JPS60235120A - トランジスタの駆動法 - Google Patents
トランジスタの駆動法Info
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- JPS60235120A JPS60235120A JP9146684A JP9146684A JPS60235120A JP S60235120 A JPS60235120 A JP S60235120A JP 9146684 A JP9146684 A JP 9146684A JP 9146684 A JP9146684 A JP 9146684A JP S60235120 A JPS60235120 A JP S60235120A
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- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１よ
本発明の、ｎ行及びｍ列にマ） ＩＪクス配列した芥量
型負荷要素毎に設けたトランジスタ、特に薄膜トランジ
スタ（以下、ｌ’−ＴＦＴＪという）をｍ個ずつ線順次
駆動するｎ次時分割駆動法に関し、市に液晶シャッタア
レイに適したｎ次時分割駆動法に関する。
型負荷要素毎に設けたトランジスタ、特に薄膜トランジ
スタ（以下、ｌ’−ＴＦＴＪという）をｍ個ずつ線順次
駆動するｎ次時分割駆動法に関し、市に液晶シャッタア
レイに適したｎ次時分割駆動法に関する。
これまで、ｎ行の走査電極とｍ列の信号電極をマトリク
ス状に構成し、多数の画素を容量型負荷要素である液晶
で形成した液晶表示素子や液晶シャッタアレイは、よく
知られている。この液晶素子の駆動法としては、走査電
極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電
接群には所定の情報信号をアドレス信 号と同期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用
されている。この駆動法では、下記の式（１）で示す様
に時分割数が増すにつれてＶＯＮ Ｇｔン信号） ／
Ｖｏｔｆ（オフ信号）が１に近くな多画素を構成する誂
液晶素子の開閉効率か悪くなる。
ス状に構成し、多数の画素を容量型負荷要素である液晶
で形成した液晶表示素子や液晶シャッタアレイは、よく
知られている。この液晶素子の駆動法としては、走査電
極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信号電
接群には所定の情報信号をアドレス信 号と同期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用
されている。この駆動法では、下記の式（１）で示す様
に時分割数が増すにつれてＶＯＮ Ｇｔン信号） ／
Ｖｏｔｆ（オフ信号）が１に近くな多画素を構成する誂
液晶素子の開閉効率か悪くなる。
（６）
このため１％にシャッタアレイの場合では、十分なＳｌ
Ｎ比をもつ光信号を与えることができず、これを電子写
真複写機の像露光部（光信号発生部）に使用した時には
良好な画像を形成できない欠点を有している。
Ｎ比をもつ光信号を与えることができず、これを電子写
真複写機の像露光部（光信号発生部）に使用した時には
良好な画像を形成できない欠点を有している。
（式中、１／Ｎ ；デユーティ比、１／ａ；バイアス比
ｖｏ：印加電圧） 特に、時分割数も多くなし、さらに電子写真複写機のプ
ロセン・スピードを速めると、さらＩ因 に開用効率が低下し良好な画”像を形成できず。
ｖｏ：印加電圧） 特に、時分割数も多くなし、さらに電子写真複写機のプ
ロセン・スピードを速めると、さらＩ因 に開用効率が低下し良好な画”像を形成できず。
このため例えば毎分１０枚以上の割合でコピーを作成す
る複写機に適用できないなどの問題点がある。
る複写機に適用できないなどの問題点がある。
一方、スタティック駆動法では、名画素毎をドライバー
回路で制御することが必要となっている。例えば、Ａ−
４（日本工業規格）の短手（４） 幅で口↓１１累密度を１６ドツト／ ｖｒｗとした光ス
ポットを発生できる液晶−シャツタアレイの場合では、
６３６０個のドライブ回路を必要とし、ＩＣ１個当り６
２個のドライブ回路を集積した場合で１０５個のＩＣを
必要とすることになる。このため。
回路で制御することが必要となっている。例えば、Ａ−
４（日本工業規格）の短手（４） 幅で口↓１１累密度を１６ドツト／ ｖｒｗとした光ス
ポットを発生できる液晶−シャツタアレイの場合では、
６３６０個のドライブ回路を必要とし、ＩＣ１個当り６
２個のドライブ回路を集積した場合で１０５個のＩＣを
必要とすることになる。このため。
スタティック駆動法は筒密度の画素をもつ液晶−シャッ
タアレイを駆動するには適さない欠点がある。
タアレイを駆動するには適さない欠点がある。
電子写、Ｊ１ｊ、複写機の感光ドラムに光信号を付与す
るために用いている光信号発生部が液晶シャッタアレイ
と光源を有しているが、良質の画像を形成する上でシャ
ッタオン状態とオフ状態の間に太きない比をもつことが
必要で、通常５以上のＳ／Ｎ比をもつ開閉効率が要求さ
れている。
るために用いている光信号発生部が液晶シャッタアレイ
と光源を有しているが、良質の画像を形成する上でシャ
ッタオン状態とオフ状態の間に太きない比をもつことが
必要で、通常５以上のＳ／Ｎ比をもつ開閉効率が要求さ
れている。
一方、複写機には高速のプロセススピードが要のが現状
であった。
であった。
本発明者らは、前述の点につき鋭意検討を重ねたところ
、液晶シャッタアレイの各開口部を（５） ＴＰＴの駆動によってスイッチングすることにより十分
なＳ／Ｎ比をもつＩＩ！ＩＩ像を形成できるとともに、
ＴＰＴのチャネル部におけるチャネル長Ｌ（ＴＰＴの
ソースとドレイン間の長さ）に対するチャネル巾Ｗ（Ｔ
ＰＴのドレイン部の長さ）の比ＷＡを特定の値以上に設
計することによって。
、液晶シャッタアレイの各開口部を（５） ＴＰＴの駆動によってスイッチングすることにより十分
なＳ／Ｎ比をもつＩＩ！ＩＩ像を形成できるとともに、
ＴＰＴのチャネル部におけるチャネル長Ｌ（ＴＰＴの
ソースとドレイン間の長さ）に対するチャネル巾Ｗ（Ｔ
ＰＴのドレイン部の長さ）の比ＷＡを特定の値以上に設
計することによって。
ゲートオンパルスの時間を短縮できること、すなわち複
写機のプロセススピードを速めることができることを見
い出すことができた。
写機のプロセススピードを速めることができることを見
い出すことができた。
従って１本発明の目的は高次時分割駆動に適写
し、さらに高速のプロセス・スピードの０．′＋機に適
した液晶シャッタアレイで用いるトランジスタ、特に薄
膜トランジスタの駆動法を提供することにある。
した液晶シャッタアレイで用いるトランジスタ、特に薄
膜トランジスタの駆動法を提供することにある。
本発明のかかる目的は、トランジスタのドレインと接続
したセグメント電極と対向電極の間で形成した容ｆＯを
もつ容量型負荷要素（ｚｎ行及びｍ列でマトリクス状に
配置し、前記トランジスタを該容量型負荷要素に対応し
てｎ行及びｍ列で配置したトランジスタの駆動法におい
て。
したセグメント電極と対向電極の間で形成した容ｆＯを
もつ容量型負荷要素（ｚｎ行及びｍ列でマトリクス状に
配置し、前記トランジスタを該容量型負荷要素に対応し
てｎ行及びｍ列で配置したトランジスタの駆動法におい
て。
（６）
前記トランジスタに印加するゲートオンパルスのフレー
ム周波数７ｆｒ：ｆとし、且つ該トランジスタのソース
に入力する電気信号の電圧をＶｓとした時、該トランジ
スタのチャネル部におけるチャネル長りに対するチャネ
ル巾Ｗの比Ｗ／Ｌが前記ゲートオンパルスのフレーム周
波数ｆと入力信月寅圧■８の間で下記式（１）の関係を
有しているトランジスタの脇動法によって達成される。
ム周波数７ｆｒ：ｆとし、且つ該トランジスタのソース
に入力する電気信号の電圧をＶｓとした時、該トランジ
スタのチャネル部におけるチャネル長りに対するチャネ
ル巾Ｗの比Ｗ／Ｌが前記ゲートオンパルスのフレーム周
波数ｆと入力信月寅圧■８の間で下記式（１）の関係を
有しているトランジスタの脇動法によって達成される。
ＳＬ
この様にトランジスタ、特にＴＦ’Ｔのチャネル部にお
けるチャネル長りとチャネル巾Ｗの関係を定めることに
よって、ソース電極に入力する電圧ＶＳに対して９５チ
以上の出力電圧をドレインで得ることができる。具体的
には罵４ｊは１．４〜２９０．好ましくは１０〜８０が
適している。
けるチャネル長りとチャネル巾Ｗの関係を定めることに
よって、ソース電極に入力する電圧ＶＳに対して９５チ
以上の出力電圧をドレインで得ることができる。具体的
には罵４ｊは１．４〜２９０．好ましくは１０〜８０が
適している。
特に、 Ｗ／Ｌが２９０を越えるとゲートパルスが５０
ψ８８０以上の印加時間を必要とし、このため、高速の
複写機には適さなくなる。
ψ８８０以上の印加時間を必要とし、このため、高速の
複写機には適さなくなる。
（７）
以下、本発明を図面に従って説明する。
第１図は、 ＴＰＴを模式的に表わした平面図で、ドレ
イン電極１６とデータ線に接続したソース電極１２が半
導体膜１１ （アモルファスシリコン、ポリシリコン、
テルルなど）に接して配置され、さらにデート電極１４
が絶縁膜（図示せず）を介して半導体膜１１の下に配置
した構造を表わしている０図中Ｗはチャネル巾を表わし
、ドレイン電極の長さに対応し、又りはチャネル長さを
表わし、ソース電極１２とドレイン電極１３の間の長さ
に対応している。
イン電極１６とデータ線に接続したソース電極１２が半
導体膜１１ （アモルファスシリコン、ポリシリコン、
テルルなど）に接して配置され、さらにデート電極１４
が絶縁膜（図示せず）を介して半導体膜１１の下に配置
した構造を表わしている０図中Ｗはチャネル巾を表わし
、ドレイン電極の長さに対応し、又りはチャネル長さを
表わし、ソース電極１２とドレイン電極１３の間の長さ
に対応している。
第２図は、本発明で用いうる液晶モードを模式的に表わ
した断面図で、図中偏光板２６と２７はクロスニコルの
状態で配置され、さらに２枚の基板２１と２２には偏光
板２６と２７の偏光方向に対し液晶２５の初期配向方向
が４５度の方向となる様にラビング処理などの方法によ
シ配向処理されている。この際、液晶２５としては正の
銹電異方法をもつネマチック液晶（ｌＦｆｉ液晶）が使
用されている。コモン電極２６（８） と２４ａ Ｉ／Ｃ電圧を印加した時にはこの電極間の液
晶２５０分子軸は電界方向に配向し、入射光重に対して
暗状態が形成される。−力５電極２３と２４ｂの電圧を
液晶２５の閾値電圧以下にすると、この電極間の液晶２
５の分子軸は初期配向方向、すなわちラビング方向に配
向する。この時、入射光重は透過光Ｔとなって明状態が
形成される。
した断面図で、図中偏光板２６と２７はクロスニコルの
状態で配置され、さらに２枚の基板２１と２２には偏光
板２６と２７の偏光方向に対し液晶２５の初期配向方向
が４５度の方向となる様にラビング処理などの方法によ
シ配向処理されている。この際、液晶２５としては正の
銹電異方法をもつネマチック液晶（ｌＦｆｉ液晶）が使
用されている。コモン電極２６（８） と２４ａ Ｉ／Ｃ電圧を印加した時にはこの電極間の液
晶２５０分子軸は電界方向に配向し、入射光重に対して
暗状態が形成される。−力５電極２３と２４ｂの電圧を
液晶２５の閾値電圧以下にすると、この電極間の液晶２
５の分子軸は初期配向方向、すなわちラビング方向に配
向する。この時、入射光重は透過光Ｔとなって明状態が
形成される。
第３図（Ａ）は、本発明で用いる液晶素子の断面図で、
基板３０１（ガラス、プラスチックなど）のＴＰＴが形
成されている態様を示している。
基板３０１（ガラス、プラスチックなど）のＴＰＴが形
成されている態様を示している。
ＴＰＴは、フレーム周波数ｆのゲートオンパルスを印加
するゲート線に接続されたゲート電極５０２、電圧Ｖ３
の情報信号を印加するデータ線に接続されたソース電極
３０３と、このデータ信号を出力信号として取シ出すド
レイン電極５０４の６つの端子を有している。又、ドレ
イン電極３０４はマイクロシャッタ部を形成するセグメ
ント電極３０７に接続されている。ゲート電極３０２に
走査信号を印加するとアモルファスシリコン（９） フィルム６０５の抵抗が低下し、ソース電極５０３とド
レイン電極３０４が接続状態となる。
するゲート線に接続されたゲート電極５０２、電圧Ｖ３
の情報信号を印加するデータ線に接続されたソース電極
３０３と、このデータ信号を出力信号として取シ出すド
レイン電極５０４の６つの端子を有している。又、ドレ
イン電極３０４はマイクロシャッタ部を形成するセグメ
ント電極３０７に接続されている。ゲート電極３０２に
走査信号を印加するとアモルファスシリコン（９） フィルム６０５の抵抗が低下し、ソース電極５０３とド
レイン電極３０４が接続状態となる。
本発明で用いるＴＰＴは、ゲート電極３０２とアモルフ
ァスシリコンフィルム３０５の間に侠まれたゲート絶縁
膜３０６として、水素原子をドープした６０００Ａのチ
ツ化シリコン（比誘電率； ６．６）が使用される。こ
のチツ化シリコンフィルムはゲート電極３０２となるク
ロム／アルミニウム積層蒸着フィルムとセグメント電極
３０７となる工ＴＯ（工ｎｄｉｎｍ Ｔｉｎ ０ｘ１ｄ
ｅ ）の蒸着フィルムが所定形状でパターニングされた
基板３０１の上にグロー放電下で全面に亘って形成され
る。又、ドレづン電極５０４とセグメントを極５０７は
、チツ化シリコンフィルムに設けたスルーホール３０Ｂ
を介して接続される。
ァスシリコンフィルム３０５の間に侠まれたゲート絶縁
膜３０６として、水素原子をドープした６０００Ａのチ
ツ化シリコン（比誘電率； ６．６）が使用される。こ
のチツ化シリコンフィルムはゲート電極３０２となるク
ロム／アルミニウム積層蒸着フィルムとセグメント電極
３０７となる工ＴＯ（工ｎｄｉｎｍ Ｔｉｎ ０ｘ１ｄ
ｅ ）の蒸着フィルムが所定形状でパターニングされた
基板３０１の上にグロー放電下で全面に亘って形成され
る。又、ドレづン電極５０４とセグメントを極５０７は
、チツ化シリコンフィルムに設けたスルーホール３０Ｂ
を介して接続される。
この様なＴＰＴとセグメント電極をもつ基板３０１の上
に、さらに水素原子をドープしたチツ化シリコンフィル
ムで形成した絶縁膜６０９と配向制御膜３１０が形成さ
れている。この配向制御膜３１０として１０００Ａのポ
リイミドフィルムが使（１０） 用きれる。
に、さらに水素原子をドープしたチツ化シリコンフィル
ムで形成した絶縁膜６０９と配向制御膜３１０が形成さ
れている。この配向制御膜３１０として１０００Ａのポ
リイミドフィルムが使（１０） 用きれる。
本発明で用いる液晶素子は、前述のＴＦ’Ｔをマトリク
ス状に配置したＴＩ”Ｔマトリクス基板と対向基板３１
１の間にネマチック液晶３１５．ＮＰ型液晶が第１図で
示した配向状態で挾持されている。
ス状に配置したＴＩ”Ｔマトリクス基板と対向基板３１
１の間にネマチック液晶３１５．ＮＰ型液晶が第１図で
示した配向状態で挾持されている。
対向基板６１１の上には、コモン電極３１２となる工Ｔ
ｏフィルムが形成され、さらに前述した液晶−７ヤツタ
アレイの場合ではマイクロシャッタ部を形成するために
開口部以外を遮光するためのクロム／アルミニウム積層
蒸着フィルムよシなる遮光膜３１４が対向電極３１２の
上に積層されている。これらコモン電極３１２と遮光膜
３１４の上に配向制御膜３１５がポリイミドなどによっ
て形成されている。
ｏフィルムが形成され、さらに前述した液晶−７ヤツタ
アレイの場合ではマイクロシャッタ部を形成するために
開口部以外を遮光するためのクロム／アルミニウム積層
蒸着フィルムよシなる遮光膜３１４が対向電極３１２の
上に積層されている。これらコモン電極３１２と遮光膜
３１４の上に配向制御膜３１５がポリイミドなどによっ
て形成されている。
第６図（Ｂ）は、本発明で用いる液晶シャッタアレイを
模式的に表わした断面図である。本発明の液晶シャッタ
アレイは％ＴＰ□Ｔ都６１６が液晶素子３１７の基板６
０１と同一基板６０１′の上で、且つ液晶素子３１７の
外部に形成されている。特に、 Ｔ）ｌ’Ｔ６１６は液
晶素子３１７の基板３０１とＩ４コモン電（１１） 極６１２を設けた対向基板３１１間の液晶６１３を封止
するために形成したエポキシ系接着剤などによる封止部
材３１８の外側に配置されていることが好ましい。又、
Ｔ１１’Ｔ ３１（Ｓは液晶素子３１７の基板６０１
とは別に工Ｃ回路などの外部回路基板（図示せず）の上
に設けることもできる０図中の第３図（Ａ）と同一符号
のものは、同一部材を表わしている。又１図中３１９と
３２０はクロスニコルの偏光子で、３２１はクロム、ア
ルミニウムなどによるＴＦＦ ５１６の半導体膜６０５
に対する遮光膜を表わしている。
模式的に表わした断面図である。本発明の液晶シャッタ
アレイは％ＴＰ□Ｔ都６１６が液晶素子３１７の基板６
０１と同一基板６０１′の上で、且つ液晶素子３１７の
外部に形成されている。特に、 Ｔ）ｌ’Ｔ６１６は液
晶素子３１７の基板３０１とＩ４コモン電（１１） 極６１２を設けた対向基板３１１間の液晶６１３を封止
するために形成したエポキシ系接着剤などによる封止部
材３１８の外側に配置されていることが好ましい。又、
Ｔ１１’Ｔ ３１（Ｓは液晶素子３１７の基板６０１
とは別に工Ｃ回路などの外部回路基板（図示せず）の上
に設けることもできる０図中の第３図（Ａ）と同一符号
のものは、同一部材を表わしている。又１図中３１９と
３２０はクロスニコルの偏光子で、３２１はクロム、ア
ルミニウムなどによるＴＦＦ ５１６の半導体膜６０５
に対する遮光膜を表わしている。
第４図（Ａ）は、本発明の液晶シャッタアレイで用いる
ＴＦＴマトリクス基板の回路で、第４図（Ｂ）はその平
面図を表わしている。 ＴＰＴマトリクスは、アレイ状
にＴＦ’Ｔ ４０１１，４０１２．４［］１３，４０１
４゜４０１５．４０１６，４０１７．４０１８・・・、
（ＴＰＴ ： ４ｏ１ ）が配置された構造を有してい
る。ＴＦＴ ４０１は、走査信号をゲート電極に印加す
るゲート線（４０２１，４０２２゜４０２１５．４０２
４ ）群４０２、情報（データ）信号をソース電１極に
印加するデータ線（４０３１，４（１５２・・・）（１
２） 群４０３とデータ線４０６からのデータ信号が出力１１
号として印加されるドレイン電極４０５１．４０５２゜
４０５３．４０５４と接続したマイクロシャッタのセグ
メント電極（４０４１，４０４２，４０４５，４０４４
，４０４５，４０４６゜４０４７．４０４８・・・）群
４０４がそれぞれ接続されている。
ＴＦＴマトリクス基板の回路で、第４図（Ｂ）はその平
面図を表わしている。 ＴＰＴマトリクスは、アレイ状
にＴＦ’Ｔ ４０１１，４０１２．４［］１３，４０１
４゜４０１５．４０１６，４０１７．４０１８・・・、
（ＴＰＴ ： ４ｏ１ ）が配置された構造を有してい
る。ＴＦＴ ４０１は、走査信号をゲート電極に印加す
るゲート線（４０２１，４０２２゜４０２１５．４０２
４ ）群４０２、情報（データ）信号をソース電１極に
印加するデータ線（４０３１，４（１５２・・・）（１
２） 群４０３とデータ線４０６からのデータ信号が出力１１
号として印加されるドレイン電極４０５１．４０５２゜
４０５３．４０５４と接続したマイクロシャッタのセグ
メント電極（４０４１，４０４２，４０４５，４０４４
，４０４５，４０４６゜４０４７．４０４８・・・）群
４０４がそれぞれ接続されている。
本実施例では、データ線４０３１にＴＰＴ ４０１１゜
４０１２．４０１３．と４０１４が共通接続され、デー
タ線４０６２にＴＩｊ’ ４０１５，４０１６．４０１
７と４０１８が共通接続されている。一方、ゲート線４
０２１にＴＰＴ ４０１１゜４０１５が共通接線されて
いる。同様に他のゲート線 線についても図示する如（ＴＰＴと共通接線されている
。本実施例では４次時分割駆動方式について明らかにし
たものであるが、本発明ではＴｌ！’Ｔが前述の式（１
）を満たすことによって高次。
４０１２．４０１３．と４０１４が共通接続され、デー
タ線４０６２にＴＩｊ’ ４０１５，４０１６．４０１
７と４０１８が共通接続されている。一方、ゲート線４
０２１にＴＰＴ ４０１１゜４０１５が共通接線されて
いる。同様に他のゲート線 線についても図示する如（ＴＰＴと共通接線されている
。本実施例では４次時分割駆動方式について明らかにし
たものであるが、本発明ではＴｌ！’Ｔが前述の式（１
）を満たすことによって高次。
例えば時分割数３０以上の多次時分割駆動方式％式％
又１本実施例ではマイクロシャッタのセグメント電極群
４０４が順次チドリ状に配列されているが、これはマイ
クロシャッタ部がＪ喧次時分割（１３） で情報の省き込みが行なわれるため、副走査方向４０５
へ常に移動している像保持部材である感光ドラム（図示
せず）上での情＠書き込みが１フレーム中で直線となっ
て行なうためである。
４０４が順次チドリ状に配列されているが、これはマイ
クロシャッタ部がＪ喧次時分割（１３） で情報の省き込みが行なわれるため、副走査方向４０５
へ常に移動している像保持部材である感光ドラム（図示
せず）上での情＠書き込みが１フレーム中で直線となっ
て行なうためである。
第４図（りは、第４図（Ｂ）のムーＡ′断面図を表わし
てる。図中、基板４０９の上に形成したゲート線４０２
１上には絶縁膜４０７が一面に亘って覆われているが、
交差するゲート線４０２２．４０２３゜と４０２４をま
たいで、コンタクトコール４０６を通して、それぞれが
導電膜４１０によって接続されている。これらの交差し
て配置したゲート線上には、絶縁膜４０８が設けられ、
その上にデータ線４０３１が配置されている。
てる。図中、基板４０９の上に形成したゲート線４０２
１上には絶縁膜４０７が一面に亘って覆われているが、
交差するゲート線４０２２．４０２３゜と４０２４をま
たいで、コンタクトコール４０６を通して、それぞれが
導電膜４１０によって接続されている。これらの交差し
て配置したゲート線上には、絶縁膜４０８が設けられ、
その上にデータ線４０３１が配置されている。
第５図は、液晶シャッタアレイを用いて光信号を感光ド
ラムに与えるための概略構成を示している。但し、帯電
器、現像器、クリーニングなどは省略している。５５は
、前述の如き液晶シャッタアレイ％ ５１は感光ドラム
（アモルファスシリコン感光体、有機光導電性感光体）
。
ラムに与えるための概略構成を示している。但し、帯電
器、現像器、クリーニングなどは省略している。５５は
、前述の如き液晶シャッタアレイ％ ５１は感光ドラム
（アモルファスシリコン感光体、有機光導電性感光体）
。
５４は螢光灯などの光源、５２はセルフォック（１４）
レンズなどのレンズアレイ、５５は集光カバーである。
感光ドラム５１は副走査方向５６の方向に回転し、この
感光ドラム５１の面に、光源５４と液晶シャッタアレイ
５６からなるプリンタヘッド抑５７から発生した光信号
を照射することによって情報信号に応じた静電荷像を形
成することができる。このため、レーザビームより発生
した光信号を照射する方式の電子写真複写機に較べ装置
の小型化が可能で、レーザビームを照射する方式で使用
されるポリゴンスキャナの様な機械的駆動部がないため
騒音がなく。
感光ドラム５１の面に、光源５４と液晶シャッタアレイ
５６からなるプリンタヘッド抑５７から発生した光信号
を照射することによって情報信号に応じた静電荷像を形
成することができる。このため、レーザビームより発生
した光信号を照射する方式の電子写真複写機に較べ装置
の小型化が可能で、レーザビームを照射する方式で使用
されるポリゴンスキャナの様な機械的駆動部がないため
騒音がなく。
又厳しい機械的精度の要求を小さくすることができる利
点がある。しかも、前述の式（１）を満足するＴＰＴを
用いた液晶シャッタアレイであるために、 ｓ／ｌＪ比
を５以上とすることができ、良質のコピー画像が形成さ
れる。
点がある。しかも、前述の式（１）を満足するＴＰＴを
用いた液晶シャッタアレイであるために、 ｓ／ｌＪ比
を５以上とすることができ、良質のコピー画像が形成さ
れる。
次に、第４図に示す配列状態のシャツタ開口部（Ｗ＋
ＩＷ２・・・）で４次時分割駆動を行なう場合のドツト
パターンを形成する例′？ｒ：説明する。
ＩＷ２・・・）で４次時分割駆動を行なう場合のドツト
パターンを形成する例′？ｒ：説明する。
第６図は、液晶シャッタアレイに印加する駆（１５）
動信号のタイムチャートの具体例を表わしでいる。ここ
で、０１〜Ｇ４はゲート線４０２１．４０２２ 。
で、０１〜Ｇ４はゲート線４０２１．４０２２ 。
４０２５、と４０２４に印加する電圧波形で％電位ｖ２
のゲートオンパルスが印加された時Ｔ１１’Ｔ ７Ｅオ
ン状態となりソース電極とドレイン電極の間が導通状態
となる。一方、Ｖｔ位が−ｖ１で印加された時にはＴＰ
Ｔはオフ状態となり、ソース電極とドレイン電極の間が
カットオフ状態となり、′祇気的に遮断される。従って
、ゲート電極の印加電圧がｖ２の時ＴＦＴのドレイン電
極に接続された充セグメント電極の電位がＴＰＴのソー
ス電極に接続されたデータ線に印加した電位に変化し２
次にゲート電極の印加電圧を−■１にすると、その直前
でデータ線に印加した電位がセグメント電極に保持され
る。
のゲートオンパルスが印加された時Ｔ１１’Ｔ ７Ｅオ
ン状態となりソース電極とドレイン電極の間が導通状態
となる。一方、Ｖｔ位が−ｖ１で印加された時にはＴＰ
Ｔはオフ状態となり、ソース電極とドレイン電極の間が
カットオフ状態となり、′祇気的に遮断される。従って
、ゲート電極の印加電圧がｖ２の時ＴＦＴのドレイン電
極に接続された充セグメント電極の電位がＴＰＴのソー
ス電極に接続されたデータ線に印加した電位に変化し２
次にゲート電極の印加電圧を−■１にすると、その直前
でデータ線に印加した電位がセグメント電極に保持され
る。
Ｃは、コモン電極に印加する電圧波形で１本実施例では
常に電位がＯに保持されている。Ｓｌはソース電極（デ
ータ電極）に印加する電圧波形で。開口部’１ ＋ ”
２・・・・をオンかオフの（”Ｊれかに設定するに従っ
て、電位を０かＶとする電圧（１６） が印加される。
常に電位がＯに保持されている。Ｓｌはソース電極（デ
ータ電極）に印加する電圧波形で。開口部’１ ＋ ”
２・・・・をオンかオフの（”Ｊれかに設定するに従っ
て、電位を０かＶとする電圧（１６） が印加される。
次に、開口部Ｗ１に注目してシャッタ開閉の動作制御に
ついて説明する・ 時間Ｔ１１において、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグメ
ント電（１ｉＡ ４０４１と接続されているＴＦＴ ４
０１１のゲート線４０２１ （Ｇ１）に接続されたゲー
ト電極の電位がＶ２となシ、 ＴＦＴ ４０１１はオン
状態となる。
ついて説明する・ 時間Ｔ１１において、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグメ
ント電（１ｉＡ ４０４１と接続されているＴＦＴ ４
０１１のゲート線４０２１ （Ｇ１）に接続されたゲー
ト電極の電位がＶ２となシ、 ＴＦＴ ４０１１はオン
状態となる。
時間τ１１とＴ１２（τ１１＋τ１ｚ＝Ｔ＋＋）ではデ
ータ電極４０３１ （Ｓｔ）の電位はＶであるので、マ
イクロシャッタ部Ｗ１のセグメン）を極４０４１の電位
もほぼＶとなる。従って、この時マイクロシャッタ部Ｗ
１はオフ状態となっている。続く時間τ１５ではゲート
線４０２１ （Ｇ１）に接続されたゲート電極の電位が
−■１となるので、たとえデータ電極４０６１（Ｓｌ）
に電圧が印加されても、マイクロシャッタ部ｗ１のセグ
メント電極は電位Ｖｉ保持することができる・τ１５＝
Ｔ１２ ＋ Ｔ＋ｓ ＋Ｔ１４で・Ｔ１２はゲート線
４０２２（Ｇ２）に、Ｔ１５はゲート線４０２！ｌ（Ｇ
、）に、Ｔ１４はグー）、 Ｈ４０２４（Ｇ４）にそれ
ぞれ■２の電圧を印加する期間である。従って、Ｔ＋１
＋ＴＩ２ ＋Ｔ’ｓ ＋Ｔ１４が１（１７） ４０１１がオン状態となる。この時間Ｔ２＋の前半の時
間τ２１でデータ電極（ｓｌ）の電位がＶとなシ、マイ
クロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極に電圧Ｖが付与さ
れ、続く後半の時間τ２２（ＴＦＴのオン状態が保持さ
れている）でデータ電極（Ｓ＋）の電位が０となるので
、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極の電位が０
に変化し、＠。
ータ電極４０３１ （Ｓｔ）の電位はＶであるので、マ
イクロシャッタ部Ｗ１のセグメン）を極４０４１の電位
もほぼＶとなる。従って、この時マイクロシャッタ部Ｗ
１はオフ状態となっている。続く時間τ１５ではゲート
線４０２１ （Ｇ１）に接続されたゲート電極の電位が
−■１となるので、たとえデータ電極４０６１（Ｓｌ）
に電圧が印加されても、マイクロシャッタ部ｗ１のセグ
メント電極は電位Ｖｉ保持することができる・τ１５＝
Ｔ１２ ＋ Ｔ＋ｓ ＋Ｔ１４で・Ｔ１２はゲート線
４０２２（Ｇ２）に、Ｔ１５はゲート線４０２！ｌ（Ｇ
、）に、Ｔ１４はグー）、 Ｈ４０２４（Ｇ４）にそれ
ぞれ■２の電圧を印加する期間である。従って、Ｔ＋１
＋ＴＩ２ ＋Ｔ’ｓ ＋Ｔ１４が１（１７） ４０１１がオン状態となる。この時間Ｔ２＋の前半の時
間τ２１でデータ電極（ｓｌ）の電位がＶとなシ、マイ
クロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極に電圧Ｖが付与さ
れ、続く後半の時間τ２２（ＴＦＴのオン状態が保持さ
れている）でデータ電極（Ｓ＋）の電位が０となるので
、マイクロシャッタ部Ｗ１のセグメント電極の電位が０
に変化し、＠。
く時間τ２５ （−Ｔ２２ ＋ Ｔ２５ ＋ Ｔ ２４
）の間、電位Ｏが保持される。従ってマイクロシャッ
タ部Ｗ１に相当する液晶に印加される電圧かＯとなって
いるため。
）の間、電位Ｏが保持される。従ってマイクロシャッ
タ部Ｗ１に相当する液晶に印加される電圧かＯとなって
いるため。
第２図で説明した様にシャッタのオン状態（光透過状態
）が１フレ一ム期間に形成される。
）が１フレ一ム期間に形成される。
第６図中のＩＷ、−Ｃｌで、マイクロシャッタ部Ｗ１の
セグメント電極とコモン電極間、すなわち液晶に印加さ
れる電圧波形を時系列に従ってゆｊらかにしている。こ
れに従えば時間τ１２＋τ１５＋τ４で１ｗ、−Ｃ１は
電位差Ｖとなっていて１次のフレーム期間のうち時間τ
ｎ十τ２３でＩＷ、−Ｏｌは′屯（１８） 位差Ｏとなっている。この時のマイクロシャッタ部Ｗ１
の時系列における透過率の変化を第６図中のＴｒｌで明
らかにしている。この図示によれば、時間τ１２＋τ１
３＋ττの期間においては、マイクロシャッタ部Ｗ１の
透過率はＴｒｄ （暗レベル）であ９１時間τ２２＋τ
２３＋τ５１の期間においてはマイまで除々に上昇し、
次のフレーム期間のτ３１でＷ、−ａ がＶとなる場合
では図示する如く１重に復帰する。
セグメント電極とコモン電極間、すなわち液晶に印加さ
れる電圧波形を時系列に従ってゆｊらかにしている。こ
れに従えば時間τ１２＋τ１５＋τ４で１ｗ、−Ｃ１は
電位差Ｖとなっていて１次のフレーム期間のうち時間τ
ｎ十τ２３でＩＷ、−Ｏｌは′屯（１８） 位差Ｏとなっている。この時のマイクロシャッタ部Ｗ１
の時系列における透過率の変化を第６図中のＴｒｌで明
らかにしている。この図示によれば、時間τ１２＋τ１
３＋ττの期間においては、マイクロシャッタ部Ｗ１の
透過率はＴｒｄ （暗レベル）であ９１時間τ２２＋τ
２３＋τ５１の期間においてはマイまで除々に上昇し、
次のフレーム期間のτ３１でＷ、−ａ がＶとなる場合
では図示する如く１重に復帰する。
又１図中の１Ｗ２−ｃｌはマイクロシャッタ部Ｗ２の電
極とコモン箪極間の時系列における電位差を示し、 Ｔ
ｒｌはその時の透過率の変化を表わしている。
極とコモン箪極間の時系列における電位差を示し、 Ｔ
ｒｌはその時の透過率の変化を表わしている。
第７図は、光スポツト像のドツトｄ；とｄテを作成する
際のシーケンスを示している。各ドツトのうち、第１列
のドラ） （ａ： 、ａ７．ａ〒、ｄマ・・・・）はマ
イクロシャッタ部Ｗ１のオンとオフに対し。
際のシーケンスを示している。各ドツトのうち、第１列
のドラ） （ａ： 、ａ７．ａ〒、ｄマ・・・・）はマ
イクロシャッタ部Ｗ１のオンとオフに対し。
第２列のドツト（ａ；、ａｌ、 ａ：劃＝・・・）はマ
イクロ（１９） シャッタ部渦のオンとオフに対応している。又。
イクロ（１９） シャッタ部渦のオンとオフに対応している。又。
各行のドツトはそれぞれマイクロシャッタ部Ｗ１＋Ｗ２
ＰＷＳ ｅＷ４・・・・・に対応している。ここで、
ドツト（１１＋（１４ｒ居 ＋Ｊ ＋’１２ 、ａｊ
と４才 はＩｌｌムレベルで、その他のドツトは明レベ
ルであるとする。尚１図中７１は主走査方向、７２は副
走査方向を表わしている。
ＰＷＳ ｅＷ４・・・・・に対応している。ここで、
ドツト（１１＋（１４ｒ居 ＋Ｊ ＋’１２ 、ａｊ
と４才 はＩｌｌムレベルで、その他のドツトは明レベ
ルであるとする。尚１図中７１は主走査方向、７２は副
走査方向を表わしている。
本発明の時分割駆動法では１例えば前記の如き４次時分
割駆動によりマイクロシャッタ部を動作すると、１７レ
一ム期間中でマイクシャッタ部のオン状態（光透過状態
）あるいはオフ状態（光遮断状態）を保持することがで
きる。すなわち、暗レベルのドツトを形成する時には。
割駆動によりマイクロシャッタ部を動作すると、１７レ
一ム期間中でマイクシャッタ部のオン状態（光透過状態
）あるいはオフ状態（光遮断状態）を保持することがで
きる。すなわち、暗レベルのドツトを形成する時には。
１行分のドツト生成時間（τ１２＋τ１５＋τ２Ｉ）に
亘って透過率を暗レベル（Ｔｒａ）とし、又明レベルの
ドツトを形成する時には１行分のドツト生成時間（τ２
２＋τ２ｓ＋ｒｓ１）に亘って透過率を明レベル（ｒｒ
ｌ）とすることができる。この時の明暗比。
亘って透過率を暗レベル（Ｔｒａ）とし、又明レベルの
ドツトを形成する時には１行分のドツト生成時間（τ２
２＋τ２ｓ＋ｒｓ１）に亘って透過率を明レベル（ｒｒ
ｌ）とすることができる。この時の明暗比。
すなわちｎ比は第６図中の面ＡとＢとの比に相当したも
のとな９、従来の液晶シャッタアレ（２の イで使用されていた単純マ） ＩＪクス方式の場合と較
べてＳ／Ｎ比を大幅に向上することができる。
のとな９、従来の液晶シャッタアレ（２の イで使用されていた単純マ） ＩＪクス方式の場合と較
べてＳ／Ｎ比を大幅に向上することができる。
しかも５本発明ではＴＰＴのチャネル部におけるチャネ
ル長りとチャネル巾Ｗの比Ｗ／Ｌがゲートオンパルスの
周波数ｆとデータ信号の電圧ｖ８の間で前述の式（１）
の関係をもつことによって。
ル長りとチャネル巾Ｗの比Ｗ／Ｌがゲートオンパルスの
周波数ｆとデータ信号の電圧ｖ８の間で前述の式（１）
の関係をもつことによって。
超高速で駆動させることができる１例えば、Ｗ／Ｌ−１
００ｙＴｒ４１５ｙｍ ＝ ２０とし、容量型負荷要素
である液晶の容ｆｔを０．２ＰＩＰ （ピコファラド）
とすると、データ信ＭＶｓを２２ボルトとした時にドレ
イン電極では９５％以上の２０ボルトの出力信号を得る
ことができるとともに、ゲートオンパスルのゲート最低
オン時間を５７！ＩＡｓｅａ程度とすることができ、時
分割数ｎとして４８が可能と々る。この時チャネル長り
は５μｍ以上とすることがよく、又チャネル巾Ｗは７ｑ
ｍ〜１．４ｍ好ましくは５０かｔｎ〜４００πｍ とす
ることが適している。さらに５本発明ではゲートオンパ
ルスのフレーム周波数ｆは５００Ｈｚ以上、好ましくは
８００Ｈ２〜２ＭＨｚが適してお夛、従ってゲートパル
（２１） スは０．２４５ ｓｅｃ〜５０．ｙｓｅｃ ＊％に１
、２５ｚ ｓｅｃ 〜１０ｒ８θＣで印加できる。又デ
ータ信号■８は１５ボルト以上、好ましくは２０ボルト
〜６０ボルトとすることが適している。
００ｙＴｒ４１５ｙｍ ＝ ２０とし、容量型負荷要素
である液晶の容ｆｔを０．２ＰＩＰ （ピコファラド）
とすると、データ信ＭＶｓを２２ボルトとした時にドレ
イン電極では９５％以上の２０ボルトの出力信号を得る
ことができるとともに、ゲートオンパスルのゲート最低
オン時間を５７！ＩＡｓｅａ程度とすることができ、時
分割数ｎとして４８が可能と々る。この時チャネル長り
は５μｍ以上とすることがよく、又チャネル巾Ｗは７ｑ
ｍ〜１．４ｍ好ましくは５０かｔｎ〜４００πｍ とす
ることが適している。さらに５本発明ではゲートオンパ
ルスのフレーム周波数ｆは５００Ｈｚ以上、好ましくは
８００Ｈ２〜２ＭＨｚが適してお夛、従ってゲートパル
（２１） スは０．２４５ ｓｅｃ〜５０．ｙｓｅｃ ＊％に１
、２５ｚ ｓｅｃ 〜１０ｒ８θＣで印加できる。又デ
ータ信号■８は１５ボルト以上、好ましくは２０ボルト
〜６０ボルトとすることが適している。
又、前述の式（１）を満たしていないチャネル長りとチ
ャネルＩｔＷのＴＰＴではデータ信号ｖｓの出力信号が
ドレイン側で９５％以下とな夛、このため十分な開閉効
率が得らえず、画像形成時のφ比が５以下となシ、満足
できるコピー画像が得られない。
ャネルＩｔＷのＴＰＴではデータ信号ｖｓの出力信号が
ドレイン側で９５％以下とな夛、このため十分な開閉効
率が得らえず、画像形成時のφ比が５以下となシ、満足
できるコピー画像が得られない。
特にＷμが２９０を越えるとゲートパルスが５０ｉｓｅ
ｃ以上の印加時間を必要とし、高速（例えば毎分１０枚
以上のコピーを作成する）複写機には適していない。本
発明の好捷しい具体例ではＷ／Ｌを１０〜８０と設定す
ることによってゲートパルスを１．２５＄ｅθＣ〜１０
〃ＳθＣの印加時間で付与することができる。
ｃ以上の印加時間を必要とし、高速（例えば毎分１０枚
以上のコピーを作成する）複写機には適していない。本
発明の好捷しい具体例ではＷ／Ｌを１０〜８０と設定す
ることによってゲートパルスを１．２５＄ｅθＣ〜１０
〃ＳθＣの印加時間で付与することができる。
本発明で用いるＴＰＴは、半導体膜３０５として水素原
子をドーピングしたアモルファスシリコンを用いること
が好ましい、半導体膜３０５の膜（２２） 厚は、任意設定することができるが、１００ＯＡ〜３０
００Ａが一般的である。又６ゲート絶縁膜３０６として
は、水素原子をドーピングしたチツ化シリコンが好まし
い。この時の膜厚は、３０００Ａ〜６０００Ａが適して
いる。
子をドーピングしたアモルファスシリコンを用いること
が好ましい、半導体膜３０５の膜（２２） 厚は、任意設定することができるが、１００ＯＡ〜３０
００Ａが一般的である。又６ゲート絶縁膜３０６として
は、水素原子をドーピングしたチツ化シリコンが好まし
い。この時の膜厚は、３０００Ａ〜６０００Ａが適して
いる。
又、本夾施例では第６図に示す様にゲート線全走査する
初期期間において、この走査信号と同期させて入力する
すに報信号には電圧Ｖが付加されている。これは、前述
の第２図に示す方式の液晶に印加される′電圧をＵとす
ると、透過率は第８図に示す様に時間に対して波形状に
変化する。この現象は一般に光のバウンシング現象と呼
ばれている。従って、第８図によれば１つのマイクロシ
ャッタ部でオン状態が３τに亘って連続すると、透過率
が時間太を境に低下するためそれぞれの曹き込み時の透
過率が相違し、このため各ドツト毎のψ１暗比（プリン
ト画像のト コントラス）にバラツキを生じる問題があった。
初期期間において、この走査信号と同期させて入力する
すに報信号には電圧Ｖが付加されている。これは、前述
の第２図に示す方式の液晶に印加される′電圧をＵとす
ると、透過率は第８図に示す様に時間に対して波形状に
変化する。この現象は一般に光のバウンシング現象と呼
ばれている。従って、第８図によれば１つのマイクロシ
ャッタ部でオン状態が３τに亘って連続すると、透過率
が時間太を境に低下するためそれぞれの曹き込み時の透
過率が相違し、このため各ドツト毎のψ１暗比（プリン
ト画像のト コントラス）にバラツキを生じる問題があった。
そこで１本実施例では各書き込み時におけるシャッタ部
のオン状態での透過率を一様とするた（２５） めに、前述した様に書き込み時の初期期間で走査信号と
同期に入力される情報信号に電圧Ｖを付加し、強制的に
一担液晶に電圧■を印加して暗状態を形成すると１次に
マイクロシャッタ部のオン状態が続いても再び第８図に
示す１ドツト書き込み時間τにおける透過率となり、各
ドツトにおけるオン状態での透過率を全て一様なものと
することができる。
のオン状態での透過率を一様とするた（２５） めに、前述した様に書き込み時の初期期間で走査信号と
同期に入力される情報信号に電圧Ｖを付加し、強制的に
一担液晶に電圧■を印加して暗状態を形成すると１次に
マイクロシャッタ部のオン状態が続いても再び第８図に
示す１ドツト書き込み時間τにおける透過率となり、各
ドツトにおけるオン状態での透過率を全て一様なものと
することができる。
従って、この強制的なシャッター閉時間をデータ書込の
直前又は直後に設定することにより。
直前又は直後に設定することにより。
データ書込みの際のシャッター開時及びシャッター閉時
の両状態において、常に安定した透過光量が得られ、常
に安定したコントラストのプリント画像を得ることが可
能となる。各ドツトを形成するだめのデータ信号をデー
タ電極に与える前に、前回のドツト形成が明レベルか暗
レベルかの如何にかかわらず、液晶層に電圧が印加され
る様に信号を与えることができる。この時、液晶層に電
圧が与えられ、充分に透過率が光非ス低くなる時間をτ
１１とし１時間τ１２でＴＰＴ（２４） ４０１を介してセグメント電極４０４の電位がデータ電
極４０６の電位に変化するのに充分な時間にする必要が
ある。
の両状態において、常に安定した透過光量が得られ、常
に安定したコントラストのプリント画像を得ることが可
能となる。各ドツトを形成するだめのデータ信号をデー
タ電極に与える前に、前回のドツト形成が明レベルか暗
レベルかの如何にかかわらず、液晶層に電圧が印加され
る様に信号を与えることができる。この時、液晶層に電
圧が与えられ、充分に透過率が光非ス低くなる時間をτ
１１とし１時間τ１２でＴＰＴ（２４） ４０１を介してセグメント電極４０４の電位がデータ電
極４０６の電位に変化するのに充分な時間にする必要が
ある。
第９図は、前述の液晶シャッタアレイを用いた電子写Ｘ
複写機の１例を示すもので、感光ドラム９０１を矢印９
０２の方向に回転駆動させ、まずＭ電器９０３によル感
光ドラム９０１を一様に帯電させ、液晶シャッタアレイ
９０４を駆動させて。
複写機の１例を示すもので、感光ドラム９０１を矢印９
０２の方向に回転駆動させ、まずＭ電器９０３によル感
光ドラム９０１を一様に帯電させ、液晶シャッタアレイ
９０４を駆動させて。
背後に配置した光碑９０５よりの光線を選択的に開閉制
御して光信号を発生させ、この光信号を帯電された感光
ドラム９０１に照射して静電潜像が形成される。
御して光信号を発生させ、この光信号を帯電された感光
ドラム９０１に照射して静電潜像が形成される。
この静電潜像は、現像器９０６のトナーにより現像され
、このトナー像は転写ガイド９０７を通ってきた複写用
紙Ｐ（転写紙）上に転写帯電器９０８によシ転写される
。画像の転写を受けた複写用紙Ｐは分離ベルト装置９０
９によシ感光ドラム９０１から順次に分離され１次いで
定着装置９１０で画像が定着されるようになっている。
、このトナー像は転写ガイド９０７を通ってきた複写用
紙Ｐ（転写紙）上に転写帯電器９０８によシ転写される
。画像の転写を受けた複写用紙Ｐは分離ベルト装置９０
９によシ感光ドラム９０１から順次に分離され１次いで
定着装置９１０で画像が定着されるようになっている。
また、転写後感光ドラム９０１の表面上に残留した（２
５） トナーはクリーニング装置９１１によυ除去され。
５） トナーはクリーニング装置９１１によυ除去され。
前露光装置９１２によシ感光ドラム９０１が除電され、
再び次の複写サイクルが可能になるようにしである。と
ころで、第９図に於る液晶シャッタアレイ９０４には前
述の第２図に示す液晶セル、虎 を採用している。つまり、露光光源９０５からの光線を
液晶セルを備えた液晶シャッタアレイ９０４、セルフオ
フレンズなどのレンズアレー９１３を介して感光体９０
１の上に結像する際に。
再び次の複写サイクルが可能になるようにしである。と
ころで、第９図に於る液晶シャッタアレイ９０４には前
述の第２図に示す液晶セル、虎 を採用している。つまり、露光光源９０５からの光線を
液晶セルを備えた液晶シャッタアレイ９０４、セルフオ
フレンズなどのレンズアレー９１３を介して感光体９０
１の上に結像する際に。
図示していない原稿情報読み取シ装置によって得られた
画像情報を含んだディジクル信号によシ液晶駆動回路９
１４を動作させて液晶シャッターアレイ１５０４ ｔｌ
−ＯＮ −ＯＦＦさせることにより。
画像情報を含んだディジクル信号によシ液晶駆動回路９
１４を動作させて液晶シャッターアレイ１５０４ ｔｌ
−ＯＮ −ＯＦＦさせることにより。
画像情報のパターンを有する光信号を感光体９０１の上
に露光するようになっている。この実施例に於ては露光
光源９０５が液晶セルの加熱の機能も果しており、感熱
素子９２０に接続された液晶温度制御回路９１６で液晶
冷却用ファン９１７を動作させることによシ、液晶セル
の過熱を防止し、液晶セルを一定温度に維持するように
す（２６） ることかできる。図中９１８は反射笠、９１９はレンズ
アレー９１６を液晶シャッター装置へ装着するだめの部
層である。
に露光するようになっている。この実施例に於ては露光
光源９０５が液晶セルの加熱の機能も果しており、感熱
素子９２０に接続された液晶温度制御回路９１６で液晶
冷却用ファン９１７を動作させることによシ、液晶セル
の過熱を防止し、液晶セルを一定温度に維持するように
す（２６） ることかできる。図中９１８は反射笠、９１９はレンズ
アレー９１６を液晶シャッター装置へ装着するだめの部
層である。
第１図は、 ＴＩＩ’Ｔを模式的に表わした平面図であ
る。 第２図は、本発明で用いる液晶素子の断面図である。 第３図（Ａ）は、本発明のＴＩｌ’Ｔを用いた液晶素子
の断面図で、第６図（Ｂ）は本発明の別の液晶素子の断
面図である。 第４図（Ａ）は５本発明の液晶シャッタアレイの等価回
路を示す説明図である。第４図（Ｂ）は本発明の液晶シ
ャッタアレイの平面図で、第４図（０）はそのＡ −Ａ
’断四図である。 第５図は、本発明で用いるプリンタヘッド部の斜視図で
ある。 第６図は１本発明の液晶シャッタアレイに印加する駆動
信号のタイムチャートを表わす説明図である。 （２７） 第７図は１本発明の液晶シャッタアレイによるドツト作
成の際のシーケンスを衣わす叱明図である。 第８図は、シャッタオン状態時の時系列における光透過
率の変化を表わす説明図である。 第９図は１本発明の画像形成装置ｉ１．を模式的に表わ
す断面図である。 ３０２：ゲート電極 ３０６：ゲート絶縁膜 ３０５：半導体膜 ３０３：ソース（データ）電 極 ６０４： ドレイン電極 ３０７：セグメント電極 ５１２：コモン電極 ６１４：遮光膜 ５１０．３１５ ：配向制御膜 ３１３：液 晶 ４０１ （４０１１，４０１２、・・・）：ＴＦＴ４０
２ （４０２１，４０２２，・・・）：ゲート線（２８
） ４０３ （４０３１，４０３２，・・・）：データ線４
０４ （４０４１，４０４２，・・・）：セグメント電
極”＋＋Ｗ２＋”５ ’マイクロシャッタ部４０５：副
走査線 ４０６：コンタクトホール ５７：プリンタヘッド部 ５６．９０４：液晶シャッタアレイ ５１．９０１ ：感光ドラム ５４．９０５ ：光 源 ５２．９１３ ：レンズアレイ 特許出願人 キャノン株式会社 （２９） ４々 ４ρ４ １１１）２ｄ
る。 第２図は、本発明で用いる液晶素子の断面図である。 第３図（Ａ）は、本発明のＴＩｌ’Ｔを用いた液晶素子
の断面図で、第６図（Ｂ）は本発明の別の液晶素子の断
面図である。 第４図（Ａ）は５本発明の液晶シャッタアレイの等価回
路を示す説明図である。第４図（Ｂ）は本発明の液晶シ
ャッタアレイの平面図で、第４図（０）はそのＡ −Ａ
’断四図である。 第５図は、本発明で用いるプリンタヘッド部の斜視図で
ある。 第６図は１本発明の液晶シャッタアレイに印加する駆動
信号のタイムチャートを表わす説明図である。 （２７） 第７図は１本発明の液晶シャッタアレイによるドツト作
成の際のシーケンスを衣わす叱明図である。 第８図は、シャッタオン状態時の時系列における光透過
率の変化を表わす説明図である。 第９図は１本発明の画像形成装置ｉ１．を模式的に表わ
す断面図である。 ３０２：ゲート電極 ３０６：ゲート絶縁膜 ３０５：半導体膜 ３０３：ソース（データ）電 極 ６０４： ドレイン電極 ３０７：セグメント電極 ５１２：コモン電極 ６１４：遮光膜 ５１０．３１５ ：配向制御膜 ３１３：液 晶 ４０１ （４０１１，４０１２、・・・）：ＴＦＴ４０
２ （４０２１，４０２２，・・・）：ゲート線（２８
） ４０３ （４０３１，４０３２，・・・）：データ線４
０４ （４０４１，４０４２，・・・）：セグメント電
極”＋＋Ｗ２＋”５ ’マイクロシャッタ部４０５：副
走査線 ４０６：コンタクトホール ５７：プリンタヘッド部 ５６．９０４：液晶シャッタアレイ ５１．９０１ ：感光ドラム ５４．９０５ ：光 源 ５２．９１３ ：レンズアレイ 特許出願人 キャノン株式会社 （２９） ４々 ４ρ４ １１１）２ｄ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）トランジスタのドレインと接続したセグメント電
極と対向電極の間で形成した容量Ｃをもつ容量型負荷要
素をｎ行及びｍ列でマトリクス状に配置し、前記トラン
ジスタを該容量型負荷要素に対応してｎ行及びｍ列で配
置したトランジスタの駆動法において、前記トランジス
タに印加するゲートオンパルスのフレーム周波数をｆと
し、且つ該トランジスタのソースに入力する電気信号の
電圧をＶ８とした時、該トランジスタのチャネル部にお
けるチャネル長りに対するチャネル巾Ｗの比Ｗ／Ｌが前
記ゲートオンパルスのフレーム周波Ｍｆ、！：入力信号
電圧ｖｓの間で下記式（１）の関係を有していることを
特徴とするトランジスタの駆動法。 式（１） （１） ％式％ （２） 前記トランジスタが薄膜トランジスタである特
許請求の範囲第１項記載のトランジスタの駆動法。 （５）前記薄膜トランジスタが半導体としてアモルファ
スシリコンを配置したトランジスタである特許請求の範
囲第２項記載のトランジスタの駆動法。 （４）前記入力信号電圧■ｓが１５ボルト以上である特
許請求の範囲σ舵判第１項記載のトランジスタの駆動法
。 （５）前記入力信号電圧■８が２０ボルト〜６０ボルト
である特許請求の範囲第１項記載のトランジスタの駆動
法。 （６）前記比ルへが１．４〜２９０である特許請求の範
囲第１項記載のトランジスタの駆動法。 （７）前記北回４・が１０〜８０である特許請求の範囲
第１項記載のトランジスタの駆動法。 （８）前記容量型負荷要素が液晶である特許請求（２） の範囲第１項記載のトランジスタの駆動法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091466A JPH0731319B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 電子写真複写機 |
| DE3514807A DE3514807C2 (de) | 1984-04-25 | 1985-04-24 | Vorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, zum Ansteuern einer Transistoranordnung |
| GB08510509A GB2159655B (en) | 1984-04-25 | 1985-04-25 | Image forming apparatus and driving method therefor |
| US07/300,698 US4884079A (en) | 1984-04-25 | 1989-01-19 | Image forming apparatus and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59091466A JPH0731319B2 (ja) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | 電子写真複写機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235120A true JPS60235120A (ja) | 1985-11-21 |
| JPH0731319B2 JPH0731319B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=14027153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59091466A Expired - Fee Related JPH0731319B2 (ja) | 1984-04-25 | 1984-05-08 | 電子写真複写機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731319B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132191A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-16 | Suwa Seikosha Kk | Active matrix substrate |
| JPS57167074A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-14 | Seiko Instr & Electronics | Picture display unit |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091466A patent/JPH0731319B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57132191A (en) * | 1981-02-10 | 1982-08-16 | Suwa Seikosha Kk | Active matrix substrate |
| JPS57167074A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-14 | Seiko Instr & Electronics | Picture display unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0731319B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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