JPH07314679A - インクジェットヘッド - Google Patents
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- JPH07314679A JPH07314679A JP6106570A JP10657094A JPH07314679A JP H07314679 A JPH07314679 A JP H07314679A JP 6106570 A JP6106570 A JP 6106570A JP 10657094 A JP10657094 A JP 10657094A JP H07314679 A JPH07314679 A JP H07314679A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 通電加熱用電極材料であるＴｉの改良をおこ
なうことにより、酸化や溶解の生じにくい、印字寿命の
長い通電加熱型インクジェットヘッドを実現する。 【構成】 結晶粒径が０．１〜１．０μｍ、表面粗さが
０．００５〜０．１μｍの多結晶Ｔｉ薄膜や、（００
２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板に対して
面内方向に優先配向しているＴｉ薄膜や、弁金属、導電
性酸化物または白金族金属を０．０５〜０．５μｍの厚
さで上記のＴｉ薄膜上に被覆した積層薄膜を通電加熱用
電極１ａ，１ｂの構成材料として使用する。
なうことにより、酸化や溶解の生じにくい、印字寿命の
長い通電加熱型インクジェットヘッドを実現する。 【構成】 結晶粒径が０．１〜１．０μｍ、表面粗さが
０．００５〜０．１μｍの多結晶Ｔｉ薄膜や、（００
２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板に対して
面内方向に優先配向しているＴｉ薄膜や、弁金属、導電
性酸化物または白金族金属を０．０５〜０．５μｍの厚
さで上記のＴｉ薄膜上に被覆した積層薄膜を通電加熱用
電極１ａ，１ｂの構成材料として使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の出力
機器であるプリンタ等に用いられるインクジェットヘッ
ドに関するものである。
機器であるプリンタ等に用いられるインクジェットヘッ
ドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ノンインパクト記録方法は、記録時にお
ける騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいという
点において、最近関心を集めている。その中で、高速記
録が可能であり、しかも特別な定着処理を必要とせず記
録を行えるインクジェット記録法が極めて有力な記録法
であり、現在もなお実用化への努力が続けられている。
ける騒音の発生が無視し得る程度に極めて小さいという
点において、最近関心を集めている。その中で、高速記
録が可能であり、しかも特別な定着処理を必要とせず記
録を行えるインクジェット記録法が極めて有力な記録法
であり、現在もなお実用化への努力が続けられている。
【０００３】インクジェットヘッドのインク吐出原理は
ピエゾ素子や静電方式等、数多くがあるが、ここでは通
電加熱型インクジェットヘッド（以下、通電加熱型イン
クジェットヘッドを単にインクジェットヘッドという）
について説明を行う。インクジェットヘッドは１対の通
電加熱用電極に導電性インクを介して電流を流し、ジュ
ール熱により導電性インクを加熱沸騰させ、沸騰気泡の
圧力により導電性インクをノズル孔から印刷用紙等の記
録媒体に一定量のインクを付着させるものである。
ピエゾ素子や静電方式等、数多くがあるが、ここでは通
電加熱型インクジェットヘッド（以下、通電加熱型イン
クジェットヘッドを単にインクジェットヘッドという）
について説明を行う。インクジェットヘッドは１対の通
電加熱用電極に導電性インクを介して電流を流し、ジュ
ール熱により導電性インクを加熱沸騰させ、沸騰気泡の
圧力により導電性インクをノズル孔から印刷用紙等の記
録媒体に一定量のインクを付着させるものである。
【０００４】ここで図１７〜図２３と共に従来のインク
ジェットヘッドの構成、動作の説明を行う。
ジェットヘッドの構成、動作の説明を行う。
【０００５】図１７は、従来のインクジェットヘッドの
主要部断面図である。１１はノズル孔５及びインク流路
４を構成するノズル流路基板である。また、１３はイン
クを介して電流を流すための１対の通電加熱用電極１
ａ，１ｂ及びプリンタ印字制御回路３と通電加熱用電極
１ａ，１ｂを接続するためのリード線から構成される電
極配線基板である。ノズル流路基板１１と電極配線基板
１３を接合することにより、インクジェットヘッドの主
要部が構成される。インク抵抗が１０〜１００Ωｃｍの
導電性インク２は共通インク室（図示せず）から幅、高
さ共に３０〜８０μｍのインク流路４を通り、ノズル孔
５の先端まで供給されている。印刷用紙６は導電性イン
ク２が吐出するノズル孔５の前方１ｍｍ程度の位置に配
置されている。
主要部断面図である。１１はノズル孔５及びインク流路
４を構成するノズル流路基板である。また、１３はイン
クを介して電流を流すための１対の通電加熱用電極１
ａ，１ｂ及びプリンタ印字制御回路３と通電加熱用電極
１ａ，１ｂを接続するためのリード線から構成される電
極配線基板である。ノズル流路基板１１と電極配線基板
１３を接合することにより、インクジェットヘッドの主
要部が構成される。インク抵抗が１０〜１００Ωｃｍの
導電性インク２は共通インク室（図示せず）から幅、高
さ共に３０〜８０μｍのインク流路４を通り、ノズル孔
５の先端まで供給されている。印刷用紙６は導電性イン
ク２が吐出するノズル孔５の前方１ｍｍ程度の位置に配
置されている。
【０００６】次に、従来のインクジェットヘッドの通電
加熱用電極の説明を行う。通電加熱用電極１ａ，１ｂは
一般には適当な酸素過電圧を持ち耐腐食性に優れる材料
であるＡｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ等が使用されてい
る。しかし、インクジェットヘッド動作時には１ｋＡ／
ｃｍ2以上の大電流密度が通電加熱用電極１ａ，１ｂに
かかるため、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉを通電加熱
用電極材料として使用した場合、電気化学反応が容易に
起こり酸化や溶解が発生していた。その中でもＴｉは通
電加熱用電極材料として安定であり、最も好適に使用さ
れている。
加熱用電極の説明を行う。通電加熱用電極１ａ，１ｂは
一般には適当な酸素過電圧を持ち耐腐食性に優れる材料
であるＡｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ等が使用されてい
る。しかし、インクジェットヘッド動作時には１ｋＡ／
ｃｍ2以上の大電流密度が通電加熱用電極１ａ，１ｂに
かかるため、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉを通電加熱
用電極材料として使用した場合、電気化学反応が容易に
起こり酸化や溶解が発生していた。その中でもＴｉは通
電加熱用電極材料として安定であり、最も好適に使用さ
れている。
【０００７】図１８（ａ）（ｂ）は、従来使用されてい
る通電加熱用電極であるＴｉの断面模式図である。図１
８（ａ）は線材のＴｉを使用している場合の断面模式図
である。線材のＴｉは２μｍ以上の大きさの結晶粒径を
もつ多結晶であり、非常に緻密な構造を有する。また、
表面は鏡面を有している。図１８（ｂ）は真空蒸着によ
り形成されたＴｉの断面模式図である。この場合も、非
常に緻密な構造を有し、表面は鏡面を有している。ま
た、０．１μｍ以下の針状の結晶粒径をもつ多結晶であ
るという特徴を有している。
る通電加熱用電極であるＴｉの断面模式図である。図１
８（ａ）は線材のＴｉを使用している場合の断面模式図
である。線材のＴｉは２μｍ以上の大きさの結晶粒径を
もつ多結晶であり、非常に緻密な構造を有する。また、
表面は鏡面を有している。図１８（ｂ）は真空蒸着によ
り形成されたＴｉの断面模式図である。この場合も、非
常に緻密な構造を有し、表面は鏡面を有している。ま
た、０．１μｍ以下の針状の結晶粒径をもつ多結晶であ
るという特徴を有している。
【０００８】図１９〜図２３を基に従来のインクジェッ
トヘッドの動作の説明を行う。印字信号に従って、プリ
ンタ印字制御回路３はインク流路４中の通電加熱用電極
１ａ，１ｂ間に周波数１００ｋ〜１０ＭＨｚ・電圧１０
〜５０Ｖの交流信号をかけ、インク中に電流を流す。す
なわち図１９の如く、通電加熱用電極１ａから導電性イ
ンク２を介して通電加熱用電極１ｂ間に交流電圧を印加
することにより、導電性インク２に電流を流す。
トヘッドの動作の説明を行う。印字信号に従って、プリ
ンタ印字制御回路３はインク流路４中の通電加熱用電極
１ａ，１ｂ間に周波数１００ｋ〜１０ＭＨｚ・電圧１０
〜５０Ｖの交流信号をかけ、インク中に電流を流す。す
なわち図１９の如く、通電加熱用電極１ａから導電性イ
ンク２を介して通電加熱用電極１ｂ間に交流電圧を印加
することにより、導電性インク２に電流を流す。
【０００９】この時、電流値は１０ｍＡ程度流れる。こ
れを２ＭＨｚの交流駆動で行った場合、１周期５００ナ
ノ秒で行われることになる。これを５〜１０μ秒の間連
続的に行うことにより導電性インク２はインク自身の持
つ抵抗ＲによってＷ＝Ｉ2・Ｒ×ｔなるジュール熱を発
生し、導電性インク２の温度が１５０〜２００℃程度に
上昇してくる。そして、図２０の如く、導電性インク２
は加熱沸騰し気泡７が生成される。更に図２１の如く、
気泡７は成長し沸騰圧力によりノズル孔５からインク滴
８が印刷用紙方向に吐出することになる。
れを２ＭＨｚの交流駆動で行った場合、１周期５００ナ
ノ秒で行われることになる。これを５〜１０μ秒の間連
続的に行うことにより導電性インク２はインク自身の持
つ抵抗ＲによってＷ＝Ｉ2・Ｒ×ｔなるジュール熱を発
生し、導電性インク２の温度が１５０〜２００℃程度に
上昇してくる。そして、図２０の如く、導電性インク２
は加熱沸騰し気泡７が生成される。更に図２１の如く、
気泡７は成長し沸騰圧力によりノズル孔５からインク滴
８が印刷用紙方向に吐出することになる。
【００１０】インク滴８が吐出し、交流信号電圧の印加
を停止すると同時に、図２２の如く気泡７は急激に冷却
し縮小し消滅する。最後に、導電性インク２が共通イン
ク室より毛管現象によりインク流路４に供給され、図２
３の如く導電性インク２は充填されインク吐出動作は完
了することになる。また、それと同時にインク滴８は、
印刷用紙６に付着浸透し印字されることになる。
を停止すると同時に、図２２の如く気泡７は急激に冷却
し縮小し消滅する。最後に、導電性インク２が共通イン
ク室より毛管現象によりインク流路４に供給され、図２
３の如く導電性インク２は充填されインク吐出動作は完
了することになる。また、それと同時にインク滴８は、
印刷用紙６に付着浸透し印字されることになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成動作では、通電加熱用電極１ａ，１ｂが導電性
インク２と電流を媒介とし電気化学反応が起こり、更に
導電性インク２がジュール熱を発生し電極近傍のインク
温度が上昇するため電気化学反応は促進され、酸化や溶
解が発生することがあった。通電加熱用電極１ａ，１ｂ
が酸化した場合、酸化物が大きな抵抗となり電流が導電
性インク中に流れなくなり、沸騰気泡が生成できずイン
ク滴が吐出しないことがあった。また、溶解した場合、
通電加熱用電極１ａ，１ｂ自体が消滅してしまうため、
インクジェットヘッドとしての機能が行われなくなるこ
とがあった。従来好適に使用されていたＴｉを通電加熱
用電極材料として使用したインクジェットヘッドにおい
ても酸化や溶解が発生し、インクジェットヘッドとして
印字寿命が短く、実用に適さないという課題を有してい
た。
来の構成動作では、通電加熱用電極１ａ，１ｂが導電性
インク２と電流を媒介とし電気化学反応が起こり、更に
導電性インク２がジュール熱を発生し電極近傍のインク
温度が上昇するため電気化学反応は促進され、酸化や溶
解が発生することがあった。通電加熱用電極１ａ，１ｂ
が酸化した場合、酸化物が大きな抵抗となり電流が導電
性インク中に流れなくなり、沸騰気泡が生成できずイン
ク滴が吐出しないことがあった。また、溶解した場合、
通電加熱用電極１ａ，１ｂ自体が消滅してしまうため、
インクジェットヘッドとしての機能が行われなくなるこ
とがあった。従来好適に使用されていたＴｉを通電加熱
用電極材料として使用したインクジェットヘッドにおい
ても酸化や溶解が発生し、インクジェットヘッドとして
印字寿命が短く、実用に適さないという課題を有してい
た。
【００１２】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、インクジェットヘッドの通電加熱用電極材料である
Ｔｉの改良をおこなうことにより、通電加熱用電極の電
気化学反応を抑制でき、酸化や溶解の生じにくい、印字
寿命の長い実用性に優れるインクジェットヘッドを提供
することを目的とする。
で、インクジェットヘッドの通電加熱用電極材料である
Ｔｉの改良をおこなうことにより、通電加熱用電極の電
気化学反応を抑制でき、酸化や溶解の生じにくい、印字
寿命の長い実用性に優れるインクジェットヘッドを提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この課題を達成するため
に、本発明のインクジェットヘッドは通電加熱用電極の
電極材料として多結晶Ｔｉ薄膜を使用し、結晶粒径が
０．１〜１．０μｍの範囲で表面粗さが０．００５〜
０．１μｍであるものを使用する。
に、本発明のインクジェットヘッドは通電加熱用電極の
電極材料として多結晶Ｔｉ薄膜を使用し、結晶粒径が
０．１〜１．０μｍの範囲で表面粗さが０．００５〜
０．１μｍであるものを使用する。
【００１４】他の手段として、Ｔｉの結晶面である（０
０２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板に対し
て面内方向に優先配向しているＴｉ薄膜を通電加熱用電
極の電極材料として使用する。
０２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板に対し
て面内方向に優先配向しているＴｉ薄膜を通電加熱用電
極の電極材料として使用する。
【００１５】更に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｍ
ｏ、Ｗ等の弁金属またはＣｕＯ、ＳｎＯ2、ＲｕＯ2、Ｐ
ｂＯ2等の導電性酸化物やＰｔ、Ａｕ、Ｐｄ等の白金族
金属を上記の多結晶Ｔｉ薄膜及びＴｉ薄膜上に０．０５
〜０．５μｍの厚さで被覆した積層薄膜を通電加熱用電
極の電極材料として使用する。
ｏ、Ｗ等の弁金属またはＣｕＯ、ＳｎＯ2、ＲｕＯ2、Ｐ
ｂＯ2等の導電性酸化物やＰｔ、Ａｕ、Ｐｄ等の白金族
金属を上記の多結晶Ｔｉ薄膜及びＴｉ薄膜上に０．０５
〜０．５μｍの厚さで被覆した積層薄膜を通電加熱用電
極の電極材料として使用する。
【００１６】
【作用】この構成によって本発明のインクジェットヘッ
ドの通電加熱用電極である多結晶Ｔｉ薄膜は従来以上に
表面粗さが大きくなるので、見かけの表面積以上に実表
面積を増加することができる。更に、０．１〜１．０μ
ｍの範囲の結晶粒径の場合、粒界間に隙間の大きい構造
となり多結晶Ｔｉ薄膜表面のみならず薄膜内部にまでイ
ンクが浸透するため、電流を流すことのできる実表面積
を更に増加することができる。その結果、通電加熱用電
極にかかる電流密度が減少し電気化学反応を抑制でき
る。また、インク電極界面に生じる電気二重層の静電容
量が大きくなりインク電極界面のインピーダンスを小さ
くできるため、ヘッド駆動部の全インピーダンスを低下
できる。従って、電流値を一定にしてインクジェットヘ
ッドを使用した場合、印加電圧を低下できる。電圧を低
下した場合、化学反応速度は低下するため、通電加熱用
電極の電気化学反応を一層抑制できる。
ドの通電加熱用電極である多結晶Ｔｉ薄膜は従来以上に
表面粗さが大きくなるので、見かけの表面積以上に実表
面積を増加することができる。更に、０．１〜１．０μ
ｍの範囲の結晶粒径の場合、粒界間に隙間の大きい構造
となり多結晶Ｔｉ薄膜表面のみならず薄膜内部にまでイ
ンクが浸透するため、電流を流すことのできる実表面積
を更に増加することができる。その結果、通電加熱用電
極にかかる電流密度が減少し電気化学反応を抑制でき
る。また、インク電極界面に生じる電気二重層の静電容
量が大きくなりインク電極界面のインピーダンスを小さ
くできるため、ヘッド駆動部の全インピーダンスを低下
できる。従って、電流値を一定にしてインクジェットヘ
ッドを使用した場合、印加電圧を低下できる。電圧を低
下した場合、化学反応速度は低下するため、通電加熱用
電極の電気化学反応を一層抑制できる。
【００１７】また、他の手段として、Ｔｉの結晶面であ
る（００２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板
に対して面内方向に優先配向したＴｉ薄膜を通電加熱用
電極として使用した場合、Ｔｉの電気化学的に不活性な
結晶面である（００２）面またはｙ（０１１）面がイン
クと接触するため、通電加熱用電極の酸化や溶解が抑制
できる。
る（００２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板
に対して面内方向に優先配向したＴｉ薄膜を通電加熱用
電極として使用した場合、Ｔｉの電気化学的に不活性な
結晶面である（００２）面またはｙ（０１１）面がイン
クと接触するため、通電加熱用電極の酸化や溶解が抑制
できる。
【００１８】更に、Ｔｉ薄膜を電極基体としＴａ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ等の弁金属またはＣｕ
Ｏ、ＳｎＯ2、ＲｕＯ2、ＰｂＯ2等の導電性酸化物やＰ
ｔ、Ａｕ、Ｐｄ等の白金族金属をＴｉ薄膜上に被覆した
積層薄膜を通電加熱用電極として使用した場合、Ｔｉ薄
膜上の被覆膜が保護膜として作用することにより、保護
膜が優先的に酸化や溶解がおこなわれるため、Ｔｉ薄膜
自体の酸化や溶解を抑制できる。
ｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ等の弁金属またはＣｕ
Ｏ、ＳｎＯ2、ＲｕＯ2、ＰｂＯ2等の導電性酸化物やＰ
ｔ、Ａｕ、Ｐｄ等の白金族金属をＴｉ薄膜上に被覆した
積層薄膜を通電加熱用電極として使用した場合、Ｔｉ薄
膜上の被覆膜が保護膜として作用することにより、保護
膜が優先的に酸化や溶解がおこなわれるため、Ｔｉ薄膜
自体の酸化や溶解を抑制できる。
【００１９】以上により、本発明のインクジェットヘッ
ドは通電加熱用電極の酸化や溶解を抑制することができ
るため、印字寿命の長い実用性に優れたインクジェット
ヘッドを実現することができる。
ドは通電加熱用電極の酸化や溶解を抑制することができ
るため、印字寿命の長い実用性に優れたインクジェット
ヘッドを実現することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明をおこな
う。実施例の構成と動作は従来例と同様であるため、こ
こでは省略する。また、従来例と同一機能を示すものは
同一符号を付している。 （実施例１）図１〜図９を用いてインクジェットヘッド
の製造方法を説明する。図１〜図３はインク流路および
ノズル孔を構成するノズル流路基板の作製工程図であ
る。ノズル流路基板１１の材料としては感光性ガラス１
０を使用している（図１）。感光性ガラス１０のインク
流路およびノズル孔となるべき溝部に紫外線を照射し、
４００℃１時間空気中で熱処理をおこなう。これによ
り、図２に示す様に紫外線照射部が結晶化される。結晶
化部９は非結晶化部１６に比較し１００倍以上エッチン
グ速度が速いため、エッチング処理を行うことにより結
晶化部９が溝状にエッチングされ、ノズル流路基板１１
が形成される（図３）。なお、エッチング液は５％沸化
水素水を使用する。
う。実施例の構成と動作は従来例と同様であるため、こ
こでは省略する。また、従来例と同一機能を示すものは
同一符号を付している。 （実施例１）図１〜図９を用いてインクジェットヘッド
の製造方法を説明する。図１〜図３はインク流路および
ノズル孔を構成するノズル流路基板の作製工程図であ
る。ノズル流路基板１１の材料としては感光性ガラス１
０を使用している（図１）。感光性ガラス１０のインク
流路およびノズル孔となるべき溝部に紫外線を照射し、
４００℃１時間空気中で熱処理をおこなう。これによ
り、図２に示す様に紫外線照射部が結晶化される。結晶
化部９は非結晶化部１６に比較し１００倍以上エッチン
グ速度が速いため、エッチング処理を行うことにより結
晶化部９が溝状にエッチングされ、ノズル流路基板１１
が形成される（図３）。なお、エッチング液は５％沸化
水素水を使用する。
【００２１】図４〜図７は電極配線基板１３の作製工程
図である。電極配線基板１３の構成は、電極配線基板材
料１２と通電加熱用電極１ａ，１ｂと電気回路を形成す
るリード線１４の機能を有する金属膜と、リード線１４
を導電性インクや他のリード線と絶縁するためにコーテ
ィングされる絶縁膜１５よりなる。電極配線基板材料１
２には一般に表面酸化を施した単結晶シリコンやガラス
基板等の鏡面を有する基板が使用される（図４）。この
電極配線基板材料１２上にＤＣスパッタリング法により
Ｔｉ薄膜を０．１〜５．０μｍの厚さの範囲で形成す
る。次に、フォトリソグラフィー法により通電加熱用電
極パターンを形成し、エッチングにより電極パターン以
外を不要な部分を取り除く。これにより、電極形状にパ
ターニングされた通電加熱用電極１ａ，１ｂが形成され
ることになる（図５）。なお、電極寸法は縦幅２０μｍ
横幅４０μｍであり、通電加熱用電極１ａ，１ｂは電極
間距離は５μｍの間隔で配置されている。次にリード線
１４となるＡｕをメッキ法により１μｍの厚さで形成す
る（図６）。最後に感光性樹脂からなる絶縁膜１５を３
μｍの厚さで形成し、フォトリソグラフィー法により通
電加熱用電極１ａ，１ｂ上の絶縁膜１５を除去すること
により、電極配線基板１３が形成されることになる（図
７）。なお、感光性樹脂としては、耐インク性及び絶縁
性に優れた材料であるポリイミド樹脂を用いる。
図である。電極配線基板１３の構成は、電極配線基板材
料１２と通電加熱用電極１ａ，１ｂと電気回路を形成す
るリード線１４の機能を有する金属膜と、リード線１４
を導電性インクや他のリード線と絶縁するためにコーテ
ィングされる絶縁膜１５よりなる。電極配線基板材料１
２には一般に表面酸化を施した単結晶シリコンやガラス
基板等の鏡面を有する基板が使用される（図４）。この
電極配線基板材料１２上にＤＣスパッタリング法により
Ｔｉ薄膜を０．１〜５．０μｍの厚さの範囲で形成す
る。次に、フォトリソグラフィー法により通電加熱用電
極パターンを形成し、エッチングにより電極パターン以
外を不要な部分を取り除く。これにより、電極形状にパ
ターニングされた通電加熱用電極１ａ，１ｂが形成され
ることになる（図５）。なお、電極寸法は縦幅２０μｍ
横幅４０μｍであり、通電加熱用電極１ａ，１ｂは電極
間距離は５μｍの間隔で配置されている。次にリード線
１４となるＡｕをメッキ法により１μｍの厚さで形成す
る（図６）。最後に感光性樹脂からなる絶縁膜１５を３
μｍの厚さで形成し、フォトリソグラフィー法により通
電加熱用電極１ａ，１ｂ上の絶縁膜１５を除去すること
により、電極配線基板１３が形成されることになる（図
７）。なお、感光性樹脂としては、耐インク性及び絶縁
性に優れた材料であるポリイミド樹脂を用いる。
【００２２】最後に、図８に示す様にノズル流路基板１
１と電極配線基板１３を突合せ、その後に図９に示す様
にノズル流路基板１１と電極配線基板１３の両基板は接
着剤等により一体化された後、インクタンク（図示せ
ず）に接合され導電性インクがノズル孔５の先端まで供
給されることになる。
１と電極配線基板１３を突合せ、その後に図９に示す様
にノズル流路基板１１と電極配線基板１３の両基板は接
着剤等により一体化された後、インクタンク（図示せ
ず）に接合され導電性インクがノズル孔５の先端まで供
給されることになる。
【００２３】ここで、図１０と共に本実施例の通電加熱
用電極の構成の説明をおこなう。図１０は、本実施例に
おける通電加熱用電極の多結晶Ｔｉ薄膜の断面図であ
り、結晶粒径は０．１〜１．０μｍの範囲で、表面粗さ
が０．００５〜０．１μｍの範囲である。更に、図１６
とともに、多結晶Ｔｉ薄膜の結晶粒径の説明をおこな
う。図１６は多結晶Ｔｉ薄膜表面の電子顕微鏡による拡
大図であり、Ｔｉ粒子１７が散在していることを示して
おり、個々のＴｉ粒子１７が集まって多結晶Ｔｉ薄膜１
８を形成している。図１６において、各結晶粒の最大長
さを個々のＴｉ粒子１７の結晶粒径とした。また、個々
のＴｉ粒子１７の結晶粒径は異なるので、５μｍ×５μ
ｍの面積で個々のＴｉ粒子１７の結晶粒径を測定し、そ
の平均値を多結晶Ｔｉ薄膜１８の結晶粒径とした。な
お、本実施例においては日立製作所製の商品名Ｓ−４１
００なる走査型電子顕微鏡を使用した。
用電極の構成の説明をおこなう。図１０は、本実施例に
おける通電加熱用電極の多結晶Ｔｉ薄膜の断面図であ
り、結晶粒径は０．１〜１．０μｍの範囲で、表面粗さ
が０．００５〜０．１μｍの範囲である。更に、図１６
とともに、多結晶Ｔｉ薄膜の結晶粒径の説明をおこな
う。図１６は多結晶Ｔｉ薄膜表面の電子顕微鏡による拡
大図であり、Ｔｉ粒子１７が散在していることを示して
おり、個々のＴｉ粒子１７が集まって多結晶Ｔｉ薄膜１
８を形成している。図１６において、各結晶粒の最大長
さを個々のＴｉ粒子１７の結晶粒径とした。また、個々
のＴｉ粒子１７の結晶粒径は異なるので、５μｍ×５μ
ｍの面積で個々のＴｉ粒子１７の結晶粒径を測定し、そ
の平均値を多結晶Ｔｉ薄膜１８の結晶粒径とした。な
お、本実施例においては日立製作所製の商品名Ｓ−４１
００なる走査型電子顕微鏡を使用した。
【００２４】また、ここで表面粗さとは中心線平均粗さ
を言う。表面粗さは触針粗さ計で測定した場合、触針の
大きさで表面粗さは変化するため厳密な表面粗さを測定
できない。従って、非接触で分解能の高い走査型トンネ
ル顕微鏡や走査型原子間力顕微鏡等で測定される値を言
う。なお、本実施例ではデジタルインスツルメンツ社製
の商品名ナノスコープ７なる走査型原子間力顕微鏡で５
μｍ×５μｍの面積で多結晶Ｔｉ薄膜の表面粗さの測定
をおこなった。また、走査型なので測定範囲の実表面積
も同時に測定できる。
を言う。表面粗さは触針粗さ計で測定した場合、触針の
大きさで表面粗さは変化するため厳密な表面粗さを測定
できない。従って、非接触で分解能の高い走査型トンネ
ル顕微鏡や走査型原子間力顕微鏡等で測定される値を言
う。なお、本実施例ではデジタルインスツルメンツ社製
の商品名ナノスコープ７なる走査型原子間力顕微鏡で５
μｍ×５μｍの面積で多結晶Ｔｉ薄膜の表面粗さの測定
をおこなった。また、走査型なので測定範囲の実表面積
も同時に測定できる。
【００２５】本実施例の多結晶Ｔｉ薄膜は、厚さが０．
１μｍ〜５．０μｍの範囲で好適に用いられる。多結晶
Ｔｉ薄膜の厚さが０．１μｍ以下では、ガラス基板上に
十分に多結晶Ｔｉ薄膜を被覆することことができず通電
加熱用電極として作用しないため、その結果導電性イン
クに電流を流すことができず、インク滴をノズル孔より
吐出させることができなかった。従って、ガラス基板を
十分被覆できるような膜厚すなわち０．１μｍ以上が必
要である。多結晶Ｔｉ薄膜の厚さが５μｍ以上になる
と、フォトリソグラフィー法では電極形状が寸法精度良
く形成できず、インク滴の吐出状態がノズル孔毎に異な
るため、インクジェットヘッドとして使用することがで
きなかった。
１μｍ〜５．０μｍの範囲で好適に用いられる。多結晶
Ｔｉ薄膜の厚さが０．１μｍ以下では、ガラス基板上に
十分に多結晶Ｔｉ薄膜を被覆することことができず通電
加熱用電極として作用しないため、その結果導電性イン
クに電流を流すことができず、インク滴をノズル孔より
吐出させることができなかった。従って、ガラス基板を
十分被覆できるような膜厚すなわち０．１μｍ以上が必
要である。多結晶Ｔｉ薄膜の厚さが５μｍ以上になる
と、フォトリソグラフィー法では電極形状が寸法精度良
く形成できず、インク滴の吐出状態がノズル孔毎に異な
るため、インクジェットヘッドとして使用することがで
きなかった。
【００２６】本実施例の多結晶Ｔｉ薄膜は、真空薄膜形
成技術であるＤＣスパッタリング法を用いて形成でき
る。形成条件として純度９９．９％以上のＴｉ材料を使
用し、スパッタリング時の圧力を３０ｍｔｏｒｒ以上、
基板温度を３００℃以上で形成した場合、図１０の如き
本実施例の多結晶Ｔｉ薄膜が形成される。
成技術であるＤＣスパッタリング法を用いて形成でき
る。形成条件として純度９９．９％以上のＴｉ材料を使
用し、スパッタリング時の圧力を３０ｍｔｏｒｒ以上、
基板温度を３００℃以上で形成した場合、図１０の如き
本実施例の多結晶Ｔｉ薄膜が形成される。
【００２７】次に、上記形成方法と条件で形成した厚さ
１μｍの多結晶Ｔｉ薄膜を通電加熱用電極に用いたイン
クジェットヘッドの印字寿命回数を調べた。Ｔｉ薄膜形
成時の真空圧力を３０ｍｔｏｒｒ・１００ｍｔｏｒｒの
２条件、基板温度を３００℃・４００℃の２条件として
合計４条件の多結晶Ｔｉ薄膜を１μｍの厚さで形成し
た。なお、比較例として上記薄膜形成条件以外の多結晶
Ｔｉ薄膜を通電加熱用電極に用いたインクジェットヘッ
ド、線材のＴｉ及び真空蒸着で形成したＴｉ薄膜を通電
加熱用電極に用いた従来のインクジェットヘッドの印字
寿命回数も同時に調べた。印字寿命回数の定義は紙面上
のインクのドットの大きさが実験開始時と比較し７０％
以下の時の印字回数とした。なお、実験条件は、印加電
圧を２０Ｖ、印加電圧周波数を５ＭＨｚ、インク比抵抗
を３０Ω・ｃｍとした。その結果を（表１）に示した。
１μｍの多結晶Ｔｉ薄膜を通電加熱用電極に用いたイン
クジェットヘッドの印字寿命回数を調べた。Ｔｉ薄膜形
成時の真空圧力を３０ｍｔｏｒｒ・１００ｍｔｏｒｒの
２条件、基板温度を３００℃・４００℃の２条件として
合計４条件の多結晶Ｔｉ薄膜を１μｍの厚さで形成し
た。なお、比較例として上記薄膜形成条件以外の多結晶
Ｔｉ薄膜を通電加熱用電極に用いたインクジェットヘッ
ド、線材のＴｉ及び真空蒸着で形成したＴｉ薄膜を通電
加熱用電極に用いた従来のインクジェットヘッドの印字
寿命回数も同時に調べた。印字寿命回数の定義は紙面上
のインクのドットの大きさが実験開始時と比較し７０％
以下の時の印字回数とした。なお、実験条件は、印加電
圧を２０Ｖ、印加電圧周波数を５ＭＨｚ、インク比抵抗
を３０Ω・ｃｍとした。その結果を（表１）に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】（表１）により明らかなように結晶粒径
０．１〜１．０μｍまたは表面粗さ０．００５〜０．１
μｍの多結晶Ｔｉ薄膜を通電加熱用電極に用いたインク
ジェットヘッドは１億ドットの印字寿命を持ち、実用性
に適する結果を得た。
０．１〜１．０μｍまたは表面粗さ０．００５〜０．１
μｍの多結晶Ｔｉ薄膜を通電加熱用電極に用いたインク
ジェットヘッドは１億ドットの印字寿命を持ち、実用性
に適する結果を得た。
【００３０】更に、結晶粒径０．１〜１．０μｍで且つ
表面粗さ０．００５〜０．１μｍの多結晶Ｔｉ薄膜を通
電加熱用電極に用いたインクジェットヘッドは２億ドッ
ト以上と印字寿命に飛躍的な効果があることが確認され
た。一方、比較例においては印字寿命が実用性に適しな
い結果であった。
表面粗さ０．００５〜０．１μｍの多結晶Ｔｉ薄膜を通
電加熱用電極に用いたインクジェットヘッドは２億ドッ
ト以上と印字寿命に飛躍的な効果があることが確認され
た。一方、比較例においては印字寿命が実用性に適しな
い結果であった。
【００３１】実施例の結晶粒径０．１〜１．０μｍの範
囲の多結晶Ｔｉ薄膜は、粒界間隙間が大きいため粒界間
にインクの浸透することが確認された。従って、この通
電加熱用電極は多結晶Ｔｉ薄膜表面のみならず、多結晶
Ｔｉ薄膜内部からも電流をインクへ流す役割を担ってい
ることがわかった。その結果、通電加熱用電極の電流密
度が大きく低下し、電気化学反応抑制に効果があること
が確認された。
囲の多結晶Ｔｉ薄膜は、粒界間隙間が大きいため粒界間
にインクの浸透することが確認された。従って、この通
電加熱用電極は多結晶Ｔｉ薄膜表面のみならず、多結晶
Ｔｉ薄膜内部からも電流をインクへ流す役割を担ってい
ることがわかった。その結果、通電加熱用電極の電流密
度が大きく低下し、電気化学反応抑制に効果があること
が確認された。
【００３２】また、表面粗さが０．００５〜０．１μｍ
の範囲の場合、走査型原子間力顕微鏡で実表面積を測定
した結果、通電加熱用電極の実表面積は見かけの面積の
１．５倍以上になるため、電極の表面の電流密度が大き
く低下した。電気化学反応速度は電流密度とは指数的な
比例関係があるため、電流密度の低下は電気化学反応抑
制に効果がある。また、実表面積が大きくなれば、イン
ク電極界面に生じる電気二重層の静電容量も大きくなる
ため、インク電極界面のインピーダンスを小さくでき
る。従って、ヘッド駆動回路部の全インピーダンスを低
下できるため、電流値を一定にしてインクジェットヘッ
ドを駆動した場合、印加電圧を低下できる。電気化学反
応速度は電圧と比例関係にあり、印加電圧の低下は電気
化学反応の抑制に効果がある。以上の理由により、１億
ドット以上の印字寿命を持つ実用性に適する結果を得る
ことができた。
の範囲の場合、走査型原子間力顕微鏡で実表面積を測定
した結果、通電加熱用電極の実表面積は見かけの面積の
１．５倍以上になるため、電極の表面の電流密度が大き
く低下した。電気化学反応速度は電流密度とは指数的な
比例関係があるため、電流密度の低下は電気化学反応抑
制に効果がある。また、実表面積が大きくなれば、イン
ク電極界面に生じる電気二重層の静電容量も大きくなる
ため、インク電極界面のインピーダンスを小さくでき
る。従って、ヘッド駆動回路部の全インピーダンスを低
下できるため、電流値を一定にしてインクジェットヘッ
ドを駆動した場合、印加電圧を低下できる。電気化学反
応速度は電圧と比例関係にあり、印加電圧の低下は電気
化学反応の抑制に効果がある。以上の理由により、１億
ドット以上の印字寿命を持つ実用性に適する結果を得る
ことができた。
【００３３】しかも、結晶粒径０．１〜１．０μｍの範
囲で且つ表面粗さが０．００５〜０．１μｍの範囲であ
る場合は、各々の電気化学反応抑制効果が相乗されるた
め、更に飛躍的な効果が実現できる。
囲で且つ表面粗さが０．００５〜０．１μｍの範囲であ
る場合は、各々の電気化学反応抑制効果が相乗されるた
め、更に飛躍的な効果が実現できる。
【００３４】比較例の場合、表面粗さを大きくすれば印
字寿命の増加傾向が見られたが、結晶粒径が０．１μｍ
以下の場合も、１．０μｍ以上の場合と同様に、粒界間
が緻密な構造で、印字中に表面に均一な酸化膜が形成さ
れ不導態化し、インクに電流が流れず遂には印字されな
くなった。
字寿命の増加傾向が見られたが、結晶粒径が０．１μｍ
以下の場合も、１．０μｍ以上の場合と同様に、粒界間
が緻密な構造で、印字中に表面に均一な酸化膜が形成さ
れ不導態化し、インクに電流が流れず遂には印字されな
くなった。
【００３５】なお（実施例１）では基板に鏡面を有する
ガラスを基板に使用したが、多結晶Ｔｉ薄膜表面を粗く
するために表面の粗い基板を使用したり、沸化水素や硝
酸等により多結晶Ｔｉ薄膜表面のみを粗くエッチングを
行う等、多結晶Ｔｉ薄膜表面を粗くする手段は多数ある
が、このような手段においても印字寿命の優れたインク
ジェットヘッドが実現できることは言うまでもない。ま
た、多結晶Ｔｉ薄膜の形成方法にＤＣスパッタリング法
を使用したが、真空薄膜形成技術であるＲＦスパッタリ
ング法、イオンプレーティング法や、ＣＶＤ法等、本実
施例と同様の多結晶Ｔｉ薄膜を形成する方法は多くある
が、このような手段においても印字寿命の優れたインク
ジェットヘッドが実現できることは言うまでもない。従
って、実施例の１の多結晶Ｔｉ薄膜の形成方法は本発明
を限定するものではない。 （実施例２）この実施例においてはインクジェットヘッ
ドの製造方法は（実施例１）とほぼ同様である。本実施
例の通電加熱用電極は（００２）面または（００１）面
が薄膜形成基板に対して面内方向に優先配向しているＴ
ｉ薄膜からなる。従って、多結晶Ｔｉ薄膜の結晶方向を
制御するための熱処理が、（実施例１）の製造方法に多
結晶Ｔｉ薄膜形成後に追加される。
ガラスを基板に使用したが、多結晶Ｔｉ薄膜表面を粗く
するために表面の粗い基板を使用したり、沸化水素や硝
酸等により多結晶Ｔｉ薄膜表面のみを粗くエッチングを
行う等、多結晶Ｔｉ薄膜表面を粗くする手段は多数ある
が、このような手段においても印字寿命の優れたインク
ジェットヘッドが実現できることは言うまでもない。ま
た、多結晶Ｔｉ薄膜の形成方法にＤＣスパッタリング法
を使用したが、真空薄膜形成技術であるＲＦスパッタリ
ング法、イオンプレーティング法や、ＣＶＤ法等、本実
施例と同様の多結晶Ｔｉ薄膜を形成する方法は多くある
が、このような手段においても印字寿命の優れたインク
ジェットヘッドが実現できることは言うまでもない。従
って、実施例の１の多結晶Ｔｉ薄膜の形成方法は本発明
を限定するものではない。 （実施例２）この実施例においてはインクジェットヘッ
ドの製造方法は（実施例１）とほぼ同様である。本実施
例の通電加熱用電極は（００２）面または（００１）面
が薄膜形成基板に対して面内方向に優先配向しているＴ
ｉ薄膜からなる。従って、多結晶Ｔｉ薄膜の結晶方向を
制御するための熱処理が、（実施例１）の製造方法に多
結晶Ｔｉ薄膜形成後に追加される。
【００３６】ここで、図１１及び図１２と共に本実施例
の通電加熱用電極の構成の説明をおこなう。図１１は、
Ｔｉ薄膜の結晶面である（００２）面が優先配向してい
るＴｉ薄膜の断面図である。また、図１２は、Ｔｉ薄膜
の結晶面である（０１１）面が優先配向しているＴｉ薄
膜の断面図である。共に、膜内部の実線はＴｉの（００
２）面を示している。ここで、優先配向とはＸ線回折に
てθ−２θ法により結晶分析をおこなった結果、無配向
Ｔｉ粉末と比較して、注目すべき結晶面のＸ線回折強度
が１．２倍以上Ｔｉ薄膜形成基板に対して面内方向に配
向していることを意味している。本実施例においてＸ線
回折の測定は、日本電子社製のＪＤＸ−８０３０なるＸ
線回折装置を使用した。なお、本実施例のＴｉ薄膜は、
（実施例１）の通電加熱用電極のＴｉ薄膜の如く多結晶
である必要は無いし結晶粒径や表面粗さも限定されな
い。なお、（実施例１）の多結晶Ｔｉ薄膜は優先配向面
は無く、無配向であった。
の通電加熱用電極の構成の説明をおこなう。図１１は、
Ｔｉ薄膜の結晶面である（００２）面が優先配向してい
るＴｉ薄膜の断面図である。また、図１２は、Ｔｉ薄膜
の結晶面である（０１１）面が優先配向しているＴｉ薄
膜の断面図である。共に、膜内部の実線はＴｉの（００
２）面を示している。ここで、優先配向とはＸ線回折に
てθ−２θ法により結晶分析をおこなった結果、無配向
Ｔｉ粉末と比較して、注目すべき結晶面のＸ線回折強度
が１．２倍以上Ｔｉ薄膜形成基板に対して面内方向に配
向していることを意味している。本実施例においてＸ線
回折の測定は、日本電子社製のＪＤＸ−８０３０なるＸ
線回折装置を使用した。なお、本実施例のＴｉ薄膜は、
（実施例１）の通電加熱用電極のＴｉ薄膜の如く多結晶
である必要は無いし結晶粒径や表面粗さも限定されな
い。なお、（実施例１）の多結晶Ｔｉ薄膜は優先配向面
は無く、無配向であった。
【００３７】（実施例１）と同様にＤＣスパッタリング
法にて、Ｔｉ薄膜形成時の真空圧力、基板温度を１０ｍ
ｔｏｒｒ、２００℃の条件として、多結晶Ｔｉ薄膜を１
μｍの厚さで形成した。その後、真空中で熱処理を行う
ことにより結晶配向性を制御した。熱処理は真空中で、
温度範囲は５００〜７００℃で３０分熱処理をおこなっ
た。５００〜６００℃の範囲では（００２）面が優先配
向し、６００〜７００℃の範囲では（０１１）面が優先
配向した。（００２）面および（０１１）面が優先配向
しているＴｉ薄膜を通電加熱用電極として作製したイン
クジェットヘッドの印字寿命回数を調べた。なお、比較
例として、熱処理前の無配向の多結晶Ｔｉ薄膜と線材の
Ｔｉを熱処理をおこない（１１０）面を優先配向させた
Ｔｉを通電加熱用電極として作製したインクジェットヘ
ッドの印字寿命回数を調べた。実験条件は（実施例１）
と同様である。その結果を（表２）に示した。
法にて、Ｔｉ薄膜形成時の真空圧力、基板温度を１０ｍ
ｔｏｒｒ、２００℃の条件として、多結晶Ｔｉ薄膜を１
μｍの厚さで形成した。その後、真空中で熱処理を行う
ことにより結晶配向性を制御した。熱処理は真空中で、
温度範囲は５００〜７００℃で３０分熱処理をおこなっ
た。５００〜６００℃の範囲では（００２）面が優先配
向し、６００〜７００℃の範囲では（０１１）面が優先
配向した。（００２）面および（０１１）面が優先配向
しているＴｉ薄膜を通電加熱用電極として作製したイン
クジェットヘッドの印字寿命回数を調べた。なお、比較
例として、熱処理前の無配向の多結晶Ｔｉ薄膜と線材の
Ｔｉを熱処理をおこない（１１０）面を優先配向させた
Ｔｉを通電加熱用電極として作製したインクジェットヘ
ッドの印字寿命回数を調べた。実験条件は（実施例１）
と同様である。その結果を（表２）に示した。
【００３８】
【表２】
【００３９】（表２）により明らかなように、（００
２）面または（０１１）面が優先配向Ｔｉ薄膜を通電加
熱用電極として使用したインクジェットヘッドでは１億
ドット以上の印字寿命を持ち実用性に適する結果を得
た。一方、比較例においては印字寿命が実用性に適しな
い結果であった。
２）面または（０１１）面が優先配向Ｔｉ薄膜を通電加
熱用電極として使用したインクジェットヘッドでは１億
ドット以上の印字寿命を持ち実用性に適する結果を得
た。一方、比較例においては印字寿命が実用性に適しな
い結果であった。
【００４０】バルク材のＴｉでは電気的特性が結晶構造
で変化する。例えば冷間圧延の程度で電気抵抗は異なる
し、機械的強度が異なってくる。このような傾向は薄膜
でも同様であることが本実施例においても認められた。
Ｔｉ薄膜の（００２）面と（０１１）面は最も緻密な結
晶面であるため酸素を受け入れにくい面、すなわち最も
酸化しにくい結晶面である。この電気化学的に不活性な
結晶面である（００２）面または（０１１）面がインク
と接触することにより、Ｔｉ薄膜表面に吸着しているイ
ンクは酸化や溶解反応に寄与せず、通電加熱用電極の酸
化や溶解が抑制できるため、インクを加熱沸騰するため
の電流効率が一層良くなる。従って、Ｔｉ薄膜の結晶面
を制御し（００２）面または（０１１）面を優先配向さ
せることにより印字寿命の良好なインクジェットヘッド
を実現することができる。
で変化する。例えば冷間圧延の程度で電気抵抗は異なる
し、機械的強度が異なってくる。このような傾向は薄膜
でも同様であることが本実施例においても認められた。
Ｔｉ薄膜の（００２）面と（０１１）面は最も緻密な結
晶面であるため酸素を受け入れにくい面、すなわち最も
酸化しにくい結晶面である。この電気化学的に不活性な
結晶面である（００２）面または（０１１）面がインク
と接触することにより、Ｔｉ薄膜表面に吸着しているイ
ンクは酸化や溶解反応に寄与せず、通電加熱用電極の酸
化や溶解が抑制できるため、インクを加熱沸騰するため
の電流効率が一層良くなる。従って、Ｔｉ薄膜の結晶面
を制御し（００２）面または（０１１）面を優先配向さ
せることにより印字寿命の良好なインクジェットヘッド
を実現することができる。
【００４１】なお、（実施例２）では熱処理により結晶
配向性を制御したが、結晶配向性を制御する手段とし
て、Ｔｉ（００２）面または（０１１）面の格子定数と
同程度の結晶基板上にＴｉ薄膜を形成する方法、異方性
を持った表面粗さのガラス基板上にＴｉ薄膜を形成する
方法等、多くあるが、どのような手段においても印字寿
命の優れたインクジェットヘッドが実現できることは言
うまでもない。従って、（実施例２）のＴｉ薄膜の形成
方法は本発明を限定するものではない。 （実施例３）この実施例においてもインクジェットヘッ
ドの製造方法は（実施例１）とほぼ同様である。ただ
し、通電加熱用電極は（実施例１）の多結晶Ｔｉ薄膜ま
たは（実施例２）のＴｉ薄膜上に弁金属、導電性酸化物
または白金族金属を積層した積層薄膜からなる。従っ
て、Ｔｉ薄膜上に弁金属、導電性酸化物または白金族金
属を積層する方法が追加される。
配向性を制御したが、結晶配向性を制御する手段とし
て、Ｔｉ（００２）面または（０１１）面の格子定数と
同程度の結晶基板上にＴｉ薄膜を形成する方法、異方性
を持った表面粗さのガラス基板上にＴｉ薄膜を形成する
方法等、多くあるが、どのような手段においても印字寿
命の優れたインクジェットヘッドが実現できることは言
うまでもない。従って、（実施例２）のＴｉ薄膜の形成
方法は本発明を限定するものではない。 （実施例３）この実施例においてもインクジェットヘッ
ドの製造方法は（実施例１）とほぼ同様である。ただ
し、通電加熱用電極は（実施例１）の多結晶Ｔｉ薄膜ま
たは（実施例２）のＴｉ薄膜上に弁金属、導電性酸化物
または白金族金属を積層した積層薄膜からなる。従っ
て、Ｔｉ薄膜上に弁金属、導電性酸化物または白金族金
属を積層する方法が追加される。
【００４２】ここで、図１３，図１４，図１５と共に本
実施例の通電加熱用電極の構成の説明をおこなう。図１
３，図１４，図１５それぞれは、多結晶Ｔｉ薄膜、（０
０２）面が優先配向しているＴｉ薄膜及び（０１１）面
が優先配向しているＴｉ薄膜上に弁金属、導電性酸化物
または白金族金属を０．０５〜０．５μｍの厚さで被覆
した積層薄膜の断面図である（以下、（実施例１）の多
結晶Ｔｉ薄膜及び（実施例２）のＴｉ薄膜を、単にＴｉ
薄膜と言う。）。
実施例の通電加熱用電極の構成の説明をおこなう。図１
３，図１４，図１５それぞれは、多結晶Ｔｉ薄膜、（０
０２）面が優先配向しているＴｉ薄膜及び（０１１）面
が優先配向しているＴｉ薄膜上に弁金属、導電性酸化物
または白金族金属を０．０５〜０．５μｍの厚さで被覆
した積層薄膜の断面図である（以下、（実施例１）の多
結晶Ｔｉ薄膜及び（実施例２）のＴｉ薄膜を、単にＴｉ
薄膜と言う。）。
【００４３】Ｔｉ薄膜上に、弁金属であるＴａ及び導電
性酸化物であるＲｕＯ2をＲＦスパッタリング法にて
０．２μｍの厚さで形成した積層薄膜を通電加熱用電極
として作製したインクジェットヘッドの印字寿命回数を
調べた。同様に、Ｔｉ薄膜上に、白金族金属であるＰｔ
を真空蒸着法にて０．２μｍの厚さで形成した積層薄膜
を通電加熱用電極として作製したインクジェットヘッド
の印字寿命回数を調べた。比較例として、Ｔｉ薄膜を通
電加熱用電極として作製したインクジェットヘッドの印
字寿命回数を調べた。なお、（実施例１）の多結晶Ｔｉ
薄膜は４種類あるが、ここでは形成条件として真空圧力
を５０ｍｔｏｒｒ、基板温度を４００℃で形成した多結
晶Ｔｉ薄膜を使用した。実験条件は（実施例１）と同様
である。その結果を（表３）に示した。
性酸化物であるＲｕＯ2をＲＦスパッタリング法にて
０．２μｍの厚さで形成した積層薄膜を通電加熱用電極
として作製したインクジェットヘッドの印字寿命回数を
調べた。同様に、Ｔｉ薄膜上に、白金族金属であるＰｔ
を真空蒸着法にて０．２μｍの厚さで形成した積層薄膜
を通電加熱用電極として作製したインクジェットヘッド
の印字寿命回数を調べた。比較例として、Ｔｉ薄膜を通
電加熱用電極として作製したインクジェットヘッドの印
字寿命回数を調べた。なお、（実施例１）の多結晶Ｔｉ
薄膜は４種類あるが、ここでは形成条件として真空圧力
を５０ｍｔｏｒｒ、基板温度を４００℃で形成した多結
晶Ｔｉ薄膜を使用した。実験条件は（実施例１）と同様
である。その結果を（表３）に示した。
【００４４】
【表３】
【００４５】（表３）により明らかなように、本実施例
の積層薄膜を通電加熱用電極として使用したインクジェ
ットヘッドではＴｉ薄膜と比較して、更に１億ドット程
度印字寿命が延び、飛躍的な効果があることが確認され
た。積層薄膜の場合、弁金属であるＴａや導電性酸化物
であるＲｕＯ2や白金族金属であるＰｔが保護膜として
作用するし電極基体であるＴｉ薄膜に変わって酸化や溶
解が優先的に発生するため、通電加熱用電極としては電
気化学反応による酸化や溶解が抑制できる。
の積層薄膜を通電加熱用電極として使用したインクジェ
ットヘッドではＴｉ薄膜と比較して、更に１億ドット程
度印字寿命が延び、飛躍的な効果があることが確認され
た。積層薄膜の場合、弁金属であるＴａや導電性酸化物
であるＲｕＯ2や白金族金属であるＰｔが保護膜として
作用するし電極基体であるＴｉ薄膜に変わって酸化や溶
解が優先的に発生するため、通電加熱用電極としては電
気化学反応による酸化や溶解が抑制できる。
【００４６】なお（実施例３）では、Ｔｉ薄膜上に０．
２μｍの厚さで弁金属であるＴａ、導電性酸化物である
ＲｕＯ2や白金族金属であるＰｔを形成したが、Ｎｂ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ等の他の弁金属、ＣｕＯ、Ｓ
ｎＯ2、ＰｂＯ2等の他の導電性酸化物やＡｕ、Ｐｄ等の
他の白金族金属をＴｉ薄膜上に形成した場合も同様な効
果が得られた。また、弁金属、導電性酸化物または白金
族金属を０．０５〜０．５μｍの範囲の厚さで形成した
場合においても同様な効果が得られた。しかし、０．０
５μｍ以下の場合は十分にＴｉ薄膜上に被覆することが
できず、その効果が確認できなかった。また、０．５μ
ｍ以上の場合は弁金属、導電性酸化物や白金族金属の特
性のみ現われ、Ｔｉ薄膜の効果が現われなかった。
２μｍの厚さで弁金属であるＴａ、導電性酸化物である
ＲｕＯ2や白金族金属であるＰｔを形成したが、Ｎｂ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ等の他の弁金属、ＣｕＯ、Ｓ
ｎＯ2、ＰｂＯ2等の他の導電性酸化物やＡｕ、Ｐｄ等の
他の白金族金属をＴｉ薄膜上に形成した場合も同様な効
果が得られた。また、弁金属、導電性酸化物または白金
族金属を０．０５〜０．５μｍの範囲の厚さで形成した
場合においても同様な効果が得られた。しかし、０．０
５μｍ以下の場合は十分にＴｉ薄膜上に被覆することが
できず、その効果が確認できなかった。また、０．５μ
ｍ以上の場合は弁金属、導電性酸化物や白金族金属の特
性のみ現われ、Ｔｉ薄膜の効果が現われなかった。
【００４７】更に、（実施例３）ではＲＦスパッタリン
グ法により弁金属、導電性酸化物を形成し、また真空蒸
着法により白金族金属を形成したが、他の手段として、
導電性酸化物や白金族金属は空気中熱分解処理法でも形
成できるし、弁金属は蒸着法でも形成できる。このよう
な手段においても、印字寿命の優れたインクジェットヘ
ッドが実現できることは言うまでもない。従って、（実
施例３）の積層薄膜の形成方法は本発明を限定するもの
ではない。
グ法により弁金属、導電性酸化物を形成し、また真空蒸
着法により白金族金属を形成したが、他の手段として、
導電性酸化物や白金族金属は空気中熱分解処理法でも形
成できるし、弁金属は蒸着法でも形成できる。このよう
な手段においても、印字寿命の優れたインクジェットヘ
ッドが実現できることは言うまでもない。従って、（実
施例３）の積層薄膜の形成方法は本発明を限定するもの
ではない。
【００４８】以上のように、（実施例１〜３）の如くイ
ンクジェットヘッドの通電加熱用電極材料であるＴｉの
改良をおこなうことにより、通電加熱用電極の電気化学
反応を抑制でき、酸化や溶解の生じにくい、印字寿命の
長い実用性に優れるインクジェットヘッドを提供でき
る。
ンクジェットヘッドの通電加熱用電極材料であるＴｉの
改良をおこなうことにより、通電加熱用電極の電気化学
反応を抑制でき、酸化や溶解の生じにくい、印字寿命の
長い実用性に優れるインクジェットヘッドを提供でき
る。
【００４９】
【発明の効果】本発明の通電加熱用電極を使用したイン
クジェットヘッドは、通電加熱用電極である多結晶Ｔｉ
薄膜は実表面積を増加することができるため、通電加熱
用電極にかかる電流密度が減少し電気化学反応を抑制で
きる。
クジェットヘッドは、通電加熱用電極である多結晶Ｔｉ
薄膜は実表面積を増加することができるため、通電加熱
用電極にかかる電流密度が減少し電気化学反応を抑制で
きる。
【００５０】また、他の手段として、Ｔｉの結晶面であ
る（００２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板
に対して面内方向に優先配向したＴｉ薄膜を通電加熱用
電極として使用した場合、Ｔｉの電気化学的に不活性な
結晶面である（００２）面または（０１１）面がインク
と接触することにより、通電加熱用電極の酸化や溶解が
抑制できる。
る（００２）面または（０１１）面がＴｉ薄膜形成基板
に対して面内方向に優先配向したＴｉ薄膜を通電加熱用
電極として使用した場合、Ｔｉの電気化学的に不活性な
結晶面である（００２）面または（０１１）面がインク
と接触することにより、通電加熱用電極の酸化や溶解が
抑制できる。
【００５１】更に、Ｔｉ薄膜を電極基体とし弁金属、導
電性酸化物または白金族金属をＴｉ薄膜上に被覆した積
層薄膜を通電加熱用電極として使用した場合、Ｔｉ薄膜
上の被覆膜が保護膜として作用することにより、保護膜
が優先的に酸化や溶解がおこなわれるため、Ｔｉ薄膜自
体の酸化や溶解を抑制できる。
電性酸化物または白金族金属をＴｉ薄膜上に被覆した積
層薄膜を通電加熱用電極として使用した場合、Ｔｉ薄膜
上の被覆膜が保護膜として作用することにより、保護膜
が優先的に酸化や溶解がおこなわれるため、Ｔｉ薄膜自
体の酸化や溶解を抑制できる。
【００５２】以上により、本発明の通電加熱用電極材料
を用いれば、通電加熱用電極の酸化や溶解を抑制するこ
とができるため、印字寿命に優れたインクジェットヘッ
ドを提供することができる。
を用いれば、通電加熱用電極の酸化や溶解を抑制するこ
とができるため、印字寿命に優れたインクジェットヘッ
ドを提供することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図２】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図３】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図４】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図５】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図６】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図７】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図８】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図９】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの製造方法を示す斜視図
ドの製造方法を示す斜視図
【図１０】本発明の一実施例におけるインクジェットヘ
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
【図１１】本発明の一実施例におけるインクジェットヘ
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
【図１２】本発明の一実施例におけるインクジェットヘ
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
【図１３】本発明の一実施例におけるインクジェットヘ
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
【図１４】本発明の一実施例におけるインクジェットヘ
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
【図１５】本発明の一実施例におけるインクジェットヘ
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
ッドの通電加熱用電極の構成を示す断面図
【図１６】多結晶Ｔｉ薄膜表面の電子顕微鏡による拡大
図
図
【図１７】従来のインクジェットヘッドを示す主要部断
面図
面図
【図１８】従来使用されている通電加熱用電極であるＴ
ｉの断面模式図
ｉの断面模式図
【図１９】従来のインクジェットヘッドの動作を示す図
【図２０】従来のインクジェットヘッドの動作を示す図
【図２１】従来のインクジェットヘッドの動作を示す図
【図２２】従来のインクジェットヘッドの動作を示す図
【図２３】従来のインクジェットヘッドの動作を示す図
１ａ，１ｂ 通電加熱用電極 ２ 導電性インク ３ プリンタ印字制御回路 ４ インク流路 ５ ノズル孔 ６ 印刷用紙 ７ 気泡 ８ インク滴 ９ 結晶化部 １０ 感光性ガラス １１ ノズル流路基板 １２ 電極配線基板材料 １３ 電極配線基板 １４ リード線 １５ 絶縁膜 １６ 非結晶化部 １７ Ｔｉ粒子 １８ 多結晶Ｔｉ薄膜
Claims (57)
- 【請求項１】ノズル孔を有したノズル流路と、前記ノズ
ル流路内に配置された電極とを備え、前記電極を用いて
インクに通電して前記インクに気泡を発生させ、前記気
泡の圧力エネルギーによって前記インクを前記ノズル孔
から吐出させるインクジェットヘッドであって、電極を
多結晶チタンで構成するとともに、前記多結晶チタンの
結晶粒径が０．１〜１．０μｍの範囲であることを特徴
とするインクジェットヘッド。 - 【請求項２】電極のインクとの接触部が多結晶チタンで
構成されている事を特徴とする請求項１記載のインクジ
ェットヘッド。 - 【請求項３】電極を全て多結晶チタンで構成するととも
に前記電極の膜厚を０．１μｍ〜５．０μｍとした事を
特徴とする請求項２記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４】溝を設けたノズル流路基板と電極を形成し
た電極配線基板とを接合してインク流路及びノズル孔を
構成した事を特徴とする請求項１記載のインクジェット
ヘッド。 - 【請求項５】電極配線基板の上に一対の電極を対向して
設けた事を特徴とする請求項４記載のインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項６】電極上に弁金属の膜を設けた事を特徴とす
る請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項７】弁金属の膜厚を０．０５〜０．５μｍとし
た事を特徴とする請求項６記載のインクジェットヘッ
ド。 - 【請求項８】弁金属としてＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｍｏ，Ｗの内少なくとも一つを用いる事を特徴とす
る請求項６記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項９】電極上に導電性酸化物の膜を設けた事を特
徴とする請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項１０】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項９記載のインクジェッ
トヘッド。 - 【請求項１１】導電性酸化物としてＣｕＯ，ＳｎＯ2，
ＲｕＯ2，ＰｂＯ2の内少なくとも一つを用いる事を特徴
とする請求項９記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項１２】電極上に白金族金属の膜を設ける事を特
徴とする請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項１３】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項１２記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項１４】白金族金属として、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄの
内少なくとも一つを用いる事を特徴とする請求項１２記
載のインクジェットヘッド。 - 【請求項１５】ノズル孔を有したノズル流路と、前記ノ
ズル流路内に配置された電極とを備え、前記電極を用い
てインクに通電して前記インクに気泡を発生させ、前記
気泡の圧力エネルギーによって前記インクを前記ノズル
孔から吐出させるインクジェットヘッドであって、電極
のインクとの接触部に多結晶チタンを設けるとともに、
前記多結晶チタンの表面粗さが０．００５〜０．１μｍ
の範囲であることを特徴とするインクジェットヘッド。 - 【請求項１６】電極のインクとの接触部が多結晶チタン
で構成されている事を特徴とする請求項１５記載のイン
クジェットヘッド。 - 【請求項１７】電極を全て多結晶チタンで構成するとと
もに前記電極の膜厚を０．１μｍ〜５．０μｍとした事
を特徴とする請求項１６記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項１８】溝を設けたノズル流路基板と電極を形成
した電極配線基板とを接合してインク流路及びノズル孔
を構成した事を特徴とする請求項１５記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項１９】電極配線基板の上に一対の電極を対向し
て設けた事を特徴とする請求項１８記載のインクジェッ
トヘッド。 - 【請求項２０】電極上に弁金属の膜を設けた事を特徴と
する請求項１５記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項２１】弁金属の膜厚を０．０５〜０．５μｍと
した事を特徴とする請求項２０記載のインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項２２】弁金属としてＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｍｏ，Ｗの内少なくとも一つを用いる事を特徴とす
る請求項２０記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項２３】電極上に導電性酸化物の膜を設けた事を
特徴とする請求項１５記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項２４】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項２３記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項２５】導電性酸化物としてＣｕＯ，ＳｎＯ2，
ＲｕＯ2，ＰｂＯ2の内少なくとも一つを用いる事を特徴
とする請求項２３記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項２６】電極上に白金族金属の膜を設ける事を特
徴とする請求項１５記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項２７】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項２６記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項２８】白金族金属として、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄの
内少なくとも一つを用いる事を特徴とする請求項２６記
載のインクジェットヘッド。 - 【請求項２９】ノズル孔を有したノズル流路と、前記ノ
ズル流路内に配置された電極とを備え、前記電極を用い
てインクに通電して前記インクに気泡を発生させ、前記
気泡の圧力エネルギーによって前記インクを前記ノズル
孔から吐出させるインクジェットヘッドであって、電極
を多結晶チタンで構成するとともに、前記多結晶チタン
の結晶粒径が０．１〜１．０μｍの範囲であり、更に前
記多結晶チタンの表面粗さが０．００５〜０．１μｍの
範囲であることを特徴とするインクジェットヘッド。 - 【請求項３０】電極のインクとの接触部が多結晶チタン
で構成されている事を特徴とする請求項２９記載のイン
クジェットヘッド。 - 【請求項３１】電極を全て多結晶チタンで構成するとと
もに前記電極の膜厚を０．１μｍ〜５．０μｍとした事
を特徴とする請求項３０記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項３２】溝を設けたノズル流路基板と電極を形成
した電極配線基板とを接合してインク流路及びノズル孔
を構成した事を特徴とする請求項２９記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項３３】電極配線基板の上に一対の電極を対向し
て設けた事を特徴とする請求項３２記載のインクジェッ
トヘッド。 - 【請求項３４】電極上に弁金属の膜を設けた事を特徴と
する請求項２９記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項３５】弁金属の膜厚を０．０５〜０．５μｍと
した事を特徴とする請求項３４記載のインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項３６】弁金属としてＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｍｏ，Ｗの内少なくとも一つを用いる事を特徴とす
る請求項３４記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項３７】電極上に導電性酸化物の膜を設けた事を
特徴とする請求項２９記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項３８】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項３７記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項３９】導電性酸化物としてＣｕＯ，ＳｎＯ2，
ＲｕＯ2，ＰｂＯ2の内少なくとも一つを用いる事を特徴
とする請求項３７記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４０】電極上に白金族金属の膜を設ける事を特
徴とする請求項２９記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４１】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項４０記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項４２】白金族金属として、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄの
内少なくとも一つを用いる事を特徴とする請求項４０記
載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４３】ノズル孔を有したノズル流路と、前記ノ
ズル流路内に配置された電極とを備え、前記電極を用い
てインクに通電して前記インクに気泡を発生させ、前記
気泡の圧力エネルギーによって前記インクを前記ノズル
孔から吐出させるインクジェットヘッドであって、電極
を多結晶チタンで構成するとともに、前記多結晶チタン
をチタン薄膜の結晶面である（００２）面か（０１１）
面の少なくとも一方の面がチタン薄膜形成基板に対して
面内方向に優先配向していることを特徴とするインクジ
ェットヘッド。 - 【請求項４４】電極のインクとの接触部が多結晶チタン
で構成されている事を特徴とする請求項４３記載のイン
クジェットヘッド。 - 【請求項４５】電極を全て多結晶チタンで構成するとと
もに前記電極の膜厚を０．１μｍ〜５．０μｍとした事
を特徴とする請求項４４記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４６】溝を設けたノズル流路基板と電極を形成
した電極配線基板とを接合してインク流路及びノズル孔
を構成した事を特徴とする請求項４３記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項４７】電極配線基板の上に一対の電極を対向し
て設けた事を特徴とする請求項４６記載のインクジェッ
トヘッド。 - 【請求項４８】電極上に弁金属の膜を設けた事を特徴と
する請求項４３記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４９】弁金属の膜厚を０．０５〜０．５μｍと
した事を特徴とする請求項４８記載のインクジェットヘ
ッド。 - 【請求項５０】弁金属としてＴａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｍｏ，Ｗの内少なくとも一つを用いる事を特徴とす
る請求項４８記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項５１】電極上に導電性酸化物の膜を設けた事を
特徴とする請求項４３記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項５２】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項５１記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項５３】導電性酸化物としてＣｕＯ，ＳｎＯ2，
ＲｕＯ2，ＰｂＯ2の内少なくとも一つを用いる事を特徴
とする請求項５１記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項５４】電極上に白金族金属の膜を設ける事を特
徴とする請求項４３記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項５５】導電性酸化物の膜厚を０．０５〜０．５
μｍとした事を特徴とする請求項５４記載のインクジェ
ットヘッド。 - 【請求項５６】白金族金属として、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄの
内少なくとも一つを用いる事を特徴とする請求項５４記
載のインクジェットヘッド。 - 【請求項５７】ノズル孔を有したノズル流路と、前記ノ
ズル流路内に配置された電極とを備え、前記電極を用い
てインクに通電して前記インクに気泡を発生させ、前記
気泡の圧力エネルギーによって前記インクを前記ノズル
孔から吐出させるインクジェットヘッドであって、電極
を多結晶チタンで構成するとともに、前記多結晶チタン
の結晶粒径が０．１〜１．０μｍの範囲であり、更に前
記多結晶チタンの表面粗さが０．００５〜０．１μｍの
範囲で、また前記多結晶チタンをチタン薄膜の結晶面で
ある（００２）面か（０１１）面の少なくとも一方の面
がチタン薄膜形成基板に対して面内方向に優先配向して
いることを特徴とするインクジェットヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106570A JPH07314679A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | インクジェットヘッド |
| US08/443,023 US5737000A (en) | 1994-05-20 | 1995-05-17 | Ink jet head with polycrystalline metal electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6106570A JPH07314679A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | インクジェットヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07314679A true JPH07314679A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=14436918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6106570A Pending JPH07314679A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | インクジェットヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5737000A (ja) |
| JP (1) | JPH07314679A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014197695A (ja) * | 2008-01-30 | 2014-10-16 | 日本碍子株式会社 | 圧電／電歪膜型素子の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070120929A1 (en) * | 2005-11-29 | 2007-05-31 | Chuan-Yi Wu | Ink Jet Process |
| WO2014036241A2 (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Sensevere, Llc | Corrosive resistant electronic components |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3179042A (en) * | 1962-06-28 | 1965-04-20 | Sperry Rand Corp | Sudden steam printer |
| US5479197A (en) * | 1991-07-11 | 1995-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Head for recording apparatus |
| JPH0615825A (ja) * | 1992-07-01 | 1994-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | インク吐出装置 |
| DE69413613T2 (de) * | 1993-07-16 | 1999-03-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Metalloxid-Widerstand, Leistungswiderstand und Leistungsschalter |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP6106570A patent/JPH07314679A/ja active Pending
-
1995
- 1995-05-17 US US08/443,023 patent/US5737000A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014197695A (ja) * | 2008-01-30 | 2014-10-16 | 日本碍子株式会社 | 圧電／電歪膜型素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5737000A (en) | 1998-04-07 |
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