JPH07302024A - 電子写真装置 - Google Patents
電子写真装置Info
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- JPH07302024A JPH07302024A JP6094633A JP9463394A JPH07302024A JP H07302024 A JPH07302024 A JP H07302024A JP 6094633 A JP6094633 A JP 6094633A JP 9463394 A JP9463394 A JP 9463394A JP H07302024 A JPH07302024 A JP H07302024A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光部分と未露光部分の感光体に生じる特性
の違いを均一にすることにより、残像の問題を解決す
る。 【構成】 まず、感光体１の表面に均一に帯電が行わ
れ、書込みが行われると、露光された部分とされていな
い部分が生じる。現像転写を通過後、除電手段２によっ
て感光体の表面の電荷が除去され、電位的には均一にな
る。感光体１の履歴という面から見ると、レーザ光５の
照射された後、除電光を当てられた部分と、除電光だけ
しか当たっていない部分に分けられる。除電後でも、感
光体１の内部では光が当たった所と当たらなかった所の
関係が残ってしまう。ここに帯電が行われると、表面電
位の差となって履歴が現れてくる。これを防止するに
は、除電に用いる光の波長を長くすることによって除電
光も感光層の内部に到達する構成にする。書込み光５よ
りも波長が長く強力な光源を除電に用いれば、残像が防
止できる。
の違いを均一にすることにより、残像の問題を解決す
る。 【構成】 まず、感光体１の表面に均一に帯電が行わ
れ、書込みが行われると、露光された部分とされていな
い部分が生じる。現像転写を通過後、除電手段２によっ
て感光体の表面の電荷が除去され、電位的には均一にな
る。感光体１の履歴という面から見ると、レーザ光５の
照射された後、除電光を当てられた部分と、除電光だけ
しか当たっていない部分に分けられる。除電後でも、感
光体１の内部では光が当たった所と当たらなかった所の
関係が残ってしまう。ここに帯電が行われると、表面電
位の差となって履歴が現れてくる。これを防止するに
は、除電に用いる光の波長を長くすることによって除電
光も感光層の内部に到達する構成にする。書込み光５よ
りも波長が長く強力な光源を除電に用いれば、残像が防
止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真装置に関し、
より詳細には、露光部分と未露光部分の感光体に生じる
特性の違いを均一にするようにした電子写真装置に関す
る。
より詳細には、露光部分と未露光部分の感光体に生じる
特性の違いを均一にするようにした電子写真装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子写真装置は、感光体ベルト
をプリチャージした後、光書込をして静電潜像を形成す
る。該静電潜像にトナーを付けて現像し、トナー像を形
成した後に別に供給した記録紙にトナー像を転写する。
トナー像に転写された記録紙は、加熱，定着して排出す
る。一方、感光体に残留したトナーは、クリーニングブ
レードで掻き落として廃棄トナーとして回収し、また、
残留電荷は光を照射して除電する。
をプリチャージした後、光書込をして静電潜像を形成す
る。該静電潜像にトナーを付けて現像し、トナー像を形
成した後に別に供給した記録紙にトナー像を転写する。
トナー像に転写された記録紙は、加熱，定着して排出す
る。一方、感光体に残留したトナーは、クリーニングブ
レードで掻き落として廃棄トナーとして回収し、また、
残留電荷は光を照射して除電する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の電子写真装置に
おいては、アモルファスシリコンの感光体を電子写真装
置として使用する場合、問題になることの一つに残像が
ある。残像とは、帯電露光除電のサイクルにおいて、静
電潜像に前サイクルの露光パターンの影響が残ることで
ある。この現象は、感光層の中に光が浸透して生じると
言われている。図４は、光の波長による膜の透過率を示
す図である。図４に示すように、光が感光層に浸透する
度合は光の波長に依存する。波長が長い程、感光層の奥
まで浸透する。アナログ露光複写機の場合、光源は主に
ハロゲンランプが用いられ、この分光分布はなだらかな
丘状になっており、広い範囲の波長にわたっている。こ
れに比べ、レーザ光による書込み系では、単一波長とな
っている。一般に用いられる半導体レーザは、７８０nm
の波長という長波長のため、感光層の奥まで光が進入し
易い。このため、レーザで書き込む構成の電子写真装置
では、アナログ露光系に比べ、より残像が問題となる。
残像とは、言い換えれば、露光部分と未露光部分の感光
体に生じる特性の違いである。この特性の違いを均一に
することが残像に対する対策となる。
おいては、アモルファスシリコンの感光体を電子写真装
置として使用する場合、問題になることの一つに残像が
ある。残像とは、帯電露光除電のサイクルにおいて、静
電潜像に前サイクルの露光パターンの影響が残ることで
ある。この現象は、感光層の中に光が浸透して生じると
言われている。図４は、光の波長による膜の透過率を示
す図である。図４に示すように、光が感光層に浸透する
度合は光の波長に依存する。波長が長い程、感光層の奥
まで浸透する。アナログ露光複写機の場合、光源は主に
ハロゲンランプが用いられ、この分光分布はなだらかな
丘状になっており、広い範囲の波長にわたっている。こ
れに比べ、レーザ光による書込み系では、単一波長とな
っている。一般に用いられる半導体レーザは、７８０nm
の波長という長波長のため、感光層の奥まで光が進入し
易い。このため、レーザで書き込む構成の電子写真装置
では、アナログ露光系に比べ、より残像が問題となる。
残像とは、言い換えれば、露光部分と未露光部分の感光
体に生じる特性の違いである。この特性の違いを均一に
することが残像に対する対策となる。
【０００４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、露光部分と未露光部分の感光体に生じる特性
の違いを均一にすることにより、残像の問題を解決する
ようにした電子写真装置を提供することを目的としてい
る。
たもので、露光部分と未露光部分の感光体に生じる特性
の違いを均一にすることにより、残像の問題を解決する
ようにした電子写真装置を提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）アモルファスシリコンの感光体
と、帯電手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段
と、光による感光体除電手段等とを有する電子写真装置
において、書込みに用いるレーザの波長より長い光をも
つ感光体除電手段を用いること、或いは、（２）アモル
ファスシリコンの感光体と、帯電手段と、レーザによる
書込み手段と、現像手段と、光による感光体除電手段等
とを有する電子写真装置において、書込みに用いるレー
ザの波長と同等もしくはより長い波長の発光ダイオード
を感光体除電手段に用いること、或いは、（３）アモル
ファスシリコンの感光体と、帯電手段と、レーザによる
書込み手段と、現像手段と、光による感光体除電手段等
とを有する電子写真装置において、書込みに用いるレー
ザの波長と同等もしくはより長い波長の発光ダイオード
を感光体除電手段に用い、該感光体除電手段の光強度を
前記感光体の表面電位を前記帯電手段の通過直後の電位
から残留電位まで低下させるのに最低限必要な光強度の
１.５倍以上にしたこと、或いは、（４）アモルファス
シリコンの感光体と、帯電手段と、レーザによる書込み
手段と、現像手段と、光による感光体除電手段等とを有
する電子写真装置において、書込みに用いるレーザの波
長が７８０nmであるとき、感光体除電手段に８５０nmの
発光ダイオードを用いること、更には、（５）前記
（４）において、赤外光などの非可視光の光源装置にお
いて、光源装置の動作を確認するための可視光の光源を
搭載すること、更には、（６）前記（４）において、波
長が８５０nmの発光ダイオードを用いた除電手段におい
て、動作確認のために可視光の発光ダイオードを少なく
ても１つ搭載した除電手段を有すること、或いは、
（７）アモルファスシリコンの感光体と、帯電手段と、
レーザによる書込み手段と、現像手段と、光による感光
体除電手段等とを有する電子写真装置において、書込み
に用いるレーザを６８０nmの短波長の半導体レーザにす
ることを特徴としたものである。
決するために、（１）アモルファスシリコンの感光体
と、帯電手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段
と、光による感光体除電手段等とを有する電子写真装置
において、書込みに用いるレーザの波長より長い光をも
つ感光体除電手段を用いること、或いは、（２）アモル
ファスシリコンの感光体と、帯電手段と、レーザによる
書込み手段と、現像手段と、光による感光体除電手段等
とを有する電子写真装置において、書込みに用いるレー
ザの波長と同等もしくはより長い波長の発光ダイオード
を感光体除電手段に用いること、或いは、（３）アモル
ファスシリコンの感光体と、帯電手段と、レーザによる
書込み手段と、現像手段と、光による感光体除電手段等
とを有する電子写真装置において、書込みに用いるレー
ザの波長と同等もしくはより長い波長の発光ダイオード
を感光体除電手段に用い、該感光体除電手段の光強度を
前記感光体の表面電位を前記帯電手段の通過直後の電位
から残留電位まで低下させるのに最低限必要な光強度の
１.５倍以上にしたこと、或いは、（４）アモルファス
シリコンの感光体と、帯電手段と、レーザによる書込み
手段と、現像手段と、光による感光体除電手段等とを有
する電子写真装置において、書込みに用いるレーザの波
長が７８０nmであるとき、感光体除電手段に８５０nmの
発光ダイオードを用いること、更には、（５）前記
（４）において、赤外光などの非可視光の光源装置にお
いて、光源装置の動作を確認するための可視光の光源を
搭載すること、更には、（６）前記（４）において、波
長が８５０nmの発光ダイオードを用いた除電手段におい
て、動作確認のために可視光の発光ダイオードを少なく
ても１つ搭載した除電手段を有すること、或いは、
（７）アモルファスシリコンの感光体と、帯電手段と、
レーザによる書込み手段と、現像手段と、光による感光
体除電手段等とを有する電子写真装置において、書込み
に用いるレーザを６８０nmの短波長の半導体レーザにす
ることを特徴としたものである。
【０００６】
【作用】前記構成を有する本発明の電子写真装置は、ア
モルファスシリコンの感光体と、帯電手段と、レーザに
よる書込み手段と、現像手段と、光による感光体除電手
段等を有する電子写真装置であり、書込みに用いるレー
ザの波長より長い光をもつ感光体除電手段を用いる。ま
た、書込みに用いるレーザの波長と同等もしくはより長
い波長の発光ダイオードを感光体除電手段に用いる。ま
た、書込みに用いるレーザの波長と同等もしくはより長
い波長の発光ダイオードを感光体除電手段に用い、該感
光体除電手段の光強度を前記感光体の表面電位を帯電手
段の通過直後の電位から残留電位まで低下させるのに最
低限必要な光強度の１.５倍以上にする。また、書込み
に用いるレーザの波長が７８０nmであるとき感光体除電
手段に８５０nmの発光ダイオードを用いる。また、赤外
光などの非可視光の光源装置において、光源装置の動作
を確認するための可視光の光源を搭載する。また、８５
０nmの発光ダイオードを用いた除電手段において、動作
確認のために可視光の発光ダイオードを少なくても１つ
搭載する。さらに、書込みに用いるレーザを６８０nmの
短波長の半導体レーザにする。このような構成により、
露光部分と未露光部分の感光体に生ずる特性の違いを均
一にして残像の問題を解決できる。
モルファスシリコンの感光体と、帯電手段と、レーザに
よる書込み手段と、現像手段と、光による感光体除電手
段等を有する電子写真装置であり、書込みに用いるレー
ザの波長より長い光をもつ感光体除電手段を用いる。ま
た、書込みに用いるレーザの波長と同等もしくはより長
い波長の発光ダイオードを感光体除電手段に用いる。ま
た、書込みに用いるレーザの波長と同等もしくはより長
い波長の発光ダイオードを感光体除電手段に用い、該感
光体除電手段の光強度を前記感光体の表面電位を帯電手
段の通過直後の電位から残留電位まで低下させるのに最
低限必要な光強度の１.５倍以上にする。また、書込み
に用いるレーザの波長が７８０nmであるとき感光体除電
手段に８５０nmの発光ダイオードを用いる。また、赤外
光などの非可視光の光源装置において、光源装置の動作
を確認するための可視光の光源を搭載する。また、８５
０nmの発光ダイオードを用いた除電手段において、動作
確認のために可視光の発光ダイオードを少なくても１つ
搭載する。さらに、書込みに用いるレーザを６８０nmの
短波長の半導体レーザにする。このような構成により、
露光部分と未露光部分の感光体に生ずる特性の違いを均
一にして残像の問題を解決できる。
【０００７】
【実施例】実施例について、図面を参照して以下に説明
する。図１は、本発明による電子写真装置の一実施例を
説明するための構成図で、図中、１はアモリファスシリ
コンの感光体、２は除電器（クエンチング発光ダイオー
ド(ＬＥＤ)）、３は転写チャージ、４は帯電チャージ
ャ、５は半導体レーザ書込み光、６は現像器である。
する。図１は、本発明による電子写真装置の一実施例を
説明するための構成図で、図中、１はアモリファスシリ
コンの感光体、２は除電器（クエンチング発光ダイオー
ド(ＬＥＤ)）、３は転写チャージ、４は帯電チャージ
ャ、５は半導体レーザ書込み光、６は現像器である。
【０００８】残像に対する対策として、考えられる方法
は２つある。一つは、未露光部分の特性を露光部分の特
性と同等にすることである。もう一つは、露光部分の特
性を未露光部分の特性と同等にすることである。ここで
は、一つ目の方法を提案する。帯電露光除電のサイクル
で考える。まず、感光体１の表面に均一に帯電が行われ
る。書込みが行われると、露光された部分とされていな
い部分が生じる。現像転写を通過後、除電手段２によっ
て感光体の表面の電荷が除去される。これで電位的には
均一になる。感光体１の履歴という面から見ると、レー
ザ光５の照射された後、除電光を当てられた部分と、除
電光だけしか当たっていない部分に分けられる。
は２つある。一つは、未露光部分の特性を露光部分の特
性と同等にすることである。もう一つは、露光部分の特
性を未露光部分の特性と同等にすることである。ここで
は、一つ目の方法を提案する。帯電露光除電のサイクル
で考える。まず、感光体１の表面に均一に帯電が行われ
る。書込みが行われると、露光された部分とされていな
い部分が生じる。現像転写を通過後、除電手段２によっ
て感光体の表面の電荷が除去される。これで電位的には
均一になる。感光体１の履歴という面から見ると、レー
ザ光５の照射された後、除電光を当てられた部分と、除
電光だけしか当たっていない部分に分けられる。
【０００９】先に述べたように、レーザ光５は、感光層
の内部まで光が浸透し、除電光が短波長の場合、内部に
は到達しない。このため、除電後でも、感光体１の内部
では光が当たった所と当たらなかった所の関係が残って
しまう。ここに帯電が行われると、表面電位の差となっ
て履歴が現れてくる。これを防止するには、除電に用い
る光の波長を長くすることによって除電光も感光層の内
部に到達する構成にすれば良い。書込み光５よりも波長
が長く強力な光源を除電に用いれば、残像が防止でき
る。
の内部まで光が浸透し、除電光が短波長の場合、内部に
は到達しない。このため、除電後でも、感光体１の内部
では光が当たった所と当たらなかった所の関係が残って
しまう。ここに帯電が行われると、表面電位の差となっ
て履歴が現れてくる。これを防止するには、除電に用い
る光の波長を長くすることによって除電光も感光層の内
部に到達する構成にすれば良い。書込み光５よりも波長
が長く強力な光源を除電に用いれば、残像が防止でき
る。
【００１０】ただし、感光体１を疲労させることによっ
て、特性を均一にさせる方法であるから、残像が発生し
ないぎりぎりの波長やパワーにおさえることが望まし
い。このため、除電に用いる光源を書込みに使用する光
源の波長と同じか若干長くし、パワーも残像が発生しな
いぎりぎりの強さに設定することが全体として要求され
る。これは、実験によって決定できる。この場合、除電
に用いる光源は単一波長のスペクトルをもつＬＥＤを使
用すると、波長とパワーのバランスをとりやすく発熱な
ども抑えることができる。
て、特性を均一にさせる方法であるから、残像が発生し
ないぎりぎりの波長やパワーにおさえることが望まし
い。このため、除電に用いる光源を書込みに使用する光
源の波長と同じか若干長くし、パワーも残像が発生しな
いぎりぎりの強さに設定することが全体として要求され
る。これは、実験によって決定できる。この場合、除電
に用いる光源は単一波長のスペクトルをもつＬＥＤを使
用すると、波長とパワーのバランスをとりやすく発熱な
ども抑えることができる。
【００１１】現在、レーザプリンタに使用するＬＤ（レ
ーザダイオード）は、７８０nmの波長のものが一般的で
ある。この波長に比較的近い波長のＬＥＤは６８０nm，
７１０nm，８５０nmなどのものがある。このうち、６８
０nm，７１０nmのものは、これまで述べてきた理由によ
り残像を除去する効果が少ない。８５０nmの波長は、ア
モルファスシリコン感光体の分光感度では、感度が低い
領域になるが、除電に用いることができ、かつＬＤの書
き込みパターンの履歴を消すのに十分な能力を有する。
７８０nmＬＤに対する除電に用いる光源として、８５０
nmＬＥＤは最適である。
ーザダイオード）は、７８０nmの波長のものが一般的で
ある。この波長に比較的近い波長のＬＥＤは６８０nm，
７１０nm，８５０nmなどのものがある。このうち、６８
０nm，７１０nmのものは、これまで述べてきた理由によ
り残像を除去する効果が少ない。８５０nmの波長は、ア
モルファスシリコン感光体の分光感度では、感度が低い
領域になるが、除電に用いることができ、かつＬＤの書
き込みパターンの履歴を消すのに十分な能力を有する。
７８０nmＬＤに対する除電に用いる光源として、８５０
nmＬＥＤは最適である。
【００１２】図２（ａ）,（ｂ）は、除電ユニットの構
成図で、図（ａ）は、除電ユニット、図（ｂ）は、図
（ａ）における回路構成を示す図である。図中、１１は
ケース、１２はＬＥＤ（発光ダイオード）、１３は透明
カバー、１４は可視光ＬＥＤ、１５はプリント板であ
る。
成図で、図（ａ）は、除電ユニット、図（ｂ）は、図
（ａ）における回路構成を示す図である。図中、１１は
ケース、１２はＬＥＤ（発光ダイオード）、１３は透明
カバー、１４は可視光ＬＥＤ、１５はプリント板であ
る。
【００１３】プリント板１５の上にＬＥＤ１２が並べら
れ、ケース１１と透明カバー１３が設けられている。回
路構成は、図（ｂ）に示すように、複数のＬＥＤが並列
に接続されている。ＬＥＤに赤外ＬＥＤを用いた場合
は、可視光ＬＥＤ１４を追加することによって視認する
ことができる。実際に、８５０nmのＬＥＤユニットを装
置に使用する場合、８５０nmの光は目に見えないので、
点灯しているかどうかの確認が難しい。このため、ＬＥ
Ｄユニットの一部に、可視光のＬＥＤ（例えば、６８０
nmのＬＥＤ）を、８５０nmのＬＥＤと同じように動作す
るように構成して点灯の確認ができるようにすると、事
故の予防や故障の確認がしやすくなる。
れ、ケース１１と透明カバー１３が設けられている。回
路構成は、図（ｂ）に示すように、複数のＬＥＤが並列
に接続されている。ＬＥＤに赤外ＬＥＤを用いた場合
は、可視光ＬＥＤ１４を追加することによって視認する
ことができる。実際に、８５０nmのＬＥＤユニットを装
置に使用する場合、８５０nmの光は目に見えないので、
点灯しているかどうかの確認が難しい。このため、ＬＥ
Ｄユニットの一部に、可視光のＬＥＤ（例えば、６８０
nmのＬＥＤ）を、８５０nmのＬＥＤと同じように動作す
るように構成して点灯の確認ができるようにすると、事
故の予防や故障の確認がしやすくなる。
【００１４】図３は、アモリファスシリコンの感光体の
分光感度の例を示す図である。アモルファスシリコンの
感光体にＬＤを使う場合、７８０nmの波長は感光体の分
光感度で、あまり感度のよくないところにある。短波長
のＬＤは、コストが高いが、特に６８０nmのＬＤは感度
の高いところに位置するので、パワーを落とすことがで
きるし、残像に対しても有利になり、光学系も光路長が
短くなるため、コンパクトに実現できる。また、モアレ
防止の表面加工がいらなくなる。除電に６８０nmのＬＥ
Ｄを使うことができ、感光体の疲労が少ない状態に設定
できるため、同じ表面電位を得るための帯電電流も少な
くてすむ。６８０nmＬＤがアモルファスシリコン感光体
に最適である。
分光感度の例を示す図である。アモルファスシリコンの
感光体にＬＤを使う場合、７８０nmの波長は感光体の分
光感度で、あまり感度のよくないところにある。短波長
のＬＤは、コストが高いが、特に６８０nmのＬＤは感度
の高いところに位置するので、パワーを落とすことがで
きるし、残像に対しても有利になり、光学系も光路長が
短くなるため、コンパクトに実現できる。また、モアレ
防止の表面加工がいらなくなる。除電に６８０nmのＬＥ
Ｄを使うことができ、感光体の疲労が少ない状態に設定
できるため、同じ表面電位を得るための帯電電流も少な
くてすむ。６８０nmＬＤがアモルファスシリコン感光体
に最適である。
【００１５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、書込みに用いるレーザの波長より長い光をも
つ感光体除電手段を用い、露光部分と未露光部分の感光
体に生じる特性を均一にするので、残像が防止できる。
によると、書込みに用いるレーザの波長より長い光をも
つ感光体除電手段を用い、露光部分と未露光部分の感光
体に生じる特性を均一にするので、残像が防止できる。
【図１】 本発明による電子写真装置の一実施例を説明
するための図である。
するための図である。
【図２】 本発明による除電ユニットの構成図である。
【図３】 本発明におけるアモリファスシリコン感光体
の分光感度を示す図である。
の分光感度を示す図である。
【図４】 光の波長による膜の透過率を示す図である。
１…アモリファスシリコンの感光体、２…除電器（クエ
ンチング発光ダイオード(ＬＥＤ)）、３…転写チャー
ジ、４…帯電チャージャ、５…半導体レーザ書込み光、
６…現像器。
ンチング発光ダイオード(ＬＥＤ)）、３…転写チャー
ジ、４…帯電チャージャ、５…半導体レーザ書込み光、
６…現像器。
Claims (7)
- 【請求項１】 アモルファスシリコンの感光体と、帯電
手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段と、光に
よる感光体除電手段等とを有する電子写真装置におい
て、書込みに用いるレーザの波長より長い光をもつ感光
体除電手段を用いることを特徴とする電子写真装置。 - 【請求項２】 アモルファスシリコンの感光体と、帯電
手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段と、光に
よる感光体除電手段等とを有する電子写真装置におい
て、書込みに用いるレーザの波長と同等もしくはより長
い波長の発光ダイオードを感光体除電手段に用いること
を特徴とする電子写真装置。 - 【請求項３】 アモルファスシリコンの感光体と、帯電
手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段と、光に
よる感光体除電手段等とを有する電子写真装置におい
て、書込みに用いるレーザの波長と同等もしくはより長
い波長の発光ダイオードを感光体除電手段に用い、該感
光体除電手段の光強度を前記感光体の表面電位を前記帯
電手段の通過直後の電位から残留電位まで低下させるの
に最低限必要な光強度の１.５倍以上にしたことを特徴
とする電子写真装置。 - 【請求項４】 アモルファスシリコンの感光体と、帯電
手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段と、光に
よる感光体除電手段等とを有する電子写真装置におい
て、書込みに用いるレーザの波長が７８０nmであると
き、感光体除電手段に８５０nmの発光ダイオードを用い
ることを特徴とする電子写真装置。 - 【請求項５】 赤外光などの非可視光の光源装置におい
て、光源装置の動作を確認するための可視光の光源を搭
載することを特徴とする請求項４記載の電子写真装置。 - 【請求項６】 波長が８５０nmの発光ダイオードを用い
た除電手段において、動作確認のために可視光の発光ダ
イオードを少なくても１つ搭載した除電手段を有するこ
とを特徴とする請求項４記載の電子写真装置。 - 【請求項７】 アモルファスシリコンの感光体と、帯電
手段と、レーザによる書込み手段と、現像手段と、光に
よる感光体除電手段等とを有する電子写真装置におい
て、書込みに用いるレーザを６８０nmの短波長の半導体
レーザにすることを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094633A JPH07302024A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094633A JPH07302024A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 電子写真装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302024A true JPH07302024A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14115676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094633A Pending JPH07302024A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302024A (ja) |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP6094633A patent/JPH07302024A/ja active Pending
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