JPH07302819A

JPH07302819A - 半導体素子の検査方法

Info

Publication number: JPH07302819A
Application number: JP6111770A
Authority: JP
Inventors: Chika Yoshida; 知香吉田
Original assignee: Kokusai Electric Corp
Current assignee: Kokusai Electric Corp
Priority date: 1994-04-28
Filing date: 1994-04-28
Publication date: 1995-11-14

Abstract

(57)【要約】【目的】弾性表面波素子の周波数調整の前後に行われ
るプローブ検査の検査方法において、検査時間を短縮し
て、ファイル管理を容易にすることができる半導体素子
の検査方法を提供する。【構成】同一ウエハについてのプローブ検査１の結果
とプローブ検査２の結果を両方とも記憶することができ
るファイルを記憶手段１３に備え、プローブ検査１のシ
ョート不良の良否結果（Ｓ1 ）を記憶し、プローブ検査
２を行う際に、制御部１４が、記憶手段１３の当該ウエ
ハのファイルから、プローブ位置の素子番号に対応する
プローブ検査１のショート不良の良否結果（Ｓ1 ）を読
み取り、「否」であれば当該素子については検査をしな
いで次の素子の検査に移る半導体素子の検査方法として
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の検査方法
に係り、特にフィルタや発振器等に用いられる弾性表面
波素子の周波数調整の前後に行われるプローブ検査の検
査方法において、検査時間を短縮して、ファイル管理を
容易にすることができる半導体素子の検査方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】弾性表面波（Surface Acoustic Wave;SA
W ）素子は、小型軽量、低損失、低消費電力化を図れる
デバイスとして、フィルタや発振器等に実用化されてい
る。弾性表面波素子の周波数調整工程について、図５を
用いて説明する。図５は、周波数調整工程全体の流れを
説明する概略フローチャート図である。周波数調整工程
は、図５に示すように、弾性表面波素子を形成した後で
行われ、素子が形成されたウエハを洗浄する基板洗浄
（４０１）、電極金属をウエハ上に形成する電極金属形
成（４０２）、金属上に形成されたレジスト膜に、露光
によって電極パターンを転写現像するレジストパターン
形成（４０３）、更に、レジストパターンをマスクとし
て電極金属をエッチングする電極パターン転写（４０
４）、レジスト剥離（４０５）、プローブ検査１（４０
６）、周波数調整（４０７）、プローブ検査２（４０
８）の各プロセスから成り、プローブ検査２（４０８）
終了後は組み立て工程が行われるようになっている。

【０００３】ここで、図５の処理４０６のプローブ検査
１と、処理４０８のプローブ検査２について図６及び図
７を用いて具体的に説明する。図６は、従来のプローブ
検査１の検査方法を示すフローチャート図であり、図７
は、従来のプローブ検査２の検査方法を示すフローチャ
ート図である。プローブ検査１（Ｐ検１）は、周波数調
整（Ｆ調）における周波数の調整量を決定するためにＦ
調前に行う特性検査であり、ウエハ内の弾性表面波素子
チップの全数〜数分の一について周波数特性の測定と、
ショート不良の良否判定を行うものである。

【０００４】また、プローブ検査２（Ｐ検２）は、Ｆ調
後に、後工程に流す前のチェックとして、周波数特性の
測定と、ショート不良の良否判定とを行うものである。
Ｐ検２で良品と判定された素子は、次の組み立て工程に
回され、不良と判定された素子は処分される。

【０００５】Ｐ検１は、図６に示すように、まず、ウエ
ハをセットし、ウエハ番号等のウエハ情報の記述を行い
（５０１）、ウエハ内の全ての弾性表面波素子に番号付
けを行う（５０２）。そして、番号付けを行った全ての
素子または一部の素子について、周波数特性の測定（５
０３）及びショート不良の良否判定を行って（５０
４）、各素子の番号と、それに対応する特性データと良
否の判定結果をファイルに記憶する（５０５、５０
６）。そして、得られた良品の周波数測定データに基づ
いて周波数調整量を算出する（５０７）ようになってい
る。

【０００６】また、Ｆ調後のＰ検２では、図７に示すよ
うに、Ｐ検１と同様にウエハ情報の記述を行い（５１
１）、各素子の番号付けを行い（５１２）、プローバー
をスタート位置に設定し（５１３）、周波数特性の測定
（５１４）と、ショート不良の良否の判定を行い（５１
５）、特性データ及び良否判定結果を記憶して（５１
６、５１７）、次の番号の素子にプローバーを移動させ
（５１８）、全ての素子について検査が終わったかどう
かを判断して（５１９）、終わっていない場合は処理５
１４に戻って測定を行う。ウエハ内の全ての素子につい
て測定と良否判定を行うまで上記の処理を繰り返すよう
になっている。

【０００７】ここで、従来の半導体素子の検査方法にお
けるファイル管理方法について図８を用いて説明する。
図８は、従来の半導体素子の検査方法におけるファイル
の例を示す模式説明図である。検査装置の記憶部（図示
せず）は、Ｐ検１の結果を格納するファイル１と、Ｐ検
２の結果を格納するファイル２とを備えており、ファイ
ル１及びファイル２は、ウエハ番号と、当該ウエハ内の
素子番号、及び各素子番号に対応する検査結果、すなわ
ち、周波数の特性データと、ショート不良の良否判定結
果を記憶しているものである。

【０００８】図８に示すように、ファイル１では、ウエ
ハ番号０１のウエハのＰ検１の結果について素子番号１
の素子は、特性データがｆ1 、良否判定は「良」、素子
番号２の素子は、特性データがｆ2 、良否判定が
「否」、というように記憶されている。また、ファイル
２では、ウエハ番号０１のウエハについてＰ検２の結果
が同様に記憶されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体素子の検査方法では、プローブ検査１（Ｐ検
１）と、プローブ検査２（Ｐ検２）の検査結果を記憶す
るファイルがそれぞれ別個になっていたため、Ｐ検１の
検査結果がＰ検２に反映されず、Ｐ検１で既にショート
不良と判定されているにもかかわらず、Ｐ検２で再度特
性測定と良否判定を行わなければならず、検査工程に無
駄が生じるという問題点があった。

【００１０】また、上記従来の半導体素子の検査方法で
は、同一のウエハに対して、プローブ検査のファイルが
２つ存在するため、ファイル管理が煩雑になってしまう
という問題点があった。

【００１１】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、プローブ検査１（Ｐ検１）の結果をプローブ検査２
（Ｐ検２）に反映させ、検査時間を短縮して作業効率を
向上させ、更に、ファイル管理を容易にすることができ
る半導体素子の検査方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、半導体素子の特性
データを取得し、前記半導体素子のショートの良否を判
定する第１の検査工程と、前記第１の検査工程と同様の
検査を行う第２の検査工程とを有する半導体素子の検査
方法において、前記第２の検査工程を行う際に、前記第
１の検査工程でのショートの良否の判定結果を参照し
て、前記判定結果が否の場合に前記第２の検査工程を行
わないようにしたことを特徴としている。

【００１３】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、請求項１記載の半導体素子の検査方
法において、第１の検査工程の結果のデータを記憶した
ファイル部分に、第２の検査工程の結果のデータを付加
するようにしたことを特徴としている。

【００１４】

【作用】請求項１記載の発明によれば、半導体素子の特
性データを取得し、ショートの良否を判定する第１の検
査工程と、第１の検査工程と同じ検査を行う第２の検査
工程とを有する半導体素子の検査方法において、第２の
検査工程を行う際に、第１の検査工程でのショートの良
否の判定結果を参照して、その判定結果が否の場合には
第２の検査工程を行わないようにした半導体素子の検査
方法としているので、ショートの良否が否の半導体素子
について第２の検査工程における無駄な検査を無くし、
検査時間を短縮して、作業効率を向上させることができ
る。

【００１５】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体素子の検査方法において、第１の検査工程の
結果のデータを記憶したファイル部分に、第２の検査工
程の結果のデータを付加するようにした半導体素子の検
査方法としているので、同一ウエハについての第１の検
査工程での結果と第２の検査工程での結果とを１つのフ
ァイルに記憶することができ、ファイル管理を容易にす
ることができる。

【００１６】

【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。本発明の一実施例に係る半導体素子の検査
方法について、特に、弾性表面波素子の周波数調整（Ｆ
調）の前後に行われるプローブ検査における検査方法に
ついて以下説明する。本実施例のプローブ検査１及びプ
ローブ検査２の基本的な検査方法は、従来とほぼ同様で
あり、プローブ検査１は、周波数調整（Ｆ調）における
周波数の調整量を決定するために、Ｆ調前に、ウエハ内
のチップの全部または一部について周波数の測定と、シ
ョート不良の良否判定を行うものである。また、プロー
ブ検査２は、Ｆ調後に、後工程に流す前のチェックとし
て、周波数特性の測定とショート不良の良否判定とを行
うものである。

【００１７】ここで、本実施例の半導体素子の検査装置
について図１を用いて説明する。図１は、本発明の一実
施例に係る半導体素子の検査装置の概略構成ブロック図
である。本実施例の検査装置は、図１に示すように、弾
性表面波素子のプローブ検査１（Ｐ検１）及びプローブ
検査２（Ｐ検２）を行うものであり、プローバー１１に
よって周波数特性の測定やショート不良の検出を行う測
定手段１２と、特性データや良否の判定結果を記憶する
記憶手段１３と、特性データから周波数調整量を算出し
たり、記憶手段１３へのデータの出し入れを制御する制
御部１４と、Ｐ検１の被検査素子を指定する入力部１５
とから構成されている。

【００１８】本実施例の検査装置における検査方法の特
徴は、記憶手段１３にウエハ毎に１対１に対応するファ
イルを設け、同一ウエハについてのプローブ検査１の結
果とプローブ検査２の結果を、同一のファイルに記憶す
るようにし、更にプローブ検査２の際にプローブ検査１
のショート不良の良否判定結果を反映するようにした点
である。

【００１９】ここで、本実施例の検査装置におけるファ
イル管理方法について図２を用いて説明する。図２は、
本実施例のファイルの例を示す模式説明図である。本実
施例の検査装置のファイルは、ウエハ番号と、当該ウエ
ハ内の素子番号と、各素子番号に対応するＰ検１の検査
結果と、Ｐ検２の検査結果が格納されるようになってい
る。検査結果としては、Ｐ検１の特性データ（Ｔ1 ）、
良否判定結果（Ｓ1 ）、Ｐ検２の特性データ（Ｔ2 ）、
良否判定結果（Ｓ2 ）を記憶するようになっている。

【００２０】そして、本実施例の検査方法では、Ｐ検２
を行う際に、制御部１４が、記憶手段１３の当該ウエハ
のファイルから、プローブ位置の素子番号に対応するＰ
検１のショート不良の良否結果（Ｓ1 ）を読み取り、
「良」であれば検査をしてファイルに結果を書き込み、
「否」であれば検査をせずに「データなし」として、次
の素子にプローバーを移動させるようにしているもので
ある。

【００２１】図２の例では、ウエハ番号０１のＰ検２を
行う場合、制御部１４は記憶手段１３からウエハ番号０
１のファイルを取り出す。そして、素子番号１から順次
検査を行うが、素子番号２の素子の場合、制御部１４
は、ファイルの素子番号２に対応するＳ1 を読み取って
「否」であると判断し、素子番号２の検査はせずに、次
の素子の検査に移るようになっている。

【００２２】このように、ウエハ毎にＰ検１とＰ検２の
ファイルを共通にすることにより、Ｐ検１でショート不
良（判定結果「否」）と判定された素子については、Ｐ
検２において検査をしないようにして、無駄を省き、Ｐ
検２の検査時間を短縮することができるものである。

【００２３】次に、本実施例の弾性表面波素子のプロー
ブ検査方法の流れについて図３及び図４を用いて説明す
る。図３は、本実施例のプローブ検査１の検査方法のフ
ローチャート図であり、図４は、プローブ検査２の検査
方法のフローチャート図である。Ｐ検１の検査方法は、
図６に示した従来のＰ検１の検査方法とほぼ同様であ
り、ウエハをセットして、ウエハ番号等のウエハ情報の
記述を行い（３０１）、ウエハ内の全ての弾性表面波素
子に番号付けを行い（３０２）、入力部１５から、全て
の素子について検査をするか、または一部の素子につい
て検査をするか、一部の場合はどの素子を検査するかを
指定する被検査素子の指定を行う（３０３）。そして、
選択された素子について、順次、周波数特性の測定（３
０４）及びショート不良の良否判定を行って（３０
５）、特性データをファイルの各素子番号に対応するＴ
1 に書き込み（３０６）、良否判定結果をＳ1 に書き込
み（３０７）、得られた良品の周波数特性データに基づ
いて周波数調整量を算出する（３０８）ようになってい
る。

【００２４】また、Ｆ調後のＰ検２の検査方法は、ウエ
ハがセットされると、ウエハ番号を検知し（３１１）、
制御部１４が、記憶手段１３から当該ウエハ番号に対応
するファイルを取り出し（３１２）、プローバーをスタ
ート位置に設定する（３１３）。そして、制御部１４
は、ファイルからプローブ位置の素子番号に対応するＰ
検１のショート不良の良否判定結果（Ｓ1 ）を読み取り
（３１４）、Ｓ1 が「良」であるか「否」であるかを判
断する（３１５）。

【００２５】Ｓ1 が「良」であれば、周波数特性の測定
（３１６）と、ショート不良の良否判定を行い（３１
７）、特性データをファイルの当該素子番号に対応する
Ｔ2 に書き込み（３１８）、良否判定結果をＳ2 に書き
込み（３１９）、そして、プローバーを次の素子に移動
させる（３２０）。また、Ｓ1 が「否」の場合は、当該
素子の検査を終了したとして、処理３２０に移行して次
の素子の検査に移行する。

【００２６】そして、ウエハ内の全ての素子について検
査を終了したか否かを判断し（３２１）、終了していな
い場合は、処理３１４に戻り、全ての素子について検査
するまで同様の処理を行うようになっている。また、Ｐ
検２においてショート不良と判定された素子について
は、「不良」マークを打ち込んでマーキングする。この
ようにして、本実施例の検査方法が行われるものであ
る。

【００２７】本実施例の弾性表面波素子の検査方法で
は、同一ウエハについて、プローブ検査１の結果とプロ
ーブ検査２の結果を両方とも記載することができるファ
イルを記憶手段１３に備え、プローブ検査２を行う際
に、制御部１４が、記憶手段１３の当該ウエハのファイ
ルから、プローブ位置の素子番号に対応するプローブ検
査１のショート不良の良否結果（Ｓ1 ）を読み取り、
「否」であれば当該素子については検査をしないで次の
素子の検査に移るようにしているので、プローブ検査１
の結果をプローブ検査２に反映させて、ショート不良の
素子について無駄な検査を行わなくて済むようにし、検
査時間を短縮することができる効果がある。

【００２８】また、本実施例の弾性表面波素子の検査方
法では、１枚のウエハに対してプローブ検査の結果を記
載するファイルは１つであるため、ファイル管理を容易
にすることができる効果がある。

【００２９】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、半導体素
子の特性データを取得し、ショートの良否を判定する第
１の検査工程と、第１の検査工程と同じ検査を行う第２
の検査工程とを有する半導体素子の検査方法において、
第２の検査工程を行う際に、第１の検査工程でのショー
トの良否の判定結果を参照して、その判定結果が否の場
合には第２の検査工程を行わないようにした半導体素子
の検査方法としているので、ショートの良否が否の半導
体素子について第２の検査工程における無駄な検査を無
くし、検査時間を短縮して、作業効率を向上させること
ができる効果がある。

【００３０】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の半導体素子の検査方法において、第１の検査工程の
結果のデータを記憶したファイル部分に、第２の検査工
程の結果のデータを付加するようにした半導体素子の検
査方法としているので、同一ウエハについての第１の検
査工程での結果と第２の検査工程での結果とを１つのフ
ァイルに記憶することができ、ファイル管理を容易にす
ることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る半導体素子の検査装置
の概略構成ブロック図である。

【図２】本実施例のファイルの例を示す模式説明図であ
る。

【図３】本実施例のプローブ検査１の検査方法のフロー
チャート図である。

【図４】本実施例のプローブ検査２の検査方法のフロー
チャート図である。

【図５】周波数調整工程全体の流れを説明する概略フロ
ーチャート図である。

【図６】従来のプローブ検査１の検査方法を示すフロー
チャート図である。

【図７】従来のプローブ検査２の検査方法を示すフロー
チャート図である。

【図８】従来の半導体素子の検査方法におけるファイル
の例を示す模式説明図である。

【符号の説明】

１１…プローバー、１２…測定手段、１３…記憶手
段、１４…制御部、１５…入力部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の特性データを取得し、前記
半導体素子のショートの良否を判定する第１の検査工程
と、前記第１の検査工程と同様の検査を行う第２の検査
工程とを有する半導体素子の検査方法において、前記第
２の検査工程を行う際に、前記第１の検査工程でのショ
ートの良否の判定結果を参照して、前記判定結果が否の
場合に前記第２の検査工程を行わないようにしたことを
特徴とする半導体素子の検査方法。
【請求項２】第１の検査工程の結果のデータを記憶し
たファイル部分に、第２の検査工程の結果のデータを付
加するようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導
体素子の検査方法。