JPH0731319B2 - 電子写真複写機 - Google Patents
電子写真複写機Info
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- JPH0731319B2 JPH0731319B2 JP59091466A JP9146684A JPH0731319B2 JP H0731319 B2 JPH0731319 B2 JP H0731319B2 JP 59091466 A JP59091466 A JP 59091466A JP 9146684 A JP9146684 A JP 9146684A JP H0731319 B2 JPH0731319 B2 JP H0731319B2
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- Japan
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- liquid crystal
- shutter
- micro
- electrode
- gate
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
- G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
- G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
- G06K15/1238—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers simultaneously exposing more than one point
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、ｎ行及びｍ列にマトリクス配列した容量型負
荷要素毎に設けたトランジスタ、特に薄膜トランジスタ
（以下、「TFT」という）をｍ個ずつ線順次駆動するｎ
次時分割駆動法に関し、特に液晶シヤツタアレイに適し
たｎ次時分割駆動法に関する。
荷要素毎に設けたトランジスタ、特に薄膜トランジスタ
（以下、「TFT」という）をｍ個ずつ線順次駆動するｎ
次時分割駆動法に関し、特に液晶シヤツタアレイに適し
たｎ次時分割駆動法に関する。
これまで、ｎ行の走査電極とｍ列の信号電極をマトリク
ス状に構成し、多数の画素を容量型負荷要素である液晶
で形成した液晶表示素子や液晶シヤツタアレイは、よく
知られている。この液晶素子の駆動法としては、走査電
極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電
極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並
列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。この
駆動法では、下記の式（１）で示す様に時分割数が増す
につれてVON（オン信号）/Voff（オフ信号）が１に近く
なり画素を構成する液晶素子の開閉効率が悪くなる。こ
のため、特にシヤツタアレイの場合では、十分なS/N比
をもつ光信号を与えることができず、これを電子写真複
写機の像露光部（光信号発生部）に使用した時には良好
な画像を形成できない欠点を有している。
ス状に構成し、多数の画素を容量型負荷要素である液晶
で形成した液晶表示素子や液晶シヤツタアレイは、よく
知られている。この液晶素子の駆動法としては、走査電
極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電
極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並
列的に選択印加する時分割駆動が採用されている。この
駆動法では、下記の式（１）で示す様に時分割数が増す
につれてVON（オン信号）/Voff（オフ信号）が１に近く
なり画素を構成する液晶素子の開閉効率が悪くなる。こ
のため、特にシヤツタアレイの場合では、十分なS/N比
をもつ光信号を与えることができず、これを電子写真複
写機の像露光部（光信号発生部）に使用した時には良好
な画像を形成できない欠点を有している。
（式中、1/N;デユーテイ比、1/a;バイアス比V0;印加電
圧） 特に、時分割数も多くなし、さらに電子写真複写機のプ
ロセス・スピードを速めると、さらに開閉効率が低下し
良好な画像を形成できず、このため例えば毎分10枚以上
の割合でコピーを作成する複写機に適用できないなどの
問題点がある。
圧） 特に、時分割数も多くなし、さらに電子写真複写機のプ
ロセス・スピードを速めると、さらに開閉効率が低下し
良好な画像を形成できず、このため例えば毎分10枚以上
の割合でコピーを作成する複写機に適用できないなどの
問題点がある。
一方、スタテイツク駆動法では、名画素毎をドライバー
回路で制御することが必要となつている。例えば、Ａ−
４（日本工業規格）の短手幅で画素密度を16ドツト/mm
とした光スポツトを発生できる液晶−シヤツタアレイの
場合では、3360個のドライブ回路を必要とし、IC1個当
り32個のドライブ回路の集積した場合で105個のICを必
要とすることになる。このため、スタテイツク駆動法は
高密度の画素をもつ液晶−シヤツタアレイを駆動するに
は適さない欠点がある。
回路で制御することが必要となつている。例えば、Ａ−
４（日本工業規格）の短手幅で画素密度を16ドツト/mm
とした光スポツトを発生できる液晶−シヤツタアレイの
場合では、3360個のドライブ回路を必要とし、IC1個当
り32個のドライブ回路の集積した場合で105個のICを必
要とすることになる。このため、スタテイツク駆動法は
高密度の画素をもつ液晶−シヤツタアレイを駆動するに
は適さない欠点がある。
電子写真複写機の感光ドラムに光信号を付与するために
用い、てる光信号発生部が液晶シヤツタアレイと光源を
有しているが、良質の画像を形成する上でシヤツタオン
状態とオフ状態の間に大きなS/N比をもつことが必要
で、通常５以上のS/N比をもつ開閉効率が要求されてい
る。一方、複写機には高速のプロセススピードが要求さ
れており、これらの要求とともに満した液晶シヤツタア
レイは未だに見い出されていないのが現状であつた。
用い、てる光信号発生部が液晶シヤツタアレイと光源を
有しているが、良質の画像を形成する上でシヤツタオン
状態とオフ状態の間に大きなS/N比をもつことが必要
で、通常５以上のS/N比をもつ開閉効率が要求されてい
る。一方、複写機には高速のプロセススピードが要求さ
れており、これらの要求とともに満した液晶シヤツタア
レイは未だに見い出されていないのが現状であつた。
本発明者らは、前述の点につき鋭意検討を重ねたとこ
ろ、液晶シヤツタアレイの各開口部をTFTの駆動によつ
てスイツチングすることにより十分なS/N比をもつ画像
を形成できるとともに、TFTのチヤネル部におけるチヤ
ネル長Ｌ（TFTのソースとドレイン間の長さ）に対する
チヤネル巾Ｗ（TFTのドレイン部の長さ）の比W/Lを特定
の値以上に設計することによつて、ゲートオンパルスの
時間を短縮できること、すなわち複写機のプロセススピ
ードを速めることができることを見い出すことができ
た。
ろ、液晶シヤツタアレイの各開口部をTFTの駆動によつ
てスイツチングすることにより十分なS/N比をもつ画像
を形成できるとともに、TFTのチヤネル部におけるチヤ
ネル長Ｌ（TFTのソースとドレイン間の長さ）に対する
チヤネル巾Ｗ（TFTのドレイン部の長さ）の比W/Lを特定
の値以上に設計することによつて、ゲートオンパルスの
時間を短縮できること、すなわち複写機のプロセススピ
ードを速めることができることを見い出すことができ
た。
従つて、本発明の目的は高次時分割駆動に適し、さらに
高速のプロセス・スピードの複写機に適した液晶シヤツ
タアレイで用いるトランジスタ、特に薄膜トランジスタ
の駆動法を提供することにある。
高速のプロセス・スピードの複写機に適した液晶シヤツ
タアレイで用いるトランジスタ、特に薄膜トランジスタ
の駆動法を提供することにある。
本発明の目的は、光源、感光体及び該光源との間に配置
したシャッタアレイ手段を有する電子写真複写機におい
て、前記シャッタアレイ手段が一行に配置させた複数の
マイクロシャッタ部を有し、該複数のマイクロシャッタ
部はゲート、ソースとドレインとを備えたトランジス
タ、該トランジスタのドレインに接続したセグメント電
極、対向電極及び該セグメント電極と対向電極との間に
配置した液晶を有していると共に、前記一行に配置させ
た複数のマイクロシャッタ部は複数のグループに区分さ
れ、該区分された各グループ毎に、各グループ内の複数
のマイクロシャッタ部のそれぞれの位置が感光体の相対
的移動方向に対して互いにずれる様に配置され、且つ各
グループ内の各ｎ（ｎは1,2,・・・の整数）番目のマイ
クロシャッタ部どうしの位置が該相対的移動方向の垂線
と一致する様に配置され、該区分された各グループ内の
全ソースは共通に接続され、該区分された各グループ内
の各ｎ番目のゲートは該ｎ番目のゲートどうし共通に接
続され、前記トランジスタのチャネル部は、前記配線構
造におけるソース線の配線方向に沿ったチャネル長Ｌと
該配線方向に対して垂直方向に沿ったチャネル幅Ｗとを
有し、該チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比W/Lを
1.4〜290の値に設定した電子写真複写機によって達成さ
れる。
したシャッタアレイ手段を有する電子写真複写機におい
て、前記シャッタアレイ手段が一行に配置させた複数の
マイクロシャッタ部を有し、該複数のマイクロシャッタ
部はゲート、ソースとドレインとを備えたトランジス
タ、該トランジスタのドレインに接続したセグメント電
極、対向電極及び該セグメント電極と対向電極との間に
配置した液晶を有していると共に、前記一行に配置させ
た複数のマイクロシャッタ部は複数のグループに区分さ
れ、該区分された各グループ毎に、各グループ内の複数
のマイクロシャッタ部のそれぞれの位置が感光体の相対
的移動方向に対して互いにずれる様に配置され、且つ各
グループ内の各ｎ（ｎは1,2,・・・の整数）番目のマイ
クロシャッタ部どうしの位置が該相対的移動方向の垂線
と一致する様に配置され、該区分された各グループ内の
全ソースは共通に接続され、該区分された各グループ内
の各ｎ番目のゲートは該ｎ番目のゲートどうし共通に接
続され、前記トランジスタのチャネル部は、前記配線構
造におけるソース線の配線方向に沿ったチャネル長Ｌと
該配線方向に対して垂直方向に沿ったチャネル幅Ｗとを
有し、該チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比W/Lを
1.4〜290の値に設定した電子写真複写機によって達成さ
れる。
以下、本発明を図面に従つて説明する。
第１図は、TFTを模式的に表わした平面図で、ドレイン
電極13とデータ線に接続したソース電極12が半導体膜11
（アモルフアスシリコン、ポリシリコン、テルルなど）
に接して配置され、さらにゲート電極14が絶縁膜（図示
せず）を介して半導体膜11の下に配置した構造を表わし
ている。図中Ｗはチヤネル巾を表わし、ドレイン電極の
長さに対応し、又Ｌはチヤネル長さを表わし、ソース電
極12とドレイン電極13の間の長さに対応している。
電極13とデータ線に接続したソース電極12が半導体膜11
（アモルフアスシリコン、ポリシリコン、テルルなど）
に接して配置され、さらにゲート電極14が絶縁膜（図示
せず）を介して半導体膜11の下に配置した構造を表わし
ている。図中Ｗはチヤネル巾を表わし、ドレイン電極の
長さに対応し、又Ｌはチヤネル長さを表わし、ソース電
極12とドレイン電極13の間の長さに対応している。
第２図は、本発明で用いうる液晶モードを模式的に表わ
した断面図で、図中偏光板26と27はクロスニコルの状態
で配置され、さらに２枚の基板21と22には偏光板26と27
の偏光方向に対し液晶25の初期配向方向が45度の方向と
なる様にラビング処理などの方法により配向処理されて
いる。この際、液晶25としては正の誘電異方法をもつネ
マチツク液晶（NP型液晶）が使用されている。コモン電
極23と24aに電圧を印加した時にはこの電極間の液晶25
の分子軸は電界方向に配向し、入射光Ｉに対して暗状態
が形成される。一方、電極23と24bの電圧を液晶25の閾
値電圧以下にすると、この電極間の液晶25の分子軸は初
期配向方向、すなわちラビング方向に配向する。この
時、入射光Ｉは透過光Ｔとなつて明状態が形成される。
した断面図で、図中偏光板26と27はクロスニコルの状態
で配置され、さらに２枚の基板21と22には偏光板26と27
の偏光方向に対し液晶25の初期配向方向が45度の方向と
なる様にラビング処理などの方法により配向処理されて
いる。この際、液晶25としては正の誘電異方法をもつネ
マチツク液晶（NP型液晶）が使用されている。コモン電
極23と24aに電圧を印加した時にはこの電極間の液晶25
の分子軸は電界方向に配向し、入射光Ｉに対して暗状態
が形成される。一方、電極23と24bの電圧を液晶25の閾
値電圧以下にすると、この電極間の液晶25の分子軸は初
期配向方向、すなわちラビング方向に配向する。この
時、入射光Ｉは透過光Ｔとなつて明状態が形成される。
第３図（Ａ）は、本発明で用いる液晶素子の断面図で、
基板301（ガラス、プラスチツクなど）のTFTが形成され
ている態様を示している。TFTは、フレーム周波数ｆの
ゲートオンパルスを印加するゲート線に接続されたゲー
ト電極302、電圧VSの情報信号を印加するデータ線に接
続されたソース電極303と、このデータ信号を出力信号
として取り出すドレイン電極304の３つの端子を有して
いる。又、ドレイン電極304はマイクロシヤツタ部を形
成するセグメント電極307に接続されている。ゲート電
極302に走査信号を印加するとアモルフアスシリコンフ
イルム305の抵抗が低下し、ソース電極303とドレイン電
極304が接続状態となる。
基板301（ガラス、プラスチツクなど）のTFTが形成され
ている態様を示している。TFTは、フレーム周波数ｆの
ゲートオンパルスを印加するゲート線に接続されたゲー
ト電極302、電圧VSの情報信号を印加するデータ線に接
続されたソース電極303と、このデータ信号を出力信号
として取り出すドレイン電極304の３つの端子を有して
いる。又、ドレイン電極304はマイクロシヤツタ部を形
成するセグメント電極307に接続されている。ゲート電
極302に走査信号を印加するとアモルフアスシリコンフ
イルム305の抵抗が低下し、ソース電極303とドレイン電
極304が接続状態となる。
本発明で用いるTFTは、ゲート電極302とアモルフアスシ
リコンフイルム305の間に挟まれたゲート絶縁膜306とし
て、水素原子をドープした6000Åのチツ化シリコン（比
誘電率;6.6）が使用される。このチツ化シリコンフイル
ムはゲート電極302となるクロム／アルミニウム積層蒸
着フイルムとセグメント電極307となるITO（Indinm Tin
Oxinde）の蒸着フイルムが所定形状でパターニングさ
れた基板301の上にグロー放電下で全面に亘つて形成さ
れる。又、ドレイン電極304とセグメント電極307は、チ
ツ化シリコンフイルムに設けたスルーホール308を介し
て接続される。
リコンフイルム305の間に挟まれたゲート絶縁膜306とし
て、水素原子をドープした6000Åのチツ化シリコン（比
誘電率;6.6）が使用される。このチツ化シリコンフイル
ムはゲート電極302となるクロム／アルミニウム積層蒸
着フイルムとセグメント電極307となるITO（Indinm Tin
Oxinde）の蒸着フイルムが所定形状でパターニングさ
れた基板301の上にグロー放電下で全面に亘つて形成さ
れる。又、ドレイン電極304とセグメント電極307は、チ
ツ化シリコンフイルムに設けたスルーホール308を介し
て接続される。
この様なTFTとセグメント電極をもつ基板301の上に、さ
らに水素原子をドープしたチツ化シリコンフイルムで形
成した絶縁膜309と配向制御膜310が形成されている。こ
の配向制御膜310として1000Åのポリイミドフイルムが
使用される。
らに水素原子をドープしたチツ化シリコンフイルムで形
成した絶縁膜309と配向制御膜310が形成されている。こ
の配向制御膜310として1000Åのポリイミドフイルムが
使用される。
本発明で用いる液晶素子は、前述のTFTをマウリクス状
に配置したTFTをマトリクス基板と対向基板311の間にネ
マチツク液晶313、NP型液晶が第１図で示した配向状態
で挟持されている。対向基板311の上には、コモン電極3
12となるITOフイルムが形成され、さらに前述した液晶
−シヤツタアレイの場合ではマイクロシヤツタ部を形成
するために開口部以外を遮光するためのクロム／アルミ
ニウム積層蒸着フイルムよりなる遮光膜314が対向電極3
12の上に積層されている。これらコモン電極312と遮光
膜314の上に配向制御膜315がポリイミドなどによつて形
成されている。
に配置したTFTをマトリクス基板と対向基板311の間にネ
マチツク液晶313、NP型液晶が第１図で示した配向状態
で挟持されている。対向基板311の上には、コモン電極3
12となるITOフイルムが形成され、さらに前述した液晶
−シヤツタアレイの場合ではマイクロシヤツタ部を形成
するために開口部以外を遮光するためのクロム／アルミ
ニウム積層蒸着フイルムよりなる遮光膜314が対向電極3
12の上に積層されている。これらコモン電極312と遮光
膜314の上に配向制御膜315がポリイミドなどによつて形
成されている。
第３図（Ｂ）は、本発明で用いる液晶シヤツタアレイを
模式的に表わした断面図である。本発明の液晶シヤツタ
アレイは、TFT部316が液晶素子317の基板301と同一基板
301′の上で、且つ液晶素子317の外部に形成されてい
る。特に、TFT316は液晶素子317の基板301とコモン電極
312を設けた対向基板311間の液晶313を封止するために
形成したエポキシ系接着剤などによる封止部材318の外
側に配置されていることが好ましい。又、TFT316は液晶
素子317の基板301とは別にIC回路などの外部回路基板
（図示せず）の上に設けることもできる。図中の第３図
（Ａ）と同一符号のものは、同一部材を表わしている。
又、図中319と320はクロスニコルの偏光子で、321はク
ロム、アルミニウムなどによるTFT316の半導体膜305に
対する遮光膜を表わしている。
模式的に表わした断面図である。本発明の液晶シヤツタ
アレイは、TFT部316が液晶素子317の基板301と同一基板
301′の上で、且つ液晶素子317の外部に形成されてい
る。特に、TFT316は液晶素子317の基板301とコモン電極
312を設けた対向基板311間の液晶313を封止するために
形成したエポキシ系接着剤などによる封止部材318の外
側に配置されていることが好ましい。又、TFT316は液晶
素子317の基板301とは別にIC回路などの外部回路基板
（図示せず）の上に設けることもできる。図中の第３図
（Ａ）と同一符号のものは、同一部材を表わしている。
又、図中319と320はクロスニコルの偏光子で、321はク
ロム、アルミニウムなどによるTFT316の半導体膜305に
対する遮光膜を表わしている。
第４図（Ａ）は、本発明の液晶シヤツタアレイで用いる
TFTマトリクス基板の回路で、第４図（Ｂ）はその平面
図を表わしている。TFTマトリクスは、アレイ状にTFT40
11,4012,4013,4014,4015,4016,4017,4018……（TFT:40
1）が配置された構造を有している。TFT401は、走査信
号をゲート電極に印加するゲート線（4021,4022,4023,4
024）群402、情報（データ）信号をソース電極に印加す
るデータ線（4031,4032…）群403データ線403からのデ
ータ信号が出力信号として印加されるドレイン電極405
1,4052,4053,5054と接続したマイクロシヤツタのセグメ
ント電極（4041,4042,4043,4044,4045,4046,4047,4048
…）群404がそれぞれ接続されている。
TFTマトリクス基板の回路で、第４図（Ｂ）はその平面
図を表わしている。TFTマトリクスは、アレイ状にTFT40
11,4012,4013,4014,4015,4016,4017,4018……（TFT:40
1）が配置された構造を有している。TFT401は、走査信
号をゲート電極に印加するゲート線（4021,4022,4023,4
024）群402、情報（データ）信号をソース電極に印加す
るデータ線（4031,4032…）群403データ線403からのデ
ータ信号が出力信号として印加されるドレイン電極405
1,4052,4053,5054と接続したマイクロシヤツタのセグメ
ント電極（4041,4042,4043,4044,4045,4046,4047,4048
…）群404がそれぞれ接続されている。
本実施例では、データ線4031にTFT4011,4012,4013,と40
14が共通接続され、データ線4032にTF4015,4016,4017と
4018が共通接続されている。一方、ゲート線4021にTFT4
011,4015が共通接続されている。同様に他のゲート線に
ついても図示する如くTFTと共通接続されている。本実
施例では４次時分割駆動方式について明らかにしたもの
であるが、本発明ではTFTが前述の式（１）を満たすこ
とによつて高次、例えば時分割数30以上の多時分割駆動
方式とすることができる。
14が共通接続され、データ線4032にTF4015,4016,4017と
4018が共通接続されている。一方、ゲート線4021にTFT4
011,4015が共通接続されている。同様に他のゲート線に
ついても図示する如くTFTと共通接続されている。本実
施例では４次時分割駆動方式について明らかにしたもの
であるが、本発明ではTFTが前述の式（１）を満たすこ
とによつて高次、例えば時分割数30以上の多時分割駆動
方式とすることができる。
又、本実施例ではマイクロシヤツタのセグメント電極群
404が順次チドリ状に配列されているが、これはマイク
ロシヤツタ部が順次時分割で情報の書き込みが行なわれ
るため、副走査方向405へ常に移動している像保持部材
である感光ドラム（図示せず）上での情報書き込みが１
フレーム中で直線となつて行なうためである。
404が順次チドリ状に配列されているが、これはマイク
ロシヤツタ部が順次時分割で情報の書き込みが行なわれ
るため、副走査方向405へ常に移動している像保持部材
である感光ドラム（図示せず）上での情報書き込みが１
フレーム中で直線となつて行なうためである。
第４図（Ｃ）は、第４図（Ｂ）のＡ−Ａ′断面図を表わ
している。図中、基板409の上に形成したゲート線4021
上には絶縁膜407が一面に亘つて覆われているが、交差
するゲート線4022,4023,と4024をまたいで、コンタクト
ホール406を通して、それぞれが導電膜410によつて接続
されている。これらの交差して配置したゲート線上に
は、絶縁膜408が設けられ、その上にデータ線4031が配
置されている。
している。図中、基板409の上に形成したゲート線4021
上には絶縁膜407が一面に亘つて覆われているが、交差
するゲート線4022,4023,と4024をまたいで、コンタクト
ホール406を通して、それぞれが導電膜410によつて接続
されている。これらの交差して配置したゲート線上に
は、絶縁膜408が設けられ、その上にデータ線4031が配
置されている。
第５図は、液晶シヤツタアレイを用いて光信号を感光ド
ラムに与えるための概略構成を示している。但し、帯電
器、現像器、クリーニングなどは省略している。53は、
前述の如き液晶シヤツタアレイ、51は感光ドラム（アモ
ルフアスシリコン感光体、有機光導電性感光体）、54は
螢光灯などの光源、52はセルフオツクレンズなどのレン
ズアレイ、55は集光カバーである。感光ドラム51は副走
査方向56の方向に回転し、この感光ドラム51の面に、光
源54と液晶シヤツタアレイ53からなるプリンタヘツド部
57から発生した光信号を照射することによつて情報信号
に応じた静電荷像を形成することができる。このため、
レーザビームより発生した光信号を照射する方式の電子
写真複写機に較べ装置の小型化が可能で、レーザビーム
を照射する方式で使用されるポリゴンスキヤナの様な機
械的駆動部がないため騒音がなく、又激しい機械的精度
の要求を小さくすることができる利点がある。しかも、
前述の式（１）を満足するTFTを用いた液晶シヤツタア
レイであるために、S/N比を５以上とすることができ、
良質のコピー画像が形成される。
ラムに与えるための概略構成を示している。但し、帯電
器、現像器、クリーニングなどは省略している。53は、
前述の如き液晶シヤツタアレイ、51は感光ドラム（アモ
ルフアスシリコン感光体、有機光導電性感光体）、54は
螢光灯などの光源、52はセルフオツクレンズなどのレン
ズアレイ、55は集光カバーである。感光ドラム51は副走
査方向56の方向に回転し、この感光ドラム51の面に、光
源54と液晶シヤツタアレイ53からなるプリンタヘツド部
57から発生した光信号を照射することによつて情報信号
に応じた静電荷像を形成することができる。このため、
レーザビームより発生した光信号を照射する方式の電子
写真複写機に較べ装置の小型化が可能で、レーザビーム
を照射する方式で使用されるポリゴンスキヤナの様な機
械的駆動部がないため騒音がなく、又激しい機械的精度
の要求を小さくすることができる利点がある。しかも、
前述の式（１）を満足するTFTを用いた液晶シヤツタア
レイであるために、S/N比を５以上とすることができ、
良質のコピー画像が形成される。
次に、第４図に示す配列状態のシヤツタ開口部（W1,W2
…）で４次時分割駆動を行なう場合のドツトパターンを
形成する例を説明する。
…）で４次時分割駆動を行なう場合のドツトパターンを
形成する例を説明する。
第６図は、液晶シヤツタアレイに印加する駆動信号のタ
イムチヤートの具体例を表わしている。ここで、G1〜G4
はゲート線4021,4022,4023,と4024に印加する電圧波形
で、電位V2のゲートオンパルスが印加された時TFTがオ
ン状態となりソース電極とドレイン電極の間が導通状態
となる。一方、電位が−V1で印加された時にはTFTはオ
フ状態となり、ソース電極とドレイン電極の間がカツト
オフ状態となり、電気的に遮断される。従つて、ゲート
電極の印加電圧がV2の時TFTのドレイン電極に接続され
たセグメント電極の電位がTFTのソース電極に接続され
たデータ線に印加した電位に変化し、次にゲート電極の
印加電圧を−V1にすると、その直前でデータ線に印加し
た電位がセグメント電極に保持される。
イムチヤートの具体例を表わしている。ここで、G1〜G4
はゲート線4021,4022,4023,と4024に印加する電圧波形
で、電位V2のゲートオンパルスが印加された時TFTがオ
ン状態となりソース電極とドレイン電極の間が導通状態
となる。一方、電位が−V1で印加された時にはTFTはオ
フ状態となり、ソース電極とドレイン電極の間がカツト
オフ状態となり、電気的に遮断される。従つて、ゲート
電極の印加電圧がV2の時TFTのドレイン電極に接続され
たセグメント電極の電位がTFTのソース電極に接続され
たデータ線に印加した電位に変化し、次にゲート電極の
印加電圧を−V1にすると、その直前でデータ線に印加し
た電位がセグメント電極に保持される。
Ｃは、コモン電極に印加する電圧波形で、本実施例では
常に電位が０に保持されている。S1はソース電極（デー
タ電極）に印加する電圧波形で、開口部W1,W2……をオ
ンかオフの何れかに設定するに従つて、電位を０かＶと
する電圧が印加される。
常に電位が０に保持されている。S1はソース電極（デー
タ電極）に印加する電圧波形で、開口部W1,W2……をオ
ンかオフの何れかに設定するに従つて、電位を０かＶと
する電圧が印加される。
次に、開口部W1に注目してシヤツタ開閉の動作制御につ
いて説明する。
いて説明する。
時間T11において、マイクロシヤツタ部W1のセグメント
電極4041と接続されているTFT4011のゲート線4021
（G1）に接続されたゲート電極の電位がV2となり、TFT4
011はオン状態となる。時間τ11とτ12（τ11＋τ12＝T
11）ではデータ電極4031（S1）の電位はＶであるので、
マイクロシヤツタ部W1のセグメント電極4041の電位もほ
ぼＶとなる。従つて、この時マイクロシヤツタ部W1はオ
フ状態となつている。続く時間τ13ではゲート線4021
（G1）に接続されたゲート電極の電位が−V1となるの
で、たとえデータ電極4031（S1）に電圧が印加されて
も、マイクロシヤツタ部W1のセグメント電極は電位Ｖ保
持することができる。τ13＝T12＋T13＋T14で、T12はゲ
ート線4022（G2）に、T13はゲート線4023（G3）に、T14
はゲート線4024（G4）にそれぞれV2の電圧を印加する期
間である。従つて、T11＋T12＋T13＋T14が１フレーム期
間となる。続くフレーム期間の時間T21で再びゲート電
極（G1）の電位がV2となつてTFT4011がオン状態とな
る。この時間T21の前半の時間τ21でデータ電極（S1）
の電位がＶとなり、マイクロシヤツタ部W1のセグメント
電極に電圧Ｖが付与され、続く後半の時間τ22（TFTの
オン状態が保持されている）でデータ電極（S1）の電位
が０となるので、マイクロシヤツタ部W1のセグメント電
極の電位が０に変化し、続く時間τ23（＝T22＋T23＋T
24）の間、電位０が保持される。従つてマイクロシヤツ
タ部W1に相当する液晶に印加される電圧が０となつてい
るため、第２図で説明した様にシヤツタのオン状態（光
透過状態）が１フレーム期間に形成される。
電極4041と接続されているTFT4011のゲート線4021
（G1）に接続されたゲート電極の電位がV2となり、TFT4
011はオン状態となる。時間τ11とτ12（τ11＋τ12＝T
11）ではデータ電極4031（S1）の電位はＶであるので、
マイクロシヤツタ部W1のセグメント電極4041の電位もほ
ぼＶとなる。従つて、この時マイクロシヤツタ部W1はオ
フ状態となつている。続く時間τ13ではゲート線4021
（G1）に接続されたゲート電極の電位が−V1となるの
で、たとえデータ電極4031（S1）に電圧が印加されて
も、マイクロシヤツタ部W1のセグメント電極は電位Ｖ保
持することができる。τ13＝T12＋T13＋T14で、T12はゲ
ート線4022（G2）に、T13はゲート線4023（G3）に、T14
はゲート線4024（G4）にそれぞれV2の電圧を印加する期
間である。従つて、T11＋T12＋T13＋T14が１フレーム期
間となる。続くフレーム期間の時間T21で再びゲート電
極（G1）の電位がV2となつてTFT4011がオン状態とな
る。この時間T21の前半の時間τ21でデータ電極（S1）
の電位がＶとなり、マイクロシヤツタ部W1のセグメント
電極に電圧Ｖが付与され、続く後半の時間τ22（TFTの
オン状態が保持されている）でデータ電極（S1）の電位
が０となるので、マイクロシヤツタ部W1のセグメント電
極の電位が０に変化し、続く時間τ23（＝T22＋T23＋T
24）の間、電位０が保持される。従つてマイクロシヤツ
タ部W1に相当する液晶に印加される電圧が０となつてい
るため、第２図で説明した様にシヤツタのオン状態（光
透過状態）が１フレーム期間に形成される。
第６図中の|W1−C|で、マイクロシヤツタ部W1のセグメ
ント電極とコモン電極間、すなわち液晶に印加される電
圧波形を時系列に従つて明らかにしている。これに従え
ば時間τ12＋τ13＋τ21で|W1−C|は電位差Ｖとなつて
いて、次のフレーム期間のうち時間τ22＋τ23で|W1−C
|は電位差０となつている。この時のマイクロシヤツタ
部W1の時系列における透過率の変化を第６図中のTr1で
明らかにしている。この図示によれば、時間τ12＋τ13
＋τ21の期間においては、マイクロシヤツタ部W1の透過
率はTrd（暗レベル）であり、時間τ22＋τ23＋τ31の
期間においてはマイクロシヤツタ部W1の透過率はTrl
（明レベル）まで徐々に上昇し、次のフレーム期間のτ
31でW1−ＣがＶとなる場合では図示する如くTrdに復帰
する。
ント電極とコモン電極間、すなわち液晶に印加される電
圧波形を時系列に従つて明らかにしている。これに従え
ば時間τ12＋τ13＋τ21で|W1−C|は電位差Ｖとなつて
いて、次のフレーム期間のうち時間τ22＋τ23で|W1−C
|は電位差０となつている。この時のマイクロシヤツタ
部W1の時系列における透過率の変化を第６図中のTr1で
明らかにしている。この図示によれば、時間τ12＋τ13
＋τ21の期間においては、マイクロシヤツタ部W1の透過
率はTrd（暗レベル）であり、時間τ22＋τ23＋τ31の
期間においてはマイクロシヤツタ部W1の透過率はTrl
（明レベル）まで徐々に上昇し、次のフレーム期間のτ
31でW1−ＣがＶとなる場合では図示する如くTrdに復帰
する。
又、図中の|W2−C|はマイクロシヤツタ部W2の電極とコ
モン電極間の時系列における電位差を示し、Tr2はその
時の透過率の変化を表わしている。
モン電極間の時系列における電位差を示し、Tr2はその
時の透過率の変化を表わしている。
第７図は、光スポツト像のドツト▲ｄ1 1▼と▲ｄ2 1▼を
作成する際のシーケンスを示している。各ドツトのう
ち、第１列のドツト（▲ｄ1 1▼，▲ｄ2 1▼，▲ｄ3 1▼，
▲ｄ4 1▼……）はマイクロシヤツタ部W1のオンとオフに
対し、第２列のドツト（▲ｄ1 2▼，▲ｄ2 2▼，▲ｄ
3 2▼，▲ｄ4 2▼……）はマイクロシヤツタ部W2のオンと
オフに対応している。又、各行のドツトはそれぞれマイ
クロシヤツタ部W1,W2,W3,W4……に対応している。ここ
で、ドツト▲ｄ1 1▼，▲ｄ1 4▼，▲ｄ2 3▼，▲ｄ3 1▼，
▲ｄ3 2▼，▲ｄ4 2▼と▲ｄ4 4▼は暗レベルで、その他の
ドツトは明レベルであるとする。尚、図中71は主走査方
向,72は副走査方向を表わしている。
作成する際のシーケンスを示している。各ドツトのう
ち、第１列のドツト（▲ｄ1 1▼，▲ｄ2 1▼，▲ｄ3 1▼，
▲ｄ4 1▼……）はマイクロシヤツタ部W1のオンとオフに
対し、第２列のドツト（▲ｄ1 2▼，▲ｄ2 2▼，▲ｄ
3 2▼，▲ｄ4 2▼……）はマイクロシヤツタ部W2のオンと
オフに対応している。又、各行のドツトはそれぞれマイ
クロシヤツタ部W1,W2,W3,W4……に対応している。ここ
で、ドツト▲ｄ1 1▼，▲ｄ1 4▼，▲ｄ2 3▼，▲ｄ3 1▼，
▲ｄ3 2▼，▲ｄ4 2▼と▲ｄ4 4▼は暗レベルで、その他の
ドツトは明レベルであるとする。尚、図中71は主走査方
向,72は副走査方向を表わしている。
本発明の時分割駆動法では、例えば前記の如き４次時分
割駆動によりマイクロシヤツタ部を動作すると、１フレ
ーム期間中でマイクロシヤツタ部のオン状態（光透過状
態）あるいはオフ状態（光遮断状態）を保持することが
できる。すなわち、暗レベルのドツトを形成する時に
は、１行分のドツト生成時間（τ12＋τ13＋τ21）に亘
つて透過率を暗レベル（Trd）とし、又明レベルのドツ
トを形成する時には１行分のドツト生成時間（τ22＋τ
23＋τ31）に亘つて透過率を明レベル（Trl）とするこ
とができる。この時の明暗比、すなわちS/N比は第６図
中の面ＡとＢとの比に相当したものとなり、従来の液晶
シヤツタアレイで使用されていた単純マトリクス方式の
場合と較べてS/N比を大幅に向上することができる。
割駆動によりマイクロシヤツタ部を動作すると、１フレ
ーム期間中でマイクロシヤツタ部のオン状態（光透過状
態）あるいはオフ状態（光遮断状態）を保持することが
できる。すなわち、暗レベルのドツトを形成する時に
は、１行分のドツト生成時間（τ12＋τ13＋τ21）に亘
つて透過率を暗レベル（Trd）とし、又明レベルのドツ
トを形成する時には１行分のドツト生成時間（τ22＋τ
23＋τ31）に亘つて透過率を明レベル（Trl）とするこ
とができる。この時の明暗比、すなわちS/N比は第６図
中の面ＡとＢとの比に相当したものとなり、従来の液晶
シヤツタアレイで使用されていた単純マトリクス方式の
場合と較べてS/N比を大幅に向上することができる。
しかも、本発明ではTFTのチヤネル部におけるチヤネル
長Ｌとチヤネル巾Ｗの比W/Lがゲートオンパルスの周波
数ｆとデータ信号の電圧VSの間で前述の式（１）の関係
をもつことによつて、超高速で駆動させることができ
る。例えば、W/L＝100μm/5μｍ＝20とし、容量型負荷
要素である液晶の容量を0.2PF（ピコフアラド）とする
と、データ信号VSを22ボルトとした時にドレイン電極で
は95％以上の20ボルトの出力信号を得ることができると
ともに、ゲートオンパスルのゲート最低オン時間を５μ
sec程度とすることができ、時分割数ｎとして48が可能
となる。この時チヤネル長Ｌは５μｍ以上とすることが
よく、又チヤネル巾Ｗは７μｍ〜1.4mm好ましくは50μ
ｍ〜μｍとすることが適している。さらに、本発明では
ゲートオンパルスのフレーム周波数ｆは500Hz以上、好
ましくは800Hz〜2M Hzが適しており、従つてゲートパル
スは0.24μsec〜50μsec、特に1.25μsec〜10μsecで印
加できる。又データ信号VSは15ボルト以上、好ましくは
20ボルト〜60ボルトとすることが適している。
長Ｌとチヤネル巾Ｗの比W/Lがゲートオンパルスの周波
数ｆとデータ信号の電圧VSの間で前述の式（１）の関係
をもつことによつて、超高速で駆動させることができ
る。例えば、W/L＝100μm/5μｍ＝20とし、容量型負荷
要素である液晶の容量を0.2PF（ピコフアラド）とする
と、データ信号VSを22ボルトとした時にドレイン電極で
は95％以上の20ボルトの出力信号を得ることができると
ともに、ゲートオンパスルのゲート最低オン時間を５μ
sec程度とすることができ、時分割数ｎとして48が可能
となる。この時チヤネル長Ｌは５μｍ以上とすることが
よく、又チヤネル巾Ｗは７μｍ〜1.4mm好ましくは50μ
ｍ〜μｍとすることが適している。さらに、本発明では
ゲートオンパルスのフレーム周波数ｆは500Hz以上、好
ましくは800Hz〜2M Hzが適しており、従つてゲートパル
スは0.24μsec〜50μsec、特に1.25μsec〜10μsecで印
加できる。又データ信号VSは15ボルト以上、好ましくは
20ボルト〜60ボルトとすることが適している。
又、前述の式（１）を満たしていないチヤネル長Ｌとチ
ヤネル巾ＷのTFTではデータ信号VSの出力信号がドレイ
ン側で95％以下となり、このため十分な開閉効率が得ら
れず、画像形成時のS/N比が５以下となり、満足できる
コピー画像が得られない。
ヤネル巾ＷのTFTではデータ信号VSの出力信号がドレイ
ン側で95％以下となり、このため十分な開閉効率が得ら
れず、画像形成時のS/N比が５以下となり、満足できる
コピー画像が得られない。
特にW/Lが290を越えるとゲートパルスが50μsec以上の
印加時間を必要とし、高速（例えば毎分10枚以上のコピ
ーを作成する）複写機には適していない。本発明の好ま
しい具体例ではW/Lを10〜80と設定することによつてゲ
ートパルスを1.25μsec〜10μsecの印加時間で付与する
ことができる。
印加時間を必要とし、高速（例えば毎分10枚以上のコピ
ーを作成する）複写機には適していない。本発明の好ま
しい具体例ではW/Lを10〜80と設定することによつてゲ
ートパルスを1.25μsec〜10μsecの印加時間で付与する
ことができる。
実際、表１のように、マグベス濃度計で、本発明の画像
形成装置によって得られた画像のベタ黒部と、ベタ白部
の画像濃度の差は、従来例のものと比べて大きく、また
その差は、印字が高速になる程頚著になるという結果が
得られている。
形成装置によって得られた画像のベタ黒部と、ベタ白部
の画像濃度の差は、従来例のものと比べて大きく、また
その差は、印字が高速になる程頚著になるという結果が
得られている。
本発明で用いるTFTは、半導体膜305として水素原子をド
ーピングしたアモルフアスシリコンを用いることが好ま
しい。半導体膜305の膜厚は、任意設定することができ
るが、1000Å〜3000Åが一般的である。又、ゲート絶縁
膜306としては、水素原子をドーピングしたチツ化シリ
コンが好ましい。この時の膜厚は、3000Å〜6000Åが適
している。
ーピングしたアモルフアスシリコンを用いることが好ま
しい。半導体膜305の膜厚は、任意設定することができ
るが、1000Å〜3000Åが一般的である。又、ゲート絶縁
膜306としては、水素原子をドーピングしたチツ化シリ
コンが好ましい。この時の膜厚は、3000Å〜6000Åが適
している。
又、本実施例では第６図に示す様にゲート線を走査する
初期期間において、この走査信号と同期させて入力する
情報信号には電圧Ｖが付加されている。これは、前述の
第２図に示す方式の液晶に印加される電圧を０とする
と、透過率は第８図に示す様に時間に対して波形状に変
化する。の現象は一般に光のバウンシング現象と呼ばれ
ている。従つて、第８図によれば１つのマイクロシヤツ
タ部でオン状態が３τに亘つて連続すると、透過率が時
間Ｔを境に低下するためそれぞれの書き込み時の透過率
が相違し、このため各ドツト毎の明暗比（プリント画像
のコントラスト）にバラツキを生じる問題があつた。そ
こで、本実施例では各書き込み時におけるシヤツタ部の
オン状態での透過率を一様とするために、前述した様に
書き込み時の初期期間で走査信号と同期に入力される情
報信号に電圧Ｖを付加し、強制的に一担液晶に電圧Ｖを
印加して暗状態を形成すると、次にマイクロシヤツタ部
のオン状態が続いても再び第８図に示す１ドツト書き込
み時間τにおける透過率となり、各ドツトにおけるオン
状態での透過率を全て一様なものとすることができる。
初期期間において、この走査信号と同期させて入力する
情報信号には電圧Ｖが付加されている。これは、前述の
第２図に示す方式の液晶に印加される電圧を０とする
と、透過率は第８図に示す様に時間に対して波形状に変
化する。の現象は一般に光のバウンシング現象と呼ばれ
ている。従つて、第８図によれば１つのマイクロシヤツ
タ部でオン状態が３τに亘つて連続すると、透過率が時
間Ｔを境に低下するためそれぞれの書き込み時の透過率
が相違し、このため各ドツト毎の明暗比（プリント画像
のコントラスト）にバラツキを生じる問題があつた。そ
こで、本実施例では各書き込み時におけるシヤツタ部の
オン状態での透過率を一様とするために、前述した様に
書き込み時の初期期間で走査信号と同期に入力される情
報信号に電圧Ｖを付加し、強制的に一担液晶に電圧Ｖを
印加して暗状態を形成すると、次にマイクロシヤツタ部
のオン状態が続いても再び第８図に示す１ドツト書き込
み時間τにおける透過率となり、各ドツトにおけるオン
状態での透過率を全て一様なものとすることができる。
従つて、この強制的なシヤツター閉時間をデータ書込の
直前又は直後に設定することにより、データ書込みの際
のシヤツター開時及びシヤツター閉時の両状態におい
て、常に安定した透過光量が得られ、常に安定したコン
トラストのプリント画像を得ることが可能となる。各ド
ツトを形成するためのデータ信号をデータ電極に与える
前に、前回のドツト形成が明レベルか暗レベルかの如何
にかかわらず、液晶層に電圧が印加される様に信号を与
えることができる。この時、液晶層に電圧が与えられ、
充分に透過率が低くなる時間をτ11とし、時間τ12でTF
T401を介してセグメント電極404の電位がデータ電極403
の電位に変化するのに充分な時間にする必要がある。
直前又は直後に設定することにより、データ書込みの際
のシヤツター開時及びシヤツター閉時の両状態におい
て、常に安定した透過光量が得られ、常に安定したコン
トラストのプリント画像を得ることが可能となる。各ド
ツトを形成するためのデータ信号をデータ電極に与える
前に、前回のドツト形成が明レベルか暗レベルかの如何
にかかわらず、液晶層に電圧が印加される様に信号を与
えることができる。この時、液晶層に電圧が与えられ、
充分に透過率が低くなる時間をτ11とし、時間τ12でTF
T401を介してセグメント電極404の電位がデータ電極403
の電位に変化するのに充分な時間にする必要がある。
第９図は、前述の液晶シヤツタアレイを用いた電子写真
複写機の１例を示すもので、感光ドラム901を矢印902の
方向に回転駆動させ、まず帯電器903により感光ドラム9
01を一様に帯電させ、液晶シヤツタアレイ904を駆動さ
せて、背後に配置した光源905よりの光線を選択的に開
閉制御して光信号を発生させ、この光信号を帯電された
感光ドラム901に照射して帯電潜像が形成される。
複写機の１例を示すもので、感光ドラム901を矢印902の
方向に回転駆動させ、まず帯電器903により感光ドラム9
01を一様に帯電させ、液晶シヤツタアレイ904を駆動さ
せて、背後に配置した光源905よりの光線を選択的に開
閉制御して光信号を発生させ、この光信号を帯電された
感光ドラム901に照射して帯電潜像が形成される。
この静電潜像は、現像器906のトナーにより現像され、
このトナー像は転写ガイド907を通つてきた複写用紙Ｐ
（転写紙）上に転写帯電器908により転写される。画像
の転写を受けた複写用紙Ｐは分離ベルト装置909により
感光ドラム901から順次に分離され、次いで定着装置910
で画像が定着されるようになつている。また、転写後感
光ドラム901の表面上に残留したトナーはクリーニング
装置911により除去され、前露光装置912により感光ドラ
ム901が除電され、再び次の複写サイクルが可能になる
ようにしてある。ところで、第９図に於る液晶シヤツタ
アレイ904には前述の第２図に示す液晶セルを採用して
いる。つまり、露光光源905からの光線を液晶セルを備
えた液晶シヤツタアレイ904、セルフオクレンズなどの
レンズアレー913を介して感光体901の上に結像する際
に、図示していない原稿情報読み取り装置によつて得ら
れた画像情報を含んだデイジタル信号により液晶駆動回
路914を動作させて液晶シヤツターアレイ1504をON−OFF
させることにより、画像情報のパターンを有する光信号
を感光体901の上に露光するようになつている。この実
施例に於ては露光光源905が液晶セルの加熱の機能も果
しており、感熱素子920に接続された液晶温度制御回路9
16で液晶冷却用フアン917を動作させることにより、液
晶セルの過熱を防止し、液晶セルを一定温度に維持する
ようにすることができる。図中918は反射笠、919はレン
ズアレー913を液晶シヤツター装置へ装着するための部
材である。
このトナー像は転写ガイド907を通つてきた複写用紙Ｐ
（転写紙）上に転写帯電器908により転写される。画像
の転写を受けた複写用紙Ｐは分離ベルト装置909により
感光ドラム901から順次に分離され、次いで定着装置910
で画像が定着されるようになつている。また、転写後感
光ドラム901の表面上に残留したトナーはクリーニング
装置911により除去され、前露光装置912により感光ドラ
ム901が除電され、再び次の複写サイクルが可能になる
ようにしてある。ところで、第９図に於る液晶シヤツタ
アレイ904には前述の第２図に示す液晶セルを採用して
いる。つまり、露光光源905からの光線を液晶セルを備
えた液晶シヤツタアレイ904、セルフオクレンズなどの
レンズアレー913を介して感光体901の上に結像する際
に、図示していない原稿情報読み取り装置によつて得ら
れた画像情報を含んだデイジタル信号により液晶駆動回
路914を動作させて液晶シヤツターアレイ1504をON−OFF
させることにより、画像情報のパターンを有する光信号
を感光体901の上に露光するようになつている。この実
施例に於ては露光光源905が液晶セルの加熱の機能も果
しており、感熱素子920に接続された液晶温度制御回路9
16で液晶冷却用フアン917を動作させることにより、液
晶セルの過熱を防止し、液晶セルを一定温度に維持する
ようにすることができる。図中918は反射笠、919はレン
ズアレー913を液晶シヤツター装置へ装着するための部
材である。
第１図は、TFTを模式的に表わした平面図である。 第２図は、本発明で用いる液晶素子の断面図である。 第３図（Ａ）は、本発明のTFTを用いた液晶素子の断面
図で、第３図（Ｂ）は本発明の別の液晶素子の断面図で
ある。 第４図（Ａ）は、本発明の液晶シヤツタアレイの等価回
路を示す説明図である。第４図（Ｂ）は本発明の液晶シ
ヤツタアレイの平面図で、第４図（Ｃ）はそのＡ−Ａ′
断面図である。 第５図は、本発明で用いるプリンタヘツド部の斜視図で
ある。 第６図は、本発明の液晶シヤツタアレイに印加する駆動
信号のタイムチヤートを表わす説明図である。 第７図は、本発明の液晶シヤツタアレイによるドツト作
成の際のシーケンスを表わす説明図である。 第８図は、シヤツタオン状態時の時系列における光透過
率の変化を表わす説明図である。 第９図は、本発明の画像形成装置を模式的に表わす断面
図である。 302:ゲート電極 306:ゲート絶縁膜 305:半導体膜 303:ソース（データ）電極 304:ドレイン電極 307:セグメント電極 312:コモン電極 314:遮光膜 310,315:配向制御膜 313:液晶 401（4011,4012,…）:TFT 402（4021,4022,…）：ゲート線 403（4031,4032,…）：データ線 404（4041,4042,…）：セグメント電極 W1,W2,W3:マイクロシヤツタ部 405:副走査線 406:コンタクトホール 57:プリンタヘツド部 53,904:液晶シヤツタアレイ 51,901:感光ドラム 54,905:光源 52,913:レンズアレイ
図で、第３図（Ｂ）は本発明の別の液晶素子の断面図で
ある。 第４図（Ａ）は、本発明の液晶シヤツタアレイの等価回
路を示す説明図である。第４図（Ｂ）は本発明の液晶シ
ヤツタアレイの平面図で、第４図（Ｃ）はそのＡ−Ａ′
断面図である。 第５図は、本発明で用いるプリンタヘツド部の斜視図で
ある。 第６図は、本発明の液晶シヤツタアレイに印加する駆動
信号のタイムチヤートを表わす説明図である。 第７図は、本発明の液晶シヤツタアレイによるドツト作
成の際のシーケンスを表わす説明図である。 第８図は、シヤツタオン状態時の時系列における光透過
率の変化を表わす説明図である。 第９図は、本発明の画像形成装置を模式的に表わす断面
図である。 302:ゲート電極 306:ゲート絶縁膜 305:半導体膜 303:ソース（データ）電極 304:ドレイン電極 307:セグメント電極 312:コモン電極 314:遮光膜 310,315:配向制御膜 313:液晶 401（4011,4012,…）:TFT 402（4021,4022,…）：ゲート線 403（4031,4032,…）：データ線 404（4041,4042,…）：セグメント電極 W1,W2,W3:マイクロシヤツタ部 405:副走査線 406:コンタクトホール 57:プリンタヘツド部 53,904:液晶シヤツタアレイ 51,901:感光ドラム 54,905:光源 52,913:レンズアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長田 芳幸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 井上 豊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 山川 正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 里村 博 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−125861（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−167074（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−132191（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】光源、感光体及び該光源との間に配置した
シャッタアレイ手段を有する電子写真複写機において、
前記シャッタアレイ手段が一行に配置させた複数のマイ
クロシャッタ部を有し、該複数のマイクロシャッタ部は
ゲート、ソースとドレインとを備えたトランジスタ、該
トランジスタのドレインに接続したセグメント電極、対
向電極及び該セグメント電極と対向電極との間に配置し
た液晶を有していると共に、前記一行に配置させた複数
のマイクロシャッタ部は複数のグループに区分され、該
区分された各グループ毎に、各グループ内の複数のマイ
クロシャッタ部のそれぞれの位置が感光体の相対的移動
方向に対して互いにずれる様に配置され、且つグループ
内の各ｎ（ｎは1,2,・・・の整数）番目のマイクロシャ
ッタ部どうしの位置が該相対的移動方向の垂線と一致す
る様に配置され、該区分された各グループ内の全ソース
は共通に接続され、該区分された各グループ内の各ｎ番
目のゲートは該ｎ番目のゲートどうし共通に接続され、
前記トランジスタのチャネル部は、前記配線構造におけ
るソース線の配線方向に沿ったチャネル長Ｌと該配線方
向に対して垂直方向に沿ったチャネル幅Ｗとを有し、該
チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比W/Lを1.4〜290
の値に設定したことを特徴とする電子写真複写機。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091466A JPH0731319B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 電子写真複写機 |
| DE3514807A DE3514807C2 (de) | 1984-04-25 | 1985-04-24 | Vorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, zum Ansteuern einer Transistoranordnung |
| GB08510509A GB2159655B (en) | 1984-04-25 | 1985-04-25 | Image forming apparatus and driving method therefor |
| US07/300,698 US4884079A (en) | 1984-04-25 | 1989-01-19 | Image forming apparatus and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091466A JPH0731319B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 電子写真複写機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235120A JPS60235120A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0731319B2 true JPH0731319B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14027153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091466A Expired - Fee Related JPH0731319B2 (ja) | 1984-04-25 | 1984-05-08 | 電子写真複写機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731319B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132191A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-16 | Suwa Seikosha Kk | Active matrix substrate |
| JPS57167074A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-14 | Seiko Instr & Electronics | Picture display unit |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091466A patent/JPH0731319B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60235120A (ja) | 1985-11-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |