JPH07311385A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH07311385A JPH07311385A JP6101390A JP10139094A JPH07311385A JP H07311385 A JPH07311385 A JP H07311385A JP 6101390 A JP6101390 A JP 6101390A JP 10139094 A JP10139094 A JP 10139094A JP H07311385 A JPH07311385 A JP H07311385A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 走査側駆動ＩＣと信号側駆動ＩＣを同一基板
上に設ける液晶表示装置において、液晶を封入するため
のシール領域４４に導電性粒子を分散する導電性シール
材を用い、このシール領域の走査側電極基板４６上に絶
縁膜５１を形成し対向する信号側電極基板４８上に絶縁
膜５２それぞれ形成し、信号側駆動ＩＣ接続配線４３と
信号電極４７を電気的に接続する領域のみにコンタクト
ホールを備える液晶表示装置およびその製造方法。 【効果】 電気的に接続を行う領域のみにコンタクトホ
ールが形成されており、導電性粒子を介して選択的に導
通状態を可能にできる。このような構造を取ることによ
り配線密度が高い液晶表示装置においても、同一基板上
での駆動ＩＣ実装が可能であり、電極間ショートによる
表示品質の低下を防止するとともに、実装歩留を向上す
ることができる。
上に設ける液晶表示装置において、液晶を封入するため
のシール領域４４に導電性粒子を分散する導電性シール
材を用い、このシール領域の走査側電極基板４６上に絶
縁膜５１を形成し対向する信号側電極基板４８上に絶縁
膜５２それぞれ形成し、信号側駆動ＩＣ接続配線４３と
信号電極４７を電気的に接続する領域のみにコンタクト
ホールを備える液晶表示装置およびその製造方法。 【効果】 電気的に接続を行う領域のみにコンタクトホ
ールが形成されており、導電性粒子を介して選択的に導
通状態を可能にできる。このような構造を取ることによ
り配線密度が高い液晶表示装置においても、同一基板上
での駆動ＩＣ実装が可能であり、電極間ショートによる
表示品質の低下を防止するとともに、実装歩留を向上す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の構造と、
この構造を形成するための製造方法とに関する。
この構造を形成するための製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オフィスオートメイション（Ｏ
Ａ）用や映像用の液晶表示装置においては、液晶表示パ
ネルの高精細化に伴い、表示面積に対するする画素密度
が高くなり、より微細な電極パターンの形成が必要とな
っている。
Ａ）用や映像用の液晶表示装置においては、液晶表示パ
ネルの高精細化に伴い、表示面積に対するする画素密度
が高くなり、より微細な電極パターンの形成が必要とな
っている。
【０００３】これらの微細電極パターンを外部回路に接
続する手段として、高分子媒体中に導電性粒子を分散す
るシール材（以下導電性シール材と記載する）によって
回路基板と液晶表示パネルとの間を電気的に接続する実
装手段を採用している。
続する手段として、高分子媒体中に導電性粒子を分散す
るシール材（以下導電性シール材と記載する）によって
回路基板と液晶表示パネルとの間を電気的に接続する実
装手段を採用している。
【０００４】このような実装手段としては、液晶表示パ
ネルを駆動する半導体集積回路装置（以下駆動ＩＣと記
載する）をＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）実装した後に、液晶表示パネルに接続する手段や、
液晶パネルの電極基板面に直接駆動ＩＣを実装するＣＯ
Ｇ（ Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）手段がある。
ネルを駆動する半導体集積回路装置（以下駆動ＩＣと記
載する）をＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）実装した後に、液晶表示パネルに接続する手段や、
液晶パネルの電極基板面に直接駆動ＩＣを実装するＣＯ
Ｇ（ Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）手段がある。
【０００５】このような実装手段のうち、ＣＯＧ実装を
用いた従来の液晶表示装置について図４と図５と図６と
を用いて説明する。
用いた従来の液晶表示装置について図４と図５と図６と
を用いて説明する。
【０００６】図４は走査側駆動ＩＣ１１を信号側駆動Ｉ
Ｃ１２と同一基板上に実装する液晶表示装置の従来例を
示す平面図である。さらに、図４は図３の破線領域１０
を拡大して示す平面図であり、走査側駆動ＩＣ１１の接
続配線１３と、液晶パネルの走査電極を導電性シール材
によって電気的に接続するシール領域１４を示してい
る。図６は図２のＡ−Ａ線における断面を示す断面図で
ある。以下図４と図５と図６とを交互に参照して説明す
る。
Ｃ１２と同一基板上に実装する液晶表示装置の従来例を
示す平面図である。さらに、図４は図３の破線領域１０
を拡大して示す平面図であり、走査側駆動ＩＣ１１の接
続配線１３と、液晶パネルの走査電極を導電性シール材
によって電気的に接続するシール領域１４を示してい
る。図６は図２のＡ−Ａ線における断面を示す断面図で
ある。以下図４と図５と図６とを交互に参照して説明す
る。
【０００７】図４に示すように、シール領域１４は走査
電極１５を設ける走査電極基板１６と、信号電極１７を
設ける信号電極基板１８を電極面を向かい合わせて導電
性シール材によって封止する。さらに、走査電極基板１
６と信号電極基板１８との基板の間には液晶を封入す
る。
電極１５を設ける走査電極基板１６と、信号電極１７を
設ける信号電極基板１８を電極面を向かい合わせて導電
性シール材によって封止する。さらに、走査電極基板１
６と信号電極基板１８との基板の間には液晶を封入す
る。
【０００８】図５と図６に示すように、導電性シール材
は導電性粒子１９を内部に分散しており、走査電極１５
はこの導電性粒子１９を介して信号電極基板１８に設け
る走査側駆動ＩＣ１１と接続する走査側駆動ＩＣ１１の
接続配線１３と導通する。
は導電性粒子１９を内部に分散しており、走査電極１５
はこの導電性粒子１９を介して信号電極基板１８に設け
る走査側駆動ＩＣ１１と接続する走査側駆動ＩＣ１１の
接続配線１３と導通する。
【０００９】ここで、スペーサー２０は、液晶を封入す
るために走査電極基板１６と信号電極基板１８との基板
間隔を一定の隙間で保持するためのものである。
るために走査電極基板１６と信号電極基板１８との基板
間隔を一定の隙間で保持するためのものである。
【００１０】このような図４から図６に示すような構成
によれば、シール領域１４に用いる導電性シール材内に
導電性粒子２０を分散することのみで、従来の製造工程
を変更することなく、走査側駆動ＩＣ１１と信号側駆動
ＩＣ１２との駆動ＩＣの実装を、同一基板上で行うこと
ができる。
によれば、シール領域１４に用いる導電性シール材内に
導電性粒子２０を分散することのみで、従来の製造工程
を変更することなく、走査側駆動ＩＣ１１と信号側駆動
ＩＣ１２との駆動ＩＣの実装を、同一基板上で行うこと
ができる。
【００１１】このように実装工程の簡略化によって、実
装歩留まりを向上することが可能となっている。
装歩留まりを向上することが可能となっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶表示装置に
おいては、画像の鮮明化およびカラー化の要求が盛んに
なり、走査電極や信号電極の配線ピッチ寸法の微細化
と、高密度化とが必要となっている。
おいては、画像の鮮明化およびカラー化の要求が盛んに
なり、走査電極や信号電極の配線ピッチ寸法の微細化
と、高密度化とが必要となっている。
【００１３】しかしながら、従来技術では走査電極や信
号電極の配線間隔寸法が狭くなるにつれて、導電性シー
ル材内に分散する導電性粒子１９が領域的に凝集する現
象が発生する。
号電極の配線間隔寸法が狭くなるにつれて、導電性シー
ル材内に分散する導電性粒子１９が領域的に凝集する現
象が発生する。
【００１４】この導電性粒子１９の凝集よって、走査電
極１５や信号電極１７、あるいは走査側駆動ＩＣ１１を
信号側駆動ＩＣ１２との駆動ＩＣの接続配線の隣合った
電極間でショートが発生する。
極１５や信号電極１７、あるいは走査側駆動ＩＣ１１を
信号側駆動ＩＣ１２との駆動ＩＣの接続配線の隣合った
電極間でショートが発生する。
【００１５】このようなショート発生は、液晶表示装置
の表示品質を損ねるとともに製造工程における不良率を
非常に高くする。
の表示品質を損ねるとともに製造工程における不良率を
非常に高くする。
【００１６】本発明の目的は、上記課題を解決して、液
晶カラービュファンダーや液晶プロジェクターといった
走査電極や信号電極の配線が高密度な液晶表示装置にお
いても、電極間ショートを発生することなく走査電極や
信号電極と対向する基板側に設けるする駆動ＩＣ接続配
線とを導電性粒子を介して導通を可能にし、同一基板上
へのＩＣ実装を効率よく行うことが可能な液晶表示装置
およびその製造方法を提供することにある。
晶カラービュファンダーや液晶プロジェクターといった
走査電極や信号電極の配線が高密度な液晶表示装置にお
いても、電極間ショートを発生することなく走査電極や
信号電極と対向する基板側に設けるする駆動ＩＣ接続配
線とを導電性粒子を介して導通を可能にし、同一基板上
へのＩＣ実装を効率よく行うことが可能な液晶表示装置
およびその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法は下記記載
の手段を採用する。
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法は下記記載
の手段を採用する。
【００１８】本発明の液晶表示装置は、透明電極を設け
る走査電極基板と信号電極基板との周辺部に設け透明電
極面を向かい合わせて封止する導電性粒子を分散するシ
ール材と、このシール材の内側領域に封入する液晶材料
と、シール材によって封止する領域に設ける絶縁膜と、
走査電極基板と信号電極基板とのいずれか一方に設ける
駆動ＩＣの接続配線と、この駆動ＩＣの接続配線と電気
的な接続を行う電極領域上に設けるコンタクトホールと
を有することを特徴とする。
る走査電極基板と信号電極基板との周辺部に設け透明電
極面を向かい合わせて封止する導電性粒子を分散するシ
ール材と、このシール材の内側領域に封入する液晶材料
と、シール材によって封止する領域に設ける絶縁膜と、
走査電極基板と信号電極基板とのいずれか一方に設ける
駆動ＩＣの接続配線と、この駆動ＩＣの接続配線と電気
的な接続を行う電極領域上に設けるコンタクトホールと
を有することを特徴とする。
【００１９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、透明
電極を形成するガラス基板に信号電極と走査電極とを形
成し、走査電極を形成する走査電極基板側に信号側駆動
ＩＣの接続配線と走査側駆動ＩＣの接続配線とを形成す
る工程と、走査電極を有する走査電極基板と信号電極を
有する信号電極基板のそれぞれの透明電極上に絶縁膜を
形成する工程と、信号電極上の絶縁膜と信号側駆動ＩＣ
の接続配線上の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工
程と、走査電極を有する走査電極基板と信号電極を有す
る信号電極基板の透明電極に液晶配向処理を行い、透明
電極間隔を保持するためのスペーサーを散布し、この透
明電極面を向かい合わせて導電性粒子を含むシール材に
よって封止し、封止領域の基板間の隙間に液晶材料を封
入する工程と、走査側駆動ＩＣと信号側駆動ＩＣとをそ
れぞれ対応する走査側駆動ＩＣと駆動ＩＣとの接続配線
上に実装する工程を有することを特徴とする。
電極を形成するガラス基板に信号電極と走査電極とを形
成し、走査電極を形成する走査電極基板側に信号側駆動
ＩＣの接続配線と走査側駆動ＩＣの接続配線とを形成す
る工程と、走査電極を有する走査電極基板と信号電極を
有する信号電極基板のそれぞれの透明電極上に絶縁膜を
形成する工程と、信号電極上の絶縁膜と信号側駆動ＩＣ
の接続配線上の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工
程と、走査電極を有する走査電極基板と信号電極を有す
る信号電極基板の透明電極に液晶配向処理を行い、透明
電極間隔を保持するためのスペーサーを散布し、この透
明電極面を向かい合わせて導電性粒子を含むシール材に
よって封止し、封止領域の基板間の隙間に液晶材料を封
入する工程と、走査側駆動ＩＣと信号側駆動ＩＣとをそ
れぞれ対応する走査側駆動ＩＣと駆動ＩＣとの接続配線
上に実装する工程を有することを特徴とする。
【００２０】
【作用】本発明によれば、同一基板内で隣あった透明電
極間では信号電極や走査電極の電極上に絶縁膜を形成し
ている。
極間では信号電極や走査電極の電極上に絶縁膜を形成し
ている。
【００２１】このため、シール領域内に分散する導電正
粒子が凝集し、隣合った電極間にまたがって凝集する導
電性粒子が存在することによって発生するショートを防
止することができる。
粒子が凝集し、隣合った電極間にまたがって凝集する導
電性粒子が存在することによって発生するショートを防
止することができる。
【００２２】またさらに、向かい合った走査電極基板と
信号電極基板との基板間での透明電極どうしにおいて
は、電気的接続を行う領域のみにコンタクトホールを形
成している。
信号電極基板との基板間での透明電極どうしにおいて
は、電気的接続を行う領域のみにコンタクトホールを形
成している。
【００２３】このため、導電性粒子を介して選択的に導
通状態を得ることを可能にすることができる。
通状態を得ることを可能にすることができる。
【００２４】
【実施例】以下本発明の実施例における液晶表示装置に
ついてに図面を用いて説明する。
ついてに図面を用いて説明する。
【００２５】図１は走査側駆動ＩＣ４１と信号側駆動Ｉ
Ｃ４２を同一基板上に実装する本発明の実施例における
液晶表示装置を示す平面図である。また、図２は図１の
破線領域４０を拡大して示す平面図であり、信号側駆動
ＩＣ４２の接続配線４３と液晶パネルの信号電極を導電
性シール材によって電気的に接続するシール領域４４を
示する。図３は図２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面
図である。以下図１と図２と図３とを交互に参照して説
明する。
Ｃ４２を同一基板上に実装する本発明の実施例における
液晶表示装置を示す平面図である。また、図２は図１の
破線領域４０を拡大して示す平面図であり、信号側駆動
ＩＣ４２の接続配線４３と液晶パネルの信号電極を導電
性シール材によって電気的に接続するシール領域４４を
示する。図３は図２のＢ−Ｂ線における断面を示す断面
図である。以下図１と図２と図３とを交互に参照して説
明する。
【００２６】図１に示すように、シール領域４４は走査
電極４５を設ける走査電極基板４６と、信号電極４７を
設ける信号電極基板４８とを走査電極４５と信号電極４
７との透明電極面を向かい合わせて導電性シール材によ
って封止する。
電極４５を設ける走査電極基板４６と、信号電極４７を
設ける信号電極基板４８とを走査電極４５と信号電極４
７との透明電極面を向かい合わせて導電性シール材によ
って封止する。
【００２７】またさらに、走査電極基板４６と信号電極
基板４８の基板間には液晶を封入する。
基板４８の基板間には液晶を封入する。
【００２８】図２と図３に示すように、スペーサー５５
は走査電極基板４６と信号電極基板４８の基板間に液晶
を注入するための隙間寸法を一定に保持するためのもの
である。
は走査電極基板４６と信号電極基板４８の基板間に液晶
を注入するための隙間寸法を一定に保持するためのもの
である。
【００２９】さらに、シール領域４４の走査電極基板４
６上には絶縁膜５１を設け、信号電極基板４８上には絶
縁膜５２を設ける。
６上には絶縁膜５１を設け、信号電極基板４８上には絶
縁膜５２を設ける。
【００３０】また、シール領域４４に用いている導電性
シール材には、導電性粒子５０をその内部に分散する。
シール材には、導電性粒子５０をその内部に分散する。
【００３１】ここで、信号電極基板４８に形成する信号
電極４７上の絶縁膜５２と、走査電極基板４６に形成す
る信号側駆動ＩＣ４２の接続配線４３上の絶縁膜５１に
は、コンタクトホール５３を形成する。
電極４７上の絶縁膜５２と、走査電極基板４６に形成す
る信号側駆動ＩＣ４２の接続配線４３上の絶縁膜５１に
は、コンタクトホール５３を形成する。
【００３２】このコンタクトホール５３によって、互い
に異なる走査電極基板４６と信号電極基板４８の基板上
に形成する信号側駆動ＩＣ４２の接続配線４３と、信号
電極４７と導電性粒子５０とを介して電気的に接続す
る。
に異なる走査電極基板４６と信号電極基板４８の基板上
に形成する信号側駆動ＩＣ４２の接続配線４３と、信号
電極４７と導電性粒子５０とを介して電気的に接続す
る。
【００３３】ここで、絶縁膜５１と絶縁膜５２とは、シ
ール領域４４の全域にわたって設けており、コンタクト
ホール５３の形成領域以外は電気的に絶縁状態をとるよ
うに構成する。
ール領域４４の全域にわたって設けており、コンタクト
ホール５３の形成領域以外は電気的に絶縁状態をとるよ
うに構成する。
【００３４】このため、導電性粒子５０の凝集領域５４
によって発生する電極間のショート発生を防止すること
ができる。
によって発生する電極間のショート発生を防止すること
ができる。
【００３５】つぎに以上説明した構造を形成するための
本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法につい
て、図１から図３を用いて説明する。
本発明の実施例における液晶表示装置の製造方法につい
て、図１から図３を用いて説明する。
【００３６】インジュウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯと
記載する）の透明電極を形成するガラス基板に、東京応
化製のポジ型フォトレジストＴＳＭＲ−８９００を回転
塗布法を用いて厚さ１．０μｍに形成する。
記載する）の透明電極を形成するガラス基板に、東京応
化製のポジ型フォトレジストＴＳＭＲ−８９００を回転
塗布法を用いて厚さ１．０μｍに形成する。
【００３７】その後、走査側駆動ＩＣ４１の接続配線４
３のパターンと、走査電極４５のパターンと、信号側駆
動ＩＣ４２の接続配線４３のパターンとを形成したフォ
トマスクを用いて、一般的な密着露光装置や、プロキシ
ミティー露光装置や、あるいは投影露光装置で露光処理
を行い、さらに現像処理を行う。この結果、所定のパタ
ーンを形成したフォトレジストを形成することができ
る。
３のパターンと、走査電極４５のパターンと、信号側駆
動ＩＣ４２の接続配線４３のパターンとを形成したフォ
トマスクを用いて、一般的な密着露光装置や、プロキシ
ミティー露光装置や、あるいは投影露光装置で露光処理
を行い、さらに現像処理を行う。この結果、所定のパタ
ーンを形成したフォトレジストを形成することができ
る。
【００３８】そののちに、このパターニングしたフォト
レジストをエッチングマスクに用いて、ＩＴＯのエッチ
ング液、たとえば塩酸と塩化第二鉄の混合溶液にてエッ
チング処理し、ＩＴＯを所定の配線パターンに形成す
る。
レジストをエッチングマスクに用いて、ＩＴＯのエッチ
ング液、たとえば塩酸と塩化第二鉄の混合溶液にてエッ
チング処理し、ＩＴＯを所定の配線パターンに形成す
る。
【００３９】その後、長瀬産業製のレジスト剥離液Ｎ−
３０３を温度５０℃に加熱し、時間２０分間浸漬してＩ
ＴＯパターン上のレジストを剥離除去する。この結果、
ガラス基板上に走査電極４５を形成する走査電極基板４
６を得る。
３０３を温度５０℃に加熱し、時間２０分間浸漬してＩ
ＴＯパターン上のレジストを剥離除去する。この結果、
ガラス基板上に走査電極４５を形成する走査電極基板４
６を得る。
【００４０】上記説明と同様な手段で信号電極４７のパ
ターンを形成するフォトマスクを用いてガラス基板上に
信号電極４７を形成し、信号電極基板４８を得る。
ターンを形成するフォトマスクを用いてガラス基板上に
信号電極４７を形成し、信号電極基板４８を得る。
【００４１】つぎに走査電極基板４６の走査電極４５上
に東京応化製のポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００
を２．０μｍの膜厚になるようにロールコーター、ある
いは回転塗布法により形成する。
に東京応化製のポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００
を２．０μｍの膜厚になるようにロールコーター、ある
いは回転塗布法により形成する。
【００４２】その後、コンタクトホール５３のパターン
を形成したフォトマスクを用いて、一般的な密着露光装
置や、プロキシミティー露光装置や、あるいは投影露光
装置でパターン形成する走査電極基板４６にアライメン
トして露光処理し、東京応化製の現像液ＮＭＤ−Ｗにて
現像処理をしてコンタクトホール５３に対応するパター
ン残存部を有するフォトレジストパターンを形成する。
を形成したフォトマスクを用いて、一般的な密着露光装
置や、プロキシミティー露光装置や、あるいは投影露光
装置でパターン形成する走査電極基板４６にアライメン
トして露光処理し、東京応化製の現像液ＮＭＤ−Ｗにて
現像処理をしてコンタクトホール５３に対応するパター
ン残存部を有するフォトレジストパターンを形成する。
【００４３】その後、この走査電極基板４６のコンタク
トホール５３に対応するパターン残存部を有するフォト
レジスト上に、アルバック社製のスパッタリング装置を
もちいて基板温度を１６０℃に設定し、スパッタチャン
バー内の圧力が全圧１〜３×１０-3Ｔｏｒｒになるよう
に調節し、１００ｎｍの膜厚になるように五酸化タンタ
ル膜を形成する。
トホール５３に対応するパターン残存部を有するフォト
レジスト上に、アルバック社製のスパッタリング装置を
もちいて基板温度を１６０℃に設定し、スパッタチャン
バー内の圧力が全圧１〜３×１０-3Ｔｏｒｒになるよう
に調節し、１００ｎｍの膜厚になるように五酸化タンタ
ル膜を形成する。
【００４４】この後に、コンタクトホール５３を形成す
るために、東京応化製のフォトレジスト剥離液Ｓ−１０
を温度８０℃に加熱し、走査電極基板４６をこの剥離液
に、時間３０分間浸漬する。
るために、東京応化製のフォトレジスト剥離液Ｓ−１０
を温度８０℃に加熱し、走査電極基板４６をこの剥離液
に、時間３０分間浸漬する。
【００４５】このことによりコンタクトホール５３のパ
ターンを形成するフォトレジストを剥離し、フォトレジ
スト上に形成する五酸化タンタル膜もフォトレジストと
共に剥離除去する、リフトオフ処理を行う。
ターンを形成するフォトレジストを剥離し、フォトレジ
スト上に形成する五酸化タンタル膜もフォトレジストと
共に剥離除去する、リフトオフ処理を行う。
【００４６】さらに、信号電極基板４５においても、走
査電極基板４６に形成するコンタクトホール５３の形成
と同様な手法を用い、電気的に接続を必要とする電極領
域上の絶縁膜５１にコンタクトホール５３を形成する。
査電極基板４６に形成するコンタクトホール５３の形成
と同様な手法を用い、電気的に接続を必要とする電極領
域上の絶縁膜５１にコンタクトホール５３を形成する。
【００４７】このようにして形成する走査電極基板４６
に、通常の液晶表示パネルを製造する工程、すなわち液
晶の配向を制御するための配向膜塗布工程と、ラビング
による配向処理とを行い、同様に配向膜塗布工程と配向
処理とを行った信号電極基板４８との張り合わせる。
に、通常の液晶表示パネルを製造する工程、すなわち液
晶の配向を制御するための配向膜塗布工程と、ラビング
による配向処理とを行い、同様に配向膜塗布工程と配向
処理とを行った信号電極基板４８との張り合わせる。
【００４８】その後、液晶注入工程と、注入孔の封孔工
程を経て、液晶表示パネルを完成することができる。
程を経て、液晶表示パネルを完成することができる。
【００４９】ここで、信号電極基板４５と走査電極基板
４６とのそれぞれの基板の張り合わせ工程において、液
晶層の厚さを基板内で均一に保持するためのスペーサー
５５としてシリカビーズをそれぞれの基板上に散布す
る。
４６とのそれぞれの基板の張り合わせ工程において、液
晶層の厚さを基板内で均一に保持するためのスペーサー
５５としてシリカビーズをそれぞれの基板上に散布す
る。
【００５０】さらにまた、基板を接着するシール材とし
ては、導電性粒子５０を混合した導電性シール材を用い
る。
ては、導電性粒子５０を混合した導電性シール材を用い
る。
【００５１】ここで、基板間のギャップを制御するスペ
ーサー５５であるシリカビーズの粒径としては３μｍの
ものを用いた。さらに、シール材に混入する導電性粒子
５０としてはそれぞれの配線電極との導通を可能とする
ため、シリカビーズの粒径よりも大きいものが望まし
く、３．２〜３．５μｍのものを用いた。
ーサー５５であるシリカビーズの粒径としては３μｍの
ものを用いた。さらに、シール材に混入する導電性粒子
５０としてはそれぞれの配線電極との導通を可能とする
ため、シリカビーズの粒径よりも大きいものが望まし
く、３．２〜３．５μｍのものを用いた。
【００５２】その後、このようにして得られた液晶表示
パネルの信号電極基板４８上に走査側駆動ＩＣ４１と信
号側駆動ＩＣ４２をそれぞれ対応する接続配線上にＣＯ
Ｇ方式を用いて実装し、本発明の液晶表示装置を得るこ
とができる。
パネルの信号電極基板４８上に走査側駆動ＩＣ４１と信
号側駆動ＩＣ４２をそれぞれ対応する接続配線上にＣＯ
Ｇ方式を用いて実装し、本発明の液晶表示装置を得るこ
とができる。
【００５３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明は
このような液晶表示装置の構造および製造方法をとるこ
とによって、電極配線が高密度な液晶表示装置において
も電極間ショートによる表示品質の低下を防止しすると
ともに、駆動ＩＣの実装を同一基板上で効率良く行うこ
とが可能である。
このような液晶表示装置の構造および製造方法をとるこ
とによって、電極配線が高密度な液晶表示装置において
も電極間ショートによる表示品質の低下を防止しすると
ともに、駆動ＩＣの実装を同一基板上で効率良く行うこ
とが可能である。
【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
その製造方法とを示す平面図である。
その製造方法とを示す平面図である。
【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
その製造方法とを示す平面図である。
その製造方法とを示す平面図である。
【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の構造と
その製造方法とを示す断面図である。
その製造方法とを示す断面図である。
【図４】従来例における液晶表示装置の構造とその製造
方法とを示す平面図である。
方法とを示す平面図である。
【図５】従来例における液晶表示装置の構造とその製造
方法とを示す平面図である。
方法とを示す平面図である。
【図６】従来例における液晶表示装置の構造とその製造
方法とを示す断面図である。
方法とを示す断面図である。
【符号の説明】 ４１ 走査側駆動ＩＣ ４２ 信号側駆動ＩＣ ４５ 走査電極 ４６ 走査電極基板 ４７ 信号電極 ４８ 信号電極基板 ５０ 導電性粒子 ５３ コンタクトホール
Claims (2)
- 【請求項１】 透明電極を設ける走査電極基板と信号電
極基板との周辺部に設け透明電極面を向かい合わせて封
止する導電性粒子を分散するシール材と、このシール材
の内側領域に封入する液晶材料と、シール材によって封
止する領域に設ける絶縁膜と、走査電極基板と信号電極
基板とのいずれか一方に設ける駆動半導体集積回路装置
の接続配線と、この駆動半導体集積回路装置の接続配線
と電気的な接続を行う電極領域上に設けるコンタクトホ
ールとを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明電極を形成するガラス基板に信号電
極と走査電極とを形成し、走査電極を形成する走査電極
基板側に信号側駆動半導体集積回路装置の接続配線と走
査側駆動半導体集積回路装置の接続配線とを形成する工
程と、走査電極を有する走査電極基板と信号電極を有す
る信号電極基板のそれぞれの透明電極上に絶縁膜を形成
する工程と、信号電極上の絶縁膜と信号側駆動半導体集
積回路装置の接続配線上の絶縁膜にコンタクトホールを
形成する工程と、走査電極を有する走査電極基板と信号
電極を有する信号電極基板の透明電極に液晶配向処理を
行い、透明電極間隔を保持するためのスペーサーを散布
し、この透明電極面を向かい合わせて導電性粒子を含む
シール材によって封止し、この封止領域の走査電極基板
と信号電極基板間の隙間に液晶材料を封入する工程と、
走査側駆動半導体集積回路装置と信号側駆動半導体集積
回路装置とをそれぞれ対応する走査側駆動半導体集積回
路装置と駆動半導体集積回路装置との接続配線上に実装
する工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6101390A JPH07311385A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6101390A JPH07311385A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311385A true JPH07311385A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14299432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6101390A Pending JPH07311385A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07311385A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001066622A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
| US6724448B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-04-20 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and manufacturing method by compression bonding |
| KR100567690B1 (ko) * | 1997-04-04 | 2006-05-25 | 산요덴키가부시키가이샤 | 액정표시장치 |
| JP2011145716A (ja) * | 2011-05-05 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2011154406A (ja) * | 2011-05-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2012238020A (ja) * | 2012-08-03 | 2012-12-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US8334962B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-12-18 | Lg Display Co., Ltd. | Gate-in-panel type liquid crystal display device with shortage-preventing pattern and method of fabricating the same |
| US8711310B2 (en) | 2011-02-17 | 2014-04-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US8830410B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-09-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display with electrostatic-resistant wirings |
| US8908138B2 (en) | 1997-03-27 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP6101390A patent/JPH07311385A/ja active Pending
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