JPH07303003A - 集積回路用容量素子，及びその製造方法 - Google Patents
集積回路用容量素子，及びその製造方法Info
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- JPH07303003A JPH07303003A JP6094727A JP9472794A JPH07303003A JP H07303003 A JPH07303003 A JP H07303003A JP 6094727 A JP6094727 A JP 6094727A JP 9472794 A JP9472794 A JP 9472794A JP H07303003 A JPH07303003 A JP H07303003A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容量を変化させて、集積回路のインピーダン
ス整合を容易にかつ安価に行うことができる集積回路用
容量素子を提供する。 【構成】 ＭＩＣ基板１００上に形成された半円形状の
下地電極層１と、その中心が下地電極層１の半円の中心
上に配置されるよう基板１００，及び下地電極層１に形
成された円柱状の中間誘電体層２と、該中間誘電体層２
上に配置された半円形状の上地電極層３とを備え、上地
電極層３が中間誘電体層２上を回転移動できるようにし
た。
ス整合を容易にかつ安価に行うことができる集積回路用
容量素子を提供する。 【構成】 ＭＩＣ基板１００上に形成された半円形状の
下地電極層１と、その中心が下地電極層１の半円の中心
上に配置されるよう基板１００，及び下地電極層１に形
成された円柱状の中間誘電体層２と、該中間誘電体層２
上に配置された半円形状の上地電極層３とを備え、上地
電極層３が中間誘電体層２上を回転移動できるようにし
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は集積回路用容量素子に
関し、特にマイクロ波用集積回路に使用される容量素子
に関するものである。
関し、特にマイクロ波用集積回路に使用される容量素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来のマイクロ波用容量素子の一
例を示す斜視図である。図において、８０はＧａＡｓ
や，アルミナ等からなるＭＩＣ基板，８１，及び８３は
Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，又はＴｉ／Ａｕ合金等の
金属膜からなる厚さ約１〜２μｍの下地電極層，及び上
地電極層で、それぞれがＭＩＣ基板８０上の伝送線路等
と接続されている。８２は所定の誘電体率を有する厚さ
１５００〜２０００オングストロームの中間誘電体層
で、ＳｉＮ等が用いられる。８５は所定の容量を有する
ＭＩＭコンデンサで、その底面積は数１００μｍ2 であ
る。また、図１５は従来のマイクロ波用容量素子の製造
方法を説明するための斜視図であり、図において、図８
と同一符号は同一部分を示している。
例を示す斜視図である。図において、８０はＧａＡｓ
や，アルミナ等からなるＭＩＣ基板，８１，及び８３は
Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，又はＴｉ／Ａｕ合金等の
金属膜からなる厚さ約１〜２μｍの下地電極層，及び上
地電極層で、それぞれがＭＩＣ基板８０上の伝送線路等
と接続されている。８２は所定の誘電体率を有する厚さ
１５００〜２０００オングストロームの中間誘電体層
で、ＳｉＮ等が用いられる。８５は所定の容量を有する
ＭＩＭコンデンサで、その底面積は数１００μｍ2 であ
る。また、図１５は従来のマイクロ波用容量素子の製造
方法を説明するための斜視図であり、図において、図８
と同一符号は同一部分を示している。
【０００３】次に製造方法を図１５について説明する。
まず、図１５(a) に示すように、ＭＩＣ基板８０上にパ
ターニングを利用して蒸着により線路に接続された下地
金属層８１を形成する。次に、図１５(b) に示すよう
に、パターニングを利用して該下地金属層８１上に誘電
体層８２を形成する。この時、下地金属層８１の一端の
近傍のＭＩＣ基板８０上にも誘電体層８２が形成される
ようにする。さらに、図１５(c) に示すように、誘電体
膜８２上に、上記ＭＩＣ基板８０上に伝送線路等と接続
された上地金属層８３を形成して図８に示すマイクロ波
用容量素子を形成する。
まず、図１５(a) に示すように、ＭＩＣ基板８０上にパ
ターニングを利用して蒸着により線路に接続された下地
金属層８１を形成する。次に、図１５(b) に示すよう
に、パターニングを利用して該下地金属層８１上に誘電
体層８２を形成する。この時、下地金属層８１の一端の
近傍のＭＩＣ基板８０上にも誘電体層８２が形成される
ようにする。さらに、図１５(c) に示すように、誘電体
膜８２上に、上記ＭＩＣ基板８０上に伝送線路等と接続
された上地金属層８３を形成して図８に示すマイクロ波
用容量素子を形成する。
【０００４】次に動作について説明する。図８におい
て、下地電極層８１，中間誘電体層８２，上地電極層８
３はＭＩＭ(metal insulator metal) コンデンサ部８５
を形成しており、下地金属層８１，上地電極層８３にそ
れぞれ線路より電流を流すと、電位差が生じることによ
り、所定の容量を有するコンデンサとして動作する。
て、下地電極層８１，中間誘電体層８２，上地電極層８
３はＭＩＭ(metal insulator metal) コンデンサ部８５
を形成しており、下地金属層８１，上地電極層８３にそ
れぞれ線路より電流を流すと、電位差が生じることによ
り、所定の容量を有するコンデンサとして動作する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波用容
量素子等の集積回路用容量素子は図８のように構成され
ており、非常に微細なものとして、ＭＩＣ基板上に蒸着
等により形成されるため、その容量値は所定の値に固定
されているものであった。従来の容量素子を備えたＭＩ
Ｃ基板は、トランジスタ等の整合用として、外部回路
や、トランジスタを備えた回路等を取付けたパッケージ
に配置して、これらの回路とワイヤボンディングにより
接続して使用されていたが、トランジスタの品質のばら
つき等により、インピーダンス整合を必要とする場合に
は、ＭＩＭコンデンサの容量が固定されているので、Ｍ
ＩＭコンデンサの容量の異なる複数のＭＩＣ基板を用意
し、必要に応じて交換しなければならず、コストが高く
なる等の問題点があった。
量素子等の集積回路用容量素子は図８のように構成され
ており、非常に微細なものとして、ＭＩＣ基板上に蒸着
等により形成されるため、その容量値は所定の値に固定
されているものであった。従来の容量素子を備えたＭＩ
Ｃ基板は、トランジスタ等の整合用として、外部回路
や、トランジスタを備えた回路等を取付けたパッケージ
に配置して、これらの回路とワイヤボンディングにより
接続して使用されていたが、トランジスタの品質のばら
つき等により、インピーダンス整合を必要とする場合に
は、ＭＩＭコンデンサの容量が固定されているので、Ｍ
ＩＭコンデンサの容量の異なる複数のＭＩＣ基板を用意
し、必要に応じて交換しなければならず、コストが高く
なる等の問題点があった。
【０００６】また、ＭＭＩＣ(monolithic microwave in
tegrated circuit) のように、ＭＩＣ基板上に容量素子
とトランジスタ等が一体形成されている場合、インピー
ダンス整合は非常に難しく、製品の歩留りが悪くなると
いう問題点があった。
tegrated circuit) のように、ＭＩＣ基板上に容量素子
とトランジスタ等が一体形成されている場合、インピー
ダンス整合は非常に難しく、製品の歩留りが悪くなると
いう問題点があった。
【０００７】また、ＭＩＭコンデンサのみをあらかじめ
形成しておき、これをＭＩＣ基板上に取りつけることに
より、容量素子を形成することは、集積回路が微細なも
のであるため、技術的に非常に困難であるという問題点
があった。
形成しておき、これをＭＩＣ基板上に取りつけることに
より、容量素子を形成することは、集積回路が微細なも
のであるため、技術的に非常に困難であるという問題点
があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、容量を変化させてインピーダン
ス整合を容易に，かつ安価に行うことができる集積回路
用容量素子を提供することを目的としている。
ためになされたもので、容量を変化させてインピーダン
ス整合を容易に，かつ安価に行うことができる集積回路
用容量素子を提供することを目的としている。
【０００９】また、この発明は、上記のような、容量を
変化させてインピーダンス整合を容易に，かつ安価に行
うことができる集積回路用容量素子を製造する方法を提
供することを目的としている。
変化させてインピーダンス整合を容易に，かつ安価に行
うことができる集積回路用容量素子を製造する方法を提
供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る集積回路
用容量素子は、集積回路用基板上に形成された下地電極
層と、この下地電極層上に形成された中間誘電体層と、
この中間誘電体層を介して上記下地電極層と対向するよ
うに配置された上地電極層とからなるＭＩＭ(metal ins
ulator metal) コンデンサ部とを備えており、このＭＩ
Ｍコンデンサ部は、上記上地電極層が移動可能に設けら
れ、その移動により、その容量が変化するようにしたも
のである。
用容量素子は、集積回路用基板上に形成された下地電極
層と、この下地電極層上に形成された中間誘電体層と、
この中間誘電体層を介して上記下地電極層と対向するよ
うに配置された上地電極層とからなるＭＩＭ(metal ins
ulator metal) コンデンサ部とを備えており、このＭＩ
Ｍコンデンサ部は、上記上地電極層が移動可能に設けら
れ、その移動により、その容量が変化するようにしたも
のである。
【００１１】また、上記集積回路用容量素子において、
上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層とが対向する面積が変
化して、容量が変化するものである。
上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層とが対向する面積が変
化して、容量が変化するものである。
【００１２】また、上記集積回路用容量素子において、
上記上地電極層の移動は回転移動であり、上記ＭＩＭコ
ンデンサ部は、上記上地電極層が所定の回転中心軸の回
りに回転移動可能であり、この回転移動によりその容量
を線形的に変化させる摺動機構を備えているものであ
る。
上記上地電極層の移動は回転移動であり、上記ＭＩＭコ
ンデンサ部は、上記上地電極層が所定の回転中心軸の回
りに回転移動可能であり、この回転移動によりその容量
を線形的に変化させる摺動機構を備えているものであ
る。
【００１３】また、上記集積回路用容量素子において、
上記上地電極層の移動は直線移動であり、上記ＭＩＭコ
ンデンサ部は、上記上地電極層が所定の方向に直線移動
可能であり、この直線移動により、その容量を線形的に
変化させる摺動機構を備えているものである。
上記上地電極層の移動は直線移動であり、上記ＭＩＭコ
ンデンサ部は、上記上地電極層が所定の方向に直線移動
可能であり、この直線移動により、その容量を線形的に
変化させる摺動機構を備えているものである。
【００１４】また、上記集積回路用容量素子において、
上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層との距離が変化して、
容量が変化するものである。
上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層との距離が変化して、
容量が変化するものである。
【００１５】また、上記集積回路用容量素子において、
上記中間誘電体層は、その上面が上記基板と所定の角度
をなすように傾斜しており、上記上地電極層は、上記中
間誘電体層の傾斜面上に配置されており、かつその傾斜
方向の長さが上記中間誘電体層の傾斜面の該傾斜方向の
長さより短いものであり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、
上記上地電極層が上記中間誘電体層の傾斜面の該傾斜方
向に移動可能であり、該移動によりその容量を線形的に
変化させる摺動機構を備えているものである。
上記中間誘電体層は、その上面が上記基板と所定の角度
をなすように傾斜しており、上記上地電極層は、上記中
間誘電体層の傾斜面上に配置されており、かつその傾斜
方向の長さが上記中間誘電体層の傾斜面の該傾斜方向の
長さより短いものであり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、
上記上地電極層が上記中間誘電体層の傾斜面の該傾斜方
向に移動可能であり、該移動によりその容量を線形的に
変化させる摺動機構を備えているものである。
【００１６】また、上記集積回路用容量素子において、
上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層とが対向する領域の上
記中間誘電体層の誘電率が変化して、その容量が変化す
るものである。
上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層とが対向する領域の上
記中間誘電体層の誘電率が変化して、その容量が変化す
るものである。
【００１７】また、上記集積回路用容量素子において、
上記中間誘電体層は、所定の方向において線形的に変化
した誘電率分布を有し、上記上地電極層は、上記中間誘
電体層の誘電率分布方向と平行な方向の長さが上記中間
誘電体層の上記誘電率分布方向の長さより短いものと
し、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記
中間誘電体層の誘電率分布方向に直線移動可能であり、
該移動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を
備えているものである。
上記中間誘電体層は、所定の方向において線形的に変化
した誘電率分布を有し、上記上地電極層は、上記中間誘
電体層の誘電率分布方向と平行な方向の長さが上記中間
誘電体層の上記誘電率分布方向の長さより短いものと
し、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記
中間誘電体層の誘電率分布方向に直線移動可能であり、
該移動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を
備えているものである。
【００１８】また、上記集積回路用容量素子において、
上記中間誘電体層は、所定の誘電率を有する所定幅の複
数の誘電体部材をその幅方向に配列してなり、上記上地
電極層は、上記中間誘電体層の誘電体部材の配列方向と
平行な方向の長さが上記中間誘電体層の上記配列方向の
長さより短いものとし、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上
記上地電極層が上記誘電体部材の配列方向に直線移動可
能であり、該移動によりその容量を非線形的に変化させ
る摺動機構を備えているものである。
上記中間誘電体層は、所定の誘電率を有する所定幅の複
数の誘電体部材をその幅方向に配列してなり、上記上地
電極層は、上記中間誘電体層の誘電体部材の配列方向と
平行な方向の長さが上記中間誘電体層の上記配列方向の
長さより短いものとし、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上
記上地電極層が上記誘電体部材の配列方向に直線移動可
能であり、該移動によりその容量を非線形的に変化させ
る摺動機構を備えているものである。
【００１９】また、この発明に係る集積回路用容量素子
は、集積回路用基板上に形成された下地電極上に、中間
誘電体層と上地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置
されてなる構造のＭＩＭコンデンサ部とを備え、このＭ
ＩＭコンデンサ部は、上記各中間誘電体層がその下方の
上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されている
ものである。
は、集積回路用基板上に形成された下地電極上に、中間
誘電体層と上地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置
されてなる構造のＭＩＭコンデンサ部とを備え、このＭ
ＩＭコンデンサ部は、上記各中間誘電体層がその下方の
上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されている
ものである。
【００２０】また、この発明に係る集積回路用容量素子
の製造方法は、集積回路用基板上に、下地電極層を形成
し、この下地電極層上を含む上記集積回路基板上に、中
間誘電体層を形成し、この中間誘電体層の上面全面に、
レジスト膜を形成した後、このレジスト膜上の所定の領
域に上地電極層を形成し、さらに上記レジスト膜を全て
除去し、移動可能な上地電極層を形成するようにしたも
のである。
の製造方法は、集積回路用基板上に、下地電極層を形成
し、この下地電極層上を含む上記集積回路基板上に、中
間誘電体層を形成し、この中間誘電体層の上面全面に、
レジスト膜を形成した後、このレジスト膜上の所定の領
域に上地電極層を形成し、さらに上記レジスト膜を全て
除去し、移動可能な上地電極層を形成するようにしたも
のである。
【００２１】
【作用】この発明においては、集積回路用基板上に形成
された下地電極層と、上記下地電極層上に形成された中
間誘電体層と、この中間誘電体層を介して上記下地電極
層と対向するように配置された上地電極層とからなり、
その上地電極層が移動可能に設けられ、その移動により
容量が変化するＭＩＭコンデンサ部とを備えたから、基
板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素子
を提供することができる。
された下地電極層と、上記下地電極層上に形成された中
間誘電体層と、この中間誘電体層を介して上記下地電極
層と対向するように配置された上地電極層とからなり、
その上地電極層が移動可能に設けられ、その移動により
容量が変化するＭＩＭコンデンサ部とを備えたから、基
板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素子
を提供することができる。
【００２２】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部を上地電
極層の移動により、上地電極層と下地電極層とが対向す
る面積が変化して、容量が変化するようにしたから、基
板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素子
を提供することができる。
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部を上地電
極層の移動により、上地電極層と下地電極層とが対向す
る面積が変化して、容量が変化するようにしたから、基
板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素子
を提供することができる。
【００２３】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記上地電極層の移動は回転移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の回転中心軸の回りに回転移動可能であり、該回転
移動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を備
えているようにしたから、基板上で容量調節を容易に行
うことができる集積回路用容量素子を提供することがで
きる。
用容量素子において、上記上地電極層の移動は回転移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の回転中心軸の回りに回転移動可能であり、該回転
移動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を備
えているようにしたから、基板上で容量調節を容易に行
うことができる集積回路用容量素子を提供することがで
きる。
【００２４】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記上地電極層の移動は直線移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の方向に直線移動可能であり、該直線移動によりそ
の容量を線形的に変化させる摺動機構を備えているよう
にしたから、基板上で容量調節を容易に行うことができ
る集積回路用容量素子を提供することができる。
用容量素子において、上記上地電極層の移動は直線移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の方向に直線移動可能であり、該直線移動によりそ
の容量を線形的に変化させる摺動機構を備えているよう
にしたから、基板上で容量調節を容易に行うことができ
る集積回路用容量素子を提供することができる。
【００２５】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
との距離が変化して、容量が変化するようにしたから、
基板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素
子を提供することができる。
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
との距離が変化して、容量が変化するようにしたから、
基板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素
子を提供することができる。
【００２６】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記中間誘電体層は、その上面が
上記基板と所定の角度をなすように傾斜しており、上記
上地電極層は、上記中間誘電体層の傾斜面上に配置され
ており、かつその傾斜方向の長さが上記中間誘電体層の
傾斜面の該傾斜方向の長さより短いものであり、上記Ｍ
ＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記中間誘電体
層の傾斜面の該傾斜方向に移動可能であり、該移動によ
りその容量を線形的に変化させる摺動機構を備えている
ようにしたから、基板上で容量調節を容易に行うことが
できる集積回路用容量素子を提供することができる。
用容量素子において、上記中間誘電体層は、その上面が
上記基板と所定の角度をなすように傾斜しており、上記
上地電極層は、上記中間誘電体層の傾斜面上に配置され
ており、かつその傾斜方向の長さが上記中間誘電体層の
傾斜面の該傾斜方向の長さより短いものであり、上記Ｍ
ＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記中間誘電体
層の傾斜面の該傾斜方向に移動可能であり、該移動によ
りその容量を線形的に変化させる摺動機構を備えている
ようにしたから、基板上で容量調節を容易に行うことが
できる集積回路用容量素子を提供することができる。
【００２７】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
とが対向する領域の上記中間誘電体層の誘電率が変化し
て、その容量が変化するようにしたから、基板上で容量
調節を行うことができる集積回路用容量素子を提供する
ことができる。
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
とが対向する領域の上記中間誘電体層の誘電率が変化し
て、その容量が変化するようにしたから、基板上で容量
調節を行うことができる集積回路用容量素子を提供する
ことができる。
【００２８】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の方向
において線形的に変化した誘電率分布を有し、上記上地
電極層は、上記中間誘電体層の誘電率分布方向と平行な
方向の長さが上記中間誘電体層の上記誘電率分布方向の
長さより短いものとし、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上
記上地電極層が上記中間誘電体層の誘電率分布方向に直
線移動可能であり、この直線移動によりその容量を線形
的に変化させる摺動機構を備えているようにしたから、
基板上で容量調節を容易に行うことができる集積回路用
容量素子を提供することができる。
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の方向
において線形的に変化した誘電率分布を有し、上記上地
電極層は、上記中間誘電体層の誘電率分布方向と平行な
方向の長さが上記中間誘電体層の上記誘電率分布方向の
長さより短いものとし、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上
記上地電極層が上記中間誘電体層の誘電率分布方向に直
線移動可能であり、この直線移動によりその容量を線形
的に変化させる摺動機構を備えているようにしたから、
基板上で容量調節を容易に行うことができる集積回路用
容量素子を提供することができる。
【００２９】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の誘電
率を有する所定幅の複数の誘電体部材をその幅方向に配
列してなり、上記上地電極層は、上記中間誘電体部材の
誘電体部材の配列方向と平行な方向の長さが上記中間誘
電体層の上記配列方向の長さより短いものとし、上記Ｍ
ＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記誘電体部材
の配列方向に直線移動可能であり、該直線移動によりそ
の容量を非線形的に変化させる摺動機構を備えているよ
うにしたから、基板上で容量調節を容易に行うことがで
きる集積回路用容量素子を提供することができる。
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の誘電
率を有する所定幅の複数の誘電体部材をその幅方向に配
列してなり、上記上地電極層は、上記中間誘電体部材の
誘電体部材の配列方向と平行な方向の長さが上記中間誘
電体層の上記配列方向の長さより短いものとし、上記Ｍ
ＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記誘電体部材
の配列方向に直線移動可能であり、該直線移動によりそ
の容量を非線形的に変化させる摺動機構を備えているよ
うにしたから、基板上で容量調節を容易に行うことがで
きる集積回路用容量素子を提供することができる。
【００３０】また、この発明においては、集積回路用基
板と、この基板上に形成された下地電極上に、中間誘電
体層と上地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置され
てなる構造のＭＩＭコンデンサ部とを備えており、この
ＭＩＭコンデンサ部は、上記各中間誘電体層がその下方
の上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されてい
るから、上記各上地電極層と下地電極層との間に得られ
る容量が異なるものとなり、伝送線路等と接続を行う上
地電極層を選択することにより容量を切り換えることが
できる集積回路用容量素子を提供することができる。
板と、この基板上に形成された下地電極上に、中間誘電
体層と上地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置され
てなる構造のＭＩＭコンデンサ部とを備えており、この
ＭＩＭコンデンサ部は、上記各中間誘電体層がその下方
の上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されてい
るから、上記各上地電極層と下地電極層との間に得られ
る容量が異なるものとなり、伝送線路等と接続を行う上
地電極層を選択することにより容量を切り換えることが
できる集積回路用容量素子を提供することができる。
【００３１】また、この発明に係る集積回路用容量素子
の製造方法は、集積回路用基板上に、下地金属層を形成
し、この下地金属層上を含む上記集積回路基板上に中間
誘電体層を形成した後、この中間誘電体層の上面全面
に、レジスト膜を形成し、さらに、この該レジスト膜上
の所定の位置に上地電極層を形成した後、上記レジスト
膜を全て除去するようにしたから、上地電極層を中間誘
電体層上に、接着させることなく形成して、上地電極層
を中間誘電体層上に接触させたまま移動可能とすること
ができ、基板上で容量調整が可能な集積回路用容量素子
を提供することができる。
の製造方法は、集積回路用基板上に、下地金属層を形成
し、この下地金属層上を含む上記集積回路基板上に中間
誘電体層を形成した後、この中間誘電体層の上面全面
に、レジスト膜を形成し、さらに、この該レジスト膜上
の所定の位置に上地電極層を形成した後、上記レジスト
膜を全て除去するようにしたから、上地電極層を中間誘
電体層上に、接着させることなく形成して、上地電極層
を中間誘電体層上に接触させたまま移動可能とすること
ができ、基板上で容量調整が可能な集積回路用容量素子
を提供することができる。
【００３２】
実施例１．図１はこの発明の第１の実施例によるマイク
ロ波用容量素子の構造を示す斜視図であり、図２はこの
発明の第１の実施例によるマイクロ波用容量素子の構造
を示す断面模式図である。図において、１００はＧａＡ
ｓ等の半導体材料や、アルミナ等のセラミック材料から
なるＭＩＣ基板，１はＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，又
はＴｉ／Ａｕ合金等の金属膜からなり、平面形状が直径
約１００μｍの半円形状で、厚さが１〜２μｍである下
地電極層で、伝送線路や接地線路等の線路２０と接続さ
れている。また、この線路２０を設ける代わりに、下地
電極層１をスルーホール（図示せず）等を介して基板１
００の裏面に設けられた接地メタライズ（図示せず）等
と接続するようにしてもよい。２はその中心が上記下地
電極層１の半円の中心上に配置されるようＭＩＣ基板１
００，及び下地電極層１上に形成された、直径約１００
μｍ，厚さ１５００〜２０００オングストロームの円柱
状の中間誘電体層で、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料
が用いられる。この中間誘電体層２の上面の中心部に
は、下地金属層１に達しない深さの円柱状凹部２ａが形
成されている。３は平面形状が直径約１００μｍの半円
形状で、厚さが１〜２μｍの、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ
合金，又はＴｉ／Ａｕ合金等の金属膜からなる半円形状
の上地電極層で、その半円の中心部には上記円柱状凹部
２ａに嵌合する円柱状の突起部３ａ，および該突起部３
ａを保持する突起保持部３ｂを有している。この上地電
極層３はその突起部３ａを上記凹部２ａにはめ込み、上
記半円形状の部分が、中間誘電体層２の上面に接するよ
うに、中間誘電体層２上に配置されている。この上地電
極層３の突起部３ａと中間誘電体層２の凹部２ａは互い
にはめ合わされて回転摺動機構部を構成している。ま
た、９０は下地電極層１，中間誘電体層２，上地電極層
３により構成されるＭＩＭ(metal insulator metal) コ
ンデンサ部である。
ロ波用容量素子の構造を示す斜視図であり、図２はこの
発明の第１の実施例によるマイクロ波用容量素子の構造
を示す断面模式図である。図において、１００はＧａＡ
ｓ等の半導体材料や、アルミナ等のセラミック材料から
なるＭＩＣ基板，１はＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，又
はＴｉ／Ａｕ合金等の金属膜からなり、平面形状が直径
約１００μｍの半円形状で、厚さが１〜２μｍである下
地電極層で、伝送線路や接地線路等の線路２０と接続さ
れている。また、この線路２０を設ける代わりに、下地
電極層１をスルーホール（図示せず）等を介して基板１
００の裏面に設けられた接地メタライズ（図示せず）等
と接続するようにしてもよい。２はその中心が上記下地
電極層１の半円の中心上に配置されるようＭＩＣ基板１
００，及び下地電極層１上に形成された、直径約１００
μｍ，厚さ１５００〜２０００オングストロームの円柱
状の中間誘電体層で、ＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料
が用いられる。この中間誘電体層２の上面の中心部に
は、下地金属層１に達しない深さの円柱状凹部２ａが形
成されている。３は平面形状が直径約１００μｍの半円
形状で、厚さが１〜２μｍの、Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ
合金，又はＴｉ／Ａｕ合金等の金属膜からなる半円形状
の上地電極層で、その半円の中心部には上記円柱状凹部
２ａに嵌合する円柱状の突起部３ａ，および該突起部３
ａを保持する突起保持部３ｂを有している。この上地電
極層３はその突起部３ａを上記凹部２ａにはめ込み、上
記半円形状の部分が、中間誘電体層２の上面に接するよ
うに、中間誘電体層２上に配置されている。この上地電
極層３の突起部３ａと中間誘電体層２の凹部２ａは互い
にはめ合わされて回転摺動機構部を構成している。ま
た、９０は下地電極層１，中間誘電体層２，上地電極層
３により構成されるＭＩＭ(metal insulator metal) コ
ンデンサ部である。
【００３３】図９は本発明の第１の実施例による半導体
装置の製造方法を模式的に示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示して
おり、４はレジスト，５は上地電極形成用誘電体膜であ
る。
装置の製造方法を模式的に示す斜視図であり、図におい
て、図１と同一符号は同一または相当する部分を示して
おり、４はレジスト，５は上地電極形成用誘電体膜であ
る。
【００３４】次に製造方法を図９について説明する。ま
ず、図９(a) に示すように、ＭＩＣ基板１００上に線路
２０と接続した半円状の下地電極層１を、レジストパタ
ーン等を利用して蒸着等により形成する。この線路２０
との接続は、例えば、下地電極層１と線路２０とを同時
に蒸着等により形成することにより行われる。次に、図
９(b) に示すように、円柱状の中間誘電体層２を蒸着等
により形成した後、該中間誘電体膜の上面の中心部をエ
ッチング等により円柱状に除去することにより凹部２ａ
を形成する。次に図９(c) に示すように、ＭＩＣ基板１
００表面を覆うようにレジスト４を形成する。このと
き、上記凹部２ａが該レジスト４により完全に埋め込ま
れないようにする。さらに、該レジスト４上に上地電極
形成用誘電体膜５を形成した後、この上地電極形成用誘
電体膜５の、上地電極層３を形成する領域をレジストパ
ターンとエッチングの組合せ等により除去し( 図９
(d))、この除去した領域に蒸着等により上地金属層３を
形成し、上地電極形成用誘電体膜５をエッチング等によ
り選択的に除去する。このとき、上記凹部２ａの表面の
レジスト３上には、この凹部２ａを埋め込むように突起
部３ａが形成される。その後、図９(e) に示すように、
レジスト４を除去することにより上地電極層３を中間誘
電体層２上に接触するよう配置させて、図９(f) に示す
ようなマイクロ波用容量素子を得る。
ず、図９(a) に示すように、ＭＩＣ基板１００上に線路
２０と接続した半円状の下地電極層１を、レジストパタ
ーン等を利用して蒸着等により形成する。この線路２０
との接続は、例えば、下地電極層１と線路２０とを同時
に蒸着等により形成することにより行われる。次に、図
９(b) に示すように、円柱状の中間誘電体層２を蒸着等
により形成した後、該中間誘電体膜の上面の中心部をエ
ッチング等により円柱状に除去することにより凹部２ａ
を形成する。次に図９(c) に示すように、ＭＩＣ基板１
００表面を覆うようにレジスト４を形成する。このと
き、上記凹部２ａが該レジスト４により完全に埋め込ま
れないようにする。さらに、該レジスト４上に上地電極
形成用誘電体膜５を形成した後、この上地電極形成用誘
電体膜５の、上地電極層３を形成する領域をレジストパ
ターンとエッチングの組合せ等により除去し( 図９
(d))、この除去した領域に蒸着等により上地金属層３を
形成し、上地電極形成用誘電体膜５をエッチング等によ
り選択的に除去する。このとき、上記凹部２ａの表面の
レジスト３上には、この凹部２ａを埋め込むように突起
部３ａが形成される。その後、図９(e) に示すように、
レジスト４を除去することにより上地電極層３を中間誘
電体層２上に接触するよう配置させて、図９(f) に示す
ようなマイクロ波用容量素子を得る。
【００３５】次に動作について説明する。上地電極層３
と、ＭＩＣ基板１００上の所定の伝送線路等の線路を、
例えば金線等により接続し、上地電極層３と下地電極層
１にそれぞれ電流を流すと、ＭＩＭコンデンサ部９０の
下地電極層１と上地電極層３とが中間誘電体層２を介し
て対向する領域がＭＩＭコンデンサとして動作し、その
対向する領域の面積の変化にともなって容量が可変とな
る。ここで、本実施例１の容量素子においては上地電極
層３が中間誘電体層２上に接着されていないため、突起
部３ａを軸として、中間誘電体層２上で上地金属層３を
回転移動させることにより、下地電極層１と上地電極層
３とが中間誘電体層を介して対向する領域の面積を変化
させることができる。従って、マイクロマシーン等の治
具を用いて上地電極層３を回転させることにより、本実
施例に示したマイクロ波用容量素子においては、その容
量を所定の値に調整することが容易に可能となる。
と、ＭＩＣ基板１００上の所定の伝送線路等の線路を、
例えば金線等により接続し、上地電極層３と下地電極層
１にそれぞれ電流を流すと、ＭＩＭコンデンサ部９０の
下地電極層１と上地電極層３とが中間誘電体層２を介し
て対向する領域がＭＩＭコンデンサとして動作し、その
対向する領域の面積の変化にともなって容量が可変とな
る。ここで、本実施例１の容量素子においては上地電極
層３が中間誘電体層２上に接着されていないため、突起
部３ａを軸として、中間誘電体層２上で上地金属層３を
回転移動させることにより、下地電極層１と上地電極層
３とが中間誘電体層を介して対向する領域の面積を変化
させることができる。従って、マイクロマシーン等の治
具を用いて上地電極層３を回転させることにより、本実
施例に示したマイクロ波用容量素子においては、その容
量を所定の値に調整することが容易に可能となる。
【００３６】また、本実施例においては、凹部２ａに突
起部３ａをはめ込んで構成された回転摺動機構部を備え
ており、上地電極層３が該回転摺動機構部を回転中心軸
として回転移動可能としたから、一定の割合で下地電極
層１と上地電極層３とが中間誘電体層を介して対向する
領域の面積を変化させることができ、容量素子の容量を
線形的に変化させることが可能となる。従って、本実施
例に示したマイクロ波用容量素子においては、上地電極
層３の回転移動により、容量を連続的に増加，あるいは
減少させることができるから、所定の容量を容易にかつ
迅速に得ることができる。
起部３ａをはめ込んで構成された回転摺動機構部を備え
ており、上地電極層３が該回転摺動機構部を回転中心軸
として回転移動可能としたから、一定の割合で下地電極
層１と上地電極層３とが中間誘電体層を介して対向する
領域の面積を変化させることができ、容量素子の容量を
線形的に変化させることが可能となる。従って、本実施
例に示したマイクロ波用容量素子においては、上地電極
層３の回転移動により、容量を連続的に増加，あるいは
減少させることができるから、所定の容量を容易にかつ
迅速に得ることができる。
【００３７】なお、本実施例のマイクロ波用容量素子に
おいて、上地電極層３を移動させて容量を調整した後
は、必要に応じて、例えば固定部材や接着剤等を用いて
上地電極層３が中間誘電体層２上を移動しないように固
定することで、容量を一定の値に保つことができる。
おいて、上地電極層３を移動させて容量を調整した後
は、必要に応じて、例えば固定部材や接着剤等を用いて
上地電極層３が中間誘電体層２上を移動しないように固
定することで、容量を一定の値に保つことができる。
【００３８】このように本実施例によれば、上地電極層
３を中間誘電体層２上において回転移動可能な構造とし
たから、下地電極層１と上地電極層３が中間誘電体層２
を介して対向する領域の面積を変化させることにより、
容量を変化させることができるマイクロ波用容量素子を
提供することができる。
３を中間誘電体層２上において回転移動可能な構造とし
たから、下地電極層１と上地電極層３が中間誘電体層２
を介して対向する領域の面積を変化させることにより、
容量を変化させることができるマイクロ波用容量素子を
提供することができる。
【００３９】ここで本実施例１の変形例について説明す
る。図１０〜１２は本発明の第１の実施例によるマイク
ロ波用容量素子の変形例を説明するための図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示しており、６は伝送線路等と同一の材料からなる上地
電極接続用線路，７は上地電極層３上に形成されたハン
ドリング用凹部である。
る。図１０〜１２は本発明の第１の実施例によるマイク
ロ波用容量素子の変形例を説明するための図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示しており、６は伝送線路等と同一の材料からなる上地
電極接続用線路，７は上地電極層３上に形成されたハン
ドリング用凹部である。
【００４０】まず、本実施例１の第１の変形例のマイク
ロ波用容量素子を図１０について説明する。この変形例
１は中間誘電体層２を形成した後、エッチングと蒸着の
組合せにより、該中間誘電体層２の凹部２ａの周りに、
図１０に示すように、伝送線路等の線路と接続された上
地電極接続用線路６を埋め込むように形成し、上地電極
層３が中間誘電体層２上を回転移動する際、この線路６
の一部に接触するようにしたものである。上記第１の実
施例においては、上地電極層３と中間誘電体層２の接続
の際に金線等のワイヤボンディング等を利用する必要が
あり、例えば容量を変化させるために上地電極層３を移
動させる際には、ワイヤを付けかえる必要があるが、こ
の第１の変形例のように線路６を設けることにより、上
地電極層３と伝送線路が常に接続された状態となるか
ら、金線等のワイヤボンディングが不要となり、容量の
調整を容易に行うことができる効果がある。
ロ波用容量素子を図１０について説明する。この変形例
１は中間誘電体層２を形成した後、エッチングと蒸着の
組合せにより、該中間誘電体層２の凹部２ａの周りに、
図１０に示すように、伝送線路等の線路と接続された上
地電極接続用線路６を埋め込むように形成し、上地電極
層３が中間誘電体層２上を回転移動する際、この線路６
の一部に接触するようにしたものである。上記第１の実
施例においては、上地電極層３と中間誘電体層２の接続
の際に金線等のワイヤボンディング等を利用する必要が
あり、例えば容量を変化させるために上地電極層３を移
動させる際には、ワイヤを付けかえる必要があるが、こ
の第１の変形例のように線路６を設けることにより、上
地電極層３と伝送線路が常に接続された状態となるか
ら、金線等のワイヤボンディングが不要となり、容量の
調整を容易に行うことができる効果がある。
【００４１】次に、本実施例１の第２の変形例のマイク
ロ波用容量素子を図１１について説明する。この変形例
２は上地電極層３の表面にハンドリング用凹部７を形成
したものであり、このマイクロ波用容量素子は、このハ
ンドリング用凹部７にマイクロマシーン等の治具の先端
を係合させて、上地電極層３を回転移動させるものであ
る。このハンドリング用凹部７の大きさは、回転に用い
られる治具の大きさや形状にあわせて形成される。この
第２の変形例によれば、ハンドリング用凹部７にマイク
ロマシーン等の治具の先端を係合させることができるか
ら、上地電極層３の回転移動を容易に行うことができる
効果がある。なお、この第２の変形例において、上地電
極層３上にハンドリング用凹部６を設ける代わりに、回
転に使用する治具の形状にあわせたハンドリング用突起
部を設け、これに治具を係合させて上地電極層３を回転
させるようにしても同様の効果を得ることができる。
ロ波用容量素子を図１１について説明する。この変形例
２は上地電極層３の表面にハンドリング用凹部７を形成
したものであり、このマイクロ波用容量素子は、このハ
ンドリング用凹部７にマイクロマシーン等の治具の先端
を係合させて、上地電極層３を回転移動させるものであ
る。このハンドリング用凹部７の大きさは、回転に用い
られる治具の大きさや形状にあわせて形成される。この
第２の変形例によれば、ハンドリング用凹部７にマイク
ロマシーン等の治具の先端を係合させることができるか
ら、上地電極層３の回転移動を容易に行うことができる
効果がある。なお、この第２の変形例において、上地電
極層３上にハンドリング用凹部６を設ける代わりに、回
転に使用する治具の形状にあわせたハンドリング用突起
部を設け、これに治具を係合させて上地電極層３を回転
させるようにしても同様の効果を得ることができる。
【００４２】次に本実施例１の第３の変形例のマイクロ
波用容量素子を図１２について説明する。この変形例
は、上記中間誘電体層２の凹部２ａを断面形状が逆Ｔ字
型となるよう形成し、さらに該逆Ｔ字型凹部２ａにはめ
込むように上記上地電極層３の突起部３ａを断面形状が
逆Ｔ字型となるように形成したものである。この構造に
おいては、逆Ｔ字型凹部２ａから逆Ｔ字型突起部３ａが
抜けることがない。従って、本変形例３のような逆Ｔ字
型凹部２ａと逆Ｔ字型突起部３ａからなる係止構造を設
けることにより、容量調節の際の上地電極層３の取扱い
を容易とすることができる効果がある。
波用容量素子を図１２について説明する。この変形例
は、上記中間誘電体層２の凹部２ａを断面形状が逆Ｔ字
型となるよう形成し、さらに該逆Ｔ字型凹部２ａにはめ
込むように上記上地電極層３の突起部３ａを断面形状が
逆Ｔ字型となるように形成したものである。この構造に
おいては、逆Ｔ字型凹部２ａから逆Ｔ字型突起部３ａが
抜けることがない。従って、本変形例３のような逆Ｔ字
型凹部２ａと逆Ｔ字型突起部３ａからなる係止構造を設
けることにより、容量調節の際の上地電極層３の取扱い
を容易とすることができる効果がある。
【００４３】実施例２．図３は本発明の第２の実施例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
図において、１１はＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ
／Ａｕ合金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの下地電
極層，１２はＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料からなる
厚さが１５００〜２０００オングストロームである中間
誘電体層，１２ａは、該中間誘電体層１２の上面に形成
された所定の方向に伸びるストライプ状溝、１３は中間
誘電体層１２上に設けられ、中間誘電体層１２上部と大
きさが等しいＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ
合金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの上地電極層、
１３ａは該上地電極層１３の中間誘電体層１２側に、上
記ストライプ状溝１２ａにはめ込むように形成されたス
トライプ状突起部で、このストライプ状突起部１３ａと
ストライプ状溝１２ａは互いにはめ合わされて摺動機構
部を形成している。９１は下地電極層１１，中間誘電体
層１２，及び上地電極層１３からなるＭＩＭコンデンサ
部である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
図において、１１はＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ
／Ａｕ合金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの下地電
極層，１２はＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料からなる
厚さが１５００〜２０００オングストロームである中間
誘電体層，１２ａは、該中間誘電体層１２の上面に形成
された所定の方向に伸びるストライプ状溝、１３は中間
誘電体層１２上に設けられ、中間誘電体層１２上部と大
きさが等しいＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ
合金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの上地電極層、
１３ａは該上地電極層１３の中間誘電体層１２側に、上
記ストライプ状溝１２ａにはめ込むように形成されたス
トライプ状突起部で、このストライプ状突起部１３ａと
ストライプ状溝１２ａは互いにはめ合わされて摺動機構
部を形成している。９１は下地電極層１１，中間誘電体
層１２，及び上地電極層１３からなるＭＩＭコンデンサ
部である。
【００４４】図１３は本実施例２の製造方法を示す工程
図であり、図において、図３と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、１４はレジスト、１５は上地
電極形成用誘電体膜である。
図であり、図において、図３と同一符号は同一または相
当する部分を示しており、１４はレジスト、１５は上地
電極形成用誘電体膜である。
【００４５】次に製造方法を図１３について説明する。
まず、図１３(a) に示すように、ＭＩＣ基板１００上に
線路２０と接続した長方形形状の下地電極層１１をレジ
ストパターン等を利用して蒸着等により形成する。この
線路２０との接続は、例えば、下地電極層１１と線路２
０とを同時に蒸着等により形成することにより行われ
る。次に、図１３(b) に示すように、上記下地電極層１
１上に中間誘電体層１２を蒸着等により形成した後、該
中間誘電体膜１２の上面にエッチング等により所定方向
に伸びるストライプ状の溝１２ａを形成する。次に図１
３(c) に示すように、ＭＩＣ基板１００上を覆うように
レジスト１４を形成する。このとき、上記ストライプ状
溝１２ａが該レジスト１４により完全には埋め込まれな
いようにする。さらに、該レジスト１４上に上地電極形
成用誘電体膜１５を形成した後、この上地電極形成用誘
電体膜１５の、上地電極層１３を形成する領域をレジス
トパターン等を利用して除去し( 図１３(d))、この除去
した領域に蒸着等により上地電極層１３を形成し、上地
電極形成用誘電体膜１５をエッチング等により選択的に
除去する。このとき、上地電極層１３の中間誘電体層１
２側に、上記溝１２ａを埋め込むようにストライプ状突
起部１３ａが形成される。その後、図１３(e)に示すよ
うに、レジスト１４を除去することにより上地電極層１
３を中間誘電体層１２上に接触するよう配置させて、図
１３(f) に示すようなマイクロ波用容量素子を得る。
まず、図１３(a) に示すように、ＭＩＣ基板１００上に
線路２０と接続した長方形形状の下地電極層１１をレジ
ストパターン等を利用して蒸着等により形成する。この
線路２０との接続は、例えば、下地電極層１１と線路２
０とを同時に蒸着等により形成することにより行われ
る。次に、図１３(b) に示すように、上記下地電極層１
１上に中間誘電体層１２を蒸着等により形成した後、該
中間誘電体膜１２の上面にエッチング等により所定方向
に伸びるストライプ状の溝１２ａを形成する。次に図１
３(c) に示すように、ＭＩＣ基板１００上を覆うように
レジスト１４を形成する。このとき、上記ストライプ状
溝１２ａが該レジスト１４により完全には埋め込まれな
いようにする。さらに、該レジスト１４上に上地電極形
成用誘電体膜１５を形成した後、この上地電極形成用誘
電体膜１５の、上地電極層１３を形成する領域をレジス
トパターン等を利用して除去し( 図１３(d))、この除去
した領域に蒸着等により上地電極層１３を形成し、上地
電極形成用誘電体膜１５をエッチング等により選択的に
除去する。このとき、上地電極層１３の中間誘電体層１
２側に、上記溝１２ａを埋め込むようにストライプ状突
起部１３ａが形成される。その後、図１３(e)に示すよ
うに、レジスト１４を除去することにより上地電極層１
３を中間誘電体層１２上に接触するよう配置させて、図
１３(f) に示すようなマイクロ波用容量素子を得る。
【００４６】次に動作について説明する。上地電極層１
３と、ＭＩＣ基板１００上の所定の伝送線路等の線路
を、例えば金線等により接続し、上地電極層１３と下地
電極層１１にそれぞれ電流を流すと、ＭＩＭコンデンサ
部９１の下地電極層１１と上地電極層１３とが中間誘電
体層１２を介して対向する領域がＭＩＭコンデンサとし
て動作する。このＭＩＭコンデンサ部９１はその下地電
極層１１と上地電極層１３とが対向する領域の面積によ
って容量が決定するものである。ここで、本実施例２の
容量素子においては上地電極層１３が中間誘電体層１２
上に接着されていないため、中間誘電体層１２上で上地
金属層１３を移動させることにより、下地電極層１１と
上地電極層１３とが中間誘電体層を介して対向する領域
の面積を変化させることができる。従って、マイクロマ
シーン等の治具を用いて上地電極層１３を移動させるこ
とにより、本実施例に示した容量素子においては、その
容量を所定の値に調整することが容易に可能となる。
３と、ＭＩＣ基板１００上の所定の伝送線路等の線路
を、例えば金線等により接続し、上地電極層１３と下地
電極層１１にそれぞれ電流を流すと、ＭＩＭコンデンサ
部９１の下地電極層１１と上地電極層１３とが中間誘電
体層１２を介して対向する領域がＭＩＭコンデンサとし
て動作する。このＭＩＭコンデンサ部９１はその下地電
極層１１と上地電極層１３とが対向する領域の面積によ
って容量が決定するものである。ここで、本実施例２の
容量素子においては上地電極層１３が中間誘電体層１２
上に接着されていないため、中間誘電体層１２上で上地
金属層１３を移動させることにより、下地電極層１１と
上地電極層１３とが中間誘電体層を介して対向する領域
の面積を変化させることができる。従って、マイクロマ
シーン等の治具を用いて上地電極層１３を移動させるこ
とにより、本実施例に示した容量素子においては、その
容量を所定の値に調整することが容易に可能となる。
【００４７】ここで、上記ストライプ溝１２ａとストラ
イプ状突起部１３ａとは、互いにはめ合わされて摺動機
構部を形成しており、上記上地金属層１３のストライプ
状突起部１３ａの伸びる方向に移動方向を定め、上地電
極層１３の中間誘電体層１２上からの脱落を防止するよ
う機能しているとともに、一定の割合で下地電極層１１
と上地電極層１３とが中間誘電体層を介して対向する領
域の面積を変化させることができ、容量素子の容量を線
形的に変化させることが可能となる。従って、上地電極
層１３を移動させることにより、容量を連続的に増加，
あるいは減少させることができるから、所定の容量を容
易にかつ迅速に得ることができる。
イプ状突起部１３ａとは、互いにはめ合わされて摺動機
構部を形成しており、上記上地金属層１３のストライプ
状突起部１３ａの伸びる方向に移動方向を定め、上地電
極層１３の中間誘電体層１２上からの脱落を防止するよ
う機能しているとともに、一定の割合で下地電極層１１
と上地電極層１３とが中間誘電体層を介して対向する領
域の面積を変化させることができ、容量素子の容量を線
形的に変化させることが可能となる。従って、上地電極
層１３を移動させることにより、容量を連続的に増加，
あるいは減少させることができるから、所定の容量を容
易にかつ迅速に得ることができる。
【００４８】このように本実施例２においては、マイク
ロ波用容量素子の上地電極層１３を中間誘電体層１２上
をスライド可能とし、この上地電極層１３の移動によ
り、下地金属層１１，上地金属層１３が中間誘電体層１
２を介して対向する面積を変化させることができるか
ら、容量が可変であるマイクロ波容量素子を提供するこ
とができる。
ロ波用容量素子の上地電極層１３を中間誘電体層１２上
をスライド可能とし、この上地電極層１３の移動によ
り、下地金属層１１，上地金属層１３が中間誘電体層１
２を介して対向する面積を変化させることができるか
ら、容量が可変であるマイクロ波容量素子を提供するこ
とができる。
【００４９】なお、上記実施例においては、中間誘電体
層１２表面にストライプ状溝１２ａを１本設けた場合に
ついて説明したが、本発明はこのストライプ状溝を複数
設け、かつ上地電極層の下面に上記各ストライプ状溝に
嵌め込むように複数のストライプ状突起部を設けるよう
にしても良く、上記実施例と同様の効果を奏する。
層１２表面にストライプ状溝１２ａを１本設けた場合に
ついて説明したが、本発明はこのストライプ状溝を複数
設け、かつ上地電極層の下面に上記各ストライプ状溝に
嵌め込むように複数のストライプ状突起部を設けるよう
にしても良く、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００５０】また、上記第２の実施例において、図１４
に示すように、上地電極層の移動方向に沿って中間誘電
体層１２上面に伝送線路と接続された上地金属接続用線
路１６を埋め込み形成するようにしても、上地金属層１
３と伝送線路が常に接続された状態となるから、上記実
施例１の第１の変形例と同様の効果を奏する。なお、図
１４において、図３と同一符号は同一または相当する部
分を示している。さらに、上地電極層１３の表面にハン
ドリング用凹部やハンドリング用突起部を設けるように
しても、上記実施例１の第２の変形例と同様の効果を奏
する。
に示すように、上地電極層の移動方向に沿って中間誘電
体層１２上面に伝送線路と接続された上地金属接続用線
路１６を埋め込み形成するようにしても、上地金属層１
３と伝送線路が常に接続された状態となるから、上記実
施例１の第１の変形例と同様の効果を奏する。なお、図
１４において、図３と同一符号は同一または相当する部
分を示している。さらに、上地電極層１３の表面にハン
ドリング用凹部やハンドリング用突起部を設けるように
しても、上記実施例１の第２の変形例と同様の効果を奏
する。
【００５１】実施例３．図４は本発明の第３の実施例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図であり、
本実施例３のマイクロ波用容量素子は、くさび型の中間
誘電体層の斜面上を、該斜面の傾き方向と平行な方向に
上地電極層が移動可能となるようにしたものである。図
４において、図３と同一符号は同一又は相当する部分を
示しており、２２はくさび型のＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘
電体材料からなる中間誘電体層、２３は該中間誘電体層
２２の斜面上に形成された、該斜面よりも、その斜面方
向の長さが短いＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａ
ｕ合金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの上地電極層
で、その斜面方向と垂直の方向の両端部には、中間誘電
体層２２の端部に沿って基板側に曲げられた側面係止部
１８が設けられている。この側面係止部１８は中間誘電
体層２２の端部にはめ合わされて摺動機構部を形成して
いる。また、１７はハンドリング用凹部，９２は下地電
極層１１，中間誘電体層２２，上地電極層２３からなる
ＭＩＭコンデンサ部である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図であり、
本実施例３のマイクロ波用容量素子は、くさび型の中間
誘電体層の斜面上を、該斜面の傾き方向と平行な方向に
上地電極層が移動可能となるようにしたものである。図
４において、図３と同一符号は同一又は相当する部分を
示しており、２２はくさび型のＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘
電体材料からなる中間誘電体層、２３は該中間誘電体層
２２の斜面上に形成された、該斜面よりも、その斜面方
向の長さが短いＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａ
ｕ合金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの上地電極層
で、その斜面方向と垂直の方向の両端部には、中間誘電
体層２２の端部に沿って基板側に曲げられた側面係止部
１８が設けられている。この側面係止部１８は中間誘電
体層２２の端部にはめ合わされて摺動機構部を形成して
いる。また、１７はハンドリング用凹部，９２は下地電
極層１１，中間誘電体層２２，上地電極層２３からなる
ＭＩＭコンデンサ部である。
【００５２】本実施例３のマイクロ波用容量素子は、下
地電極層１１上に、蒸着とエッチングを繰り返すことに
よりくさび型の中間誘電体層２２を形成し、さらに上記
実施例２と同様にレジスト，及び上地電極形成用誘電体
膜を用いたプロセスにより、ハンドリング凹部１７を上
面に備えた上地電極層２２を形成するようにしたもので
ある。
地電極層１１上に、蒸着とエッチングを繰り返すことに
よりくさび型の中間誘電体層２２を形成し、さらに上記
実施例２と同様にレジスト，及び上地電極形成用誘電体
膜を用いたプロセスにより、ハンドリング凹部１７を上
面に備えた上地電極層２２を形成するようにしたもので
ある。
【００５３】次に動作について説明する。上記実施例２
においては、上地電極層１３を中間誘電体層１２上で移
動させることにより、下地電極層１１と上地電極層１３
の中間誘電体層１２を介して対向する面積を変化させる
ことにより、容量素子のＭＩＭコンデンサ部９１の容量
を変化させるようにしたが、本実施例においては、上地
電極層２３を中間誘電体層２２の斜面上を斜面方向に移
動させることにより、下地電極層１１と上地電極層２３
の中間誘電体層２２を介して対向する面積は変化させ
ず、下地電極層１１と上地電極層２３の間の中間誘電体
層２２の厚さを変化させることにより、ＭＩＭコンデン
サ部９２の容量を変化させるようにしたものであり、こ
のような実施例においても、上記第２の実施例と同様の
効果を奏する。
においては、上地電極層１３を中間誘電体層１２上で移
動させることにより、下地電極層１１と上地電極層１３
の中間誘電体層１２を介して対向する面積を変化させる
ことにより、容量素子のＭＩＭコンデンサ部９１の容量
を変化させるようにしたが、本実施例においては、上地
電極層２３を中間誘電体層２２の斜面上を斜面方向に移
動させることにより、下地電極層１１と上地電極層２３
の中間誘電体層２２を介して対向する面積は変化させ
ず、下地電極層１１と上地電極層２３の間の中間誘電体
層２２の厚さを変化させることにより、ＭＩＭコンデン
サ部９２の容量を変化させるようにしたものであり、こ
のような実施例においても、上記第２の実施例と同様の
効果を奏する。
【００５４】また、本実施例３においては上記摺動機構
部は、上記上地電極層２３を上記中間誘電体層の斜面方
向と平行な方向に直線移動可能として、上地電極層２３
の中間誘電体層２２上からの脱落を防止するよう機能し
ているとともに、この上地電極層の直線移動により一定
の割合で下地電極層１１と上地電極層１３との間の中間
誘電体層の厚さを変化させることができ、容量素子の容
量を線形的に変化させることが可能となる。従って、上
地電極層２３を移動させることにより、容量を連続的に
増加，あるいは減少させることができるから、所定の容
量を容易に得られる効果がある。
部は、上記上地電極層２３を上記中間誘電体層の斜面方
向と平行な方向に直線移動可能として、上地電極層２３
の中間誘電体層２２上からの脱落を防止するよう機能し
ているとともに、この上地電極層の直線移動により一定
の割合で下地電極層１１と上地電極層１３との間の中間
誘電体層の厚さを変化させることができ、容量素子の容
量を線形的に変化させることが可能となる。従って、上
地電極層２３を移動させることにより、容量を連続的に
増加，あるいは減少させることができるから、所定の容
量を容易に得られる効果がある。
【００５５】実施例４．図５は本発明の第４の実施例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
図において、図３と同一符号は同一または相当する部分
を示しており、３２はその長手方向において所定の誘電
率分布を有する厚さ１５００〜２０００オングストロー
ムの中間誘電体層，３３は該中間誘電体層３２上に形成
された、その上記中間誘電体層３２の長手方向と平行な
方向の長さが、中間誘電体層３２よりも短いＡｕ，Ａ
ｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ合金等の金属膜からな
る厚さ１〜２μｍの上地電極層で、その上記中間誘電体
層３２の長手方向と垂直な方向の両端部には、中間誘電
体層３２の端部に沿って基板１００側に曲げられた側面
ガイド部２８が設けられている。この側面ガイド部２８
は上記中間誘電体層３２の長手方向と垂直な方向の両端
部にはめ合わされて摺動構造部を形成している。３４は
ハンドリング用凹部，９３は下地電極層１１，中間誘電
体層３２，及び上地電極層３３からなるＭＩＭコンデン
サ部である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
図において、図３と同一符号は同一または相当する部分
を示しており、３２はその長手方向において所定の誘電
率分布を有する厚さ１５００〜２０００オングストロー
ムの中間誘電体層，３３は該中間誘電体層３２上に形成
された、その上記中間誘電体層３２の長手方向と平行な
方向の長さが、中間誘電体層３２よりも短いＡｕ，Ａ
ｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ合金等の金属膜からな
る厚さ１〜２μｍの上地電極層で、その上記中間誘電体
層３２の長手方向と垂直な方向の両端部には、中間誘電
体層３２の端部に沿って基板１００側に曲げられた側面
ガイド部２８が設けられている。この側面ガイド部２８
は上記中間誘電体層３２の長手方向と垂直な方向の両端
部にはめ合わされて摺動構造部を形成している。３４は
ハンドリング用凹部，９３は下地電極層１１，中間誘電
体層３２，及び上地電極層３３からなるＭＩＭコンデン
サ部である。
【００５６】本実施例４のマイクロ波用容量素子は、下
地電極層１１上に、誘電体材料を蒸着した後、その長手
方向に濃度を所定の割合で増加させながらイオン注入等
を行うことにより、その長手方向に向かって誘電率が順
次増加している中間誘電体層３２を形成し、さらに上記
実施例３と同様にレジスト，及び上地電極形成用誘電体
膜を利用してハンドリング凹部３４を上面に備えた上地
電極層３３を形成するようにしたものである。
地電極層１１上に、誘電体材料を蒸着した後、その長手
方向に濃度を所定の割合で増加させながらイオン注入等
を行うことにより、その長手方向に向かって誘電率が順
次増加している中間誘電体層３２を形成し、さらに上記
実施例３と同様にレジスト，及び上地電極形成用誘電体
膜を利用してハンドリング凹部３４を上面に備えた上地
電極層３３を形成するようにしたものである。
【００５７】上記実施例２においては、ＭＩＭコンデン
サ部９１の上地電極層１３を中間誘電体層１２上で移動
させることにより、下地電極層１１と上地電極層１３の
中間誘電体層１２を介して対向する面積を変化させるこ
とにより、容量素子の容量を変化させるようにしたが、
本実施例においては、ＭＩＭコンデンサ部９３の上地電
極層３３を、その長手方向において誘電率が所定の割合
で増加している中間誘電体層３２上を中間誘電体層３２
の長手方向と平行な方向に移動させることにより、下地
電極層１１と上地電極層３３の中間誘電体層３２を介し
て対向する面積は変化させるのではなく、下地電極層１
１と上地電極層３３の間の中間誘電体層３２の誘電率を
変化させることにより、容量を変化させるようにしたも
のであり、このような実施例においても、上記第２の実
施例と同様の効果を奏する。
サ部９１の上地電極層１３を中間誘電体層１２上で移動
させることにより、下地電極層１１と上地電極層１３の
中間誘電体層１２を介して対向する面積を変化させるこ
とにより、容量素子の容量を変化させるようにしたが、
本実施例においては、ＭＩＭコンデンサ部９３の上地電
極層３３を、その長手方向において誘電率が所定の割合
で増加している中間誘電体層３２上を中間誘電体層３２
の長手方向と平行な方向に移動させることにより、下地
電極層１１と上地電極層３３の中間誘電体層３２を介し
て対向する面積は変化させるのではなく、下地電極層１
１と上地電極層３３の間の中間誘電体層３２の誘電率を
変化させることにより、容量を変化させるようにしたも
のであり、このような実施例においても、上記第２の実
施例と同様の効果を奏する。
【００５８】また、本実施例４において上記摺動機構部
は、上記上地電極層３３を上記中間誘電体層の長手方向
と平行な方向に直線移動可能として、上地電極層３３の
中間誘電体層３２上からの脱落を防止するよう機能する
とともに、上地電極層３３の直線移動により一定の割合
で下地電極層１１と上地電極層３３との間の中間誘電体
層の誘電率を変化させ、容量素子の容量の線形的な変化
を可能とするものである。従って、上地電極層３３を移
動させることにより、容量を連続的に増加，あるいは減
少させることができるから、所定の容量を容易に得るこ
とができる効果がある。
は、上記上地電極層３３を上記中間誘電体層の長手方向
と平行な方向に直線移動可能として、上地電極層３３の
中間誘電体層３２上からの脱落を防止するよう機能する
とともに、上地電極層３３の直線移動により一定の割合
で下地電極層１１と上地電極層３３との間の中間誘電体
層の誘電率を変化させ、容量素子の容量の線形的な変化
を可能とするものである。従って、上地電極層３３を移
動させることにより、容量を連続的に増加，あるいは減
少させることができるから、所定の容量を容易に得るこ
とができる効果がある。
【００５９】なお、上記実施例においては、イオン注入
等により誘電率分布を有する中間誘電体層３２３を形成
するようにしたが、本実施例は上記中間誘電体層３２
を、レジストパターン等を利用し、所定の誘電率を有す
る所定幅の複数のストライプ状部材を、下地金属層１１
上に、下地金属層１１の長手方向に向かって、互いに平
行になるよう隣接させながら順次蒸着することにより形
成するようにしてもよく、上記実施例と同様の効果を奏
する。
等により誘電率分布を有する中間誘電体層３２３を形成
するようにしたが、本実施例は上記中間誘電体層３２
を、レジストパターン等を利用し、所定の誘電率を有す
る所定幅の複数のストライプ状部材を、下地金属層１１
上に、下地金属層１１の長手方向に向かって、互いに平
行になるよう隣接させながら順次蒸着することにより形
成するようにしてもよく、上記実施例と同様の効果を奏
する。
【００６０】また、本実施例においては、長手方向に向
かって誘電率が順次増加，あるいは減少している中間誘
電体層３２を形成するようにしたが、中間誘電体層に一
様でない誘電率分布を持たせるようにしても、容量を変
化させることができる集積回路用容量素子を得られる効
果がある。
かって誘電率が順次増加，あるいは減少している中間誘
電体層３２を形成するようにしたが、中間誘電体層に一
様でない誘電率分布を持たせるようにしても、容量を変
化させることができる集積回路用容量素子を得られる効
果がある。
【００６１】実施例５．図６は本発明の第５の実施例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
図において、図５と同一符号は同一または相当する部分
を示しており、４０Ａ1 〜４０Ａn はＳｉＮ，ＳｉＯＮ
等の誘電体材料からなるストライプ状部材で、下地金属
層１１上に互いに平行に、かつ互いに所定の間隔を隔て
るよう配置されている。また、このストライプ状部材
は、それぞれの配列方向の幅が互いに異なり、かつその
高さが１５００〜２０００オングストロームで互いに等
しくなるよう、レジストパターンと蒸着の組合せにより
形成されている。４０は該ストライプ状部材４０Ａ1 〜
４０Ａn からなる中間誘電体層、４３は該中間誘電体層
上に配置された、上記ストライプ状部材４０Ａ1 〜４０
Ａn の配列方向と平行な方向の長さが、中間誘電体層４
０の長さよりも短く、かつ、互いに隣接する上記ストラ
イプ状部材間の間隔に落下しない長さとなるよう形成さ
れたＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ合金等の
金属膜からなる厚さ１〜２μｍの上地電極層で、その上
記ストライプ状部材４０Ａ1 〜４０Ａn の配列方向と平
行な方向に対して垂直な方向の両端部には、中間誘電体
層４０の端部に沿って基板１００側に曲げられた側面ガ
イド部４８が設けられている。この側面ガイド部４８は
中間誘電体層４０の両端部にはめ合わされて摺動機構部
を形成している。４４はハンドリング用凹部である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
図において、図５と同一符号は同一または相当する部分
を示しており、４０Ａ1 〜４０Ａn はＳｉＮ，ＳｉＯＮ
等の誘電体材料からなるストライプ状部材で、下地金属
層１１上に互いに平行に、かつ互いに所定の間隔を隔て
るよう配置されている。また、このストライプ状部材
は、それぞれの配列方向の幅が互いに異なり、かつその
高さが１５００〜２０００オングストロームで互いに等
しくなるよう、レジストパターンと蒸着の組合せにより
形成されている。４０は該ストライプ状部材４０Ａ1 〜
４０Ａn からなる中間誘電体層、４３は該中間誘電体層
上に配置された、上記ストライプ状部材４０Ａ1 〜４０
Ａn の配列方向と平行な方向の長さが、中間誘電体層４
０の長さよりも短く、かつ、互いに隣接する上記ストラ
イプ状部材間の間隔に落下しない長さとなるよう形成さ
れたＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ合金等の
金属膜からなる厚さ１〜２μｍの上地電極層で、その上
記ストライプ状部材４０Ａ1 〜４０Ａn の配列方向と平
行な方向に対して垂直な方向の両端部には、中間誘電体
層４０の端部に沿って基板１００側に曲げられた側面ガ
イド部４８が設けられている。この側面ガイド部４８は
中間誘電体層４０の両端部にはめ合わされて摺動機構部
を形成している。４４はハンドリング用凹部である。
【００６２】上記第４の実施例においては、誘電体分布
を有する中間誘電体層３２を形成し、この誘電体層３２
上を上地電極層３３を移動させることにより、容量素子
の容量を変化させていたが、本実施例は上地金属層４３
を、下地金属層１１上に互いに平行に、かつ不等間隔で
配置された、それぞれの配列方向の幅が互いに異なり、
かつその高さが互いに等しいストライプ状部材４０Ａ1
〜４０Ａn からなる中間誘電体層４０上を、上記配列方
向に移動させることにより、上地電極層４３と下地電極
層１１との間に挟まれる中間誘電体層４０の面積を変化
させることにより、マイクロ波用容量素子の容量を変化
させるものであり、このような実施例においても上記第
４の実施例と同様の効果を奏する。
を有する中間誘電体層３２を形成し、この誘電体層３２
上を上地電極層３３を移動させることにより、容量素子
の容量を変化させていたが、本実施例は上地金属層４３
を、下地金属層１１上に互いに平行に、かつ不等間隔で
配置された、それぞれの配列方向の幅が互いに異なり、
かつその高さが互いに等しいストライプ状部材４０Ａ1
〜４０Ａn からなる中間誘電体層４０上を、上記配列方
向に移動させることにより、上地電極層４３と下地電極
層１１との間に挟まれる中間誘電体層４０の面積を変化
させることにより、マイクロ波用容量素子の容量を変化
させるものであり、このような実施例においても上記第
４の実施例と同様の効果を奏する。
【００６３】また、本実施例５において上記摺動機構部
は、上地電極層４３の移動方向を上記ストライプ状部材
４０Ａ1 〜４０Ａn の配列方向と平行な方向に直線移動
可能として、上記上地電極層４３の直線移動により、上
記上地電極層４３と下地電極層１１との間に挟まれる中
間誘電体層４０の面積を非線形的に変化させるものであ
り、このような摺動機構部を備えたから、下地電極層１
１と上地電極層３３との間の中間誘電体層の実質的な誘
電率を段階的に変化させ、容量素子の容量を非線形的に
変化させることが可能な集積回路用容量素子を得られる
効果がある。
は、上地電極層４３の移動方向を上記ストライプ状部材
４０Ａ1 〜４０Ａn の配列方向と平行な方向に直線移動
可能として、上記上地電極層４３の直線移動により、上
記上地電極層４３と下地電極層１１との間に挟まれる中
間誘電体層４０の面積を非線形的に変化させるものであ
り、このような摺動機構部を備えたから、下地電極層１
１と上地電極層３３との間の中間誘電体層の実質的な誘
電率を段階的に変化させ、容量素子の容量を非線形的に
変化させることが可能な集積回路用容量素子を得られる
効果がある。
【００６４】実施例６．図７は本発明の第６の実施例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図であり、
図において、図２と同一符号は同一又は相当する部分を
示しており、５２は下地電極１１上に形成されたＳｉ
Ｎ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料からなる第１の中間誘電体
層，５３は該第１の中間誘電体層５２上面に蒸着により
形成されたＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ合
金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの第１の上地電極
層，５７は該第１の上地電極層５３上面に蒸着により形
成された、その長手方向の長さが第１の上地電極層５３
の長さに対して短いＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料か
らなる第２の中間誘電体層で、第１の上地電極層５３と
第２の中間誘電体層５７との間には段差が形成されてい
る。５８は第２の中間誘電体層５７の上面に蒸着等によ
り形成されたＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ
合金等の金属膜からなる第２の上地金属層、５９は第１
の上地電極層５３上面の、上記第２の中間誘電体層５７
が形成されていない領域上に蒸着等により形成された第
１の電極パッド、６０は第２の上地金属層５８上面に蒸
着等により形成された第２の電極パッドである。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図であり、
図において、図２と同一符号は同一又は相当する部分を
示しており、５２は下地電極１１上に形成されたＳｉ
Ｎ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料からなる第１の中間誘電体
層，５３は該第１の中間誘電体層５２上面に蒸着により
形成されたＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ合
金等の金属膜からなる厚さ１〜２μｍの第１の上地電極
層，５７は該第１の上地電極層５３上面に蒸着により形
成された、その長手方向の長さが第１の上地電極層５３
の長さに対して短いＳｉＮ，ＳｉＯＮ等の誘電体材料か
らなる第２の中間誘電体層で、第１の上地電極層５３と
第２の中間誘電体層５７との間には段差が形成されてい
る。５８は第２の中間誘電体層５７の上面に蒸着等によ
り形成されたＡｕ，Ａｌ，Ｔｉ／Ｍｏ合金，Ｔｉ／Ａｕ
合金等の金属膜からなる第２の上地金属層、５９は第１
の上地電極層５３上面の、上記第２の中間誘電体層５７
が形成されていない領域上に蒸着等により形成された第
１の電極パッド、６０は第２の上地金属層５８上面に蒸
着等により形成された第２の電極パッドである。
【００６５】次に使用方法について説明する。本実施例
６の集積回路用容量素子は、第１の電極パッド５９，ま
たは第２の電極パッド６０のいずれかと基板１００上の
外部回路と接続された所定の伝送線路とをＡｕ線等によ
り接続して使用されるものであり、下地電極層１１と、
第１の上地電極層５３，または第２の上地電極層５８の
いずれかに電流を流すと、下地電極層１１と第１の上地
電極層５３との間，または下地電極層１１と第２の上地
電極層５８の間がＭＩＭコンデンサ部として動作する。
ここで、第１の上地電極層５３と伝送線路とを接続した
場合と、第２の上地電極層５８と伝送線路とを接続した
場合では、第１，第２の上地電極層５３，５８の面積が
異なり、かつ下地電極層１１と第１，第２の上地電極５
３，５８の間に挟まれている誘電体層の厚みが異なり、
容量素子の容量が異なるものとなる。従って、例えば、
外部回路等の整合を取るために容量を変更する必要があ
る場合には、電極パッド５９，６０のいずれか一方と、
外部回路と接続された伝送線路とをワイヤボンディング
などで接続することにより、容易に容量を変化させるこ
とができる。
６の集積回路用容量素子は、第１の電極パッド５９，ま
たは第２の電極パッド６０のいずれかと基板１００上の
外部回路と接続された所定の伝送線路とをＡｕ線等によ
り接続して使用されるものであり、下地電極層１１と、
第１の上地電極層５３，または第２の上地電極層５８の
いずれかに電流を流すと、下地電極層１１と第１の上地
電極層５３との間，または下地電極層１１と第２の上地
電極層５８の間がＭＩＭコンデンサ部として動作する。
ここで、第１の上地電極層５３と伝送線路とを接続した
場合と、第２の上地電極層５８と伝送線路とを接続した
場合では、第１，第２の上地電極層５３，５８の面積が
異なり、かつ下地電極層１１と第１，第２の上地電極５
３，５８の間に挟まれている誘電体層の厚みが異なり、
容量素子の容量が異なるものとなる。従って、例えば、
外部回路等の整合を取るために容量を変更する必要があ
る場合には、電極パッド５９，６０のいずれか一方と、
外部回路と接続された伝送線路とをワイヤボンディング
などで接続することにより、容易に容量を変化させるこ
とができる。
【００６６】このように、本実施例のマイクロ波用容量
素子においては、外部回路等に接続された伝送線路と該
マイクロ波用容量素子との接続場所を、電極パッド５
９，６０のいずれか一方とすることにより、異なる２つ
の容量を選択することができる効果がある。
素子においては、外部回路等に接続された伝送線路と該
マイクロ波用容量素子との接続場所を、電極パッド５
９，６０のいずれか一方とすることにより、異なる２つ
の容量を選択することができる効果がある。
【００６７】なお、本実施例においては、第１の上地電
極層上に、第２の中間誘電体層，第２の上地電極層を順
次形成するようにしたが、本発明は、さらに第２の上地
電極層上に複数の中間誘電体層，及び上地電極層を形成
するようにしてもよい。このとき、各中間誘電体層は、
その下部の上地電極層に対して長手方向の長さが短くな
るようにし、かつ各上地電極層はその下部の中間誘電体
層に対して長手方向の長さが等しいか、もしくは短くな
るようにする。このような場合においても、伝送線路と
接続する各上地電極層をつなぎかえることにより、上記
実施例と同様の効果を得ることができるとともに、２つ
以上の複数の容量を切り換えることができるから、容量
調整の幅を広げることができる効果がある。
極層上に、第２の中間誘電体層，第２の上地電極層を順
次形成するようにしたが、本発明は、さらに第２の上地
電極層上に複数の中間誘電体層，及び上地電極層を形成
するようにしてもよい。このとき、各中間誘電体層は、
その下部の上地電極層に対して長手方向の長さが短くな
るようにし、かつ各上地電極層はその下部の中間誘電体
層に対して長手方向の長さが等しいか、もしくは短くな
るようにする。このような場合においても、伝送線路と
接続する各上地電極層をつなぎかえることにより、上記
実施例と同様の効果を得ることができるとともに、２つ
以上の複数の容量を切り換えることができるから、容量
調整の幅を広げることができる効果がある。
【００６８】また、上記第１〜第６の実施例において
は、マイクロ波用容量素子を用いた場合について説明し
たが、本発明は他の集積回路用容量素子についても適用
することができ、上記各実施例と同様の効果を奏する。
は、マイクロ波用容量素子を用いた場合について説明し
たが、本発明は他の集積回路用容量素子についても適用
することができ、上記各実施例と同様の効果を奏する。
【００６９】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、集積回
路用基板上に形成された下地電極層と、上記下地電極層
上に形成された中間誘電体層と、この中間誘電体層を介
して上記下地電極層と対向するように配置された上地電
極層とからなり、その上地電極層が移動可能に設けら
れ、その移動により容量が変化するＭＩＭコンデンサ部
とを備えたから、基板上で容量調節を行うことができる
集積回路用容量素子を提供することができ、集積回路の
インピーダンス整合を容易に行うことができる。
路用基板上に形成された下地電極層と、上記下地電極層
上に形成された中間誘電体層と、この中間誘電体層を介
して上記下地電極層と対向するように配置された上地電
極層とからなり、その上地電極層が移動可能に設けら
れ、その移動により容量が変化するＭＩＭコンデンサ部
とを備えたから、基板上で容量調節を行うことができる
集積回路用容量素子を提供することができ、集積回路の
インピーダンス整合を容易に行うことができる。
【００７０】また、この発明によれば、上記集積回路用
容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部を上地電極
層の移動により、上地電極層と下地電極層とが対向する
面積が変化して、容量が変化するようにしたから、基板
上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素子を
提供することができ、集積回路のインピーダンス整合を
容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部を上地電極
層の移動により、上地電極層と下地電極層とが対向する
面積が変化して、容量が変化するようにしたから、基板
上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素子を
提供することができ、集積回路のインピーダンス整合を
容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
【００７１】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記上地電極層の移動は回転移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の回転中心軸の回りに回転移動可能であり、この回
転移動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を
備えているようにしたから、基板上で容量調節を容易に
行うことができる集積回路用容量素子を提供することが
でき、集積回路のインピーダンス整合を容易にかつ安価
に行うことができる効果がある。
用容量素子において、上記上地電極層の移動は回転移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の回転中心軸の回りに回転移動可能であり、この回
転移動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を
備えているようにしたから、基板上で容量調節を容易に
行うことができる集積回路用容量素子を提供することが
でき、集積回路のインピーダンス整合を容易にかつ安価
に行うことができる効果がある。
【００７２】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記上地電極層の移動は直線移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の方向に直線移動可能であり、該直線移動によりそ
の容量を線形的に変化させる摺動機構を備えているよう
にしたから、基板上で容量調節を容易に行うことができ
る集積回路用容量素子を提供することができ、集積回路
のインピーダンス整合を容易にかつ安価に行うことがで
きる効果がある。
用容量素子において、上記上地電極層の移動は直線移動
であり、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が
所定の方向に直線移動可能であり、該直線移動によりそ
の容量を線形的に変化させる摺動機構を備えているよう
にしたから、基板上で容量調節を容易に行うことができ
る集積回路用容量素子を提供することができ、集積回路
のインピーダンス整合を容易にかつ安価に行うことがで
きる効果がある。
【００７３】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
との距離が変化して、容量が変化するようにしたから、
基板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素
子を提供することができ、集積回路のインピーダンス整
合を容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
との距離が変化して、容量が変化するようにしたから、
基板上で容量調節を行うことができる集積回路用容量素
子を提供することができ、集積回路のインピーダンス整
合を容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
【００７４】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記中間誘電体層は、その上面が
上記基板と所定の角度をなすように傾斜しており、上記
上地電極層は、上記中間誘電体層の傾斜面上に配置され
ており、かつその傾斜方向の長さが上記中間誘電体層の
傾斜面の該傾斜方向の長さより短いものであり、上記Ｍ
ＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記中間誘電体
層の傾斜面の該傾斜方向に移動可能であり、この移動に
よりその容量を線形的に変化させる摺動機構を備えてい
るようにしたから、基板上で容量調節を容易に行うこと
ができる集積回路用容量素子を提供することができ、集
積回路のインピーダンス整合を容易にかつ安価に行うこ
とができる効果がある。
用容量素子において、上記中間誘電体層は、その上面が
上記基板と所定の角度をなすように傾斜しており、上記
上地電極層は、上記中間誘電体層の傾斜面上に配置され
ており、かつその傾斜方向の長さが上記中間誘電体層の
傾斜面の該傾斜方向の長さより短いものであり、上記Ｍ
ＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記中間誘電体
層の傾斜面の該傾斜方向に移動可能であり、この移動に
よりその容量を線形的に変化させる摺動機構を備えてい
るようにしたから、基板上で容量調節を容易に行うこと
ができる集積回路用容量素子を提供することができ、集
積回路のインピーダンス整合を容易にかつ安価に行うこ
とができる効果がある。
【００７５】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
とが対向する領域の上記中間誘電体層の誘電率が変化し
て、その容量が変化するようにしたから、基板上で容量
調節を行うことができる集積回路用容量素子を提供する
ことができ、集積回路のインピーダンス整合を容易にか
つ安価に行うことができる効果がある。
用容量素子において、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記
上地電極層の移動により、上記上地電極層と下地電極層
とが対向する領域の上記中間誘電体層の誘電率が変化し
て、その容量が変化するようにしたから、基板上で容量
調節を行うことができる集積回路用容量素子を提供する
ことができ、集積回路のインピーダンス整合を容易にか
つ安価に行うことができる効果がある。
【００７６】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の方向
において線形的に変化した誘電率分布を有し、上記上地
電極層は、上記中間誘電体層の誘電率分布方向と平行な
方向の長さが上記中間誘電体層の上記誘電率分布方向の
長さより短いものとし、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上
記上地電極層が上記中間誘電体層の誘電率分布方向に直
線移動可能であり、この移動によりその容量を線形的に
変化させる摺動機構を備えているようにしたから、基板
上で容量調節を容易に行うことができる集積回路用容量
素子を提供することができ、集積回路のインピーダンス
整合を容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の方向
において線形的に変化した誘電率分布を有し、上記上地
電極層は、上記中間誘電体層の誘電率分布方向と平行な
方向の長さが上記中間誘電体層の上記誘電率分布方向の
長さより短いものとし、上記ＭＩＭコンデンサ部は、上
記上地電極層が上記中間誘電体層の誘電率分布方向に直
線移動可能であり、この移動によりその容量を線形的に
変化させる摺動機構を備えているようにしたから、基板
上で容量調節を容易に行うことができる集積回路用容量
素子を提供することができ、集積回路のインピーダンス
整合を容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
【００７７】また、この発明においては、上記集積回路
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の誘電
率を有する所定幅の複数の誘電体部材をその幅方向に配
列してなり、上記上地電極層は、上記中間誘電体層の誘
電体部材の配列方向と平行な方向の長さが上記中間誘電
体層の上記配列方向の長さより短いものとし、上記ＭＩ
Ｍコンデンサ部は、上記上地電極層が上記誘電体部材の
配列方向に直線移動可能であり、この移動によりその容
量を非線形的に変化させる摺動機構を備えているように
したから、基板上で容量調節を容易に行うことができる
集積回路用容量素子を提供することができ、集積回路の
インピーダンス整合を容易にかつ安価に行うことができ
る効果がある。
用容量素子において、上記中間誘電体層は、所定の誘電
率を有する所定幅の複数の誘電体部材をその幅方向に配
列してなり、上記上地電極層は、上記中間誘電体層の誘
電体部材の配列方向と平行な方向の長さが上記中間誘電
体層の上記配列方向の長さより短いものとし、上記ＭＩ
Ｍコンデンサ部は、上記上地電極層が上記誘電体部材の
配列方向に直線移動可能であり、この移動によりその容
量を非線形的に変化させる摺動機構を備えているように
したから、基板上で容量調節を容易に行うことができる
集積回路用容量素子を提供することができ、集積回路の
インピーダンス整合を容易にかつ安価に行うことができ
る効果がある。
【００７８】また、この発明においては、集積回路用基
板と、この基板上に形成された下地電極上に、中間誘電
体層と上地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置され
てなる構造のＭＩＭコンデンサ部とを備えており、この
ＭＩＭコンデンサ部は、上記各中間誘電体層がその下方
の上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されてい
るから、上記各上地電極層と下地電極層との間に得られ
る容量が異なるものとなり、伝送線路等と接続を行う上
地電極層を選択することにより容量を切り換えることが
できる集積回路用容量素子を提供することができ、集積
回路のインピーダンス整合を容易にかつ安価に行うこと
ができる効果がある。
板と、この基板上に形成された下地電極上に、中間誘電
体層と上地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置され
てなる構造のＭＩＭコンデンサ部とを備えており、この
ＭＩＭコンデンサ部は、上記各中間誘電体層がその下方
の上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されてい
るから、上記各上地電極層と下地電極層との間に得られ
る容量が異なるものとなり、伝送線路等と接続を行う上
地電極層を選択することにより容量を切り換えることが
できる集積回路用容量素子を提供することができ、集積
回路のインピーダンス整合を容易にかつ安価に行うこと
ができる効果がある。
【００７９】また、この発明に係る集積回路用容量素子
の製造方法は、集積回路用基板上に、下地金属層を形成
し、この下地金属層上を含む上記集積回路基板上に中間
誘電体層を形成した後、この中間誘電体層の上面全面
に、レジスト膜を形成し、さらに、この該レジスト膜上
の所定の位置に上地電極層を形成した後、上記レジスト
膜を全て除去するようにしたから、上地電極層を中間誘
電体層上に、接着させることなく形成して、上地電極層
を中間誘電体層上に接触させたまま移動可能とすること
ができ、基板上で容量調整が可能な集積回路用容量素子
を提供することができ、集積回路のインピーダンス整合
を容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
の製造方法は、集積回路用基板上に、下地金属層を形成
し、この下地金属層上を含む上記集積回路基板上に中間
誘電体層を形成した後、この中間誘電体層の上面全面
に、レジスト膜を形成し、さらに、この該レジスト膜上
の所定の位置に上地電極層を形成した後、上記レジスト
膜を全て除去するようにしたから、上地電極層を中間誘
電体層上に、接着させることなく形成して、上地電極層
を中間誘電体層上に接触させたまま移動可能とすること
ができ、基板上で容量調整が可能な集積回路用容量素子
を提供することができ、集積回路のインピーダンス整合
を容易にかつ安価に行うことができる効果がある。
【図１】 この発明の第１の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示す斜視図である。
容量素子の構造を示す斜視図である。
【図２】 この発明の第１の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示すを示す断面図である。
容量素子の構造を示すを示す断面図である。
【図３】 この発明の第２の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示す斜視図である。
容量素子の構造を示す斜視図である。
【図４】 この発明の第３の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示す斜視図である。
容量素子の構造を示す斜視図である。
【図５】 この発明の第４の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示す斜視図である。
容量素子の構造を示す斜視図である。
【図６】 この発明の第５の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示す斜視図である。
容量素子の構造を示す斜視図である。
【図７】 この発明の第６の実施例によるマイクロ波用
容量素子の構造を示す斜視図である。
容量素子の構造を示す斜視図である。
【図８】 従来のマイクロ波用容量素子の構造を示す斜
視図である。
視図である。
【図９】 この発明の第１の実施例によるマイクロ波用
容量素子の製造方法を示す工程図である。
容量素子の製造方法を示す工程図である。
【図１０】 この発明の第１の実施例の第１の変形例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
【図１１】 この発明の第１の実施例の第２の変形例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
【図１２】 この発明の第１の実施例の第３の変形例に
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
よるマイクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
【図１３】 この発明の第２の実施例によるマイクロ波
用容量素子の製造方法を示す斜視図である。
用容量素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１４】 この発明の第２の実施例の変形例によるマ
イクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
イクロ波用容量素子の構造を示す斜視図である。
【図１５】 従来のマイクロ波用容量素子の構造を示す
斜視図である。
斜視図である。
１，１１，８１ 下地電極層、２，１２，４０，８２
中間誘電体層、２ａ凹部、３，１３，２３，３３，８３
上地電極層、３ａ 突起部、３ｂ 突起保持部、４，
１４ レジスト、５，１５ 上地電極形成用誘電体膜、
６，１６ 上地電極接続用線路、７，１７，３４，４４
ハンドリング用凹部、１２ａ ストライプ状溝、１３
ａ ストライプ状突起部、１８，２８，４８ 側面ガイ
ド部、２２ くさび型中間電極層、２０ 線路、３２
誘電体分布を有する中間誘電体層、４０Ａ1 〜４０Ａ2
ストライプ状部材、４３ 上地電極層、５２，５７第
１，第２の中間誘電体層、５３，５８ 第１，第２の上
地電極層、５９，６０第１，第２の電極パッド、８５，
９０，９１，９２，９３ ＭＩＭコンデンサ部、８０，
１００ ＭＩＣ基板。
中間誘電体層、２ａ凹部、３，１３，２３，３３，８３
上地電極層、３ａ 突起部、３ｂ 突起保持部、４，
１４ レジスト、５，１５ 上地電極形成用誘電体膜、
６，１６ 上地電極接続用線路、７，１７，３４，４４
ハンドリング用凹部、１２ａ ストライプ状溝、１３
ａ ストライプ状突起部、１８，２８，４８ 側面ガイ
ド部、２２ くさび型中間電極層、２０ 線路、３２
誘電体分布を有する中間誘電体層、４０Ａ1 〜４０Ａ2
ストライプ状部材、４３ 上地電極層、５２，５７第
１，第２の中間誘電体層、５３，５８ 第１，第２の上
地電極層、５９，６０第１，第２の電極パッド、８５，
９０，９１，９２，９３ ＭＩＭコンデンサ部、８０，
１００ ＭＩＣ基板。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04 21/822 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｆ F9,13 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｃ
Claims (11)
- 【請求項１】 集積回路用基板と、 該基板上に形成された下地電極層と、該下地電極層上に
形成された中間誘電体層と、該中間誘電体層を介して上
記下地電極層と対向するように配置された上地電極層と
からなるＭＩＭ(metal insulator metal) コンデンサ部
とを備え、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が移動可能
に設けられ、その移動により、その容量が変化するもの
であることを特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層とが対向する面積が変
化して、容量が変化するものであることを特徴とする集
積回路用容量素子。 - 【請求項３】 請求項２記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記上地電極層の移動は回転移動であり、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が所定の回
転中心軸の回りに回転移動可能であり、該回転移動によ
りその容量を線形的に変化させる摺動機構を備えている
ことを特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項４】 請求項２記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記上地電極層の移動は直線移動であり、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が所定の方
向に直線移動可能であり、該直線移動によりその容量を
線形的に変化させる摺動機構を備えていることを特徴と
する集積回路用容量素子。 - 【請求項５】 請求項１記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層との距離が変化して、
容量が変化するものであることを特徴とする集積回路用
容量素子。 - 【請求項６】 請求項５記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記中間誘電体層は、その上面が上記基板と所定の角度
をなすように傾斜しており、 上記上地電極層は、上記中間誘電体層の傾斜面上に配置
されており、かつその傾斜方向の長さが上記中間誘電体
層の傾斜面の該傾斜方向の長さより短いものであり、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記中間
誘電体層の傾斜面の該傾斜方向に移動可能であり、その
容量を線形的に変化させる摺動機構を備えていることを
特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項７】 請求項１記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層の移動によ
り、上記上地電極層と下地電極層とが対向する領域の上
記中間誘電体層の誘電率が変化して、その容量が変化す
るものであることを特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項８】 請求項７記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記中間誘電体層は、所定の方向において線形的に変化
した誘電率分布を有するものであり、 上記上地電極層は、上記中間誘電体層の誘電率分布方向
と平行な方向の長さが上記中間誘電体層の上記誘電率分
布方向の長さより短いものであり、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記中間
誘電体層の誘電率分布方向に直線移動可能であり、該移
動によりその容量を線形的に変化させる摺動機構を備え
ていることを特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項９】 請求項７記載の集積回路用容量素子にお
いて、 上記中間誘電体層は、所定の誘電率を有する所定幅の複
数の誘電体部材をその幅方向に配列してなるものであ
り、 上記上地電極層は、上記中間誘電体層の配列方向と平行
な方向の長さが上記中間誘電体層の上記配列方向の長さ
より短いものであり、 上記ＭＩＭコンデンサ部は、上記上地電極層が上記誘電
体部材の配列方向に直線移動可能であり、該移動により
その容量を非線形的に変化させる摺動機構を備えている
ことを特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項１０】 集積回路用基板と、 該基板上に形成された下地電極上に、中間誘電体層と上
地電極層とを交互に所定回数繰り返し配置されてなる構
造のＭＩＭコンデンサとを備え、 該ＭＩＭコンデンサは、上記各中間誘電体層がその下方
の上地電極層よりも面積が小さくなるよう形成されてい
ることを特徴とする集積回路用容量素子。 - 【請求項１１】 集積回路用基板上に、下地電極層を形
成する工程と、 該下地電極層上を含む上記集積回路基板上に、中間誘電
体層を形成する工程と、 該中間誘電体層の上面全面に、レジスト膜を形成する工
程と、 該レジスト膜上の所定の領域に上地電極層を形成する工
程と、 該工程の後、上記レジスト膜を全て除去し、移動可能な
上地電極層を形成する工程とを備えたことを特徴とする
集積回路用容量素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094727A JPH07303003A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 集積回路用容量素子，及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094727A JPH07303003A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 集積回路用容量素子，及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07303003A true JPH07303003A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14118153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094727A Pending JPH07303003A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 集積回路用容量素子，及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07303003A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289365A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-04 | Nec Corp | 容量素子取付構造及びそれを用いた電力増幅器のインピーダンス整合回路 |
| US6100773A (en) * | 1997-10-07 | 2000-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Impedance matching device |
| WO2005057717A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 可変リアクタンス装置、発振器およびレーダ装置 |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP6094727A patent/JPH07303003A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289365A (ja) * | 1996-04-24 | 1997-11-04 | Nec Corp | 容量素子取付構造及びそれを用いた電力増幅器のインピーダンス整合回路 |
| US6100773A (en) * | 1997-10-07 | 2000-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Impedance matching device |
| WO2005057717A1 (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 可変リアクタンス装置、発振器およびレーダ装置 |
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