1.
【０１４０】（１１）保持具９に保持された成膜処理前
の基板８がロード室１から第２の回転室１０ｂに搬送さ
れる。(11) The substrate 8 before the film forming process held by the holder 9 is transferred from the load chamber 1 to the second rotating chamber 10b.
【０１４１】本実施例３の真空成膜装置では真空中で基
板８が保持具９に脱着され、保持具９が大気中に出るこ
とがない。したがって、保持具９に大気中のガスが吸着
されることがない。In the vacuum film forming apparatus of the third embodiment, the substrate 8 is detached from the holder 9 in a vacuum, and the holder 9 does not come out to the atmosphere. Therefore, the gas in the atmosphere is not adsorbed to the holder 9.
【０１４２】また、この脱着動作は２個のロード室１に
おいて、異なるタイミングで平行して行われるため、ロ
ード室１が１個しかない場合と比較して多くの基板８を
処理できる。Further, since this detachment operation is performed in parallel at different timings in the two load chambers 1, a larger number of substrates 8 can be processed as compared with the case where only one load chamber 1 is provided.
【０１４３】また、２個のロード室１を第２の回転室１
０ｂにＴ字型に接続し、ロード室１の側壁１３に基板移
載装置１４を取り付け、この側壁１３が水平軸まわりに
回転することによってロード室１が開閉する。The two load chambers 1 are connected to the second rotating chamber 1
0b, the substrate transfer device 14 is attached to the side wall 13 of the load chamber 1, and the load chamber 1 is opened and closed by rotating the side wall 13 around a horizontal axis.
【０１４４】従って、装置の全長を短くすることが可能
となるとともに、従来のインライン装置の保持具開閉機
構とロード室を統合することができ、装置外部の基板移
載機構、洗浄機構等と組み合わせたときの必要設置面積
を少なくすることができる。Therefore, the entire length of the apparatus can be shortened, and the holder opening / closing mechanism of the conventional in-line apparatus can be integrated with the load chamber, and can be combined with a substrate transfer mechanism, a cleaning mechanism, etc. outside the apparatus. Required installation area can be reduced.
【０１４５】なお、本実施例では２個のロード室１を回
転室１０ｂにＴ字型に接続しているが、Ｙ字型でも良
い。そのとき、回転室１０ｂの回転角は９０度ではなく
ロード室１の配置に従う角度になる。In this embodiment, the two load chambers 1 are connected to the rotating chamber 10b in a T-shape, but may be in a Y-shape. At this time, the rotation angle of the rotation chamber 10b is not 90 degrees but an angle according to the arrangement of the load chamber 1.
【０１４６】その他の特徴は実施例１と同じであるため
省略する。The other features are the same as in the first embodiment, and will not be described.
【０１４７】［実施例４］以下、実施例４について説明
する。Embodiment 4 Hereinafter, Embodiment 4 will be described.
【０１４８】図５は本発明の実施例４の真空成膜装置の
概要図である。実施例２と同じく、実施例４の真空成膜
装置は、基板８を加熱処理した後、１層の膜を基板８表
面に成膜し、基板８を冷却処理する装置である。FIG. 5 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. As in the second embodiment, the vacuum film forming apparatus according to the fourth embodiment is an apparatus that heats the substrate 8, forms a single-layer film on the surface of the substrate 8, and cools the substrate 8.
【０１４９】例えば、成膜処理には加熱処理や冷却処理
と比較して２倍程度の時間を必要とする場合、一般的な
インライン真空成膜装置や実施例３に示した真空成膜装
置のように、処理室が連続して配置されている装置を用
いると、装置の生産能力は最も長い処理時間を必要とす
る処理に律速され、生産性が悪化するといった問題があ
る。For example, when a film forming process requires about twice as long as a heating process or a cooling process, a general in-line vacuum film forming apparatus or the vacuum film forming apparatus shown in the third embodiment may be used. As described above, when an apparatus in which processing chambers are continuously arranged is used, the production capacity of the apparatus is limited by the processing requiring the longest processing time, and there is a problem that productivity is deteriorated.
【０１５０】実施例４の真空成膜装置は、図５に示すよ
うに、加熱室３と冷却室１２が背中合わせになって１組
となり、この１組の両端には第１の回転室１０ａ、第２
の回転室１０ｂが接続されている。In the vacuum film forming apparatus of the fourth embodiment, as shown in FIG. 5, the heating chamber 3 and the cooling chamber 12 are back-to-back to form one set, and the first rotating chamber 10a Second
Are connected to each other.
【０１５１】第１の回転室１０ａには、第１成膜室４と
第２成膜室５が背中合わせになって１組となったもの
が、さらに接続されている。また、第２の回転室１０ｂ
には、２個のロード室１がＴ字型に接続されている。The first rotating chamber 10a is further connected to a set of a first film forming chamber 4 and a second film forming chamber 5 which are back to back. Also, the second rotating chamber 10b
, Two load chambers 1 are connected in a T-shape.
【０１５２】実施例４における本真空成膜装置の成膜処
理動作は、基本的に実施例２のものと同じであるため省
略する。また、ロード室１の動作は実施例３と同じであ
るため省略する。The film forming operation of the present vacuum film forming apparatus according to the fourth embodiment is basically the same as that of the second embodiment, and a description thereof will be omitted. The operation of the load chamber 1 is the same as that of the third embodiment, and thus the description is omitted.
【０１５３】本実施例の真空成膜装置は、第１成膜室４
と第２成膜室５において平行して成膜処理が行われるた
め、他の処理よりも長い時間を必要とする成膜処理であ
っても、それが律速段階となって生産性を悪化させるこ
とがない。The vacuum film forming apparatus of the present embodiment
And the second film forming chamber 5, the film forming process is performed in parallel. Therefore, even if the film forming process requires a longer time than other processes, the film forming process becomes a rate-determining step and deteriorates productivity. Nothing.
【０１５４】このため、本真空成膜装置によれば長い処
理時間を必要とする行程を有する成膜処理を高い生産性
をもって行うことができる。Therefore, according to the present vacuum film forming apparatus, a film forming process having a process requiring a long processing time can be performed with high productivity.
【０１５５】また、本実施例の真空成膜装置では、真空
中で基板８が保持具９に脱着され、保持具９が大気中に
出ることがないので保持具９に大気中のガスが吸着する
ことがない。In the vacuum film forming apparatus of this embodiment, the substrate 8 is detached from the holder 9 in a vacuum, and the holder 9 does not come out into the atmosphere. Never do.
【０１５６】この脱着動作は、２個のロード室１におい
て、異なるタイミングで平行して行われる。したがっ
て、ロード室１が１個しかない場合と比較して多くの基
板８を処理できる。また、２個のロード室１を第２の回
転室１０ｂにＴ字型に接続し、ロード室１の側壁１３に
基板移載装置１４を取り付け、この側壁１３が水平軸ま
わりに回転することによってロード室１が開閉する。The detaching operation is performed in the two load chambers 1 at different timings in parallel. Therefore, more substrates 8 can be processed as compared with the case where there is only one load chamber 1. Further, the two load chambers 1 are connected to the second rotating chamber 10b in a T-shape, and the substrate transfer device 14 is mounted on the side wall 13 of the load chamber 1, and the side wall 13 rotates around a horizontal axis. The load chamber 1 opens and closes.
【０１５７】従って、装置の全長を短くすることが可能
となるとともに、従来のインライン装置に保持具開閉機
構とロード室を統合することができ、装置外部の基板移
載機構、洗浄機構等と組み合わせたときの必要設置面積
を少なくすることができる。Therefore, the entire length of the apparatus can be shortened, and the holder opening / closing mechanism and the load chamber can be integrated with the conventional in-line apparatus, and combined with a substrate transfer mechanism, a cleaning mechanism, and the like outside the apparatus. Required installation area can be reduced.
【０１５８】なお、本実施例では２個のロード室１を回
転室１０ｂにＴ字型に接続しているが、Ｙ字型でも良
い。そのとき、回転室１０ｂの回転角は９０度ではなく
ロード室１の配置に従う角度になる。In this embodiment, the two load chambers 1 are connected to the rotating chamber 10b in a T-shape, but may be in a Y-shape. At this time, the rotation angle of the rotation chamber 10b is not 90 degrees but an angle according to the arrangement of the load chamber 1.
【０１５９】その他の特徴は実施例１と同じであるため
省略する。The other features are the same as in the first embodiment, and will not be described.
【０１６０】[0160]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、請求項
１記載の発明では、一連の処理室を一列に配置した場合
と比較して装置長さを短くすることができ、２個の処理
室を並列に配置するので、インライン真空成膜装置にお
いては必要となる保持具走路もないことから装置寸法が
小さくなり、この結果複数の装置を所定の設置面積内に
配置できるため、高い生産能力を得ることができる。As described above, according to the present invention, according to the first aspect of the present invention, the length of the apparatus can be reduced as compared with the case where a series of processing chambers are arranged in a line. Since the processing chambers are arranged in parallel, there is no holder running path required in the in-line vacuum film forming apparatus, so that the apparatus dimensions are reduced. As a result, a plurality of apparatuses can be arranged within a predetermined installation area, and thus the Production capacity can be obtained.
【０１６１】また、請求項２記載の発明では、容易に処
理部のメンテナンスを行うことが可能となる。According to the second aspect of the present invention, maintenance of the processing unit can be easily performed.
【０１６２】また、請求項３記載の発明では、装置を簡
略化することができる。According to the third aspect of the present invention, the apparatus can be simplified.
【０１６３】また、請求項４記載の発明では、保持具が
装置外部に搬出されなく、大気に触れることがないた
め、保持具がガスを吸着することがない。According to the fourth aspect of the present invention, since the holder is not carried out of the apparatus and does not come into contact with the atmosphere, the holder does not adsorb gas.
【０１６４】また、請求項５記載の発明では、特定の処
理を平行して行うことが可能となり、装置の生産効率を
向上することができる。According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to perform a specific process in parallel, thereby improving the production efficiency of the apparatus.
【０１６５】また、請求項５記載の発明では、特定の処
理を平行して行うことが可能となり、装置の生産効率を
向上することができる。According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to perform a specific process in parallel, thereby improving the production efficiency of the apparatus.
【０１６６】また、請求項６記載の発明では、基板移載
機構、洗浄機構等と組み合わせたときの必要設置面積を
少なくすることができる。According to the invention of claim 6, the required installation area when combined with a substrate transfer mechanism, a cleaning mechanism and the like can be reduced.
【図１】本発明の実施例１の真空成膜装置の概要図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例２の真空成膜装置の概要図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例３の真空成膜装置の概要図であ
る。FIG. 3 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例３の真空成膜装置のロード室の
側面図である。FIG. 4 is a side view of a load chamber of a vacuum film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例４の真空成膜装置の概要図であ
る。FIG. 5 is a schematic diagram of a vacuum film forming apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】従来技術のクラスターツール真空成膜装置の概
要図である。FIG. 6 is a schematic view of a conventional cluster tool vacuum film forming apparatus.
【図７】従来技術のインライン真空成膜装置の概要図で
ある。FIG. 7 is a schematic view of a conventional in-line vacuum film forming apparatus.
【図８】先行技術のインライン真空成膜装置の改良装置
の概要図である。FIG. 8 is a schematic view of an improved apparatus of a prior art in-line vacuum film forming apparatus.
１ ロード室 ２ ゲートバルブ ３ 加熱室 ４ 第１成膜室 ５ 第２成膜室 ６ 第３成膜室 ７ アンロード室 ８ 成膜基板 ９ 保持具 １０ 回転室 １１ 回転機構 １２ 冷却室 １３ 側壁 １４ 基板移載装置 １５ 基板搬送ロボット １６ 中間室 １７ 処理手段 １８ 洗浄装置 １９ 自走ロボット ２０ 基板カセット ２１ 保持具走路 ２２ 保持具開閉機構 ２３ 脱着ロボット ２４ 中間基板台 Reference Signs List 1 Load chamber 2 Gate valve 3 Heating chamber 4 First film forming chamber 5 Second film forming chamber 6 Third film forming chamber 7 Unload chamber 8 Film forming substrate 9 Holder 10 Rotating chamber 11 Rotating mechanism 12 Cooling chamber 13 Side wall 14 Substrate transfer device 15 Substrate transfer robot 16 Intermediate chamber 17 Processing means 18 Cleaning device 19 Self-propelled robot 20 Substrate cassette 21 Holder runway 22 Holder opening / closing mechanism 23 Detachment robot 24 Intermediate substrate table
Claims (6)
膜室やロード室といった複数の処理室と、前記各処理室
を隔離するゲートバルブと、前記基板を保持した保持具
を前記処理室の間を搬送する搬送系とから構成される成
膜装置であって、 前記処理室を並列に配設したものを一単位とする複合処
理室を複数単位直列に配置し、その両端に前記保持具を
回転する回転室または回転装置をそれぞれ配置したこと
を特徴とする成膜装置。A plurality of processing chambers such as a film forming chamber and a load chamber for performing a film forming process on a substrate in a vacuum, a gate valve for isolating each of the processing chambers, and a holder for holding the substrate. A film forming apparatus comprising a transfer system for transferring between processing chambers, wherein a plurality of combined processing chambers each having one of the processing chambers arranged in parallel are arranged in series, and at both ends thereof. A film forming apparatus, wherein a rotation chamber or a rotation device for rotating the holder is arranged.
いて、 前記保持具は基板を立てた状態で保持し、且つ、前記処
理室の各処理部を並列に配置した外側に設けることを特
徴とする成膜装置。2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the holder holds the substrate in an upright state, and is provided outside the processing units of the processing chamber arranged in parallel. Characteristic film forming apparatus.
おいて、 前記回転室または回転装置の一方は大気中で回転するこ
とを特徴とする成膜装置。3. The film forming apparatus according to claim 1, wherein one of the rotating chamber and the rotating device rotates in the atmosphere.
おいて、 前記回転室または回転装置の一方の隣にロード室を設け
たことを特徴とする成膜装置。4. The film forming apparatus according to claim 1, wherein a load chamber is provided next to one of the rotating chamber and the rotating apparatus.
おいて、 前記回転室または回転装置の他方の隣に複合処理室を一
単位付加したことを特徴とする成膜装置。5. The film forming apparatus according to claim 3, wherein one unit of a combined processing chamber is added next to the rotating chamber or the other of the rotating apparatus.
し、且つ、前記側面壁は水平軸を介してロード室と掛合
し、水平軸の周囲に回転することによりロード室を開閉
することを特徴とする成膜装置。6. The film forming apparatus according to claim 3, further comprising a mechanism for holding the substrate on a side wall of the load chamber, wherein the side wall engages with the load chamber via a horizontal axis, A film forming apparatus characterized in that a load chamber is opened and closed by rotating around a horizontal axis.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP30854698A JP3629371B2 (en) | 1998-10-29 | 1998-10-29 | Film forming apparatus and film forming method |
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Publications (2)
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