JPS609102B2 - Continuous vacuum processing equipment - Google Patents
Continuous vacuum processing equipmentInfo
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- JPS609102B2 JPS609102B2 JP11706980A JP11706980A JPS609102B2 JP S609102 B2 JPS609102 B2 JP S609102B2 JP 11706980 A JP11706980 A JP 11706980A JP 11706980 A JP11706980 A JP 11706980A JP S609102 B2 JPS609102 B2 JP S609102B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ゥェハや通信用デバイスなどの素子薄膜
を真空中において連続的に製造する連続真空処理装置に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a continuous vacuum processing apparatus for continuously manufacturing element thin films such as semiconductor wafers and communication devices in vacuum.
最初に第1図、第2図に則して従釆の真空処理装置を、
スパッタ装置を例にとり説明する。First, install the subordinate vacuum processing equipment according to Figures 1 and 2.
This will be explained using a sputtering apparatus as an example.
従来装置では予め搬送治具に収納された基板を使用する
ようになっている。すなわち第2図に示されるように、
基板3は内溝2を有する断面C字形の部材la,lbを
互いに対向させて配置された搬送治具1の前記内溝2,
2間に舷合され、収納される。そして従来のスパッタ装
置は第1図に示されるように、前記基板3を収容した搬
送治具(以下治・具と略称)1の移送用のレール4、流
体圧シリンダ5,6の協働により密閉箱体7の取入室1
5内に治具1を挿入する挿入部、密閉箱体7、密閉箱体
7の取出室21から処理された基板を有する拾具1′の
取出部とを備えている。Conventional devices use a substrate that has been stored in a transport jig in advance. That is, as shown in Figure 2,
The substrate 3 has inner grooves 2 of the conveying jig 1, in which members la and lb each having a C-shaped cross section and having inner grooves 2 are arranged to face each other.
The two are joined together and stored. The conventional sputtering apparatus, as shown in FIG. Intake chamber 1 of sealed box body 7
5, a sealed box body 7, and a pick-up part 1' having a processed substrate from a take-out chamber 21 of the sealed box body 7.
前記密閉箱体7は治具1内の基板処理工程順に、側壁8
と仕切壁9,9′,10,10′,11,11′,12
,12′,13,13′および側壁14とで区画された
取入室15、スパッタエッチ室17、加熱室18、スパ
ッタ室19、冷客室20および取出室21とを有してい
る。The sealed box body 7 has side walls 8 in order of substrate processing steps in the jig 1.
and partition walls 9, 9', 10, 10', 11, 11', 12
, 12', 13, 13' and a side wall 14.
前記取入室15の、レール4に近い側壁に取入予備室1
6が形成されている。また取入室15には取入予備室1
6用の密閉蓋24を有する流体圧シリンダ23が取り付
けられ、該密閉菱24には治具1のパレット(図示省略
)が設けられ、取入室15の外部には取入予備室用の他
の密閉蓋26を有する流体圧シリンダ25が設けられ、
取入室15の側壁8には取入室15内の定位層からしー
ル30上の移送面に向って治具1を水平に押し込む流体
圧シリンダ28が設けられ、また取入予備室16には配
管27が、取入室15には排気管29が取り付けられて
いる。前記密閉箱体7の内部には取入室15内の一部に
差し掛かる位置から仕切壁9,9′〜13,13′間を
間通して取出室21の一部に差し掛かる位置まで治具移
送用のレール30が敷設されている。前記スパッタヱツ
チ室17には排気管31とスパッタエッチ電極32とが
取り付けられ、前記加熱室18には排気管33とヒータ
34とが設けられ、前記スパッタ装置19には排気管3
5とスパッタ電極36とが取り付けられ、前記冷却室2
01こは排気管37としール3川こ配設された冷却パイ
プ(図示省略)とが取り付けられている。前記スパッタ
エッチ室17とスパッタ室19にはスパッタガスが導入
されている。An intake preliminary chamber 1 is installed on the side wall of the intake chamber 15 near the rail 4.
6 is formed. In addition, the intake room 15 has an intake preliminary room 1.
A fluid pressure cylinder 23 having a sealing lid 24 for 6 is attached, and a pallet of the jig 1 (not shown) is installed in the sealing cylinder 24, and other parts for the intake preliminary chamber are installed outside the intake chamber 15. A hydraulic cylinder 25 is provided having a sealing lid 26;
The side wall 8 of the intake chamber 15 is provided with a fluid pressure cylinder 28 that pushes the jig 1 horizontally toward the transfer surface on the stereotaxic layer 30 in the intake chamber 15. A pipe 27 is attached to the intake chamber 15, and an exhaust pipe 29 is attached to the intake chamber 15. A jig is installed inside the sealed box body 7 from a position approaching a part of the intake chamber 15 to a position extending between the partition walls 9, 9' to 13, 13' and approaching a part of the extraction chamber 21. Rails 30 for transportation are laid. The sputtering chamber 17 is equipped with an exhaust pipe 31 and a sputter etch electrode 32, the heating chamber 18 is equipped with an exhaust pipe 33 and a heater 34, and the sputtering device 19 is equipped with an exhaust pipe 31 and a sputter etch electrode 32.
5 and a sputter electrode 36 are attached to the cooling chamber 2.
An exhaust pipe 37 and a cooling pipe (not shown) are attached to this part. Sputter gas is introduced into the sputter etch chamber 17 and the sputter chamber 19.
前記取出室21にはしール30上の移送方向から見て左
方に取出予備室22が形成されている。また取出室21
には排気管38と治具1をレール30の移送面から受け
取ってレール30上の移送方向から見て左方の定位層に
運ぶ流体圧シリンダ39が取り付けられ、側壁14′に
は治具1を上記定位層から水平に押し出す流体圧シリン
ダ40が設けられている。さらに取出室21には取出予
備室22用の密閉蓋42を有する流体圧シリンダ41が
設けられ、前記密閉蓋42の、基板の移送方向に向って
前方には治具1のパレット(図示省略)が取り付けられ
、取出室21の外部には同取出予備室用の密閉蓋44を
有する流体圧シリンダ43が設けられ、外側壁14には
取出予備室22には配管45が取り付けられている。処
理された基板を収納せる指具lrの取出部たる取出予備
室22の外部には前記治具1′を密閉箱体7の外部に押
し出す流体圧シリンダ46が設置されている。前記排気
管27,29,31,33,35,37,38は真空ポ
ンプ(図示省略)に、および配管27,45は真空ポン
プ(図示省略)と大気とに切換え可能に接続されている
。そして各室は仕切壁9,9′〜13,13′間を順次
送られてくる治貝1との間隙で形成されるコングクタン
ス(ガスの流れ易さを示す値)と、スパッタエッチ室1
7およびスパッタ室19に導入されるスパッタガス流量
と、各室の排気管の排気速度との関係から定まる動的平
衡状態となっており、各室は異なる真空度とされる。前
述の従来装置では密閉箱体7の外部に設置されたレール
4上に、基板を収納した治具1を配列し、矢印a方向に
移送する。A pre-take-out chamber 22 is formed in the take-out chamber 21 on the left side when viewed from the transfer direction on the roll 30. Also, the extraction chamber 21
A hydraulic cylinder 39 is attached to the side wall 14' for receiving the exhaust pipe 38 and the jig 1 from the transfer surface of the rail 30 and transporting the jig 1 to the stereotaxic layer on the left side when viewed from the transfer direction on the rail 30. A hydraulic cylinder 40 is provided for horizontally pushing the oscilloscope out of the stereotactic layer. Further, the extraction chamber 21 is provided with a fluid pressure cylinder 41 having an airtight lid 42 for the extraction preliminary chamber 22, and a pallet of jigs 1 (not shown) is located in front of the airtight lid 42 in the substrate transfer direction. A fluid pressure cylinder 43 having a sealing lid 44 for the preliminary extraction chamber is provided outside the extraction chamber 21, and a pipe 45 is attached to the outer wall 14 for the preliminary extraction chamber 22. A fluid pressure cylinder 46 for pushing the jig 1' out of the sealed box body 7 is installed outside the extraction preparatory chamber 22 which is the extraction part of the tool lr that stores the processed substrate. The exhaust pipes 27, 29, 31, 33, 35, 37, and 38 are connected to a vacuum pump (not shown), and the pipes 27 and 45 are connected to the vacuum pump (not shown) and the atmosphere so as to be switchable. Each chamber has a conguctance (a value indicating the ease of gas flow) formed by the gap between the partition walls 9, 9' to 13, 13' and the gas shell 1, and a sputter etch chamber 1.
A dynamic equilibrium state is established based on the relationship between the sputtering gas flow rate introduced into the sputtering chamber 7 and the sputtering chamber 19 and the exhaust speed of the exhaust pipe of each chamber, and each chamber has a different degree of vacuum. In the conventional apparatus described above, the jigs 1 containing the substrates are arranged on the rails 4 installed outside the sealed box 7 and are transferred in the direction of the arrow a.
ついで拾具1をレール4の先端部から外れた挿入部に設
置された流体圧シリンダ5によりA位置から矢印b方向
にB位置まで移動させ、他の流体圧シリンダ6によりB
位置から矢印c方向に押し込み、取入室15に設けられ
た流体圧シリンダ23にて駆動される密閉蓋24で取入
室側が閉塞されている取入予備室16内のC位置に移送
し、密閉蓋24に取り付けられたパレット上に戦層せし
める。Next, the pick-up tool 1 is moved from the A position to the B position in the direction of arrow b by a fluid pressure cylinder 5 installed at the insertion part disengaged from the tip of the rail 4, and then moved to the B position by another fluid pressure cylinder 6.
Push it in the direction of arrow C from the intake chamber 15, and move it to the C position in the intake preliminary chamber 16, where the intake chamber side is closed with a sealing lid 24 driven by a fluid pressure cylinder 23 provided in the intake chamber 15, and then remove the sealing lid. The battle layer is placed on a pallet attached to 24.
前記拾具1をC位置に挿入した時点で取入室15の外部
に設けられた流体圧シリンダ25を作動させ、取入予備
室16内を密閉蓋24,26で密閉し、治具1をこの密
閉室内に収納し、かつ密閉室内を配管27を通じて、取
入室15内と略同じ真空度に排気する。When the pick-up tool 1 is inserted into the C position, the fluid pressure cylinder 25 provided outside the intake chamber 15 is activated, the interior of the intake preliminary chamber 16 is sealed with the sealing lids 24 and 26, and the jig 1 is placed in this position. It is housed in a sealed chamber, and the sealed chamber is evacuated to approximately the same degree of vacuum as the intake chamber 15 through piping 27.
前記密閉室内を真空状態にした後、パレットと治具1と
を矢印d方向に取入室15内のE位置へ、密閉蓋24を
矢印d方向にF位置へそれぞれ移送せしめる。After the sealed chamber is evacuated, the pallet and jig 1 are moved in the direction of arrow d to position E within intake chamber 15, and the sealing lid 24 is moved to position F in the direction of arrow d.
治具1を前記E位置に移動した時点で取入室15の側壁
8がわに取り付けられた流体圧シリンダ28を起動させ
、袷具1を矢印e方向に押し込み、レール30上に転載
する。When the jig 1 is moved to the above-mentioned position E, the fluid pressure cylinder 28 attached to the side wall 8 of the intake chamber 15 is activated, and the lining tool 1 is pushed in the direction of arrow e and transferred onto the rail 30.
その結果該レール30上に教壇されている治具1は矢印
f方向に1ピッチ移送される。拾具1をE位置からしー
ル30上に押し込み後、密閉蓋24,26を実線で示さ
れるもとの位置に戻す。スパッタエッチ室17ではスパ
ッタエッチ電極32と治具1に収納されている基板との
間に電圧を印加し、イオン化されたスパッタガスにより
基板表面と衝撃しこれにより基板表面のスパッタエッチ
を行ない、基板表面の微小な付着異物を取り除く。As a result, the jig 1 mounted on the rail 30 is moved one pitch in the direction of arrow f. After pushing the pick-up tool 1 onto the seal 30 from the E position, the sealing lids 24 and 26 are returned to their original positions shown by solid lines. In the sputter etch chamber 17, a voltage is applied between the sputter etch electrode 32 and the substrate housed in the jig 1, and the ionized sputter gas bombards the substrate surface, thereby sputter etching the substrate surface. Remove minute foreign matter from the surface.
つぎに加熱室18においてヒ−夕34により基板を加熱
し、基板表面に吸着および基板内部に吸蔵されている不
純物ガスを放出させ、かつスパッタ処理に適した温度に
昇温させる。Next, the substrate is heated by the heater 34 in the heating chamber 18 to release impurity gas adsorbed onto the surface of the substrate and occluded inside the substrate, and to raise the temperature to a temperature suitable for sputtering.
ついでスパッタ室19においてスパッタエッチ室17の
スパッタエッチ処理とは反対方向のイオン衝撃により、
基板にスパッタ電極36のスパッタ材料を付着させるス
パッタ処理をする。Next, in the sputtering chamber 19, by ion bombardment in the opposite direction to the sputter etching process in the sputter etching chamber 17,
A sputtering process is performed to deposit the sputtering material of the sputtering electrode 36 onto the substrate.
ついで冷却室20において基板を冷却し、所期のスパッ
タ処理を施した基板を有する治具1′を取出室21に送
る。Next, the substrate is cooled in the cooling chamber 20, and the jig 1' having the substrate subjected to the desired sputtering treatment is sent to the removal chamber 21.
前記取出室21ではG位置に移送された治具1′を流体
圧シリンダ39により矢印g方向に送り、H位置に移動
させ、さらに流体圧シリンダ40により治具1をH位置
から矢印h方向に送り出し、流体圧シリンダ41に取り
付けられた密閉蓋42に設けられたパレット上の1位置
に移送する。In the extraction chamber 21, the jig 1' transferred to the G position is sent in the direction of the arrow g by the fluid pressure cylinder 39, and moved to the H position, and then the jig 1 is moved from the H position to the direction of the arrow h by the fluid pressure cylinder 40. It is fed out and transferred to a position on a pallet provided on a sealing lid 42 attached to a hydraulic cylinder 41.
つぎに流体圧シリンダ41を作動させ、密閉蓋42とパ
レット、治具1′とを実線で示されるJ,1位置から矢
印i方向に移動させ、破線で示されるL,K位置に送る
。Next, the fluid pressure cylinder 41 is operated to move the sealing lid 42, the pallet, and the jig 1' from the J, 1 position shown by the solid line in the direction of the arrow i, and to the L, K position shown by the broken line.
この時点では取出予備室22の外側の開□部は取出室2
1の外部に設けられた流体圧シリンダ43に取り付けら
れた密閉蓋44で閉塞されており、上部の密閉蓋42が
L位置に移動すると、取出予備室22が密閉され、拾具
1′はその密閉室内に配置される。At this point, the opening □ on the outside of the unloading preliminary chamber 22 is the unloading chamber 2.
When the upper sealing lid 42 moves to the L position, the extraction preliminary chamber 22 is sealed, and the pick-up tool 1' Placed in a closed room.
該密閉室には配管45を通して大気を導入し、取出予備
室22を大気圧にした後、流体圧シリンダ43により密
閉蓋44をM位置からN位置に移動させる。つぎに取出
部の流体圧シリンダ46を駆動し、パレット上のK位置
にある拾具1′を矢印j方向に移動させ、レール4上に
送り出し、スパッタ処理された基板を有する治具1′を
取り出し、一連の動作を完了する。Atmospheric air is introduced into the sealed chamber through piping 45 to bring the pre-takeout chamber 22 to atmospheric pressure, and then the fluid pressure cylinder 43 moves the sealing lid 44 from the M position to the N position. Next, the fluid pressure cylinder 46 of the take-out section is driven to move the pick-up tool 1' located at position K on the pallet in the direction of arrow j, send it out onto the rail 4, and pick up the jig 1' having the sputtered substrate. Take it out and complete the series of actions.
以上の動作を順次繰り返すことによって1枚1枚の基板
に真空処理を施すようにされている。By sequentially repeating the above operations, vacuum processing is applied to each substrate one by one.
しかしながら前記従来装置によると、基板を治具に収納
し、真空処理を施すようにしているので、大気中で治具
に吸着された不純物ガがスパッタ室に持ち込まれるため
、スパッタ室の不純物ガス分圧が上昇し、膜質に悪影響
を与える欠点があり、ウェハに比べ治具の熱容量が大き
いため、加熱、冷却ともに長時間を要する欠点があり、
ゥェハに比べ拾臭の寸法が大きくなるため、治具を使わ
ない場合に比較して装置全体が大形になる欠点もある。
また1枚単位の連続処理であるため、取入予備室は基板
を1枚導入する毎に大気圧から真空に排気されるが、真
空排気時間は他の処理時間に比べて長い場合が多いので
、装置のサイクルタイムが制限され、生産速度を高める
ことができない欠点があり、取入室から取出室まで一様
のタクトタイムで拾具が搬送されるため、通常長時間を
要する基板加熱を十分行なうことができない欠点もあり
、さらに各室毎に独立に真空排気するため、真空排気系
が複雑になる欠点があった。本発明の目的は、前記従来
技術の欠点をなくし、基板に安定した処理を行うことが
でき、更に生産性も高く、しかも装置全体の小型化をは
かることができるようにした連続真空処理装置を提供す
るにある。即ち本発明は、上記目的を達成するために、
基板の移送方向に沿って、順次基板の取入室、第1の収
納室、少くとも1個の真空処理室、第2の収納室、およ
び取出室を水平的にコ字形状に、且つ取入室と取出室と
を隣接させて配置し、前記各室間には基板単体で通過さ
せるための開閉手段を設け、更に隣接する室間の開閉手
段を通って基板単体でもつて略水平姿勢で搬送するベル
ト搬送手段を前記各室内に設置し、真空排気手段を複数
の室について共通化させて各室と接続し、多数の基板を
一括収納するカセットと、該カセットに収納されたまた
は収納する基板を単体でもつて順次前記ベルト搬送手段
に搭載または前記ベルト搬送手段から取込むカセットェ
レベータとを前記取入室、第1の収納室、第2の収納室
「および取出室に設置し、前記真空処理室内には少くと
も1個の真空処理手段が設けられ第1の収納室のカセッ
トからベルト搬送手段によって単体で順次水平搬送され
てくる基板に前記真空処理手段によって真空処理し、そ
の後ベルト搬送手段で搬送して第2の収納室のカセット
に収納することを特徴とする連続真空処理装置である。However, according to the conventional apparatus, since the substrate is housed in a jig and subjected to vacuum processing, impurity gas adsorbed by the jig in the atmosphere is brought into the sputtering chamber. It has the drawback of increasing pressure, which has a negative effect on film quality, and the heat capacity of the jig is larger than that of the wafer, so it has the disadvantage of requiring a long time for both heating and cooling.
Since the size of the odor pickup is larger than that of a wafer, there is also the disadvantage that the entire device is larger than when no jig is used.
In addition, since the process is continuous for one substrate, the intake pre-chamber is evacuated from atmospheric pressure to vacuum each time one substrate is introduced, but the evacuation time is often longer than other processing times. However, the disadvantage is that the cycle time of the equipment is limited and production speed cannot be increased, and since the pick-up tool is transported from the intake chamber to the unloading chamber in a uniform takt time, it is difficult to fully heat the substrate, which normally takes a long time. However, since each chamber is evacuated independently, the vacuum evacuation system is complicated. It is an object of the present invention to provide a continuous vacuum processing apparatus which eliminates the drawbacks of the prior art, allows stable processing of substrates, has high productivity, and allows miniaturization of the entire apparatus. It is on offer. That is, in order to achieve the above object, the present invention has the following features:
Along the transfer direction of the substrate, the substrate intake chamber, the first storage chamber, at least one vacuum processing chamber, the second storage chamber, and the extraction chamber are horizontally formed into a U-shape, and the intake chamber is and a take-out chamber are arranged adjacent to each other, an opening/closing means is provided between each of the chambers for allowing the substrate to pass alone, and further, the single substrate is transported in a substantially horizontal posture through the opening/closing means between the adjacent chambers. A belt conveying means is installed in each of the chambers, a vacuum evacuation means is shared among a plurality of chambers and connected to each chamber, and a cassette for storing a large number of substrates at once, and the substrates stored or to be stored in the cassette are provided. A cassette elevator is installed in the intake chamber, the first storage chamber, the second storage chamber, and the take-out chamber, and is installed in the intake chamber, the first storage chamber, the second storage chamber, and the extraction chamber. is provided with at least one vacuum processing means, and the vacuum processing means vacuum-processes the substrates that are sequentially horizontally transported singly from the cassette in the first storage chamber by the belt transport means, and then transported by the belt transport means. This is a continuous vacuum processing apparatus characterized in that the liquid is stored in a cassette in a second storage chamber.
特に搬送の信頼性を高くし、しかも真空処理室への不純
物ガスの特込みを最4・限にすることができ、更に真空
排気手段を共通化させて装置全体を小型化することがで
きるように構成したことにある。以下本発明を図面に基
づいて説明する。In particular, it is possible to improve the reliability of transport, limit the amount of impurity gas entering the vacuum processing chamber to a maximum of 4,000, and further downsize the entire device by standardizing the vacuum evacuation means. This is because it was configured as follows. The present invention will be explained below based on the drawings.
第3図、第4図および第5図は本発明の一実施例を示す
もので、密閉箱体51の内部に、処理すべき基板3の移
動方向に沿って順次取入室52、第1の収納室53、ス
パッタエッチ室54、スパッタ室55、冷却室56、第
2の収納室57および取出室58が区画形成され、これ
等各室は平面からみてコ字形に配列されており、密閉箱
体51の外部における取入室52側には第1の外部収納
手段50が設けられ、同外部における取出室58側には
第2の外部収納手段59が設けられている。3, 4, and 5 show an embodiment of the present invention, in which an intake chamber 52, a first A storage chamber 53, a sputter etch chamber 54, a sputter chamber 55, a cooling chamber 56, a second storage chamber 57, and a take-out chamber 58 are divided and formed, and each of these chambers is arranged in a U-shape when viewed from above, and is a closed box. A first external storage means 50 is provided on the intake chamber 52 side outside the body 51, and a second external storage means 59 is provided on the extraction chamber 58 side outside the body 51.
前記第1の外部収納手段50は一対のコンペアベルト6
0,61、基板カセット63を有するカセットェレベー
タ62とを備えている。The first external storage means 50 includes a pair of compare belts 6.
0,61, and a cassette elevator 62 having a substrate cassette 63.
前記カセットェレベータ62はモータとボールねじとの
細み合せ等による駆動源(図示省略)に連結されている
。前記カセット63は上下朗向に基板3を棚板状に収納
しうるように形成されている。この第1の外部収納手段
50では前記コンペアベルト60,61上に、処理すべ
き基板3が単体で、つまり治具に収納されることなく、
直接教層され、その基板3はカセットェレベータ62の
設置位置まで搬送され、この位置で基板カセット63の
棚に収納され、基板カセット63に基板3が1枚収納さ
れるごとに前記棚の1段分に相当する1ピッチずつカセ
ットェレべ−夕62が間欠的に上昇操作され、設定枚数
収納しうるようになっており、設定枚数収納後、カセッ
トェレベータ62とコンペアベルト600,61との協
働により基板カセット63から基板3を取入室52内に
1枚ずつ送給しうるように構成されている。前記第1の
外部収納手段50と取入室52間、つまり取入室52の
入口側壁にはゲートバルブ64が設けられており、該ゲ
ートバルブ64は流体圧シリンダ(図示省略)を備え、
第1の外部収納手段50のコンペアベルト60,61に
より取入室52内に基板3を取り入れる間、開動作する
ようになっている。The cassette elevator 62 is connected to a drive source (not shown) such as a motor and a ball screw. The cassette 63 is formed so that the substrates 3 can be stored vertically in a shelf-like manner. In this first external storage means 50, the substrate 3 to be processed is stored alone on the compare belts 60, 61, that is, without being stored in a jig.
The board 3 is directly taught and transported to the installation position of the cassette elevator 62, and stored in the shelf of the board cassette 63 at this position. The cassette elevator 62 is intermittently raised by one pitch corresponding to each stage so that it can store a set number of sheets. After storing the set number of sheets, the cassette elevator 62 and the compare belts 600 and 61 cooperate The structure is such that the substrates 3 can be fed one by one from the substrate cassette 63 into the intake chamber 52 by the operation. A gate valve 64 is provided between the first external storage means 50 and the intake chamber 52, that is, on the inlet side wall of the intake chamber 52, and the gate valve 64 includes a fluid pressure cylinder (not shown),
The comparison belts 60 and 61 of the first external storage means 50 perform an opening operation while the substrate 3 is taken into the intake chamber 52.
前記取入室52はコンペアベルト65,66、カセット
68を有するカセットェレベータ67、第5図に示され
るように真空ポンプ7川こ連なる排気口69、ヒータお
よび大気リーク手段とを有しているが、ヒータと大気リ
ーク手段は図示省略されている。The intake chamber 52 has compare belts 65, 66, a cassette elevator 67 having a cassette 68, an exhaust port 69 connected to seven vacuum pumps as shown in FIG. 5, a heater, and atmospheric leak means. , the heater and the air leak means are not shown.
前記カセットェレベータ67および基板カセット68と
は前記第1の外部収納手段50のカセットェレベータ6
2および基板カセット63と同様に構成されている。こ
の取入室52では第1の外部収納手段50のコンペァベ
ルト60,61からゲートバルブ64を通してコンペア
ベルト65,66で基板3を1枚ずつ受け取り、これを
カセットェレベー夕67の作動を介して基板カセット6
8に一枚ずつ棚板状に積み込み、設定枚数収納した後、
ゲートバルブ64が閉じられ、排気口69を通じて取入
室52内が排気され、ヒータにより基板3を脱ガスすべ
くべーキングが行なわれ、ついでカセットェレベータ6
7とコンペアベルト65,66との協働により基板カセ
ット68から基板3を第1の収納室53に1枚ずつ送給
しうるように構成されている。前記取入室52と第1の
収納室53間にはゲートバルブ71が設けられており、
該ゲートバルフ71は前記ゲートバルブ64と同様に構
成されている。The cassette elevator 67 and the board cassette 68 are the cassette elevator 6 of the first external storage means 50.
2 and the substrate cassette 63. In this intake chamber 52, the compare belts 65, 66 receive the substrates 3 one by one from the compare belts 60, 61 of the first external storage means 50 through the gate valve 64, and the substrates 3 are transferred to the substrate cassette through the operation of the cassette elevator 67. 6
After loading the set number of sheets one by one on a shelf board,
The gate valve 64 is closed, the intake chamber 52 is exhausted through the exhaust port 69, and baking is performed to degas the substrate 3 using a heater.
7 and the compare belts 65 and 66 cooperate to feed the substrates 3 from the substrate cassette 68 to the first storage chamber 53 one by one. A gate valve 71 is provided between the intake chamber 52 and the first storage chamber 53,
The gate valve 71 is constructed similarly to the gate valve 64 described above.
前記第1の収納室53にはコンペアベルト72,73、
基板カセット75を有するカセットェレベータ74、真
空ポンプに連なる排気口76およびガス導入手段とを備
えているが、真空ポンプとガス導入手段は図示省略され
ている。The first storage chamber 53 includes compare belts 72, 73,
It includes a cassette elevator 74 having a substrate cassette 75, an exhaust port 76 connected to a vacuum pump, and gas introduction means, but the vacuum pump and gas introduction means are not shown.
前記カセットェレベータ74および基板カセット75と
は第1の外部収納手段50のカセットェレベータ62お
よび基板カセット63と同様に構成されている。この第
1の収納室53内をガス導入手段により導入されるガス
流量と、排気口76に連なる真空ポンプの排気速度を調
整することにより取入室と略同じ圧力にした後ゲートバ
ルブ71を開き前記取入室52のコンペアベルト65,
66からゲートバルブ71を通ってコンペアベルト72
,73で基板3を1枚ずつ受け取り、これをカセットェ
レベー夕74の作用を介して基板カセット75に棚板状
に積み込み、設定枚数収納後、ゲートバルブ71が閉じ
られ、ガス導入手段から導入されるガス流量と、排気口
76に連なる真空ポンプの排気速度とを調整して、スパ
ッタエッチ室54と略同じ圧力にし、ついでカセットヱ
レベータ74とコンペアベルト72,73との協働によ
り基板カセット75から基板3をスパッタエッチ室54
に1枚ずつ送給しうるようになっている。前記第1の収
納室53とスパッタエッチ室64間にはゲートバルブ7
7が設けられており、該ゲートバルブ77は前記ゲート
バルブ64と同様に構成されている。The cassette elevator 74 and the substrate cassette 75 are constructed similarly to the cassette elevator 62 and the substrate cassette 63 of the first external storage means 50. The first storage chamber 53 is made to have approximately the same pressure as the intake chamber by adjusting the gas flow rate introduced by the gas introduction means and the exhaust speed of the vacuum pump connected to the exhaust port 76, and then the gate valve 71 is opened and the Compare belt 65 of intake chamber 52,
66 to the compare belt 72 through the gate valve 71
, 73 receive the substrates 3 one by one, and load them into a board cassette 75 in the form of a shelf through the action of the cassette elevator 74. After storing the set number of substrates, the gate valve 71 is closed and the substrates are introduced from the gas introduction means. The gas flow rate and the exhaust speed of the vacuum pump connected to the exhaust port 76 are adjusted so that the pressure is approximately the same as that of the sputter etch chamber 54, and then the cassette elevator 74 and the compare belts 72, 73 cooperate to remove the gas from the substrate cassette 75. The substrate 3 is placed in the sputter etch chamber 54.
It is designed so that it can be fed one sheet at a time. A gate valve 7 is provided between the first storage chamber 53 and the sputter etching chamber 64.
7 is provided, and the gate valve 77 is configured similarly to the gate valve 64.
前記スパッタエッチ室54はコンペアベルト78,79
の粗、他のコンペアベルト80,81の縄、ェレベータ
82、スパッタエッチ電極83、真空ポンプに連なる排
気口84、ガス導入手段およびヒータ85とを備えてい
るが、真空ポンプとガス導入手段は図示省略されている
。The sputter etch chamber 54 is equipped with compare belts 78 and 79.
Compare belts 80 and 81 ropes, an elevator 82, a sputter etching electrode 83, an exhaust port 84 connected to a vacuum pump, a gas introduction means, and a heater 85, although the vacuum pump and gas introduction means are not shown in the figure. Omitted.
前記コンペアベルト78,79;80,81は第4図に
示されるように、同一水平面上に互いに接近配置されか
つ水平状態から外端部側を回転中心として垂直方向に回
転しうるようになっている。前記ェレベータ82は第4
図に示されるように、コンペアベルト78,79;80
,81によりスパッタヱッチ室54の中央部に搬送され
た基板3を一旦コンペアベルト78,79;80,81
の搬送面よりも高いP位置まで上昇させた後、コンペア
ベルト78,79;80,81が垂直方向に回転後、基
板3をスパッタエッチ電極83上のQ位置に下降させる
ようになっている。前記スパッタエッチ電極83はスパ
ッタエッチ室54内の下部に配置され、ヒータ85は上
部に配置されている。スパッタエッチ室54はガス導入
手段により導入されるスパッタガスの流量と、排気口8
4に連なる真空ポンプの排気速度との関係から定まる一
定圧力に動的に平衡している。そしてスパッタエッチ室
54では第1の収納室53のコンペァベルト72,73
からゲートバルブ77を通してコンペアベルト78,7
9で基板3を1枚受け取り、これをコンペアベルト78
,79;80,81でスパッタエッチ室54の中央部ま
で搬送した後、ゲートバルブ77が閉じられ、ついで基
板3をェレベータ82で持ち上げ、コンペアベルト78
,79;80,81を垂直方向に回転させ、ェレベータ
82により基板3をスパッタエッチ電極83上のQ位置
まで下降させ、スパッタエッチ電極83に電圧を印加す
ることにより基板3にスパッタエッチ処理を施し、つい
で処理された基板3をェレベータ82でヒータ85に接
近するP位置まで持ち上げ、ヒータ85でスパッタ処理
に適する温度に加熱し、その間コンペアベルト78,7
9:80’81が水平状態に戻され、ェレベータ82を
下降させ、加熱処理された基板3をコンペアベルト78
,79;80,81に引き渡し、ついでスパッタ室55
に送給しうるように構成されている。前記スパッタエッ
チ室54とスパッタ室55間にはゲートバルブ86が設
けられ、該ゲートバルブ86は前記ゲートバルブ64と
同様に構成され夕ている。前記スパッタ室55は第1の
コンペアベルト87,88、第1の立上げアーム89、
第1のスパッタ電極90、スパッタ粒子のスパッタ室周
壁への付着を防止するための防着シールド91、第lo
のシャツ夕92、第2のコンペアベルト93,94、第
2の立上げアーム95、第2のスパッタ電96、第2の
シャツ夕97、ボールねじ98に沿って第1、第2のコ
ンペアベルト87,88:93,94間を移動する搬送
アーム99、真空ポンプに蓮通された排気口100およ
びガス導入手段とを有しているが、真空ポンプとガス導
入手段は図示省略されている。As shown in FIG. 4, the compare belts 78, 79; 80, 81 are arranged close to each other on the same horizontal plane, and are capable of rotating vertically from a horizontal position with the outer end side as the center of rotation. There is. The elevator 82 is the fourth
As shown in the figure, compare belts 78, 79; 80
, 81 to the center of the sputtering chamber 54 is once transferred to the compare belts 78, 79; 80, 81.
After raising the substrate 3 to a position P which is higher than the conveying surface of the substrate 3, the compare belts 78, 79; 80, 81 rotate in the vertical direction and then lower the substrate 3 to a position Q above the sputter etching electrode 83. The sputter etching electrode 83 is placed in the lower part of the sputter etching chamber 54, and the heater 85 is placed in the upper part. The sputter etch chamber 54 has a flow rate of sputter gas introduced by the gas introduction means and an exhaust port 8.
The pressure is dynamically balanced to a constant pressure determined by the relationship with the evacuation speed of the vacuum pump connected to step 4. In the sputter etch chamber 54, the compare belts 72, 73 in the first storage chamber 53
from the gate valve 77 to the compare belts 78, 7.
9 receives one board 3 and transfers it to the compare belt 78
, 79; 80, 81 to the center of the sputter etch chamber 54, the gate valve 77 is closed, the substrate 3 is then lifted up by the elevator 82, and the compare belt 78
, 79; 80, 81 are rotated in the vertical direction, the substrate 3 is lowered by the elevator 82 to the Q position above the sputter etch electrode 83, and a voltage is applied to the sputter etch electrode 83 to perform a sputter etch process on the substrate 3. Then, the processed substrate 3 is lifted by the elevator 82 to the P position approaching the heater 85, and heated by the heater 85 to a temperature suitable for sputtering, while the compare belts 78, 7
9:80'81 is returned to the horizontal state, the elevator 82 is lowered, and the heated substrate 3 is transferred to the compare belt 78.
, 79; 80, 81, and then sputtering chamber 55.
It is configured so that it can be delivered to A gate valve 86 is provided between the sputter etch chamber 54 and the sputter chamber 55, and the gate valve 86 has the same structure as the gate valve 64. The sputtering chamber 55 has first compare belts 87, 88, a first rising arm 89,
A first sputter electrode 90, an anti-adhesion shield 91 for preventing sputter particles from adhering to the peripheral wall of the sputter chamber, and a second sputter electrode 90.
92, second compare belts 93, 94, second raising arm 95, second sputtering arm 96, second shirt belt 97, first and second compare belts along the ball screw 98. 87, 88: It has a transfer arm 99 that moves between 93 and 94, an exhaust port 100 connected to a vacuum pump, and a gas introduction means, but the vacuum pump and the gas introduction means are not shown.
スパッタ室55はガス導入手段から導入されるスパッタ
ガスの流量と、排気ロー001こ連なる真空ポンプの排
気速度との関係から定まる一定圧力に動的に平衡してい
る。前記第1、第2のコンペアベルト87,88はスパ
ッタエッチ室54のコンペアベルト78,79:80,
81からゲートバルブ86を通して基板3を1枚ずつ受
け取り、同方向に第1の立上げアーム89に差し掛かる
R位置まで搬送する。前記第1の立上げアーム89は水
平状態において前記R位置に搬送された基板3を受け止
め、第4図に示されるように、S位置から垂直方向に向
って略90度回転し、基板3を第1のスパッタ電極90
1こ正対する垂直に起立させ、スパッタ処理後、第1の
コンペアベルト87,88の搬送面よりも低い位置に戻
るようになっている。前記第1のシャツ夕92と第1の
スパッタ電極90とは基板3が起立後、第1のシャツタ
92が開き、第1のスパッタ電極90で基板3に1回目
のスパッタ処理を施し、スパッタ処理後、第1のシャツ
夕92が閉じるようになっている。前記搬送アーム99
は第1、第2のコンペアベルト87,88;93,94
間に掛け渡されたボールねじ98とモー夕(図示省略)
との組み合せ等によりなる駆動源に連結され、基板3に
対する1回目のスパッタ処理を行なっている間に第1の
コンペアベルト87,88の搬送面の上方のT位置に移
動し、この位置で第1の立上げアーム89から1回目の
スパッタ処理ずみの基板3を受け取り、第2のコンペア
ベルト93,94の搬送面の上方のU位置に移動し、第
2の立上げアーム95に基板3を引き渡し後、再び第1
のコンペアベルト87,88方向に移動するようになっ
ている。前記第2の立上げアーム95は前記U位置で搬
送アーム99から基板3を受け取り、略90度回転し、
基板3を第2のスパッタ電極96に正対する垂直位置に
起立させ、スパッタ処理後、第2のコンペアベルト93
,94の搬送面よりも低い水平状態に回転しうるように
なっている。第2のシャツ夕97と第2のスパッタ電極
96とは第2の立上げアーム95により基板3の起立後
、第2のシャツ夕97が開き、第2のスパッタ電極96
で基板3に2回目のスパッタ処理を施し、スパッタ処理
後、第2のシャツ夕97が閉じるようになっている。前
記第2のコンペアベルト93,94は第2の立上げアー
ム95から2回目のスパッタ処理が施された基板3を受
け取り、冷却室56方向に搬送する。而してこのスパッ
タ室54では前記スパッタエッチ室53のコンペアベル
ト78,79:80,81からゲートバルブ86を通し
て第1のコンペアベルト87,88で基板3を1枚受け
取り、基板搬入後、ゲートバルブ86が閉じられ、該第
1のコンペアベルト87,88で基板3をR位置まで搬
送した時点で第1の立上げアーム89により基板3を垂
直方向に向って回転させて起立させ、起立した時点で第
1のシャツ夕92が開かれ、第1のスパッタ電極90で
1回目のスパッタ処理を施し、第1のシャツ夕92が閉
じられ、第1の立上げアーム89を水平方向に向って回
転させ、第1の立上げァ−ム89からT位置で待機中の
搬送アーム99に1回目のスパッタ処理が施された基板
3を転載し、搬送アーム99を第2のコンペアベルト9
3,94の上方のU位置まで移動させ、U位置の下方で
待機中の第2の立上げアーム95を回転させ、基板3を
垂直に起立させ、この時点で第2のシャツ夕97が開か
れ、基板3に第2のスパッタ電極96で2回目のスパッ
タ処理を施し、この間に搬送アーム99をU位置から第
1のコンペアベルト87,88方向に位動させ、第2の
シャツ夕97が閉じ、第2の立上げアーム95を水平方
向に向って回転させ、第2のコンペアベルト93,94
にスパッタ処理された基板3を移教し、冷却室56に搬
送しうるように構成されている。前記スパッタ室55と
冷却室56間にはゲートバルブ101が設けられており
、該ゲートバルフ101は前記ゲートバルブ64と同機
に構成されている。The sputtering chamber 55 is dynamically balanced at a constant pressure determined by the relationship between the flow rate of the sputtering gas introduced from the gas introducing means and the exhaust speed of the vacuum pump connected to the exhaust row 001. The first and second compare belts 87, 88 are the compare belts 78, 79:80,
81 receives the substrates 3 one by one through the gate valve 86 and transports them in the same direction to the R position where they approach the first rising arm 89. The first lifting arm 89 receives the substrate 3 transferred to the R position in a horizontal state, and rotates approximately 90 degrees vertically from the S position to lift the substrate 3, as shown in FIG. First sputter electrode 90
The first compare belts 87 and 88 are made to stand vertically facing each other, and after sputtering, return to a position lower than the conveying surface of the first compare belts 87 and 88. The first sputtering electrode 92 and the first sputtering electrode 90 are connected to each other after the substrate 3 stands up, the first sputtering electrode 92 opens, and the first sputtering electrode 90 performs the first sputtering process on the substrate 3. After that, the first shirt sleeve 92 is closed. The transport arm 99
are the first and second compare belts 87, 88; 93, 94
Ball screw 98 and motor (not shown) stretched between them
While performing the first sputtering process on the substrate 3, it moves to the T position above the conveyance surface of the first compare belts 87, 88, and at this position, the The substrate 3 that has undergone the first sputtering process is received from the first rising arm 89 , and moved to the U position above the conveying surface of the second compare belts 93 and 94 , and the substrate 3 is transferred to the second rising arm 95 . After the handover, the first
The compare belts 87 and 88 move in the direction of the compare belts 87 and 88. The second raising arm 95 receives the substrate 3 from the transfer arm 99 at the U position, rotates approximately 90 degrees, and
The substrate 3 is stood up in a vertical position directly facing the second sputter electrode 96, and after sputtering, the second compare belt 93
. After the substrate 3 is raised by the second raising arm 95, the second shirt sleeve 97 is opened and the second sputter electrode 96 is opened.
Then, the substrate 3 is subjected to a second sputtering process, and after the sputtering process, the second shirt cover 97 is closed. The second compare belts 93 and 94 receive the substrate 3 that has been subjected to the second sputtering process from the second upright arm 95, and transport it toward the cooling chamber 56. In this sputtering chamber 54, one substrate 3 is received by the first compare belts 87, 88 from the compare belts 78, 79:80, 81 of the sputter etch chamber 53 through the gate valve 86. 86 is closed and the first compare belts 87 and 88 transport the substrate 3 to the R position, the first raising arm 89 rotates the substrate 3 in the vertical direction and stands it up. The first shirt cover 92 is opened, a first sputtering process is performed using the first sputter electrode 90, the first shirt cover 92 is closed, and the first raising arm 89 is rotated horizontally. The substrate 3 subjected to the first sputtering process is transferred from the first start-up arm 89 to the transfer arm 99 waiting at the T position, and the transfer arm 99 is transferred to the second compare belt 9.
3, 94 to the U position, and rotates the second raising arm 95 waiting below the U position to vertically raise the board 3. At this point, the second shirt arm 97 is opened. Then, the substrate 3 is subjected to a second sputtering process using the second sputtering electrode 96, and during this time, the transport arm 99 is moved from the U position in the direction of the first compare belts 87, 88, and the second shirt plate 97 is sputtered. close, rotate the second raising arm 95 horizontally, and open the second compare belts 93, 94.
The sputtered substrate 3 can be transferred to the cooling chamber 56 and transported to the cooling chamber 56. A gate valve 101 is provided between the sputtering chamber 55 and the cooling chamber 56, and the gate valve 101 and the gate valve 64 are constructed in the same machine.
前記冷却室56はスパッタエッチ室54と仕切壁102
を介して区画隣援されており、かつコンペアベルト10
3,104、真空ポンプに連なる排気ロー05、ガス導
入手段とを有しているが、真空ポンプおよびガス導入手
段は図示されている。The cooling chamber 56 is connected to the sputter etch chamber 54 and the partition wall 102.
and the compare belt 10
3, 104, an exhaust row 05 connected to a vacuum pump, and a gas introduction means, although the vacuum pump and the gas introduction means are shown in the figure.
また排気口105はスパッタエッチ室54の排気口84
とで円形をなす形状に形成され、真空ポンプはスパッタ
エッチ室54と共用とされていて、冷却室56はスパッ
タエッチ室54と同じ圧力に保持されている。前記冷却
室56ではスパッタ室55からゲートバルブIQIを通
してコンペアベルト103,104上に基板3を受け取
り、該コンペアベルト103,104上で基板3を放射
冷却した後、ついで製品たる基板3′をを第2の収納室
57に送出しうるように構成されている。前記冷却室5
6と第2の収納室57間には前言己ゲートバルブ64と
同機の構成のゲートバルブ106が設けられている。Further, the exhaust port 105 is the exhaust port 84 of the sputter etch chamber 54.
The vacuum pump is shared with the sputter etching chamber 54, and the cooling chamber 56 is maintained at the same pressure as the sputter etching chamber 54. In the cooling chamber 56, the substrate 3 is received from the sputtering chamber 55 through the gate valve IQI onto the compare belts 103, 104, and after the substrate 3 is radiatively cooled on the compare belts 103, 104, the substrate 3' as a product is then heated. It is configured such that it can be delivered to the second storage chamber 57. The cooling chamber 5
6 and the second storage chamber 57 is provided with a gate valve 106 having the same structure as the aforementioned gate valve 64.
前記第2の収納室57は第1の収納室53と仕切壁10
7を介して区画隣接されている。The second storage chamber 57 is separated from the first storage chamber 53 by the partition wall 10.
The sections are adjacent through 7.
また第2の収納室57はコンペアベルト108,109
、基板カセット111を有するカセットエレベーター1
0、排気ロー12およびガス導入手段とが配備されてい
るが、ガス導入手段は図示省略されている。前記カセッ
トェレベータ110および基板カセット111とは第1
の外部収納手段50のカセットェレベー夕62および基
板カセット63と同様に構成されている。前記排気ロー
12は第1の収納室53の排気口76とで円形をなす形
状に形成され、共通の真空ポンプに蓮通されているが、
真空ポンプは図示省略されている。この第2の収納室5
7では前記冷却室56のコンペアベルト103,104
からゲートバルブ106を通して製品たる基板3′を1
枚ずつ受け取り、これをカセットェレベータ110で基
板カセット111に積み込み基板カセット111に設定
枚数収納した時点でゲートバルブ106が閉じられ、ガ
ス導入手段により導入されるガス流量と、排気Oil2
に連なる真空ポンプの排気速度とを調整して第2の収納
室57の圧力を取出室58と略同じ圧力にし、ついでカ
セットエレベータ110とコンペァベルト108,10
9との協働により基板カセット111から基板3′を取
出室58に1枚送給しうるように構成されている。前記
第2の収納室57と取出室58間にはゲートバルブ11
3が取り付けられ、該ゲートバルブ113は前記ゲート
バルブゲートバルブ64と同様に構成されている。In addition, the second storage chamber 57 has compare belts 108 and 109.
, a cassette elevator 1 having a substrate cassette 111
0, an exhaust row 12 and a gas introduction means are provided, but the gas introduction means is not shown. The cassette elevator 110 and the substrate cassette 111 are the first
The structure is similar to the cassette elevator 62 and substrate cassette 63 of the external storage means 50. The exhaust row 12 is formed into a circular shape with the exhaust port 76 of the first storage chamber 53, and is connected to a common vacuum pump.
A vacuum pump is not shown. This second storage room 5
7, compare belts 103, 104 of the cooling chamber 56
The substrate 3', which is a product, is passed through the gate valve 106 from
The substrates are received one by one and loaded onto the substrate cassette 111 by the cassette elevator 110. When the set number of substrates is stored in the substrate cassette 111, the gate valve 106 is closed, and the gas flow rate introduced by the gas introduction means and the exhaust oil2 are
The pumping speed of the vacuum pump connected to
9, one substrate 3' can be fed from the substrate cassette 111 to the take-out chamber 58. A gate valve 11 is provided between the second storage chamber 57 and the extraction chamber 58.
3 is attached, and the gate valve 113 is constructed in the same manner as the gate valve 64 described above.
前記取出室58は仕切壁1 14を介して取入室52と
区画隣接されている。この取出室58にはコンペァベル
ト115,116、基板カセット118を積載したカセ
ットェレべ−夕117、排気口119および大気リーク
手段とを備えているが、大気リーク手段は図示省略され
ている。前記カセットェレベータ117および基板カセ
ット118とは第1の外部収納手段50のカセットェレ
ベータ62および基板カセット63と同様に構成されて
いる。前記排気ロー19は取入室52の排気口69とで
円形をなす形状に形成されかつ共通の真空ポンプ7川こ
連通されている。この取出室58では第2の収納室57
のコンペアベルト108,109からゲートバルブ11
3を通してコンペアベルト115,116で基板3′を
1枚ずつ受け取り、該基板3′をカセットェレベー夕1
17の作動を介して基板カセット1181こ積み込み、
設定枚数収納後、ゲートバルブ113が閉じられ、排気
ロー19を図示していないバルブにより閉じ、ついで大
気リーク手段により大気を導入して取出室58の内部を
大気圧にし、カセットェレベータ117とコンペアベル
ト115,116との協働により基板カセット118か
ら基板3′を1枚ずつ送り出しうるように構成されてい
る。前記取出室58と第2の外部収納手段59間、すな
わち取出室58の出口側の側壁には前記ケー−トバルブ
64と同様の構成のゲートバルブ120が取り付けられ
ている。なお前記各室52〜58の大気側から室内側へ
の運動部材の導入部は、真空べローズまたは0リング等
の密封部材で気密封止されている。The extraction chamber 58 is adjacent to the intake chamber 52 via the partition wall 114. This take-out chamber 58 is equipped with compare belts 115, 116, a cassette tray 117 loaded with substrate cassettes 118, an exhaust port 119, and an atmospheric leak means, but the atmospheric leak means is not shown. The cassette elevator 117 and the substrate cassette 118 are constructed similarly to the cassette elevator 62 and the substrate cassette 63 of the first external storage means 50. The exhaust row 19 is formed in a circular shape with the exhaust port 69 of the intake chamber 52, and is communicated with a common vacuum pump 7. In this take-out chamber 58, the second storage chamber 57
from the compare belts 108, 109 to the gate valve 11
The compare belts 115 and 116 receive the substrates 3' one by one through the cassette elevator 1.
loading the board cassette 1181 through the operation of 17;
After storing the set number of sheets, the gate valve 113 is closed, the exhaust row 19 is closed by a valve (not shown), and then the atmosphere is introduced by the atmosphere leak means to bring the inside of the extraction chamber 58 to atmospheric pressure, which is then compared with the cassette elevator 117. It is configured so that the substrates 3' can be sent out one by one from the substrate cassette 118 by cooperation with belts 115 and 116. A gate valve 120 having the same structure as the gate valve 64 is installed between the extraction chamber 58 and the second external storage means 59, that is, on the side wall of the extraction chamber 58 on the outlet side. The introduction portion of the moving member from the atmosphere side to the indoor side of each of the chambers 52 to 58 is hermetically sealed with a sealing member such as a vacuum bellows or an O-ring.
前記第2の外部収納手段59はコンペアベルト121,
122、基板カセット124を備えたカセットエレベー
ター23とを有している。The second external storage means 59 includes a compare belt 121,
122 and a cassette elevator 23 equipped with a substrate cassette 124.
前記カセットェレベータ123と基板カセット124と
は第1の外部収納手段50のカセットェレベータ62お
よび基板カセット63と同様に構成されている。そして
この第2の外部収納手段59では前記取出室58のコン
ペアベルト115,116からゲートバルブ120を通
してコンペアベルト121,122により基板3′を1
枚ずつ受け取り、カセットェレベータ123の設定位置
まで搬送し、この位置でカセットェレベータ123によ
り基板カセット124に基板3′を積み込み、設定枚数
を一時集積した後、カセットェレベータ123とコンペ
アベルト121,122とにより基板カセット124か
ら基板3′を1枚ずつ引き出し、搬送しうるように構成
されている。なお基板カセット124に基板3′を設定
枚数収納した時点でゲートバルブ120が閉じられる。
前述構成の連続スパッタ装置は次のように作用する。The cassette elevator 123 and the substrate cassette 124 are constructed similarly to the cassette elevator 62 and the substrate cassette 63 of the first external storage means 50. In this second external storage means 59, the substrate 3' is transferred from the compare belts 115, 116 of the take-out chamber 58 to the gate valve 120 by the compare belts 121, 122.
The substrates 3' are received one by one and conveyed to the set position of the cassette elevator 123. At this position, the cassette elevator 123 loads the substrates 3' into the substrate cassette 124, and after temporarily accumulating the set number of substrates, the cassette elevator 123 and the compare belt 121, 122, the substrates 3' can be pulled out one by one from the substrate cassette 124 and transported. Note that the gate valve 120 is closed when the set number of substrates 3' are stored in the substrate cassette 124.
The continuous sputtering apparatus configured as described above operates as follows.
すなわち、第1の外部収納手段50のコンペァベルト6
0,61上に処理すべき基板3が自由に萩置され、その
基板3はカセットェレベータ62の設置位置まで搬送さ
れ、基板カセット63の棚に1枚ずつ収納され、基板カ
セット63に基板3が1枚収納される毎にカセットェレ
ベータ62は棚1段分に相当する1ピッチ上昇し、つぎ
に搬送されてくる基板3を収納可能とする。That is, the compare belt 6 of the first external storage means 50
The substrates 3 to be processed are placed freely on the substrates 0 and 61, and the substrates 3 are transported to the installation position of the cassette elevator 62, and stored one by one on the shelf of the substrate cassette 63. Each time one board 3 is stored, the cassette elevator 62 moves up one pitch corresponding to one shelf, making it possible to store the next board 3 to be transported.
以下この動作が繰り返し行なわれ、時間的に不規則に搬
送されてくる複数の基板3が基板カセット63に設定枚
数、一時集積される。基板カセット63に設定枚数の基
板3が収納された時点で、取入室52の入口側のゲート
バルブ64が開かれ、第1の外部収納手段50のカセッ
トェレベー夕62が1ピッチずつ下降され、第1の外部
収納手段50のコンペアベルト60,61と取入室52
のコンペアベルト65,66とで基板3が1枚ずつ取入
室52内に搬送される。取入室52に連続的に搬送され
た基板3はカセットヱレベータ67により基板カセット
68に1枚ずつ収納され、第1の外部収納手段50の基
板カセット63の基板3が取入室52内の基板カセット
68に全部収納された時点でゲートバルブ64が閉じら
れ、ついで真空ポンプ701こより排気口69を通じて
真空排気される。Thereafter, this operation is repeated, and a set number of substrates 3, which are transported irregularly in time, are temporarily accumulated in the substrate cassette 63. When the set number of substrates 3 are stored in the substrate cassette 63, the gate valve 64 on the inlet side of the intake chamber 52 is opened, and the cassette elevator 62 of the first external storage means 50 is lowered one pitch at a time, and the first Compare belts 60 and 61 of external storage means 50 and intake chamber 52
The substrates 3 are transported into the intake chamber 52 one by one by the compare belts 65 and 66. The substrates 3 continuously transported to the intake chamber 52 are stored one by one in a substrate cassette 68 by a cassette elevator 67, and the substrates 3 in the substrate cassette 63 of the first external storage means 50 are transferred to the substrate cassette in the intake chamber 52. When all of the gas is stored in the tube 68, the gate valve 64 is closed, and then the gas is evacuated from the vacuum pump 701 through the exhaust port 69.
なおこの時点で取出室58も同寺に真空排気される。取
入室52内の真空排気が行なわれている間に、ヒータに
より基板3の脱ガスのためべーキングが行なわれ、取入
れ処理が完了する。つぎにガス導入手段により導入され
るガス流量と、排気口76に連なる真空ポンプの排気速
度とを調整することにより、第1の収納室53の圧力が
取入室52の圧力と同程度に圧力調整された後、取入室
52と第1の収納室53間のゲートバルブ71が開かれ
、取入室52内のカセットヱレベータ74が1ピッチず
つ下降され、基板カセット75の基板3が取入室52内
のコンペアベルト65,66と第1の収納室53内のコ
ンペアベルト72,73とにより1枚ずつ搬送され、第
1の収納室53内のカセットェレベー夕74により基板
カセット75に1枚ずつ収納され、取入室52内の基板
カセット68の基板3が第1の収納室53の基板カセッ
ト75に総て収納された時点でゲートバルブ71が閉じ
られる。At this point, the extraction chamber 58 is also evacuated to the same temperature. While the intake chamber 52 is being evacuated, baking is performed to degas the substrate 3 using a heater, and the intake process is completed. Next, by adjusting the gas flow rate introduced by the gas introduction means and the exhaust speed of the vacuum pump connected to the exhaust port 76, the pressure in the first storage chamber 53 is adjusted to the same level as the pressure in the intake chamber 52. After that, the gate valve 71 between the intake chamber 52 and the first storage chamber 53 is opened, the cassette elevator 74 in the intake chamber 52 is lowered one pitch at a time, and the substrate 3 of the substrate cassette 75 is moved into the intake chamber 52. The substrates are conveyed one by one by the compare belts 65 and 66 and the compare belts 72 and 73 in the first storage chamber 53, and are stored one by one in the substrate cassette 75 by the cassette elevator 74 in the first storage chamber 53, When all the substrates 3 in the substrate cassette 68 in the intake chamber 52 are stored in the substrate cassette 75 in the first storage chamber 53, the gate valve 71 is closed.
ゲートバルブ71が閉じられた後、取入室52では再び
次のロットの基板3の取り入れ動作が開始される。つぎ
に第1の収納室53内のガス導入手段により導入される
ガス流量と、排気口76に連なる真空ポンプの排気速度
とを調整することにより第1の収納室53内の圧力がス
パッタエッチ室54内の圧力と略同じ程度に調整される
。After the gate valve 71 is closed, the intake chamber 52 starts again to take in the next lot of substrates 3. Next, by adjusting the gas flow rate introduced by the gas introducing means in the first storage chamber 53 and the exhaust speed of the vacuum pump connected to the exhaust port 76, the pressure in the first storage chamber 53 is adjusted to the level in the sputter etching chamber. It is adjusted to approximately the same level as the pressure inside 54.
この圧力調整後、第1の収納室53とスパッタエッチ室
54間のゲートバルブ77が開かれ、第1の収納室53
内のカセットェレベー夕74が1ピッチずつ下降され、
基板カセット75の基板3が第1の収納室53内のコン
ペアベルト72,73とスパッタエッチ室54内のコン
ペアベルト78,79:80,81とにより1枚ずつス
パッタエッチ室54の中央まで搬送され、基板3を1枚
搬送する綾にゲートバルブ77が閉じられる。スパッタ
エッチ室54の中央に基板3が搬送された時点で、ェレ
ベータ82が作動され、基板3が一日コンペアベルト7
8,79;80,81の搬送面よりも高い位置に持ち上
げられ、ついでコンペアベルト78,79;80,81
が垂直方向に回転され、続いてヱレベータ82が下降さ
れ、基板3がスパッタエッチ電極83上のQ位置まで下
降され、スパッタエッチ電極83に電圧が印カロされ、
該スパッタエッチ電極83により基板3の付着異物を除
去するスパッタエッチ処理が施される。After this pressure adjustment, the gate valve 77 between the first storage chamber 53 and the sputter etching chamber 54 is opened, and the first storage chamber 53
The inner cassette elevator 74 is lowered one pitch at a time,
The substrates 3 in the substrate cassette 75 are transported one by one to the center of the sputter-etch chamber 54 by compare belts 72, 73 in the first storage chamber 53 and compare belts 78, 79:80, 81 in the sputter-etch chamber 54. , the gate valve 77 is closed while one substrate 3 is being transferred. When the substrate 3 is transported to the center of the sputter etch chamber 54, the elevator 82 is activated and the substrate 3 is transported to the center of the sputter etch chamber 54.
8, 79; 80, 81 is lifted to a higher position than the conveying surface, and then the compare belt 78, 79; 80, 81
is rotated in the vertical direction, then the elevator 82 is lowered, the substrate 3 is lowered to the Q position above the sputter etch electrode 83, a voltage is applied to the sputter etch electrode 83,
A sputter etch process is performed using the sputter etch electrode 83 to remove foreign matter adhering to the substrate 3 .
スパッタエッチ処理後、ェレベータ82が再び上昇され
、基板3がヒータ85に接近するP位置まで上昇され、
ヒータ85に点弧され、スパッタ処理に適する温度に昇
温され、その間コンペアベルト78,79:80,81
が水平方向に向って回転される。ヒータ85で基板3を
加熱処理後、ェレベータ82が再び下降され、基板3が
コンペアベルト78,79:80,81上に教壇され、
この時点でスパッタエッチ室54とスパッタ室55間の
ゲートバルブ86が開かれ、スパッタエッチ室54内の
コンペアベルト78,79:80,81とスパッタ室5
5内の第1のコンペアベルト87,88により基板3が
スパッタ室55のR位置に搬送され、ゲートバルブ86
が閉じられ、続いて第1の収納室53とスパッタエッチ
室54間のゲートバルブ77が開かれ、つぎの基板3の
導入に備えられる。基板3がスパッタ室55のR位置へ
搬送された時点で第1の立上げアーム89が水平状態の
S位置から垂直方向に向って回転され、該第1の立上げ
アーム89により基板3が第1のスパッタ電極9川こ正
対する垂直に起立され、第1のスパッタ電極901こ電
圧が印加され、第1のシャツ夕92が開かれ、基板3に
1回目のスパッタ処理が施され、第1のシャツ夕92が
閉じられ、1回目のスパッタ処理が終了する。After the sputter etching process, the elevator 82 is raised again to the P position where the substrate 3 approaches the heater 85.
The heater 85 is ignited and the temperature is raised to a temperature suitable for sputtering, while the compare belts 78, 79: 80, 81
is rotated horizontally. After heating the substrate 3 with the heater 85, the elevator 82 is lowered again, and the substrate 3 is placed on the compare belts 78, 79:80, 81.
At this point, the gate valve 86 between the sputter etch chamber 54 and the sputter chamber 55 is opened, and the compare belts 78, 79:80, 81 in the sputter etch chamber 54 and the sputter chamber 5
The substrate 3 is transported to the R position of the sputtering chamber 55 by the first compare belts 87 and 88 in the sputtering chamber 55, and the gate valve 86
is closed, and then the gate valve 77 between the first storage chamber 53 and the sputter etching chamber 54 is opened to prepare for the introduction of the next substrate 3. When the substrate 3 is transferred to the R position of the sputtering chamber 55, the first upright arm 89 is rotated from the horizontal S position in the vertical direction, and the first upright arm 89 moves the substrate 3 to the R position. The first sputter electrode 9 is stood vertically facing the first sputter electrode, a voltage is applied to the first sputter electrode 901, the first cover 92 is opened, and the first sputtering process is performed on the substrate 3. The shirt sleeve 92 is closed, and the first sputtering process is completed.
ついで第1の立上げアーム89が垂直状態から水平方向
に向って回転され、第1のコンペアベルト87,88上
のT位置で搬送アーム99に基板3が移教され、搬送ァ
−ム99は第2のコンペアベルト93,94の上方のU
位置に移動される。基板3がU位置に移動された時点で
第2の立上げアーム95が水平状態から垂直方向に向っ
て回転され、基板3が第2のスパッタ電極96に正対す
る垂直に起立され、第2のスパッタ電極96に電圧が印
加され、第2のシャツ夕95が開かれ、基板3に2回目
のスパッタ処理が施され、第2のシャツ夕95が閉じら
れ、2回目のスパッタ処理が完了する。スパッタ処理を
2回行なう理由は、必要な膜厚が大なる場合でもタクト
タイムを増加させずに運転するためである。2回目のス
パッタ処理中、搬送アーム99が第2のコンペアベルト
93,94から外れた位置に移動され、また2回目のス
パッタ処理終了後、第2の立上げアーム95が水平方向
に向って回転され、基板3が第2のコンペアベルト93
,94に戦暦これ、ついでスパッタ室55と冷却室56
間のゲートバルブ101が開かれ、スパッタ室55の第
2のコンペアベルト93,94と冷却室56のコンペア
ベルト103,104とにより基板3が冷却室56に搬
送された後スパッタ室55と冷却室56間のゲートバル
ブ101が閉じられ、続いてスパッタエッチ室54とス
パッタ室55間のゲートバルブ86が開かれる。Next, the first raising arm 89 is rotated from the vertical state toward the horizontal direction, and the substrate 3 is transferred to the transport arm 99 at the T position on the first compare belts 87 and 88, and the transport arm 99 is U above the second compare belts 93, 94
moved to position. When the substrate 3 is moved to the U position, the second raising arm 95 is rotated from the horizontal state to the vertical direction, and the substrate 3 is vertically raised directly facing the second sputtering electrode 96. A voltage is applied to the sputter electrode 96, the second cover 95 is opened, the second sputtering process is performed on the substrate 3, the second cover 95 is closed, and the second sputtering process is completed. The reason why the sputtering process is performed twice is to operate without increasing the takt time even when the required film thickness is large. During the second sputtering process, the transport arm 99 is moved to a position away from the second compare belts 93 and 94, and after the second sputtering process is completed, the second raising arm 95 is rotated horizontally. and the board 3 is connected to the second compare belt 93
, 94, war calendar, then sputtering chamber 55 and cooling chamber 56.
After the gate valve 101 between the sputtering chamber 55 and the cooling chamber 56 is opened, the substrate 3 is transported to the cooling chamber 56 by the second compare belts 93, 94 of the sputtering chamber 55 and the compare belts 103, 104 of the cooling chamber 56. The gate valve 101 between the sputter etch chamber 54 and the sputter chamber 55 is closed, and then the gate valve 86 between the sputter etch chamber 54 and the sputter chamber 55 is opened.
冷却室56に搬送された基板3はコンペアベルト103
,104上で放射冷却される。The substrate 3 transported to the cooling chamber 56 is transferred to the compare belt 103
, 104 are radiatively cooled.
基板3の冷却後、冷却室56と第2の収納室57間のゲ
ートバルブ106が開かれ、製品たる基板3は冷却室5
6内のコンペアベルト103,104と第2の収納室5
7内のコンペアベルト108,109とにより第2の収
納室57に搬送される。前述のスパッタエッチ室54、
スパッタ室55および冷却室56では基板3は1枚ずつ
処理される。第2の収納室57に搬送された基板3′は
コンペアベルト108,109によりカセットエレベー
ター10の設置位置まで搬送され、該カセットェレベー
タ110が1ピッチずつ上昇され、基板カセット111
の棚に基板3′が1枚ずつ収納され、基板3′が基板カ
セット111に収納される。After cooling the substrate 3, the gate valve 106 between the cooling chamber 56 and the second storage chamber 57 is opened, and the substrate 3 as a product is placed in the cooling chamber 5.
Compare belts 103, 104 in 6 and second storage chamber 5
The comparison belts 108 and 109 in the second storage chamber 57 are used to transport the second storage chamber 57 to the second storage chamber 57. the aforementioned sputter etch chamber 54;
In the sputtering chamber 55 and the cooling chamber 56, the substrates 3 are processed one by one. The substrate 3' conveyed to the second storage chamber 57 is conveyed to the installation position of the cassette elevator 10 by the compare belts 108, 109, and the cassette elevator 110 is raised one pitch at a time.
Boards 3' are stored one by one on the shelf, and the boards 3' are stored in a board cassette 111.
基板カセット111に基板3′が設定枚数収納された時
点で、冷却室56と第2の収納室57間のゲートバルブ
106が閉じられ、ガス導入手段により導入されるガス
流量と、排気ロー12に連なる真空ポンプの排気速度と
を調節して、第2の収納室57内の圧力が取出室58の
圧力と略同じ圧力に調整され、圧力調整後、第2の収納
室57と取出室58間のゲートバルブ113が開かれる
。前記ゲートバルブ】13が開かれた後、第2の収納室
57内のカセットェレベー夕110が1ピッチずつ下降
され、基板カセット111から基板3′が1枚ずつ送り
出され、第2の収納室57内のコンペアベルト106,
109と取出室58内のコンペアベルト115,116
とにより取出室58内のカセットエレベーター17の設
定位置に搬送され、カセットェレベータ117が1ピッ
チずつ上昇され、その基板カセット118の棚に1枚ず
つ基板3′が収納され、第2の収納室57内の基板カセ
ット111の基板3′が取出室58内の基板カセット1
18に全部積み込まれた時点で第2の収納室57と取出
室58間のゲートバルフ113が閉じられ、排気口19
9を図示していないバルブにより閉じ、大気リーク手段
から大気が導入され、取出室58は大気圧に調整され、
取出室58と第2の外部収納手段59間のゲートバルブ
120が開かれる。When the set number of substrates 3' are stored in the substrate cassette 111, the gate valve 106 between the cooling chamber 56 and the second storage chamber 57 is closed, and the gas flow rate introduced by the gas introduction means and the exhaust row 12 are controlled. The pressure in the second storage chamber 57 is adjusted to approximately the same pressure as the pressure in the extraction chamber 58 by adjusting the evacuation speed of the vacuum pumps connected to each other. gate valve 113 is opened. After the gate valve 13 is opened, the cassette elevator 110 in the second storage chamber 57 is lowered one pitch at a time, and the substrates 3' are fed out one by one from the substrate cassette 111, and the substrates 3' are fed out one by one into the second storage chamber 57. compare belt 106,
109 and compare belts 115 and 116 in the extraction chamber 58
The cassette elevator 117 is raised one pitch at a time, and the substrates 3' are stored one by one on the shelves of the substrate cassettes 118, and then transferred to the second storage chamber. The substrate 3' of the substrate cassette 111 in 57 is the substrate cassette 1 in the extraction chamber 58.
18, the gate valve 113 between the second storage chamber 57 and the extraction chamber 58 is closed, and the exhaust port 19 is closed.
9 is closed by a valve not shown, the atmosphere is introduced from the atmosphere leak means, and the extraction chamber 58 is adjusted to atmospheric pressure.
The gate valve 120 between the extraction chamber 58 and the second external storage means 59 is opened.
ついで取出室58内のコンペァベルト115,116と
カセットヱレベータ117との協働により基板カセット
118に集積された基板3′が1枚ずつ引き出され、第
2の外部収納手段59のコンペアベルト121,122
に転載され、カセットェレベータ123の位置に搬送さ
れ、該カセットェレベー夕123が1ピッチずつ上昇操
作され、基板3′は基板カセット124に一時積み込ま
れ、取出室58内の基板カセット118の基板3′が第
2の外部収納手段59の基板カセット124に収納した
時点で、前記ゲ‐‐トバルブ120が閉じられる。Next, the compare belts 115 and 116 in the take-out chamber 58 and the cassette elevator 117 work together to pull out the substrates 3' accumulated in the substrate cassette 118 one by one, and transfer them to the compare belt 121 of the second external storage means 59. ,122
The cassette elevator 123 is raised one pitch at a time, the substrate 3' is temporarily loaded into the substrate cassette 124, and the substrate 3' of the substrate cassette 118 in the unloading chamber 58 When the substrate is stored in the substrate cassette 124 of the second external storage means 59, the gate valve 120 is closed.
必要に応じて第2の外部収納手段59が起動され、その
カセットェレベータ123が1ピッチずつ下降操作され
、基板カセット124から基板3′が1枚ずつ引き出さ
れ、コンペアベルト121,122を通じて次工程に送
り出される。If necessary, the second external storage means 59 is activated, and the cassette elevator 123 is lowered one pitch at a time, and the substrates 3' are pulled out one by one from the substrate cassette 124, and transferred to the next process through the compare belts 121 and 122. sent to.
以上の動作を繰り返し行なうことにより、基板に連続的
にスパッタ処理を施すことができるものである。前記構
成において、冷却室56は放射冷却のみで不十分な場合
には、水冷ロッドを基板に直接接触させる等、伝導によ
る冷却手段を付加してもよい。By repeating the above operations, the sputtering process can be continuously performed on the substrate. In the above configuration, if radiation cooling alone is insufficient for the cooling chamber 56, conductive cooling means may be added, such as bringing a water cooling rod into direct contact with the substrate.
また図示実施例ではスパッタエッチ室54とスパッタ室
55と冷却室56とでスパッタ処理室を構成しているが
、用途によってはスパッタエッチ室54と冷却室56の
いずれか一方、または両方を省略してもよい。In the illustrated embodiment, the sputter processing chamber is composed of the sputter etch chamber 54, the sputter chamber 55, and the cooling chamber 56, but depending on the application, one or both of the sputter etch chamber 54 and the cooling chamber 56 may be omitted. It's okay.
さらに図示実施例では一対のコンペアベルトで基板を略
水平姿勢で搬送しうる搬送手段が構成され、カセットェ
レベータと基板カセットとで基板収納手段が構成され、
ゲートバルブにより基板の通過時にのみ開動作する開口
手段が構成されているが、これ等はいずれも図示実施例
の構成のものに限らない。Further, in the illustrated embodiment, a pair of compare belts constitutes a conveyance means capable of conveying the substrate in a substantially horizontal position, and a cassette elevator and a substrate cassette constitute a substrate storage means.
Although the gate valve constitutes an opening means that opens only when the substrate passes, these are not limited to the configuration of the illustrated embodiment.
またスパッタエッチ電極、ヒータ、スパッタ電極とシャ
ツ夕、冷却手段で真空処理手段が構成されており、排気
口と真空ポンプとで真空排気手段が構成されている。Further, the sputter etching electrode, the heater, the sputter electrode, the vacuum cleaner, and the cooling means constitute the vacuum processing means, and the exhaust port and the vacuum pump constitute the evacuation means.
本発明は以上詳述した構成、作用のものであっ3て、本
発明によれば各室がそれぞれ独立して当該処理を適確に
行ないうる結果、基板に安定した処理を生産性よく、か
つ連続的に形成でき、各室が水平面からみてコ字形状に
配置させたので複数の室の真空排気手段を共通化でき、
更に取入室及び取出室が一個所に設置されている故処理
済み基板が挿入されたカセットを未処理基板が挿入され
たカセットの近い場所で受取ることができ装置のレイア
ウト、作業性の点で大きな効果を有し、装置全体として
もコンパクトにすることができる作用効果も奏する。The present invention has the structure and operation described in detail above.3 According to the present invention, each chamber can perform the processing independently and appropriately, and as a result, stable processing can be performed on the substrate with high productivity and It can be formed continuously, and since each chamber is arranged in a U-shape when viewed from the horizontal plane, the evacuation means for multiple chambers can be shared.
Furthermore, since the intake chamber and unloading chamber are installed in one place, cassettes containing processed substrates can be received near cassettes containing unprocessed substrates, which greatly improves equipment layout and workability. It has the advantage that the device as a whole can be made more compact.
第1図は従来装置の縦断面図、第2図は同従来装置に送
給される基板とその治具との組み合せを示す斜視図であ
る。
第3図は本発明装置の−実施例の横断平面図、第4図お
よび第5図は第3図中の皿一皿線およびV−V線断面図
である。3…基板、3′…製品たる基板、50・・・第
1の外部収納手段、51・・・密閉箱体、52・・・取
入室、53・・・第1の収納室、54・・・スパッタエ
ッチ室、55・・・スパッタ室、56…冷却室、57・
・・第2の収納室、58・・・取出室、59・・・第2
の外部収納手段、60,61;65,66:72,73
;78,79:80,81:87,88:93,94;
103,104:108,109:115,116;1
21,122・・・搬送手段を構成するコンペアベルト
、62,67,74,110,117,123・・・基
板収納手段を構成するカセットェレべ−夕、63,68
,75,111,118,124・・・同基板カセット
、64,71,77,86,101,106,113,
120・・・閉口手段たるゲートバルブ、69,76,
84,100,105,112,119・・・真空手段
を構成する排気口、70・・・同真空ポンプ、82・・
・スパッタエッチ室内のェレベータ、83・・・真空処
理手段を構成するスパッタエッチ電極、85…同ヒータ
、89,95・・・基板の立上げ手段たる第1,第2の
立上げアーム、90,96・・・真空処理手段を構成す
る第1,第2のスパッタ電極、91・・・同防着シール
ド、92,93…同第1,第2のシャツ夕、99・・・
スパッタ室内の基板の搬送アーム。
オ’図才と図
図
(
ボ
オ4図
矛S図FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a conventional device, and FIG. 2 is a perspective view showing a combination of a substrate and its jig to be fed to the conventional device. FIG. 3 is a cross-sectional plan view of an embodiment of the apparatus of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views taken along the plate line and V-V line in FIG. 3. 3... Substrate, 3'... Substrate serving as a product, 50... First external storage means, 51... Sealed box body, 52... Intake chamber, 53... First storage chamber, 54...・Sputter etch chamber, 55... Sputter chamber, 56... Cooling chamber, 57.
...Second storage chamber, 58...Removal chamber, 59...Second
external storage means, 60, 61; 65, 66: 72, 73
;78,79:80,81:87,88:93,94;
103,104:108,109:115,116;1
21, 122... Compare belt constituting the conveyance means, 62, 67, 74, 110, 117, 123... Cassette tray constituting the substrate storage means, 63, 68
, 75, 111, 118, 124...Same board cassette, 64, 71, 77, 86, 101, 106, 113,
120...Gate valve as closing means, 69, 76,
84, 100, 105, 112, 119...Exhaust port constituting the vacuum means, 70...The same vacuum pump, 82...
- Elevator in the sputter etching chamber, 83... Sputter etching electrode constituting the vacuum processing means, 85... The same heater, 89, 95... First and second raising arms serving as means for raising the substrate, 90, 96... First and second sputtering electrodes constituting the vacuum processing means, 91... Adhesion prevention shield, 92, 93... First and second shirt cover, 99...
Transfer arm for substrates in the sputtering chamber. O' Zuzai to Zuzu (Boo 4 Zuzu Shozu
Claims (1)
の収納室、少くとも1個の真空処理室、第2の収納室、
および取出室を水平的にコ字形状に、且つ取入室と取出
室、第1の収納室と第2の収納室を隣接させて配置し、
前記各室間には基板単体で通過させるための開閉手段を
設け、更に隣接する室間の開閉手段を通つて基板単体で
もつて略水平姿勢で搬送するベルト搬送手段を前記各室
内に設置し、真空排気手段を複数の室について共通化さ
せて各室と接続し、多数の基板を一括収納するカセツト
と、該カセツトに収納されたまたは収納する基板を単体
でもつて順次前記ベルト搬送手段に搭載または前記ベル
ト搬送手段から取込むカセツトエレベータとを前記取入
室、第1の収納室、第2の収納室、および取出室に設置
し、前記真処理室内には少くとも1個の真空処理手段が
設けられ第1の収納室のカセツトからベルト搬送手段に
よつて単体で順次水平搬送されてくる基板に前記真空処
理手段によつて真空処理し、その後ベルト搬送手段によ
つて搬送して第2の収納室のカセツトに収納することを
特徴とする連続真空処理装置。1 Along the direction of substrate transfer, the substrate intake chamber, the first
a storage chamber, at least one vacuum processing chamber, a second storage chamber,
and the take-out chamber is arranged horizontally in a U-shape, and the take-in chamber and the take-out chamber, the first storage chamber and the second storage chamber are arranged adjacent to each other,
An opening/closing means for allowing a single substrate to pass through is provided between each of the chambers, and a belt conveying means for conveying a single substrate in a substantially horizontal position through the opening/closing means between adjacent chambers is installed in each of the chambers, A cassette for storing a large number of substrates at once by commonizing a vacuum evacuation means for a plurality of chambers and connecting them to each chamber, and a single substrate contained in or to be stored in the cassette are sequentially loaded onto the belt conveying means. A cassette elevator for taking in the cassettes from the belt conveying means is installed in the taking-in chamber, a first storage chamber, a second storage chamber, and a take-out chamber, and at least one vacuum processing means is provided in the real processing chamber. The substrates are sequentially transported horizontally from the cassette in the first storage chamber by the belt transport means, and are vacuum-treated by the vacuum processing means, and then transported by the belt transport means to the second storage chamber. A continuous vacuum processing device characterized by being housed in a cassette in a chamber.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11706980A JPS609102B2 (en) | 1980-08-27 | 1980-08-27 | Continuous vacuum processing equipment |
US06/296,314 US4405435A (en) | 1980-08-27 | 1981-08-26 | Apparatus for performing continuous treatment in vacuum |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11706980A JPS609102B2 (en) | 1980-08-27 | 1980-08-27 | Continuous vacuum processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5741369A JPS5741369A (en) | 1982-03-08 |
JPS609102B2 true JPS609102B2 (en) | 1985-03-07 |
Family
ID=14702644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11706980A Expired JPS609102B2 (en) | 1980-08-27 | 1980-08-27 | Continuous vacuum processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS609102B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59208074A (en) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | Sheet type film forming device |
JPS61149476A (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | Sputtering device |
JPS6280265A (en) * | 1985-10-04 | 1987-04-13 | Toshiba Corp | Vacuum treatment device |
JPH0730683Y2 (en) * | 1989-09-28 | 1995-07-12 | 株式会社島津製作所 | Film forming equipment |
KR100667886B1 (en) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | 주식회사 에스에프에이 | In-line sputtering system |
CN112391608A (en) * | 2020-11-13 | 2021-02-23 | 宁波沁圆科技有限公司 | CVD processing system and processing method |
-
1980
- 1980-08-27 JP JP11706980A patent/JPS609102B2/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5741369A (en) | 1982-03-08 |
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